TWI294683B - A fault protection scheme for ccfl integrated circuits - Google Patents

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TWI294683B
TWI294683B TW094128659A TW94128659A TWI294683B TW I294683 B TWI294683 B TW I294683B TW 094128659 A TW094128659 A TW 094128659A TW 94128659 A TW94128659 A TW 94128659A TW I294683 B TWI294683 B TW I294683B
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C Moyer James
Ueunten Paul
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Description

^^1294683 五、發明說明(1) 相關申請案相互參考 此申請案主張在此被併入參考之20 04年8月23日提出 申請之美國臨時專利申請案第60/XXX,XXX號之優先權。 背景 可攜式筆記型電腦已變成普遍的消費者項目。飛機, 咖啡廳’公共公園及許多其他地方可看見膝上使用者使用 也們的電腦。此證明人們已不受到電腦可能被安全裝設且 導吊不被移動之如家庭辦公室或商務辦公室之使用位置的 控制。 鼹由於廣 者不受到實 許多電腦顯 壓所產生之 但被用來供 今天大 率階來驅動 壓。以北法 方式嚴密調 之高電 造商係執行 fCFL所產生 另外, IUL)之第三 防護係預期保護使用 由被用來提供背光至 螢光燈(CCFL)之高電 大多數電壓相當小, 通常大好幾階。 之CCFL係藉由全橋功 加該CCFL所需之高電 筆記型電腦可以有效 >然而,被施加至 對此,筆記型電腦製 來保護使用者不受到 安全檢測實驗室公司 其僅為商業可行。安 泛使用膝上型電腦,冗餘 體傷害。一潛在風險係藉 示系統之被供應至冷陰極 電斃。雖然膝上型電腦中 應螢光燈電源之電壓大小 多數被用於筆記型電腦中 ,其可驅動磁性升壓器施 ,供應7至2 2 V典型電壓之 節對CCFL之6 0 0 VRMS電壓· 壓可輕易地導致電繁。針 冗餘實體及電子安全系統 之電斃。 若大多數筆記型電腦被如 方實驗室評估可接受,則
第6頁 1294683 五 、發明說明(2) .全 種 檢測實驗室公司係具有被用爽 < u 標準及測試。任何電子產產品是否:ΐ受之各 經由人體模型負載驅動過多電流θ遍測忒係^產品是否 何實體點至地面约2k歐姆電阻負^此情況中,從電路中任 .任何兩實體可存取元件被短路:可):另一普,測試係當 短路接地)時,該產品是否安全兩元件間、之短路或 可預期提供監視驅動ccfl之系統也中\作」或關閉)ι此, 況檢測實驗室公司測試而因此出現電繁危險之過電流情 籲明 内容 一種被提供CCFL積 及裝置。一實施例中, 用於耦合至CCFL (冷陰 電流之一功率橋接器。 裔以提供與該操作電流 該裝置進一步包含可產 之一參考元件插座。該 該參考元件以比較該複 件。 另一實施例中,一 歹法。該方法包含操作 外,該方法包含產生具 方法包含產生與該操作 體電路錯誤保護方案之系統,方法 一裝置係被提供。該裝置係包含適 極榮光燈)負载及提供該負載操作 該裝置亦包含被耦合至該功率橋接 成正比之複製電流之一複製元件。 生與外部參考元件連結之參考電流 裝置亦包含被耦合至該複製元件及 製元件及該參考元件之一比較元 種操作冷陰極螢光燈電源供應器之 電源供應器及產生操作電流。此 有參考元件之參考電流。再者,該 電流成正比之複製電流。再者,該
1294683_ 五、發明說明(3). 方法包含比較該複製電流及該參考電流。同時,該方法亦 包含若複製電流及參考電流不相等則發送錯誤信號。 再另一實施例中,冷陰極螢光燈電源供應器係被提 '供。該電源供應器係包含第一功率電晶體,具有第一節 .點,第二節點及閘極節點,該第一節點係被耦合至電源供 應器。該電源供應器亦包含第二功率電晶體,具有第一節 點,第二節點及閘極節點。該第二功率電晶體係被匹配該 r 一功率電晶體,而該第一節點係被耦合至電源供應器。 另,外,該電源供應器係包含第三功率電晶體,具有第一節 點,第二節點及閘極節點。第一節點係被耦合至該第一功 #t晶體之第二節點,而該第二節點係被耦合接地。再 者,該電源供應器係包含第四功率電晶體,具有第一節 點,第二節點及閘極節點。該第四功率電晶體係被匹配該 第三功率電晶體。該第一節點係被耦合至該第二功率電晶 體之第二節點,而該第二節點係被耦合接地。 該電源供應器亦包含被形成與第三及第四功率電晶體 成正比之複製電晶體,具有第一節點,第二節點及閘極節 點。第二節點係被耦合接地,而第一節點係被調節交替匹 配第三及第四功率電晶體之第一節點。再者,該電源供應 器4系包含一電流鏡。該電流鏡係被耦合至複製電晶體之第 一%點。另外,該電源供應器係包含一參考終端,該參考 誇端係被耦合至該電流鏡。 詳細說明
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五、發明說明(4) 一種被提 及裝置。被說 例證,且本質 為解釋起 _本發明徹底了 需运些特定細 塊圖形式顯示 / 說明書中 t施例連結被 發明至少一實 廳吾之出現係 實施例互斥之 一實施例 出電流成正比 係與被供應至 當操作電流及 電流係不再均 上’糸統可被 一實施例 CCFL (冷 率橋接器 费與該操作電 進一步包含可 考元件插座。 -i 供CCFL積體電路錯誤保 明於此文獻中之特定杳说7 $之系、,先’方法 上為例證而非限制。例係代表本發明之 3 I & t *多特定細節 =而’熟練技術人士將了解本二;: 節來實施。其他情況中,姓 %月了不 來避免模糊本發明。、、’σ 、置係以方 對”一實施例”或"實施例”之 說明之特定特徵,έ士播十杜k =思才日與該 施例中。說明包含於本 不必均涉及相同實施4丨 只靶例中慣 獨立或替代實=亦不必涉及與其他 中,複製電路係被使用經由被選擇與必要輸 之元件來比較電流及參考電流。該複製電路 CCFL、(冷陰蟬螢光燈)之操作電流成正比。 對應複製電流流動於特定限制之外時,參考 等比較複製電流,而該改變係被傳送。該點 關閉電源或被降低功率。 中,一裝置係被提供。該裝置係包含適合耦 陰極螢光燈)負載及提供該負載操作電流之 。该裝置亦包含被耦合至該功率橋接器以提 流成正比之複製電流之一複製元件。該裝置 產生與外部參考元件連結之參考電流之一參 该裝置亦包含被耦合至該複製元件及該參考
1294683 五、發明說明(5) -元件以比較該複製元件及該參考元件之一比較元件。 另一實施例中,一種操作冷陰極螢光燈電源供應器之 方法。該方法包含操作電源供應器及產生操作電流。此 >卜,該方法包含產生具有參考元件之參考電流。再者,該 .方法包含產生與該操作電流成正比之複製電流。再者,該 方法包含比較該複製電流及該參考電流。同時,該方法亦 包含若複製電流及參考電流不相等則發送錯誤信號。 • 再另一實施例中,冷陰極螢光燈電源供應器係被提 供,。該電源供應器係包含第一功率電晶體,具有第一節 點,第二節點及閘極節點,該第一節點係被耦合至電源供 #器。該電源供應器亦包含第二功率電晶體,具有第一節 點,第二節點及閘極節點。該第二功率電晶體係被匹配該 第一功率電晶體,而該第一節點係被耦合至電源供應器。 另外,該電源供應器係包含第三功率電晶體,具有第一節 點,第二節點及閘極節點。第一節點係被耦合至該第一功 率電晶體之第二節點,而該第二節點係被耦合接地。再 者,該電源供應器係包含第四功率電晶體,具有第一節 點,第二節點及閘極節點。該第四功率電晶體係被匹配該 第三功率電晶體。該第一節點係被耦合至該第二功率電晶 體j第二節點,而該第二節點係被耦合接地。 _該電源供應器亦包含被形成與第三及第四功率電晶體 疼正比之複製電晶體,具有第一節點,第二節點及閘極節 點。第二節點係被耦合接地,而第一節點係被調節交替匹 配第三及第四功率電晶體之第一節點。再者,該電源供應
第10頁 1294683 五、發明說明(6) 器係包含一電流鏡。該電流鏡係被耦合至複製電晶體之第 一節點。另外,該電源供應器係包含一參考終端,該參考 、终端係被耦合至該電流鏡。 θ 電源係經由獲得自筆記型電腦供應之升壓7至2 2 V之變 f器被傳遞至CCFL以提供驅動CCFL所需約6 0 0Vrms。變壓 器初級側係藉由其供應為筆記型電腦供應之驅動器電路來 驅動’而次級側驅動CCFL。驅動器電路原則上使用被說明 板被描繪於本文獻中之一實施例中之一橋接器。 ; 通常保護電路係藉由放置與次級纏繞接地之電阻器來 ^視被傳遞至CCFL負載之電源。此方式中,人與ccfL之高 •終端接觸因而提供接地路徑,變壓器所供應之電流量可 ^易地藉由跨越電阻器發展之電壓來監視。較舊設計中, 若跨越電阻器之電壓超過1 · 2伏特,則積體電路將降低被 傳遞維持跨.越電阻器之1 · 2伏特峰值電壓之功率,因而提 、對可被變壓斋供應之電流的上限。該設計係被描繪於第 一圖中。 、 安全檢測實驗室公司係具有施加至CCFL保護之各種產 二標準。雖然被用於第一圖之電路會保護避免單點失敗, =疋接觸變壓器之高壓終端,但若無來自與次級纏繞變 :接地之電阻器之短路,則其並不保護。該短路合 護電路失效。 胃便4 不同控制方法係被提供於第三-五圖。針對一 2 部件係被提供具有被接地之一插針9。在此,电I插 計8係被設定調節為約U伏特(帶隙)。電阻器係從1
1294683 五、發明說明(7) 插針被接地。經由電阻器來自插針 、 變壓器初級纏繞及變壓器次級之最 /;,L係與被傳遞至 电〉苑。 該部件電路係被配置使若具有 會開始。注意插針9,鄰接組I插針8之地/則該部件不 他鄰接插針係為FT插針7。在此短路亦j係f接地。其 制功能失效。此將通過安全檢測實驗組:?電流限 接受地調節電流。 T驗至公司錯誤測試及可 备乂二圖描繪電流過度負載感測方案實施例。被描繪於 手-統1〇〇者係包含具有電流感測器之變壓器。變壓器ιι〇可 ^麵合至驅動該變壓器之一橋接器,因而產生預期 •。被輕合於纏、繞(輸繞)之-及地面之間者係為通常 為電阻器之一負載120。為了減輕參考’針對此文獻之電 路’變壓器之步升纏繞係被稱為輸出纏繞,而步降纏繞係 被稱為輸入纏繞。負載120係提供被耦合至該纏繞之點處 之參考電壓。此參考電壓係被提供至兩比較器〇及1 4 Q。 比較器1 30係接收帶隙電壓(約1 · 2伏特)作為輸入,並 比較该參考電壓及該帶隙電壓。比較器1 4 0同樣地接收被 除以1 0之帶隙電壓作為輸入,因而提供該被除以1 〇之帶隙 電壓及該帶隙電壓之比較。當電路正確操作時,比較器 I#之輸出通常為方波(潛在地為兩方波之和)若干型式。 因’偵測正確操作可能很困難。 、 除了使用變壓器輸出處之電壓測試之外,變壓器輸入 側之電壓亦可被測量。第二圖描繪電流過度負載感測方案 另一實施例。變壓器110再次被描繪。緩衝器2 2 0及23 0代
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表從CCFL調節器積體電路驅動變壓器u〇之該橋接器。電 容器240係被提供串聯於緩衝器230及變壓器110之一終端 之間。亦被輕合至變壓器π 〇之該終端者係為一串元件—
Zener二極體25 0,二極體2 6 0,電阻器2 7 0及共用基底電晶 體28 0,其均通達終端29〇。終端29〇可藉由比較器測量來 決疋變壓器中端處之情況是否合理。然而,被描繪之各元 件通常為電路板上之分離元件,其可藉由安全檢測實驗室 公司測試或人類接觸來縮短,因而導致測試電路失敗。因 此,此測試方案係引進更多複雜性而不提供該裝置之強力 測試。 馨接著有用者係為相對強力容易測量之測試方案及相對 不可能因安全檢測實驗室公司型短路或接觸而產生失敗。 第三圖描繪使用内部複製電流之電流過度負載感測方案實 施例。電路3 0 0係為驅動負載3 1 0之橋接器,且藉由複製電 路及監視元件監視。電晶體32 0,325,3 3 0及3 3 5係提供供 應電源至負載3 1 0之一橋接器。各電晶體3 2 0,3 2 5,3 3 0及 3 3 5通常係為功率金屬氧化半導體場效電晶體(]^〇31^1^), 源流及沉流高電流及積體電路上需大實體佈局者。該橋接 器係經由兩分支(3 2 0及3 2 5,3 3 0及3 3 5 )交替供應電流操 因此例如,電晶體3 2 0及3 2 5可對應緩衝器2 2 0,而電 曰曰$ 33 0及335可對應緩衝器23 0。亦被提供者係為不需相 旧大實體(或處理相同電流)而可複製電晶體33 0及335之複 製金屬氧化半導體場效電晶體3 5 5。電晶體3 2 5,3 3 5及3 5 5 均被以相同電壓位準(具有共用接地節點)施加偏壓。開關
第13頁 1294683 五、發明說明(9) ~ 3 4 0及3 4 5係被交替關閉,有效地連結節點至運算放大器 (op-amp) 3 5 0之輸入。如圖式,開關340及345係被用來麵 合該橋接器之非傳導分支至運算放大器3 5 0。 運算放大器藉此維持相同狀態中之電晶體3 5 5之節點 .為電晶體3 2 5及3 3 5之對應節點。此節點亦被耦合至電流鏡 3 8 0之終端386。<流鏡3 8 0之終端383係被耦合至電晶體 3 6 0,其被耦合至外部電阻器3 7 0及運算放大器3 6 5。運算 故大器3 6 5係操作保持其輸入於相同電壓,藉此保持跨越 亨-阻器3 7 0之電壓降於帶隙電壓。電阻器3 7 〇係被系統設計 者選擇具有適用於回應與橋接器電流成正比之帶隙電壓之 Λ流之一值。該比例係被積體電路明定,促使使用者依據 電流/功率需要來選擇電阻器。因此,針對先前說明裝 置’電阻器3 7 0係為從插針8 (組I)接地之外部電阻器,而 電阻器3 7 0之終端係為插針組!。 需被監視者之負載通常為螢光燈。第四圖描繪需電流 過度負載保護之電源供應器電路負載實施例。變壓器j丄〇 係具有被耦合於輸入纏繞上之一串聯電容器4 2 〇。被與輪 出纏繞並聯耦合者係為電容器430及440,及燈45 0及電阻 器460之串聯連接。燈45〇及電阻器46〇之間者係為節點 4#。若節點/65被短路接地,或被人類(如人體模型模擬〕 接1,則流經負載之電流仍應被調節。 、調節電路最後部分係為電流鏡及感測電4。第五圖描 繪電流鏡及感測電路實施例。電流鏡画使用電晶體 則,㈣及㈣來反映流經各電晶體之相
1294683 五、發明說明(ίο) 節點3 8 3及3 8 6處之電流係為相同,而流經電流源之電流亦 為相同電流。節點3 8 〇 (複製電晶體3 5 5之節點)處之電流一 旦改變’則S c h m i 11觸發緩衝器5 4 0之輸入處之電壓會改 » 變,且其可於節點5 6 0處被感測。因此,節點5 6 0可提供標 .示該橋接器應以其他系統要求為基礎被關閉電源或移回之 主動低信號。例如,此主動低信號可被用來改變第三圖之 偏壓(或截止)電晶體320及3 3 0,藉此降低或消除電源供 應·。 r 某些裝置上,電阻器370被連接之插針旁邊之插針係 為FT插針。第六圖描繪相關電路引線之監視電路實施例。 式,該FT插針(節點6 5 0 )係具有被耦合之一電容器, 該電容器亦被耦合接地。積體電路内,電流源6 2 0及電晶 體6 3 0均被耦合至對運算放大器6 1 〇之輸入。運算放大器 610亦具有被耦合至其他輸入之帶隙電壓。運算放大器61q 之輸出係被提供為FT —OUT信號6 6 0。 若節點6 5 0被短路接地,則節點不會上升高於帶隙電 壓。當運算放大器6 1 0比較帶隙電壓及節點6 5 0時,輸出 6 6 0將維持很低(被動)。一般操作下,節點6 5 〇將以時間延 遲上升,使輸出6 6 0 (FT —OUT)亦轉移至邏輯高。 |可參考流程圖來了解電流調節處理。第七圖描繪操作 處$及電流過度負載感測實施例。處理7 〇 〇係包含操作裝 冥’產生參考及複製電流,比較電流及發送錯誤或繼續操 作之#號。處理7 0 0及本文獻其他方法係包含可被並聯或 串-聯再安置且可被子分割或組合之模組。該方法可包含附
第15頁 1294683 五、發明說明(11) 加或不同模組’而該模組亦可被再組織來達成相同結果。 該裝置操作於模組71〇處。此產生供應CCFL負載電源 之操作電流。複製電流(如第三圖之電晶體3 5 5者)係被產 生於模組7 2 0處。同樣地,參考電流(如電晶體3 7 〇者)係被 產生於模組7 3 0處。電流係於模組7 4 〇處被比較。若電流於 核組75 0處相等,則處理返回模組71 〇。若電流不相等,則 錯誤信號係被產生於模組7 6 〇處。 • 各種實施例特性及觀點可被整合為其他實施例,而被 描J會於本文獻中之實施例可不需描繪或說明所有特性或觀 ^即可實施。熟練技術人士將了解,雖然系統及方法實施 f定例已被說明用於例證,但只要不背離本發明精神及範 嗜’均可作各種修改。例如,本發明實施例可被應用至許 多不同資料庫,系統及應用程式類型。再者,即使這些特 性並不被一起說明於本發明内之單實施例,一實施例特性 仍可被併入其他實施例。於是,本發明係藉由附帶申請專 利範圍做說明。
第16頁 1294683 圖式簡單說明 【圖式簡單說明】 本發明係以例證方式藉由附圖描繪。該圖式係被了解 為例證而非限制,本發明範轉係藉由申請專利範圍來界 實 案 方 測 。感 例載 。施負 例實度 施一過 實另流 案案電 方方之 測測流 感感電 lnu·1JJ€-· 負負複 度度部 過過内 流流用 電電使 描描描 圖圖圖 。 〇 一二三制 定第第第成 實 負 路 。 電 例 器 。施 應 例實 供 施測 源 。實感 電 例路載 之 施電負 護 實視度 保 路監過 載 電之流 負 測線電 度 感引及 過 及路理 流 鏡電處 電 流關作 需 電相操 繪 繪繪繪 描 描描描 I | 〆·- yi 1 <·· 圖。圖 llilIglT 四例五六七 策,施參第第 【主要元件符號說明】 BV 帶隙電壓 100 系統 110 變壓器 120負載 *、140 比較器 、2 3 0 緩衝器 240、43 0、440 電容器 2 5 0 Zener二極體 2 6 0 二極體
第17頁 1294683 圖式簡單說明 170、460 電阻器 2 8 0 共用基底電晶體 2 9 0 終端 3 0 0 電路 310 驅動負載 320、 325、 330、 335、 355、 360 電晶體 340、 345 開關 35 0、3 6 5、610 運算放大器 3.70 外部電阻器 3 8 0 電流鏡 義 3、3 8 6、4 6 5、5 6 0、6 5 0 節點 4 2 0 串聯電容器 4 5 0 燈 5 1 0、5 2 0、5 3 0、6 3 0 電晶體 5 4 0 Schmitt觸發缓衝器 5 5 0 ' 6 2 0 電流源 6 6 0 輸出 7 0 0 處理 710、 720、 730、 740、 750、 760 模組
第18頁

Claims (1)

1294683 六、申請專利範圍 -一輸入及與該帶隙電壓參考耦合之一第二輸入。 7.如申請專利範圍第1項之裝置,其中: 該功率橋接器為一組匹配功率金屬氧化半導體場效電 晶體。 8 .如申請專利範圍第7項之該裝置,其中: 該複製元件為與該功率橋接器之功率金屬氧化半導體 場效電晶體成正比標度之金屬氧化半導體場效電晶體。 9:如申請專利範圍第1項之裝置,進一步包含: .一帶隙電壓調節器,耦合至該參考元件插座; " 該帶隙電壓調節器包含耦合於該比較元件及該參考元 座間之一第一金屬氧化半導體場效電晶體及一第一運 算放大器具有,該一第一運算放大器耦合至該電晶體之一 輸出,該第一運算器耦合至該參考元件插座之一第一輸入 及耦合至一帶隙電壓參考之一第二輸入。 1 0 .如申請專利範圍第9項之裝置,其中: 該比較元件為一電流鏡及耦合至該電流鏡之一緩衝 器。 11.如申請專利範圍第1 0項之裝置,其中: 該功率橋接器為一組匹配功率金屬氧化半導體場效電 晶^ ;及 . *該複製元件為與該率橋接器之功率金屬氧化半導體 場效電晶體成正比標度之一第二金屬氧化半導體場效電晶 體。 h2. —種操作冷陰極螢光燈電源供應器之方法,該方法包
第20頁 1294683_ 六、申請專利範圍 含: 操作該電源供應器及產生一操作電流; 產生一具有一參考元件之參考電流; 產生與該操作電流成正比之一複製電流; 比較該複製電流及該參考電流;及 若該複製電流及該參考電流不相等,則發送一錯誤信 號。 Γ3.如申請專利範圍第1 2項之方法,其中: . 該參考元件為耦合至該電源供應器之一電阻器。 1 4.如申請專利範圍第1 2項之方法,進一步包含·· _ 藉由比較一錯誤插針及一帶隙電壓來緩衝該電源供應 器之該錯誤插針。 1 5 . —種冷陰極螢光燈的電源供應器,包含: 一第一功率電晶體,具有一第一節點、第二節點及閘 極節點,該第一節點耦合至一電源供應器; 一第二功率電晶體,具有一第一節點、第二節點及閘 極節點,該第二功率電晶體與該第一功率電晶體匹配,該 第一節點與一電源供應器耦合; 一第三功率電晶體,具有一第一節點、第二節點及閘 才y點,該第一節點與該第一功率電晶體之該第二節點耦 ^該第二節點係搞合接地; 一第四功率電晶體,具有一第一節點、第二節點及閘 極節點,該第四功率電晶體與該第三功率電晶體匹配,該 第一節點耦合至該第二功率電晶體之該第二節點,該第二
第21頁 1294683__ 六、申請專利範圍 節點係被耦合接地; 一複製電晶體,與該第三及第四功率電晶體成正比而 形成,具有一第一節點、第二節點及閘極節點,該第二節 點係被耦合接地,該第一節點係被調節以交替匹配該第三 及第四功率電晶體之該第一節點; 一電流鏡;該電流鏡被耦合至該複製電晶體之該第一節 點;及 '一參考終端,該參考終端係耦合至該電流鏡。 1.6.如申請專利範圍第1 5項之電源供應器,進一步包含: 一運算放大器,具有--第一輸入及一第二輸入,該 參一輸入係耦合至該複製電晶體之該第一節點,該第二輸 入係交替耦合至該第三功率電晶體之該第一節點及該第四 功率電晶體之該第一節點。 1 7.如申請專利範圍第1 5項之電源供應器,進一步包含: 一 Schmitt觸發緩衝器,耦合至該電流鏡。 1 8.如申請專利範圍第1 5項之電源供應器,進一步包含: 一電晶體,具有一第一節點、第二節點及閘極節點, 該第一節點係麵合至該電流鏡,該第二輸入係耦合至該參 考終端;及 論一運算放大器,具有一第一輸入、第二輸入及輸出, 1¾ 一輸入係耦合至一帶隙電壓參考,該第二輸入係耦合 f該參考終端,該輸出係耦合至該電晶體之該閘極節點。 1 9.如申請專利範圍第1 5項之電源供應器,進一步包含: “ 一運算放大器,具有一第一輸入、第二輸入及輸出,
第22頁 1294683_ 六、申請專利範圍 該第二輸入被耦合至該複製電晶體之該第一節點,該輸出 係耦合至該第一輸入; 一第一開關,該第一開關係耦合於該運算放大器之該 第一輸入及該第二功率電晶體之該第一郎點之間,及 一第二開關,該第二開關係耦合於該運算放大器之該 第一輸入及該第四功率電晶體之該第一節點之間。 2 0 .如申請專利範圍第1 5項之電源供應器,進一步包含: ,一 Schmitt觸發緩衝器,耦合至該電流鏡; .一參考電晶體,具有一第一節點、第二節點及閘極節 點,該第一節點係耦合至該電流鏡,該第二節點係被耦合 該參考終端; 一第一運算放大器,具有一第一輸入、第二輸入及輸 出,該第一輸入係耦合至一帶隙電壓參考,該第二輸入係 耦合至該參考終端,該輸出係耦合至該參考電晶體之該閘 極節點; 一第二運算放大器,具有一第一輸入、第二輸入及輸 出,該第二輸入係耦合至該複製電晶體之該第一節點,該 輸出係耦合至該第一輸入; 一第一開關,該第一開關係耦合於該第二運算放大器 y亥第一輸入及該第三功率電晶體之該第一節點之間;及 一^二開關,該第二開關係被耦合於該第二運算放大器之 轉第一輸入及該第四功率電晶體之該第一節點之間。
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