TWI325512B - Liquid crystal display panel and method for making liquid crystal display panel - Google Patents

Liquid crystal display panel and method for making liquid crystal display panel Download PDF

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TWI325512B
TWI325512B TW095128211A TW95128211A TWI325512B TW I325512 B TWI325512 B TW I325512B TW 095128211 A TW095128211 A TW 095128211A TW 95128211 A TW95128211 A TW 95128211A TW I325512 B TWI325512 B TW I325512B
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pixel electrode
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Te Wei Chan
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Description

1325512 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種製作液晶面板之方法,特別是關於 一種利用聚合物穩定配向技術來製作液晶面板之方法。 【先前技術】 隨著顯示科技的進步,與傳統的CRT顯示器相比,液
晶顯示器(liquid crystal display, TFT-LCD)由於具有 輕、薄、低輻射以及體積小而不佔空間的優勢,目前已經 成為顯不器市場的主力產品’同時大量的應用於計算機、 個人數位助理(PDA)、筆記型電腦、數位相機、行動電話等 各式電子產品中。
為因應液晶顯示產品的快速發展,液晶面板薇商的競 爭日增。業界積極的投入研發以及採用更先進的生產設 備,使液晶顯不器的生產成本不斷下降,更令液晶顯示器 的需求量大增。為了進一步擴展液晶顯示器的應用領域與 品質,當前液晶顯示器的研究重點,主要集中在如何增廣 視角以及縮短螢幕的反應時間。 為了達成上述要求,業界發展出一種應用聚合物穩定 配向(polymer stabilized alignment; PSA)技術來製造液 晶面板之方法。 此方法主要是在液晶面板中,產生高分子聚合物,使 得液晶分子受到高分子聚合物的影響而具有一預傾角。因 此,當液晶分子受到電場驅動時,液晶分子便可迅速地偏 5 進而縮短液晶面板的反應時間。關於此 可先由液晶面板的基本構造開始介紹。
分子層形絲上餘與下基板之間。魏晶分子層與 轉到適當的方位, 方法的詳細說明, 上基板之間並設置一共用電極。 請^照第-圖,第一圖為習知聚合物穩定配向液晶面 中的早位像素結構上視圖,此像素結構主要形成於下基 板表面。對每-個單位像素1G而言,其主要树包括了掃 描線10卜資料線102、薄膜電晶體103、儲存電容Cst及 像素電極105。單位像素10的操作程序係藉由掃描線1〇1 輸入-掃描訊號,導通薄膜電晶體1〇3,而使資料線1〇2 上的電壓訊號傳送到像素電極1〇5中。同時,由資料線1〇2 所輪入的電壓訊號,會保留在儲存電容1()4中以便在影 像資料供給空檔中’仍可繼續維持單位像素1〇在一定的灰 階位準。 ,如第一圖所示,像素電極105的形狀係包含了複數條 彼此平行的長條形圖案,這些長條型圖案係分別朝向四個 方位角度沿伸(即圖中的魚骨狀圖案)。當此單位像素1〇 作用時,在像素電極105與共用電極間產生的電場,會使 液晶分子層内的液晶分子依據此電場而產生相對應的偏 轉。由於像素電極1〇5形狀的關係,液晶分子會分別朝向 四個方位角度偏轉,而形成四個分域的效果。 為了縮短液晶面板的反應時間,可在製作出上述像素 電極105後’使用聚合物穩定配向技術,並執行一固化 (curing)程序’讓液晶分子具有固定的預傾角(pretilt angle)。請參照第二圖,第二圖係為習知單位像素1〇進行 固化私序時之電路示思圖’圖中包括了上述之儲存電容L 及一液晶電容Cu:。其中,液晶電容Cic係由像素電極 及共用電極所形成。在固化程序中,共用電極維持一定之 電位位準。較佳實施例中,共用電極係維持於一接地電位 (Vground ) 0 固化程序係在製作液晶面板的過程中,在液晶分子層 多加入一種用於聚合物配向之單體後,施加一固化電壓 (Vcuring)至儲存電容Cst之一電極上。此時,像音電極jog 因電容耦合的作用,而具有一耦合電壓(Vc〇upie)施加於像素 電極105上,使得各液晶分子偏轉到一預定角度,同時上 述單體亦隨著液晶分子的排列方向而排列。接著,利用一 紫外光,使上述單體聚合成高分子聚合物,並傾斜地形成 於液晶面板中。 藉由此聚合物穩定配向技術,高分子聚合物可使液晶 分子具有一預傾角,亦即液晶分子在未受電場驅動時,受 到高分子聚合物的影響,而會傾斜的排列。因此,當液晶 刀子父到電%驅動時,液晶分子便可迅速地偏轉到適當的 方位,進而縮短液晶面板的反應時間。 目前聚合物穩定配向(PSA)之液晶面板中,像素電極 105係由IT0材料所構成,並藉由微影製程製作出魚骨狀 的圖案,可將單一像素分割成四個分域。儘管此種設計可 大幅增進液晶面板之對比值、亮度值,且有效縮短反應時 間。但是隨著液晶面板尺寸增加的趨勢,此種設計仍無法 解決大視角色偏的問題,且無法進一步降低色飽和度不足 (color washout)的現象。 【發明内容】 本發明之一目的係在於提供一種製作液晶面板的方 法,不但可以有效解決大視角色偏的問題,且降低色飽和 度不足(color washout)的現象。而且,在固化液晶分子配 向的程序中,藉由改變單位像素内各個液晶電容與儲存電 谷間的比值,或是在不同的儲存電容之一電極輸入不同的 固化電壓,使得單位像素内各像素電極上的電壓相等。如 此一來,在經過固化程序後,液晶分子的配向將更為均勻 且整齊母單位像素也不會有錯向線(disci ination line)產生’使得液晶面板的成像品質得以提升。 本發明所揭露之製作液晶面板的方法,包括下列步 驟。首先,提供一液晶面板,液晶面板包含一第一像素電 極、-液晶分子層、—第—共用電極…第—電容電極、 一第一介電層、一第二共用電極、一第二像素電極、一第 二電容電極以及一第三共用電極。 ^液晶分子層位於第一像素電極及第一共用電極之間。 第一介電層位於第一電容電極及第二共用電極之間。液晶 分子層更位於第二像素電極及第-共用電極之間。第-介 電層更位於第二電容電極及第三共用電極之間。 液晶面板具有複數個單位像素,其中每一單位像素具 f 一 = 一液晶電容(Clcl)、一第一儲存電容(Csti)、一第二液 晶電容(Clc2)、一第二儲存電容(Cst2)及一耦合電容。 第液曰日電各(Cici),由第一像素電極、液晶分子層、 與第一共用電極構成。第一儲存電g(cstl),由第一電容電 極、第一介電層、與第二共用電極構成,且第一儲存電容 (Cstl)與第一液晶電容並聯。第二液晶電容(Cic2),由第二像 素電極、液晶分子層、與第_共用電極構成。第二儲存電 容(Cst2),由第二電容電極、第一介電層、與第三共用電極 構成’且第二儲存電容與該第二液晶電容並聯。輪合電容, 連接於第一電容電極與第二像素電極之間。另外,第二像 素電極與第一像素電極彼此獨立且可電性分離。 根 據 與 之關係式,提供一第一固化電^ (VcuHn^)與一第二固化電壓(Vcuring〇。其中%為第一像素 極之電壓’ V2為第二像素電極之電壓。 、 接著,施加第一固化電壓…一於第二共用電極,同 施加第一固化電壓(^^於第三共用電極,使第 電極與第二像素電極上之電壓比值約介於G 9與i 1之 間’以固定液晶分子之配向。 、’ 電 容 —本發明亦揭露一種液晶面板,包括複數個單位像素。 個單位像素具有第-液晶電容(α1)、第—儲存電容 、第二液晶電容㈣、第二儲存電容㈣及輕合 第-液晶電容(Clcl),由第-像素電極、液晶分子声、 與第—共用電極構成。第—儲存電容(U),由第一電^ 極、第-介電層、與第二共用電極構成,且第一儲存 與第-液晶電容並聯n晶電容(Ck2),由第二像 極、液晶分子層、與第—共用電極構成。第二儲存電容 (Cst2) ’由第二電容電極、第-介電層、與第三共用電極構 成’且第二儲存電容與該第二液晶電容並聯 。搞合電容, 連接於第-像素電極與第二像素電極之I另外,第 素電極係與第—像素電極彼此獨立且可電性分離。 其中’第一儲存電容(Cstl)、第一液晶電容(Clcl) /lc2) ’ 滿足 Cstl/Cicl:
儲存電容(U)、與第二液晶電容(G
Cst2/Cl。2 之關係 〇 下有特徵及内容’請參閱以 【實施方式】 之液晶輸具魏數解位像素,請參 f ’第四關為本發明單位像素之剖面圖。並可同時參昭 ίς圖’第三_為本發明單位像素之上視圖。如第三圖 及第四圖所不,液晶面板中,每一個單位像素3g包含 -^素電極311、-液晶分子層341、一第一共用電極 一第-電容電極323、-第一介電層342、一第二 343々、-第二共用電極324、一第二像素電極321、一第二 電谷電極333以及一第三共用電極334。 其中,液晶分子層341位於第一像素電極311及第〜 j電極314之間。第-介電層342位於第一電_ f二共用電極324之間。第二介電層343位於第-像^ 電極311及第-電容電極323之間。液晶分 ^ 於第二像素電極321及第一共用電極3 尺位 層-更位於第二電容電極:第=極=: 間。第二介電層343更位於第二像素電極321及第二電容 電極333之間。 此外,第二像素電極321與第一像素電極311係為彼 此獨立且可電性分離。亦即,第一像素電極犯1與第二像 素電極311彼此隔離而未直接接觸,亦可未電性導通。 m藉由上述元件之間的位置及相互作用關係,使得每一 個單,像素3G中,具備了 —第—液晶電容^、一第一儲 =電=Csti、、一第二液晶電容Cw、一第二儲存電容及 。輕合電容CX,可同時參照第五圖,第五圖係為本發明之 單位像素電路示意圖。 乐一液晶電容clcl,由第 ------,丨冬乐电蚀、欣晶分子層 -、第共用電極314所構成。第一儲存電容cstl,由 ^^容電極323、第一介電層342、與第二共用電極324 構成。其中,第一儲存電容。與第一液晶電容^並聯。 34】第二液晶電容由第二像素電極32卜液晶分子層 二心第一共用電極314構成。第二儲存電容Cst2,由第 333、第一介電層342、與第三共用電極334 耦人^中’第二儲存電容U與第二液晶電容^並聯。 之門位於第一像素電極311與第二像素電極321 二可由第二像素電極32卜第二介 谷電極323構成。 八弟€ 301另一外^請參照第三圖,單位像素30更包括一掃描線 正常運作7線3〇2及一薄膜電晶體310。在單位像素30 、過程中,掃描線3〇1用以傳送一掃描訊號,資 料線302則用以傳送一電壓訊號。薄膜電晶體⑽係為單 位像素30之開關,會回應於掃描訊號而開啟,可導通並傳 送電壓訊號到-第—像素電極311,其中,第—像素電極 311直接連接於薄膜電晶體31〇。 而本發月戶斤k供之製作液晶面板的方法,係利用聚合 物穩定配向(PSA)技術巾_化程序,明化液晶分子配 向。此製造方法的步驟,主要是先提供—具有上述元件的 液晶面板’且此液晶面板具有複數個單位像素3〇。 請參照第五® 1五圖係為單錄素進行固化程序時 之電路示意圖。藉由電路示意圖,可推得 V,=Cstl/(Cstl+Clc〇^ ^ V2=C5t2/(Cst2+CIc2)^ 式:根據上侧係式,而提供—第―固化電壓v—與一 ,二固化電壓v—2。在上述關係式中,%為第—像素電極 311之電壓,V2為第二像素電極321之電壓。 接奢,施加第一固化於第二共用電極324, 同時施加第一固化電屋V—2於第三共用電極咖,使得第 -像素電極311與第二像素電極321上之之比值約介 於〇. 9與Η之間,更佳的是,第一像素電極3ΐι與第二 像素電極321上之電屢相等㈣ο,以固定液晶分子之配 向,使液晶分子的預傾角更為均勻且整齊。 進行固化程序前,除了先奴施加於第二共用電極 ,4_的第一固化電壓以及施加於第三共用電極咖的 -固化電屢V_2外,更需決定施加於第一共㈣極犯 大小…般而言’可將第—共用電極3]4 位準維持在接地狀態的電位位準(Vgajmd)。 第一實施例 當第—儲存電容U與第一液晶電容Clcl之比值,不等 於第二儲存電容Cstz與第二液晶電容⑴之比值時,製作液 晶面板的方法,更包括下列步驟。 首先’根據V丨sCstl/CCsu+CldPVcuringl關係式,產生欲使 第一像素電極311之電壓%等於一耦合電壓V時,所需施 加於第二共用電極324之第一固化電壓VcuHngl。 接著’根據V2KW(Cst2+Clc2)*Vcuring2關係式,產生欲使 第二像素電極321之電壓v2等於耦合電壓V時,所需施加 於第三共用電極334之第二固化電壓。 ‘ 也就是說’在固化液晶分子配向的過程中,可以根據 上述兩個關係式,改變第一固化電壓Vcur㈣與第二固化電 壓VCuring2到適當的電壓位準,且分別施加到第二共用電極 324與第三共用電極334,使得第一像素電極311之電壓 Vl與第二像素電極321之電壓y2之比值約介於0. 9與1.1 之間’更佳的是,皆等於一耦合電壓v(Vl=V2=v)。 在一實施例中,各電容值如下所述:Cstl=〇. 1312pF、 Cst2 〇· 〇87pF、Gci=Cic2=0. 0396。而當第一固化電壓 V〇uringl=60V(伏特)以及第二固化電壓Vcuring2=44· 5V(伏特) 時’兩像素電極之電壓VfVfUV(伏特)。如此一來,藉 由兩種固化電壓輸入’使得兩像素電極之電壓大約相同, 即可避免液晶排列不整齊之情況發生。 因此’上述第一儲存電容(^與第一液晶電容clcl之比 值’不等於第二儲存電容Cst2與第二液晶電容Ck2之比值的 狀況下。分別施加不同電壓位準的第一固化電壓乂⑽嗯與 第二固化電壓Vcuri„g2到第二共用電極324與第三共用電極 334上時,可使得第一像素電極311之電壓W與第二像素 電極321之電壓V2之比值約介於〇· 9與1· 1之間,更佳的 是’第一像素電極311之電壓乂與第二像素電極321之電 壓V2相等。 這種方法的好處是,能彈性地配合不同的電容比值來 調整固化電壓。然而’在製作液晶面板的過程中,由於需 要控管兩種不同電壓的加電壓程序,因此使得製程變得較 為繁複® 第一實施例 在製程的考量上,欲以同一種固化電壓(Vcur㈣ =Vcuring2)’而達到兩像素電極之電壓相同(Vi=V2)的目的, 則必須調整第一液晶電容Clcl、第一儲存電容(^、第二 液晶電容Cl。2及第二儲存電容cst2之間的比例關係。 由刚述關係式可以得知,在兩像素電極之電壓相同 jv1=v2)及兩固化電壓相同(Vwingi=Vcuring2)的情況下,第 儲存電容Cstl與第一液晶電容Cld之比值(Csti/Cici)必須等 於第二儲存電容。與第二液晶電容Cic2之比值(Cst2/Cic2), 才即滿足Cstl/Clcl= Cst2/Clc2之關係。 也就是說’當第一儲存電容Cstl與第一液晶電容Clcl 之比值(Cstl/Clcl) ’等於第二储存電容Cst2與第二液晶電容 1325512
Cm之比值(Csdo時,只要在第二共通電極324與第三共 通電極334上施加相同的固化電壓,亦即使第一固化電壓 Vcuring丨等於第二固化電壓Vcurin^ (Vcuring丨=Vcuring2),第一像素 電極311之電壓Vl與第二像素電極之電壓%仍會相等 (Vl=V2) 〇 因此,在製作液晶面板的過程中,需要使第一儲存電 谷Csti與第一液晶電容Cid之比值(cstl/〇lcl)等於第二儲存電 谷Cst2與第一液晶電谷Clc2之比值(Cst2/Cic2)。此種效果,可 由以下步驟達成。 例如,可選擇調整第一電容電極323與第二電容電極 333的尺寸大小’而使第一電容電極323與第二電容電極 333分別具有不同的面積。 或者,可選擇改變第一像素電極311與第二像素電極 321之尺寸大小,而使第一像素電極311與第二像素電極 321分別具有不同的面積。此外,也可選擇改變第二共用 電極324與第三共用電極334之尺寸大小,使第二共用'電 極324與第三共用電極334分別具有不同的面積。^ 藉由調整上述電極的面積’可使第一儲存電容c⑻與 第一液晶電容Gci之比值等於第二儲存電容Cstz與第二液晶 電谷Cl。2之比值。在此情形下,便可施加相同電壓位準的 第一固化電壓Veurin^與第二固化電壓Vcuring2於第二共用電極 324與第三共用電極334上,並使得第一像素電極311之 電壓1與第二像素電極321之電壓%之比值約介於〇·9與 1· 1之間,更佳的是,使得第一像素電極311之電壓 第二像素電極321之電壓V2相等。 15 如先剛所it ’本發%之液asa^板的每 具有彼此獨立之第-像辛雜31〗魅位像素30 請參照第•其"===每 二=ΓΪΓί素電極311由複數條彼此平行之 =條關案構成’該钱條賴案係沿著同—方向延伸分 •Ψ 而第二像素電極321亦可以具有四個分域,每一個 =份電極321由複數條彼此平行之長條形 圖案構成,該些長條形_係沿著同—方向延伸分佈。 在較佳實施例中,位於上述四個分域中之該些長條 圖案之延#方向的方位角度約分別介於4G,度、i 3(Μ =220-230度、與310_32〇度。因此,第一像素扪 ”第-像素電極321所呈現出來_案分佈 狀圖案。 、…、月 請參照第六圖,第六圖係為本發明之單位像素影像表 現圖。如圖所示’不妓朗第—實施例或是第二實 的方法’皆可以使得第一像素電極311之電壓%與第 素電極321之電壓R之比值約介於〇. 9與丨· i之'間,^佳 的是,使得第-像素電極311之電壓Vl與第二像素電極321 之電壓V2相等。如此一來,在經過固化程序後,液晶分子 的配向將更為均勻且整齊。單位像素不會有錯向線 (口disclination line)產生’使得液晶面板具有更佳的成像 品質0 本發明雖以較佳實施例闡明如上,然其並非用以限定 本創作精神與創作實體,僅止於上述實施例爾。因此,$ 1325512 不脫離本創作之精神與範圍内所作之修改,均應包含在下 述之申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 第圖係為習知聚合物穩定配向液晶面板中的單位像素 結構上視圖; 第一圖係為習知單位像素進行固化程序時之電路示會 圖;
第二圖係為本發明之聚合物穩定配向液晶面板中,具有 八個分域的單位像素結構上視圖; 第四圖係為本發明單位像素之剖面圖; 第五圖係為本發明之單位像素進行固化程序時之電 意圖;及 第六圖係為本發明之單位像素影像表現圖。
【主要元件符號說明】 10、30 ·單位像素 102、302 :資料線 105 ··像素電極 Vcouple ·輕合電壓 Cst :儲存電容 321 ··第二像素電極 101、301 :掃描線 103、310 :薄膜電晶體 Vcuring :固化電壓 Cl。:液晶電容 311 :第一像素電極 323 :第一電容電極 1325512 333 :第二電容電極 324 :第二共用電極 341 :液晶分子層 343 :第二介電層 Clc2 .第二液晶電容 Cstl :第二儲存電容 Vground .第·一共通電極之電壓 Vcuring2 :第二固化電壓 V2 :第二像素電極之電壓 314 :第一共用電極 334 :第三共用電極 342 :第一介電層 Clcl .第·一液晶電容 Cstl :第一儲存電容 Cx :耦合電容
Vcuringl .第一固化電壓 Vl :第一像素電極之電壓

Claims (1)

1325512 十、申請專利範圍: 1. 一種製作液晶面板之方法’包括下來 提供一液晶面板,該液晶面板包含一 乂驟. 晶分子層、一第一共用電極、一第—電容〜像素電極、一液 一第二共用電極、一第二像素電極、一第一玉、—第一介電層、 三共用電極,其中該液晶分子層位於該第二電容電極以及一第 共用電極之間、該第一介電層位於哕像素電極及該第一 用電極之間、該液晶分子層更位於^第二^電極及該第二共 用電極之間以及該第一介電層更位於該電極及該第一共 共用電極之間,該液晶面板具有複數^ 料極及該第三 單位像素具有: 像素,其中每一該 一第一液晶電容(Clcl),由該第一像 子層、與該第-共用電極構^素電極、該液晶分 一第-儲存電容(cstl),由該第—電 S聯與該第二共用電極構成,與ΐ二Ϊ 一第二液晶電容㈣’由該第二像素電極、八 子層、與該第一共用電極構成二;液: -第=第;像f電極彼此獨立•二 第一儲存電容(Cst2),由該第二電容雷 2聯=三共用電極構成’與該第^ $接像素電極触第二像素電 其"ίΐ 與一第二固化電峨一), 以及 s第像素電極之電壓,%為該第二像素電極之電廢; 該第二化電贿一。於該第二共用電極,同時施加 匕電屋d喊)於該第三共用電極,使該第一像素電極 (S. 19 電壓之比值約介於9與i.1之間,以 «:二圍第1項之方法’其中當該第—儲存電容 電Ϊ晶電容(Clel)之比值((WCW),等於該第二儲存 固化電"第、:液晶電容(Clc2)之比值(Cst2/Cic2)時,使該第一 固化電陳―)等於該第二固化電壓“ 步驟3中mi範π項之枝’上雜作餘晶面板之 該第一電容電極與該第二電容電極之面積, ^(Csti)與該第一液晶電容(Cici)之比值π』1。1) ( J/C c〇 Γ ^ # 1 ^(Cst2) ^ ^ ^ 3¾ t (Clc2) ^ tb ^ 步驟4中f如勺利範圍第1項之方法,上述製作該液晶面板之 J哕!該第一像素電極與該第二像素電極之面積, ^第—液晶電容㈣之比值(Cstl/Clcl) in儲存電讓2)與該第:液晶電容㈣之比值 rr 請專利範圍第1項之方法,其中當該第—儲存電容 ίΛ盥一液晶電容(Clcl)之比值’不等於該第二儲存電容 (Cw)#、該第二液晶電容(cw)之比值時,更包括下列步驟·· 本愈據該Vl=Cstl/(Cstl+Cld)*Veuringl關係式’產生欲使該第-像 用素 根據該VK:st2/(Cst2+C丨c2)卿咖喊關係式,產生欲使爷坌一 素!,之_⑹等於該福合電塵⑺時,所需施加於^第Γ妓 用電極之該第二固化電壓(Vcuring2)。 —、 1325512 6.如申請專利範園第1項 用電極施加一接地端電壓(L 、,,其中更包括對頡 round ) ° 苐一共 具有四個二青專^八]其中上述第-像素電極 長條晴:’ “=圈=;= 長條形圖案構成,該“ 9· 一種液晶面板,包括· 複數個t位像素,其中每一個該單位像素具有 /層、與一第-共用電ί構i象素電極、1晶分 -第:„“),由一第一電容電極 聯二共用電極構成’與該第-液晶電 —第二液晶電容(clc2),由一第二像音 2與共用電極構成,其中該ϊ二ii 一第二儲存電容(U),由一第二電容電’ ίς與該第三共用電極構成, -耦極合之:,連接於該第一像素電極與該第二像素電 其中,該第一儲存電容(Cstl)、該第一 二儲存電容㈣、與該第二_容㈣日,日 21 Cst2/Cl<:2 之關係。 ι〇·如申請專利範 容電極與該第二電容電 如申請專利範 用電極與該第三共用電 固第9項之液晶面板,其中上述第一電 極具有不同的面積。 園第9項之液晶面板,其中上述第二妓 極具有不同的面積。 '、 素電極與該第第9項之液晶面板,其中上述第一像 、电極具有不同的面積。 素電極具有四第9項之液晶面板,其中上述第一像 由複數條彼此平行部份該第-像素電2 同-方向延伸分佈。〜圖案構成,該些長條糊案係沿著 辛電極且11利範圍第13項之液晶面板,其中上Μ ,桎具有四個分域,每—個該分域内=上4第二像 由複數條彼此平行之長條形贿構成,該此=第二像素電極 同一方向延伸分佈。 一長條形圖案係沿著 (S: 22
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