TWI284348B - Method for fabricating raised source/drain of semiconductor device - Google Patents
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Description
1284348 _案號 91114489_年月日__ 五、發明說明(1) 本發明是有關於一種半導體元件的製造方法,且特別 是有關於一種半導體元件之抬昇源極/汲極的製造方法。 金氧半導體元件(MOS)除了具備閘氧化層以及閘極結 構之外,在閘極結構兩旁的基底中更包括具備有電性與矽 基底相反的半導體區,其稱為源極/汲極。在超大型積體 電路(VLSI)的領域裡,金氧半導體元件的應用相當廣泛, 舉凡邏輯電路以及記憶體元件等等,金氧半導體元件都是 不可或缺的一種半導體元件。 第1 A圖至第1 C圖所示,其繪示為習知一種半導體元件 的製造流程剖面示意圖。 請參照第1 A圖,首先提供一基底1 0 0,接著於基底1 0 0 上形成一薄氧化層1 〇 2以及一多晶矽層1 0 4。 繼之,請參照第1 B圖,圖案化多晶矽層1 0 4以及薄氧 化層1 0 2以形成一閘極導電層1 0 4 a以及一閘氧化層1 0 2 a。 之後,以閘極導電層1 0 4 a為一植入罩幕進行一離子植入步 驟,以在閘極導電層1 0 4 a兩側之基底1 0 0中形成一輕摻雜 汲極(L D D ) 1 0 8。 之後,請參照第1 C圖,在閘極導電層1 0 4 a之兩側形成 一間隙壁1 1 0。接著,以間隙壁1 1 0為一離子植入罩幕進行 一離子植入步驟,以在間隙壁1 1 0兩側之基底1 0 0中形成一 源極/汲極1 1 2。 然而,當元件之尺寸隨著積體電路積集度之提高而逐 漸縮小之後,半導體元件之源極/汲極的尺寸亦必須隨之 縮小。然而,源極/汲極尺寸的縮小會造成其阻值之上 升,使得元件之電流變小而導致過高的負載(0 v e r
9167twfl.ptd 第5頁 1284348 ___案號91114489_年月日__ 五、發明說明(2)
Loading)。倘若利用增加源極/汲極的接面深度(J unc t i on D e p t h ),以解決源極/汲極阻值提高之問題,不但會衍生 短通道效應(Short Channel Effect),還容易產生接面漏 電(Junction Leakage)等問題。倘若是利用高濃度之摻雜 來製作淺接面的源極/汲極,以避免因接面過深而引起的 短通道效應以及接面漏電等問題,則又會因固態溶解度之 限制,而無法克服源極/汲極負載過高的問題。此外,在 習知方法中,更有利用縮小間隙壁並形成淺接面之源極/ 沒極的方式以解決短通道效應,但是此種方法卻容易使淺 接面源極/汲極上之金屬矽化物層產生無法接受的接面漏 電。 因此,本發明的目的就是在提供一種半導體元件之抬 昇源極/汲極的製造方法,以降低源極/汲極之電阻值。 本發明的另一目的是提供一種半導體元件之抬昇源極 /汲極的製造方法,以使源極/汲極之接面能作淺,進而避 免產生短通道效應及接面漏電等問題。 本發明提出一種半導體元件之抬昇源極/汲極的製造 方法’此方法係首先在一基底上形成一閘極結構’其中閘 極結構包括一閘氧化層以及一閘極導電層。接著,進行一 低能量離子植入步驟以在閘極結構兩側之基底中形成一淺 接面源極/汲極。其中,此低能量離子植入步驟之植入能 量例如是2〜3 KeV。之後,在閘極結構之側壁形成一間隙 壁。繼之,在閘極結構與淺接面源極/汲極上形成一矽化 鍺(S i i_xG ex)抬昇層(Elevated Layer),其中形成於源極/ 沒極上之矽化鍺抬昇層係為元件之抬昇源極/汲極。而形
9167twfl.ptd 第6頁 1284348 _案號 91114489_年月日_iMz__ 五、發明說明(3) 成矽化鍺抬昇層之方法係利用一快速熱製程化學氣相沈積 法(RT C V D ),且此快速熱製程化學氣相沈積法之一反應氣 體係為3丨2116/〇6114之混合氣體或3丨112(:12/〇6114之混合氣體。 接著,進行一離子植入步驟以於矽化鍺抬昇層中植入P型 雜質或N型雜質。並且利用一快速熱製程以對摻有雜質之 矽化鍺抬昇層進行一回火製程。之後,在矽化鍺抬昇層上 形成一金屬矽化物,藉以降低元件之電阻值。 本發明提出一種半導體元件之抬昇源極/汲極的製造 方法,此方法係首先在一基底上形成一閘極結構,其中閘 極結構包括一閘氧化層以及一閘極導電層,且此閘極結構 之頂部更形成有一頂蓋層。接著,進行一低能量離子植入 步驟以在閘極結構兩側之基底中形成一淺接面源極/汲 極。其中,此低能量離子植入步驟之植入能量例如是2〜3 KeV。之後,在閘極結構之側壁形成一間隙壁。繼之,在 淺接面源極/汲極上形成一矽化鍺源極/汲極抬昇層。其 中,形成矽化鍺源極/汲極抬昇層之方法係利用一快速熱 製程化學氣相沈積法,且此快速熱製程化學氣相沈積法之 一反應氣體係為Si2H6/GeH4之混合氣體或SiH2Cl2/GeH4之混 合氣體。接著,進行一離子植入步驟以於矽化鍺源極/汲 極抬昇層中植入P型雜質或N型雜質。並且利用一快速熱製 程以對摻有雜質之矽化鍺源極/汲極抬昇層進行一回火製 程。之後,在石夕化錯源極/沒極抬昇層上形成一金屬石夕化 物,藉以降低元件之電阻值。除此之外,本發明亦可以先 將閘極結構頂部之頂蓋層移除之後,再同時於閘極結構與 石夕化鍺源極/沒極抬昇層上形成金屬石夕化物層。
9167twfl.ptd 第7頁 1284348 _案號91114489_年月日_iMz_ 五、發明說明(4) 由於本發明在淺接面源極/汲極上形成一矽化鍺源極/ 汲極抬昇層,因此可有效降低源極/汲極之電阻值。 由於本發明之矽化鍺源極/汲極抬昇層可降低源極/汲 極之電阻值,因此源極/汲極之接面可以做淺’以避免短 通道效應以及接面漏電等問題。 本發明之半導體元件之抬昇源極/汲極的製造方法, 可有效提高源極/沒極接面接觸 (Junction Contact)之可 靠度(Reliability),進而提高整個元件之可靠度。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂,下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作詳 細說明如下: 圖式之標示說明: 100、2 0 0 ' 3 0 0 :基底 102、202、302 :薄氧化層 104、204、304 :多晶矽層 102a、202a、302a :閘氧化層 1 0 4 a、2 0 4 a、3 0 4 a :閘極導電層 1 0 8 ··輕摻雜沒極 1 1 0、2 1 0、3 1 0 :間隙壁 1 1 2、2 0 8、3 0 8 :源極 / 汲極 212、312 :源極/汲極抬昇層 214、314 :離子植入步驟 216、316 :金屬矽化物層 305、305a :頂蓋層 第一實施例
9167twfl.ptd 第8頁 1284348 _案號 91114489_年月日__ 五、發明說明(5) 第2 A圖至第2 F圖,其繪示為依照本發明一較佳實施例 之半導體元件之抬昇源極/汲極的製造方法之流程剖面示 意圖。 請參照第2 A圖’首先在一基底2 0 0上形成一薄氧化層 202以及一導電層204。其中,導電層204之材質例如是多 晶矽或是其他適用於作為閘極導電層之材質。 之後,請參照第2 B圖,以一微影蝕刻製程圖案化導電 層2 0 4以及薄氧化層2 0 2,以形成一閘極導電層2 0 4 a以及一 閘氧化層2 0 2 a,而構成一閘極結構。之後,以閘極結構為 一植入罩幕進行一低能量離子植入步驟,以在閘極結構兩 側之基底2 0 0中形成一淺接面源極/汲極2 0 8。其中,此低 能量離子植入步驟之一植入能量例如是2〜3 K e V,且對 P-MOSFET元件而言,於淺接面源極/汲極2 0 8中所植入之離 子例如是硼或BF2+離子,而對N-MOSFET元件而言,於淺接 面源極/汲極2 0 8中所植入之離子例如是填或珅離子。 然後,請參照第2 C圖,在閘極結構之側壁形成一間隙 壁2 1 0。其中,間隙壁2 1 0例如是以一低壓化學氣相沈積法 (LPCVD)以及一非等向蝕刻製程所形成。意即形成間隙壁 2 1 0之方法係首先於基底2 0 0上以低壓化學氣相沈積法形成 一共形介電層,覆蓋住閘極結構,之後再利用非等向蝕刻 製程回蝕刻此共形介電層,而形成間隙壁2 1 0。在此,間 隙壁2 1 0之材質例如是氮化矽或氧化矽。 繼之,請參照第2 D圖,在閘極導電層2 0 4 a與淺接面源 極/汲極2 0 8上形成一矽化鍺抬昇層2 1 2,藉以降低閘極導 電層2 0 4a與源極/汲極2 0 8之電阻值。其中,形成於源極/
9167twfl.ptd 第9頁 1284348
五、發明說明(6) -—--- 沒極2 0 8上夕放p曰 層。而矽化錯:Λ;文 係為元件之源極/汲極抬昇 形成石夕化錯:昇口:2曰12 ^ 如是2 0 0埃至500埃,且 學氣相沈積i(RTaCVD) 311 ί是利用—快速熱製程化 g處片法(RTCVD) ’此快速熱製程化學氣相嗦穑法之 一反應虱體例如為Si2H6/GeH 予孔相沈積法之 混合氣體。此外,推y 士拖口 或SiH2Ci2/GeH4之 度例如是攝氏5 0 0产/ # 、、^、、製程化學氣相沈積法之溫 2辦民bUO度左右,且其壓力例 接者,請參照第2E圖,進行一離+始為1〜20 Torr。 於矽化鍺枱昇層212中摻雜p型離子或1^入步驟214,以 用一快速熱製程以對摻有雜質之矽^鍺^子。之後,利 回火步驟,以使矽化鍺抬昇層2丨2中 D外層2 1 2進行一 雜輪廓(Doping Profi le)。 雕子形成所需之摻 在此,特別值得一提的是,在碎 植入之雜質,特別是硼離子, 匕鍺枱昇層212中所 昇層212中,而不會因後續埶置(Hold)在矽化鍺抬 内。另外,由於矽彳b锘9 1 «Γ、、、^私而.擴政至其他的層膜 卜由於夕化錯2 12之電阻值較半邋栌石々其庇9nn夕 電阻值更低,且藉由調整矽化錯212 導體夕基底200之 其能帶間隙進而降低其電阻值。因此,鍺^的濃度還可減少 件之源極/汲極2 0 8之接面深产可以作气本發明之半導體元 應以及接面漏電之問題,進2 2,以避免短通道效 至是整個元件之可靠度。進而^问接面接觸之可靠度,甚 之後,請參照第2F圖,名闡炻邕带 極/ i極2 0 8上方之a α在閘極導電層2 0 4a與淺接面源 極/及極zus上方之石夕化鍺抬昇層212上 層2 1 6,藉以降低元件之電阻值。里中乂成一金屬矽化物 層216之方法例如先於基底,形成金屬砍化物 土抵2〇〇上形成一金屬層,之後再進
9167twfl.ptd 第10頁 1284348 _案號 91114489_年月日_iMz_-_ 五、發明說明(7) 行一熱製程,以使金屬層與矽反應而形成自行準金屬矽化 物層,然後再將未反應之金屬層移除。在本實施例中’金 屬矽化物層216之材質例如是矽化鈷(CoS ix)或是矽化鎳 (NiSix)。 第二實施例 第3 A圖至第3 G圖,其繪示為依照本發明另一較佳實施 例之半導體元件之抬昇源極/汲極的製造方法之流程剖面 示意圖。 請參照第3 A圖,首先在一基底3 0 0上形成一薄氧化層 302、一導電層304以及一頂蓋層305。其中,導電層304之 材質例如是多晶矽或是其適用於作為閘極導電層之材質, 而頂蓋層3 0 5之材質例如是TE0S。 之後,請參照第3 B圖,以一微影蝕刻製程圖案化頂蓋 層305、導電層304以及薄氧化層302,以形成一圖案化之 頂蓋層3 0 5 a、一閘極導電層3 0 4 a以及一閘氧化層3 0 2 a,而 構成一閘極結構。之後,以閘極結構為一植入罩幕進行一 低能量離子植入步驟,以在閘極結構兩側之基底3 0 0中形 成一淺接面源極/沒極3 0 8。其中,此低能量離子植入步驟 之一植入能量例如是2〜3 KeV,且對P-M0SFET元件而言, 於淺接面源極/汲極3 0 8中所植入之離子例如是硼或BF2+離 子,而對N - Μ 0 S F E T元件而言,於淺接面源極/汲極3 0 8中所 植入之離子例如是填或坤離子。 然後,請參照第3 C圖,在閘極結構之側壁形成一間隙 壁3 1 0。其中,間隙壁3 1 0例如是以一低壓化學氣相沈積法 以及一非等向蝕刻製程所形成。意即形成間隙壁3 1 0之方
9167twfl.ptd 第11頁 1284348 _案號91114489_年月日_修正 _ 五、發明說明(8) 法係首先於基底3 0 0上以低壓化學氣相沈積法形成一共形 介電層,覆蓋住頂蓋層3 0 5 a,之後再利用非等向蝕刻製程 回蝕刻此共形介電層,而形成間隙壁3 1 0。在此,間隙壁 3 1 0之材質例如是氮化矽或氧化矽。 繼之,請參照第3 D圖,在源極/汲極3 0 8上形成一矽化 鍺源極/汲極抬昇層3 1 2,藉以降低源極/汲極3 0 8之電阻 值。其中,矽化鍺源極/汲極抬昇層3 1 2之厚度例如是2 0 0 埃至5 0 0埃,且形成矽化鍺源極/汲極抬昇層3 1 2之方法例 如是利用一快速熱製程化學氣相沈積法,此快速熱製程化 學氣相沈積法之一反應氣體係為Si2H6/GeH4之混合氣體或 SiH2Cl2/GeH4之混合氣體。此外,進行此快速熱製程化學氣 相沈積法之溫度例如是攝氏5 0 0度左右,且其壓力例如為1 〜2 0 Torr 〇 接著,請參照第3 E圖,進行一離子植入步驟3 1 4,以 於矽化鍺源極/汲極抬昇層312中摻雜P型離子或N型離子。 之後,利用一快速熱製程以對摻有雜質之矽化鍺源極/汲 極抬昇層3 1 2進行一回火步驟,以使矽化鍺源極/汲極抬昇 層312中之離子形成所需之摻雜輪廓。 在此,特別值得一提的是,在碎化鍺源極/沒極抬昇 層3 1 2中所植入之雜質,特別是硼離子,可被留置在矽化 鍺源極/汲極抬昇層3 1 2中,而不會因後續熱製程而擴散至 其他的層膜内。另外,由於矽化鍺312之電阻值較半導體 矽基底300之電阻值更低,且藉由調整矽化鍺312之鍺的濃 度還可減少其能帶間隙進而降低其電阻值。因此,本發明 之源極/汲極3 0 8之接面深度可以作淺,以避免短通道效應
9167twfl.ptd 第12頁 1284348 _案號91114489_年月日_iMi_ 五、發明說明(9) 以及接面漏電之問題,進而提高接面接觸之可靠度,甚至 是整個元件之可靠度。 之後,請參照第3 F圖,在矽化鍺源極/汲極抬昇層3 1 2 上形成一金屬矽化物層3 1 6,藉以再降低元件之電阻值。 在本實施例中,倘若間隙壁3 1 0是使用氮化矽材質,則可 先將頂蓋層305a移除之後,再同時於閘極導電層304a以及 石夕化鍺源極/沒極抬昇層3 1 2上形成一金屬石夕化物層3 1 6 (如 第3G圖所示)。而形成金屬矽化物層316之方法例如先於基 底300上形成一金屬層,之後再進行一熱製程,以使金屬 層與矽反應而形成自行準金屬矽化物層,然後再將未反應 之金屬層移除。在本實施例中,金屬矽化物層3 1 6之材質 例如是石夕化鈷(C 〇 S i X )或是石夕化鎳(N i S i x )。 綜合以上所述,本發明具有下列優點: 1.本發明之半導體元件之抬昇源極/汲極的製造方 法,由於其在淺接面源極/汲極上形成一矽化鍺源極/汲極 抬昇層,因此可有效降低源極/汲極之電阻值。 2 ·本發明之半導體元件之抬昇源極/汲極的製造方 法,由於矽化鍺源極/汲極抬昇層可降低源極/汲極之電阻 值,因此源極/汲極之接面可以做淺,以避免避免短通道 效應以及接面漏電等問題。 3.本發明之半導體元件之抬昇源極/汲極的製造方 法,可有效提高源極/汲極接面接觸之可靠度,進而提高 整個元件之可靠度。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以 限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神
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9167twfl.ptd 第14頁 1284348 _案號91114489_年月日__ 圖式簡單說明 第1 A圖至第1 C圖為習知一種半導體元件的製造流程剖 面示意圖; 第2 A圖至第2 F圖為依照本發明一較佳實施例之半導體 元件之抬昇源極/汲極的製造方法之流程剖面示意圖;以 及 第3 A圖至第3 G圖為依照本發明另一較佳實施例之半導 體元件之抬昇源極/汲極的製造方法之流程剖面示意圖。
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Claims (1)
1284348 _案號91114489_年月曰____ 六、申請專利範圍 1 · 一種半導體元件之抬昇源極/汲極的製造方法,包 括: 在一基底上形成一閘極結構; 在該閘極結構兩側之該基底中形成一淺接面源極/沒 極; 在該閘極結構之側壁形成一間隙壁; 在該閘極結構與該淺接面源極/汲極上形成一矽化鍺 (Si 1-XGeX)抬昇層,其中形成於該源極/汲極表面上之該 矽化鍺抬昇層係為一源極/汲極抬昇層;以及 進行一離子植入步驟以於該矽化鍺抬昇層中摻雜離 子,且植入於該矽化鍺抬昇層中之離子不會擴散至該矽化 錯抬昇層之外。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體元件之抬昇源 極/汲極的製造方法,其中形成該矽化鍺抬昇層之方法包 括一快速熱製程化學氣相沈積法。 3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體元件之抬昇源 極/汲極的製造方法,其中該快速熱製程化學氣相沈積法 之一反應氣體包括Si2H6/GeH4之混合氣體或 SiH2C12/GeH4之混合氣體。 4. 如申請專利範圍第2項所述之半導體元件之抬昇源 極/汲極的製造方法,其中進行該快速熱製程化學氣相沈 積法之溫度係為攝氏500度,且其壓力係為1〜20 Torr。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之半導體元件之抬昇源 極/汲極的製造方法,其中該矽化鍺抬昇層之厚度係為2 0 0
9167twfl.ptd 第16頁 1284348 _案號91114489_年月日__ 六、申請專利範圍 埃至5 0 0埃。 6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體元件之抬昇源 極/汲極的製造方法,其中更包括於該矽化鍺抬昇層上形 成一金屬砍化物層。 7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體元件之抬昇源 極/汲極的製造方法,其中該金屬矽化物層包括一矽化鈷 層(CoSix)或一石夕化鎳層(NiSix)。 8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體元件之抬昇源 極/汲極的製造方法,其中形成該淺接面源極/汲極之一離 子植入能量係為2〜3 KeV。 9. 一種半導體元件之抬昇源極/汲極的製造方法,包 括: 在一基底上形成一閘極結構,其中該閘極結構之頂部 係形成有一頂蓋層; 在該閘極結構兩側之該基底中形成一淺接面源極/汲 極; 在該閘極結構之側壁形成一間隙壁;以及 在該淺接面源極/汲極上形成一矽化鍺源極/汲極抬昇 層;以及 進行一離子植入步驟以於該矽化鍺源極/汲極抬昇層 中掺雜離子,且植入於該矽化鍺源極/汲極抬昇層中之離 子不會擴散至該矽化鍺源極/汲極抬昇層之外。 1 0 .如申請專利範圍第9項所述之半導體元件之抬昇源
9167twfl.ptd 第17頁 1284348 _案號91114489_年月日 絛正_ 六、申請專利範圍 極/汲極的製造方法,其中形成該矽化鍺源極/汲極抬昇層 之方法包括一快速熱製程化學氣相沈積法。 - 1 I如申請專利範圍第1 0項所述之半導體元件之抬昇 源極/汲極的製造方法,其中該快速熱製程化學氣相沈積 法之一反應氣體包括Si2H6/GeH4之混合氣體或 SiH2C12/GeH4之混合氣體。 1 2.如申請專利範圍第1 0項所述之半導體元件之抬昇 源極/汲極的製造方法,其中進行該快速熱製程化學氣相 沈積法之溫度係為攝氏5 0 0度,且其壓力係為1〜2 0 T 〇 r r ° 1 3.如申請專利範圍第9項所述之半導體元件之抬昇源 _ 極/汲極的製造方法,其中該矽化鍺源極/汲極抬昇層之厚 度係為2 0 0埃至5 0 0埃。 1 4.如申請專利範圍第9項所述之半導體元件之抬昇源 極/汲極的製造方法,其中更包括於該矽化鍺源極/汲極抬 昇層上形成一金屬石夕化物層。 1 5.如申請專利範圍第1 4項所述之半導體元件之抬昇 源極/汲極的製造方法,其中該金屬矽化物層包括一矽化 鈷層(CoSix)或一矽化鎳層(NiSix)。 1 6 .如申請專利範圍第9項所述之半導體元件之抬昇源 極/汲極的製造方法,其中形成該淺接面源極/汲極之一離 · 子植入能量係為2〜3 K e V。 1 7.如申請專利範圍第9項所述之半導體元件之抬昇源
9167twfl.ptd 第18頁 1284348 _案號91114489_年月日__ 六、申請專利範圍 極/汲極的製造方法,其中該頂蓋層之材質與該間隙壁之 材質相同。 1 8 · —種半導體元件之抬昇源極/汲極的製造方法,包 括: 在一基底上形成一閘極結構,其中該閘極結構之頂部 係形成有一頂蓋層; 在該閘極結構兩側之該基底中形成一淺接面源極/汲 極; 在該閘極結構之側壁形成一間隙壁; 在該淺接面源極/汲極上形成一矽化鍺源極/汲極抬昇 層; 進行一離子植入步驟以於該矽化鍺源極/汲極抬昇層 中摻雜離子,且植入於該矽化鍺源極/汲極抬昇層中之離 子不會擴散至該矽化鍺源極/汲極抬昇層之外; 移除該頂蓋層,暴露出閘極結構;以及 在該閘極結構上與該矽化鍺源極/汲極抬昇層上形成 一金屬石夕化物層。 1 9.如申請專利範圍第1 8項所述之半導體元件之抬昇 源極/汲極的製造方法,其中形成該矽化鍺源極/汲極抬昇 層之方法包括一快速熱製程化學氣相沈積法。 2 0 .如申請專利範圍第1 9項所述之半導體元件之抬昇 源極/汲極的製造方法,其中該快速熱製程化學氣相沈積 法之一反應氣體包括Si 2H 6/GeH4之混合氣體或 SiH2C12/GeH4之混合氣體。
9167twfl.ptd 第19頁 1284348 _案號91114489_年月日__ 六、申請專利範圍 2 1 ·如申請專利範圍第1 9項所述之半導體元件之抬昇 源極/汲極的製造方法,其中進行該快速熱製程化學氣相 沈積法之溫度係為攝氏500度,且其壓力係為1〜20 Torr ° 2 2 .如申請專利範圍第1 8項所述之半導體元件之抬昇 源極/汲極的製造方法,其中該矽化鍺源極/汲極抬昇層之 厚度係為2 0 0埃至5 0 0埃。 2 3 ·如申請專利範圍第1 8項所述之半導體元件之抬昇 源極/汲極的製造方法,其中該金屬矽化物層包括一矽化 鈷層(CoSix)或一石夕化鎳層(NiSix)。 2 4.如申請專利範圍第1 8項所述之半導體元件之抬昇 源極/汲極的製造方法,其中形成該淺接面源極/汲極之一 離子植入能量係為2〜3 K e V。 2 5.如申請專利範圍第1 8項所述之半導體元件之抬昇 源極/汲極的製造方法,其中該頂蓋層之材質與該間隙壁 之材質不相同。
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