TWI262304B - A calibration technique for phase retardation of photoelastic modulator with data acquisition system - Google Patents

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1262304 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 在光電量測的眾多技術中，若是提到材料光學參數（如薄膜厚度、折 射率等）之量測，則首推橢圓偏光術(EHipsometry)。橢圓偏光術的原理是利 用已知其偏振態之偏極光，入射一待測物質，經由量測出射光與原先入 射光間的偏振態變化，來反推此待測物質之光學特性。而應用橢圓偏光術 叹。十發展的儀器則稱為橢圓偏光儀(EiiipS〇meter)，橢圓偏光儀中所用到的主 要光子元件有·偏光片（P〇larjzer)、補波片（c〇mpensat〇r)、待測物(Sample) 及析光片（Analyzer)，並依元件設置順序命名此系統（如pcSA系統），上 述系、冼巾之補波現已有被光彈調變H(PhQt()eiastie MQdulatOT-·ΡΕΜ)逐漸 取代的趨勢，光彈調變肢_光彈效應來·相蚊遲，因此它可以處 理各波長，故可擴展成偏絲譜儀，此外顧光彈機之制祕不須轉 ^光學it件，可避免因機械轉動而造成的寄生誤差㈣孤_)，藉由光 採的提昇，可增加其準確性，致使光彈調變器可廣泛地被 1262304 【先前技術】 本研究群發展了以光彈調變器作為相位調變的PPEM S A·型式的擴圓 偏光儀，由 Y· F. Chao and C. K. Wang，“Dlrect DetenninatiQn af Azimuth

Angle in Photoelastic Modulator System；5 Jpn. / Appl Phys, 37 (1998) 3558 讀趙于飛和王昌國之巾華民國發明專利聰％提_穿透方式成功的 校準了光彈調變式偏光儀中各元件的相對偏振角(azimuthal angle)，繼由

Meng-Wei Wang and Yu-Faye Chao, ^Azimuth Alignment in Photoelastic Modulation Ellipsometry at a Fixed Incident Angled Jpn. J. Appl Phys, 41 (2002) 3981以及趙于飛和王夢偉之中華民國發明專利145274繼續發展反 射式單角入射光彈調變式橢圓偏光儀，以量測各種材料（如不透明之材質）， 尤其是針對線上校正封閉真空製程監控系統。 然而在建立一個精確之量測系統之前，完成系統中光彈調變器之相位 角校正亦疋重要的基本工作，自Acher，E. Bigan and B. Drevillon， "Improvements of phase-modulated ellipsometry；5 Rev. Set Instrum. 60 (1989) 6 5以多倍頻信號比值進行量測系統之相位調變振幅（。）校正，並由

Ducharme，et al·其美國專利5,657，126進行非0.383個波長的相位調變振幅 的虿測應用。另一方面，由

Instruments’ Hillsboro, USA，1991)提出相位調變振幅可以用其檢波波形加 以應證，並於 T· C· Oakberg，J· Trunk and J. C. Sutherland，“Calibration of photoelastic modulators in the vacuum UV，，，4133 (2000) 101 利用 多重光路徑方式加強調變振幅校正解析度。 因此本發明將利用數據擷取方式DAq (Data Acquisiti〇n)以多倍頻信號 比值進行量測系統之相位調變振幅（八。)校正和内稟相位延遲（△〇校正、以 改善橢圓參數△和Ψ的量測為發明重點，且在量測系統中，調變振幅可以 用其數據化之檢波波形自行驗證·此法可利用電腦發揮量測信號之時域及 頻域相互驗證的優點，並濾除大量非調變頻率的雜訊，大幅提升橢圓儀的 準確度與即時性。 1262304 【發明内容】 〇〇此部份介紹如何透過數據化量測信號的頻域與時域性質校正光彈調變 :之相位調變振幅（△◦)、内稟相位延遲（△〇，並推導光彈調變式摘圓偏 “儀中Ϊ取之多倍頻信號及檢波波形的基本通式： & j ί 敵②(PhGtGelastie MQdulatQtpEM)所提供 _ 位角 Δ P 為一個 角頻率為，時間函數一般可書寫為，其W。，〜為 ，彈调變②、的相位調變振幅，Δ，為内稟相位延遲，α為調變頻率，但非理 j的ΡΕΜ則會因料加的電壓產生内稟雙折射△,，使相位角~的函 ^請’為了方便推導通式，本部分皆以非理想的相位延遲函數 δ十异’其中當Δ/=0時為即理想的ρΕΜ。 位延針對ΐ彈調變器的相位調變振幅、内禀相 和内稟相位延並透過理論上讀$的波形，對相位調變振幅 朵®：仃/刀析，另外，在固定調變相位延遲下，進行不同波导 先_⑽相糊變振幅之理論式綱。 皮長 1·^反射式系統：多倍頻信號比值校正相位調變振幅 系統所構成辭面為參考平面’ _光彈調變 上，而合偏# -杜 即偏光元件的穿透軸及綠在參考平面 而田偏先兀件的穿透軸或光軸和 十面 位角，即為如圖！所示 _角&、偏&件的方 校正。以史财^〜 了締她_位觸振幅（Δ。)之 〜心^i^ntQkes vecte坟為人射偏振態通過光彈調變器 \〇^p)sp ^f^MA(A)RSAMC¥,A}M 右將偏光片之方位自署 （ (1) 1262304

1(A) = 0.5/o[sin2 A + tan2 Ψ cos2 A ±t3nVFsin2 雄⑵ 光彈調變器之相位延遲為，其中若假設 △>。_，Μα.λ。’ Δρ為光彈調變器的相位調變振幅，△，為 相位延遲1為調變頻率。針對~我們可以_傅立葉展開式表示如下「 sin Δ p = 2JX (δο) sm iwr + 2/3 () sin 3at ............ ⑶ c〇sA；=J0(^) + 2J2((5〇)cos2<y, + 2j4^)c〇s4<yi +............⑷ 將v戈入⑵式’經整理後可將⑶式、⑷式代入，則可分別得到直流分量k、 一倍頻In、一倍頻I2f、二倍頻hf及四倍頻i4f : ^Ai)^〇(S0)sin2A] (5) (6) ⑺ ⑻ (9) he (P = ±45\A) = 0.5/0[sin2 ^ + tan2 Ψcos2 ^ ± tanΨ cos(A Ixf (P = ±45° = ±/〇 [tan Ψ sin(A - Δ7) ^ (δο) sin 2 A] /2/(尸=±45，d) — ±i〇[tanΨcos(A-△,)J2(5。）sin2乂] 73/(P = 土45，4 _ 土’〇[tanΨ sin(A - Δ,) J3 (5σ) sin 2^4 I4f(P = ±45\A) = ±/0[ΙαηΨ〇〇8(Δ - A/)J4(^)sin2^] 經由⑹、⑻或⑺、⑼式可得 A/ = J从)/3， /3 (5〇) 74/ J^0) 其中 5。= 2π. Δ。 (10) 即可算出Δ。，且不需考慮析光片方位角A。 1·2穿透式系統：多倍頻信號比值校正相位調變振幅和内 稟相位延遲 …如圖2所不’以史脫克向量（Stokesvect〇r)、為入射偏振態通過光彈調 變器AWW ’再通過析光片⑷⑷，則出射光之偏振態〜的數學模 寫成： 、工 H ⑷ U0，△凡 （U) 若將偏光片之方位角置於±45度^間，光彈調變器光轴之方位角放 (12) 1262304 在0度，經過推導後其射在各析光片之方位角的分佈為：

' /(^ = ^/[i±sin2^c〇sAJ 光彈調變器之相位延遲為△ S1_ ，而Α=2;γ·Δ。，Δρ為光 。 ，其中若假設 U、一借頻J : 4(ρ = ±45> = 0·5/〇[1、 — / (P-^0 ^ 1-r r . Kai)J〇(s〇)sm2A] ’’--45 ;1 二 ΪΓ7°[διη(△桃 ν( 5，冯=±/。[咖(△抑Jsinh 相位延遲，4調變頻率。將Δ代入^的相位調變振幅，為内稟 則可分別得到直流分量Id。、一倍頻^、式，整理後可將(3)式 '⑷式代入^ (13) (Η) (15) (16) (17) 經由(14)、（16)或(15)、（17)式可得 :2苁人 心忑此）飞/4/—%其中‘ . !in 或 如八/狀） cos^jJ2{5o) /4/ ，、中 A = 2;r ·△〇 即可算出Δ。，且不需考慮析光片方位角A 經由(14)、（15)或(16)、（17)式可得 Τ · λ r / 〇 、 r Δ, ‘[缴或△, tan Λ/^3 (β〇)

me 即可算出，且不需考慮析光片方位角A (18) 2·穿透式系統：檢波波形校正原理 、如圖3所不’以史脫克向量（Stokesvect〇r)~為入射偏振態通過光彈調 變器Μ把〆Θ，ΔΡ」，再通過析光片，則出射光之偏振態、的數學模式可 寫成： sf =mM)mP£M(0，ap).sp (19) l2623〇4 若將偏光片之方位角置於土45度(户=土45。），光彈調變器光軸之方位角放 在〇度，析光片之方位角置於不45度〇4 =科5。），而光彈調變器之相位延遲$ ，其中《=〜△◦，△。為光彈調變器的相位調變振幅，△為 内稟相位延遲，4調變頻率。將△，入(12)式，其射在各析光片 二 的分佈都為： 角 /(0 = 0.5/o[1-cos(A7 sinw〇] (如) lit) = 0.5/〇[1 - c〇s(A7 + 2^: · Δ0 · ύη[2π -51000· t])] ⑵) 其中/ - 量測的最大値 〇 [5[1 —_Δ/+2;γΤδ。)]二 2· 1 ΡΕΜ操作手冊定性校正光彈調變器相位振幅方法 ΡΕΜ操作手冊校正相位調變振幅方法是用△。在〇·奶、〇 5和 信號強度對時間波形比較，為何選這三點呢？可以透過⑵) 式，右考慮為理想的光_變器，内稟相位延遲（ΔιΜ G，由式子可得·· /(〇 = 0.5/〇 [1 - c〇s(2^r * Δ0 - sin[2^r -51000-1])] 利用△〇=0. 45、0· 5和〇· 55λ晝圖，可得圖4 ·· 且在t o 若敏想的絲織11可制具麵雛的波形， 二 趨於平緩的’但在Δ。〉0.5時，如△。--〇·脱， 現輯極小值’而相對在兩邊就產生極大值， Γ ^ , 。·45λ’原本平緩的地方相對於Δ〇=0.5λ時強度變小， 部f極錄，ΡΕ«作手顺正綠就是_ κ 5λθ_Γ方是否趨 於平緩和Δ。〉0· 5和△〇< OR a士 s山拍L h W獅万疋攸 定量的知道。 &正△。到小數一位，小數一位以後無法 據化檢波波形中相位調變 1262304 驗結果卻，財法時，所得波_是蝴紐，但是實 數據化(目⑶，糊得波形和 計曾如辨士 取小平方法，透過均方差（Mean square error) 日°士1 :二’调整，數（Δ。，Δι)，使理論式和實驗值的均方差值為最小，此 對稱原因△。’ ^1)即可自行驗證校正之結果，最後發現是Δΐ造成圖形不 3·多波長相位調變振幅即時校正 、如圖1實驗設置所示，將氦氖雷射改成用多波長氪氩雷射&机隨 =488· 0、514. 5、520· 8、568· 2和647· 1 nm五個波長進行量測，利用固 _ 疋凋變相位延遲方式，以568· 2nm為中心波長，即PEM面板上的波長固定 為568· 2nm ’光彈調變器所顯示的相位調變振幅（Δ。）固定在〇· 3說，對任 何波長都不調整面板上這二個值，即把ΡΕΜ當做對任何波長的固定相位延 遲調變器： 對任何量測波長之相位調變振幅 =中心波長的相位調變振幅與中心波長的乘積並除以該量測波長 A (2, Λ ^ 〇 i^central)X ^central / 〇\ measure j /Measure (22) 即各波長量測出的△。和波長成反比 12 1262304 【實施方式】 本發明依據前述之原理，利用數據化量測信號分別進行相位調變振幅 定量、定性量測校正，内稟相位延遲，且應用在多波長實驗上： 又田 1· 1反射式··多倍頻信號比值校正相位調變振幅 實驗基本0X置同圖1之糸統量測架構，在光彈調變器與析光片門置入 待測物，其中待測物為直徑6吋之Si晶片鍍上Si〇2且膜厚為364& Υ在= 成系統量測架構設置並完成對光後，將偏光片方位角固定在—45度1 =

變器應變軸方位角調到零度位置，本法將入射角固定於75度，又 W 利用反射式橢圓儀所計算出來各倍頻信號可以得到◦， 光片方位角A，如式⑽中的 +而考慮析 :2/τ·Δη

端其中么 而在進行光彈調㈣她織振幅（Δ。)校正時，分糊整光彈 上的相位調變振幅△。，以〇.〇鼠為間隔由〇 368到〇. 以及 1 〇. 55λ三驗量測，糊絲娜卡DAQ (Data Aequisiti⑽_

一abVIEW程式可同步擷取調變系統之多倍頻信號如：一倍頻 ==及四倍頻l4f，利用一倍頻除以三倍頻和二倍頻除以四ϋ : =父正，光之相位調變振幅⑷，圖5為實驗結果，其中』二: /分疋光彈機器上輯顯示相_變振幅（Δ。），和量測的 ^ 致，所以理論線的斜率應為丨。 。要 ^實驗結果如圖5,可以發現不管_—倍赚以三倍頻或二 現Γ身刚相位調變振幅（Λ。)的實驗線很_跟理論線有發“二 4所而θ且利用—倍頻除以三倍頻所得到的斜率G. 9975比用二倍頻除以四 13 1262304 2反射式賴中仙-倍頻除以三倍頻會關二倍頻除以 =好曰主要的’是跟我們所選擇的樣品有關，其中制物為直徑^ ^4鍍上，膜厚為364/，入射角固定於75度，樣品 度和ψ=18_ 36度代入理論式： · 50 (23) (24) (25) (26) ^1/ (^p = -45 \ A) = -/〇 [tan Ψ sin (δ〇) sjn j MP =-45 V卜/。[加〒⑽λ/从)如以] hf (P = -45\A) = -70 [tan Ψ sin Λ/3 (δ〇) sjn 2A] I Af (P = -450 = -/0 [tan Ψ cos Λ/4 (δο) sin 2 A] 可得圖6各倍謝目對的信號強度對相位調變振幅（δ。)理論圖形： 由圖6的圖形我們可以知道在我們量測範圍△。㈣3 中一和三倍頻所得到信號強度都比二和四倍 』·55λ广 是利用基偶倍頻信號相除而求得量測的大：二我們 的結果當會《強度小來的好。 所机顧度大兩者相除所得 1· 2穿透式：多倍頻信號比值校正相位調變振幅 實驗基本設置依圖2之系統量測架構，而實驗步驟和 定量量測校正步驟-樣，在於-個是反射：. 站Μ ¥口周上面所顯不相位調變振幅（Δ。），和量測 致，所以理論線的斜率應為卜 才里·、（果要- 而由實驗結果如圖7可以發現不管彻 倍頻，斜率倍_三 移量都在0·020λ左右 訂午值1且母一點所量測出來的偏 14 1262304 而在穿透式架構中使用二倍 果還好主要的原因，可以透二四倍頻會比用—倍頻除以三倍頻結 仇延遲: 牙透式理論式來解釋，若不考慮考慮内稟相 (27) (28) (29) (30) )理論圖形 2/(Ρ 45 ^) = -/0[72(^〇)δίη2^ ’3/CP = -450，Ζ) =： 〇 …于丨® 8各域相對的信號強度對她調變振幅（△〇 和四我:量測範圍△。從到。·550λ，其中二 頻信號理論上都應號強度來社，而且一和三倍 信號相除求得量_ △。。牙透式猶中我們應該賴我二和四倍頻 1.3穿透和反料比較:多倍頻信號比值校正相位調變振幅 再脾μ 1乂-穿透式糸、、充中使用二和四倍頻信號相除求得的△。較好， 再將兩糸統所付△。放置同一張圖於圖9比較： 果幾可二道用此基偶倍頻相除的方法在兩不-樣的系統所做出結 合，料以我們所制的光_麵之恤機振 ^了偏移，且每—點所量測出來的偏移量都在g.酿附近。經由穿透辦 ，偶倍頻比值及反射式_奇倍氣值的校正結果的吻合程度，可判 斷侦測祕在增益機後其平坦之鮮響_寬是否可進行倍頻比校正、。 L 4穿透式•·多倍頻信號比值校正内稟相位延遲 15 1262304 基本叹置依圖2之系統量測架而 相位調變触（Δ技«翁正步n 卩巾牙透式· 上的相彈峨器内稟相位延遲（Δΐ)量測時"分別調整光彈調變器 二”支^振幅△。，以0· 005入為間隔由〇·368到〇·398以及0·45、〇· 5、

LabVIEW^^n ^ DAQ(Data Acquisition) ^ :供Γ 同步娜調變系統之多倍頻信號如：-倍頻L、二倍頻k 别二οΓ及Γ倍頻^，利用一倍頻除以二倍頻或三倍頻除以四倍頻即可分 里》、出光彈調變器之内稟相位延遲（△0,目10為實驗結果： -俾由實驗結果可以發現相位調變振幅△。在G· 368到G. 398和Μ5λ利用 。頻除以二倍頻所得到的内稟相位延遲（△〇較三倍頻除以四倍頻好，而 振變f幅所得賴嶋目健遲（Δι)並不會差很大，但是相位調變 ί和〇· 5认就可以發現使用三倍頻除以四倍頻所得到的内窣相 東i 較一倍頻除以二倍頻好，而且和不同相位調變振幅所得到的内 ㊉^延遲（Δ〇也較吻合。而主要的原因是跟信號的強度有關，由上面實 驗結果可以_ Κ22度，所咖果考慮Δι=4·22度代讀論式：面貝 7i/(^ = -450^) = +/0[sinA//1(^)sin2^] ^(31) I2f{P ^ .450^) = ./〇[cosA7J2(^)sin2^] (32) /3/(P - -45°5^) = +/〇[sinAfJ3(δ0)sin2A] (33) hf (P - -45°?^) = Λ[cosΔ7J4(5o)sin2A] (3句 可以得到圖11各倍頻相對的信號強度對相位調變振幅（△◦)理論圖形： 可以發現△。在〇· 368到〇· 398和0· 45λ時一倍頻信號比三倍頻信號 、二倍頻信號比四倍頻信號大，而△。在〇· 5和〇· 55λ時候此時三^頻°俨 ^比-倍頻信號大，尤其在Δ。在〇· 55λ最為__倍頻理論上信^錄 f近於0，所以此時使用三倍頻除以四倍頻所得到的内稟相位延遲（Δι)又較 —倍頻除以二倍頻好。 16 1262304 2·1檢波波形定性校正原理 成對2基Γ圖3之祕制_，在完減統量測_設置並完 度位置，析光片方< t位^固定在—45度及光彈調變器應變軸方位角調到零 巾t △，在π仏n立角固定在+45度，分別調整光彈調變器上的相位調變振 二祕5和〇·说三點做量測’利用數操取卡_，透過所撰 變器相位調=^取)日絲’由所_驗形™光彈調 θ ^光彈調變器操作手冊中說明只要透過△』·5λ時的波形在蜂值地方 疋（於平緩來判斷相位調變振幅，由實驗結以知 :疋光彈.H所顯示Δ。推算理論波形和實驗波形針對峰值來做比 較，容易知道差別在那裡，結果如圖12左·· 由囷升y"T以知道實驗結果和理論圖形並不是十分吻合，所以可知光彈 调f器相位調變振幅已經有偏移了，致於偏移多少，可以透過我們之前使 ^牙透式相位機振幅定量量測校正法，糊偶倍頻信號的相除可以定量 得到相位調變振幅，在利用此量測出來的值代入理論式和實驗波形做比 較，結果如圖12 : 由圖形（圖12右）可以知道透過我們定量量測所得到的結果代入理論式 和實驗的波形形狀吻合，可以自行驗證，透過基偶倍頻信號相除所得到相 位調變振幅的準確性。 2.2數據化檢波波形驗證相位調變振幅和内稟相位延遲 實驗基本設置依圖3之系統量測架構，在完成系統量測架構設置並完 成對光後，將偏光片方位角固定在+45度及光彈調變器應變軸方位角調到零 度位置，析光片方位角固定在_45度，分別調整光彈調變器上的相位調變振 幅△。’在0. 45、0. 5和〇· 55λ三點做量測，利用數據擷取卡DAQ，透過所 17 1262304 撰寫LabVIEW程式可擷取時間訊號的波形，透過所擷取到的波形使用最小 平方法，可驗證内稟相位延遲和相位調變振幅。 由圖形來看，理想的PEM取下來的波形應呈對稱波形，但是由下圖波 形明顯呈不對稱性，所以由此觀點出發有可能是參數所造成，於是就利 用理論式所得波形和實驗波形比較，使用最小平方法，透過均方差（Mean square error)計算指標，調整參數（△〜Δι)，使理論式和實驗值的均方 差值為最小，此時之參數（△◦，△!)即為校正之結果。圖13即是校正之後 參數（Δ。，理論和實驗圖形的結果： 由圖13若考慮此參數△1，則實驗和理論圖波形吻合，由此證實光彈 鲁 調變器内稟相位延遲的存在，才造成波形呈不對稱性，且平均都位移了 0· 020λ和之前的數據吻合。 3·多波長相位調變振幅即時校正 實驗基本設置同圖1之系統量測架構，在光彈調變器與析光片間置入 待測物，其中待測物為直徑6吋之Si晶片鍍上Si〇2且膜厚為364】，將入 射角固定於70度，在完成系統量啦構設置並完成對光後，將偏光片方位 角固定在±45度及光彈調變器應變軸方位角調到零度位置。 以多倍頻信號比值進行量測系統之相位調變振幅（Δ。)校正的優點是相 鲁 位調變振幅在任何位置皆可量測橢圓參數△和ψ，並非一定要放在〇38从 這一點，固定調變相位延遲方式以568· 2 nm為中心波長，即顺面板 上的波長固定為568.2 nm，光彈調變器所顯示的相位振幅（Δ。）固定在 0· 383λ，對任何波長都整面板上這二健，將原本氦氖雷射臓e【継 10換成多波長氪氬雷射KrAr Laser並利用：488.0、514.5、520.8、568.2 * 和647.1 _五個》皮長進行量測，而在進行光彈調變器相位調變振幅（△〇校 正時，利用數擷取卡DAQ，透過所撰寫LabVffiw程式，可同步擷取調變 系統之直流分量id。和多倍頻信號如·· _倍頻Ih、二倍頻三倍頻^ 及四仏頻1“ ’侧-倍頻除以三倍頻或二倍頻除以四倍頻即可校正出光彈 18 1262304 調變器之多波長相位調變振幅（Δ〇(λ))， 利用固定調變相位延遲方式以568.2咖為中心波長方式，透過㈤式 •出理14可以發現不同波長所對應她觀振幅（△。⑴)是 湘麵赖线5卩料好錄相位調變 4·光彈調變器相位角校正流程 以數據擷取方式校正光彈調變器相 將數據擷取系統用於頻譜儀模及^方法可利用圖15之校正流程 及進行多波長即時校正。 ’恭試並將所得校正絲相互驗證

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Claims (1)

126娜十太 - 十、申請專利範圍：

-種以數獅取方式校正光_變器相位狀方法， 儀線上之一即時量測，該方法至少包含： 爾u偏光 利用一反射式及一穿透式架構校正該相位調變振幅; 利用一穿透式架構校正該内稟相位延遲； -數據擷取方式傅立葉轉換量測_光彈調變器之—多朽 換算該光彈調變器之一相位調變振幅及一内稟相位延遲；口、D儿 利用-數據化之-檢波波形校正該她機振幅及㈣相位延遲· 以及 ’

於-固㈣變她延遲下選定-巾碰長，同步進行複數個不同波長之 該光彈調變器之該相位調變振幅之一校正動作。 又 2·如申請專利範圍f 1項所述之方法，射利用穿透式架構量測之偶倍頻 比值及利用反射式架構量測之奇倍頻比值其個別校正結果之吻合程^y，、 可作為判斷偵測系統在增盈調整後其平坦之頻率響應頻寬是否可 頻比校正。 、、 3·如申請專職圍第1項所述之方法，其中姻_穿透核構校正該内禀 相位延遲時，可透過一二倍頻比值或三四倍頻比值推算，其選擇依據當 時相位調變振幅所對應之信號強度較大者。 、 田 4·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中利用穿透和反射式系統之多倍 頻信號比值校正之相位調變振幅及内稟相位延遲，可用其數據化之檢^ 波形自行驗證。 5.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中利用一數據化之一檢波波形中 可使用最小平方法擬合檢波波形之不對稱以便校正其内禀相位延遲广 22 1262304 6.如申請專利範圍第1項所述之方法，經由中心波長利用固定調變相位延 遲方式，其中複數個不同波長之該相位調變振幅和其不同波長成反比， 便能即時校正該波長之相位調變振幅。

23 1262304 >光信號路徑

參 泰

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圖2 26 1262304 30 20 I 40

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