TWI295370B - Selecting a hypothetical profile to use in optical metrology - Google Patents

Description

1295370 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 想輪關於積體電路(1。胸 【先前技術】 關於目前傾向較小幾何尺寸之Ic特徵部之趨勢 ί:ϊΐ較ί時’特徵部測量越來越困難。然而，對“期 而臨界尺寸（〇))SEM方法只提供—^從特U貝破壞性’ 量數目。光譜反射測定絲橢圓光产彳^卩之上&看得見的測 量反射光走。-馆二t ®先度法係用以向結構發出光並測 已知寬度之特徵部驗f ”此係為結構中之 這種處理料亦是耗時且昂貴的而言， 而言亦存在有較快的CD測定之需H軸的知體量測應用 加時，程式庫之尺寸增加，而建卜’§程式庫之解析度增 性地增加。 建/、使用程式庫之時間會呈指數 种-η建立積體電路結構之繞射信號與之以廑夕杜 ，與係=，假 :?越複雜且所使用的參數越多，所需要：二 【發明内容】 们例不貝關巾’—假想輪輕用以塑造形成於一個半 1295370 導體晶圓上之-結構之輪#，以麟使 構其中樣品繞射信號係為測量繞射信號之 -料：㈣Idt ί ·係藉由使用來自獲得的樣品繞射信號之 才水口口、、70射彳口 "5虎而被疋義與評估。 【實施方式】 辦“!ιΐί:月多具體的組態、參數等等。然而，吾人應該 口心口 ” XI .兄明並思欲作為對本發明之範鳴 的是提供作為例示實施例之_說明。赫而代之 1.光學量測 半導^ Ξ 則f統100可用以檢驗並分析形成於一個 定形成於晶二:量=統1GQ可用以決 可形成於晶圓1G4上之測柵:，廓。周期性光栅102 夕一狀$ , +上之測试£域中，例如鄰接形成於晶圓104上 詈之者，周期性光栅1G2可形成在不妨礙裝置運作之裝 置之一^域中，或沿著晶圓1〇4上之切割線而形成。 = ϊί 量測系統_可包含具有—光源⑽與— 係由度裝置(PhQtometrkdevice)。職性光栅102 又射mnTr。6之一人射光束108所照明。於本例示實施例中， 與ίi /Γ相對於周期性光柵1Q2之法線；之—入射角〜 周波之方Θ '、即，在人射光束1Q8之平面期期性光栅102之 Γιο以的角度)而指向周期性光拇102之上。繞射光束 哭112將结射Vt”之一角度㊀"離開並_測器112所接收。债測 D° u彳將繞射光束110轉換成一測量繞射作號。 處理^=，性光_2之輪廊’光^測系統1〇〇包含一 射作卢4 倾設計以接收測銳射信號並分析測量繞 4w；r^ 5

m ° J 1295370 2·決定結構之輪廓之程式庫式處理程序 在决疋一結構之輪廓之一程式庫式處理程序中，測 號，與^擬繞射信號之一程式庫作比較。更明確而言，程式 射信號係與結構之—假想輪廓相關。當測量繞射信 ia紅式庫中之其中一個模擬繞射信號之間完成一匹配 號與其中:個模擬繞射信號之差異係在―預設或匹二 土〉〜日守與匹配模擬繞射信號相關的假想輪廓被 匹配模擬繞射信號及/或假想輪廓接著可被^用 以決疋結構是否已依規格製造。 朽=’，iif—個例示實施例中，在獲得—測量繞射 後+處杈組14接著將測量繞射信號與儲存於一程式廉 j中之模舞繞射信號作比較。程式庫116中之每個模擬繞射信费 ° J^一假想輪廓相關。因&，當測量繞射信號與程式庫116°中° ^其中-個模擬繞射錢之間完成—匹配時 : ；式庫116中之5亥組假想輪廓，係可藉由使用一組夂 H述-假想輪廟的特徵’接著改變該組參數 狀^ 程序可被稱為參數ί朗組魏心述―輪_特徵之處理 -痒言，如圖2Α所示，假設假想輪廓2G°可以分別定羞1 3與寬度之參數hl與wl為其特徵。 g疋義f

ϊ；20： ： Z σ 〇圖2Β所示，假想輪廓200可以分別定義古 ^ ，見度可被稱為g品界尺寸㈣。舉例而言，於圖 二 人W2可分別被說明為界定假想輪廓·之底㈣與中頂端fwl 如上所述，儲存於程式庫116中之該组假相輪圖 3敛述假想輪_特徵之參數而產生。舉例ΐί，由 wl與旧，可產生改變形狀與尺寸之假想輪靡。 1295370 π月/主思到一個、兩個或三個參數全部可相對於彼此而改變。 二。再參考圖1’假想輪腐以及該組假想輪廓中之對應的模擬繞射 k5虎和儲存於程式庫116中之模擬繞射信號之數目（亦即，程式庫 Π 6 ^解析度及/或範圍），係部分取決於該組參數所分佈的範圍與 ，組芩數據以改變的增量。在一個例示實施例中，假想輪廓盥儲、 於程士庫116中之模擬繞射信號，係在從一實際結構獲得二測 =繞射信號之前產生。因此，可基於熟悉一結構之製程與變量可 此成為的範圍，來選擇使用於產生程式庫116之範圍與增量（亦 即，範圍與解析度）。亦可基於實驗測量，例如使用原子力顯微鏡 UFM)、X-SEM料之測量，來選擇程式庫116之範圍及/或解析度。 有關程式庫式處理程序之更詳細說明，請參見美國專利申請 ，唬09/907, 488，標題為“周期性光柵繞射信號之程式庫之產生 (GENERATION OF A LIBRARY OF PERIODIC GRATING DIFFRACTION SIGNALS)” ，申請曰為2001年7月16曰，其全部於此併入 苓考文獻。 3.決定結構之輪廓之回歸式處理程序 /在^定一結構之輪廓之一回歸式處理程序中，測量繞射信號 巧與了杈擬繞射信號（亦即，一試驗繞射信號)作比較。模擬繞射 ::就f使用供—假想輪細之—組參數(亦即，試驗參數〕作比 車產士二如果測量繞射信號與模擬繞射信號並未匹配，或當 測夏繞射信號與其中一個模擬繞射信號之差異並非在一預設或匹 ，基準之内時:另一個模擬繞射信號係藉由使用供另一個假想輪 郭，之另-組參數而產生’接著’測魏射信賴重新產生的模 信號作比較。當測量繞射信號與模擬繞射信號匹配時，或 §測置繞射1號與其中-個模擬繞射信號之差異係在—預設或匹 配^準之ί時，與匹配模擬繞射信號相關的假想輪廓被推測是表 巧構之實際輪廓。接著可匹配模擬繞射雜及/或假想輪 廓，以決定是否已依規格來製造此結構。 因此’再麥考圖1 ’在一個例示實施例中，處理模組114可產 1295370 生一模擬繞射信號以供一假想輪廓彳吏用，然後，.比較測量繞射信 號與模擬繞射信號。如上所述，如果測量繞射信號與模擬繞射信 號並未匹配，或當測量繞射信號與其中一個模擬繞射信號之差異 並非在一預設或匹配基準之内時，則處理模組114可反覆產生另 一個模擬繞射信號以供另一個假想輪扉使用。在一個例示實施例 中，後來產生的模擬繞射信號可藉由使用一最佳化演算法(例如包 含模擬回火之全域性最佳化技術與包含最陡降演算法之區域性最 佳化技術）而產生。

在一個例示實施例中，可將模擬繞射信號與假想輪廓儲存於 一紅式庫Π6(亦即，一動態程式庫）中。然後，儲存於程式庫HQ 中模Μ繞射彳§號與假想輪廓可接著被使用於匹配測量繞射信號。 有關回歸式處理程序之更詳細說明，請參見美國專利申請序 號09/923, 578 ’標題為“透過回歸式程式庫產生處理程序之動態 學 4 之方法與糸統(METHOD AND SYSTEM OF DYNAMIC LEARNING

THROUGH A REGRESSION-BASED LIBRARY GENERATION PROCESS)，，， 申凊曰為2001年8月6曰，其全部於此併入作為參考文獻。 4.假想輪廓產生

如上所述，在私式庫式處理程序與回歸式處理程序中，係夢 由使用-假想輪廓來塑造待檢驗結構之實際輪廓。又如上所述，曰 可使用許多參數來描述假想輪廓的特徵。假想輪廓之正確性 由增加參數之數目而增加。然而，增加參數之數目可導致一曰 的程式庫及/或增加處理程序時間。 舉例而s *考圖2A肖2B，具有三個參數(例如圖2β中之 h卜wl與w2)之一假想輪廓可能比具有兩個參數(例如圖2a hi與⑷之一假想輪廓更正確。然而，在—程式庫

具有J個參數之J想輪廓相較於具有兩個參數之假想輪靡而言； 要具有-額外尺寸之-程式庫。尤其，供 I hl與⑷之假想輪靡用之程式庫，係包含-Μ尺寸（其係對= 在-範_改變之Μ參數)與-W1尺寸（其係對應至在」= 10 1295370 之wl參數 >。相較之下，供具有 ίw2)之假想輪翻之程式庫亦包含-w2尺寸，、hi、wi 範圍内改變之w2參數 丁 /、係對> 改變 -應至在一 因此’如果可使用兩個參數來塑 仏 則使用三個1^：將導貝際輪廓， 使用兩個减來塑造待檢驗結構之實 將導致：程式庫無法提供足_正·。 朗_參數 、⑽==在：回歸式處理程序中，如果可使用兩個參數來塑 之貫際輪廓，則使用三個參數將導致不必要的處理 整不需要被調整之參數以便決充分的匹配。然 田^使用兩個參數來塑造待檢驗結構之實際輪廓，則使 用只兩個芩數可能導致一不充分的匹配。 』便 +因此，茶考圖3 ’ 一例示的處理程序300係描繪出用以選擇用 來描述-待檢驗結構的特徵之—假想輪廊。在—侧示實施例 例示的處理程序·係為―卫作流程，指示—使用者遵循以 選擇用來描述一待檢驗結構的特徵之一假想輪廓。吾人應認知到 例=的處理程序300可如在一處理模組上執行之一電腦程式般的 被實現，此處理模組可以是處理模組114(圖υ或一獨立的處理模 組0 、 於302中，獲得樣品繞射信號。在一個例示實施例中，在執 行處理程序300之前，測量繞射信號係從一生產環境獲得。測量 繞射信號可使用一光度裝置（圖丨）而獲得，用以測量在生產環境中 被製造之形成於一晶圓上之結構之繞射信號。於本例示實施例 中’亦獲得這些結構之輪廓。這些輪廓可藉由使用各種不同的量 測技術(例如AFM、X-SEM等等）而獲得。測量繞射信號與對應的輪 廓描述出晶圓上之結構之製造的變化特徵。測量繞射信號與輪靡 之數目可能相當大。舉例而言，一標準3〇〇毫米晶圓可具有幾百 個晶粒，因此可從幾千個位置組合獲得測量繞射信號與輪廓。因 此 > 樣品繞射信號係為測量繞射信號之一代表取樣。 1295370 信號參=====桃咖峨樣品繞射 測量繞射信號之:代=樣樣係為，-生產環境之 的處理程序400搜尋且有二女=石表示測里繞射信號，例示 最小數目。請注t果樣品繞射信號之 至剛好是^，則可省略處理之數目相當小，例如2或甚 於權中，基於對解3 樣品繞射信號之間的間距。 相關的-成本分配Γ於定與樣品指標 作比較，以決定是否已符=本g的成本分配係與—成本基準 如r所示’如果不符合成本基準’則決定另— ί 例中，樣品_係被增力…咖當;t 減小樣品繞射信號之間的間距。 404中所、、^的樣口 則於410決定樣品繞射信號。尤其，在 量繞射信號對應至被選擇作為樣品繞射信號之測 與4㈣ f，ίί其使用之成本基準可以是—固^基準。舉例而 錢之光ίίΐ：ίΐϊί量，其可取決於用以獲得測量繞射 圖Λ於7中，係定義一假想輪_描述待檢驗轉 之形i的4:V 所述’假想輪廓包含描述待檢驗結構之輪靡 之I狀的W之減。於識中，於謝所定義之假想輪廊係^ 12 1295370 方；302中所獲彳于之樣品繞射信號而被評估。 μ ί ί圖j示的處理程序_係描緣出用以評估於綱（圖 3)所1於ΐ中，—樣品繞射信_從於302(圖 f又付铋口口、、九射仏號獲得。在一個例示實施例中，於502所 ΐί，圍中心的繞射信號。於5°4中，對應於502所獲得之樣 口口=射信號之-模擬繞射錄可勤使肋歸法而決定。有關^ =義之假想輪廓最佳化之更詳細說明，請參見美國專利申請序 號09/907, 448，標題為“周期性光柵繞射信號之程式庫之產生 ™ ίν-〇Ν Ϊ A UBRARY 〇F PERIGDIC GRATING effraction Ϊ考H _年7月16日，其全部於此併入作為 於504中之模擬繞射信號可藉由使用例如嚴格耦合波分析 (麵）、積分法、菲科方法、有限分析、觀分㈣等之一模 擬試驗技術而產生。有關RCWA之詳細說明，請參見美國專利請 序號09/77M97，標題為“快速的嚴格_合波分析之層内計算^

快取(CACHING OF INTRA-LAYER CALCULATIONS FOR RAPID RIGO^US COUPLEkWAVE ANALYSES)，，，申請日為刈讥年丨月奶日’其全 部於此併入作為參考文獻。模擬繞射信號亦可藉由使用一機器學 習系統而產生。有關機器學習系統之更詳細說明，請參見美g專 利申請序號10/608, 300，標題為“使用機器學習系統之形成於半 導體晶圓上之結構之光學量測(0PTiCAL METR〇L〇GY 〇F structures

FORMED ON SEMICONDUCTOR WAFERS USING MACHIMG LEARNING SYSTEMS)” ，申請日為2003年β月27日，其全部於此併入作為 參考文獻。 … 繼續參見圖5，於506中，基於樣品繞射信號與模擬繞射信號 而決定一配適度(G0F)。吾人應該認知到此處係參考G0F作為度^ 標準比較信號之一例。其他這種度量標準包含成本、誤差平：^和 等等，且可被使用以取代G〇f或除了 G0F以外被使用的度量標準。 13 1295370 =二=it定之崎與一嶋準作比較，用以決 μ如=所:ί果並未滿足g〇f絲，則於510中修正假想 I 510谓應至如圖3所示之從306反覆進 為止。主予因此’可定義一新的假想輪廓，直到滿足GOF基 ^如圖5所描緣的，如果已滿足G〇J?基準，則可 程 Ϊ音田射信號使用，來確認假想輪廓之穩定度， 巾的所有繞射信號，係可藉由使用處理 ΐ;- 。然而’吾人應該認知到處理程序500不需被 反後進仃。取而代之的是，當已滿足G〇F基 理程序300可從306繼續進行至3〇8。 ❾見圖3，處 賴^=義1—=：^=2序巾咖以評估於 扁 2中，一樣品繞射信號係從於 繞射錢獲得。於604中，—模擬繞射信 號叮1日由使用例如厫格耦合波分析(RCWA)、積分法 g分析、撫悲分析等等之一模擬試驗技術或一機器學習系統而 鋒射yn小誤差(GME)係基於樣品繞射信號與模擬 、、凡射4:#十4:在-個例示實施例中，GME係基於尺寸及/或對 應於樣品麟信號之麵與對應至__信號之假相輪廟之特 ί而=、^608中，在606所決定之GME係與一GME基 旱作比較，用Μ決疋疋否已滿足GME基 GME基準係為-固定數量，例如3〇毫微米。^丁只關中 如圖6所示，如果已超過GM：綦準，則於61〇中修正 廓。尤其’圖6中之_可對應至如圖3所示 ^ = 至綱。因此，可定義—新的假想輪廓，直到滿足GME基準1止。 14 1295370 又如圖6所描繪的，如果並未超過GME基準，則可重複處理 程序6GQ以供另-個樣品繞射信號使用，來確認假想輪廓之穩定 度。尤其，於612中，完成關於目前的樣品繞射信號是否為於 302(圖3)所，得之樣品繞射信號中的最終樣品繞射信號之一決 定。如果目刚的樣品繞射信號並非最終樣品繞射信號，則重複處 理程序60!以供另一個樣品繞射信號使用。如果目前的樣品繞射 信號係，最終樣品繞射信號，則於614中終止處理程序6〇〇。尤 其，請參見圖3，處理程序3〇〇可從306繼續進行至3〇8。 在處理，，600中，GME係用以確認一假想輪廓之穩定度。然 而，吾人應該認知到如果已知一假想輪廓是穩定的，則GME可被 使用以評估一個或多個全域搜尋演算法之性能。 吾人應该涊知到處理程序5〇〇(圖5)與處理程序β〇〇(圖6)可 獨立或組合被執行。舉例而言，可提供使用者執行處理程序5〇〇 或處理程序600之選擇。或者，可在執行處理程序5〇〇之後執行 處理程序600或反之亦然。 參考圖3，於308中，係基於所定義的假想輪廓來執行一敏感 度分析，用以決定描述所定義的假想輪廓之特徵的參數之敏感 度。尤其，在一個例示實施例中，藉由使用一組關於描述所定義 的假想輪廓之特徵的參數值，來產生一模擬繞射信號以供所定義 的假想輪，使用。接著，改變描述所定義的假想輪廓之特徵的一 個或多個麥數值，而維持其他參數固定。另一個模擬繞射信號係 基於改變的數值而產生。被改變之一個或多個參數之敏感度係藉 由比杈兩個模擬繞射信號而決定。舉例而言，可藉由計算模擬繞 射信號中之改變之誤差平方和（SSE)來表示一個或多個參數之敏 感度。，關決定描述假想輪廓之特徵的參數之敏感度之更詳細說 明，請芩見美國專利申請序號1〇/2〇6, 491，標題為“光學量測之 模型與參數選擇（MODEL AND PARAMETER SELECTION FOR OPTICAL METROLOGY) ’申請曰為2002年7月25曰，其全部於此併入作 為參考文獻，以及參見美國專利申請序號1〇/397, 631，標題為“將 15 1295370

光學里測之模型與參數選擇最佳化(〇pTIMIZED model AND PARAMETER SELECTION FOR OPTICAL METROLOGY)，，，申請日為 2003 年3月25曰，其全部於此併入作為參考文獻。 如圖3所示，如果所決定的敏感度是不可接受的，則可為新 的假想輪廓定義另一個假想輪廓並可重複306與308。所決定的'敏 感^可被提供給使用者，以供使用者決定所決定的敏感度是否可 接文。或者，可定義一敏感度基準以自動決定所決定的敏感度是 否可接受。 5·程式庫最佳化 使用處理程序3〇〇(圖3)而定義之假想輪廓，係可被使用以產 生一程式庫式處理程序中之一程式庫，用以決定一結構之未知輪 廓。尤其，每個描述所定義的假想輪廓之特徵之參數可在一範^ 内^變，且一模擬繞射信號可為了所定義的假想輪廓之參數之每 個變化而產生，用以產生假想輪廓與模擬繞射信號之程式庫。在 處理程序300(1] 3)中，在使闕定義的假想輪廓之前，樣品繞射 k唬係用以評估所定義的假想輪廓之穩定度，用以產生一全^^ 庫（FuU Library)。於302所獲得之樣品繞射信號亦可用以^^呈 式庫最佳化。 在一個例示實施例中，請參見圖7，可使用一例示的處理程 700以在產生全私式庫之别獲得一程式庫之誤差與準確度估 中，獲得對應至於斯圖3)賴得之樣品繞射信號之^品於 廊。於704巾，小型程式庫係基於在7〇2所獲得之樣品繞射传^ 而產生]尤其，每個樣品繞射信號係對應至一組輪廓參數值 個輪廓芩數係在以對應於樣品繞射信號之參數值為中心之 來改變。、類似於產生一全程式庫之處理程序，輪廓參數係夢 用^程式庫中所欲使用之每個參數之相對應的結果而在它 的範圍來改變m、型程式庫之尺寸係小於待產生之全^ 式庫。在一個例示實施例中，每個小型程式庫每尺寸包含2王二 其係對應至所定義的假想輪廓之一參數。於706中，小型程式庫 16 1295370 接者被用以處理測試繞射信號。 理測$ 1°^二=ΐ=的⑨差與準確度係基於使用小型程式庫處 用與已知的樣品繞射信號和輪廓之輪靡偏 至以估抽式庫丨4衫。在—個例示實施例中組 繞射信號，其係藉由使__光度裝置 同= 置獲得。於此例示實施例中，一妒士庙七唯士 +日上=相|】位 樣品繞射信號之標準差的3倍。^ >石又係被定義為該組 而一於誤差與準癌度是否可接受的決定。舉例 =定，，度是否可接受。或者4定義=二 度，準1動^軸定的誤差解確度是否可接受。在一 不貫施例巾，誤讀準麵鲜A_ 一^ 被使用之光度裝置相關的誤差之大小的-次二舉庫，ί if ίίϊ關的駐大約為5毫微米時，誤差與準確度基準“ 果所決定的誤差與準確度是可接受的，則於 中產王私式庫。如果所決定的誤差石^ ^ 7!4 ,

始反覆進行處理程序700 〇 J 6·決定測量晶粒圖案 本編注意的’―晶圓可具有幾百個晶粒’從而可從幾 3射ί iiiil繞射信號與輪廓。於3Q2(圖3)所獲得之樣 σσ、ϋ係為仗-晶圓所獲得之測量繞射信號之—代表取樣。 …ίϋϋ實施例ΐ，由晶圓上的位置所獲得之樣品繞射信 ^ 曰# ρ^一測里晶粒圖案。尤其，當檢驗被製造的晶圓 _叫定在預先的纽控制與處理特徵 化中將被k驗之晶圓上的位置。 舉例而δ ’在-程式庫式處理程序巾，測量繞射信號係從位 1295370 於對應於測量晶粒圖案之-晶圓上之❼獲得。測量繞射信號係 =擬繞射織之程式庫触較，㈣決定匹配假想 結構之輪廓。 雖然已說明示範實施例，但在不背離本發 ^下可作成各種不_修改。因此，本發明不應被解釋成 附圖中所顯示與上述之具體形式。 、 【圖式簡單說明】 中 本發明可在配合附圖並參考下述說明 類似元件可能以類似之數字表示： 4 之下得到最佳理解，其 圖1描緣一種例示的光學量測裝置； ;圖2A〜2E猶用以塑造-待檢驗結構之輪廓之例示的假想輪 告^姆-種解的處理程細選擇—假想輪廓細在檢驗 圖 Η : 序以獲得樣品繞射信號； it: = -假想輪廓最佳化; 以

圖6鱗另-義响處軸細將—假想麟最佳化 之例補處理轉以賴擬繞射信 號與假想輪廓

【主要元件符號說明】 100〜光學量測系統 102〜周期性光栅 104〜晶圓 106〜光源 108〜入射光束 110〜繞射光束 112〜偵測器 114〜處理模組 18 1295370 辦w頌修(更)正替換頁 116〜程式庫 200〜假想輪廓 300〜處理程序 302〜獲得樣品繞射信號 304〜定義假想輪廓 306〜評估假想輪廓 308〜決定敏感度 400〜處理程序 402〜獲得測量繞射信號 404〜決定樣品指標 406〜決定成本分配 408〜是否滿足成本基準？ 410〜決定樣品繞射信號 500〜處理程序 502〜獲得樣品繞射信號 504〜決定模擬繞射信號 506〜決定配適度 508〜是否滿足配適度基準？ 510〜修正假想輪廓 600〜處理程序 602〜獲得樣品繞射信號 604〜決定模擬繞射信號 606〜決定全域最小誤差 608〜是否滿足全域最小誤差基準？ 610〜修正假想輪廓 612〜是否為最終樣品繞射信號？ 614〜結束 700〜處理程序 702〜獲得樣品輪廓 19

1295370 704〜產生小型程式庫 706〜處理測試繞射信號 708〜決定誤差與準確度 710〜誤差與準確度是否可接受？

712〜產生程式庫 714〜改變範圍及/或解析度

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Claims (1)

1. ·· _2785|1^1(趣±咖雖正本(無劃線) •丄 、你年“ 7¾修(:更)正替換頁^ 96年6月日修訂 、申弃 ΑΙ DEJ · 、i 1· -種用於光學量測之假想輪廓 用以塑造形成於—半導體晶圓上之—結忒g 學量；該輪廊，該方法包含以3驟 之-代表取樣；该專樣°°繞射仏琥係為該等測量繞射信號 以及界定-假想輪靡以塑造形成於該晶圓上之該等結構之輪廊； 該假自該等獲得的樣品繞射信號之-樣品繞射信號來評估 其中獲得該等樣品繞射信號之步驟包含： 從該晶與號，其中該等測量繞射信號係 繞射信;，其中該樣品指標係對應至該等樣品 ίΐίΐ決定的樣品指標相_一成本分配；以及 樣品指夫疋的成本分配並不符合一成本基準時，調整該 方法2·第i項之用於光學量測之假想輪廓的選擇 定數量Γ中成本基準係為該成本分配中之一百分比變化或一固 方法學量測之假想靡選擇 :吏3個以上的參數來敘述該假想輪廓之特徵。 方法，·其中======學量測之假想輪靡的選擇 的樣品繞射信號取得—樣品繞射信號； 、+Μ於該樣品繞射信號之一模擬繞射信號； 21 —~________ %年彡肪日修(更)正替換買 1295370 及 (C)決定雜品繞射魏與該觀魏健之_配適度；以 施行/、7驟⑷、⑹、（C)與⑷係為各該樣品繞射信號重複 6 ·如申請專利範圍第4項之用於光學量測之假相輪产& 方法7,1^===彻纖麵的選擇 (a)獲付一樣品繞射信號； d夫定對應於該樣品繞射信號之—模擬繞射信號； (c) 決定一全域最小誤差；以及 (d) 當該全域最小誤差超過—全域最小誤差基準時，修改該假 想輪廓。 8.如申請專職圍第7項之驗光學制之假想輪廓的選擇 =其中步驟㈤、⑹、（c)細係為各該樣品繞射信號重複 、9·如中料飾圍第7項之驗光學制之假想輪廓的選擇 方法，其中該全域最小誤差係用以評估一個或多個全域搜尋演算 法之性能。 10·如申料魏圍第1項之躲光學制之假想輪廓的選擇 方法，更包含： 決定用來描述該假想輪廓之特徵部的一個或多個參數之敏感 度；以及 〜 當該決定的敏感度是不可接受的或並不符合一敏感度基準 時，修改該假想輪廓。 11·如申請專繼®第1項之麟絲制之假想輪廓的選擇 22 1295370 ....... --Ά , .....^ -KX^-r, 'β㈣ 方法，更包含以下步驟：… - - 基於該等獲得的樣品繞射信號，產生一個或多個小型程式 庫，其中一小型程式庫之尺寸係小於待產生之一全程式庫； 使用該-個或多個小型程式庫處理複數個測試繞射信號；以 及 度 基於處理遠專測式繞射信號之結果，評估一平均誤差與準確 埋士1f·如巾μ專利範圍第η項之用於光學量測之假想輪廊的選 擇方法，更包含以下步驟： t定該估計的平均誤差與準確度是否是可接受的；以及 =決定該估計的平均誤差與準確度是可接受的時，產生該全 %式庫。 摇古1f ·如申請專利範圍第12項之用於光學量測之假想輪廓的選 ，其中決定該估計的平均誤差與準確度是否是可接受的步 鄉包含： 提供該估計的平均誤差與準確度給一使用者。 如申請專利範圍第12項之用於光學量測之假想輪廓的選 擇方法，其中決定該估計的平均誤差與準確度是否是可接受的步 驟包含： 決定，估計的平均誤差與準確度是否符合一誤差與準確度基 t其中轉確度鱗大約為小於將能全程式庫-起被使用之 光度裝置相關的該誤差之大小的一次方。 w+if·如申明專利範圍第12項之用於光學量測之假想輪廓的選 擇方法，更包含以下步驟： 使用該產生的全程式庫以處理複數個測試繞射信號；以及 基於處理該等測試繞射信號之結果，評估該全程式庫之平均 誤差與準確度。 16·如申請專利範圍第12項之用於光學量測之假想輪廓的選 擇方法，更包含以下步驟： 23 !295370 餐 當該估計的平均誤差與準確度是不可接受時，改變一個或多 個描述該假想輪廓之參數之範圍及/或解析度。 17·如申請專利範圍第1項之用於光學量測之假想輪廓的選擇 方法，更包含： 曰“基於该等樣品繞射信號決定一測量晶粒圖案，其中在該測量 晶粒圖案中之每個位置係對應至獲得該等樣品繞射信號之該晶圓 上之每個位置。 18·如申請專利範圍第丨7項之用於光學量測之假想輪廓的選 擇方法，其中在預先的處理控制與處理特徵化中使用該測量晶 圖案。 /9· 一種電腦可讀取的儲存媒體，其包含電腦可執行碼以選擇 一假想輪廓，該假想輪廓係用以塑造形成於一半導體晶圓上之一 結構的輪廓，俾用以利用光學量測，並通知一電腦如依下 作而決定該結構之該輪廓： 從形成於該晶圓上之複數個結構之測量繞射信號獲得複數個 樣品繞射魏，其巾該雜品繞射信麟為該等_繞射信號之 一代表取樣； 口〜 界定一假想輪廓以塑造形成於該晶圓上之該等結構之輪廓； 以及 該假ίΖ自該轉得賴品繞雜狀—樣品繞触號來評估 其中獲得該等樣品繞射信號之步驟包含： 從該晶號，其中該等測量繞射信號係 繞射信#+繼纖術該等樣品 決定的樣品指標相關的—成本分配；以及 樣品指疋的成本分配並不符合一成本基準時，調整該 24

   1295370 評估㈣之鶴可讀取麟存聰，其中 從，等獲得的樣品繞射信號取得一樣品繞射信號； 决=對應於該樣品繞射信號之一模擬繞射信號； 決定該樣品繞射信號與該模擬繞射信號之間的一配適度；以 ^該配適度並不符合一配適度基準時，修改該假想輪廓。 碰j·如申請專利範11第19項之電腦可讀取的儲存媒體，其中 5平估該假想輪廓之步驟包含： /、 從該等獲得的樣品繞射信號取得一樣品繞射信號； 決定對應於該樣品繞射信號之一模擬繞射信號； 決定一全域最小誤差；以及 & ’ 當該全域最小誤差超過-全域最小誤差基料，修改該 輪廓。 22·如申請專利範圍第19項之電腦可讀取的儲存媒體，其中， 包含電腦可執行碼，用以進一步指示一電腦依以下步驟運作： 更包含： 決定描述該假想輪廓之特徵之一個或多個參數之敏感度；以 及 / & X ’ 當該決定的敏感度是不可接受的或並不符合一敏感度基準 時，修改該假想輪廓。 23·如申請專利範圍第19項之電腦可讀取的儲存媒體，其中 包含電腦可執行碼，用以進一步指示一電腦依以下步驟運作·· 基於该專獲知的樣如繞射彳a號’產生一個或多個小型程式 庫，其中一小型程式庫之尺寸係小於待產生之一全程式庫； 使用該一個或多個小型程式庫處理複數個測試繞射信號；以 及 基於處理該等測試繞射信號之結果，評估一平均誤差與準確 度。 25 1295370

   包含專利範圍第23項之電腦可讀取的儲存媒體，其中 匕各可執行碼，用以進一步指示一電腦依以下步驟運作： 庫；G料的平均誤差鮮確度是可接受的時，產生該全程式 平均誤差與準確度是不可接受的時，改變或多個 抱述5亥饭想輪廓之一個或多個參數之範圍及/或解析度。 、人^如中請專利範圍第19項之電腦可讀取的儲存^體，其中 匕3^腦可，行碼’用以進__步指示—電職町步驟運作： 土於該等樣品繞射信號決定一測量晶粒圖案，J：中在該測詈 titii每個位置係對應至獲得該等樣品繞射信號之該^ —ίϋ胁光學量狀㈣輪廓的選擇纽，該假想輪靡係 成於-半導體晶圓上之—結構的輪庸，俾用以利用光 予1測決疋該結構之該輪廓，該系統包含： 一 ’設計成用以從形成於該晶圓上之複數個結構獲 侍稷數個測置繞射信號；以及 一處理模組，設計成用以·· 從該等測量繞射信號獲得複數個樣品繞射信號，其中該 品繞射信號係為該等測量繞射信號之一代表取樣；以& ^ ’ 使用來自轉獲得的樣品繞射信號之—樣品繞射信號來評估 一假想輪廓， 其中該處理模_設計成藉由下述步驟來獲得複數個樣品繞 射信號： 獲得複數個測量繞射信號，其中該等測量繞射信號係 從該晶圓上之複數個位置獲得； 決定一樣品指標，其中該樣品指標係對應至該等樣品 繞射信號之數目與間距； ，疋與u亥决疋的樣品指標相關的一成本分配；以及 富孩决疋的成本分配並不符合一成本基準時，調整該 26 1295370 樣品指標。 ^ 27·如申請專利範圍第26項之用於光學量測之假想輪廓的選 擇系統，其中該處理模組係設計成藉由下述步驟來評估該假相輪 廓： 〜 從该等獲得的樣品繞射信號取得一樣品繞射信號； 決疋對應於该樣品繞射信號之一模擬繞射信號； 決定該樣品繞射信號與該模擬繞射信號之間的一配適度；以 及 當該配適度並不符合一配適度基準時，修改該假想輪廓。 28·如申請專利範圍第26項之用於光學量測之假想輪廓的選 糸統，其中該處理模組係設計成藉由下述步驟來評估該假想輪 廊： 〜 從該等獲得的樣品繞射信號取得一樣品繞射信號； 决疋對應於该樣品繞射信號之一模擬繞射信號； 決定一全域最小誤差；以及 輪摩當該全域最*誤差超過-全域最小誤差基料，修改該假想 如申料利範_ 26項之驗光學制之假想輪靡的選 咖嫩纖假想 摆糸L◦•如專條圍第26項之用於光學量測之假想輪廓的選 擇糸統，其中該處理模組係更進一步設計成用以： 庫 及 ^該等獲得的樣品繞射信號，而產生_個或多個小型程式 中一小型程式庫之尺寸係小於待產生之一全程式庫； 使用該-個或多個小型程式庫處理複數侧試繞射信號；以 基於處__試繞射健之結果，評估—平均誤差與準破 度 27 1295370 θ 31.如申請專利範圍第3〇項之用於光學量測之假想輪廓的選 擇系統，其中该處理模組係更進一步設計成用以： 當該估計的平均誤差與準確度是可接受的時，產生一全程式 庫；以及 气，估a十的平均誤差與準確度是不可接受的時，改變描述該 假想徵之—個或—參數之棚及/或解析度。 擇李统利=圍第26項之用於光學量測之假想輪靡的選 ί於=:=模_更進-步設計成用以·· 晶粒圖案^之二^射信號決定—測量晶粒圖案，其中在該測量 上之每個位置。立置係對應至獲得該等樣品繞射信號之該晶圓

   28 1295370 七、 指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（3)圖。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 300〜處理程序 302〜獲得樣品繞射信號 304〜定義假想輪廓 306〜評估假想輪廓 308〜決定敏感度 八、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 益〇 Μ