TWI330735B - Multi-domain vertical alignment lcd - Google Patents

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TWI330735B
TWI330735B TW094123413A TW94123413A TWI330735B TW I330735 B TWI330735 B TW I330735B TW 094123413 A TW094123413 A TW 094123413A TW 94123413 A TW94123413 A TW 94123413A TW I330735 B TWI330735 B TW I330735B
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Cheming Hsu
Yi Lin Ho
Ming Feng Hsieh
Tzu Yuan Kuo
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Chi Mei Optoelectronics Corp
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Description

年月日修正替換頁
Wt2jte3·發胡1說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係種多區域垂直配向型液晶顯示面板結 構,尤指-種共同電極和像素電極分別具有鑛齒狀圖案的 夕區域垂直配向型液晶顯示面板結構。 【先前技術】 液晶顯示器已被廣泛地應用在各式電子產品,如手 機、個人數位助理(PDA)及筆記型電腦(n〇teb〇〇k)等,而且 隨著大尺寸平面顯示器市場的快速發展,具有輕薄短小特 性的液晶顯示器更是扮演著相當重要的角色,進而逐漸取 代陰極射線管(CRT)顯Μ成為市場线。然而,液晶顯示 态由於視角不夠廣,成為發展上之限制條件,因此一種可 ^加視角的夕區域垂直配向型(mUiti_d〇main vertically aligned,MVA )液晶顯示面板便因應而生,該液晶顯示面板 可藉由將像素内液晶分子的方位(〇rientati〇n )設定為複數 個互為不同的方向而加以改善視角不夠廣的缺點。 習知技術一: 請參考第1圖,第1圖係為習知技術一之液晶顯示面 板之結構示意圖。一般而言’習知技術一之液晶顯示面板 100係為一多區域垂直配向型液晶顯示面板,其係由上基 板102、彩色濾光片層1 〇4、共同電極1 〇6、液晶分子108、 1330735
* , '像素電極110和下基板114依序疊合而成 笔極1〇6设置有多個配向凸塊(pr〇tr{!sion)]16,而各像素 (pixel)之像素電極11〇在相對應的配向凸塊116之間則設置 有狹縫(slit)118結構,其中液晶分子1〇8因為受到配向凸 • 塊116和狹縫118的邊場效應(fringe fieid)影響,所以可呈 現不同特定方向排列,這可使得習知技術一之液晶顯示面 板100的視角增加。 目前所知,造成多區域垂直液晶分子排列異常的可能 原因之一係當凸塊116與狹缝118距離變大時,凸塊 與狹縫118中間液晶分子需耗費較長的時間才得以隨著鄰 近的液晶分子傾倒_而配列,如此不僅使得液晶分子的 反應時間增加,再加上凸塊116與狹縫118中間的液晶分 子所党邊場效應較弱,且施加之垂直電場可能使多域垂直 液晶以任意的方向傾倒的情況下,使得傾倒方向不受控 制’而造成異常排列(disclinati〇n)。 工 另外,異常排列的成因亦可能因為瞬間施加高電壓, 凸塊與狹縫118中間的液晶分子在尚未受鄰近液晶分 子之傾倒而配顺,先受施加之垂直電場影響,使液晶以 任意方向傾倒,而在傾倒方向不受邊場效應控制的情況 下’異常排列也因而產生’在光學顯微鏡觀察下將呈現暗 點(gray spot)或黑點(black Spot)。
1330735 隼9
9&rt2TZ 上述灰點或黑點的產生係因任意方向傾倒的液晶分子 未與上下偏光片呈45度角配列所致,異常排列的液晶分子 隨後可能受鄰近液晶分子的影響而欲重倒(retilt)回與上下 偏光片成45度角的正確角度時,則需花費更長的時間,因 此造成反應時間增加,尤有甚者,當鄰近液晶分子的影響 已無法使異常排列的液晶分子重倒時,液晶分子將呈現灰 點或黑點而無法恢復該有之亮度。 由此可知在多區域垂直配向型液晶顯示器在驅動方面 存在有一臨界電壓,當外加電壓超過此臨界電壓時就會產 生前述液晶分子異常排列的問題,所以在習知顯示器設計 上必須限制驅動偏壓不能超過此臨界電壓,以免造成反應 時間的增加。並且在習知顯示器設計上,突起與狹缝之間 距也需小於一定程度,來避免異常排列問題,以此可以提 高臨界電壓值以增加驅動電壓可使用之範圍。但由於突起 與狹缝之間距變小,導致單一晝素内所設置之突起與狹縫 數量增加,且突起與狹缝皆為不可顯示的區域,因而導致 晝素區的開口率(aperture ratio)降低,液晶顯示器的亮度下降。 • * 習知技術二: 請參考第2圖,第2圖係為習知技術二之液晶顯示面 板之結構不意圖。習知技術二之液晶顯不面板2 0 0具有類 1330735 月日修正替^. '似於第1圖的習知技術一之液晶顯示面板其-亦由上基板202、彩色濾光片層204、’共同電極206、液晶 分子208、像素電極210和下基板214依序疊合而成,且 共同電極206具有多個配向凸塊(protrusion)216,但是,不 同於弟1圖的是’習知技術*一之液晶顯不面板2 0 0的像素 電極210在狹縫處更具有凹口(jagged)之下鋸齒狀圖案218 設置在相對應的配向凸塊216之間,使得液晶分子208因 為配向凸塊216和下鋸齒狀圖案218的影響,所以能呈現 φ 不同特定方向排列。並且鋸齒狀圖案218更可以增加邊場 效應(fringe field),因而改善液晶異常排列並加快液晶的反 應時間。雖然可以因此而增加突起與狹缝之間距,但仍存 在液晶分子異常排列的問題,所以其間距仍是必須維持在 一定值以下,開口率之增加程度有限。 如上所述,習知技術一之液晶顯示面板100和習知技 術二之液晶顯示面板200皆具有較廣之視角,但是液晶分 子的反應時間仍舊不夠快,所以還是有殘影的問題,此外, 顯示面板之開口率不高,亦即光源的穿透率不夠高,這些 缺點都影響了液晶顯示面板的功效。 • · 【發明内容】 *' 本發明係提供一種多區域垂直配向型液晶顯示面板, 以解決上述技術難題。 1330735 年片日修正替換頁 ^ vSTTo 2 3 本發明之最佳實施例係提供一種多區域垂直配向型液 晶顯示面板,其包含有水平設置之上基板和下基板,位於 該上基板和該下基板之間有液晶層,上基板和液晶層之間 有共同電極,其具有上鋸齒狀圖案,以及液晶層和下基板 之間有像素電極,其具有下鋸齒狀圖案。 本發明之另一最佳實施例係提供一種液晶顯示裝置, 其包含有經垂直配向處理之第一基板及第二基板,一液晶 層夾設於此第一及第二基板之間,此液晶層當無電場施加 於液晶層時,係垂直於此第一基板之主要表面的液晶分 子,一共同電極設置於此第一基板,具有第一鋸齒狀圖案, 以及像素電極設置於第二基板,具有第二鋸齒狀圖案。其 中,第一鋸齒狀圖案係包含第一主狹缝及多個第一次狹缝 設置在第一主狹縫之兩側,第二鋸齒狀圖案係包含第二主 狭缝及多個第二次狹缝設置在第二主狹缝之兩側,第一鋸 齒狀圖案係與第二鋸齒狀圖案係平行且交錯排列。 本發明之另一最佳實施例係提供一種液晶顯示裝置, .其包含第一基板及第二基板,液晶層夾設於此第一及第二 基板之間,共同電極設置於第一基板上,像素電極設置於 第二基板上,具有第二鋸齒狀圖案,以及儲存電容裝置設 置於第二基板上。其中,儲存電容裝置對應的第一基板表 1330735 年月曰修正替換頁 -- -面部分不具有共同電極。 本發明可增加視角、縮短液晶分子的反應時間,並大 幅改善動態影像品質,而且本發明更增加了顯示面板的光 源穿透率,使得面板具有高亮度和對比值,有效提升了液 晶顯不面板的功效。 【實施方式】 0 請參閱第3圖,第3圖係為本發明多區域垂直配向型 液晶顯示面板之結構示意圖。多區域垂直配向型液晶顯示 面板300係由上基板302、彩色濾光片層304、共同電極 306、液晶分子308、像素電極310和一平行上基板302之 下基板314依序疊合而成,其中,共同電極306設置有多 個具有凹口之上鋸齒狀圖案320,且每個上鋸齒狀圖案320 則係具由一個主狹縫322和主狹縫322兩側的次狹縫324 所構成。另外,各像素中之像素電極310在相對應之上鯊 ® 魚鍵鋸齒狀圖案320之間則設置有下鋸齒狀圖案340,而 且每個下鋸齒狀圖案340亦係具由一個主狹缝342和主狹 縫342兩側的次狹缝344所構成。 請特別注意,本發明之上鋸齒狀圖案320和下鋸齒狀 圖案340沿上、下基板302、314之平行方向上交錯配置於 多區域垂直配向型液晶顯示面板300之各像素中,因此, 1330735 6專.璣· afc顿頁 -'專充於^間之液'晶分子308便會因為上鋸齒狀圖案320和 下鋸齒狀圖案340 Θ影響,產生固定的傾倒角度。由於次 狹缝324及次狹缝344可以增加遠離主狹縫322及主狹缝 342之液晶的邊場效應,所以施以電壓時,液晶分子的傾 倒方向就更易受到控制,液晶異常排列的現象將大幅改 善,反應時間較習知技術更為縮短了。並且由於次狹縫324 及次狹縫344可以增加邊場效應,故主狹縫322及主狹缝 342可以配置成具有較大之間距,因此有效減少該些主狹 縫的分佈密度,藉此有效增加開口率(aperture ratio)(亦即 可透光區域之比例),使得液晶顯示器之顯示品質顯著提昇。 / 其中,本發明中上鋸齒狀圖案320和下鋸齒狀圖案340 除了可使用第3圖所示的具有凹口之鋸齒狀狹縫之外,亦 可將上鋸齒狀圖案320和下鋸齒狀圖案340皆置換成具有 鋸齒狀的凸塊,或者是共同電極306設置有鋸齒狀的凸 塊,但像素電極310則設置具有凹口之鋸齒狀圖案;又或 者是共同電極306係設置具有凹口之鑛齒狀圖案5而像素 電極3〗0則改為設置鋸齒狀的凸塊,.此等皆為本發明所保 護之範圍。此外,本發明之共同電極306是由氧化銦錫(ITO) 或氧化銦鋅(IZ0)等之透明導電材料所構成,而若像素電極 310亦為ITO、IZ0等透明電極,則多區域垂直配向型液晶 顯示面板300係為一穿透式液晶顯示面板,假如像素電極 310是金屬電極,則可形成一反射式液晶顯示面板,再者, 1330735 年月日修丑資换灵 若偉素電極310同時具有透明電極與金屬雷,目|丨奇構忐 半穿透半反射式液晶顯示面板 請參閱第4圖,第4圖係為本發明之多區域垂直配向 型液晶顯示面板之上、下鋸齒狀圖案的俯視示意圖,其中, 第4圖之II、III分別代表本發明上基板與下基板相對應之 單一像素結構,而第4圖之I則係為II、III疊合後之上、 下錄齒狀圖案的俯視示意圖。如第4圖所示,II之共同電 極420具有多個上鋸齒狀圖案422,而且每個上鋸齒狀圖 案422皆由主狹縫424和位於主狹缝兩側的次狹缝426組 成,其次狹缝426的長度為a,另外,III之像素電極440 亦具有多個下鋸齒狀圖案442,而且每個下鋸齒狀圖案442 皆由主狹缝444和位於主狹縫兩側的次狹縫446組成,其 次狹缝446的長度為b,此外,薄膜電晶體450係位於下 基板(未顯示)上。當共同電極420和像素電極440疊合 於多區域垂直配向型液晶顯示面板400時,上鋸齒狀圖案 422和下鋸齒狀圖案442的位置交錯配置,而上鋸齒狀圖 案422和下鋸齒狀圖案442之間的距離稱為次狹缝間距c, 另外,如第4圖之I所示,上鋸齒狀圖案420之主狹缝424 和下鋸齒狀圖案440之主狹縫444沿上、下基板之平行方 向上之間的袁小距離為主狹缝間距d ^而主狹縫間距d等 於次狹缝426的長度a、次狹缝446的長度b和次狹縫間 距c三者相加,且在本發明中次狹缝間距c更可以為零, 13307359Ρ» 12.2ir 年 m正111 間距d即為a加上b,次狹缝間距c更可以為負 數,亦即兩次狹縫相互重疊,此時主狹缝間距d即為a加 上b減去c。a、b、c三值則可依設計需要而作搭配,當我 們需要維持適當的反應速度而獲得最大穿透率時,會將c 值取為正數或零,此時較佳之設計值為β30μηι、bS30pm、 0μιη^(^20μιη ;而當我們需要較快之反應速度時,會將c值 取為負數,即兩次狹縫相互重疊,此時較佳之設計值為 a$40pm、bS40pm、-20μιη$(^0μιη,更佳之設計為 c 值的絕 對值為a值或b值的一半。並且值得注意的是,其中任一 主狹縫不與對侧基板的電極上之次狹縫重疊。 請參考第5圖,第5圖係為本發明之較佳實施例,其 次狹缝間距為零時5多區域垂直配向型液晶顯不面板的 上、下鋸齒狀圖案俯視示意圖,.其中第5圖之I係為上鋸 齒狀圖案522、下鋸齒狀圖案542疊合後的俯視示意圖, 而第5圖之II則代表上基板之共同電極520為一具有多個 上鋸齒狀圖案522的結構。值得注意的是,在本發明之較 佳實施例中,在上基板設置鋸齒狀圖案的製程中,同時將 上基板與下基版之儲存電容(storage capacitor)裝置區域 550重疊的共同電極去除,即下基板之各像素結構位於儲 存電容裝置區域550的上方係不設置有共同電極。由於儲 存電容裝置區域550於下基板為不可透光之區域,此區域 之液晶無法提供顯示之功能,故將此區域的共同電極除去 14 =:響顯示品質。然而將此區域之共咸 二素的液晶電容,進而減少各像素的液晶電容充斤 =的時間。換句話說如維持相同之充電時 =: 錢線變細並同時將晝素電極增大,因而可以得 開口率,亦即光源透光率提升,可以得到較佳之顯示品问質。 相車父於習知技術’本發明除可增加視角使液晶顯示面 板成為廣視角面板外,更能有效縮短液晶分子的反應時 門大巾田改善動恶影像品質,而且本發明又可增加了顯示 =板的光源穿透率’使得面板具有高亮度和對比值,大幅 提升液晶顯示面板的性能表現。 乂上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專 利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖係為習知技術一之液晶顯示面板之結構示意圖。 第2圖係為習知技術二之液晶顯示面板之結構示意圖。 第3圖係為本發明多區域垂直配向型液晶顯示面板之結構 • » 不意圖。 第4圖係為本發明之多區域垂直配向型液晶顯示面板的 上' 下鋸齒狀圖案俯視示意圖。 1330735 本發明之次狹縫間距為零時,多區域垂直配向 型液晶顯示面板的上、下鋸齒狀圖案俯視示意圖。 【主要元件符號說明: 】 100 習知技術一之液晶顯示面板 300 > 400 > 500 多區域垂直配向型液晶顯示面板 200 習知技術二之液晶顯示面板 102 、 202 、 302 上基板 104 、 204 、 304 彩色濾光片層 106 、 206 、 306 、 420 > 520 共同電極 108 、 208 、 308 液晶分子 110 、 210 、 310 、 440 像素電極 114 、 214 、 314 下基板 116、216配向凸塊 118狹縫 218 、 340 、 442 、 542 下鑛齒狀圖案 320 ' 422 ' 522 上鑛齒狀圖案 322 、 342 、 424 、 444 > 524 ' 544 主狹缝 324 、 344 、 426 ' 446 、526、546 次狹缝 450 薄膜電晶體 550儲存電容裝置區域
16

Claims (1)

1330735 年月曰修正本 -十、申請專利範圍: .如」,- 1. 一種多區域垂直配向型(MVA)液晶顯示裝置,包含有: 水平設置之一上基板和一下基板; 一液晶層,位於該上基板和該下基板之間; ' 一共同電極(common electrode),位於該上基板和該液晶 層之間,具有至少一上鋸齒狀(jagged)圖案;以及 至少一像素電極(pixel electrode),位於該液晶層和該下 基板之間,具有至少一下鋸齒狀(jagged)圖案,其中, φ 該第一鋸齒狀圖案係包含一第一主狹縫(main slit)及 多個第一次狹缝(fine slit)設置在該第一主狹缝之兩 側0 2. 如申請專利範圍第1項之多區域垂直配向型液晶顯示 .裝置,其中該上鋸齒狀圖案之各該次狹缝至該下鋸齒狀之 各該次狹缝的水平距離係為· 次狹缝間距5該次狹缝間距 為Ομηι〜20μιη,並且該些次狹縫的長度小於等於30μπι。 3. 如申請專利範圍第〗項之多區域垂直配向型液晶顯示 裝置,其中該上鋸齒狀圖案之各該次狹縫與該下鋸齒狀之 各該次狹縫係相互水平重疊,其水平重疊距離係為Ομηι 〜20μιη,並且該些次狹缝的長度小於等於40μηι。 4. 如申請專利範圍第3項之多區域垂直配向型液晶顯示 17 衣置,其中該水平重疊距離係為該些次狹縫的長度的—半。 5.如申請專利範圍第3項之多區域垂直配向型液晶顯示 裝置,其中該主狹縫係與該些次狹縫在水平方向上互不重疊。 6·如申請專利範圍第1項之多區域垂直配向型液晶顯示 裝置,更包含有: 色濾光片層,位於該上基板和該共同電極之間; 以及 至少—薄膜電晶體(TFT),位於該下基板上。 7.如申請專利範圍第1項之多區域垂直配向型液晶顯示 裝置,其中該多區域垂直配向型液晶顯示裝置更包含有一 儲存電谷(storage capacitor)裝置。 8·如申凊專利範圍第7項之多區域垂直配向型液晶顯示 裝置,其中該儲存電容裝置對應的該上基板表面部分不具 有該共同電極。 9,·如申凊專利範圍第1項之多區域.垂直配向型液晶顯示 裝置,其中該上、下鋸齒狀圖案係分別為設置在該共同電 極和°玄像素電極上之凸塊(protrusion)組成。 1 〇.如申凊專利範圍第1項之多區域垂直配向型液晶顯示 1330735 裝置’其中該上鑛齒狀圖案係由設置在該共同電極之凸塊 組成,而該下鑛齒狀圖案係由該像素電極之狹缝組成。 11. 如申請專利範圍第1項之多區域垂直配向型液晶顯示 裝置,其中該上鋸齒狀圖案係由該共同電極之狹缝組成, 而該下鑛齒狀圖案係由設置在該像素電極之凸塊組成。 12. 如申請專利範圍第1項之多區域垂直配向型液晶顯示 裝置,其中該共同電極係為一氧化銦錫(ITO)透明電極或一 氧化銦鋅(IZO)透明電極。 13. 如申請專利範圍第1項之多區域垂直配向型液晶顯示 裝置,其中該像素電極係為一氧化銦錫(ITO)透明電極、一 氧化銦鋅(IZO)透明電極或一金屬電極。 14. 一種多區域垂直配向型液晶顯示裝置,其包含: 經垂直配向處理之第一基板及第二基板; 一液晶層夾設於該第一及第二基板之間,該液晶層包含 當無電場施加於該液晶層時係垂直於該第一基板 . 之主要表面的液晶分子;. 一共同電極(common electrode),設置於該第一基板,具 有至少一第一鋸齒狀(jagged)圖案;以及 至少一像素電極(pixel electrode),設置於該第二基板, 19 1330735 具有至少一第二鋸齒狀圖案,其中’該第—鋸齒狀 圖案係包含一苐一主狹縫(main slit)及多個第—次 狹縫(fine slit)设置在該第一主狹縫之兩側;該第二 鋸齒狀圖案係包含一第二主狹缝及多個第二次狹 縫設置在該第二主狹縫之兩側;該第一鋸齒狀圖案 係與該第二鑛齒狀圖案係平行且交錯排列。 如申請專利範圍第〗4項之多區域垂直配向型液晶顯示 裝置,其中該些第一次狹縫至該些第二次狹縫的水平距離 係為一次狹縫間距,該次狹縫間距為〇μιη〜2〇μιη,並且 ilb ¥ 〇次 - 及第二次狹缝的長度小於等於30μηι。 a 士申印專利範圍第14工頁之多區域垂直配向型液晶顯示 裝f,其中該些第一次狹縫與該些第二次狹縫係相互水平 ^ ®,其水平重疊距離係為Ομιη〜20μηι,並且該些第—及 第二次狹縫的長度小於等於4〇μιη。 ^如申請專利範圍第16項之多區域垂直配向型液晶顯示 ",其中該水平重疊距離係為該些次狹縫的長度的一半。 巾。月專利範圍第16 J員之多區域垂直配向型液晶顯示 、x、中°亥第一主狹縫係與該些第二次狹縫在水平方向 上互不重豐’且該第二主狹縫係與該些第—次狹縫在水平 20 1330735 方向上互不重疊。 19. 如申請專利範圍第14項之多區域垂直配向型液晶顯示 裝置,其中該第二基板更包含有一儲存電容(storage capacitor)裝置。 20. 如申請專利範圍第19項之多區域垂直配向型液晶顯示 裝置,其中該儲存電容裝置對應的該第一基板表面部分不 具有該共同電極。 21. —種多區域垂直配向型液晶顯示裝置,其包含: 一第一基板及一第二基板; 一液晶層夾設於該第一及第二基板之間; 一共同電極(common electrode),設置於該第一基板, 具有至少一第一鋸齒狀Gagged)圖案; 至少一像素電極(pixel electrode),設置於該第二基板, 具有至少一第二鋸齒狀圖案;以及 一儲存電容(storage capacitor)裝置,設置於該第二基 板,其中,該儲存電容裝置對應的該第一基板表面 部分不具有該共同電揮·。 ♦ » 十一、圖式: 21
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