TWI269424B - Electrostatic discharge (ESD) protection apparatus for programmable device - Google Patents

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12 6 9 4 货萍 8 twf· doc/g ; 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種靜電防護裝置，且特別是有關於 一種適用於可程式化元件之靜電防護裝置。 【先前技術】 在許多需要永久程式化的積體電路產品中，常常使用 諸如熔絲修正晶胞(ic fuse trim cell)等可程式化元件，以便 積體電路在完成製造後還可以因應不同應用之需求而進行 • 修正。例如，類比數位轉換器(Analog to Digital converter)、 數位類比轉換器(Digital to Analog converter)、壓控振盪器 (Voltage control Oscillator )的參考電壓資料（reference voltage)或是記錄一些數位電路的參數資料及一次寫入記 • 憶體(one time Program memory)。可程式化元件設計概念在 於確保儲存於其中之資料可以被正確無誤地讀出。因此， 保護可程式化元件而不受靜電放電（Electrostatic Discharge，ESD)所損毁之技術便相形重要。 φ 美國專利公告第US6654304號專利案揭露一般多晶矽 溶絲修正晶胞（poly fuse trim cell)，如圖1所示。多晶矽 k絲F1與電晶體MN0互相串聯於節點1 〇，並且連接於電 源軌線（supply rails) VDD與GND之間。依照控制信號 TRIM (其由一或多個反相器U1與U2所緩衝），電晶體 MN0引導的電流足以燒斷（blow)炫絲F1而變成開回路 (open circuit)。由電晶體MN1所構成之電流源電路12 連接至節點10將依照偏壓電壓VB而提供小電流Π(約為 I26942498twf•岭 2〜5μΑ)。反相器U3使節點1〇的邏輯準位反相並輸出之， 以作為此修正晶胞之輪出其操作中，纽絲Η 未被燒斷時，流、贿絲F1之電流(II)將導致熔絲F1兩端 之間很小的壓降’並使得節點1〇大約等於電壓VDD (高

準位）。因此，反相器U3輸出低邏輯準位作為此修正晶 胞之輸出out。當炫絲F1因控制錢TRIM而被燒斷時， 電流II將下拉節點10之準位到電壓GND (低準位），而 造成輸出OUT為向準位。在此，輸出〇υτ的狀態是藉由 熔絲F1燒斷與否而被程式化。但是，目中賴F1並無受 到防靜電電路的保護，無法避免靜電發生的損壞。 美國專利公告第US6157241號專利案提出另一種典型 的可私式化元件電路，如圖2所示。圖中可程式化熔絲元 件22的一端耦接至焊墊24，另一端直接耦合於接地電壓 線26，因此在發生靜電放電時將报容易遭受損害。通常， 由多晶矽所構成之熔絲可以承受幾個微安培的電流量。然 而，人體模式（Human Body Model)靜電放電（電壓約2kv) 將造成大約1·3安培的電流量，其大於多晶石夕炫絲可以承 受的電流量。當發生靜電放電，則此可程式化熔絲元件22 因無任何靜電防護電路的保護，非常容易受到破壞。 通常藉由電學手段或光學手段來燒斷炫絲。但是，用 來燒斷熔絲的技術所引發的能量會導致用來讀取熔絲狀態 的電路發生過電壓（Electrical Overstress，EOS)與靜電放 電故障。美國專利公告第US6762918號專利案揭露一種容 錯溶絲網路，如圖3所示，其包括溶絲301、接收器電路 I26942498twf-doc/g 302、N型電晶體304與3〇8、P型電晶體3〇6以及控制電 路310與312。熔絲301之兩端分別連接至地電位與N型 電晶體304、308。電晶體304連接至P型電晶體306以及 接收器電路302。若熔絲301未被燒斷，則熔絲301之輸 出端將下拉電晶體304之輸入端到低準位。使電晶體304 導通’則熔絲301將下拉接收器電路302之輸入端，使得 輸出端314形成高準位。若熔絲3〇1被燒斷，則輸出端314 形成低準位。額外的控制電路元件312、31〇、308、306 用來決定與改變熔絲3〇1的狀態。由控制電路310所控制 之電晶體308接地，用以決定熔絲3〇1的狀態。控制電路 312與電晶體306用來上拉接收器電路3〇2之輸入端。 圖3中炫絲網路將會因為過電壓與靜電放電而導致熔 絲狀態讀取失誤。例如，當靜電使N型場效電晶體308產 生二次崩潰時’其與N型場效電晶體304的耦接端會產生 一低電位而造成輸出端輸出準位的錯誤，無法判斷出熔絲 301正確的狀態。 美國專利公告第US6762918號專利案提出另一種熔絲 電路系統，如圖4所示，其改進圖3的缺點。熔絲4〇1 一 端_接至接地端’另一端則耦接至内部網路與兩個靜電防 護元件414、416,其電路對靜電防護能力明顯提升，但其 需用到較大晶片面積，同時也無法防範經由接地端VSS所 產生的靜電對熔絲401所造成的破壞。 美國專利公告第US6469884號專利案提出另一種熔絲 電路系統，如圖5所示，其詳細内容請參照原文。此習知 I269427498twf.d〇c/i 技術主要是發生靜電放電而燒斷熔絲之前，藉由快速切斷 程式化電路而達到保護熔絲之目的。然而，圖5之可程式 化元件501雙端的電性路徑上亦無靜電防護元件加二= 美國專利公告第US6882214號專利案提出另一種炫絲 電路系統，如圖6所示，其詳細内容請參照原文。於圖6 中，金屬熔絲621、供應電阻623與隔絕二極體a]用以 將負載與輸入接腳之過電壓狀態電性隔離。然而，圖6 1 y程式化元件的電性路徑上並沒有靜電防護元件力回口以= 護。 上述先前技術之美國專射在其敎巾有詳 明，本文僅制其在可程式化元件的靜㈣護 為 相關内容請參照原文，不再累述。 ’…、 綜上所述，在積體電路中之可程式化元件（例 很容易因為靜電放電事件而遭受損壞。具有 二 =體電路將會因為沒有靜電放電防護電路而降贴=信 【發明内容】 本發明的目的就是提供一種適用於 電防護裝置，以避免可程式化元件(例如熔:m靜 靜電放電事件而損毀。 、、、’、荨）口龟生 本i月的再-目的是提供一種適用於 達成上述諸目的。 乃貝轭方式以 I2694^^8twf-d〇c/s 本發明的又一目的是提供一種於 靜電防護裝置，更依本發明之精神而提^程式化元件之 達成上述諸目的。 僧柙而楗供再—實施方式以 基於上述及其他目的，本 元;牛之靜電防護裝置，包括第-電路、靜;二::程式 至第-電路之第二端。第二電路接 其中可程式化元件之第 端。篦：r雷败+结 义议土乐一電路之第二 一 弟一端與第二端分別電性連接至可程弋化 路與第三電路而對可程m—電路、第二電 (programming)，及/或获二楚式2疋件進行程式化 及或猎由弟一電路、第-雷改伽楚- ，獲知可程式化元件之程式化結果4;=: 時，靜雷1¾'键辟-h 田^生青f電放電 化元件。° 4供高阻抗而避免靜電流毁損該可程式 電路。第五電路之第-端電二= 化元件之第—端電性連接至第五電路之第二端。靜電防護 件之ΪΓ觀點來看’本發明提出一種適用於可程式化元 _^ ·、，. 3 _包括第五電路、可程式化元件、靜電 pi〜不哪电性建接於第 ^式化元剌⑽結果，其中可程式 Ι26942Ψ8ί^〇〇/§ 端與第二節點。其中，藉由第五電路與第六電路 式化元件進行程式化，及/或藉由第五 、口王 元件之程式化結果。當發生靜電以路= 本發明再提出-種適用於可程式 = 置，包括第八電路、第九防， 第八電二第二護:用元之第-端電性連接至 其中可程式化元件之程式化結果， 咕 而電生連接至第一靜雷防譜罝开 之苐二端。第二靜電防護單元之第一，=防4早兀 化元件之第二端。第九電路之第一端η，可程式 接至第二靜電防護單元之第二端盘第：η:電!^ ==二路而對可程式化元件進行程式化措及/ 結二程式化元件之程式化 Ρ大上萑σσ - '弟淨電防護單元盘第二靜電 := 高阻抗而避免靜電流毀損可程式;匕元；。 經過可程防護單元因為在沿著焊塾至電源系統並 此=4=;:==-抗，因 常讀取與寫入操作中，可以; 易懂，下文彬目的、特徵和優點能更明顯 明如下特舉車父佳貫施例，並配合所附圖式，作詳細說 126942^8twf.d〇c/g 【實施方式】 以下諸實施例將說明本發明靜電放電防護裴置之各種 實施方式，以防止可程式化元件因為靜電放電事件而浐 毀。此靜電放電防護裝置提供適當的高阻抗，藉由降低^ 程式化元件（例如熔絲等）兩端之壓降，以保^可^式 ^件避免a發生靜電放電事㈣機。在正#讀取=入 操作中，可以藉由改變控制電路之狀態而降低靜電防護 元之阻抗。 ° 圖7是依照本發明實施例說明一種適用於可程式化元 件之靜電防護裝置方塊圖。請參照圖7，靜電防護裝置7⑻ 包括第一電路720、靜電防護單元73〇、第二電路74〇、可 ，式化元件750以及第三電路76〇。第_電路之第一端與 第二端分別電性連接於第一節點7〇1與靜電防護單元730 之第一端。第二電路740之第一端與第二端分別電性連接 至靜電防護單元730之第二端與可程式化元件75〇之第一 立而了私式化元件750用以紀錄程式化（pr〇gramming)結 果。第二電路760之第一端與第二端分別電性連接至可程 式化元件750之第二端與第二節點7〇2。其中，藉由第一 電路720、第二電路74〇與/或第三電路76〇而對可程式化 元件750進行程式化，及/或藉由第一電路72〇、第二電路 7^0與/或第三電路76〇而獲知可程式化元件75〇之程式化 ，果。於本實施例中，設計者可以依照需要而於靜電防護 單70 73〇之第二端耦接一組拉升/降電路（pull up/down : ⑽⑽）780。另外，本實施例中將第一節點701與第二節 - 2 7〇=二別電性連接至焊墊（pad) 71〇與電源系統77〇。 设計者可以依照需要而決定電源系 統770為電源電壓 Ί·接地電壓線或其他。一般而言，焊墊彻之設計中通 $ ^配置#電防護元件711，#中靜冑防護元件711麵接 f知塾710(亦即第一節點7〇1)。當發生靜電放電時，藉 f電防護單元730提供高阻抗而降低可程式化元件75〇 之壓降’以保護可程式化元件携避免因發生靜電放 φ 包事件，而讓靜電流毁損可程式化元件75〇。當然，亦可 以經由-般的靜電防護元件711導出靜電流，而減少流經 可程式化元件750之靜電流量。 壯圖10A〜19D是依照本發明分別說明圖7中靜電防護 裝置700之各種實施範例。請參照圖1〇A，本實施例中均 以導線實施第一電路72〇與第三電路76〇，以第一電晶體 ^在此為P型電晶體）1001與第四電路1〇〇2實施靜電防 護單元730，並以熔絲（fuse)實施可程式化元件75〇。藉 •，第二電路74〇而對可程式化元件750進行程式化，即決 定是否燒斷熔絲。或者，藉由第二電路74〇而讀取可程式 化元件750之狀態。熟習此技藝者可以任何手段實現第二 電路740之功能，故不在此贅述第二電路74〇之實施方式。 弟電日日體作為靜電放電防護元件，其閘極連接第四 黾路1002，而其源極與没極則分別連接至焊墊71〇與第一 電路740。 η — 12 ； 於讀取操作期間，藉由第二電路740而感測跨於可程 式化元件750兩端之壓降。若可程式化元件750已被燒斷， 則所感測出之電壓必然不等於電源系統770之準位（例如 接地電壓）。若可程式化元件750未被燒斷，則所感測出 之電壓必然近似於電源系統770之準位。然後，第二電路 740將所感測出之電壓提供給下一級電路，並完成讀取操 作。 、 於「燒斷」操作期間，經由焊墊710提供外部電壓給 鲁 可私式化元件乃〇，而弟四電路1002控制使第一電晶體 1001導通。在此同時，第二電路740亦導通，用以準備進 行寫入操作。第二電路740與第一電晶體1001都提供低阻 抗，使得自焊墊710到電源系統77〇之間形成一 - 徑。此電流流經可程式化元件750而產生熱，因而燒斷^其 連線而使可程式化元件750依預期完成程式化。 在發生靜電放電事件期間，第一電晶體1〇〇1提供高阻 抗給焊墊710到電源系統770之間的電流路徑。因為第一 電日曰體1⑻1疋串聯於该電流路徑中，故其所提供之莴阻广 •將分壓靜電電壓。因此，可以降低靜電放二= 於可程式化凡件75〇之能量，使得該能量低於可程式化元 件750之「燒斷」操作所需電壓。可程式化元件75〇得以 保持其原來之狀態’並保持儲存其中之資料的正確性。 上述第四電路1002可以任何手段實現其功能。例如， 以第了導線實施第四電路1〇〇2,此第一導線之兩端分別連 • 接至第一電晶體1001之閘極與接地電壓線。另外，靜電防 13 12694必伞 8twf.doc/g 護單元730之實施並不限於上述方式。圖10B是依照本發 明說明靜電防護裝置700之另一種實施範例。圖10B相似 於圖10A，其不同之處在於圖1〇B之靜電防護單元73〇中 是以N型電晶體實現第一電晶體1003。第四電路1004可 以任何手段實現其功能。例如，以第一導線實施第四電路 1004,此第一導線之兩端分別連接至第一電晶體1〇〇3之閘 極與電源電壓線。藉由第四電路之控制，於「燒斷」操作 期間使第一電晶體1〇〇3導通，並於發生靜電放電事件期間 使第一電晶體1〇〇3提供高阻抗。 圖11A是依照本發明說明圖7中靜電防護裝置7〇〇之 另種貝施範例。請參照圖11A，本實施例中均以導線實 施第-電路720與第二電路74〇,以第一f晶體（在此為p 型電晶體）ιιοι與第四電路1102實施靜電防護單元73〇， 並以熔絲（fuse)實施可程式化元件75〇。第一電晶體11〇1 作為靜電放電防護元件，其閘極連接第四電路·，而其 源極與汲_分職接至焊墊71()與可程式化元件乃〇。、 =「燒斷」操作㈣，經由料71()提供外部電壓給 ^化元，，’而第四電路UG2控制使第一電晶體 通。在此同時，第三電路料通，用以準備進 ^ 3η三電路76。與第―電日日日體⑽都提供低阻 =到電源系統77。之間形成一細^ 連線而使可料化元件7輕職完成卿 技 126942私就 d〇c/g 藝者可以任何手段實現第三電路之魏，故不在此資 述第三電路760之實施方式。 在發生靜電放電事件期間，第一電晶體11〇1提供高阻 抗給焊墊710到電源系統770之間的電流路徑。因為第— 電曰曰體1101是串聯於该電流路徑中，因此可以降低靜電放 電事件所導致跨於π程式化元件750之能量，使得該能量 低於可权式化元件750之「燒斷」操作所需電壓。可程式 化件750得以保持其原來之狀態，並保持儲存其中之 料的正確性。 〃 、 上述第四電路1102可以任何手段實現其功能。例如， 以第:導線實施第四電路11〇2,此第一導線之兩端分別連 接至第一電晶體1101之閘極與接地電壓線。另外，靜電防 護單元730之實施並不限於上述方式。圖11Β是依照本笋 明說明靜電防護裝置700之另一種實施範例。圖UB相^ 於圖11Α，其不同之處在於圖11Β之靜電防護單元73〇中 是以Ν型電晶體實現第一電晶體11〇3。第四電路丨丨⑽可 以任何手段實現其功能。例如，以第一導線實施第四電路 1104,此第一導線之兩端分別連接至第一電晶體1103之閘 極與電源電壓線。藉由第四電路之控制，於Γ燒斷」操作 期間使第一電晶體1103導通，並於發生靜電放電事件期間 使第一電晶體1103提供高阻抗。 圖12Α是依照本發明說明圖7中靜電防護裝置7〇〇之 另一種實施範例。請參照圖12α，本實施例中均以導線實 施第一電路720與第二電路740，以第一電晶體（在此為Ρ 15 126942498twf.d〇c/g 型電晶體）1201與第四電路1202實施靜電防護單元73〇， 並以熔絲（fuse)實施可程式化元件75〇。第一電晶體12〇1 作為靜電放電防護元件，其閘極連接第四電路1202，而其 源極與汲極則分別連接至焊墊710與可程式化元件750。 一般而言，焊墊710之設計中通常會配置靜電防護元件 711，其中靜電防護元件711耦接至焊墊710 (亦即第一節 點 701) 〇 於「燒斷」操作期間，經由焊墊710提供外部電壓給 可程式化元件750,而第四電路丨2〇2控制使第一電晶體 1201導通。在此同時，第三電路76〇亦導通，用以準備進 行寫入操作。第三電路760與第一電晶體12〇1都提供低阻 杬，使得自焊墊710到電源系統770之間形成一條電流路 徑。此電流流經可程式化元件75〇而產生熱，因而燒斷其 ，線而使可程式化元件750依預期完成程式化。熟習此技 蟄者可以任何手段實現第三電路760之功能，故不在此贅 述第三電路760之實施方式。 、 在發生靜電放電事件期間，第一電晶體1201提供高阻 抗給焊墊710到電源系統770之間的電流路徑。因為第一 電晶體1201是串聯於該電流路徑中，因此可以降低靜電放 電事件所導致跨於邛程式化元件75〇之能量，使得該能量 低於可程式化元件750之「燒斷」操作所需電壓。再者， 亦可以經由一般的靜電防護元件711導出靜電流，而減少 流經可程式化元件750之靜電流量。因此，可程式化元件 I26942498twf.d〇c/g : 75()得以保持其原來之狀態，並保持儲存其中之資料的正 確性。 、 上述第四電路1202可以任何手段實現其功能。例如， 以第一導線實施第四電路1202,此第一導線之兩端分別連 接至第一電晶體1201之閘極與接地電壓線。另外，靜電防 護單元730之實施並不限於上述方式。圖12β是依昭本發 明說明靜電防護裝置700之另-種實施範例。圖12β相^ 於圖12A，其不同之處在於圖12B之靜電防護單元730中 • 是以N型電晶體實現第一電晶體1203。第四電路12〇4可 以任何手段實現其功能。例如，以第一導線實施第四電路 U〇4’此第一導線之兩端分別連接至第一電晶體1203之閘 極與電源電壓線。藉由第四電路之控制，於「燒斷」操作 期間使第一電晶體1203導通，並於發生靜電放電事件期間 使第一電晶體1203提供高阻抗。 ’ 圖13A是依照本發明說明圖7中靜電防護裝置7㈨之 另了種實施範例。請參照圖13A，本實施例中均以導線實 • 施第一電路720與第二電路740,以第一電晶體（在此為p 型電晶體）1301與第四電路13〇2實施靜電防護單元73〇， 並以溶絲（fuse)實施可程式化元件75〇。電晶體13〇1作 為靜電放電防護元件，其閘極連接第四電路13〇2，而其源 極，汲極則分別連接至焊墊71〇與可程式化元件75〇。在 本實施例中更於靜電防護單元73〇《第二端輕接一組拉升 /降電路780。於讀取操作期間，可以藉由第四電路13〇2 % 之4工制而截止弟電晶體1301。此時拉升/降電路780拉 17 126942^98twf.doc/g :升/降靜電防護單元730之第二端之準位，因此避免因第一 電日日體1301截止而使可程式化元件75〇浮接。 於「燒斷」操作期間，經由焊墊710提供外部電壓給 可程式化元件750，而第四電路丨搬控制使第—電晶體 1301導通。在此同時，第三電路76〇亦導通，用以準備進 1寫入操作。第三電路760與第一電晶體13〇1都提供低阻 ，使得自知塾710到電源系統770之間形成一條電流路 控。此電流流經可程式化元件75G喊生熱，因而燒斷其 • 連線而使可程式化元件，依預期完成程式化。熟習此技 藝者可以任何手段實現第三電路·之功能，故不在此贊 述第三電路760之實施方式。 ^在發生靜電放電事件期間，第一電晶體1301提供高阻 抗給焊墊71〇到電源系統77〇之間的電流路徑。因為第一 電曰曰體1301是串聯於該電流路徑中，因此可以降低靜電放 電所導致跨於可程式化元件75〇之能量，使得該能量低於 可权式化元件750之「燒斷」操作所需電壓。因此，可程 • 式化元件750得以保持其原來之狀態，並保持儲存其中之 資料的正確性。 上述第四電路1302可以任何手段實現其功能。例如， 以第=導線實施第四電路1302,此第一導線之兩端分別連 接至第一電晶體1301之閘極與接地電壓線。另外，靜電防 護單元730之實施並不限於上述方式。圖13B是依照本發 明說明靜電防護裝置700之另一種實施範例。圖13β'相^ • 於圖13A，其不同之處在於圖13B之靜電防護單元73〇中 I26942498twf.doc/g ； 疋以N型電晶體實現第一電晶體1303。第四電路1304可 以任何手段實現其功能。例如，以第一導線實施第四電路 1304,此第一導線之兩端分別連接至第一電晶體13〇3之閘 極與電源電壓線。藉由第四電路之控制，於「燒斷」操作 期間使第一電晶體1303導通，並於發生靜電放電事件期間 使第一電晶體1303提供高阻抗。 ’ 圖14A是依照本發明說明圖7中靜電防護裝置7〇〇之 另一種貫施範例。請參照圖14A，本實施例中均以導線實 • 施第一電路720與第二電路740,以第一電晶體（在此為p 型電晶體）1401與第四電路14〇2實施靜電防護單元73〇， 並以熔絲（fuse)實施可程式化元件750。第一電晶體14〇1 作為#電放電防護元件，其閘極連接第四電路，而其 源極與汲極則分別連接至焊墊71〇與可程式化元件75〇了 一般而言，焊墊710之設計中通常會配置靜電防護元件 711，其中靜電防護元件711耦接至焊墊71〇 (亦即第一節 點701 )。在本實施例中更於靜電防護單元73〇之第二端 • 耦接一組拉升/降電路780。於讀取操作期間，可以藉由第 四電路1402之控制而截止第一電晶體14〇1。此時拉升/降 電路7肋拉升/降靜電防護單元73〇之第二端之準位，因此 避免因第一電晶體1401截止而使可程式化元件75()浮接。 於「燒斷」操作期間，經由焊墊71〇提供外部電壓給 可程式化元件750 ,而第四電路14〇2控制使第一電晶體 1401導通。在此同時，第三電路76〇亦導通，用以準備進 • 行寫入操作。第三電路760與第一電晶體14〇1都提供低阻 19 126942^98twf.doc/g : 2 ’使得自焊塾710到電源系、统770之間形成-條電流路 $此電H經可程式化元件75g而產生熱，因而燒斷其 /而使可程式化元件75〇麵期完絲式化。熟 習此技 二者可以任何手段實現第三電路760之功能，故不在此贅 述第三電路760之實施方式。 二在务生靜電放電事件期間，第一電晶體1401提供高阻 抗，：!:干墊710到電源系統77〇之間的電流路徑。因為第一 電晶體1401是串聯於該電流路徑中，因此可以降低靜電放 春電事件所導致跨於可程式化元件75〇之能量，使得該能量 低於可私式化元件750之「燒斷」操作所需電壓。再者， - 亦可以經由一般的靜電防護元件711導出靜電流，而減少 流經可程式化元件75〇之靜電流量。因此，可程式化元件 750得以保持其原來之狀態，並保持儲存其中之資料的正 確性。 上述第四電路1402可以任何手段實現其功能。例如， 以第一導線實施第四電路1402,此第一導線之兩端分別連 _ 接至第一電晶體1401之閘極與接地電壓線。另外，靜電防 ϋ蔓早元730之貫施並不限於上述方式。圖mb是依照本發 明說明靜電防護裝置700之另一種實施範例。圖ΗΒ相似 於圖14Α，其不同之處在於圖14B之靜電防護單元730中 是以Ν型電晶體實現第一電晶體Μ03。第四電路14〇4町 以任何手段實現其功能。例如，以第一導線實施第四電路 1404,此第一導線之兩端分別連接至第一電晶體14〇3之閘 β 極與電源電壓線。藉由第四電路之控制，於「燒斷」操作 12 6 942^98twf.d〇c/g 期間使第一電晶體1403導通，並於發生靜電放電事件期間 使第一電晶體1403提供高阻抗。 圖15A是依照本發明說明圖7中靜電防護裝置7〇〇之 另一貫施範例。請參照圖15A，本實施例中以導線實施第 一電路740 ,以苐一電晶體（在此為p型電晶體）與 第四電路1502實施靜電防護單元73〇，並以熔絲（fuse) 實施可程式化元件750。藉由第一電路720與第三電路76〇 而對可程式化元件750進行程式化，即決定是否燒斷熔 絲。或者，藉由第一電路72〇與第三電路76〇而讀取可程 式化元件750之狀態。熟習此技藝者可以任何手段實現第 一電路720與第三電路76〇之功能，故不在此贅述第一電 路720與第三電路76〇之實施方式。第一電晶體ΐ5〇ι作為 月f電放電防護元件，其閘極連接第四電路15〇2，而其源極 與汲極則分別連接至第一電路72〇與可程式化元件·。

、…於項取操作期間，可以藉由第四電路15〇2之控制而導 通第一電晶體150卜在此同時，第三電路760亦導通，用 以準備進行讀取操作。藉由第一電路72〇而感測跨於可程 式化元件750兩端之壓降。若可程式化元件，已被燒斷， ^所感測出之電壓必然不等於電源系統77〇之準位。若可 t式化70件75G未被燒斷，則所感測出m然近似於 電ίΐί 770之準位。然後，第一電路720將所感測出之 下一級電路（未繪示），並完成讀取操作。 =「燒斷」操作期間，經由焊墊71〇提供外部電壓妗 σ壬工、化兀件750，而第四電路1502控制使第一電晶體 21 I26943^98twf.doc/g :1501導通。在此同時，第—電路72〇與第三電路亦導 用以準備進彳丁寫人操作。第—電路72()、第三電路· 與弟-電晶體15〇1都提供低阻抗，使得自焊塾71〇到電源 系統770之間職-條電流路徑。此電錢經可程式化元 件750而產生熱，因而燒斷其連線而使可程式化元件75〇 依預期完成程式化。 在發生靜電放電事件期間，第一電晶體15〇1提供高阻 抗給焊塾710到電源系統77〇之間的電流路徑。因為第一 _ 電晶體1501是串聯於該電流路徑中，故其所提供之高阻抗 將分壓靜電電壓。因此，可以使靜電放電所導致跨於可程 式化元件75G之能量降低，使得該能量低於可程式化元件 乃0之「燒斷」操作所需電壓。可程式化元件75〇得以保 持其原來之狀態，並保持儲存其中之資料的正確性。 斤上述第四電路1502可以任何手段實現其功能。例如， 以第-導線實施第四電路15G2,此第一導線之兩端分別連 接至弟一電晶體1501之閘極與接地電壓線。另外，靜電防 _ 濩單元73〇之實施並不限於上述方式。圖15B是依照本發 明說明靜電防護裝置700之另一種實施範例。圖15B相似 於圖15A，其不同之處在於圖15B之靜電防護單元730中 疋以N型電晶體貫現弟一電晶體15Q3。第四電路1504可 以任何手段實現其功能。例如，以第一導線實施第四電路 ^504’此第一導線之兩端分別連接至第一電晶體15〇3之閘 極與電源電壓線。藉由第四電路之控制，於r燒斷」操作 22 126942i^98twf.d〇c/g ； 期間使第一電晶體1503導通，並於發生靜電放電事件期間 使第一電晶體1503提供高阻抗。 圖16A是依照本發明說明圖7中靜電防護裝置7〇〇之 另一實施範例。請參照圖16A，本實施例中以導線實施第 二電路740與第三電路760，以第一電晶體（在此為p型 電晶體）1601與第四電路1602實施靜電防護單元73〇，並 以炫絲（fuse)實施可程式化元件75〇。藉由第一電路72〇 而對可程式化元件750進行程式化，即決定是否燒斷熔 • 絲二或者，藉由第一電路720而讀取可程式化元件75〇之 ，態。熟習此技藝者可以任何手段實現第一電路72〇之功 旎，故不在此贅述第一電路72〇之實施方式。第一電晶體 1601作為靜電放電防護元件，其閘極連接第四電路wo〕， • 極與汲極則分別連接至第一電路720與可程式化元 、#於頃取刼作期間，可以藉由第四電路16〇2之控制而導 ，弟:電晶體刪。藉由f—電路喊測跨於可程式 75G兩端之壓降。若可程式化元件已被燒斷， 炉感測出之電壓必然、不等於電源系統77G之準位。若可 雷件75G未被燒斷’騎感測出之電壓必錢似於 之準位。然後，第-電路720將所感測出之 夕卜ΐΐίΐ—級電路（未繪示），並完成讀取操作。另 止第—Φ、殊需求’亦可以藉由第四電路16G2之控制而截 電晶體刪，使得第一電路720感測出可程式化元 23 I26942-498twf*d〇c/g 件75〇被燒斷之資§fi (此時可程式化元件mo未被燒斷） 以輸出給下一級電路。 於「燒斷」操作期間，經由焊墊710提供外部電壓給 可程式化7G件750,而第四電路廳2控制使第—電晶體 1601導通。在此同時’第_電路72〇亦導通，用以準備進 行寫入操作。第-電路72G與第—電晶體·i都提供低阻 抗，使得自焊墊710到電源系统77〇之間形成一條電流路 徑。此電流流經可程式化元件75〇而產生熱，因而燒斷其 • 連線而使可程式化元件750依預期完成程式化。 在發生靜電放電事件期間，第一電晶體16〇1提供高阻 抗給太干墊71〇到電源系統77〇之間的電流路徑。因為第一 包晶體1601是串聯於該電流路徑中，故其所提供之高阻抗 ⑩分壓靜電電壓。因此，可以使靜電放電所導致跨於可程 式化元件750之能量降低，使得該能量低於可程式化元件 750之「燒斷」操作所需電壓。可程式化元件75〇得以保 持其原來之狀態，並保持儲存其中之資料的正確性。 • 上述第四電路1602可以任何手段實現其功能。例如， 以第:導線實施第四電路1602,此第一導線之兩端分別連 接至第一電晶體16〇1之閘極與接地電壓線。另外，靜電防 濩單元730之實施並不限於上述方式。圖16B是依照本發 明說明靜電防護裝置700之另-種實施範例。圖廳相似 ，圖16A，其不同之處在於圖16B之靜電防護單元73〇中 疋以N型電日日體貫現弟一電晶體1603。第四電路1604可 • 以任何手段實現其功能。例如，以第一導線實施第四電路 24 126942^98twf.doc/g 1604,此第一導線之兩端分別連接至第一電晶體i6〇3之閘 極與電源電壓線。藉由第四電路之控制，於「燒斷」操作 期間使第一電晶體1603導通，並於發生靜電放電事件期間 使第一電晶體1603提供高阻抗。 圖17A是依照本發明說明圖7中靜電防護裝置7〇〇之 另一貫施範例。請參照圖17A，本實施例中以導線實施第 二電路740,以第一電晶體17〇1、第二電晶體17〇5與第四 電路1702實施靜電防護單元730，並以熔絲（fuse)實施 可矛王式化元件750’其中第一電晶體17〇1、第二電晶體1705 例如是P型電晶體。藉由第一電路72〇與第三電路76〇而 對可程式化元件750進行程式化，即決定是否燒斷熔絲。 或者，藉由第一電路720與第三電路76〇而讀取可程式化 凡件750之狀態。熟習此技藝者可以任何手段實現第一電 路I20與第三電路760之功能，故不在此贅述第1電路720 與第二電路760之實施方式。第一電晶體17〇1與第二電晶 體17〇5作為靜電放電防護元件，二者之閘極均連接第四電 路1702。。第一電晶體17〇1與第二電晶體17〇5串 電路72〇與可程式化元件750之間。 、^於a貝取知作期間，可以藉由第四電路之控制 通第一電晶體1701與第二電晶體1705。在此同時，第： 料贿魏操作。藉由第一電: 化-杜=%於可程式化元件75〇兩端之壓降。若可程式 二=燒:測:之電壓必然不等於電源 旱位右可耘式化元件750未被燒斷，則所感 25 126942498twf*d〇c/g 測出之電壓必然近似於電源系統770之準位。然後，第一 電路720將所感測出之電壓提供給下一級電路（未繪示）， 並元成讀取操作。另外，若有特殊需求，亦可以藉由第四 電路1702之控制而截止第一電晶體17〇1與第二電晶體 1705使传弟一電路720感測出可程式化元件750被燒斷 之資訊（雖然實際之可程式化元件750未被燒斷）以輸出 給下一級電路。

於「燒斷」操作期間，經由焊墊710提供外部電壓給 可程式化元件750,而第四電路1702控制使第一電晶體 1701與第二電晶體17〇5導通。在此同時，第一電路72〇 與第二電路760亦導通，用以準備進行寫入操作。第一電 路720、第一電晶體1701、第二電晶體1705與第三電路 760都提供低阻抗，使得自焊墊71〇到電源系統之間 形成一條電流路徑。此電流流經可程式化元件75Q而產生 熱’因而燒斷其連線而使可程式化元件75G依預期完成程 生靜電放電期間，第一電晶體17〇1與第二電晶體 ^705提供高阻抗給焊墊71〇到電源系統77〇之間的電流路 3、二'為第—電晶體17G1與第二電晶體17Q5是串聯於該 %⑽路&中’故其所提供之高阻抗將分壓靜電電壓。因此， 可以使靜電放電所導致跨於可程式化元件75G之能量降 ，，使得該能量低於可程式化元件7s〇之「燒斷」摔作所 可程式化元件75G得以保持其原來之 持儲存其中之資料的正確性。 26 1269481 wf. d〇c/g 、上述第四電路1702可以任何手段實現其功能。例如， 以第-導線與第二導線實施第四電路湖2，其中第一導線 之兩^刀別連接至第-電晶體17〇1之閘極與接地電壓 線，而第二導線之兩端則分別連接至第二電晶體 1705之閘 極與接地電壓線。 另外，靜電防濩單it 730之實施並不限於上述方式。 ，17B是依照本發明說明靜電防護裝f 7〇〇之另一種實施 |巳例：圖口 17B相似於圖ι7Α，其不同之處在於圖nB之靜 電防護單it 73G中是以N型電晶體實現第二電晶體17〇6。 第四，路17G4可以任何手段實現其功能。例如，以第一導 線與第二導線實施第四f路17G4,其中第—導線之兩端分 別連接至第-電晶體17〇1之閘極與接地電壓線，而第二導 ，之兩端則分別連接至第二電晶體17〇6之閘極與電源電 壓線。藉由第四電路1704之控制，於「燒斷」操作期間使 第一電晶體1701與第二電晶體1706導通，並於發生靜電 放電事件期間使第一電晶體17〇1與第二電晶體17〇6提供 高阻抗。 圖17C是依照本發明說明靜電防護裝置7〇〇之另一種 實施範例。圖17C相似於圖17A，其不同之處在於圖17C 之靜電防護單元730中是以N型電晶體實現第一電晶體 1703與第二電晶體17〇6。第四電路17〇7可以任何手段實 現其功能。例如，以第一導線與第二導線實施第四電路 1707,其中第一導線之兩端分別連接至第一電晶體17〇3 之閘極與電源電壓線，而第二導線之兩端則分別連接至第 27 I26942498twf.d〇c/g ，·二電晶體1706之閘極與電源電壓線。藉由第四電路17〇7 之控制，於「燒斷」操作期間使第一電晶體17〇3與第二電 晶體1706導通，並於發生靜電放電事件期間使第一電晶體 1703與第二電晶體1706提供高阻抗。 圖17D疋依照本發明說明靜電防護裝置7⑻之另一種 貫施範例。圖17D相似於圖17A，其不同之處在於圖17D 之靜電防護單元730中是以N型電晶體實現第一電晶體 1/03。第四電路1708可以任何手段實現其功能。例如，以 鲁 第一導線與第二導線實施第四電路1708,其中第一導線之 兩端分別連接至第一電晶體1703之閘極與電源電壓線，而 第二導線之兩端則分別連接至第二電晶體17〇5之閘極與 接地電壓線。藉由第四電路1708之控制，於r燒斷」操作 期間使第一電晶體1703與第二電晶體17〇5導通，並於發 生靜電放電事件期間使第一電晶體與第二電晶體 1705提供向阻抗。

圖18A是依照本發明說明靜電防護裝置7〇〇之另一種 φ 貫施範例。圖18A相似於圖16A，其不同之處在於圖18A 中是以第四電路1802、P型電晶體1801與18〇5實現靜電 防護單元730。藉由第四電路1802之控制，於「燒斷」操 作期間使第一電晶體1801與第二電晶體18〇5導^，並^ 發生靜電放電事件期間使第一電晶體1⑽1與第二電晶體 1805提供高阻抗。第四電路18〇2可以任何手段實現其功 月b。例如，以第一導線與第一導線實施第四電路1802，其 中第一導線之兩端分別連接至第一電晶體1801之閘極與 28 I26942498twf.d〇c/g : 接地電壓線，而第二導線之兩端則分別連接至第二電晶體 1805之閘極與接地電壓線。 圖18B是依照本發明說明靜電防護裝置7⑽之另一種 實施範例。圖18B相似於圖18A，其不同之處在於圖i8B 之靜電防護單元730中是以N型電晶體實現第二電晶體 1/06。藉由第四電路1804之控制，於「燒斷」操作期間使 第一電晶體1801與第二電晶體1806導通，並於發生靜電 放電，間使第-電晶體1801與第二電晶體蘭提供高阻 _ 抗。第四電路1804可以任何手段實現其功能。例如，以第 一導線與第二導線實施第四電路1804，其中第一導線之兩 端分別連接至第一電晶體1801之閘極與接地電壓線，而第 二導線之兩制分別連接至第二電晶體腦之閘極盘電 源電壓線。 μ 圖18C是依照本發明說明靜電防護裝置7〇〇之另一種 實施範例。圖18C相似於圖18A，其不同之處在於圖㈣ 之靜電防護單元730中是以N型電晶體實現第一電晶體 • 1803與第二電晶體1806。藉由第四電路18〇7之控制，於 「燒斷」操作期間使第一電晶體刪與第二電晶體腦 導通，並於發生靜電放電_使第 晶體腿提供高阻抗。第四電路觀可贿何 其功能。例如，以第-導線與第二導線實施第四電路 1807 ’其中第—導線之兩端分別連接至第-電晶體1803 之閘極與電源電壓線，而第二導線之兩端則分別連接至第 二電晶體1806之閘極與電源電壓線。 29 I26942498twf*doc/g 圖18D疋依照本發明說明靜電防護裝置7⑻之另一種 實施範例。圖18D相似於圖ι8Α，其不同之處在於圖18〇 之靜電^護單元730中是以N型電晶體實現第一電晶體 ⑽3。藉由第四電路1808之控制，於「燒斷」操作期間使 第電晶體1803與第二電晶體1805導通，並於發生靜電 放電，間使第-電晶體1803與第二電晶體圓提供高阻 抗。第四電路1808可以任何手段實現其功能。例如，以第 一導線與第二導線實施第四電路18〇8,其中第一導線之兩 _ 端分別連接至第一電晶體18〇3之閘極與電源電壓線，而第 二導線之兩端則分別連接至第二電晶體18〇5之閘極與接 地電壓線。 〃 圖19Α是依照本發明說明靜電防護裝置7〇〇之另一種 實施範例。圖19Α相似於圖UA，其不同之處在於圖19Α 中是以第四電路1902、Ρ型電晶體1901與1905實現靜電 防護單元730。藉由第四電路19〇2之控制，於「燒斷」操 作期間使第一電晶體1901與第二電晶體1905導通，並於 _ 發生靜電放電事件期間使第一電晶體19〇1與第二電晶體 19〇5提供高阻抗。第四電路1902可以任何手段實現其功 能。例如，以第一導線與第二導線實施第四電路19〇2，其 中第一導線之兩端分別連接至第一電晶體1901之閘極與 接地電壓線，而第二導線之兩端則分別連接至第二電晶體 1905之閘極與接地電壓線。 圖19Β是依照本發明說明靜電防護裝置700之另一種 實施範例。圖19Β相似於圖19Α，其不同之處在於圖19Β I26942^98twf.doc/g :之靜電防護單元730中是以N型電晶體實現第二電晶體 1906。藉由第四電路1904之控制，於「燒斷」操作期間使 弟電晶體1901與弟一電晶體1906導通，並於發生靜電 放電期間使第一電晶體1901與第二電晶體19〇6提供高阻 抗。第四電路1904可以任何手段實現其功能。例如，'以第 一導線與第二導線實施第四電路19〇4,其中第一導線之兩 端分別連接至第一電晶體1901之閘極與接地電壓線，而第 二導線之兩端則分別連接至第二電晶體19〇6之閘極與電 • 源電壓線。 μ 圖19C是依照本發明說明靜電防護裝置7〇〇之另一種 貫施範例。圖19C相似於圖19Α，其不同之處在於圖19C 之靜電防濩單元730中是以N型電晶體實現第一電晶體 1903與第二電晶體19〇6。藉由第四電路19〇7之控制，於 燒Wf」#作期間使第一電晶體19〇3與第二電晶體19〇6 導通，並於發生靜電放電期間使第一電晶體19〇3與第二電 晶體1906提供高阻抗。第四電路19〇7可以任何手段實現 • 其功能。例如，以第一導線與第二導線實施第四電路 1907，其中第一導線之兩端分別連接至第一電晶體1903 之閘極與電源電壓線，而第二導線之兩端則分別連接至第 二電晶體1906之閘極與電源電壓線。 圖19D是依照本發明說明靜電防護裝置7⑻之另一種 實，範例。圖19D相似於圖19A，其不同之處在於圖19D 之靜電防護單元730中是以N型電晶體實現第一電晶體 . 1903。藉由第四電路19〇8之控制，於「燒斷」操作期間使 31 I26942498twf-d〇c/g • 第一電晶體1903與第二電晶體1905導通，並於發生靜電 放電期間使第一電晶體1903與第二電晶體1905提供高阻 抗。第四電路1908可以任何手段實現其功能。例如，以第 一導線與第二導線實施第四電路1908，其中第一導線之兩 立而分別連接至第一電晶體1903之閘極與電源電壓線，而第 二導線之兩端則分別連接至第二電晶體19〇5之閘極盥 地電壓線。 〃 圖8疋依照本發明另一實施例說明一種適用於可程式 • &元件之靜電防護裝置方顧。請參照® 8，靜電防護裝 置800包括第五電路82〇、可程式化元件83〇、靜電防護單 兀84〇以及第六電路850。第五電路82〇之第一端與第二 立而電性分別連接於第一節點8〇1與可程式化元件83〇之第 食而了私式化元件用以紀錄程式化結果。靜電防護單元 之第-端電性連接至可程式化元件請之第二端。第 /一、電路85=之第-端與第二端分別電性連接至靜電防護單 元840之第二端與第二節點802。其中，藉由第五電路82〇 • 六^路850而對可程式化元件830進行程式化，及/ 或藉由第五電路820與第六電路85〇而獲知可程式化元件 830之程式化結果。本實施例中將第一節點謝愈第二節 點802分別電性連接至焊㈣〇與電源系、统_。、設計者 可以依照需要而決定電源系統860為電源電壓線、接地電 壓線或其他。 般而力干墊810之設計中通常會配置靜電防護元 • 4 811 ’其中靜電防護元件811耦接至焊墊“ο(亦即第一 32 12 6 9 4 2痒 9 8 twf· doc/g 節點801)。當發生靜電放電時，藉由靜電防護單元84〇 提供高阻抗而降低可程式化元件830兩端之壓降，以保護 可程式化元件830避免因發生靜電放電事件，而讓靜電流 毀損可程式化元件830。當然，亦可以經由一般的靜電防 護元件811導出靜電流，而減少流經可程式化元件83〇之 靜電流量。 圖20A〜25D是依照本發明分別說明圖8中靜電防護 ，置800之各種實施範例。請參照圖2〇A，本實施例中以 • $ 一電晶體（在此為P型電晶體）2001與第七電路歷 實施靜電，護單元840，並以溶絲（fuse)實施可程式化元 、 件83〇。藉由第五電路820與第六電路85〇而對可程式化 =件830進行程式化，即決定是否燒斷熔絲。或者，藉由 第=電路820與第六電路85〇而讀取可程式化元件謂之 2 °熟習此技藝者可以任何手段實現第五電路82〇與第· 八私路850之功能，故不在此贅述第五電路82〇與第六電 50之H知方式。第一電晶體作為靜電放電防護元 • #，其閘極連接第七電路麗，而其源極與汲極則分別連 接至可私式化元件83〇與第六電路。 、々於項取刼作期間，可以藉由第七電路2〇〇2之控制而導 通第電曰曰體2001。在此同時，第六電路85〇亦被導通， 準備進仃續取操作。藉由第五電路820而感測跨於可 :、化το件83G兩端之壓降。若可程式化元件謂已被燒 則所感/則出之電壓必然不等於電源系、统_之準位（例 〇地電壓）。若可程式化元件830未被燒斷，則所感測 33 126942498twf.doc/g 出之電壓必然近似於電源系統860之準位。然後， ^ 路820將所感測出之電壓提供給下一級電路未繪八^電 並完成讀取操作。另外，若有特殊需求，亦可以 電路2002之控制而截止第一電晶體2〇〇1，使得^五= 820感測出可程式化元件830被燒斷之資訊（雖麸者 可程式化元件830未被燒斷）以輸出給下—級電不 於「燒斷」操作期間，經由焊塾⑽提供外部電壓认 可程式化元件830，而第七電路細控制使第 ^ 2001導通。在此同時，第五電路82〇肖第六電路= 通，用以準備進行寫入操作。第五電路82〇、第六電路㈣ 與第-電晶體200i都提供低阻抗，使得自焊塾8 系統860之間形成-條電流路徑。此電流流經可程式^元 件請而產生熱，因而燒斷其連線而使可程式 依預期完成程式化。 在發生靜電放電事件期間，第一電晶體2〇〇1提 抗給焊塾8H)到電源系、统86〇之間的電流路徑。因為第一 電晶體2’是串聯於該電流路財，故其所提供 將分壓靜電電壓。因此，可崎低靜電放電所導致跨於可 程式化το件830之能量，使得該能量低於可程式化元件謂 之「燒斷」操作所需電壓。可程式化元件謂得以保料 原來之狀態’並保⑽存其巾之:#料的正雜。 ’、 ===電路2002可以任何手段實現其功能。例如， = 貫施第七電路纖’此第一導線之兩端分別連 接至第-電晶體2 G G1之_與接地電壓線。另外，靜電防 34 I26942498twf.doc/g

護單元840之實施並不限於上述方式。圖20B是依照本發 明說明靜電防護裝置800之另一種實施範例。圖20B相似 於圖20A，其不同之處在於圖2〇B之靜電防護單元84〇中 是以N型電晶體實現第一電晶體2〇〇3。藉由第七電路2〇〇4 之控制，於「燒斷」操作期間使第一電晶體2〇〇3導通，並 於發生靜電放電事件期間使第一電晶體2〇〇3提供高阻 抗。第七電路2004可以任何手段實現其功能。例如，以第 二導線實施第七電路2004,此第一導線之兩端分別連接至 第一電晶體2003之閘極與電源電壓線。 — <队…、个啜切祝明圖8中靜電防護裝置8〇〇之 貫施乾例。請參照圖21A ’本實關中以導線實施第五電 路820,以第一電晶體（在此為？型電晶體）2ι〇ι盘第七 電路2102實施靜電防護單元_，並以溶絲（fuse)實施 =呈式?元件83〇。藉㈣六電路㈣_可程式化元件 進仃程式化，即決定是否麟料。熟習此技 =任何手段實現第六電路請之功能，故不在^ 作為-貫施方式。第一電晶體2101 1為好電放電防護元件，其閘極連接第七電路助 與汲極則分別連接至可程式化元件請與第六電路 通第在可Γ藉由第七電路2102之控制而導 以便感測電路（未繪示）進 '被導通 需求，亦可以蕤*筮μ Γ 另外，若有特殊 猎由弟七電路2碰之控制而截止第一電 35 126942498twf*doc/g 2101，使付感測電路（未纟會示）感測出可程式化元件 被燒斷之資訊（雖然實際之可程式化元件830未被燒斷） 以輸出給下一級電路。 於「燒斷」操作期間，經由焊墊810提供外部電壓給 可程式化元件830,而第七電路2102控制使第一電晶體 2101導通。在此同時，第六電路85〇亦導通，用以準備進 行寫入操作。第六電路850與第一電晶體21〇1都提供低阻 抗，使得自焊墊810到電源系統860之間形成一條電流路 • 徑。此電流流經可程式化元件830而產生熱，因而燒斷其 連線而使可程式化元件830依預期完成程式化。 、 麵 ^在發生靜電放電事件期間，第一電晶體2101提供高阻 抗給:tp墊810到電源系統860之間的電流路徑。因為第一 • 電晶體2101是串聯於該電流路徑中，故其所提供之高阻抗 將分壓靜電電壓。因此，可以降低靜電放電所導致跨於可 私式化元件830之能量，使得該能量低於可程式化元件 之「燒斷」操作所需電壓。可程式化元件83〇得以保持其 φ 原來之狀態，並保持儲存其中之資料的正確性。 上述第七電路2102可以任何手段實現其功能。例如， =第二導線實施第七電路21()2，此第—導線之兩端分別連 至第一電晶體2101之閘極與接地電壓線。 護單元840之實施並不限於上述方式。圖21β是卜依=: =明靜電防護裝置_之另—種實施範例。圖2m她 a、圖21A ’其不同之處在於圖21B之靜電防護單元84〇中 .型電晶體實現第—電晶體湖。藉由第七電路施 36 126942^$98twf.doc/g 之控制，於「燒斷」操作期間使第一電晶體2103導通，並 於發生靜電放電事件期間使第一電晶體2103提供高阻 抗。第七電路2104可以任何手段實現其功能。例如，以第 一導線實施第七電路2104，此第一導線之兩端分別連接至 第一電晶體2103之閘極與電源電壓線。 圖22A是依照本發明說明圖8中靜電防護裝置8〇〇之 另一實施範例。請參照圖22A ,本實施例中以導線實施第 六電路850，以第一電晶體（在此為p型電晶體）22〇1與 第七電路2202實施靜電防護單元84〇，並以熔絲（fuse) 實施可程式化元件830。藉由第五電路82〇而對可程式化， π件830進行程式化，即決定是否燒斷熔絲。或者，藉由 第五電路820而讀取可程式化元件83〇之狀態。熟習此技 藝者可以任何手段實現第五電路之功能，故不在此贊 述第，電路820之實施方式。第一電晶體22〇1作為靜電放 包防濩兀件’其閘極連接第七電路22()2，而其源極與汲極 則分別，接至可程式化元件請與電源系統_。 於碩取操作期間，可以藉由第七電路22〇2之控制而導 通第一電晶體2201。藉由第五電路82〇而感測跨於可程式 化το件830兩端之壓降。若可程式化元件83〇已被燒斷， =感測出之電壓必然不等於電源系統_之準位（例如 °若可程式化元件請未被燒斷，則所感測出 似於電源系統_之準位。錢，第五電路 nf*測出之電壓提供給下一級電路（未繪示），並 元成頃輪作。另外，若有特殊需求，亦可以藉由第七電 37 I26942^f98twf.doc/g 路2202之控制而截止第一電晶體2201，使得第五電路820 感測出可程式化元件830被燒斷之資訊（雖然實際之可程 式化元件830未被燒斷）以輸出給下一級電路。 於「燒斷」操作期間，經由焊墊810提供外部電壓給 可程式化元件830，而第七電路2202控制使第一電晶體 2201導通。在此同時，第五電路82〇亦導通，用以準備進 行寫入操作。第五電路820與第一電晶體220丨都提供低阻 抗，使得自焊墊810到電源系統860之間形成一條電流路 徑。此電流流經可程式化元件830而產生熱，因而燒斷其 連線而使可程式化元件830依預期完成程式化。 在發生靜電放電事件期間，第一電晶體22〇1提供高阻 抗給焊墊810到電源糸統860之間的電流路徑。因為第一 電晶體2201是串聯於該電流路徑中，故其所提供之高阻抗 將分壓靜電電壓。因此，可以降低靜電放電所導致跨於可 程式化元件830之能量，使得該能量低於可程式化元件83〇 之「燒斷」細作所需電壓。可程式化元件83〇得以保持其 原來之狀怨，並保持儲存其中之資料的正確性。 上述第七電路2202可以任何手段實現其功能。例如， 以第-導線實施第七電路2202,此第一導線之兩端分別連 接至第一電晶體2201之閘極與接地電壓線。另外，靜電防 護單元840之實施並不限於上述方式。圖22b是依照本發 明說明靜電防4裝置8GG之另—種實施範例。圖22B相似 於圖22A ’其不同之處在於圖22B之靜電防護單元84〇中 是以N型電晶體實現第—電晶體22()3。藉由第七電路22〇4 38 12 6 9 4 3r _98twf.dc)c/g 之控制，於「燒斷」操作期間使第一電晶體2203導通，並 於發生靜電放電事件期間使第一電晶體2203提供高阻 抗。第七電路2204可以任何手段實現其功能。例如，以第 了導線實施第七電路2204,此第一導線之兩端分別連接至 第一電晶體2203之閘極與電源電壓線。 圖23A是依照本發明說明靜電防護裝置8〇〇之另一種 貫施範例。圖23A相似於圖20A，其不同之處在於圖23A 中是以第七電路2302、P型電晶體2301與2305實現靜電 _ 防護單元84〇。藉由第七電路2302之控制，於「燒斷」操 作期間使第一電晶體2301與第二電晶體2305導通，並於 ， 發生靜電放電事件期間使第一電晶體2301與第二電晶體 2305提供高阻抗。第七電路23〇2可以任何手段實現其功 能。例如，以第一導線與第二導線實施第七電路23〇2，其 中第一導線之兩端分別連接至第一電晶體23〇1之閘極與 接地電壓線，而第二導線之兩端則分別連接至第二電晶體 2305之閘極與接地電壓線。 • —圖23B是依照本發明說明靜電防護裝置800之另一種 實施範例。圖23B相似於圖23A，其不同之處在於圖23B 之靜電防護單元840中是以N型電晶體實現第二電晶體 23〇6。藉由第七電路23〇4之控制，於「燒斷」操作期間使 第一電晶體2301與第二電晶體2306導通，並於發生靜電 放電期間使第一電晶體2301與第二電晶體2306提供高阻 抗。第七電路2304可以任何手段實現其功能。例如，以第 . 一導線與第二導線實施第七電路2304，其中第一導線之兩 39 126942-498twf*d〇c/g 端分別連接至第一電晶體2301之閘極與接地電壓線，而第 二導線之兩端則分別連接至第二電晶體2306之閘極與電 源電壓線。 ^ 圖23C是依照本發明說明靜電防護裝置8〇()之另一種 實施範例。圖23C相似於圖23Α，其不同之處在於圖23C 之靜電防護單元840中是以N型電晶體實現第一電晶體 2303與第二電晶體2306。藉由第七電路2307之控制，於 「燒斷」操作期間使第一電晶體2303與第二電晶體23〇6 • 導通，並於發生靜電放電期間使第一電晶體2303與第二電 晶體2306提供高阻抗。第七電路2307可以任何手段實現 其功能。例如，以第一導線與第二導線實施第七電路 2307，其中弟一導線之兩端分別連接至第一電晶體2303 ， 之閘極與電源電壓線，而第二導線之兩端則分別連接至第 二電晶體2306之閘極與電源電壓線。 圖23D是依照本發明說明靜電防護裝置8〇〇之另一種 實施範例。圖23D相似於圖23A，其不同之處在於圖23D φ 之靜電防護單元84〇中是以N型電晶體實現第一電晶體 2303。藉由第七電路2308之控制，於「燒斷」操作期間使 弟笔阳體2303與弟一電晶體2305導通，並於發生靜電 放電期間使第一電晶體2303與第二電晶體2305提供高阻 抗。第七電路2308可以任何手段實現其功能。例如，以第 一導線與第二導線實施第七電路2308，其中第一導線之兩 立而分別連接至第一電晶體2303之閘極與電源電壓線，而第 I26942^98twf.doc/g 二導線之兩端則分別連接至第二電晶體2305 地電壓線。 ㈣位興接 —p，24A是依照本發明說明靜電防護裝置800之另一種 實，範例。圖24A相似於圖21A，其不同之處在於圖24A 中是以第七電路2402、P型電晶體2401與2405實現筹雷 防護單元840。藉由第七電路24〇2之控制，於「燒斷1操 作期間使第-電晶體2401與第二電晶體24〇5導通，並於 發生靜電放電事件期間使第一電晶體2401與第二電晶體 • =G5提供高阻抗。S七電路2402可以任何手段實現其功 月b例如，以弟一導線與弟二導線實施第七電路Μ犯，其 - 中第一導線之兩端分別連接至第一電晶體2401之閘極與 接地電壓線，而第二導線之兩端則分別連接至第二電晶& 2405之閘極與接地電壓線。 —圖24B是依照本發明說明靜電防護裝置8〇〇之另一種 實施範例。圖24B相似於圖24A，其不同之處在於圖24b 之靜電，護單元840中是以N型電晶體實現第二電晶體 鲁 =〇6。藉由第七電路24〇4之控制，於「燒斷」操作期間使 第一電晶體2401與第二電晶體2406導通，並於發生靜電 ^屯期間使第一電晶體2401與第二電晶體2406提供高阻 抗、。第七電路2404可以任何手段實現其功能。例如，以第 一導線與第二導線實施第七電路2404，其中第一導線之兩 而二別連接至苐一電晶體2401之閘極與接地電壓線，而第 二導線之兩端則分別連接至第二電晶體24〇6之閘極與電 源電壓線。 41 126942498twf.d〇c/g ； 圖24C是依照本發明說明靜電防護裝置800之另一種 實施範例。圖24C相似於圖24A，其不同之處在於圖24c 之靜電防護單元840中是以N型電晶體實現第一電晶體 2403與第二電晶體2406。藉由第七電路24〇7之控制，於 「燒斷」操作期間使第一電晶體2403與第二電晶體24〇6 導通，並於發生靜電放電期間使第一電晶體24〇3與第二電 晶體2406提供高阻抗。第七電路24〇7可以任何手段實現 其功能。例如，以第一導線與第二導線實施第七電路 • 2407，其中第一導線之兩端分別連接至第一電晶體2403 之閘極與電源電壓線，而第二導線之兩端則分別連接至第 一電晶體2406之閘極與電源電壓線。 圖24D是依照本發明說明靜電防護裝置8〇〇之另一種 ' 實施範例。圖勘相似於® 24A，其不同之處在於圖勘 之靜電防護單元840中是以N型電晶體實現第一電晶體 =03。藉由第七電路2408之控制，於「燒斷」操作期間使 第一電晶體2403與第二電晶體24〇5導通，並於發生靜電 ❿ 放電期間使第一電晶體2403與第二電晶體24〇5提供高阻 抗。第七電〃路2408可以任何手段實現其功能。例如，以第 -導線與第二導線實施第七電路纖，其中第—導線之兩 ^ :別連接至第1晶體24G3之閘極與電源電壓線，而第 二導線之兩端則分別連接至第二電晶體之閘極斑接 地電壓線。 ^ —圖25A是依照本發明說明靜電防護裝置8〇〇之另一種

• 實施範例。圖2认相似於圖22A，其不同之處在於圖25A 42 126943^98twf.doc/g 中是以第七電路2502、p型電晶體2501與2505實現靜電 防護單元840。藉由第七電路25〇2之控制，於「燒斷」操 作期間使第一電晶體2501與第二電晶體2505導通，並^ 發生靜電放電事件期間使第一電晶體25〇1與第二電晶體 2505提供高阻抗。第七電路25〇2可以任何手段實現其功 能。例如，以第一導線與第二導線實施第七電路25〇2，其 中第一導線之兩端分別連接至第一電晶體25〇1之閘極與 接地電壓線，而第二導線之兩端則分別連接至第二電晶^ | 2505之閘極與接地電壓線。 一 圖25B是依照本發明說明靜電防護裝置8〇〇之另一種 實施範例。圖25B相似於圖25A，其不同之處在於圖25b 之靜電防護單元840中是以N型電晶體實現第二電晶體 =〇6。藉由第七電路2504之控制，於「燒斷」操作期間使 第一電晶體2501與第二電晶體2506導通，並於發生靜電 放電期間使第一電晶體2501與第二電晶體2506提供高阻 抗、。第七電路2504可以任何手段實現其功能。例如;、以第 | 一導線與第二導線實施第七電路2504，其中第一導線之兩 端分別連接至第一電晶體2501之閘極與接地電壓線，而第 二導線之兩端則分別連接至第二電晶體25〇6之閘極盥 源電壓線。 η 圖25C是依照本發明說明靜電防護裝置8〇〇之另一種 實施範例。圖25C相似於圖25Α，其不同之處在於圖25c 之靜電防護單元84〇中是以N型電晶體實現第一電晶體 2503與第二電晶體25〇6。藉由第七電路乃们之控制，於 43 I26942498twf-d〇c/g 、「燒斷」操作期間使第一電晶體25〇3與第二電晶體25〇6 導通’並於發生靜電放電期間使第一電晶體25〇3與第二電 晶體2506提供高阻抗。第七電路25〇7可以任何手段實現 其功能。例如，以第一導線與第二導線實施第七電路 2507 ’其中第-導線之兩端分別連接至第一電晶體挪 之閘極與電源電壓線，而第二導線之兩端則分別連接至第 二電晶體2506之閘極與電源電壓線。 圖25D是依照本發明說明靜電防護裝置8〇〇之另一種 • 實施範例。圖25D相似於圖25A，其不同之處在於圖25d 之靜電防護單元840巾是以N㉟電晶體實現第一電晶體 ^503。藉由第七電路25〇8之控制，於「燒斷」操作期間 第一電晶體2503與第二電晶體25〇5導通，並於發生靜泰 ‘ 放電期間使第一電晶體2503與第二電晶體2505提供高^ 抗。第七電路2508可以任何手段實現其功能。例如，以第 一導線與第二導線實施第七電路2508，其中第一導線之兩 端分別連接至第一電晶體25〇3之閘極與電源電壓線，而第 二導線之兩端則分別連接至第二電晶體2505之閘極與拉 地電壓線。 / $ 圖9疋依照本發明另一實施例說明一種適用於可裎 化兀件之靜電防護裝置方塊圖。請參照圖9,靜電防護^ 置900包括第八電路920、第九電路96〇、第一靜電防護^ 兀930、第二靜電防護單元95〇以及可程式化元件94〇。本 實施例中將第一節點901與第二節點902分別電性連接至 44 126942 碑 98twf.d〇c/g 統97G。設計者可以依照需要而決定電 源糸、f 為電源電壓線、接地電壓線或其他。 節點S3 之第—端與第二端分別冑性連接於第— 即 /、弟—靜電防護單元930之第一端。可程六、朴一 件940用以紀錄程式化結果，其第-端與第二端二: 靜電防護單元930之第二端與第二靜電防i單 =第: 一般而言，焊墊910之設計中通常會配置靜電防護元 ，911 ’其中靜電防護元件911耦接至焊墊910(亦即第一 節”沾901)。當發生靜電放電時，藉由第一靜電防護單元 930、第二靜電防護單元95〇提供高阻抗而降低可程式化元 件940兩端之壓降，以保護可程式化元件94〇避免因發生 靜電放電事件，而讓靜電流毀損可程式化元件94〇。當然， 化元件940進行程式化，及/或藉由第八電路920忍3 路_而獲知可程式化元件940之程式化結果。4 Μ

亦可以經由一般的靜電防護元件91丨導出靜電流，而減少 流經可程式化元件940之靜電流量。 圖26A〜28D是依照本發明分別說明圖9中靜電防護 裝置900之各種實施範例。請參照圖26A，本實施例中以 弟一電晶體（在此為P型電晶體）2601實現第一靜電防護 單元930，以第二電晶體（在此為p型電晶體）26〇5實現 第二靜電防護單元950，並以炫絲（fuse)實施可程式化元 45 126942Φ98ίν^0<々 件940。其中’第十電路26〇2控制第一電晶體臟與 二電晶體2605。藉由第八電路920與第九電路96〇而對可 程式化元件940進行程式化’即決定是否燒斷溶絲。或者， 藉由第八電路920與第九電路働而讀取可程式化 940之狀態。熟習此技藝者可以任何手段實現“電路92〇 與第九電路960之功能，故不在此贅述第八電路92〇與 九電路960之實施方式。第一電晶體26〇1與第二電晶 2605作為靜電放電防護元件，其閘極均連接第十電路 2602。第一電晶體2601之源極與汲極分別連接至第八路 920與可程式化元件940，而第二電晶體26〇5之源極與 極分別連接至可程式化元件94〇與第九電路％〇。… 於讀取操作期間’可以藉由第十電路26〇2之押制而 通第一電晶體2601與第二電晶體26〇5。在此同日^，= 電路960亦被導通，以便準備進行讀取操作。藉由第八带 路920而感測跨於可程式化元件94〇兩端之壓降。若可1 式^匕元件940已被燒斷，則所感測出之電壓必然不等於 源系統970之準位（例如接地電壓）。若可程式化元件料〇 未被燒斷，則所感測出之電壓必然近似於電源系統9川 準位。然後，第八電路920將所感測出之電壓提供給— 級電路（未繪示），並完成讀取操作。另外，若有^ 求亦可以藉由第十電路2602之控制而截止第—雷曰 26〇1與第二電晶體2605’使得第八電路920感測出可六、 化元件940被燒斷之資訊（雖然實際之可程式化元^ 未被燒斷）以輸出給下一級電路。 46 126942 伞 98twfdoc/g 126942 伞 98twfdoc/g

於「燒斷」操作期間，經由焊墊910提供外部電壓給 可程式化元件940,而第十電路2602控制使第一電晶體 2601與第一電晶體2605導通。在此同時，第八電路 與第九電路960亦導通，用以準備進行寫入操作。第八電 路920、第九電路960、第一電晶體26〇1與第二電晶體26〇5 都提供低阻抗，使得自焊墊910到電源系統970之間形成 一條電流路徑。此電流流經可程式化元件940而產生熱， 因而燒斷其連線而使可程式化元件_依·絲程式 曰在發生靜電放電事件期間，第一電晶體26〇1與第二電 :曰體，5提供高阻抗給焊墊91〇到電源系統㈣之間的電 、。因為第—電晶體2601與第二電晶體2605是串聯 於5亥電流路彳钟，故其所提供之高阻抗將分壓靜電電壓。 3 ’可以降低靜電放電所導致跨於可程式化元件94〇之 月^ ’使得該能量低於可程^化元件_之「燒斷」操作

ιΓ式化元件94G得以保持其原來之狀態，並 保持儲存其中之資料的正確性。 以笛"!~r路、26G2可以任何手段實現其功能。例如’ 蜍、”第一導線實施第十電路2602，其中第一導線 線，而接至第—電晶體26Qi之閘極與接地電壓 與接地電—壓之另兩外端t別連接至第二電晶體26〇5之問極 不限於上靜電防護單元93G與95G之實施並 126942498twf.d〇c/g —圖26B是依照本發明說明靜電防護裝置_之另一種 實施範例。圖細相似於圖26A，其不同之處在於圖26b 靜中是以μ電晶體實現第-電晶 = 電路蘭之控制，於「燒斷」操作期 間使苐一电晶體2603與第二電晶體26〇5導通，並於發生

電事件期間使第—電晶體細與第二電晶體26〇5 提t、冋:且抗、。第十電路2刪可以任何手段實現其功能。例 如以第導線與第一導線貫施第十電路2604，其中第一 導線之兩端分別連接至第一電晶體26〇3之閘極與電源電 壓線，而第二導線之兩端分別連接至第二電晶體之、間 極與接地電壓線。 圖26C疋依照本發明說明靜電防護裝置9⑽之另一種 實施範例。圖26C相似於圖26A，其不同之處在於圖况 之第-靜電防護單元930中是以n型電晶體實現第一電晶 體2603與第二電晶體2606。藉由第十電路26〇7之控制， 於燒辦」操作期間使第一電晶體2603與第二電晶體2606 導通’並於發生靜電放電事件期間使第一電晶體26〇3與第 二電晶體2606提供高阻抗。第十電路26〇7可以任何手段 貫現其功能。例如，以第一導線與第二導線實施第十電路 2607，其中第一導線之兩端分別連接至第一電晶體26〇3 之閘極與電源電壓線，而第二導線之兩端分別連接至第二 電晶體2606之閘極與電源電壓線。

圖26D是依照本發明說明靜電防護裝置9〇〇之另一種 實施範例。圖26D相似於圖26A，其不同之處在於圖26D 48 I26942498twf*doc/s 之第二靜電防護單元930中是以n型電晶體實現第二電晶 體2606。藉由第十電路2608之控制，於「燒斷」操作期 間使第一電晶體2601與第二電晶體2606導通，並於發生 靜電放電事件期間使第一電晶體26〇1與第二電晶體26〇6 提供高阻抗。第十電路26〇8可以任何手段實現其功能。例 如，以第一導線與第二導線實施第十電路26〇8，其中第一 ，線之兩端分別連接至第一電晶體26〇1之閘極與接地電

壓線，而第二導線之兩端分別連接至第二電晶體2606之閘 極與電源電壓線。 ，27A疋依照本發明說明圖9中靜電防護裝置9〇〇之 另M施範例。請芩照圖27A，本實施例中以導線實施第 八電路920 ’以第一電晶體（在此為p型電晶體）實 現第-靜電防護單元93G，以第二電晶體（在此為p型電 ^體）謂5實現第二靜電防護單元95G，並輯絲（fuse) 貝施可私式化疋件940。其中，第十電路27〇2控制第一電 晶體2701與第二電晶體謂5。藉由第九電路960而對可 程认元件_進行料化，即蚊是魏_絲。孰習 此^者可以任何手段實現第九電路960之功能，故不在 此4述第九電路960之實施方式。第一電晶體27〇1與第二 電晶體2705作為靜雷放雷— 踗2707笛ί 叙件，制極均連接第十電 m gi之源極與汲極分別連接至焊塾 /、0耘，’化7L件940，而第二電晶體27〇 極分別連接至可程式化元件_與第九電路_。及 49 126942^98twf.doc/g 通第:CC可以藉由第十電路2702之控制而導 =電曰曰體2701與第二電晶體2705。在此同時，第九 :路：亦，導通，以物^ 制而截右有特殊需求’亦可以藉由第十電路2702之控 制而截止弟一電晶體27〇1盥 帝曰 電路（未繪示Μ測出心_體27G5，使付感測 以，則出可私式化元件940被燒斷之資訊（雖 ’、、'只際,、:!呈式化元件940未被燒斷）。

$ k斷」刼作期間，經由焊墊91〇提供外部電壓給 io^H 940,而第十電路2702控制使第一電晶體 介道、$、—電晶體2705導通。在此同時，第九電路960 '曰、棘t㈣以，備進行寫人操作。第九電路96G、第-電 Γι〇 ί丨二與第—電晶體2705都提供低阻抗，使得自早墊 970 ο λι 二940而產生熱，因而燒斷其連線而使可程式 化π件940依預期完成程式化。

曰放電事件期間’第一電晶體2701與第二電 Ζ . ^ 、/、^阻抗給焊墊910到電源系統970之間的電 :該ΐ流電晶體2701與第二電晶體2705是串聯 m =、工中Y故其所提供之高阻抗將分壓靜電電壓。 处旦：二靜電放電所導致跨於可程式化元件940之 t雷❻件低於可程式化元件_之「燒斷」操作 伴U立I程式化元件940得以保持其原來之狀態，並 保持儲存其中之資料的正確性。 12694^8twf doc/g 、斤上述第十電路2702可以任何手段實現其功能。例如， 以第一導線與第二導線實施第十電路27〇2，其中第一導線 之兩端分別連接至第一電晶體2701之閘極與接地電壓 線’而第一導線之兩端分別連接至第二電晶體之閘極 與接地電壓線。另外，靜電防護單元930與950之實施並 不限於上述方式。 、 —圖27B是依照本發明說明靜電防護裝置9〇〇之另一種 κ加範例。圖27B相似於圖27A，其不同之處在於圖27β 之第一靜電防護單元930中是以N型電晶體實現第一電晶 體27^3。藉由第十電路27〇4之控制，於「燒斷」操作期 ，使第一電晶體2703與第二電晶體2705導通，並於發生 ^電放電事件期間使第一電晶體2703與第二電晶體2705 提供高，抗。第十電路2704可以任何手段實現其功能。例 如，以第一導線與第二導線實施第十電路2704，其中第一 導線之兩端分別連接至第一電晶體2703之閘極與電源電 壓線’而第二導線之兩端分別連接至第二電晶體2705之閘 極與接地電壓線。 ^ 圖27C是依照本發明說明靜電防護裝置900之另一種 貫施範例。圖27C相似於圖27A，其不同之處在於圖27C 之第一靜電防護單元930中是以N型電晶體實現第一電晶 體2703與第二電晶體2706。藉由第十電路2707之控制， 於「燒斷」操作期間使第一電晶體2703與第二電晶體2706 導通’並於發生靜電放電事件期間使第一電晶體2703與第 一電晶體2706提供高阻抗。第十電路2707可以任何手段 51 12694¾¾ 8twf.doc/g 實現其功能二例如，以第—導線與第二導線實施第十電路 2707，其中第—導線之兩端分別連接至第一電晶體π⑽ 之閘極與電源電壓線’而第二導線之兩端分別連接至第二 電晶體2706之閘極與電源電壓線。 —圖27D是依照本發明說明靜電防護裝置9〇〇之另一種 實施範例。圖27D相似於® 27A，其不同之處在於圖27〇 之第二靜電防護單元93G中是以N型電晶體實現第二電晶 體2706。藉由第十電路屬之控制，於「燒斷」操作期 間使第-電晶體27〇i與第二電晶體2寫導通，並於發生 靜電放電事件期間使第—電晶體㈣與第二電晶體^ 提供^且抗。第十電路簾可以任何手段實現其功能。例 如，以第一導線與第二導線實施第十電路，盆中第一 導線之兩端分別連接至第一電晶體27〇1之閑極與接地電 壓線，而弟二導線之兩端分別連接至第二電晶體謂6 極與電源電壓線。 j 圖28A是依照本發明說明圖9中靜電防護裝置簡 另:實施範例。，參照圖28A，本實施例中以導線實施第 九電路960 ’以第一電晶體（在此為p型電晶體）雇 現第一靜電防護單元咖，以第二電晶體（在此為P型; ^曰體）2805貫現弟二靜電㈣單元㈣，並節 貫施可程式化元件其中，許f路2觀控制第―電） 晶，麗與第二電晶體娜。藉由第八電路9 $ 程式化元件940進行程式化，即決定 p 藉由第八電路920而讀取可浐弋 凡合…或者， 貝取了私式化兀件940之狀態。熟習 52 12694¾ 8twf.doc/g 可以任何手段實現第八電路92G之功能，故不在 ^、处弟八電路920之實施方式。第一電晶體28〇1與第二 ==5作為靜電放電防護元件，其_均連接第十電 弟電曰曰體2801之源極與;:及極分別連接至第八 了路920與可程式化凡件94〇，而第二電晶體2⑽之源極 始及極分別連接至可程式化元件94q與電料、統謂。 …於讀取操作期間，可以藉由第十電路2802之控制而導 通第-電晶體2801與第二電晶體娜。藉由第八電路92〇 而感測跨於可程式化元件940兩端之壓降。若可程式化元 件940已被燒斷，則所感測出之電壓必然不等於電源系統 ^準位。右可程式化元件_未被燒斷，則所感測出 之電壓必然、近似於電源系統97G之準位。然後，第八電路 920將所感測出之電壓提供給下一級電路（未繪示），並 完成讀取操作。另外，若有特殊需求’亦可以藉由第十電 路2802之控制而截止第一電晶體28〇1與第二電晶體 2805，使得第八電路920感測出可程式化元件94〇被燒斷 之資訊（雖然實際之可程式化元件94〇未被燒斷）以輸出 給下一級電路。 於「燒斷」操作期間，經由焊墊91〇提供外部電壓給 可程式化元件940，而第十電路28〇2控制使第一電晶體 2801與第二電晶體2805導通。在此同時，第八電路92〇 亦導通，用以準備進行寫入操作。第八電路92〇、第一電 晶體2801與第二電晶體2805都提供低阻抗，使得自焊墊 910到電源系統970之間形成一條電流路徑。此電流流經 53 12694¾¾ 8twf.doc/g 可程式化元件940而太 ,^ ,φ Q4〇 ^ 而產生熱，因而燒斷其連線而使可程式 化兀件940依預期完成程式化。 在發生靜電放電事件期間，第 晶體2805提供高阻浐仏斤拥〇ιλ見日日體_，、弟包 、土机广_ . ^ 抗、、、5：1：干墊91〇到電源系統970之間的電 =談二路：Ϊ —電晶體2801與第二電晶體28。5是串聯 田^二、I 故其所提供之高阻抗將分壓靜電電壓。

二二ί Ρ牛低靜電放電所導致跨於可程式化元件940之 月匕皇’使侍該能量低於可程式化元件_之「燒操作 保持儲存其中之資料的正確性。 —上述第十電路2802可以任何手段實現其功能。例如， 以弟-‘線與第二導線實施第十電路⑽2，其中第一導線 之兩=刀J5j連接至第―電晶體28Q1之閘極與接地電壓 線而第一導線之兩端分別連接至第二電晶體携5之問極 與接地電壓、線。另外，靜電防護單以3〇與95〇之實施並 不限於上述方式。

圖28B疋依照本發明說明靜電防護裝置9⑼之另一種 實施範例。圖28B相似於圖28A，其不同之處在於圖28B 之第-靜電防護單兀93G中是以N型電晶體實現第一電晶 體2803。藉由第十電路2804之控制，於「燒斷」操作期 間使第一電晶體2803與第二電晶體28〇5導通，並於發生 靜電放電事件期間使第一電晶體28〇3盥第_ 提供高阻抗。第十電路簾可叫料能。例 如，以弟一導線與第一導線貫施第十電路2804，其中第一 54 I2694M twf.doc/g 導線之兩端分別連接至第一電晶體2803之閘極與電源電 壓線，而第二導線之兩端分別連接至第二電晶體28〇5之閘 極與接地電壓線。 圖28C是依照本發明說明靜電防護裝置9〇〇之另一種 實施範例。圖28C相似於圖28A，其不同之處在於圖28C 之第一靜電防護單元930中是以電晶體實現第一電晶 體2803與第二電晶體2806。藉由第十電路2807之控制， 於「燒斷」操作期間使第一電晶體2803與第二電晶體2806 ‘通’並於發生靜電放電事件期間使第一電晶體28〇3與第 一電晶體2706提供高阻抗。第十電路28〇7可以任何手段 實現其功能^如，以第―導線與第二導線實施第十電路 2807其中第—導線之兩端分別連接至第—電晶體2觀 之閘極與電源電壓線，而第二導線之兩端分別連接至第二 電晶體2806之閘極與電源電壓線。 —圖勘是依照本發明說明靜電防護裝置9〇〇之 相似於圖28A，其不同之處在於圖湯 體護單元930中是以^電晶體實現第二電晶 體2806。猎由弟十電路28〇8之控制，於「婷 間使第一電晶體2801金第一電 ' 4」#作』 靜電放雷畜杜细ha贫、 體6導通，並於發生 “放電事件期間使第—電晶體·ι與第 提供高阻抗。第十電路雇可以任何手段並日γ处 如，以第一導線盥第-導魂與A 貝見功月匕。例 憎％ /、罘―蜍線貝苑弟十電路2808，苴中裳一 V線之兩端分別連接至第一電 ，、苐 曰體2801之閘極與接地電 55 12694為 "8twf.doc/g l線而第―‘線之兩端分別連接至第二電晶體2獅之問 極與電源電壓線。 —圖29是依知、本發明說明圖7中靜電防護裝置7㈧之另 心例電路圖。41照圖29，本實施例中以導線實施第 一電路720與第三電略，以第〆電晶體（在此為P型 ，晶體2901實現靜電防護單元73〇，並以炫絲⑽） 貝施可^式化兀件75〇 〇 一般而言，為了防止焊塾彻所 發生的靜電放電損毁内部電路，因此大多會焊墊71〇中配 置-個靜電防護元件7U。在焊墊元件中配置靜電防護元 件幾乎普遍存在於_般的積體電路中。 ^ 當要寫入資料時，藉由控制信號VDDOFF導通p型電 ”日日體2901 ’並且截止靜電防護元件711與拉降電路78〇。 在此同時，亦藉由控制信號WRB料第二電路74〇。此時 依照焊墊710有無提供外部電能而決定是否燒斷可程式化 凡件750，此即為程式化操作。若焊墊71〇被提供外部電 能，則外部電流將會從焊墊71〇經由靜電防護單元73〇、 •，二電路740與可程式化元件750而流至電源系統77〇(本 貫施例中為接地電壓線）。此流經可程式化元件75〇之電 流將會因發熱而燒斷熔絲。 在完成程式化後，控制電路（未繪示）即可藉由控制 k號VDDOFF截止靜電防護單元730，以截斷可程式化元 件750與焊墊710之間的連線。此時拉降電路mo用以將 電壓準位下拉，以避免因為電路浮接而讓任何非預期信號 影響可程式化元件之狀態判斷。另外，當有特殊需求日^广 56 12694^8twf.doc/g #可以利用靜電防護單s 73G之功能改變可程式化元件 .750之讀出狀態（不是實際狀態）。感測電路（未緣示） 將會獲付可程式化元件750被改變之讀出狀態，亦即由短 2改變為開路狀態。對於只能—次寫人之可程式化元件而 3，此功能可以提供更彈性的應用。 綜上所述，本發明因為在可程式化元件之電性路徑上 配置知電防護單元，當發生靜電放電事件時，靜電防護單 A以高，抗分攤大部分的壓降，而降低可程式化元件之壓 P条至可容忍之雜，目此本發明具有較佳之靜電防護效能。 雖;点本赉明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 w 限疋本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 • t範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 fe圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1繪示為美國專利(US patent 6654304)之電路圖。 圖2繪示為美國專利(US patent 6157241)之電路圖。 鲁 圖3繪示為美國專利(US patent 6762918)之電路圖1。 圖4繪示為美國專利(USpatent 6762918)之電路圖2。 圖5繪示為美國專利(us patent 6469884)之電路圖。 圖6繪示為美國專利(us patent 6882214)之電路圖。 圖7是依照本發明實施例說明一種適用於可程式化元 件之靜電防護裝置方塊圖。 圖8是依照本發明另一實施例說明一種適用於可程式 ，化元件之靜電防護裝置方塊圖。 57 12694^548twf doc/g • 圖9是依照本發明另一實施例說明一種適用於可程式 化元件之靜電防護裝置方塊圖。 圖10A〜19D是依照本發明分別說明圖7中靜電防護 裝置之各種實施範例。 圖20A〜25D是依照本發明分別說明圖8中靜電防護 裝置之各種實施範例。 圖26A〜28D是依照本發明分別說明圖9中靜電防護 裝置之各種實施範例。 • 圖29是依照本發明說明圖7中靜電防護裝置之另一實 施例電路圖。 ，【主要元件符號說明】 10 ·•節點 " 12 :電流源電路 22 :可程式化熔絲元件 24 :焊墊 26 :接地電壓線 φ 301、410、5(M、62卜 F1 :熔絲 302 :接收器電路 304、306、308 ··電晶體 310、312 :控制電路 414、416 :靜電防護元件 622 :二極體 623 :電阻 700、800、900 :靜電防護裝置 58 1269424stwf.d〇c/g • 701、801、901 :第一節點 702、802、902 :第二節點 710、 810、910:焊墊（pa(j) 711、 811、911 : 一般的靜電防護元件 720 :第一電路 730、840、930、950 :靜電防護單元 740 :第二電路 750、830、940 :可程式化元件 • 760 :第三電路 780 ·拉升/降電路（pull up/down circuit) • 770、860、970 :電源系統 820 :第五電路 ^ 850 :第六電路 920 :第八電路 960 :第九電路 10(Π、11(Π、12(Π、13(Η、14(Η、15(Π、1603、17(H、 φ 1705、18(Π、1805、19(Π、1905、2001、2101、22(Π、23(Π、 2305、 2401、2405、25(Η、2505、26(Π、2605、27(Η、2705、 2801、2805、2901 : Ρ 型電晶體 1003、1103、1203、1303、1403、1503、1603、1703、 1706、1803、1806、1903、1906、2003、2103、2203、2303、 2306、 2403、2406、2503、2506、2603、2606、2703、2706、 2803、2806 : Ν型電晶體 59 I2694348twfdoc/g 1002、1004、1102、1104、1202、1204、1302、1304、 1402、1404、1502、1504、1602、1604、1702、1704、1707、 1708、1802、1804、1807、1808、1902、1904、1907、1908 : 第四電路 2002、2004、2102、2104、2202、2204、2302、2304、 2307、2308、2402、2404、2407、2408、2502、2504、2507、 2508 :第七電路 2602、2604、2607、2608、2702、2704、2707、2708、 2802、2804、2807、2808 :第十電路： ΜΝ0、MN1 :電晶體 m、U2、U3 :反相器

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Claims (1)

1. 8twf.doc/g 1269434 十、申請專利範圍： -第-於式:二件之靜電防護裝置，包括： -靜電=單;以接於-第-節點； 第二端； 而電性連接至該第一電路之 第二端Y A路其第^電性連接至該靜電防護單元之 一可程式化元件，具有第_ — 式化結果，其中該可程式化元件：第：：端’用以紀錄： 二電路之第二端；以及 鳊電性連接至该第 程式化’其第―端與第二端分別電性連接至該可 牙王式化7L件之弟二端與一第二節點； 對^=14第—電路、該第二電路與域該第三電路而 由匕元件進行程式化（啊__)，及/或藉 1 第"1路與/_第三電路喊知該可程 式化几件之私式化結果；以及 免,in靜電放電時，該靜電防護單元提供高阻抗而避 免靜電流鷇知該可程式化元件。 = 中韻-電路包括-導線，並且該導線 料二齡別紐連接錢第―節點與該靜電防 暖早元之第一端。 3.如申請專利範圍第】項所述適用於可程式化 靖電防護裝置，其t該第二電路包括一導線，並且該導線 61 12694QA twf.doc/g 之第一端與第二端分刿 ^ 端與該可程式化元件 連接至该靜電防護單元之第二 、"系—立紫0 4·如申請專利範圍 靜電防護裝置，其中該/項所述適用於可程式化元件之 之第一端與第二端分别包括—導線，並且該導線 端與該第二節點。 A 、接至該可程式化元件之第二 5·如申請專利範圍 、 靜電防護裝置，其t^ 顧述適用於可程式化元件之 6·如申請專利範圍^第，^化兀件疋一熔絲（fuse)。 靜電防護袭置，1中％ $所述適用於可程式化元件之 點輕接-電源電壓線Γ ㈣_—焊塾’而該第二節 7·如申請專利籍圚笛，= 靜電防護裝置，1中％ 1 貞所述適用於可程式化元件之 點轉接-接地電壓線 節點_—焊墊，而該第二節 靜電防護;項所述適用於可程式化元件之 -第ϊθ：ι靜電防護單元包括： 弟一電晶體，該第曰 至該第一電路之楚兔"曰體之源極與汲極分別耦接 -第4: 第二電路之第-端； 該靜電防護單元是否提供高^電晶體之_，用以控制 9·如申請專利範圍第 靜電防護裝置，Μ , /項所迷適用於可程式化元件之 1Π , ^ /、中^亥弟一電晶體是一ρ切雷曰俨。 1〇.如申請專利範圍第9項所社、Ρ “曰曰體。— 之靜電防護裝置，用於可程式化元件 隻裝置*中该第四電路包括—第一導線，該第 62 g I2694^|8twfdoc/ 一導線之兩端分別連接至該第一電晶體 壓線。 閘極與一接地電 11·如申請專利範圍第8項所述適用 、 之靜電防護裝置，其中該第一電晶體I ϋ狴式化元件 12. 如申請專利範圍第二=型電晶體。 之靜電防護裝置，其中該第四電路包括一二:咎式化元件 一導線之兩端分別連接至該第一電晶=一導線，該第 壓線。 暇之閑極與-電源電 ❿ 13. 如申請專利範圍第8項所述適用 之靜電防護裝置，其中該靜電防護單元 1柽，化元件 體，其中該第一電晶體與該第二電晶體^ —第二電晶 電路之第二端與該第二電路之第—端^間；串連於該第- 其中該第四電路電性連接至該第一電1 第二電晶體之閘極，用以控制該靜電：體之閘極與該 阻抗。 ^早4否提供高 Μ.如申請專利範圍第13項所述 之靜電防護裝置，其中該第二電晶體广於可程式化元件 15. 如申請專利範圍第14項所述：：型電晶體。 之靜電防護裝置，其中該第四電路包括一二可程式化元件 二導線之兩端分別連接至該第二電曰一第二導線，該第 壓線。 日日—之閘極與一接地電 16. 如申請專利範圍第13項所 之靜電防護裝置，其中該第二電晶^用於可裎式化元件 这疋―Ν型電晶體。 63 1269434 twf.doc/g 之靜式化元件 二導線之兩端分別連接-第二導線，該第 壓線。 W —電晶體之閘極與一電源電 之靜第1項所述適用於可程式化元件 靜電防護單^之第^ 升/降電路’其電性連接至該 之靜圍第1項所述適用於可程式化元件 裝置，其中該第一節點電性連接_焊塾，而該 =:靜電防護元件’其中該靜電防護元麵至 20;種適用於可程式化元件之靜電防護裝置，包括·· 一第五電路’其第—端電性連接於-第-節點. 式化::程=件，具有第一端與第二端，用以紀錄程 i電::第ΐ:式化元件之第-端電性連接至該第 :靜電防護單元，其第―端雜至财程式化元 件之弟二端；以及 $二第六電路，其第一端與第二端分別電性連接至該靜 電防濩單元之第二端與一第二節點； 一其中藉由該第五電路與/或該第六電路而對該可程式 化兀件進行程式化（Programming)，及/或藉由該第五電 路與/或該第六電路而獲知該可程式化元件之程式化結 果；以及 ° 64 1269m twf.doc/g 當發生靜電放電時，該靜雷防罐 免靜電流毀損該可程式化元；；電早凡提供高阻抗而避 2】.如申請專職㈣2G項所 之靜電防護裝置，其中該第五電 用於了权式化兀件 绩★筮-ώ? ^ ^ V , 电路包括—導線，並且該導 線〜弟-知與弟一端分別電性連接 式化元件之第一端。 $ W點與该可私 22.如申請專利範圍f 2〇項所 之靜電防護裝置，其中該第六電路包括1二=匕= 二端與該第二節點。 接至飾電防護單元之第 24 rfl :中該可程式化元件是-賴岭 之靜電；用於可程式化元件 節點輪拔中4第—即點输—焊墊，而該第二 即點|馬接一電源電麼線。 之靜2電I申=利ff第2〇項所述適用於可程式化元件 价靜電防4裝置，其中該第—節_接—焊塾 郎點輕接一接地電壓線。 ”人一 之靜2電專，圍第2G項所述適用於可程式化元件 防蠖i置，其中該靜電防護單元包括： 至該電匕晶！，該第一電晶體之源極與汲極分_接 "了^式化兀件之第二端與該第六電路之第一端； 第七電路’妾至該第一電晶體之閘極，:以㈣ ^諍電防護單元是否提供高阻抗。 : 65 12694；?4福〇 c/g <&27·如申請專利範圍第2ό項所述適用於可程式化元件 呼電防護裝置，其中該第一電晶體是一 Ρ型電晶體。 气私28·如申請專利範圍第27項所述適用於可程式化元件 〜呼電防護裴置，其中該第七電路包括一第一導線，該第 導、、友之兩端分別連接至該第〆電晶體之閘極與一接地電 \緩。 气知29·如申請專利範圍第26頊所述適用於可程式化元件 \呼電防護裝置，其中該第〆電晶體是一 Ν型電晶體。 <知30·如申請專利範圍第29項所述適用於可程式化元件 〜，電防護裝置，其中該第七電路包括一第一導線，該第 導、、友之兩端分別連接至該第〆電晶體之閘極與一電源電 炎線。 气私31·如申請專利範圍第26項所述適用於可程式化元件 蟪存包防護裝置，其中該靜電防護單元更包括一第二電晶 ^ ’该第一電晶體與該第二電晶體相互串連於該可程式化 件之第二端與該第六電路之第一端之間； 第二中5亥弟四電路電性連接矣該第〆電晶體之閘極與該 瞇^電晶體之閘極，用以控制該靜電防護單元是否提供高 如申請專利範圍第31項所述適用於可程式化元件 靜電防護裴置，其中該第二電晶體是一 Ρ型電晶體。 33·如申請專利範圍第32項所述適用於可程式化元件 砰電防護裝置，其中該第七電路包括一第二導線，該第 66 1269规 8twf.doc/g • 二導線之兩端分別連接至該第二電晶體之閘極與一接地電 壓線。 34. 如申請專利範圍第31項所述適用於可程式化元件 之靜電防護裝置，其中該第二電晶體是一N型電晶體。 35. 如申請專利範圍第34項所述適用於可程式化元件 之靜電防護裝置，其中該第七電路包括一第二導線，該第 二導線之兩端分別連接至該第二電晶體之閘極與一電源電 壓線。 _ 36.如申請專利範圍第20項所述適用於可程式化元件 之靜電防護裝置，其中該第一節點電性連接一焊墊，而該 _ 焊墊中具有一靜電防護元件，其中該靜電防護元件耦接至 該第一節點。 ’ 37.—種適用於可程式化元件之靜電防護裝置，包括： 一第八電路，其第一端電性連接於一第一節點； 一第一靜電防護單元，其第一端電性連接至該第八電 路之第二端；以及 φ 一可程式化元件，具有第一端與第二端，用以紀錄程 式化結果，其中該可程式化元件之第一端電性連接至該第 一靜電防護單元之第二端； 一第二靜電防護單元，其第一端電性連接至該可程式 化兀件之弟^—端，以及 一第九電路，其第一端與第二端分別電性連接至該第 二靜電防護單元之第二端與一第二節點； 67 c/g I2694^8twf.do, 一其中藉由該第八電路與/或該第九電路而對該可程式 化兀件進行程式化（programming)，及/或藉由該第八電 路與/或該第九電路而獲知該可程式化元件之程式化結 果；以及 電防電放電時’該第—靜電防護單元與該第二靜 ^防複早作供高阻抗㈣免靜電_損該可程式化元 之靜==:=== =護=:;!:別電性連接至該第-節心 之靜賴述仙於可程式化元件 =防“置’其中該第九電路包括 線之弟一端與第二端分別電性連接至哕 ^ 、’且 之第二端與該第二節點。 電防護單元 40.如申睛專利範圍第37項所述 之靜4,置，其中該可程式化元件; 之靜電防魏置，1中M — 相於可程式化元件 節點耦接—電源電壓即』耦接-焊墊’而該第二 42·如申請專利範圍第37項所 之靜電防護裝置，其中該第一^ 用於可程式化元件 郎點耦接一接地電^線:Ρ’馬接—焊墊，而該第二 68 1269m twf.doc/g 43. 如申請專利範圍第37項所述適用於可程式化元件 之靜電防護裝置，更包括一第十電路，其中 該第一靜電防護單元包括一第一電晶體，該第一電晶 體之源極與汲極分別耦接至該第八電路之第二端與該可程 式化元件之第一端，而該第一電晶體之閘極則電性連接至 該第十電路； 該第二靜電防護單元包括一第二電晶體，該第二電晶 體之源極與汲極分別耦接至該可程式化元件之第二端與該 第九電路之第一端，而該第二電晶體之閘極則電性連接至 該第十電路；以及 該第十電路用以控制該第一靜電防護單元與該第二靜 電防護單元是否提供高阻抗。 44. 如申請專利範圍第43項所述適用於可程式化元件 之靜電防護裝置，其中該第一電晶體是一 P型電晶體，並 且該第十電路包括一第一導線，該第一導線之兩端分別連 接至該第一電晶體之閘極與一接地電壓線。 45. 如申請專利範圍第43項所述適用於可程式化元件 之靜電防護裝置，其中該第一電晶體是一 N型電晶體，並 且該第十電路包括一第一導線，該第一導線之兩端分別連 接至該第一電晶體之閘極與一電源電壓線。 46. 如申請專利範圍第43項所述適用於可程式化元件 之靜電防護裝置，其中該第二電晶體是一 P型電晶體，並 且該第十電路包括一第二導線，該第二導線之兩端分別連 接至該第二電晶體之閘極與一接地電壓線。 69 126942^stwf.d〇c/g 47. 如申請專利範圍第43項所述適用於可程式化元件 之靜電防護裝置，其中該第二電晶體是一 N型電晶體，並 且該第十電路包括一第二導線，該第二導線之兩端分別連 接至該第二電晶體之閘極與一電源電壓線。 48. 如申請專利範圍第37項所述適用於可程式化元件 之靜電防護裝置，其中該第一節點電性連接一焊墊，而該 焊墊中具有一靜電防護元件，其中該靜電防護元件耦接至 該第一節點。