TWI299892B - Hemi-spherical structure and method for fabricating the same, image device and method for fabricating microlens structure - Google Patents

Description

1299892 九、發明說明： .【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種半球形結構及其製造方法，特 別係有關於一種影像裝置應用以及微機電系統技術的半 球形結構及其製造方法。 【先前技彳标】 微透鏡裝置已廣泛的應用於包括光學資訊處理系 籲統、光學通訊、光學讀取頭、光學測量以及固態影像元 件等不同的領域。典型的固態影像元件包括例如位於基 板上的光電二極體的光感測元件、位於光感測元件上的 彩色濾光片以及位於彩色濾光片上的微透鏡陣列。光感 測元件可為例如光電二極體、互補型金氧半導體 (complementary metal oxide semiconductor，CMOS)感測 器或電荷柄合元件(charge coupled device，CCD)等。利用 微透鏡有效的搜集落入微透鏡圓錐面的入射光以及經過 _ 影像製造製程折射此入射光至焦點平面上，而此焦點平 面的深度為光電二極體元件所形成的平面陣列所定義。 近年來對於光學裝置的小型化、積集度以極高性能的需 求促進了更高精準度及更小型化微透鏡的發展。 習知的微透鏡裝置製造方法係利用高溫製程以及全 面回蝕刻製程將基板上的介電層形成微透鏡陣列，但微 透鏡裝置的均勻度、輪廓以及曲率的控制相當困難。第 1A圖至第1D圖顯示利用習知的階梯狀蝕刻製程形成微 0503-A31884TWF;ianchen 5 1299892 透鏡陣列的一系列製程剖面圖。請參考第1A圖，其^ 一種習知的微透鏡陣列，其形成方式包括，形示 矽層12於基板10上，利用微影製程在氮化石夕層12氮化 成一分離的光阻圖案；光阻圖案經過熱回流嘉 ▲屐生一圓漘 的分離光阻區域14。請麥考第1B圖，接荖，& ^ 利用階梯 狀蝕刻製程蝕刻氮化矽層12，形成一階梯狀杜 、、'稱 i2a 0 經過灰化製程將剩餘的光阻移除，利用化墨At 兀予向下蝕刻 (chemical downstream etching，CDE)製程平骨 ρ皆梯狀社 ’ 12a的表面，直到形成如第1C圖所示的位於基板 曲面狀微透鏡12b。然而這種階梯狀蝕刻製程具有曲率# 制不佳的缺點’所以只能提供南度為2〜6KA的透^ 如 果將這種將光阻拉回以及階梯狀化高度的方法控制微透 鏡兩度以及斜率使微透鏡的南度大於6KA，如楚1 n门 又昂1D圖所 示，將會產生一種不希望得到的飛碟狀(UF0-Shape)微透 鏡12c，而在殘留於飛碟狀(UFO-shape)微透鏡12c的梯 狀輪廓上的光阻並不均勻’因此習知的微透鏡裝置皆有 ^表面粗縫的缺點。另外，化學向下餘刻（chemi⑻ downstream etching，CDE)製程需要單一機台，因此在量 產時會有製程時間過長以及產率少的缺點。 因此有需要一種新穎的影像裝置的製造方法，利用 一種簡單的蝕刻製程，形成合乎曲率、高度以及輪摩需 求的微透鏡陣列。 而 【發明内容】 0503-A31884TWF;ianchen 6 1299892 有鑑於此，本發明之主要目的係提供—種半球形結 ，及其製造方法，彻―支撐結構控制半球形結構的曲 率、高度以及輪廓。 為達祕明之上述目的，本發明提供—種半球形結 構的製造方法，包括:提供一基板，形成—第一層於上 述基板上，圖案化上述第一層，形成複數個挺狀物區域; 形成一第二層於上述柱狀物區域上；以及進行一回蝕刻 步驟_上述第：層，以形成複數個半球形薄膜區域， 籲其分別覆蓋於上述複數個柱狀物區域上；其中，每一個 上述半球形薄膜區域與對應位置的每—個上述柱狀物區 域，構成一半球形結構。 本發明係又提供一種半球形結構，包括··一基板； 複數個柱狀物區域，位於上述基板上；一圖案層，位於 上述複數個柱狀物區域以及上述基板上，其中上述圖案 層包括複數個半球形薄膜區域，分別位於上述複數個柱 狀物區域上；其中，每一個上述半球形薄膜區域與對應 _位置的母一個上述柱狀物區域，構成一半球形結構。 本發明係又提供一種半、球形結構的製造方法，包 括：提供一基板，形成一第一層於上述基板上；圖案化 上述第一層，形成複數個階梯狀物區域；形成一第二層 於上述階梯狀物區域上；以及進行一回钱刻步驟餘刻上 述第二層’以形成複數個半球形薄膜區域，其分別覆蓋 於上述複數個階梯狀物區域上；其中，每一個上述半球 形薄膜區域與對應位置的每一個上述階梯狀物區域，構 0503-A31884TWF;ianchen 7 1299892 成一半球形結構。 本發明係又提供一種半球形結構，包括：一基板； 複數個階梯狀物區域，位於上述基板上；一圖案層，位 於上述複數個階梯狀物區域以及上述基板上，其中上述 圖案層包括複數個半球形薄膜區域，分別位於上述複數 個階樣狀物區域上;其中，每一個上述半球形薄膜區域 與對應位置的每一個上述階梯狀物區域，構成一半球形 結構裝置。 【實施方式】 本發明的實施例係提供一半球形結構及其製造方 法，本發明的半球形結構係應用於光學資訊處理系統、 光學通訊、光學讀取頭、光學測量以及固態影像元件等。 半球形結構係採用利用半導體製程的微機電系統（Micro Electro-Mechanical System，MEMS)技術以達到精確的機 器製造以及大量生產的優點。本發明可較佳地控制半球 ⑩形結構的曲率、高度以及輪廓以克服先前技術利用階梯 狀餘刻以及化學向下餘刻（chemical downstream etching， CDE)製程方式的缺點。尤其本發明提供了 一種利用有機 或無機材料形成的半球狀結構，其利用位於半球形結構 下方的支撐結構(例如一柱狀物區域或一階梯狀物區域) 控制半球形結構的曲率、高度以及輪廓。同樣地，經由 一回蝕刻製程用以彎曲化以及平滑化半球形薄膜區域， 同時在兩相鄰的半球形薄膜區域之間形成一平坦區域。 0503-A31884TWF;ianchen 8 4 1299892 在微透鏡領域應用中，可以用相同材料形成半球形薄膜 區域與支撐結構。在微機電領域應用中，可以用相同或 不同材料形成半球形薄膜區域與支撐結構。 以下利用製程剖面圖，以更詳細地說明本發明較佳 實施例之半球形結構及其製造方法。在本發明各實施例 中，相同的符號表示湘同的元件。在圖式中，實施例中 的形狀以及厚度可能因為清楚或方便的原因而被誇大， 此種描述方式係特別針對本發明裝置中單一部分或組成 ❿之元件。圖式中未詳細描述的元件，熟於此技藝者當可 作些許之更動與潤飾。另外，在描述在基板或其他層”上” 形成一層物質時，表示該層物質直接位於基板或其他層 上，或者兩者之間存在一中間層。 在此，第2A圖至2D圖顯示本發明形成半球狀結構 較佳實施例之剖面圖。請參考第2A圖，其顯示第一實施 例中，形成一微透鏡裝置的起始步驟。提供一基板20， 在基板20上沉積一第一層22，例如在基板20的平坦表 • 面上沉積一第一層22。在影像裝置製程中，基板20可為 一矽基板。位於基板20上的場氧化區域、光二極體、層 間介電層、金屬繞線、鈍化層、平坦層以及彩色濾光片 並未顯示於圖式中。第一層22之材質可為無機或有機材 料。第一層22的較佳厚度為300〜10000000人，但並未限 定厚度。第一層22厚度的選擇需符合半球狀結構的大小 需求，且第一層22之厚度會因後續製程步驟而產生變 化。在第一實施例中，第一層22為一氮化碎層，利用包 0503-A31884TWF;ianchen 9 1299892 l 含低壓化學氣相沉積（low-pressure chemical vapor deposition, LPCVD)、 常壓化學氣相沉積 (atmospheric-pressure chemical vapor deposition， APCVD)、電漿增強型化學氣相沉積（plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、物理氣相沉積 (physical vapor deposition, PVD)、藏鍍以及其他後續發展 之沉積方式沉積而成。第一層22的材質可為例如二氧化 矽、含氧介電材料、含氮介電材料的習知無機介電材料 _ 及其組合。在第一實施例中，第一層22可為例如利用旋 轉塗佈或沉積方式形成的光阻層，也可為例如熱塑性塑 膠材料的習知有機材料或不同折射率的光阻性材料。 接著，在基板20上設置複數個分離式罩幕圖案24。 在第一實施例中，分離式罩幕圖案24係經由包含光阻塗 佈、軟烤、光罩對準、曝光、曝光後烘烤、光阻顧影以 及硬烤步驟的微影製程所形成。分離式罩幕圖案24的形 _狀可為圓柱狀、方枉狀、三角柱狀或類似的形狀。 讀參考第2B圖，其顯示以分離式罩幕圖案％作為 蝕刻罩幕，利用乾蝴將第一層22侧為分離柱狀物區 域22a，接著移除分離式罩幕圖案24。每一個分離柱狀 物區域22a為半球形結構的一部分，可视為一支撐結構 22a，後續製^程中半球形薄膜區域會形成於分離柱狀物區 域22a上。藉由控制分離柱狀物區域22a的厚度及大小， 可:½，調整半球形結構的高度以賴高㈣的需求。 在第κ紅例中刀離柱狀物區域22a的形狀可為圓柱 0503-A31884TWF;ianchen 1〇 1299892 狀、方柱狀、三角柱狀或類似的形狀。 請參考第2C圖，其顯示在分離柱狀物區域22a以及 部分基板20暴露區域上沉積苐-一層2 6 ’弟—層2 6覆皇 了分離柱狀物區域22a的間隔，而第二層26沉積的輪廓 大致與暴露表面的輪廓相同。第二層26的材質可為擇自 無機材料或有機材料，在微透鏡領域應用中，第二層26 的材質可以和第一層22相同。在微機電領域應用中，第 二層26的材質可以用祖同咸不同於第一層22的材料擇 • 一形成。第二層 26的厚度的較佳厚度為 300〜10000000A，但並未限定厚度。第二層26厚度的選 擇需符合半球狀結構的大小需求，且第二層26之厚度會 因後續製程步驟而產生變化。在第一實施例中，第二層 26為一氮化矽層，利用包含低壓化學氣相沉積 (low-pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、常壓化 學氣相沉積(atmospheric-pressure chemical vapor deposition，APCVD)、電漿增強型化學氣相沉積 鲁（plasma_enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、物 理氣相沉積（physical vapor deposition，PVD)、滅鑛以及其 他後續發展之沉積方式沉積而成。第二層26的材質可為 例如二氧化矽、含氧介電材料、含氮介電材料的習知無 機介電材料及其組合。在第一實施例中，第二層26可為 例如利用旋轉塗佈或沉積方式形成的光阻層，也可為例 如熱塑性塑膠材料的習知有機材料或不同折射率的光阻 性材料。 0503-A31884TWF;ianche] 11 1299892 請參考第2D圖，其顯示經由回蝕刻步驟，將第二 層26圖案化，分別形成半球形薄膜區域26a於每一個分 離柱狀物區域22a和基板20上，但不暴露第一層22和 基板20。回姓刻步驟可為反應式離子蚀刻（reactive ion etching)或其他電漿餘刻的乾韻刻步驟，使用例如含氟氣 體作為氮化矽的姓刻劑，以非等向性蝕刻方式蝕刻第二 層26。或者選擇以濕蝕刻方式的回蝕刻步驟蝕刻第二層 26。鄰近分離柱狀物區域22a側壁區域的第二層26會在 • 分離柱狀物區域22a上形成彎曲和平滑的表面，而在基 板20暴露部分區域上的第二層26會形成一平坦的表 面。因此，在分離柱狀物區域22a上順應性沉積的第二 層26，最後形成彎曲和平滑的半球形薄膜區域26a，提 供一彎曲層，可視為半球形結構28的一部分。藉由控制 第二層26的厚度，可較佳的調整半球形結構28的高度 以達到高曲率的需求。在經由回蝕刻步驟後，半球形薄 膜區域26a並不會完全分離，而其餘位於半球形薄膜區 • 域26a間隙的第二層26會形成平坦區域26b，平坦區域 26b用來維持半球形結構28的大小且防止因形成半球形 結構28產生的功能缺陷。 在第一實施例中，當第一層22為例如光阻的有機性 材料時，如第2A圖顯示在基板20上設置複數個分離式 罩幕圖案24的步驟可以省略。舉例來說，在基板20上 形成的第一層22可以利用包含光阻塗佈、軟烤、光罩對 準、曝光、曝光後烘烤、光阻顯影以及硬烤步驟的微影 0503-A31884TWF;ianchen 12 1299892 製程直接的被圖案化成為分離柱狀物區域22a。這樣可p 間化半球形結構製程以及節省製程成本。 因此，經由簡單的圖案化以及回蝕刻步驟形成的分 離柱狀物區域22a和半球形薄膜區域26a，組成了半球^ 結構28。和習知的階梯狀银刻以及化學向下餘^ (chemical downstream etching，CDE)製程方式比較，本發 明的半球形結構製造方法具有較高的產率，也較易於^ 用於量產。同時經由控制分離柱狀物區域22a的高声以 籲及/或第二層26的厚度，使本發明的半球形結構μ的古 度因具有較高曲率能夠逹到高於6KA。 另外，第2B圖中的分離枉狀物區域22a，在另—實 施例中可為一階梯狀物區域，以作為位於半球形薄膜區 域26a下方支撐結構。第3A圖至3D圖顯示本發明形成 半球狀結構第二實施例之剖面圖。其中元件與第2A圖至 2D圖所示相同的部分，則可參考前面的相關敘述，在此 不作重複敘述。請參考第3A圖，提供一基板2〇，一第 鲁一層22以及複數個分離式罩幕圖案24,分離式罩幕圖案 24的形狀可為圓柱狀、方柱狀、三角柱狀或類似的形狀。 请參考第3B圖’其顯示利用一種一系列交替的钱刻步 驟’包含横向移除分離式罩幕圖案24邊緣步驟和非等向 性的向下蝕刻的階梯狀蝕刻方式蝕刻第一層22。每一個 分離階梯狀物區域22b為包含兩個或兩値以上的梯形薄 板所組成的堆疊結構，位於下方的梯形薄板，其大小和 厚度皆大於位於上方的梯形薄板。接下來，移除分離式 0503-A31884TWF;ianchen 13 1299892 罩幕圖案24。每一個分離階梯狀物區域22b係作為半球 形、、°構的一部分’可視為一支撐結構22b，後續製程中半 球形溥膜區域會形成於分離階梯狀物區域22b上。藉由 $制刀漆階槔狀物區域22b的厚度及大小，可較佳的調 整半球形結構的高度以達到高曲率的需求。 、睛參考第3C圖，其顧示在分離階梯狀物區域22b 乂及4分基板20暴露區域上沉積第二層26，第二層26 _覆盒了分離階梯狀物區域22b的間隙，而第二層26沉積 的輪廓大致與暴露表面的輪廓相同。請參考第3D圖，其 顯:經由回蝕刻步驟，將第二層26圖案化形成半球形薄 膜區域26a於分離階梯狀物區域22b和基板20上，但不 暴蝽第一層22和基板2〇。鄰近於分離階梯狀物區域22b 之階梯狀輪庵的部分第二層26會分別在分離階梯狀物區 ^ 22b上形成彎曲和平滑的表面，而在部分基板暴露 區域上的第二層26會形成一平坦的表面。因此，在分離 馨階梯狀物區域22b上順應性沉積的第二層26最後形成彎 曲和平滑的半球形薄膜區域26a，提供一彎曲層，可視為 半球形，構28的一部分。在經由回蝕刻步驟後，半球开^ 薄膜區域26a並不會完全分離，而其餘位於分離階梯狀 物區域22b間隙的第二層26會形成平坦區域2仍，平坦 區域26b用來雄持半球形結構28的大小且防止因形成^ 球形結構28產生的功能缺陷。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟悉此項技藝者，在不脫離本發明 0503-A31884TWF;ianchen 14 1299892 之精神和範圍内，當可做些許更動與潤飾，因此本發明 之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1A〜1D圖為利用習知階梯狀蝕刻製程形成的微 透鏡陣列的一系列製程剖面圖。 第2A〜2D圖為本發明之半球形結構第一實施例的 製程剖面圖。 > 第3A〜3D圖為本發明之半球形結構第二實施例的 製程剖面圖。 【主要元件符號說明】 10〜基板； 12 a〜階梯狀結構； 12 c〜飛碟狀微透鏡； 20〜基板； 22a〜分離柱狀物區域； 24〜分離式罩幕圖案； 26a〜半球形薄膜區域； 28〜半球形結構。 12〜氮化矽層； 12b〜曲面狀微透鏡； 14〜分離光阻區域； 22〜第一層； 22b〜分離階梯狀物區域; 26〜第二層； 26b〜平坦區域； 0503-A31884TWF;ianchen 15

Claims (1)

1299892 十、申請專利範圍： 1. 一種半球形結構的製造方法，包括： 提供一基板，形成一第一層於該基板上； 圖案化該第一層，形成複數個柱狀物區域； 形成一第二層於該柱狀物區域上；以及 進行一回蝕刻步驟蝕刻該第二層，以形成複數個半 球形薄膜區域，其分別覆蓋於該複數個柱狀物區域上； 其中，每一個該半球形薄膜區域與對應位置的每一 _ 個該柱狀物區域，構成一半球形結構。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半球形結構的製造 方法，其中圖案化該第一層的步驟包括暴露出一部分位 於該柱狀物區域之間的該基板。 3. 如申請專利範圍第2項所述之半球形結構的製造 方法，其中形成該第二層的步驟包括： 形成該第二層於該柱狀物區域之間暴露出的一部分 該基板上。 _ 4.如申請專利範圍第3項所述之半球形結構的製造 方法，其中該回蝕刻步驟包括： 在該半球形薄膜區域之間暴露出的一部分該基板 上，形成該第二層，其為複數個平坦區域。 5. 如申請專利範圍第1項所述之半球形結構的製造 方法，其中該第二層的材質與該第一層的材質相同。 6. 如申請專利範圍第1項所述之半球形結構的製造 方法，其中該第二層的材質與該第一層的材質相異。 0503-A31884TWF;ianchen 16 1299892 7. 如申請專利範圍第1項所述之半球形結構的^造 方法，其中該第一層為氮化矽層、氧化矽層或光阻層。 8. 如申請專利範圍第1項所述之半球形結構的製造 方法，其中該第二層為氮化矽層、氧化矽層或光阻層。 9. 如申請專利範圍第1項所述之半球形結構的製造 方法，其中圖案化該第一層的步驟前，更包括： 在該第一層上形成複數個分離式罩幕圖案；以及 以該複數個分離式罩幕圖案為蝕刻罩幕，進行一乾 • 蝕刻步驟，圖案化該第一層為該複數個柱狀物區域。 10. 如申請專利範圍第1項所述之半球形結構的製造 方法，其中該第一層係由光阻構成，且圖案化該第一層 以形成該複數個柱狀物區域的步驟為一微影步驟。 11. 一種半球形結構，包括： 一基板； 複數個柱狀物區域，位於該基板上； 一圖案層，位於該複數個柱狀物區域以及該基板 •上，其中該圖案層包括複數個半球形薄膜區域，分別位 於該複數個柱狀物區域上； 其中，每一個該半球形薄膜區域與對應位置的每一 個該柱狀物區域，構成一半球形結構。 12. 如申請專利範圍第11項所述的半球形結構，其 中該圖案層包括複數個平坦區域，位於該半球形薄膜區 域之間的該基板上。 13. 如申請專利範圍第11項所述的半球形結構，其 0503-A31884TWF;ianchen 17 1299892 中該圖案層的材質與該柱狀物區域質 14. 如申請專利範圍第u項、、同。 中該圖麵的材質與雜狀·、球形結構， 15. 如申請專利範圍第1丨項所、貝柄異。 中該柱狀物ϋ域為氮切層、氧柄半球形結構’ 如申請專利範圍第丨丨項光阻層。 中該圖案層編_、氧切in形結構， 17·—種影像裝置，包括： 一基板; 複數個柱狀物區域，形成於該基板上· 上，案層’形成於該複數個絲物區域以及該基 ’/、中該圖案層包括複數個半球形薄膜區 ·^ 成於該複數個柱狀物區域上； 、D° 5，为別 個’每—健半球形_區域與對應位置的每 崎=域，構成一影像裝置的一微透鏡結〜 該圖案層包括複數個平坦區域，位於該; 之間的該基板上。 干，形溥膜區 ^ I9.如申請專利範圍第17項所述的影像裳置， 该圖案層為一相同於該柱狀物區域的無機材料' =0.如中請專利範圍第17項所述的影像裝置， 該圖案層為-相同於該柱狀物區域的有機材料。 21·如申請專利範圍第17項所述的 詈 該柱狀物區域為氮切層、氧切層或光阻層 0503-A31884TWF jianchen 18 * 1299892 * 22. 如申請專利範圍第17項所述的影像裝置，其中 該圖案層為氮化矽層、氧化矽層或光阻層。 23. —種微透鏡裝置的製造方法，包括： 提供一基板，形成一第一層於該基板上； 圖案化談第一層，形成複數個柱狀物區域； 形成一第二層於該複數個枉狀物區域上；以及 進行一回蝕刻步驟蝕刻該第二層，以形成複數個半 球形薄膜區域，其分別覆蓋於該複數個柱狀物區域上， • 且同時形成複數個平坦區域於該半球形薄膜區域之間的 該基板上， 其中，每一個該半球形薄膜區域與對應位置的每一 個該柱狀物區域，構成一微透鏡裝置。 24. 如申請專利範圍第23項所述之微透鏡裝置的製 造方法，其中該第二層為一相同於該第一層的無機材料。 25. 如申請專利範圍第23項所述之微透鏡裝置的製 造方法，其中該第二層為一相同於該第一層的有機材料。 ® 26.如申請專利範圍第23項所述之微透鏡裝置的製 造方法，其中該第一層為氮化矽層、氧化矽層或光阻層。 27.如申請專科範圍第23項所述之微透鏡裝置的製 造方法，其中圖案化該第一層的步驟前，更包括： 在該第一層上形成複數個分離式罩幕圖案；以及 利用該複數個分離式罩幕圖案為蝕刻罩幕，進行一 乾蝕刻步驟，以圖案化該第一層成為該複數個柱狀物區 域0 0503-A31884TWF;ianchen 19 k 1299892 28. 如申請專利範圍第23項所述之微透鏡裝置的製 造方法，其中談第一層係由光阻構成，且圖案化該第一 層以形成該複數個柱狀物區域的步驟為一微影步驟。 29. —種半球形結構的製造方法，包括： 提供一基板，形成一第一層於該基板上； 圖案化該第一層，形成複數個階梯狀物區域; 形戍一第二層於該階梯狀物區域上；以及 進行一回蝕刻步驟蝕刻該第二層，以形成複數個半 • 球形薄膜區域，其分別覆蓋於該複數個階梯狀物區域上； 其中，每一個該半球形薄膜區域與對應位置的每一 個該階梯狀物區域，構成一半球形結構。 3Ό.如申請專利範圍第29項所述之半球形結構的製 造方法，其中圖案化該第一層的步驟包括暴露出一部分 位於該階梯狀物區域之間的該基板。 31. 如申請專利範圍第30項所述之半球形結構的製 造方法，其中形成該第二層的步驟包括： ® 形成該第二層於該階梯狀物區域之間暴露出的一部 分該基板上。 32. 如申讀專利範圍第29項所述之半球形結構的製 造方法，其中該回蝕刻步驟包括： 在該半球形薄膜區域之間暴露出的一部分該基板 上，形成該第二層’其為複數個平坦區域。 33. 如申請專利範圍第29項所述之半球形結構的製 造方法，其中該第二層的材質與該第一層的材質相同。 0503-A31884TWF;ianchen 20 ^ 1299892 % 34. 如申請專利範圍第29項所述之半球形結構的製 造方法，其中該第二層的材質與該第一層的材質相異。 35. 如申請專利範圍第29項所述之半球形結構的製 造方法，其中該第一層為氮化矽層、氧化矽層或光阻層。 3 6 .如申請專利範圍第29項所述之半球形結構的製 造方法，其中該第二層為氨化矽層、氧化矽層或光阻層。 37. 如申讀專利範圍第29項所述之半球形結構的製 造方法，其中圖案化該第一層的步驟前，更包括： ❿ 在該第一層上形成複數個分離式罩幕圖案；以及 以該複數個分離式罩幕圖案為蝕刻罩幕，進行一乾 蝕刻步驟，圖案化該第一層為該複數個階梯狀物區域。 38. 如申請專利範圍第29項所述之半球形結構的製 造方法，其中該第一層係由光阻構成，且圖案化該第一 層以形成該複數個階梯狀物區域的步驟為一微影步驟。 39. —種半球形結構，包括： 一基板； ® 複數個階梯狀物區域，位於該基板上； 一圖案層，位於該複數個階梯狀物區域以及該基板 上，其中該圖案層包括複數個半球形薄膜區域，分別位 於該複數個階梯狀物區域上; 其中，每一個該半球形薄膜區域與對應位置的每一 個該階梯狀物區域，構成一半球形結構裝置。 40. 如申請專利範圍第39項所述的半球形結構，其 中該圖案層包括複數個平坦區域，位於該半球形薄膜區 0503-A31884TWF;ianchen 21 1299892 域之間的該基板上。 :41.如申請專利範圍第39項所述的半球形結構，其 中該圖案層的材質與該階梯狀物區域的材質相同。八 :42.如申凊專利範圍第39項所述的半球形結構，其 中該圖案層的材質與該階梯狀物區域的材質相異。 43. 如申睛專利範圍第39項所述的半球形結構，其 中該階梯狀物區域為氮化矽層、氧化矽層或光阻層。〃 44. 如申請專利範圍第39項所述的半球形結構，其 丨中該圖案層為氫化矽層、氧化矽層或光阻層。 45·—種影像裝置，包括·· 一基板; 一複數個階梯狀物區域，形成於該基板上； 一圖案層，形成於該複數個階梯狀物區域以及該基 板上，其中該圖案層包括複數假半球形薄膜區域，分別 形成於該複數個階梯狀物區域上； 其中，母個該半球形薄膜區域與對應位置的每一 個該階梯狀物區域，構成一影像裝置的一微透鏡結構。 46.如申請專利範圍第45項所述的影像裝置，其中 該圖案層包括複數個平坦區域，位於該半球形薄膜 之間的該基板上〆〆 47·如申請專利範圍第45項所述的影像装置，其中 該圖案層為一相同於該階梯狀物區域的無機材料。 48·如申請專利範圍第45項所述的影像裝置，其中 該圖案層為一相同於該階梯狀物區域的有機材料。 0503-A31884TWF;ianchen 22 ^ 1299892 49. 如申請專利範圍第45項所述的影像裝置，其中 該階梯狀物區域為氮化矽層、氧化矽層或光阻層。 50. 如申請專利範圍第45項所述的影像裝置，其中 該圖案層為氮化矽層、氧化矽層或光阻層。 51. —種微透鏡裝置的製造方法，包括： 提供一基板，形成一第一層於該基板上； 圖案化該第一層，形成複數個階梯狀物區域； 形成一第二層於該複數個階梯狀物區域上；以及 ⑩ 進行一回钕刻步驟蝕刻該第二層，以形成一複數個 半球形薄膜區域，其分別覆蓋於該複數個階梯狀物區域 上，且同時形成一複數個平坦區域於該半球形薄膜區域 之間的該基板上； 其中，每一個該半球形薄膜區域與對應位置的每一 個該階梯狀物區域，構成一微透鏡裝置。 52. 如申請專利範圍第51項所述之微透鏡裝置的製 造方法，其中該第二層為一相同於該第一層的無機材料。 _ 53.如申請專利範圍第51項所述之微透鏡裝置的製 造方法，其中該第二層為一相同於該第一層的有機材料。 54. 如申讀專利範圍第51項所述之微透鏡裝置的製 造方法，其中該第一層為氮化矽層、氧化矽層或光阻層。 55. 如申請專利範圍第51項所述之微透鏡裝置的製 造方法，其中圖案化該第一層的步驟前，更包括： 在該第一層上形成複數個分離式罩幕圖案；以及 利用該複數個分離式罩幕圖案為姓刻罩幕，進行一 0503-A31884TWF;ianchen 23 * 1299892 乾蝕刻步驟，以圖案化該第一層成為該複數個階梯狀物 區域。 56.如申請專利範圍第51項所述之微透鏡裝置的製 造方法，其中該第一層係由光阻構成，且圖案化該第一 層以形成該複數個階梯狀物區域的步驟為一微影步驟。

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