TWI316559B - - Google Patents

Description

1316559 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種高壓環繞冷卻靶腔，尤指一 種可使該靶腔具有較佳之冷卻功效者。 【先前技術】 « 按，一般習用者如中華民國專利公報，公告第 533478號之「用以製造半導體元件之濺鍍裝置與使用 * 該裝置之濺鍍方法」；該濺鍍裝置，其包含有：一個用 以執行晶圓濺鍍加工的加工室；一個被安裝於加工室 上面並與晶圓有一段距離的靶極；一個具有靶極位於 其下側且具有冷卻氣體管件位於其中而使得冷卻靶極 用的冷卻氣體在該冷卻氣體管件中循環的背板；以及 ^ 用以供給並循環冷卻氣體至該背板之冷卻氣體管件的 冷卻4體供給構件。 • 而該濺鍍裝置的濺鍍方法，其包含的步驟為： a) 將晶圓裝載於該濺鍍裝置的加工室中的晶座 上；以及 b) 藉由施加15kW至45kW的高頻功率於安裝在晶 圓上的靶極，將反應氣體以3SCCM至10SCCM的速 ‘ 率供給至該濺鍍裝置，將濺鍍裝置的内壓維持在 O.lmTorr至lmTorr，並將乾極材料滅鑛於晶圓上，而 1316559 將歡極材料沈•祛於晶圓上。如此，可獲得一.優良階梯 覆蓋及優良沉積速率之濺鍍方法。 雖然上述習用之「用以製造半導體元件之濺鍍裝 置與使用該裝置之濺鍍方法」可獲得一優良階梯覆蓋 及優良沉積速率之濺鍍方法，但是以該習用之裝置而 s ’其整體結構所設之冷卻氣體管件所能達到之冷卻 效果較差，因此，並無法承受質子束照射靶材產生之 高溫’而使該「用以製造半導體元件之濺鍍裝置與使 用該裝置之濺鍍方法」無法使用於質子束之靶材照射 Η 〇 【發明内容】 片本發明之主要目的係在於，可藉由液體輸入部及 氣體輸入部將所需之冷卻液體及氣體由第一腔體注 入’且配合承載單元之凹陷部進行環繞後，由第二腔 • 體之輸出部流出，以使該靶腔具有較佳之冷卻功效。 為達上述之目的，本發明係一種高壓環繞冷卻靶 腔中央處具有穿孔部之第一腔體，該穿孔部 =端面分別設有第一、二薄膜層，該第一腔體上係環 ，有μ道°卩，且流道部係分別連通有液體輸入部及 • Α體輸入部，-設於第-腔體-面上之第二腔體，該 帛-腔體係具有一端緣設置凹口之容置部，且第二腔 體之周緣具有與容置部連通之輸出部；以及一設置於 1316559 办置《卩中之承載單元，該承载單元之一端面係1有一 ，放區，並於該承載單元上環設有一具有缺口^凹陷 【實施方式】

-月參閱『第卜2及第3圖』所示’係分別為本發 月之立體外觀示意圖、本發明之立體分解示意圖及本 發明另一角度之立體分解示意圖。如圖所示：本發明 係一種高壓環繞冷卻靶腔，其至少係由一第一腔鱧卜 一第二腔體2以及-承載單元3所構成，可將所需之 :卻液體及氣體由第一腔體！注入，於環繞流經承載 早it 3後由第二腔體2流出’以使該乾腔具有 冷卻功效。 第一腔II 1其中央處係具有二端面分別設有第 -、二薄膜層11、12之穿孔部13，且該第一腔體2 之-面上係具有環設於穿孔部13周緣之流道部⑷ 並於該第-腔體1之周緣分別設置有與流道部14連通 之液體輸人部15及氣體輸人部16，另該第一腔體】 上係具有多數相對應之固定孔丨7。 該第二腔體2係由一盤狀體2卜及一設置於盤狀 體21 -側端面之延伸部22所構成，而該第二腔體2 之盤狀趙21係設置於上述第—腔體丨具有流道部μ 之一面上，該盤狀體2!係具有多數與上述第一腔體！ 1316559 之固定孔17相對應之固定孔211，可利用該等相互對 應之固定孔17、211配合固定元件進行鎖固結合（圖中 未示）’且該第二腔體2之中央處係具有一連通盤狀體 21及延伸部22之容置部23,該容置部23端緣之適當 處具有一設置於盤狀體21上之凹口 24，並於該第二 腔體2之延伸部22周緣係具有與容置部23連通之輸 出部25 ’該輸出部25上係連接有一管體％。

該承載單元3係設置於上述第二腔體2之容置部 23中’且該承載單元3之一端面係具有一置放區 並於該承載單元3上環設有一凹陷部32,該凹陷部32 之二侧適當處具有一缺口 33。如是，藉由上述之結構 構成一全新之高麗環繞冷卻乾腔。 請參閱『第4及第5圖』所示，係分別為本發明 之使，狀態示意圖及本發明之使用狀態面剖示意圖。 如圖所不··當本發明於運用時，係可於第一腔體1之 一側連接—真空腔4，並將所需之_ 5置放於承載 單元3之置放區31上，並以—質子束由第—腔體！之 一，進行照射，且同時於第—腔體1之液體輸入部15 及耽體輸人部16注人水及氦氣’而於運作時係利用穿 孔部，13 -端面之第一薄膜層u作為氣密之用，另以 第"薄膜層12 p方止乾材5反應時之液態同位素外茂， 而當液體輸入冑15及氣體輸入部16注入水及氦氣 後，該水及氦氣係由第—腔體1之流道部14流至承載 D16559 單元3之凹陷'部32，使該水及氦氣於凹陷部32進行 環繞後由第二腔體2之輸出部25流出，並利用該輸出 部25上之管體26將流出之水及氦氣導引至所需之位 置處’如此，即可使該承載單元3受水及氦氣之環繞 而有效的冷卻降溫。 綜上所述，本發明高壓環繞冷卻靶腔可有效改善 習用之種種缺點，可藉由液體輸入部及氣體輸入部將 所需之冷卻液體及氣艎由第一腔體注入，且配合承載 單元之凹陷部進行環繞後，由第二腔體之輸出部流 出，以使該靶腔具有較佳之冷卻功效，進而使本發明 之産生能更進步、更實用、更符合使用者之所須，確 已符合發明專财請之要件，爰依法提出專利申請。 惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已， 當不能以此限^本發明實施之範圍；&，凡依本發明 申請專利範圍及發明說明書内容所作之簡單的等效變 化與修飾’皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。 1316559 » · 【圖式簡單說明】〃 第1圖，係本發明之立體外觀示意圖。 第2圖，係本發明之立體分解示意圖。 第3圖，係本發明另一角度之立體分解示意圖。 . 第4圖，係本發明之使用狀態示意圖。 第5圖，係本發明之使用狀態面剖示意圖。 【主要元件符號說明】 • 第一腔體1 第一、二薄膜層11、12 穿孔部13 流道部14 液體輸入部15 • 氣體輸入部16 固定孔17 第二腔體2 * 盤狀體21 固定孔211 延伸部22 容置部23 凹口 24 ‘ 輸出部25 管體26 承載單元3 Ι3Ϊ6559 置放區31 凹陷部32 缺口 33 真空腔4 靶材5

Claims (1)

1316559 十、申請專利範圍： 1. 一種南壓環繞冷卻乾腔，其包括： 一第一腔體，其中央處係具有二端面分別設有 第一、一薄膜層之穿孔部，且該第一腔體之一面上 係具有環叹於穿孔部周緣之流道部，並於該第一腔 體之周緣分別設置有與流道部連通之液體輸入部及 氣禮輸入部； 一第一腔體，係設置於上述第一腔體具有流道

部之一面上，且該第二腔體之中央處係具有一容置 部，該今置部端緣之適當處具有一凹口，並於該第 二腔體之周緣具有與容置部連ϋ之輸出部；以及 承載單元，係設置於上述第二腔體之容置部 中’且該承載單元之—端面係具有—置放區，並於 該承載單元上環設有一凹陷部，該凹陷部之一侧適 當處具有一缺口。 2.=申請專利範圍第！項所述之高壓環繞冷卻乾腔 k第、一腔體上係具有多數相對應之固茨 孔’可利用固定孔配合固定元件進行鎖固結合。 2 β專利第丨項所述之高難繞冷卻乾腔， 二:？第二腔體係由一盤狀體、及-設置於盤狀 體及I::之延伸部所構成，使該容置部連通盤狀 上，而舲部’該容置部端緣之凹口係設置於盤狀體 輸出部係設置於延伸部之周緣。 13 1316559 4.依申請專利範圍第1項所述之高壓環繞冷卻靶腔， 其中，該第二腔體之輸出部係連接有一管體。