TWI292330B - Method and apparatus for dermatological treatment and fractional skin resurfacing - Google Patents

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TWI292330B
TWI292330B TW093108432A TW93108432A TWI292330B TW I292330 B TWI292330 B TW I292330B TW 093108432 A TW093108432 A TW 093108432A TW 93108432 A TW93108432 A TW 93108432A TW I292330 B TWI292330 B TW I292330B
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Richard Anderson
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Description

1292330 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域j 本發明係關於使用電磁輻射來處理皮膚的設備及方 法’特定言之’係關於一種使用光照來磨蝕或傷害皮膚表 面上一標的區域以進行皮膚處理的方法及設備，該皮膚表 面包括表皮層及部分的真皮層，以作為欲求之皮膚處理的 主要作用處或副作用處。 【先前技術】 目前市場上對欲改善或修復因老化、曰曬、皮膚疾病、 創傷等等所致之皮膚缺陷的需求一直在增加，也已經有多 多使用電磁輻射來改善皮膚的治療方式被提出，包括對皮 膚施以熱傷害，使皮膚產生一複雜的傷口癒合反應，以促 使該受傷的皮膚進行生物修復。 近年來已提出許多關於上述目的的治療技術。這些不 同的技術可被大致分成兩大類：磨蝕性雷射皮膚重現 (ablative laser skin resurfacing，LSR)及非磨# 性膠原重 建（non-ablative collagen remodeling，NCR)。第一類治療方 式，即LSR，會對表皮和/或真皮組織造成熱傷害；第二類 治療方式，即NCR，則係設計成不會對表皮造成熱傷害。 使用脈衝式C02或Er ·· YAG雷射的LSR技術，在此 領域中一般稱為雷射皮膚重現技術或磨蝕性皮膚重現技 術，係對日照所致之皮膚老化、慢性皮膚老化、疤痕、表 面色素傷害、生長紋、及表皮傷口非常有效的一種皮膚處 3 !29233〇 理技術。但是，每次L S R治療後，患者在第一次；A 天内會感到包括下列的不適狀況··水腫、滲出液、 / 叹、及 感。對許多患者而言，這些不適症狀幾乎是無法忍灸 LSR手術的另一項問題是手術過程非常痛，因此通常 相當程度的麻醉。小面積的LSR可在局部注射麻醉藥 況下執行，但較大面積的LSR則須使用全身麻醉或注 次麻醉劑阻斷神經作用方能執行。 任何一種LSR治療都會在治療區域皮膚表面（包 面和/或真皮）造成皮膚的熱傷害。這種情況對使用脈 C〇2的LSR治療特別嚴重，除了表皮皮膚熱傷害外， 块及真皮表面。在脈衝式C02的LSR治療後，通常會 併發症’包括持續出血、色素沉積過度、色素沉積不 結症、及感染（即，單純疱疹感染）。使用Er : YAG雷 LSR治療因為較脈衝式c〇2的LSR治療溫和而被引 場’ Er : YAG雷射的穿透深度較小，因此在皮膚標的 的殘留組織所造成的熱傷害區域較小。但是，使用Er ·· 雷射的LSR治療在治療後初期，也會造成與使用脈 C〇2的LSR治療類似的副作用。 無論是使用脈衝式C02或使用Er : YAG雷射的 技術都有一項限制，那就是無法在黑體質的患者身 用因為移除黑體質患者身上的色素真皮組織可能脅 些患者造成持續數周或高達數年的嚴重化妝問題，詞 或醫師而δ ，這是無法接受的。LSR技術的另一項阳 在除了臉。卩以外的皮膚區域進行磨蝕性皮膚重現，钱 的14 繞灼 的。 需要 的情 射多 括表 衝式 還會 出現 足、 射的 入市 區域 YAG 衝式 LSR 上使 -對這 。患者 :制是 [等皮 1292330 膚區域出現疤痕的機會將很高，因為這些區域皮膚組織的 修復能力不不像臉部皮膚這麼的好。 在試圖克服與LSR技術相關的問題時，出現了 ncr 技術。習知技藝一般稱此為非磨蝕性皮膚重現技術、非磨 蝕性皮膚下重現技術、或非磨蝕性皮膚重建技術。Ncr技 術一般係使用非磨蝕性雷射、閃光燈、或收音機頻率電流 在不破壞表皮組織的情況下來傷害真皮。NCR技術的觀念 係在於只對真皮組織造成熱傷害將可誘發傷口癒合的生物 性修復而形成一層新的真皮膠原。此類型的傷口癒合會降 低與光老化相關的組織破壞。NCR技術因避免破壞表皮， 因此也可降低與治療相關副作用的存續時間及嚴重性。特 別是，NCR技術可避免手術後的滲出液、結疤、色素變化、 及因喪失皮膚表面阻障所致之感染等。 目前有多種策略被應用在非磨蝕性雷射中，以在不傷 害表皮層的情況下達到傷害真皮層的目的。相較於LSR技 術而言，NCR技術中所用的非磨蝕性雷射，其穿透真皮層 的深度較深。這些波長讓非磨餘性雷射具有較Er : yag雷 射及二氧化碳雷射更深的穿透深度。組合適當的波長及表 面皮膚冷卻可達成傷害真皮的目的，或是將雷射以高孔徑 數值的光學儀器聚焦於真皮層内同時結合表面皮膚冷卻， 也可達成傷害真皮的目的。已知這些技術有助於避免破壞 表皮層，其主要缺點為效率不彰。在以NCR技術處理後， 光老化皮膚或結疤的改善遠低於使用LSR技術者。即使多 次治療後’其臨床的改善情況仍遠低於患者的預期。此外， !29233〇 在一系列療程後，經常要歷經數月之久才看得出來手術 效果。 N C R技術的另一項缺點是在安全、有效地治療皮膚 病時，其可接受的治療參數範圍不夠。NCR技術一般仰 雷射能量及冷卻參數間的最佳協調，其可在皮膚内導致 欲求的温度範型’因大量組織過熱而導致失去治療效果 形成苑痕組織。 非磨蝕性技術的另一項缺點係關於不傷害表皮。雖 為了降低與完全移除真皮層相關的副作用，不傷害表皮 报好的，有多種NCR技術的應用可能因移除至少部分真 層而受益。舉例來說，光誘發的皮膚老化不僅肇因於真 變化，還肇因於表皮變化。 磨蝕或非磨蝕性皮膚重現技術的另一種缺點為其所 發的傷口癒合反應中，並未能使角質細胞的角色發揮到 大。角質細胞在傷口癒合反應中扮演一個相當重要的 色’當角質細胞受傷時其會釋出細胞素。在傳統的磨蝕 皮膚重現過程中，角質細胞係與表皮一同被由皮膚表面 除’因此使其完全無法在傷口癒合反應中扮演任何角色 發揮任何功能。相反的，在傳統的非磨蝕性皮膚重現過 中’位於表皮層内的角質細胞ϋ未受傷’因此也不會釋 任何細胞素來幫助傷口癒合。
現行LSR或NCR技術的另一項缺點是在治療後由 發炎、色素沉積、或皮膚紋理改變之故（視治療位置而定 會在皮膚表面出現可見的斑點和/或邊緣。LSR或NCR 的 疾 賴 不 或 献 係 皮 皮 誘 最 角 性 移 或 程 出 於 儀 1292330 器也會產生大範圍（肉眼輕易可見）的照射區。舉例來說， 典型的雷射照射區直徑介於1毫米至1 〇毫米間，至於NCR 的照射點直徑約介於3毫米至5 0毫米間。某些儀器，例如 強脈衝光儀器，更會因在皮膚上的長方形輸出模式而留下 「盒形（boxes)」反應。患者並不喜歡皮膚上出現這樣的點 或盒形記號，很容易在皮膚上留下數亳米至數公分大小易 變紅、變棕或變白的區域，長達數天甚或數年。 因此，亟需提供一種可安全有效的改良皮膚疾病的方 法及設備，其具極低的副作用，例如手術過程不會引起相 當大的疼痛、術後也不會有任何不適、癒合時間短及不會 造成術後感染。 【内容】 本發明主要目的是提供一種可安全有效且具極低副作 用之改良皮膚疾病的方法及設備。本發明的另一目的係提 供一種僅在一皮膚標的區域的一小部分造成熱傷害的方法 及設備。 本發明的這些及其他目的可依據本發明例示性的實施 例及所述方法與設備來達成，其中欲進行照射的皮膚標的 區域部分係被遮蓋住。所示例示性的設備包括至少一遮蔽 件（shielding member)，其係設計成可遮蓋至少一部分皮膚 標的區域不受電磁輻射照射，其中該遮蔽件的設置係可使最 低量的電磁輻射被反射回一電磁輻射源。 本發明實施例的其他優點是，可由一電磁輻射源產生電 l29233〇 磁輻射，使該電磁輻射能被施加至一皮膚標的區域。 部分該皮膚標的區域係以一遮罩遮蔽而使其不受該 射所照射。 本發明實施例的其他優點是提供了一種可治療 況的方法及設備。特別是，使用了一傳輸模組及一 (translator)。該傳輸模組係被設計成可導引由一電磁 所產生的電磁輻射至一皮膚標的區域中的一預定區域 該預定區域係位於一與該傳輸模組相關的位置處，且 電磁輻射係適於引起該皮膚標的區域中的該預定區 皮組織及真皮組織的熱傷害，使得該傳輸模組可鎖定 區域中多個相隔一段空間的個別照射區。 本發明實施例的再一優點是可施加電磁輻射至 標的區域中一第一個別照射區。之後，該電磁輻射可 加至該皮膚標的區域中一第二個別照射區，其係與該 別照射區以一非照射皮膚區彼此相隔。 【實施方式】 第1A-9圖顯示用以重現部分皮膚標的區域之皮 法及設備。一般來說，例示的方法及設備可傳送一電 至一由各種形狀所界定的患者皮膚上，以誘發對應於 之皮膚表面的熱傷害並只涉及皮膚標的區域中的一 皮膚。此技術結合了磨蝕性重現技術的效率及非磨蝕 技術低副作用兩種優點。藉由遮住部分皮膚標的區域 以保護被遮住的皮膚不受電磁輻射照射，或使用直徑 £少一 電磁輻 皮膚狀 中繼器 輻射源 ，其中 其中該 域的表 該預定 該皮膚 再被施 第一個 膚的方 磁輻射 該形狀 小部分 性重現 的皮膚 非常小 8 !29233〇 、光束並以各種方式掃瞄皮膚以產生特定形狀來使皮膚表 _ …、傷σ如此均可達成以一預定模式或形狀傳送電磁 輕射至皮膚上的目的。 p刀皮膚重現（fracti〇nal resurfacing)係定義為控制式 1 移除、破壞、傷害或刺激皮膚組織上多個小型（一般小 於亳米）個別照射區，其中間隔未受照射的皮膚組織區，以 作為改善皮膚的一種治療。該等個別照射區可以是橢圓形、 。形弓形、和或直線形。選擇恰當的部分皮膚重現的空間 大小以避免出現大範圍的斑點或盒形記號，但同時還能達成 有效的&療，因多個小型區域可被照射因此遠勝過一低量刺 激。舉例來說，移除或光熱傷害數千個直徑〇 ·丨毫米的個別 照射區，彼此相㉟0.2亳米，並延伸進入皮膚〇·5毫米深， 可為心者所谷忍，同時還可在不產生明顯斑點且能快速癒合 的情況下有效改善光老化現象。介於小型個別照射區之間的 未照射區皮膚會啟動 一傷口癒合反應，其係較傳統LSR技術 更能為患者所忍受。 在本發明例示性的部分皮膚重現方法中，標的區域的特 定皮膚部分係保持未受傷害’因此可保留角質細胞及黑色素 細胞以作為可促進未受傷細胞再表皮化過程 (reepithialization)之中心。此過程與傳統整個標的區域皮膚 均受到傷害的皮膚重現方法不同。在傳統皮膚重現方法中， 再表皮化過程通常係由皮膚深處一未受傷的表皮濾胞所啟 動。由於傳統方法會將整個表皮層移除，而再表皮化時間的 一項重要因素即為濾胞的密度。一受測者臉部柔毛密度（每平 9 1292330 方公分439根柔毛）明顯高於其背部（每平方公分85根柔 毛）。因此，一般來說，相較於一受測者身體其他柔毛密度低 的部位而言’其臉部會感受到更快速的再表皮化過程。 因為色素沉積過程長之故，目前並不常執行深色色素皮 膚重現。部分皮膚重現技術可改善色素再沉積過程，但黑色 素、•田胞遷移不佳。藉由避開部分皮膚標的區域不進行照射， 可降低黑色素細胞的遷移距離，以降低色素再沉積時間並容 許所有類型皮膚重現。 第1 A-1 c圖顯示一部分皮膚重現系統的第一例示性實 施例，該部分皮膚重現系統10〇係以電磁輻射 (electromagnetic radiati〇n，“EMR，，）來執行各種皮膚處理 並依據本發明以一遮罩對一皮膚標的區域產生一皮膚表面 傷害形狀。該系統1 00可用來做膠原重建，移除不欲求的 色素或刺青’和/或其他皮膚應用。如第1A_1C圖所示，該 系統100包括一外殼101、一控制模組1〇2、一 EMR源1〇4、 傳輸透鏡組1 0 6及一遮罩1 〇 8。該外殼1 〇丨可容納該控制 模組102、該EMR源104、及該傳輸透鏡組1〇6。該外殼 1 0 1側壁上提供了一孔。該遮罩丨〇 8係對準該外殼1 〇丨側 壁上的該孔。藉由將遮罩1 〇 8對準該外殼} 〇丨側壁上的該 孔，可使由傳輸透鏡組1 06所發出的EMR的焦距被固定， 並可將其設計成不會衝擊遮罩1〇8側面，使不致造成該部 分皮膚重現系統1 〇 〇操作員受傷。該控制模組丨〇 2係與該 EMR源104連通，其係再可操作式的與該傳輸透鏡組1〇6 連通。 10 1292330 在本發明一變化實施例中，該控制模組 1 0 2可與該 EMR源1 04間以無線方式連通。在另一變化中，該控制模 組102與該EMR源104間係以有線方式連通。在另一變化 中，該控制模組1 02係位於該外殼1 〇 1之外。在另一變化 中，該控制模組102與該EMR源104係同時位於該外殼 101之外。該遮罩108也可不與該外殼101連通。 該控制模組 102提供應用專一設定值至該 EMR源 104。該EMR源104接收到該些設定值後，以這些設定值 為基礎產生EMR。這些設定值可控制EMR的波長、傳輸 至皮膚上的能量、傳輸至皮膚上的電力、及每一 EMR脈衝 的持續時間、傳輸至皮膚上的EMR能量密度、EMR脈衝 次數、每一個別EMR脈衝間的延遲時間、該EMR光束範 型、及遮罩内暴露於EMR下的皮膚區域面積。由該EMR源 1 04產生的能量可以是光輻射，其係聚焦、準直和/或由傳 輸透鏡組106導引至遮罩108。該遮罩108可被置於患者 皮膚標的區域上，且可在該皮膚標的區域上以介於0,1 %至 90%間的充填因子（fill factor)提供一傷害模式。該充填因 子係標的區域中暴露在由該EMR源104所發出之EMR下 的皮膚比例。 在一例示性實施例中，該EMR源1 04為下列之一，包 括雷射、閃光燈、鎢燈、二極體、二極陣列等等。在另一 例示性實施例中，該EMR源1 04為二氧化碳雷射或Er : YAG雷射之一。 在用於皮膚處理之前，第1Α圖所示的系統可由一使 11 1292330 用者自行設置。舉例來說，使用者可與該控制模組丨02介 面以指定對一特定操作有用的設定值。使用者也可指定 EMR的波長、傳輸至皮膚上的能量、傳輸至皮膚上的電 力、及每一 EMR脈衝的持續時間、傳輸至皮膚上的emR 能量密度、EMR脈衝次數、每一個別EMR脈衝間的延遲 時間、該EMR光束範型、及遮罩内暴露於EMR下的皮膚 區域面積。該EMR源104可被設定產生一波長介於400至 10 00 nm間的準直、EMR脈衝，且當使用一 Er : YAG雷射 時其波長較佳係靠近3 · 0微米，當使用一二氧化碳雷射時 其波長較佳係靠近1〇·6微米。該準直的EMR脈衝係以介 於1微秒至10秒間的脈衝時間，較佳以介於1 〇 〇微秒至 1 〇 〇毫秒間的脈衝時間，更佳係以介於〇.丨微秒至i 〇微秒 間的脈衝時間被施加；其能量密度介於〇 · 〇 1至丨〇 〇焦耳/ 平方公分，較佳係介於1至丨〇焦耳/平方公分。所施加的 EMR可在皮膚標的區域内造成足以引起表皮110和/或真 皮1 1 2熱傷害的溫度上升。該照射區域中足以引發熱傷害 的尖峰溫度係與時間成正比，且至少介於4 5 °C至1 〇 〇 °C 間。對介於〇 · 1微秒至1 〇微秒間的脈衝時間而言，所需引 發熱傷害的最低溫度約介於6 0 °C至1 0 0 °C間。可藉由調整 波長、每一脈衝之能量密度及次數來調整熱傷害的深度。 在皮膚處理期間，系統1 〇 〇產生可被導引至皮膚1 1 4 才不地區域的EMR 120，如第1B圖所示。該EMR 120可被 脈衝多次，以創造恰當的效果並照射在皮膚丨丨4標地區域 上。 12 1292330 完成皮膚處理後，皮膚114標地區域極可能在4 〇 牧符定地 區已党到傷害。所施加的E M R 1 2 0會在表皮組織1 1 〇及真 皮、纟且織1 1 2上創造出一預設的皮膚熱傷害1 3 〇。須4η # “ β知該預 設的皮膚熱傷害130延伸穿過表皮組織11〇並進入真 織112僅達一預定深度。遮罩1〇8可控制並於一位置上創 造出一皮膚熱傷害130。該皮膚熱傷害130 —般係佔皮膚 標的區域中0.1 %至90%的皮膚表面。一充填因子係界定為 皮膚標的區域中被EMR照射後受到傷害的皮膚區域比例。 在本發明一例示性實施例中，該皮膚熱傷害丨3〇可延 伸穿過表皮組織11 0並穿過整個真皮組織U 2。在本發明 另一例示性實施例中，該皮膚熱傷害1 3 〇可主要發生在真 皮組織1 1 2並僅在表皮組織1 1 〇上造成輕微傷害。須知每 一皮膚熱傷害130微面積的彼此穿透深度可能不同或可能 相同。此係因色素的移除或真皮的移除可藉由改變每一微 傷害區域的Φ度來單獨調控其深度或表面微傷害，亦即， 分別調控其真皮重建及色素調整。 第2圖為依據本發明遮罩之第一例示性實施例的上視 圖。該遮罩108包括遮蔽結構2〇2。該遮罩1〇8的直徑較 好是較標的區域直徑來得更大。該標的區域係定義為由該 EMR源1〇4所發射出的準直EMR所鎖定的區域，其直徑 介於1至1〇〇毫米間，較佳係介於5至2〇毫米間。目前的 二氧化碳雷射系統及Er: YAG雷射系統直徑可與照射區域 直徑相符。位於該遮罩108内的該遮蔽結構2〇2的寬度須 介於50至300微米間。由該遮蔽結構2〇2所形成之該遮罩 13 1292330 108之該孔的寬度須介於1〇至looo微米間， 50至300微米間。遮蔽-暴露比，即由該遮蔽， 遮蔽表面與暴露於該孔下之表面的比例能使其 並提供皮膚處理的副作用。此也決定皮膚熱傷 子與模式。熱傷害深度係由脈衝次數、EMR能 EMR波長所決定。該遮罩108的遮蔽-暴露比 膚處理而有所不同’特別是患者的需求、患者 膚的種類及身體面積。 該遮罩108可在其邊緣具有大的遮蔽_暴屬 膚重現區域邊緣產生一過渡區。此技術系 (feathering)」°其可在治療與非治療區域間提 見大範圍的皮膚處理邊緣。在另一實施例中， 有大的遮蔽-暴露比的遮罩於一傳統皮膚重現 生一過渡區。
該遮罩1 0 8的表面較佳係對一特定皮膚處 該EMR源104所發射出之EMR波長具有一最 類吸收會降低該遮罩1 〇 8之不欲求的加熱作用 上也覆鑛一層金屬材料以降低其對EMR波長S 罩108之該遮蔽結構202的設計，如第3圖中 示，一般基於安全因素的考量，而納入一返射 以避免因EMR所致的意外。該遮蔽結構202係 峰形狀以降低返射回來的EMR的量。此外，藉 108連通至該外殼ι〇1上，玎固定該傳輸透鏡 遮罩108間的距離，藉由讓返射回來的EMR 較佳係介於 结構202所 達臨床效果 害的充填因 量密度、及 會因不同皮 的指示、皮 二比，以於皮 I為「羽狀 供一清晰可 可使用一具 區邊緣以產 理方法中由 低吸收。這 。該遮罩108 I勺吸收。該遮 截面A-A所 回來的EMR 被作成一尖 由將該遮罩 組1 0 6與該 打到該遮罩 14 1292330 1 08的邊緣而降低該返射回來的EMR朝向使用者的機 此外，該遮罩108的微結構可具有—週期性，較佳係 由傳輸透鏡組106所發出之EMR波長範圍間。此設計 散由傳輸透鏡組106所發出之EMR成—高度散射的光 降低與EMR相關的意外發生機率。 在—實施例中，該遮罩108上的金屬鍍層可以是 銀、或銅或其類似物。在另一實施例中該遮罩1〇8 上的微結構可具有一週期性，較佳係介於由傳輸透 106所發出之EMR波長範圍間。 該遮罩108也可具有在EMR照射期間能有效提供 冷卻的設計。皮膚冷卻可提供明顯的麻醉效果，且具 EMR照射所誘發模式相關的其他優點。可在皮膚處理 前將該遮罩108冷卻，在皮膚處理進行間於相繼的 脈衝間噴灑一揮發劑或一預冷液體將該遮罩丨〇 8冷卻 在皮膚處理進行間引入一冷卻的或冷液體進入穿過該 108之微通道302中（如第3圖所示）。將該遮罩1〇8 還有弟二種優點，即可降低該遮罩108吸收EMR的速 因隨著溫度升高，該等金屬吸收EMR的速率也會上升 為提供皮膚冷卻效果，該遮罩108的溫度須介於 至_2 0°C間，較佳係介於10°C至-4°C間。該遮罩108 可保護還可冷卻未受該EMR源1〇4所發射出之EMR 的皮膚表面。除了冷卻及遮蔽部分皮膚表面外，該遮覃 還可容許磨蝕過程中喷出的皮膚碎屑能被排出，因此 干擾後續傳輸的脈衝光束。舉例來說，未受雷射照射 率〇 介於 可擴 束以 金、 表面 鏡組 皮膚 有與 開始 EMR ，或 遮罩 冷卻 .度， 〇 37〇C 不僅 曝照 108 不會 的區 15 1292330 域係受到該遮罩1 〇 8的保護及冷卻，亦即，在該受照射面 積間的皮膚區域係受到該遮罩1 〇 8的保護及冷卻。在另一 實施例中，所有區域（即，照射及未照射區域）均被冷卻並 提供麻醉，並降低受傷區域表皮層的過度傷害。 第3圖繪示第2圖遮罩的Α-Α戴面。該Α-Α截面示出 穿過該遮罩108至少該遮蔽結構202的微通道302。一覆 鍍劑，即，一種液體或一種氣體，可於皮膚處理過程中循 環通過這些微通道3 02，藉以移除受到保護之皮膚及遮罩 1 08上的熱。 第4圖顯示依據本發明一遮罩400的第二例示性實施 例的上視圖。遮罩400與遮罩108不同處在遮蔽結構402 的佈局及設計不同，其他部分則與遮罩1 〇 8幾乎相同。遮 蔽結構4 0 2係為圓錐形’如切掉部分Β - Β及C - C截面所示。 遮罩400内的遮蔽結構402包含微通道502及602，其係 可承載一冷卻液體或氣體以冷卻該遮罩400及標的區域受 該遮罩400所遮蔽的皮膚區域。該微通道502及602在遮 蔽結構402的相交段成正相交。 在本發明一例示性實施例中，該微通道502及602並 不需要在該遮蔽結構402的相交段中成正相交。
在本發明一例示性實施例中，該遮罩1 0 8為一種磨蝕 性遮罩。一磨蝕性遮罩包括具各種厚度的多個段。手術前， 該磨蝕性遮罩係以一種黏劑黏附在皮膚上。在多次EMR 脈衝的手術中，該磨蝕性遮罩係被磨蝕，使得該多個段的 每一者厚度均減少，逐漸暴露出不同區域的皮膚於EMR 16 1292330 下。該磨餘性遮罩可由包括聚合物在内的多種材料所構 成，並可輕易的在其上印上形狀圖案。 一種移除刺青的特定的皮膚處理，詳加說明如下。可 組合一磨触性E M R與該遮罩1 0 8來移除刺青。特別是，二 氧化碳雷射和/或Er : YAG雷射特別適合此種應用。在過 程中，刺青係與可提供標的區域充填因子約1 0 °/〇至9 0 % 間，較佳係約25°/。至70%間，的遮罩108暴露在磨蝕性EMR 下。較佳是，遮罩108係在壓力下覆蓋於皮膚上，以將手 術過程中的血流降至最低。限制手術過程中的血液流動可 容許在血液干擾EMR前對皮虜表面進行較深的磨蝕。可在 刺青範圍内的個別皮膚區域上施加多次磨蝕性EMR脈衝 直到達到欲求的磨#深度。欲求的磨姓深度可介於1 〇 〇微 米至5亳米間。此例示性的過程可使遮罩1 〇 8所控制的刺 青内一特定範圍皮膚被立即加以磨蝕。此可促進傷口癒合 因只有一部分的表面被磨钕。 此種使用部分皮膚重現來移除刺青的技術，可藉由使 用短脈衝EMR進-步強化，其是在施用Μ皮膚重現之前 或之後為刺青顆粒所吸收。名始 在施用短脈衝雷射時，該雷射 係被設定脈衝一短時間，輕祛0 + 平X佳疋每次時間低於1微秒。用 於此類手術的EMR源較伟b 住疋一種Q切換的紅寶石雷射、 一 Nd: YAG雷射、一 KTP雷鉍‘，丄、 /或一亞歷山大（Alexandrite) 雷射。此手術的目的係要耧 ^於刺青區域中未暴露於部 分皮膚重現磨蝕過程的顏料 ^ 。所釋出的顏料顆粒可由磨蝕 通道中排出，或是由手術結束 後4示的區域的血流和/或外來 17 1292330 沖洗液（例如，生理食鹽水）加以沖出。可使用此技術數次 直到達成欲求的刺青清除程度為止。 第7A-7B圖顯示使用遮罩的部分皮膚重現系統的另一 種變化，即，一部分皮膚重現系統7〇〇的第二實施例。該 系統700包括包括一外殼701、一控制模組7〇2、一 EMR 源704、傳輸透鏡組706、一 中繼7〇8和一光可穿 透板709。該外殼701可容納該控制模組7〇2、該Emr源 7 0 4、、該傳輸透鏡組7 0 6及該中繼器7 〇 8。且如同該系統 100，該外殼701側壁上也提供了一孔。該光可穿透板709 係對準該外殼70 1側壁上的該孔可將該内含複雜傳輸機制 (即，該傳輸透鏡組7 0 6及中繼器7 0 8)的系統7 0 0加以密 封。該控制模組702係與該中繼器7〇8及該EMR源704 連通，該該EMR源704係再可操作式的與該傳輸透鏡組 706連通。 在本發明一變化實施例中，該控制模組7 0 2係位於該 外殼701之外。在另一變化中，該EMR源704係位於該外 殼701之外。在另一變化中，該控制模組702與該EMR 源7 04係同時位於該外殼701之外。 該控制模組702提供應用專一設定值至該EMR源7〇4 以控制該X-Y中繼器708。該EMR源7〇4接收到該些設定 值後，以這些設定值為基礎產生EMR。這些設定值可控制 所產生能量的波長、所產生能量的強度、所產生能量的能 量密度、手術時間、手術期間每一施加之EMR脈衝的持續 時間、每一個別照射區域7 1 6(如第8圖）間的空間距離、 18 l29233〇 〜個別照射區域7 1 6的形狀、由每一個別照射區域7 1 6 斤界定的模式、及該標的區域的充填因子。須知每一個別 照射區域7丨6上的皮膚熱傷害可延伸穿過表皮組織7 1 0並 進入真皮組織712 —預定的深度。該EMR源7〇4可為一雷 射或其他光源。如果該EMR源704係位於該傳輸透鏡組 7〇6之外，則由該EMR源704所產生的EMR可經由一光 纖、波導、或透鏡傳輸。或者，如果該EMR源7 04係位於 皮膚附近，則該EMR源704可直接產生EMR至該傳輸透 讀1組7〇6上。由該EMR源704所產生的能量可被該傳輸透 見4 7〇6中的聚焦透鏡加以聚焦和或導引至每一個別照射 區域71 6之一者上，如第8圖所示。每一個別照射區域7 1 6 於標的區域之皮膚714中，且相較於該標的區域之皮 膚7 1 4而言，其面積係相當小。該標的區域之皮膚7丨4的 面積一般來說為1平方公分，且每一個別照射區域7丨6直 輕1可以是1 0 0微米。 在本發明一例示性實施例中，該傳輸透鏡組7〇6中的 透鏡可包括一光束準直器或聚焦透鏡。在另一實施例中， 該個別照射區域7 1 6上的皮膚熱傷害可延伸穿過表皮組織 7 1 0並穿過整個真皮組織7 1 2。在本發明另一例+从奋a W不性實施例 中，該個別照射區域7 1 6上的皮膚熱傷害可本|1丄 土要發生在真 皮組織7 1 2並僅在表皮組織7 1 0上造成輕微復企 ^ &場¥。須知每 一個別照射區域7 1 6微面積的彼此穿透深度可 J月b不同或可 能相同。此係因色素的移除或真皮的移除可鞋丄& ^ 错由改變每一 微傷害區域的密度來單獨調控其深度或表泡似A + 间微傷害，亦 19 1292330 即，分別調控其真皮重建及色素調整。 在用於皮膚處理之前，類似系統100之第7A圖所示 的系統，即系統700 ,可由一使用者自行設置。舉例來說， 使用者可與該控制模組702介面以指定對一特定操作有用 的設定值。使用者也可指定欲求的傷害模式、由該EMR 源704所產生的能量的波長、所產生的能量的強度、所產 生的能量的能量密度、治療時間及該該EMR源7 04之脈衝 時間。在治療期間，中繼器7 0 8移動該傳輸透鏡組7 0 6穿 過該標的區域皮膚7 1 4的後續部份以便治療整個標的區 域。當系統700傳輸EMR至該個別照射區域7 1 6時，該標 的區域即獲得治療。該個別照射區域7 1 6亦可被連續和/ 或平行鎖定。當標的區域的一部分完全治療後’該系統7 〇 〇 係在完成標的區域每一個部分的照射後被移開，直到整個 區域欲求的傷害模式完成為止。該系統7〇0可以不連續移 動的方式自一連續部分移動至下一部分’亦即’頓歩形式 (stamping mode);或是以連續移動的方式穿過皮膚表面， 亦即，連續掃描模式。無論哪一種模式，由該中繼器708 所驅動的該傳輸透鏡組7〇6係由該控制單元702所操控， 並可能符合由糙作者（或使用者）操控的該該系統7 〇 〇的移 動，以提供欲求的表面傷害模式至該標的區域之皮膚714 上。 在本發明一例示性實施例中，該系統7 0 0，雖係以連 續掃描模式運作，可傳輸EMR至一特定個別照射區域7 1 6 上，之後，在此個別照射區域7 1 ό被照射後，則繼續沿著 20 1292330 標的區域皮膚傳輸，之後繼續以非照射方式傳輸EMR至與 前一個別照射區域不同之另一個別照射區域 7 1 6。在本發 明一例示性實施例中，該系統7 0 0，以連續掃描方式操作， 可傳輸EMR至一特定組的個別照射區域7 1 6上，例如上方 排的該個別照射區域71 6 (如第8圖所示），之後，在此個 別照射區域7 1 6被照射後，則繼續傳輸EMR至另一特定組 的個別照射區域 7 1 6上，例如第二排之該個別照射區域 716(如第8圖所示），之後繼續以非照射方式傳輸EMR至 與前一組別照射區域不同之另一組個別照射區域7 1 6。 在本發明一例示性實施例中，該系統7 0 0包括一位置 感應器，其係與該控制模組連通。該位置感應器係可 感應皮膚1 1 4與該外殼7 0 1之間的相對速度。該位置感應 器可以是一種光學滑鼠、滑輪、執跡球、傳統滑鼠等類似 物。 在本發明一例示性實施例中，該系統7 0 0係每次僅鎖 定一個別照射區域7 1 6。每次實施E M R至一個別照射區域 7 1 6。可降低受測者所感受到的疼痛。在每次施用EMR至 一個別照射區域7 1 6時，其間可中斷5 0毫秒。藉由控制每 一受測者所感受到的疼痛量可避免該系統7 0 0大量加熱標 的組織。在本發明另一例示性實施例中’該系統7 0 0 一次 係鎖定一預定數目的個別照射區域7 1 6。限制每次鎖定之 該個別照射區域7 1 6的數目亦可限制受測者所感受到的疼 痛度。一次鎖定一大數目的該個別照射區域7 1 6將需要一 次鎖定大量皮膚標的’因此將會一次激發許多神經末梢’ 21 3〇 導致受測者感受到極大量的疼痛。一次僅鎖定少量該個 別骑射區域7 1 6可使受測者感受到較少的疼痛，但也會使 $術時間變得更長。 在本發明另一例示性實施例中，該系統7 0 0可創造出 〜個別照射區域7 1 6彼此相距至少1 2 5 μ m，至多5 Ο Ο μ m 離的個別照射區域 716，較佳是該相隔距離係約至少 2s〇Um。 在啟動皮膚處理程序後，可使該光透明板709與皮膚 、雨直接接觸以覆蓋該標的區域。該光透明板709可以任 ^良好熱傳導性質的材料製成，且在可見光與近紅外光 長範圍中為透明。該板709可將該内含複雜傳輸機制的 系繞700加以密封，並提供標的區域皮膚7 1 4冷卻效果。 讀扳709可以兩種方式提供該標的區域皮膚714冷卻效 I :熱傳導及熱對流。熱傳導係經由該光透明板709將熱 傳适至該外殼701，該外殼701係可藉由循環一冷煤經該 系统700之該外殼701而提供冷卻。整個該光透明板709 也可在施用至該該標的區域皮膚714之前先加以冷卻。或 者’也可使用熱對流於此技術中。在該光學視窗上喷灑一 揮發劑或在與該光學視窗具良好熱接觸的一組件上喷灑一 揮發劑。該揮發劑係於手術中每一 EMR脈衝間經由一閥施 用，其係可由該光學板上一具有溫度感應器的溫度調節裝 置（thermostate)來控制。 在一實施例中，該EMR源704所發射出的EMR波長 介於400至1 2,000奈米間。較佳是，該EMR波長係具有 22 1292330 、1，85 0 至 2，100
下列範圍波長之一 ：1，3 00至1，6〇〇奈米間 奈米間、2,300至 進行的應用而定，
EMR源704可以是一雷射二極體、
射、一氣體雷射i 100亳秒間，更6 於1 · 5毫秒至5 能量密度介於0.1至 32焦耳/平方公分，更佳是介於15至3焦耳/平方公分。 每一個別照射區域71 ό内的脈衝能量密度可介於i至i 〇 毫焦耳/平方公分，且較佳是5亳焦耳/平方公分。 在本發明一實施例中，該EMR源7〇4為一 1 ·5μιη雷 射系統’較佳是一 r e 1 i a n t F S R原型，由加州帕爾阿圖市 的Reliant科技公司所製造販售。 在皮膚處理完成前，該標的區域皮膚7 1 4係受特定模 式傷害。所施加的EMR可在皮膚714之一表皮71〇及一真 皮7 1 2上創造出一特定皮膚熱傷害。由該E M R源7 0 4所提 供的照射係經由該傳輸透鏡組7 〇 6被傳輸至皮膚7 1 4内的 多個小型個別照射區716上，如第7Β圖所示。該傳輸透 鏡組706可傳送多次個別光束穿過皮膚表面的標的區域。 第8圖顯示表皮上小型個別照射區之上視圖。該個別 照射區7 1 6的形狀可以是圓形（如第8圖所示）、橢圓形、 直線形或最小橫向直徑介於1至5 0 〇微米間的不規則形 23 1292330 狀。該標的區域的充填因子約2 0 -4 0 °/〇。 該系統700可藉由加熱、磨触、移除、光熱凝集、熱 壞死和/或刺激來創造出多個個別照射區域7 1 6。該多個區 域可被依序照射或同時照射。依序照射可藉由掃描或移動 一脈衝式、快門控制式或連續式能量來源而達成。同時照 射可以一陣列的照射源或多陣列透鏡方式達成。該陣列的 照射源可以是一單方向陣列、一雙方向陣列等等。該陣列 可相對皮膚移動，且可在一標的區域進行一或多次治療。 第9圖顯示一依據本發明之監視系統9 0 〇的實施例。 該監視系統900係可追蹤該系統700的任何移動，並將其 所收集到的位置資訊傳送給該控制模組7 0 2。該控制模組 702使用此資訊以恰當的指示中繼器708來定位該傳輸透 鏡組706，以於標的區域皮膚714上達成適當的傷害模式。 該監視系統900可使用一電腦902、一滑鼠904、及一電耦 合裝置（CCD)攝影機906。詳言之，電腦902接收來自該 C C D攝影機9 0 6關於該系統7 0 0的位置資訊。之後，該電 腦即以該資訊更新該控制模組7 0 2中該系統7 0 0的目前位 置。該控制模組7 〇 2使用此資訊使系統7 0 0可於標的區域 皮膚7 1 4上創造出恰當的傷害模式。此外，該監視系統也 可使用額外的動作彳貞知裝置’包括滑輪或任何其他動作感 應器。 該個別照射區域7 1 6的形狀以及所有個別照射區域 7 1 6所代表的相關模式可能會改變。該個別照射區域7 1 6 24 1292330 可具有一圓形、橢圓形、長方形、直線或不規則形狀。未 照射區域每一個別區的平均距離可介於 1 0至 2⑽〇微米 間，且較佳係介於1 〇 〇至5 0 0微米間。該個別照射區域7 1 6 的巨觀模式可以是由標的區域中一群均勻分布的個別照射 區域7 1 6組成，且每一個別照射區域7 1 6間隔一定距離； 或是由標的區域中一群隨機分布的個別照射區域 7 1 6組 成，和/或由間隔一定平均距離但具隨機位置之規則分布的 個別照射區域7 1 6所組成。詳言之’間隔一定平均距離但 具隨機位置之規則分布的個別照射區域7 1 6可能對將不欲 求效果降至最低非常有用，在多次治療期間可能會產生類 似波紋的不欲求效果。這種多次治療係用來在多次治療期 間儘可能均勻覆蓋整個區域。但是，在標的區域以一定間 距均勻分布之個別照射區域7 1 6可創造出不欲求的空間分 布模式，導致在具一明顯空間期的照射區之間產生相隔一 定距離之空間干涉型巨觀模式。為了使該類似波紋模式的 生成機率被減至最低，可在單次掃描期間於個別照射區域 7 1 6間隨機移動1 〇 %至5 0 %的平均距離。 可以具特定表面傷害模式的單次治療覆蓋整個皮膚表 面來進行治療，或以一次求診多次治療或多次求診多次治 療的方式進行治療。可使用個別照射或多次照射在一特定 個別照射區域7 1 6上達成恰當的傷害模式。 部份皮膚重現可使部分表皮受到熱傷害或磨蝕’藉以 降低表皮的阻障功能’特別是降低角質細胞的阻障功能。 25 此可促進藥物或特定物質 果’或降低因破壞部分表 進皮膚重建的藥物或物質 原前驅物、水質酸、維生 礦物質。可降低副作用的 物、非固醇類抗發炎藥物 〇 Μ 劑、抗酵母菌藥物及抗黴菌藥。 1292330 傳輪至真皮或表皮以促進 皮和或真皮所致之副作用 包括生長因子、膠原副產 素、抗氧化物、氨基酸及 樂物或物質包括固醇類抗 、抗氧化物、抗生素、抗 在本發明一實施例中，可使用的維生素包括維 和/或維生素Ε。可用的補充性礦物質為銅及鋅。抗 為維生素C和/或維生素ε。 在臨床觀察中，相較於傳統皮膚重現技術，此旬 膚重現技術可促進傷口癒合。一白人男性前臂皮膚鴒 衝式一氧化碳雷射（a Coherent Ultra Pulse laser， handpiece)照射，該雷射光束直徑約3毫米，能量約 宅焦耳/脈衝。其中一區域係在無遮罩下以雷射光束 另一區域則係以一冷卻的遮罩部分遮蔽。相較於本 份皮膚重現系統，在以傳統皮膚重現技術作用的區 觀察到較明顯的出血。 再治療期間，可自標的區域内一皮膚位置至標的 外皮膚一位置藉由感應皮膚電阻抗來監測標的區域的 因子。一種能將角質層缺陷染色或穿皮水分損失度均 為充填因子的指標。 丄 A “沐如上，但習知技藝人士應 本發明參照實施例已詳述 療效 可促 、膠 充性 炎藥 毒藥 素C 化物 分皮 以脈 CPG 300 射， 明部 ，可 區域 充填 可作 能了 26 1292330 解除所揭示實施例外，本發明尚可作許多等效變化及 換，該等變化及替換仍屬附隨之申請專利範圍的範疇 【圖式簡單說明】 可參照下列附圖及說明，更了解本發明的優點， 第1 A-1 C圖顯示一部分皮膚重現系統的第一例 施例，該重現系統係用來在依據本發明的各種應用 執行各種皮膚處理； 第2圖顯示依據本發明一遮罩的第一例示性實 上視圖； 第3圖為第2圖遮罩的部分截面圖； 第4圖顯示依據本發明一遮罩的第二例示性實 上視圖； 第5圖為第4圖遮罩的部分截面圖； 第6圖顯示第4圖遮罩的另一變化的截面圖； 第7A和7B圖顯示一部分皮膚重現系統的第二 實施例，該重現系統係用來在依據本發明的各種應 來執行各種皮膚處理； 第8圖顯示由第7A和7B圖之部分皮膚重現系 成的小型個別暴露區上視圖；及 第9圖顯示一可監控第7A和7B圖之部分皮膚 統位置的系統。 在圖示中，除非特別指明，否則相同數字及符 所示實施例中相同的特徵、元件、組件或相同部分 等效替 〇 其中： 示性實 階段來 施例的 施例的 例示性 用階段 統所造 重現系 號均指 27 1292330 【元件代表符號簡單說明】 100 ' 700 部分皮膚重現系統 101、 701 外殼 102、 702 控制模組 104、 704 EMR源 106 > 706 傳輸透鏡組 108、 400 遮罩 110、 710 表皮 112 ' 712 真皮 114 皮膚 120 EMR 130 預設的皮膚熱傷害 202、 402 遮蔽結構 502 ' 602 微通道 708 X-Y中繼器 709 光可穿透板 900 監視系統 902 電腦 904 滑鼠 906 一電耦合裝置（CCD)攝影機 28

Claims (1)

1292330 拾、申請專利範圍 1. 一種皮膚處理設備，其至少包含： 至少一元件，其係被設計成可遮蓋至少一部分皮膚 標的區域使不受一電磁輻射源所提供之一電磁輻射的照 射，其中該至少一元件係被設計成可讓衝擊該至少一元 件的一特定量電磁輻射係被反射並朝向該電磁輻射源。 2.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該標的區域係 為皮膚上一預定區域。 件 朝 元並 一 射 少反 至被 該射 中輻 其磁 ’ 電 備的 設擊 之衝 述該 所讓 項可。 1 成向 第計方 圍設的 範被備 利係設 專者該 請一離 申每遠 如之向 4. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一元件 之每一者係被設計成可吸收一最低量的電磁輻射。 5. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該電磁輻射為 一光波。 6. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該電磁輻射源 為一種磨餘性雷射（ablative laser)。 29 1292330 %^月4日修决〉正替換頁 7 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該電磁輻射源 係由一種二氧化碳雷射所產生。 8. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該電磁輻射源 為一種Er : YAG雷射。 9. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一元件 可遮蔽至少〇 · 1 %的標的區域使不受該電磁輻射之照射。 I 〇·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一元件 可遮蔽至多90%的標的區域使不受該電磁輻射之照射。 II ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一元件 可遮蔽至少一部分標的區域以防止該電磁輻射影響該至 少一部分標的區域。 1 2.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一元件 的寬度係至少50微米且至多300微米。 1 3.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一元件 係被設計成可界定出至少一孔。 14.如申請專利範圍第13項所述之設備，其中該至少一孔的 30 1292330 2月/修沒)1替換頁 寬度係至少50微米且至多1000微米。 1 5.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一元件 係冷卻的。 1 6.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一元件 係能被冷卻到至少37°C及至多-20t：。 1 7.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少一元件 包括至少一通道延伸穿過其中。 1 8.如申請專利範圍第1 7項所述之設備，其中該至少一通道 係被設計成能幫助一冷卻劑。 19. 一種提供一電磁輻射至皮膚之一標的區域上的方法，包 含： 控制一電磁輻射源以產生該電磁輻射； 施加該電磁輻射至該標的區域皮膚上；及 遮蔽至少一部分該標的區域皮膚使不受該電磁輻射 的照射。 20.如申請專利範圍第1 9項所述之方法，其中該遮蔽步驟係 以一包含至少一元件的遮罩來執行。 31 1292330
21·如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該至少一元件 係可遮蔽至少 〇 · 1 %的標的區域使不受該電磁輻射之照 射0 22.如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該至少一元件 係可遮蔽至多90%的標的區域使不受該電磁輻射之照射。 23.如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該至少一元件 可遮蔽至少一部分標的區域以防止該電磁輻射影響該至 少一部分標的區域。 24. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該至少一元件 可遮蔽至少一部分標的區域使得該電磁輻射對該至少一 部分標的區域的影響遠較該標的區域的其他區域的影響 來得大。 25. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該至少一元件 的寬度係至少50微米且至多300微米。 26. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該至少一元件 係被設計成可界定出至少一孔。 32
27. 如申請專利範圍第26項所述之方法，其中該至少 寬度係至少50微米且至多1〇〇〇微米。 1292330 28. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該至少 係冷卻的。 29·如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該至少 係能被冷卻到至少3 7 °C及至多-2 〇 。 30·如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該至少 包括至少一通道延伸穿過其中。 31·如申請專利範圍第30項所述之方法，其中該至少 係被設計成能幫助一务卻劑。 3 2.如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該遮罩 計成可反射一定量的該電磁輻射使朝向該電磁輻 33·如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該遮罩 計成可反射該電磁輻射使遠離該電磁輻射源。 34·如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該遮罩 計成可擴散該電磁輻射。 一孔的 一元件 一元件 一元件 一通道 係被設 射源。 係被設 係被設 33 1292330 月f日修(^正替換頁 丨丨_ mi I-一鴨咖.·一 3 5.如申請專利範圍第1 9項所述之方法，其中該電磁輻射具 有一特定波長。 3 6.如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該遮罩的一表 面具有一微結構其具有一約在該特定波長範圍内的週期 性。 3 7·如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該遮罩係被設 計成可吸收一預定量的該電磁輻射。 3 8.如申請專利範圍第1 9項所述之方法，其中該電磁輻射源 為一種磨钱性雷射。 3 9.如申請專利範圍第1 9項所述之方法，其中該電磁輻射源 係由一種二氧化碳雷射所產生。 40. 如申請專利範圍第1 9項所述之方法，其中該電磁輻射源 為一種Er : YAG雷射。 41. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其更包含以下步驟： 控制一進一步的電磁輻射源以產生一更進一步的電 磁輻射；及 34 1292330 jf薄('腐則峨轉榛 ~， 」 施加該進一步的電磁輕射至該標的區域皮膚上。 42. 如申請專利範圍第41項所述之方法，其中該進一步的電 磁輻射源係與該電磁輻射源幾乎相同。 43. 如申請專利範圍第41項所述之方法，其中該進一步的電 磁輻射源係與該電磁輻射源不同。 44. 如申請專利範圍第41項所述之方法，其中該進一步的電 磁輻射源係為以下之一：一 Q切換的紅寶石雷射U Q-switched ruby laser)、一 Nd : YAG 雷射、一 KTP 雷 射和/或一亞歷山大（Alexandrite)雷射。 4 5.如申請專利範圍第19項所述之方法，其更包含引入一物 質至該標的區域的步驟，其中該物質為下列之一：生長 因子、膠原副產物、膠原前驅物、水質酸、維生素、抗 氧化物、氨基酸及補充性礦物質。 4 6. —種可治療皮膚狀況的設備，包含： 一傳輸模組，其被設計成可導引由一電磁輻射源所 產生的一電磁輻射至一皮膚標的區域；及 包括至少一元件的一遮罩，其係被設計成可遮蓋至 少一部分皮膚標的區域使不受該電磁輻射的照射。 35 1292330 f :#(更)正替換頁 47. 如申請專利範圍第46項所述之設備，其中該至少一元件 係被設計成可反射一定量的該電磁輻射使朝向該電磁 輻射源。 48. 如申請專利範圍第46項所述之設備，其中該至少一元件 之每一者係被設計成可反射該電磁輻射使遠離該電磁輻 射源。 49. 如申請專利範圍第46項所述之設備，其中該至少一元件 之每一者係被設計成可擴散該電磁輻射。 50. 如申請專利範圍第46項所述之設備.，其中該電磁輻射具 有一特定波長。 5 1.如申請專利範圍第50項所述之設備，其中該至少一元件 之每一者係包括一微結構其具有一在該特定波長範圍内 的週期性。 52.如申請專利範圍第46項所述之設備，其中該至少一元件 之每一者係被設計成可吸收一最低量的該電磁輻射。 5 3.如申請專利範圍第46項所述之設備，其中該電磁輻射源 36 1292330 為一種磨蝕性雷射。 5 4.如申請專利範圍第46項所述之設備，其中該電磁輻射源 係由一種二氧化碳雷射所產生。 5 5.如申請專利範圍第46項所述之設備，其中該電磁輻射源 為一種Er : YAG雷射。 5 6.如申請專利範圍第46項所述之設備，其中該至少一元件 可遮蔽至少〇 · 1 %的標的區域使不受該電磁輻射之照射。 5 7.如申請專利範圍第46項所述之設備，其中該至少一元件 可遮蔽至多90%的標的區域使不受該電磁輻射之照射。 5 8.如申請專利範圍第46項所述之設備，其中該至少一元件 可遮蔽至少一部分標的區域以防止該電磁輻射影響該至 少一部分標的區域。 59. 如申請專利範圍第46項所述之設備，其中該至少一元件 可遮蔽至少一部分標的區域以防止該電磁輻射影響該至 少一部分標的區域。 60. 如申請專利範圍第46項所述之設備，其更包含一外殼其 37 1292330 :趣修雾)正麵頁 m wi 11·| ^HUmumii m, mp—|V -Π(-[)
|| |t 丨_ _丨 具有一孔形成於該外殼側壁上，其中該外殼包含該電磁 輻射源及該傳輸模組，且其中該至少一元件係與該孔對 準。 6 1.如申請專利範圍第46項所述之設備，其中該傳輸模組包 括一光束準直器。 62.如申請專利範圍第46項所述之設備，其中該傳輸模組包 括光學組件。 63. —種用來治療皮膚狀況的設備，包含： 一傳輸模組’其被設計成可導引由一電磁輪射源所產 生的電磁輻射至一皮膚標的區域中的一預定區域，其中 該預定區域係位於一相對於該傳輸模組的位置上，且其 中該/電磁輻射係可使該皮膚標的區域中該預定區域内的 表皮組織及真皮組織產生一熱傷害；及 一中繼器，其係能於該傳輸模組中移動，使得該傳輸 模組能鎖定該預定區域中多個空間上相隔一段距離的個 別照射區域。 64. 如申請專利範圍第63項所述之設備，其中該電磁輻射源 為一種磨蝕性雷射。 38 1292330 4课(曰修(更)正替換頁 65.如申請專利範圍第63項所述之設備，其中該電磁輻射源 係為下列之一：一雷射二極體、一光纖雷射、一固態雷 射及一氣體雷射。 6 6.如申請專利範圍第63項所述之設備，其更包含一外殼其 具有一孔形成於該外殼側壁上，其中該外殼含有該電磁 輻射源、該傳輸模組及該中繼器於其中。 67.如申請專利範圍第66項所述之設備’其更包含一透明板 對準該孔，其中該透明板係可將該外殼密封。 6 8.如申請專利範圍第67項所述之設備，其中該電磁輻射具 有一特定波長。 69. 如申請專利範圍第68項所述之設備，其中該透明板可吸 收一定量之該特定波長的電磁輻射。 70. 如申請專利範圍第67項所述之設備，其中該透明板係冷 卻的，以提供該皮膚標的區域麻醉效果。 7 1.如申請專利範圍第67項所述之設備，其中該透明板係能 被冷卻到至少37°C及至多-20°C。 39 1292330 泮㈣而修漩)正替換頁 72.如申請專利範圍第63項所述之設備，其中該傳輸模組包 括一光束準直器。 73.如申請專利範圍第63項所述之設備，其中該傳輸模組包 括光學組件。 74. 如申請專利範圍第63項所述之設備，其中該多個空間上 相隔一段距離的個別照射區域中的皮膚真皮組織係被往 下傷害至其之一預定深度。 75. 如申請專利範圍第63項所述之設備，其中該多個空間上 相隔一段距離的個別照射區域係覆蓋至少5 %的標的區域 及至多60%的標的區域。 76. 如申請專利範圍第63項所述之設備，其中該多個空間上 相隔一段距離的個別照射區域之每一者的平均間距係至 少10微米及至多2000微米。 77. 如申請專利範圍第63項所述之設備，其中該多個空間上 相隔一段距離的個別照射區域之每一者的平均直徑約為 0.1毫米。 7 8.如申請專利範圍第63項所述之設備，其中該多個空間上 40 1292330
相隔一段距離的個別照射區域之每一者具有一橫 其最小為至少1微米，至多為500微米。 79. 如申請專利範圍第63項所述之設備，其更包含一 板位於該傳輸模組與該皮膚標的區域之間。 80. 如申請專利範圍第79項所述之設備，其中該光透 冷卻的。 8 1.如申請專利範圍第79項所述之設備，其中該光透 被冷卻到至少37°C且至多-20°C。 8 2.如申請專利範圍第63項所述之設備，其中該多個 相隔一段距離的個別照射區域之一第一者係與該 間上相隔一段距離的個別照射區域之一第二者彼 開來的。 8 3.如申請專利範圍第82項所述之設備，其中該多個 相隔一段距離的個別照射區域之一第一者係以一 皮膚段而與該多個空間上相隔一段距離的個別照 之一第二者彼此相隔開來。 84.如申請專利範圍第63項所述之設備，其中該多個 向直徑 光透明 明板係 明板係 空間上 多個空 此相隔 空間上 未照射 射區域 空間上 41 1292330 月凌vj6正香換頁 相隔一段距離的個別照射區域之第一者係被以一第一組 參數相關的電磁輻射照射，且該多個空間上相隔一段距 離的個別照射區域之第二者係被以一第二組參數相關的 電磁輻射照射。 85 ·如申請專利範圍第63項所述之設備，其中該個別照射區 域中之至少兩個區域係以^一未受影響區蜂而彼此相隔開 來。 8 6.如申請專利範圍第85項所述之設備，其中該至少兩個個 別照射區域係以至少約1 2 5微米彼此相隔開來。 8 7.如申請專利範圍第85項所述之設備，其中該至少兩個個 別照射區域係以至多約500微米彼此相隔開來。 8 8.如申請專利範圍第63項所述之設備，其中位於一平方公 分區域上之至少一百個該個別照射區域之一者係以一未 受影響區域而與至少一百個該個別照射區域之另一者彼 此相隔開來。 89.如申請專利範圍第63項所述之設備，其中位於一平方公 分區域上之至少一千個該個別照射區域之一者係以一未 受影響區域而與至少一千個該個別照射區域之另一者彼 42 1292330 ㈣日修爹}正替換i 此相隔開來。 90. —種提供第一及第二電磁輻射至皮膚一標的區域上的方 法，包含以下步驟： (a) 控制一電磁輻射源以產生該第一及第二電磁輻射； (b) 施加該第一電磁輻射至該皮膚標的區域中多個空 間上相隔一段距離的個別照射區域之第一個別照 射區域，其中該第一個別照射區域中的表皮組織及 真皮組織係受到熱傷害；及 (c) 施加該第二電磁輻射至該皮膚標的區域中多個空 間上相隔一段距離的個別照射區域之第二個別照 射區域，其中該第二個別照射區域中的表皮組織及 真皮組織係受到熱傷害，且其中該第一電磁輻射係 與該第二電磁輻射相同或不同，且其中該第一及第 二個別照射區域係以一未受影響皮膚區域而彼此 相隔。 9 1.如申請專利範圍第90項所述之方法，其中該標的區域的 表面積約1平方公分。 92.如申請專利範圍第90項所述之方法，其中該電磁輻射源 為一種磨蝕性雷射。 43 1292330
93.如申請專利範圍第90項所述之方法，其中該電磁輻射源 係為下列之一：一雷射二極體、一光纖雷射、一固態雷 射擊一氣體雷射。 94.如申請專利範圍第90項所述之方法，其中該多個空間上 相隔一段距離的個別照射區域之真皮組織係被往下傷害 至一預定深度。 95 ·如申請專利範圍第90項所述之方法，其中該多個空間上 相隔一段距離的個別照射區域係可覆蓋至少 20%的標的 區域及至多40%的標的區域。 96. 如申請專利範圍第90項所述之方法，其中該多個空間上 相隔一段距離的個別照射區域之每一者的平均間距係至 少約10微米且至多約2000微米。 97. 如申請專利範圍第90項所述之方法，其中該多個空間上 相隔一段距離的個別照射區域之每一者的直徑約 〇 · 1毫 米。 98.如申請專利範圍第90項所述之方法，其中該多個空間上 相隔一段距離的個別照射區域之每一者具有一橫向直徑 最少為至少約1微米，至多約為500微米。 44 1292330 順修勢正替翻j 99. 如申請專利範圍第90項所述之方法，其更包含以下步驟： (d) 將一光透明板對準該標的區域。 100. 如申請專利範圍第99項所述之方法，其中該光透明 板係冷卻的。 101. 如申請專利範圍第99項所述之方法，其中該光透明 板係被冷卻到至少37°C且至多-20°C。 102. 如申請專利範圍第90項所述之方法，其中該第一個 別照射區域係與該第二個別照射區域彼此相隔開來的。 103. 如申請專利範圍第90項所述之方法，其中該第一個 別照射區域係以一未照射皮膚段而與該第二個別照射區 域彼此相隔開來。 104. 如申請專利範圍第90項所述之方法，其中該第一電 磁輻射係與一第一組參數相關，且其中該第二電磁輻射 係與一第二組參數相關。 105. 如申請專利範圍第90項所述之方法，其中至少兩個 該個別照射區域係以一未受影響區域彼此相隔開來。 45 1292330 修嗔)正替雜頁 106. 如申請專利範圍第105項所述之方法，其中至少兩個 該個別照射區域係以至少約1 25微米彼此相隔開來。 107. 如申請專利範圍第105項所述之方法，其中至少兩個 該個別照射區域係以至多約500微米彼此相隔開來。 108. 如申請專利範圍第90項所述之方法，其中位於一平 方公分區域之至少一百個該個別照射區域之一者係以一 未受影響區域而與至少一百個該個別照射區域之另一者 彼此相隔開來。 109. 如申請專利範圍第90項所述之方法，其中位於一平 方公分區域上之至少一千個該個別照射區域之一者係以 ——未受影響區域而與至少一千個該個別照射區域之另一 者彼此相隔開來。 110. —種可用於治療皮膚狀況的設備，其至少包含： 一第一配置，其係可於該配置中提供至少一電磁輻 射，該電磁輻射係被設計成可用於一解剖結構（an anatomical structure)之一標的區域中； 一第二配置，其係可導引該至少一電磁輻射之至少一 第一電磁輻射至該標的區域的一第一位置，及該至少一 46 1292330 %佟欢1 一: ..... . 電磁輻射之至少一第二電磁輻射至該標的區域的一第二 位置； 其中該第一及第二位置彼此相距至少1 0微米到至多 2毫米的距離。 111. 如申請專利範圍第11 〇項所述之設備，更包含： 一第三配置，其係可幫助取得介於該標的區域及該第 一配置間之一相對速度的資訊，其中該速度的資訊可為 該第二配置所使用。 112. 如申請專利範圍第11 0項所述之設備，其中該第二配 置更可將該電磁輻射分隔成該至少一第一電磁輻射及該 至少一第二電磁輻射。 47 函聊 农. 第⑺科弘號甎喋E年 > 月修正’
402 502 第4圖 402 502 B-B 第5圖 402-
C-C 第6圖 602 1292330 务正替換頁丨 716 716 716 JDJDJDJDX) ΌΌΟΟΌρρορρWWo 800 第8圖
第9圖
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