TWI316562B - - Google Patents

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1316562 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係為一種在塑膠基板上製作二氧化矽硬化膜之 材料與方法，尤指利用四甲基石夕烧有機分子以及結合氧氣之 輔助，而於塑膠基板以電漿增強化學氣相沉積系統，在低溫 環境下於塑膠基板上製備二氧化破硬化膜，以提升塑膠基板 的環境穩定性與耐磨損能力。 【先前技術】 • 按’隨著光電、微機電以及光學元件產品逐漸走向輕薄 化可攜τ性以及多元應用的潮流趨勢下，塑膠基板所具有 之質量輕及高可塑特性，已漸漸取代過去採用玻璃或其它基 板所製作的元件；惟此塑膠基板經使用一段時間後，表面容 易產生刮痕與磨損，進而影響相關元件的品質與壽命。 過去為了提升塑膠基板的產業應用價值，必須在基板上 沉積具有保護作用的硬化膜（Hard Coating)，以改善塑膠基 板的環境穩定性與機械強度；而對當時在硬化膜的使用技術 • 領域中上，可以利用為硬化膜的材料有狼多種，包含類鑽碳 膜（Diamond Like Carbon ; DLC)、矽基化合物 (Si 1 icon-Based Compound)及金屬氧化物等，其中以二氧化 矽硬化膜，為具有較低的折射率（約146)及優異的硬度， _ 已廣泛地應用在各種以塑膠基板為主的元件之光學鍍膜上。 • 對於目刖製作二氧化梦硬化膜的技術上，許多塑膠原材 生產及相關上游塑膠加工產業仍以浸潰法（Dipping)將基板 浸於特定溶液中以達到沉積二氧化矽硬化膜的技術為主 流，但是，由於浸潰法容易受到塑膠基板本身形狀的影響， 使得二氧化矽硬化膜的均勻性不佳，降低製作相關元件下游 1316562 使得二氧化矽硬化膜的均勻性不佳，降低製作相關元件下游 製程的良率；而為了克服塑膠基板較低的熱變形溫度以及形 狀的影響’近年來已有少數相關產業採用具有高沉積速率， ； 優異的似形性及階梯覆蓋率的製程技術-電漿增強化學氣相 ·· 沉積法（Phsma Enhanced Chemical Vapor Deposition ; PECVD ) ’取代傳統之浸潰法沉積二氧化矽硬化膜；對於製備 二氧化矽薄膜的源材料選擇方面，我國目前半導體及光電大 廠仍多採用矽烷（Silane ; SiH4)與氧氣為源氣體，沉積二氧 φ 化矽薄膜作為各元件間的絕緣介電質層或元件表面的鈍化 保護層，由於矽烷具有毒性，且容易爆炸等不穩定與不安全 的缺點’已漸漸改以較穩定之四乙氧基矽烷 (Tetraethoxysilane ； TE0S)有機材料取代，加上四乙氧 ^矽烷具有較高的表面遷移率，可以在低溫環境下沉積具有 鬲階梯覆蓋性與似型性的二氧化矽薄膜，因此，除了大量應 用在半導體或光電元件製程中，也已應用在塑膠基板之光學 硬化膜處理上並已進人量產階段（如手機塑膠面板強化等）。 然而，上述四乙氧基矽烷在室溫時蒸氣壓較低，必須使 ^熱平台加熱四乙氧基料液體載具產生足夠的蒸氣氣 、，且連結至製程反應腔體的管路也必須維持較高的溫度 ^必須加熱至70 t：以上），加上必須採用價格昂貴的液體 ‘質流控制器（Mass F1〇w Control ler)控制製程時的源氣體流 •量’在製轉作與設計上較為複雜且設備成本及維護預算方 面也大幅提高，降低相關成品的價格競爭力。 本案發明人鑑於上述各項缺點，乃亟思加以改良創新並 2提高《產f之抑價值與競爭力，終於成功研發完成 本件-種在塑膠基板上製作二氧化石夕硬化膜之材料與方法。 1316562 本發明之目的即在於提供一種在塑膠基板上製作二-氧化 石夕硬化膜之材料與方法，係利用在低溫環境下，於塑夥基板 以電漿增強化學氣相沉積法上製作二氧化石夕硬化膜的方法。 • 本發明之次一目的係在於提供一種可取代傳統利用浸潰 . (dlpping)法沉積時造成薄膜厚度不均勻的缺點，且製程 源材料使用具有較穩定、易操作且低設備成本的四甲基矽烷 有機分子材料，在加入適當比例的氧氣氣體參與化學反應 後，能沉積兼具優異均勻性與硬度之二氧化矽硬化膜。 φ 可達成上述發明目的之一種在塑膠基板上製作二氧化矽硬 化膜之材料與方法，包括有：一種源材料為四曱基矽烷 (tetramethylsilane; TMS)’該四甲基矽烷在室溫時之蒸 氣壓為100 Pa;另一種源材料為氧氣；該四甲基矽烷與氧 氣分別經由氣體質流控制器、一般氣體管路，即可控制四曱 基矽烷有機液體之蒸氣及氧氣源材料導入製程反應腔體，沉 積二氧化矽硬化膜之化學反應式為：

Si(CH3)4+〇2 ^ ^ S1O2 + volati 1 ized gas (1); 以及，再配合具有各種形狀且可置入製程反應腔體中之 #塑膠基板的表面，利用電漿增強化學氣相沉積系統沉積二氧 化矽硬化膜加工處理。 【實施方式】 • 本發明係一種在塑膠基板上製作二氧化矽硬化膜之材 . 料與方法，其係採用一種源材料為四甲基矽烷 (tetramethylsilane ; TMS)，該四甲基矽烷在室溫時之蒸 氣壓為100 Pa;另一種源材料為氧氣；而該四甲基梦燒與 氧乳分別經由氣體質流控制器、一般氣體管路，即可控制適 當四甲基石夕烧有機液體及氧氣源材料導入製程反應腔體，沉

⑴； 1316562 » » 積二氧化矽硬化膜之化學反應式為：

Si(CHa)4 + 〇2£iasp s.〇2 + v〇latiUzed gas Η Η-i——Η Η Η Η——C -Si -1——Η Η Η Η--C-Η • ι Η 四甲基矽烷（TMS)分子結構 以及，再配合具有各種形狀且可置入反應腔體中上下電 極區域間之塑膠基板的表面，利用電漿增強化學氣相沉積系 統，沉積二氧化矽硬化膜加工處理。 請參圖一所示，係本發明所使用之電漿增強化學氣相沉 積系統其主要可分為真空抽氣系統、製程反應腔體以及源 材料氣體輸送系統等三大部份； 其中’真空抽氣系統是由旋轉柱塞邦浦（R〇tary Plunger Pump)及渦輪分子邦浦（Turb〇in〇lecular pump)所 構成；

而製程反應腔體為圓柱腔體，其内具有上、下電極為鋁 製金屬電極，而下電極（Up Electrode)與腔體外殼同時接 地，上電極（Down Electr〇de)則接至射頻電源供應器（RF 1316562 υΓ -

Power Match i ng Box )，射頻電源供應器（rf ΐ&ΪΗ]ιΐι^

Box)輸出之射頻頻率為13.56ΜΗζ;且製程反應腔體上具有 氣體管路； . 源材料氣體輸送系統，係包括有各儲存四甲基矽烷液體 •有機材料、氧氣之儲存瓶，以及與儲存瓶連接之—組氣體質 流控制器與氣體管路，藉氣體質流控制器之控制將適量的氣 體由氣體管路輸送至製程反應腔體之氣體管路。 本發明採用二氧化矽硬化膜之源材料之四甲基矽烷有機 φ液體，液體儲存瓶為一不銹鋼製的圓柱容器（如圖五所示）， 由於四甲基石夕燒有機液體材料在室〉 显下具有較高的蒸氣 壓，因此，此不鏽鋼容器及管路均不需加熱，即可將四甲基 矽烷有機液體之蒸氣導入氣體管路中，與電漿增強化學氣相 /儿積系統之氣體管路連結，輸送至製程反應腔體中，並利用 氣體質流控制器，控制適量的氣體流量；而另一源氣體之氧 氣，藉由圖中另一組氣體質流控制器與氣體管路控制，在製 程反應腔體中與四f基矽烷氣體分子進行化學反應沉積二 氧化矽硬化膜。 鲁再者，關於本發明以四甲基矽烷有機液體以及氧氣為源 材料，利用電漿增強化學氣相沉積法，在塑膠基板上沉積二 氧化矽硬化膜，為了建立具有最佳硬度及均勻性之二氧化矽 •硬化膜製程參數，分別改變源氣體流量比（固定四甲基矽烷 流篁，改變氧氣流量；TMS/〇2)、射頻電漿功率以及製程反應 腔體壓力等參數’在聚甲基丙烯酸甲酯 (Polymethylmetharylate ； PMMA)及聚碳酸脂 (Polycarbonate ; PC)塑膠基板上，沉積二氧化矽硬化膜（製 程中基板溫度小於50。(：）；利用奈米壓痕測試儀NanoTes1： 9 1316562 程中基板溫度小於50 °C );利用奈米壓痕測試儀Nan〇Test 550 (Micro Materials Ltd· UK)以及原子力顯微鏡（At〇mic Force Microscopy ; AFM) DI 3100量測不同製程條件下二 氧化矽薄膜的硬度及表面平整性，並根據日本工業規格協會 制疋之 JIS (Japanese Industrial Standard)硬度標準， 進行鉛筆硬度試驗，與現有使用浸潰法及利用電子束蒸鍍法 在塑膠基板上製備二氧化矽硬化膜之硬度特性進行比較，驗 證本發明所發明之二氧化矽硬化膜的優越特性。 尸請參閱圖二A所#，係為不同四甲基石夕燒有機液體及氧 氣流量比（TMS / 〇2)時之薄膜硬度及表面粗糙度關係圖，從 圖中可以發現，薄膜硬度隨著氣體流量增加而上升，且表面 粗縫度逐漸下降，然而，當四甲基㈣有機液體及氧氣流量 比達到1/2時，由於過多的氧離子轟擊效應，使得薄膜表面 粗糙度：降並劣化了硬度’因此，當氣體流量比為ι時，薄 膜具有最佳的硬度與表面粗糙度。 請參閱圖二㈣^ ’係為不同射頻功率時的薄膜硬度及 表面粗糙度關係圖’從圖中可以發現，隨著射頻功率的增 加，薄膜的表面粗糙度以及硬度逐漸改善，當射頻功率為⑽ W時，有最佳的表面粗趟度及薄膜硬度，#而當射頻功率過 高時，由於電t與塑膠基板的接觸面，將有較高的熱量產 生，使得基板有彎曲變形的現象，因此所沉積之二氧化矽薄 膜，由於過大的應力累積而產生龜裂的情形。 請參閱圖二C所示，係為不同製㈣力時的薄膜硬度及 表面粗糖度關係圖，當製程壓力在㈣時，薄膜的表面粗 糙度可達最佳狀態’然而隨著製程壓力的增加，薄膜的沉積 速率也跟著增加’進而劣化薄膜的表面粗糙度。在薄膜硬度 1316562 上，也可以發現，隨著製程壓力增加，薄膜的硬度也逐漸加 大然而4製程麗力達到53 Pa時，雖然二氧化石夕薄膜具有 更好的硬度，但疋所沉積之薄膜由於硬度過大而產生脆化及 龜裂等現象。 ,根據上述不同的氣體流量比、射頻功率以及製程壓力等 製參數，可以歸、納Λ，本發明中以四甲基石夕院有機液體搭 配氧氣為源材料，利用電漿增強化學氣相沉積法，在低溫環 境下於塑勝基板上沉積二氧化石夕硬化膜的最佳化製程條件 為.乳體流置比（TMS / 〇2)調整為i、射頻電漿功率設定為 5〇 W且製程壓力固定為4Gp“，可以在塑膠基板上沉積兼 具硬度、品質以及表面平整性的二氧化矽硬化膜。

而從上述圖二A、圖二B及圖二c之趨勢圖巾，也可發 現表面粗錢及薄膜硬度呈現反比關係，這是由於薄膜表^ 越平整時’所制之薄⑽密性越佳m備具妹佳硬 度之二氧化料化膜°為了符合量產標準與測試標準，針對 最佳化製程條件沉積之二氧切硬化膜，以日本工業規样協 會制定之硬度標準，進行錯筆硬度試驗，測試結果顯示，聚 甲基丙烯酸甲酯（PMMA)與聚碳酸脂（PC)塑膠基板本身的硬 度分別為3 II及Η ’而以本發明之二氧化發硬化膜，在最佳 化製程參數下’可以將聚甲基丙烯酸甲酯(_及聚碳酸脂 (PC)塑膠基板整體的硬度提升至6 Η與3 η，相較於浸潰法 所沉積的：氧切硬化膜硬度為411與2η，明顯獲得^善， 可以完全取代以浸潰法製作硬化膜之方式。 D 將製作二氧化石夕硬化膜之不同沉積方式，分別為浸潰 法、電子束蒸鍍法(Electron Bearo ⑽）、電漿增 強化學氣相沉積法等三種，在塑膠基板上所沉積之二氧化^

II 1316562 硬化膜進行比對，以奈米壓痕測試儀量測薄膜硬度（如圖三 所示）’從圖中可以發現，本發明所發明之二氧化矽硬化膜’ 在相同何重條件下（〇· 5 mN)，可以抵抗最小的壓痕深度，具 有最佳的薄膜硬度值，其中以不同方式沉積二氧化碎薄膜後 塑膠基板硬度值與沉積前基板硬度值整理如表一所示 表—二不同方式沉積二氧化矽硬化膜之硬度值

基板 聚曱基丙稀酸甲醋 聚碳酸脂 未瞒絲 0.773GPa 0.653GPa 浸潰法 2.055GPa 1.528GPa 電子束蒸鍍法 2.287GPa 103GPa 電漿增強化學 氣相沉積法 6.077GPa 3.978GPa

為了瞭解本發明中所建立之最佳化製程條件下二氧化 矽，化膜的化學及物理特性，以傅立葉轉換紅外線吸收光譜 儀$測二氧化矽硬化膜的鍵結特性（如圖四所示），從圖中可 以發現，當波數為1 080 cm-1、800 cnri及460 cnfl時，有 較明顯的吸收峄值，這些吸收譜線分別可定義為矽_氧矽 (si-o-si)鍵結之伸張模態（stretching m〇de)、彎曲模態 (bending mode)、以及振動模態（r〇ckingm〇de)，而根據^ 射率量測結果顯示，此薄膜之折射率為1 462，顯示以四曱 基矽烷有機液體與氧氣為源材料，以電漿增強化學氣相沉積 系統在低溫環境下，可以沉積具有良好化學特性的二氧化矽 硬化膜。此外，在圖四之吸收譜線中，也可以發現，當波數 為940 cnT1以及2800 Gnfi〜3700 cf區段間可以觀二到矽 -氧-氫（Si-0-Η)吸收鍵結，此化學鍵結為典型之親水基團， 具有優異的親水特性，根據水滴角量測結果顯示，最佳化製 程條件下所沉積之二氧化矽硬化膜具有較佳的親水特性，可 以提昇聚甲基丙烯酸曱酯（PMMA)及聚碳酸脂（pc)塑膠基板 12 1316562 爹王 1 * 接觸角量測結果分別為：聚甲基丙烯酸甲酯 今34. 3。；聚碳酸脂（PC) : 73· 3。+ 31. 8。】’因此，本發 明所製作之二氧化矽硬化膜，除了可以改善塑膠基板的硬度 X、表面均勻性外，也可以提昇基板的親水特性，進而增加本 . 發明所研發之塑膠基板的產業附加應用價值。 本發明研發之二氧化矽硬化膜材料，所使用之源材料之 一為四甲基矽烷有機液體，此材料在室溫時大氣環境中為液 相狀態，必須將此液體材料，在充滿氮氣環境中的手套箱 φ中，徐徐倒入圖五中的四甲基矽烷有機液體於不銹鋼載具標 不之A管路内（此容器分別有A、B、C三個管路，其中三個 官路的位置如圖五所示），將上不銹鋼蓋蓋上並旋緊，以維 持容器之潔淨，接著將連接至各管路的閥門（圖五標示為 A 、B以及C’處）關上，將不鏽鋼載具自手套箱中取出， 並將圖中標示為B之管路與製程設備之氣體管路連結；此 外，由於四甲基矽烷有機液體具有較高的蒸氣壓，毋須對不 鏽鋼載具與管路加熱並使用昂貴的液體質流控制器，因此， 連結之管路使用一般氣體管路，且質流控制器亦採用氣體質 鲁流控制器即可將適量的四甲基石夕烧有機液體之蒸氣及氧氣 源材料導入製程反應腔體中，可以大幅降低源材料架設成本 與操作維護上的困難。 - 本發明之二氧化矽硬化膜係沉積在塑膠基板上，有效解 決現有以浸潰法在不同基板形狀沉積硬化膜時，均勻性不佳 而導致產良率降低的問題，此外，為了配合塑膠基板低溫 以及大面積製程的特性，本發明採用具有低溫、大面積製作 以及薄膜階梯覆蓋性佳的製程技術一電漿增強化學氣相沉 積系統，根據源材料規範與裝置架設製備二氧化矽硬化膜， 13 1316562 其中四甲基石夕烧有機液體及氧氣源材料導又^程_及應^^ 之侧視圖以及上視圖，分別如圖六A與圖六B所示，而四甲 基矽烷有機液體以及氧氣氣體進入製程反應腔體之氣流方 式則分別以垂直與平行基板方式（如圖六c所示），導入製程 反應腔體，進行化學反應沉積二氧化^夕硬化膜。 因此，總結上述，本發明完整揭露以四甲基矽烷及氧氣 為源氣體，利用電漿增強化學氣相沉積系統，在低溫環境下 於塑膠基板上沉積二氧化矽硬化膜時，不同製程參數下二氧 •化矽硬化膜的硬度值以及表面均勻性，並訂立最佳化製程條 件，k供合作廠商及相關產業進行技術轉移及量產之標準，· 此外，本發明之二氧化矽硬化膜較合作廠商及產業界量產以 浸潰法製作二氧化矽硬化膜時，確實具有較佳的薄膜硬度， 並且在製程源材料安全性及設備成本預算上，相較其他製作 一氧化矽薄膜之方式可以大幅改善工安安全並降低設備投 資成本；俾使本發明具有優異的研發成果與產業競爭力。 本發明採用四甲基矽烷有機液體為源材料，係以氧氣為 輔助氣體，進行化學反應，在塑膠基板上沉積二氧化矽硬化 >膜，四甲基矽烷有機液體材料較產業界習用之矽烷（SiH4) 及四乙氧基矽烷（TEOS)分別具有以下優點： 1、 四甲基矽烷有機液體較矽烷穩定：由於製程中過程 中矽烷氣體管路中殘餘的矽烷氣體與氧氣及水氣反應時，容 易起火甚至爆炸，引發難以收拾的工安意外，因此，採用四 甲基矽烷有機液體材料可以有效改善薄膜製程時的不穩定 性與危險性。 2、 四甲基矽烷有機液體材料在室溫環境下之蒸氣壓遠 較四乙氧基矽烷為大··雖然本發明所使用之四甲基矽烷有機 1316562 /fil i 饑C. 液體材料在室溫環境下為液相狀態的有機材^:性受 此材料在室溫環境下具有較大的蒸氣壓力（約為1〇〇 Pa; 四乙氧基矽烷僅約為5Pa)，因此，在製程時可以直接將其 四曱基矽烷有機液體之蒸氣及氧氣源材料導入反應腔體，不 需使用液體質流控制器，且管路也不需加熱至特定溫度，可 以大幅降低設備成本以及操作與維護上的困難。 再者，本發明利用四甲基矽烷有機液體、氧氣為源材， 結合電漿增強化學氣相沉積系統，在低溫環境下於塑膠基板 φ 上，製備二氧化石夕硬化膜，而具有以下特點： 1、 製程中，藉由高週波電壓所產生電漿，使電子與源 氣體分子碰撞產生化學性質相當活潑的自由基，加速化學反 應，可以在低溫環境下達到較高的沉積速率，並藉由適當射 頻功率、製程壓力以及本發明製程源材料氣體流量的選擇， 可以改進沉積薄膜的階梯覆蓋性，有利於在熱變形溫度較低 的各種形狀之塑膠基板上沉積高品質薄膜。 - 2、 適合大面積製作以及薄膜均勻性佳：以電漿增強化 學氣相法沉積薄膜時，沉積區域與射頻電極面積及接地電極 春所產生之電漿範圍息息相關，因此，設計適當的電極尺寸， 即可以實現在大面積塑膠基板上製備薄膜之目的；此外，電 聚增強化學氣相沉積系統，製程時係由於電漿中產生的自由 -基，在基板表面進行化學反應沉積薄膜，較不易受到重力與 基板形狀的影響，而產生薄膜均勻性不佳的現象。 综上所述，本案不但在空間型態上確 物品增進上述多項功效，應已充分符合新賴性及進步 發明專利要件，爰依法提出巾請#局核准本件發明專 利申請案，以勵發明，至感德便。 15 1316562 利申請案，以勵發明，至感德便。 【圖式簡單說明】 ' 圖-為本發明電製增強化學氣相沉積系統之示意圖； ’ 圖—A係不同四f基錢有機液體及氧氣流量比（TMS / • 〇2)時之薄膜硬度及表面《度關係圖； ®二㈣不同射頻㈣時的薄膜硬度及表面粗糙度關係 圖； • 圖二C係不同製程壓力時的薄膜硬度及表面粗糙度關係 圖三係本發明聚甲基丙烯酸甲醋基板上以不同的沉積 方式/儿積—氧化秒薄膜之荷重與壓痕深度關係圖； 圖四係本發明最佳化製程條 _ 午下—氧化矽硬化膜的傅 葉轉換紅外線吸收光譜之示意圖；

圖五係本發明四甲基石夕貌有機液體載具裝置之外觀暨 管路示意圖； 一 圖六A係本發明電漿增強化學氣相沉積系統中之製程 反應腔體側視圖； 圖六B係本發明電聚增強化學氣相沉 反應腔體上視圖； 表程 圖六C係本發明電漿增強化學氣相沉積系統中之製程 反應腔體氣體流動圖。 【主要元件符號說明】 16 1316562

Claims (1)

1316562 - 修正 4十、申請專利範園： i蚊气^7鷺、 1.-種在塑膠基板上製作：氧化梦硬化膜^^料 一源材料為四甲基矽烷有機液體，該四甲基矽烷有機液 體在室溫時之蒸氣壓為100 Pa ;另一源材料為氡氣；利 用四甲基矽烷有機液體之蒸氣及氧氣以電漿增強化學 氣相沉積系統於塑膠基板表面進行化學反應沉積，進— 步於塑膠基板表面形成沉積二氧化矽硬化膜。 2.如申凊專利範圍第j項所述之一種在塑膠基板上製作二 氧化矽硬化膜之材料，其中該沉積二氧化矽硬化膜之化 學反應式為： Si(CH3)4+ 〇2£la^ Si〇2+ volatilized gas 3·利範圍第彳項所述之—種在塑膠基板上製作二 乳化石夕硬化臈之材料，其中該塑膠基板可為各種不同形 狀’使其表面皆能進行沉積二氧化料化膜加工處理。 種塑膠基板上製作二氧化石夕硬化膜之方法，係使用一 φ ，源材料為四甲基妙烧有機液體，此液體在室溫時之蒸 乳壓為100 Pa;而另一源材料為氧氣；將此兩種氣體分 別經由氣體質流控制器以及—般氣體管路，控制四甲基 * '有機液體之蒸氣及氧氣源材_導人放置有塑膠基 • 2製程反應腔體進行化學反應，即令塑膠基板以電漿 5二由化學軋相沉積系統於表面沉積二氧化矽硬化膜。 _ ^申請專利範圍第4項所述之—種塑膠基板上製作二氧 矽:更化膜之方法’其中該電漿增強化學氣相沉積系 、/、主要可分為真空抽氣系統、製程反應腔體以及源 18 1316562 t 材料氣體輸送系統等三大部份；該真空抽氣系統是由旋 轉柱塞邦浦及渦輪分子邦浦所構成；而製程反應腔體為 圓柱腔體，其内具有上、下電極為鋁製金屬電極，而下 電極與腔體外殼同時接地，上電極則接至射頻電源供應 器，射頻電源供應器輸出之射頻頻率為13· 56MHz，且製 程反應腔體上具有氣體管路；源材料氣體輸送系統，係 包括有各儲存四甲基矽烷液體有機材料、氧氣之儲存 瓶，以及與儲存瓶連接之一組氣體質流控制器與氣體管 • 路，藉氣體質流控制器之控制將適量的氣體由氣體管路 ’ 輸送至製程反應腔體之氣體管路。 .如申請專利範圍第5項所述之一種在塑膠基板上製作二 氧化矽硬化膜之方法，其中該製程反應腔體可為不銹鋼 製之圓柱腔體，該儲存瓶亦可為不銹鋼製的圓柱容器。 7_如申睛專利範圍第4項所述之一種塑膠基板上製作二氧 化矽硬化膜之方法，其中該沉積二氧化矽硬化膜之化學 反應式為： Si(CH3)4+ 〇2 Pksp Si〇2+ v〇latiHzed gas 19