TWI300904B - Radio frequency identification and communication device - Google Patents

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TWI300904B
TWI300904B TW094102582A TW94102582A TWI300904B TW I300904 B TWI300904 B TW I300904B TW 094102582 A TW094102582 A TW 094102582A TW 94102582 A TW94102582 A TW 94102582A TW I300904 B TWI300904 B TW I300904B
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Wee Liang Lien
Yeung Bun Choi
Kok Yin Tham
Yi Song Li
Sheng Xi Diao
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Toppan Printing Co Ltd
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Description

1300904 九、發明說明: ~ 【發明所屬之技術領域】 本發明總體上關係於通訊裝置。具體說係關於射頻(RF)識 別及通訊裝置。 【先前技術】 具體作成標_(Tag)、傳應器(Transponder)或卡片形式之無 接觸或RF識別及通訊裝置(RFID)係普遍地用在識別物件 (object)之眾多應用上。這些應用包括步哨控制(sentry ^ control),門禁控制(access control),存貨控制(inventory control),家畜追蹤(live stock tracking),車輛電傳(vehicle telemetry)等。 爲應用效率計,RFID裝置之小型化係所需要,因這種裝 置係典型地作成籤條掛在或附著在物件上以行物件之辨 識。裝置讀取器係藉探詢帶有有關物件之識別資訊來識別 RFID裝置,此項探詢動作係在RFID裝置與裝置讀取器之間 藉非接觸或以射頻爲基礎之通訊來進行。爲了達成RFID裝 鲁置之最佳之小型化,被動元件(passive device)係比具有內部 電源之主動元件(active device)佳。 被動元件從做爲單射(one-off)或刹那(instant)用途之裝置 讀取器傳送之RF信號產生電力。因爲這樣產生之電力,功 率有限且不能被貯存起來做爲後續用途,因此這種被動元件 之設計重要的係著重在達成低功率之內部運作。 爲達成低功率之內部運作,被動元件(passive device)係典 型地需要被供以一些不同之工作電源,這些不同電源供給不 1300904 同之電壓位準給這些裝置內之不同電路塊。這些被動元件也 ~ 是典型地需要被供以不同電路塊動作所需之不同時脈頻 率。對被動元件之總體要求係包括設置讀取/寫入記億體及 能與裝置讀取器通訊之能力。 若干傳統之提案係著重在RFID裝置,但未提及在RFID裝 置內低功率運作所需之不同工作電源及時脈頻率兩者。 於Naguleswaran氏獲得之美國專利第6,104,290號上揭示 一種在 Transponder(Transmitter and Responder)(傳應器)上使 肇用兩組振動器之非接觸或識別及通訊系統。 傳應器在傳送資料給裝置讀取器期間係以較高之速度動 作而在其它運作期間其動作速度則較低,這樣做係旨在執行 節省電力之動作。但是此項提議因需設置兩組振盪器,故有 導致增大裝置之尺寸及增加裝置成本之缺點。 於Yang氏等獲得之美國專利第6,211,786號上揭示之用在 低頻無電池之RFID標籤之電路,及Vega氏等獲得之美國專 利第6,147,605號上揭示之靜電RFID裝置之電路兩者皆著重 鲁在各個RFID裝置內執行用於節省電力之多重供給電源及多 重時脈頻率之動作。 因此需要具有不同工作電源及時脈頻率俾執行節省功率 動作之低功率,被動RFID元件。 【發明內容】 依本發明之一個型態,揭示一種能與裝置讀取器通訊之射 頻識別及通訊裝置,其包括一組接收來自及傳送至裝置讀取 器之RF信號並從裝置讀取器所產生之RF信號抽出電力之 1300904 RF前端,一組用於接收來自及傳送至rf前端之資料之控制 ~ 器及用於接收來自及傳送至控制器至之資料之記憶體。記憶 體可被控制器讀取及寫入並能分別使用不同之第一及第二 電源以執行讀取及寫入動作,此第一及第二電源具有不同之 電壓位準。 本發明之另外目的及優點將於下文敘述,部分可從敘述之 內容獲得清楚,或可由實施本發明而得知。 本發明之目的及優點可藉下文具體說明之措施及組合而 Φ達成及獲得。 【實施方式】 附圖係構成本說明書之一部份,其示出本發明之良好實施 例並與上文之一般性敘述及下文對良好實施例之詳細敘述 一起用來說明本發明之原理。· 本發明之實施例係敘述於下文,其述及對一種具有用於執 行節省電力動作之不同工作電源及時脈頻率之低功率,被動 RFID裝置之需求。 ® 本發明之實施例之低功率,被動RFID裝置100係參照第 1圖至第5圖敘述於下文,RFID 100係爲典型地與RFID裝置 讀取器一起使用俾形成RFID系統之許多RFID裝置之例示之 一。這種RFID系統係典型地執行以辨識爲基礎之應用,其 係首先藉探詢以識別近接之RFID裝置,這是一種包括rfid 讀取器廣播一個探詢信號及接收從帶有與物件有關之識別 資料之被探詢之RFID裝置及其它資料之回應信號(Response Signal)之過程。 1300904 下文將參照第1圖說明RFID裝置100之整體架構,第1 圖係爲表不RFID裝置1〇〇電路塊之方塊圖。每個電路塊在 內部係構組成與其它被動低功率運轉之電路塊面對面設置 俾便於最佳小型化RFID裝置100。接著,RFID可具體作成 爲熟練此項技術者熟知之晶片,籤標,或卡片。實施例使用 之頻率範圍係300MHZ至3GHZ。 於RFID裝置100上,天線102接收被RFID裝置讀取器(未 圖不)所產生及廣播之探詢或下鏈(Downlink)信號,此信號接 著被送至電力產生塊(P〇 wer Ge ner ati ο η B1 〇 c ks) 1 04,1 06,1 0 8 俾從探詢或下鏈之信號中之載波,例如2.45 GHZ載波,產生 所需之工作電力(Operating Power)。電力產生塊104,106, 108包含整流器104,調整器106,及電容器組108。 於被動元件如RFID裝置100上,這些電力產生塊對它們 之主裝置(Host device)之可運作性而言係重要的,因所產生 之工作電力係供給至RFID裝置100內之所有其它電路塊。 電壓之位準係與RFID裝置100和裝置讀取器間之距離成正 β 比,因此如果距離很短時會產生很高的電壓而損毀RFID裝 置100之一些電路塊。整流器104係提供整流後之電壓,而 調整器1 06則維持整流後之電壓低於安全工作上限値俾產生 之工作電壓Vdd係典型地保持低(〜IV)進而減少在RFID裝置 100內之電力消耗。電容器組108係臨時或短期貯存藉自工 作電壓Vdd分接引出(Tapping)所產生之電壓。工作電壓Vdd 係用來供電給所有之電路塊,但需藉較高工作電壓電源工作 之記憶體110則除外。 1300904 直流·直流(DC-DC)轉換器112係接於電力產生塊104, ~ 106,108之輸出側俾接收工作電壓Vdd並從該工作電壓Vdd 產生記憶體11 0用之較高工作電壓電源俾執行記憶體動作。 DC-DC轉換器112輸出較高電壓Vdd-h以執行讀取及寫入動 作,其係藉程式運作使電壓位準成爲工作電壓Vdd之兩倍或 三倍。相同的理由,邏輯翻譯器1 14也接於DC-DC轉換器 112並作爲RFID裝置100內之其它數位電路塊與記憶體110 間之邏輯位準之橋接用之接面。邏輯翻譯器11 4在進行讀取 # 期間係將記憶體110收到之邏輯位準自Vdd-h(例如,Vdd-h = 2 XVdd)轉換爲Vdd,而在進行寫入動作期間將傳到記憶體110 之資料從Vdd轉換爲Vdd-h(例如,Vdd-h = 3xVdd)。藉此容許 其它電路塊藉最低可用之工作電源,亦即Vdd,而非最高之 工作電壓,運作俾減少RFID裝置100之整體功率消耗。 數據機116係接至天線102以解調(Demodulating)包含進來 之 RF載波和下鏈(Downlink)資料之下鏈信號,以下稱 data2bb,及調變(Modulating)該進來之RF載波和上鏈資料, 鲁以下稱爲data2rf,而成上鏈(Uplink)信號。良好地使用之通 訊協定包括上鏈及下鏈通訊用之OOK/ASK調變及曼徹斯特 編碼(Manchester Coding),而上鏈通訊係藉逆分散 (Backscattering)技術調變進來之rf載波和爲data2rf,而達 成前述逆分散技術係有關藉改變阻抗以將進來之載波予以 反射。 數位塊1 18執行RFID裝置100之電力管理,並控制邏輯 切換俾減少RFID裝置1〇〇之瞬間電力消耗。在數位塊i 18 -10- 1300904 上之電力管理模組(未圖示)僅供給在動作之每一階段上需要 ‘ 運作之電路塊之電力。數位塊11 8也執行及/或處理抗碰撞 邏輯,指令控制及探詢曼徹斯特編碼-解碼及記憶體控制邏 輯。 數位塊118係接至DC-DC轉換器112俾藉控制信號nR_W 控制DC-DC轉換器112之ΟΝ/OFF切換及較高電壓Vdd-h之 電壓位準。 數位塊118另接至數據機116俾處理各個data2bb及 鲁 data2rf之下鏈及上鏈,並藉控制信號cont_mod控制數據機 116之ΟΝ/OFF切換及用於讀回及寫入記憶體110之信息之 邏輯翻譯器114。數位塊118另接至時脈產生器122俾藉控 制信號Cont_clk,控制具有不同頻率之不同時脈信號之產生。 在RFID裝置100上之另外電路塊包括在廣範圍之電壓供 給條件下產生數位塊118及時脈產生器122之重設脈衝 (Reset Pulses)之 Power-On-Reset(供電重設)電路 120,及產生 數位塊1 18及時脈產生器122用之偏倚電流(bias current)(nA) ® 之低電力電流參考電路124。RFID裝置100另含有時脈產生 器122,此時脈產生器122係爲產生分別用於數位塊118, 透過邏輯翻譯器114授受資料之記憶體1 10,及DC-DC轉換 器112之MHz時脈fi、f2及f3之可程式(Programmable)低功 率震盪器。在與RFID裝置讀取器通訊期間,當RFID裝置 100在進行讀取動作時,RFID裝置100係存取記憶體11〇, 供給相同之時脈頻率到數位塊118及DC-DC轉換器112,亦 即fch,但記憶體1 10無需時脈信號,亦即f2 = h,在進行記 1300904 憶體寫入動作期間,相同之時脈頻率係供給至數位塊11 2及 記憶體110,亦即f2 = fi,而fi之分數(例如1/4)之時脈頻率係 供給至DC-DC轉換器112,亦即fcfM。 藉這樣的設計,在時脈信號產生器1 22內另需要一個震盪 器以產生f ^而其它之時脈信號頻率係依存於h,結果,在不 同情況期間,如對記憶體1 10執行讀寫動作,可供給不同時 脈信號頻率至各種電路塊。 藉可程式DC-DC轉換器112及邏輯翻譯器114,RFID裝置 • 1 〇〇能減少電力消耗,同時能在不同之工作電源電壓下運作 之各種電路塊之間確保適當之邏輯位準。藉可程式時脈信號 產生器122,RFID裝置100能減少電力消耗及部品數且同時 滿足RFID裝置100內不同電路塊之不同時脈信號要求。 如第2圖所示,RFID裝置100內之RF前端包含三個主要 構件,亦即整流器104、調解器204及調變器208。調解器 204及調變器208形成數據機116,而整流器104係作爲整流 用裝置202而運作,其係作爲虛擬電池俾藉整流下鏈之信號 ® 而提供電力給RFID裝置100。調解器204偵測〇〇K之被調 變之下鏈信號之包絡(Envelope)後送到基頻電路塊,如數位 塊1 1 8處理。調變器208藉使用逆分散方法(Backscattering Method)調變上鏈CW波。 使用傳統之倍壓器(Voltage Doubler)作爲整流用裝置202 之整流器核心,其包含二極體0:及D2其中Di之陰極係接至 D2之陽極俾形成倍壓器以作爲整流用裝置202之整流器核 心。 -12- 1300904 下鏈信號(Downlink Signal)係經接在Di及D2間之接點上 ‘ 電容器Cx而供給至整流用裝置202,另在整流器核心之輸出 上接有旁通電容器(Bypass-capacitoO C!以平滑輸出電壓後 作爲工作電壓Vdd。 調解器204之結構係作爲二極體D3之陽極接至Di及D2間 之接點,藉此使調解器204引接(tap)出下鏈信號以行解調, 藉適宜地選擇接到D3之陰極之電阻器R2及電容器C2,R2及 C2係並聯,以選擇調解器204之時間常數俾過濾進來之RF # 載波,但追蹤以00K爲基礎之下鏈信號之包絡。R2可被汲 取(Drain)在D3與R2和C2間之接點之電流之電流源(未圖示) 所取代。 在停頓時間(Idling Time)時電流源係被切離俾節省電源被 汲取。 依本實施例,所有之二極體皆用M0S元件構組成。 調解後之基頻信號另藉具有內建之滯後作用之低頻比較 器(Low-frequency Comparator)206 而被轉換成二進位(Binary) _位準。 比較器206之一個輸入端子係接至能藉電阻分壓器產生之 參考電壓ref(例如,ref = Vdd/2),比較器206之另一輸入端子 係接至D3之陰極。在比較器206之輸出端子可獲得二進位 編碼信號以作爲資料信號data2bb。 調變器208包含電阻器L及開關Sw,在上鏈信號內要傳 送給RFID裝置讀取器之data2rf係經此開關SW而被傳遞, 開關Sw係與Ri串接,而Ri之另一端係接至D3之陰極,藉 -13- 1300904 在Ri上額外之DC負載之ΟΝ/OFF切換而達成逆分散之作用。 ^ 離晶片(OFF-CHIP)印刷雙極天線(Dipole Antenna)102係被 設計及使用來匹配RF前端之合成輸入阻抗(Composite Input Impedance) ° 下面將参照% 3A圖’第3B圖,第4A圖及第4B圖敘述 在數塊118內執行之曼徹斯特解碼方法。 現今有許多傳統之曼徹斯特解碼方法。一些傳統之解碼方 法牽涉到使用時脈信號回復電路俾同步輸入資料及時序。藉 Φ 曼徹斯特解碼方法,以下簡稱爲解碼方法,無需時脈回復電 路或信號緣偵測措施,資料即可被解碼。 解碼方法包括兩段程序(Two-stage Process),亦即,如第 3A及第3B圖所示,第一段是脈衝寬同步及第二段是資料解 碼,第3A及第3B圖係爲描繪編碼資料之例子之時序圖,而 第4A及第4B圖係分別爲例示執行第一段及第二段程序之流 程圖。 於第一段上,偵測出編碼資料內之同步位元俾提供低脈衝 •及高脈衝寬度之參考。於第二段上,這些參考則被用來解碼 在編碼資料內之資料位元俾得出解碼資料,以下簡稱 Data[0".(DataSize-l)]。
DataSize値係反映在解碼資料內之資料位元之數目,在這 些位元中之前四個位元在例中係用作爲同步位元。 在第一段上,其流程係示於第4A圖上並以處理data2bb 內之資料流之順序之步驟402爲開頭,當在步驟404上偵測 出在data2bb內之編碼資料從1改變爲0時,被初始化爲0 -14- 1300904 之計數器Cnti:則在下一步驟406上遞昇。接著,在步驟408 ♦ 上比較計數器計數値Cntr和整數値2,如果不匹配時計數器 計數値Cntr則在步驟410上與整數値4比較。如果在步驟 4 1 0上有匹配時則結束第一段之處理而開始第二段,如果不 •匹配時流程則返回步驟404。 例中在步驟410上係使用整數値4,這是因同步位元之數 目係設定在4。另外,在步驟408上係使用整數値2,這是 因爲欲要偵測第二同步位元之低脈衝及高脈衝寬俾提供參 ϋ考之故。 如果在步驟408上有匹配時流程則進入步驟412,在該步 驟上,如第3Α圖所示,對RFID裝置100之系統或內部時脈 測定第二同步位元之低脈衝寬A。在下個步驟414上檢查該 被測定之脈衝寬是否在含有最大値之Max Width(最大寬上) 事先定義之延長時間(E X t e n d e d T i m e)內持續保持低,如果是 肯定時則認定此被測定之信號是訛誤(Corrupted)而於步驟 416被捨棄,接著流程返回步驟402,於該步驟上處理在 Φ data2bb內之下一輪之資料流。 如果在步驟4 1 4上檢查之結果是否定時,亦即測定之脈衝 寬在該延長之時間內不持續保持低時流程則進入步驟4 1 8, 在步驟418上若偵測出data2bb之編碼資料從0變1,如第 3B圖所示,時則在下步驟420上對RFID裝置100之時脈信 號偵測第二同步位元之高脈衝寬B。接著,在步驟422上檢 查此測定,如果測定之脈衝寬在M a X w i d t h內事先定義之延 長時間內持續保持高時則在步驟424上被捨棄,然後流程返 -15- 1300904 將”0”分配給目前之編碼資料位元,及在步驟474上設定採 樣模式爲局採樣。接著,在步驟4 6 8上計數器遞增,流程繼 續進行。 如果在步驟45 8上沒有匹配時則在步驟476上測定目前之 低脈衝寬D,此低脈衝寬D包含目前編碼資料位元之低脈衝 寬,其係從目前之編碼資料位元之高到低轉變開始到次一個 低到高轉變結束。此測定値D接著在步驟478上與(A + (A/2)) 比較,如果D大於(A + (A/2))時則在步驟480上分配,,0,,給目 Φ 前之編碼資料位元,如第3A及第3B圖所示。然後,在下一 步驟482上,將採樣模式設定爲高採樣,隨後在步驟468上 遞增§十數。接著’在步驟470上對在Max Width內之各個 最大値測試測定値,當測定値大於各個最大値時則於步驟 472上被捨棄,然後流程即返回到步驟402以處理data2bb 內下一輪之資料流。如果測定値不大於各個最大値時流程則 返回步驟456。 在步驟478上,如果D不大於(A + (A/2))時則在步驟484上 ® 分配”1”給目前之編碼資料並在步驟486上設定採樣模式爲 低採樣。爾後則持續執行在步驟468上計數器遞增之流程。 在解碼方法第二段上,藉前向推論技術(F 〇 r w a r d D e d u c t i ο η Technique)執行解碼處理,因該技術係包括測定以目前之編 碼資料位元之轉變爲開頭之低脈衝寬或高脈衝寬兩者之 一,故至少係測定目前編碼之資位元之位元間隔之下半部 (S e c ο n d - h a 1 f),並利用在第一段上測定之低及高脈衝寬兩者 之參考以決定下一個編碼資料位元値。 -17- 1300904 下面將參照第5圖詳述DC-DC轉換器1 12,其係提供一種 防止在RFID裝置100內產生暫態電流突沖(Transient Current Surge)之方法’重要的是被動元件如rFID裝置100,應能執 行低功率之動作,如果RFID裝置100內之電流塊消耗大的 動態電流,即使整體之平均電流消耗低也是不能接受。當電 流塊被關上電源之際需要大的突沖電流用來充電這些電路 塊內之內部節點,故通常會產生消耗大的動態電流之情形。 於電力管理之槪念上,在實際運作中通常係對電路塊進行 # 電線之ΟΝ/OFF俾節省電力,這可能會因大的電源電壓突降 (Dip)而造成裝置誤動作。 DC-DC轉換器112包含電流箝制(Current Clamping)電路 5 02及充電泵(Charge Pump)電路504。電流箝制電路502係 設置在整流器104之輸出和充電泵電路504之間以接受被整 流後之電壓(Vdd)。電流箝制電路502係用來在充電泵電路 504動作期間控制電流之流動。 如第5圖所示,電流箝制電路502採用各自之輸出端接在 ® 一起之兩只 PMOS開關,一只 PMOS係導通時高電阻 (Ron)506,另一只PMOS係導通時低電阻(Ron)508。此兩開 關係受邏輯模組5 1 0之控制,而依指令進行切換。當不存取 記憶體110時這兩個開關係截斷(Turned Off)。 邏輯模組510執行切換俾當電流箝制電路502開始動作時 只有High-Ron PMOS 5 06導通。藉此限制能從整流器104汲 取之電流量。在邏輯模組5 1 0上有一只內部計數器(未圖 示),當High-Ron PMOS 5 06導通後其即開始計數時脈,俟計 -18- Ί300904 數32個時脈週期後High-Ron PM〇S 506即導通俾使裝置正 常動作(E〇C = 1)。 RFID裝置100有很多優點,連同RF前端具有下列優點: (i) RF前端係利用低成本標準之CMOS製程作成,與基頻電 ~ 路之主流技術相容並能在單矽晶片上全部積體形成。在 傳統之提案上,RF前端係由高性能之外部斯苛基 (Schottky)二極體構成,而基頻電路係利用CMOS製程作 成。雖然Schottky二極體提供最佳之RF性能,但這些元 • 件無法用標準之CMOS製程製成。混和方法會造成結構 體積增大及成本高,這則抵銷了 RFID技術之附加價値並 妨礙了 RFID大量佈置。 (Π)藉消除外部構件及關聯之組裝費用降低成本及形狀因素 (Form Factor) ° (iii)獲得更可靠之性能:因爲(1)IC技術比離散之元件 (Discrete Device)提供較好之元件匹配。(2)避免重要之RF 部件組裝偏差。 β(ίν)具有形成晶片上天線之能力以形成整體rfid方案。 連同電流箝制電路502,具有下列之優點: (i) 電流箝制容許對RFID內之相關模組執行適當之電力管理 而不會產生再送電時之高突沖電流。 (ii) 所需之額外電路少,主要爲兩個開關及一些正反器(於目 前之技術言係屬少量之數位運作)° (iii) 在正常運作(純粹是數位運作)期間’邏輯塊無消耗電流’ 故無額外之電力浪費。 -19 - •1300904 (iv)當不使用時作爲完全自充電泵切離電源之額外電路。 以前述方式揭示了具有用於執行省電運轉之不同工作 電壓電源及時脈頻率。雖然只揭示本發明之若干實施 例,但熟悉此項技藝者在閱讀本說明書之內容後將明白 可對其作許多改變及/或變更而不逾越本發明之範圍及精 神。例如,曼徹斯特解碼方法(Manchester Decoding Scheme) 可適用於進來資料之責務週期(Duty Cycle)之全部範圍。 另外,在電流箝制電路上,數位計數器之計數値係依實 施方式之不同而變化。只要能達成使強的電晶體,亦即 Low-Ron PM0S遲延導通,則可同許多其它方式來執行數 位邏輯。 【圖式簡單說明】 第1圖係爲本發明實施例之RFID裝置之方塊圖; 第2圖係爲第1圖之RFID裝置上之RF前端塊之示意圖; 第3A及第3B圖係爲表示利用在第1圖之RFID裝置內之 數位塊上執丫了之則向推g命方法執行兩段解碼處理所得出之 解碼資料之程序圖; 第4A及第4B圖係爲第3A及第3B圖之解碼處理之一個 執行方式之流程圖; 第5圖係爲第1圖之RFID裝置內之DC-DC轉換器之電路 圖。 【主要元件符號說明】 102 天線 104 整流器
-20- Ί300904 106 整流器/限制器 108 電容器組 110 非揮發性記憶體 112 直流-直流轉換器 114 邏輯翻譯器 116 數據機 118 數位塊 120 供電重設 122 時脈產生器 124 參考電流 -21-

Claims (1)

  1. 、i300904 |^ί^| 第94102 5 82號「射頻識別及通訊裝置」專利案 ’ (2008年3月21修正) 十、申請專利範圍: 1.一種能與裝置讀取器(device reader)通訊之射頻識別及 通訊裝置,其包括: 一射頻前端,其能接收來自及傳送裝置讀取器之射頻 信號並從接收之射頻信號分離電力及資料; 一控制器,其係接收來自射頻前射頻處理器之資料, φ 量測所接收之射頻信號的同步位元之低脈衝寬” A”及高 脈衝寬” B” ,量測所接收之射頻信號的已編碼資料位元 之低脈衝寬” D”及高脈衝寬” C” ,且藉由使用所測得之 脈衝寬” C”及” D”來對已編碼之資料位元進行解碼,並 傳送解碼結果至射頻前端;以及 一記憶體,其係接收來自控制器及傳送至控制器之資 料,並能被控制器讀取及寫入及在進行讀取及寫入期間能 分別利用第一及第二電源電壓動作,該第一及第二電源電 B 壓具有不同之電壓位準。 2 .如申請專利範圍第1項之裝置,其中射頻前端將自接收之 射頻信號分離之電力送到提供第一及第二電源電壓之電 源轉換器。 3 .如申請專利範圍第2項之裝置,其中電源轉換器包括提供 第一及第二電壓之充電泵。 4 .如申請專利範圍第3項之裝置,其中電源轉換器包括用於 限制從射頻前端流至充電泵之電流之電流箝制器。 J300904 5 ·如申請專利範圍第4項之裝置,其中當記憶體不在進行讀 取及寫入動作時電流箝制器可被控制來切斷從射頻前端 流到充電泵之電流。 6 ·如申請專利範圍第3項之裝置,其中充電泵可被控制來提 供第一及第二電源電壓。 7.如申請專利範圍第1項之裝置,其中第二電源電壓之電壓 供給位準係大於第一電源電壓之電壓供給位準。 8 ·如申請專利範圍第1項之裝置,其中另包括邏輯翻譯器以 將可被控制器讀取及寫入之資料翻譯成分別從記憶體接 收及傳送到記憶體之邏輯位準之資料。 9 ·如申請專利範圍第8項之裝置,其中邏輯翻譯器可利用第 一及第二電源電壓動作。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之裝置,其中射頻前端包括: 一整流器,其係從接收之射頻信號分離電力; 一解調器,其偵測出接收之射頻信號之包絡 (envelop);及 一調變器,其係響應接收之射頻信號,調變被控制器 所產生之基頻信號俾傳送至裝置讀取器。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之裝置,其中整流器係利用M0S 元件作成。 1 2 .如申請專利範圍第1項之裝置,其中控制器利用前向推 論技術執行解碼處理。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之裝置,其中控制器藉利用計數 來測定脈衝寬以識別一參考之低脈衝寬及一參考之高脈 1300904 ’ 衝寬。 * 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之裝置,其中控制器藉測定脈衝 寬以識別目前計數中之低脈衝寬及高脈衝寬之一。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之裝置,其中控制器藉比較已識 別之低脈衝寬及高脈衝寬之一與參考之低脈衝寬及參考 之高脈衝寬俾決定下一次計數之“ Γ或“ 0” 。 1 6 ·如申請專利範圍第1項之裝置,其中另包括可程式化的 時脈產生器以提供多數之時脈頻率。 # 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之裝置,其中記憶體可被控制器 讀取及寫入,並在進行讀取及寫入動作期間能分別利用時 脈產生器所提供之多數時脈頻率之第一及第二時脈頻率 而動作,該第一及第二時脈頻率係不相同。
    毳1300904 4件》月V(日修正替換I 4/5
    第4B圖
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