TWI242917B - Laser crystallization system and method of real-time controlling an energy density in a laser annealing procedure - Google Patents

Description

1242917 五、發明說明（1) · 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種雷射結晶系統暨一種準分子雷射 退火之方法，尤指一種具有光學檢測暨雷射能量密度校 正功能之雷射結晶系統暨一種即時控制準分子雷射退火 製程之能量密度之方法。 【先前技術】 液晶顯示器具有外型輕薄、耗電量少、解析度佳、無 輻射以及抗電磁干擾等特性，故已被廣泛地應用在手 機、個人數位助理（P D A )、筆記型電腦、平面顯示器等資 訊家電產品上。然而隨著使用者對於顯示器視覺感受要 求的提昇，加上新技術應用領域不斷的擴展，於是更高 晝質、高解析度且具低價位的液晶顯示器變成未來顯示 技術發展的趨勢，也造就了新的顯示技術發的原動力， 而其中低溫複晶矽薄膜電晶體（LTPS TFT)技術是達成上 述目標的一項重要量產技術。 * 一般低溫多晶矽製程大多利用準分子雷射退火 (E X c i m e r Laser Annealing, ELA )技射i 進 4亍，亦即矛J 用準分子雷射作為熱源以將非晶矽結構轉換為多晶矽結 構。當準分子雷射經過光學投射系統後，會產生能量均 勻分布的雷射光束，並投射於沉積有非晶矽膜的基板

1242917 五、發明說明（2) 上，以使吸收準分子雷射能量的非晶矽膜再結晶而轉變 成為多晶矽結構。由於上述製程係於6 0 0 °C以下完成，一 般玻璃基板或是塑膠基板等皆可適用，因此更擴大了低 溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的應用範圍。 如前所述，目前在低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示 器的製作上，係以一準分子雷射光束照射掃瞄基板，藉 此使基板上預先沉積的非晶矽轉換為多晶矽結構。基板 表面之多晶矽結構之品質會直接影響之後形成各式元件 的特性，且多晶矽結晶狀態的好壞主要受到二項因素的 影響，一為基板表面之非晶矽膜厚，一為準分子雷射光 之能量密度。其中隨著低.溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示 器的設計不同，或非晶矽鍍膜製程之反應條件的差異， 進行準分子雷射退火製程的各批次基板表面之非晶矽膜 厚或結晶狀態可能有所不同，因此於進行準分子雷射退 火製程時必須選用適當能量密度的準分子雷射，否則會 使基板表面之多晶矽結晶狀態不佳。另外，由於準分子 雷射之原理係將氣體封存於一密閉腔室内，並利用電力 激發氣體產生準分子雷射，因此準分子雷射通常視使用 狀況經歷約十數小時即必須重新填充新氣體，且準分子 雷射的能量密度會隨著使用時間而衰減，因此其能量密 度不易控制。基於上述準分子雷射本身之限制，於進行 準分子雷射製程時即使預先設定了一最佳能量密度，準 分子雷射的實際能量密度往往因衰減而與預先之設定值

第8頁 1242917 五、發明說明（3) 有所差異，而影響多晶矽之結晶狀態。 除此之外，目前用來檢測基板表面之多晶矽結晶狀 態的方法主要有二種檢測方法，其一係利用一掃描式電 子暴貝指支鏡(scanning electro microscope, SEM )檢涓1J 多晶矽結晶狀態，另一種則係利用深紫外線顯微鏡 (d e e p U V m i c r 〇 s c 〇 p e )檢測多晶石夕結晶狀態。其中， 掃描式電子顯微鏡係用來檢視晶粒的大小（g r a i η size)和形狀與分佈狀況，然而由於此方法必須切割基 板’並且需要經過腐餘化學處理以突顯晶界（grain boundary )來作樣品分析，不僅不符合生產線的需求且 屬於破壞性檢測，故只適用來作抽樣檢查。而深紫外線 顯微鏡則係用來觀察多晶矽的表面突起物排列的情形， 然而由於此方法需將樣品放大至一萬倍以上，所以只能 用來檢測基板上數微米區域的多晶矽結晶狀態之好壞， 若對整片基板進行檢測需花費數天的時間來檢測一片基 板，非常耗時，此外其設備相當精密而複雜，價格昂 貴。 · 使用上述檢測方法即使檢測基板表面的多晶石夕之結 晶狀態不佳，亦無法迅速調整出適合當時狀況之準分子 雷射的能量密度。因此，如何改善現有雷射結晶裝置以 及多晶矽結晶狀態之檢測方法，以提高檢測效率與準分 子雷射製程的良率，已成為當前重要課題。

第9頁 1242917 五、發明說明（4) 【發明内容】 本發明之主要目的在於提供一種具有光學檢測暨雷 射能量密度校正功能之雷射結晶系統暨一種即時控制準 分子雷射退火製程能量密度之方法，以檢測出基板表面 之多晶矽結晶狀態，並即時調整準分子雷射之能量密度 至一最佳值，以形成良好之多晶石夕結構。 根據本發明之專利範圍，係提供一種具有光學檢測 暨雷射能量密度校正功能之雷射結晶系統暨一種即時控 制準分子雷射退.火程序能量密度之方法。該雷射結晶系 統包含有一準分子雷射退火（excimer laser annealing) 裝置與一光學檢測裝置。該準分子雷射退火裝置可執行 一最佳能量密度決定程序及一準分子雷射退火程序，其 中該最佳能量密度程序係用來決定準分子雷射之一最佳 能量密度，而該準分子雷射退火程序係依據該最佳能量 密度利用準分子雷射將一基板表面之非晶矽（amorphous s i 1 i c ο η )轉換成多晶石夕（ρ ο 1 y s i 1 i c ο η )。該光學檢測裝置 係用來於該最佳能量密度決定程序中檢測出該最佳能量 密度，並於該準分子退火程序中判斷出該基板表面之多 晶矽之結晶狀態是否良好。另外，該光學檢測裝置包含 有一光源產生器、一影像接收器以及一資料處理系統。 該光源產生器係用來產生一可見光以照射該基板表面。

第10頁 1242917 五、發明說明（5) 該影像接收器係用來擷取該基板表面所呈現的反射影 像。該資料處理系統則與該準分子雷射退火裝置相連 接，用以接收該影像接收器所檢測出之資訊，並根據該 等資訊控制該準分子退火裝置。 上述即時控制準分子雷射退火程序之能量密度的方 法，包含有利用一表面具有非晶矽層之基板，進行一最 佳能量密度決定程序，以決定出該準分子雷射退火程序 之最佳能量密度，以及提供一表面具有非晶石夕層之產品 基板，且該產品基板表面之非晶矽層的製程條件係完全 相同於該基板表面之該非晶矽層的製程條件，再利用前 一步驟所決.定出之該最佳能量密度的準分子雷射來照射 該產品基板，藉此將該產品基板表面之非晶矽層轉換為 多晶矽層。 由於本發明之雷射結晶系統包含有一光學檢測裝 置，配合本發明即時控制準分子雷射退火程序之能量密 度的方法，可即時調整準分子雷射的能量密度於一最佳 值，故可確保多晶矽層之結晶狀態。 【實施方式】 請參考圖一，圖一為本發明之一具有光學檢測暨雷 射能量密度校正功能之雷射結晶系統1 0之示意圖。如圖

第11頁 1242917 五、發明說明（6) 一所示，雷射結晶系統1 0包含有一準分子雷射退火 (excimer laser annealing)裝置12與一由一光源產生器 1 4及一影像接收器1 6組成之光學檢測裝置。其中準分子 雷射退火裝置1 0可產生準分子雷射，並以線狀掃描方式 照射一基板1 8，藉此將基板1 8表面之一石夕薄膜之結晶狀 態由非晶矽結構再結晶而轉換為多晶矽結構。光學檢測 裝置則係用來判斷經由準分子雷射照射後之基板1 8表面 的矽薄膜是否形成良好的多晶矽結構，其中光源產生器 1 4可產生一可見光（例如白光）照射基板1 8，並與基板1 8 呈適當的角度（上述角度介於10-85度，並以介於15-30度 為較佳），而由於經由準分子雷射照射後之基板1 8表面之 I 多晶矽結構會具有如陣列般排列之突起物（圖未示），因 此光源產生器1 4產生之可見光會經突起物（圖未示）反射 並被影像接收器1 6所接收，而顯示出複數個垂直於準分 子雷射掃描方向之條紋，其中於本實施例中影像接收器 1 6係使用一高速線性掃描照相機來擷取可見光之反射影 像，並利用一顯示裝置（圖未示）顯示反射影像。 經實際觀察後發現當準分子雷射具有適合基板1 8表 面狀況的能量密度的情形下，基板1 8表面之突起物（圖未 示）會呈均勻規則性的排列，且其排列間距約介於2 5 0 0至 · 3 3 0 0奈米，因此具有類似分光光柵的作用，在此情況下 經由突起物（圖未示）反射之光線的光程差經公式計算後 會介於5 3 94 - 8 6 8 4奈米，恰好是綠光的波長，換言之，當

第12頁 1242917 五、發明說明（7) 基板1 8表面之多晶矽具有良好的結晶狀態時，基板1 8表 面之突起物（圖未示）會對綠光產生最大的建設性干涉， 因此在此狀況下影像接收器1 6之顯示裝置（圖未示）所顯 示出的影像會呈現一整片綠色影像，而另一方面，當準 分子雷射之能量密度不匹配時，影像接收器1 6顯示出的 影像會呈現綠色與黑色相間的條紋，甚至會出現全黑的 情況。 利用上述原理，本發明之雷射結晶系統1 0可執行一 最佳能量密度決定程序，並於一準分子雷射退火程序結 束後進行一檢測程序，以檢測多晶矽之結晶狀態。其 中，最佳能量密度程序係於進行準分子雷射退火程序之 前，例如機台的每日保養、檢修後、批次產品生產前， 或是於品管的檢測程序中檢測出多晶矽之結晶狀態不佳 的情況下，用來決定或調整準分子雷射程序中所應採用 之一最佳能量密度。 為進一步說明上述最佳能量密度決定程序，請參考 圖二及圖三。其中圖二為一利用不同準分子雷射能量密 度照射一基板上不同區域之示意圖，而圖三為一準分子 雷射能量密度與可見光之反射光相對強度與各區域之反 射光變異係數（c 〇 e f f i c i e n t 〇 f v a r i a n c e， C V )之關係 圖。本發明於進行最佳能量密度決定程序時，首先如圖 二所示，將一基板20區分為A、B、C及D四個區域，並分

第13頁 1242917 五、發明說明（8) 別利用具不同能量密度的準分子雷射（在此範圍中區域 A、B、C及D所對應之能量密度分別為圖三所示之EC-10、 EC、EC + 10、EC + 20)照射上述四區域，藉此將基板20表面 之非晶矽結構轉換為具有不同結晶狀態之多晶矽結構。 接著再依序利用可見光照射上述區域，並量測各區域之 反射光之強度。同時進一步量測出各區域内沿準分子雷 射掃描方向上不同位置之反射光之強度變化，以計算出 各區域之反射光強度之變異係數，藉此製作出圖三之準 分子雷射能量密度與可見光之反射光相對強度以及各區 域反射光強度之變異係數的關係圖。 由圖三可知，當準分子雷射之能量密度為EC時，EC 對應之區域B的反射光之相對強度遠大於其他能量密度對 應之區域（A、C及D)的反射光之相對強度，除此之外，B 區域之反射光強度之變異係數亦小於其他區域之變異係 數，因此不會形成可視之條紋。換言之，在上述具有最 佳能量密度之準分子雷射的照射下，基板20表面之多晶 矽結構具肴良好的結晶狀態。而由影像接收器之顯示裝 置所顯不之結果亦與上述結果吻合’如圖二所不’在區 域B所顯示出之影像為一整片綠色（由於專利圖示並非彩 色圖示，無法反應其真實色彩，特此說明），而其他區域 的影像，不論是能量密度過小（如區域A )或過大之區域 (如區域C與D)均出現了大小不一之干涉條紋，當能量密 度差異過大時，甚至會出現全暗的情況。

第14頁 1242917 五、發明說明（9) 於上述最佳能量密度決定程序中，基板2 0上各區域 之反射影像可利用影像接收器擷取後，利用顯示裝置直 接比對反射光之灰階與條紋狀態以判斷出最佳能量密 度。然而本發明之光學檢測裝置可另包含有一資料處理 系統，用來計算出各區域之反射光相對強度與變異係數 二項參數，藉以判斷出最佳能量密度。另外，資料處理 系統亦可儲存影像接收器1 6所擷取之影像資料，以歸納 出一最佳反射影像，而決定當次的最佳能量密度，並可 視需求儲存該次最佳反射影像及最佳能量密度，以作為 曰後各反射影像的參考影像資料，藉由比對分析以更有 效控制準分子雷射之能量密度。 一旦透過最佳能量密度決定程序決定出最佳能量密 度後，即可進行準分子雷射退火程序，先調整準分子雷 射之能量密度為上述最佳能量密度，再以線狀掃描方式 依序照射與基板2 0具有相同表面狀況之產品基板，藉以 將產品基板表面之非晶矽結構轉換為多晶矽結構。其中 值得注意的是如前所述，由於準分子雷射裝置本身的限 制，即使設定了預定的能量密度，實際產生的準分子雷 射之能量密度亦會隨著使用時間而衰減。另外，隨著產 品設計的變更或是非晶矽鍍膜製程的製程條件不同，非 晶矽層的厚度、特性可能有所不同。在上述二種情況 下，原先設定之最佳能量密度可能無法達到預期的效

第15頁 1242917 五、發明說明（10) 果，而導致多晶矽的結晶狀態不佳◦因此每一片產品基 板於準分子雷射退火程序後，本發明之雷射結晶系統1 0 可選擇性地進行一即時檢測程序，利用光學檢測裝置進 行非破壞性檢測，當產品基板之多晶矽結構不佳時，即 立刻停止準分子雷射程序，並以原先排定之下一片產品 基板再一認進行最佳能量密度決定程序，重新決定出一 符合當時條件之最佳能量密度，再繼續進行準分子雷射 退火程序，藉此達到即時控制準分子雷射之能量密度的 功能。 為進一步說明本發明即時控制準分子雷射之能量密 度之功能，請參考圖四，圖四為本發明即時控制準分子 雷射退火程序之能量密度的方法之一流程圖。如圖四所 示，本發明即時控制準分子雷射退火程序之能量密度的 方法包含有下列步驟： 3 0 :進行一最佳能量密度決定程序； 4 0 :進行一雷射退火程序；以及 5 0 :進行一檢測程序，判斷多晶矽結晶狀態是否良好， 若是則執行步驟4 0，以另一基板進行雷射退火程 序，若否則執行步驟3 0，進行另一最佳能量密度決 定程序。 本發明即時控制準分子雷射退火程序之能量密度的 方法流程詳述如下。首先，進行一最佳能量密度決定程

第16頁 1242917 五、發明說明（11) 序，先提供一表面具有一非晶矽層之基板，並將基板表 面之非晶矽層區分成複數個區域，接著利用不同能量密 度之準分子雷射照射各區域，以將各區域之非晶矽結構 轉換為具有不同結晶狀態之多晶矽結構。最後利用光學 檢測裝置檢測出各區域之結晶狀態，以決定出一最佳能 量密度。 接著進行準分子雷射退火程序，提供一表面具有非 晶矽層之產品基板，且上述產品基板表面之非晶矽層的 製程條件係完全相同於最佳能量密度決定程序中所使用 之基板表面之非晶矽層的製程條件，再利用具有上述最 佳能量密度的準分子雷射來照射產品基板，藉此將產品 基板表面之非晶矽層轉換為具有良好結晶狀態之多晶矽 層。 最後再進行檢測程序，利用本發明之光學檢測裝置 檢測經過上述準分子雷射退火程序之產品基板表面之多 晶矽層是否具有良好結晶狀態。若多晶矽層之結晶狀態 在可接受之範圍内，則繼續載入下一片具有相同表面狀 態之產品基板，並以相同能量密度進行準分子雷射退火 程序，以此類推。一旦產品基板之表面狀況因設計不同 有所變更，或是於檢測程序中檢測出經過準分子雷射退 火程序之產品基板表面之多晶矽層之結晶狀態不佳，即 表示目前準分子雷射之能量密度非最佳能量密度，在此

第17頁 1242917 五、發明說明（12) 狀況下立刻以下一片產品基板進行另一最佳能量密度決 定程序，以決定出符合當時條件之最佳能量密度。當決 定出新的最佳能量密度後，即調整準分子雷射之能量密 度為新的最佳能量密度，並繼續進行準分子雷射退火程 序，以此類推。 相較於習知技術，本發明之具有光學檢測暨雷射能 量密度校正功能之雷射結晶系統暨即時控制準分子雷射 退火程序之能量密度的方法，透過一光學檢測裝置可迅 速決定出一最佳能量密度，同時透過即時監控多晶矽層 之結晶狀態，可即時有效校正雷射能量密度，確保準分 子雷射製程之品質。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申 請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明專利 之涵蓋範圍。

第18頁 1242917 圖式簡單說明 圖式之簡單說明 圖一為本發明之一具有光學檢測暨雷射能量密度校正功 能之雷射結晶糸統之不意圖。 圖二為一利用不同準分子雷射能量密度照射一基板上不 同區域之不意圖。 圖三為一準分子雷射能量密度與可見光之反射光相對強 度以及各區域反射光強度變異係數之關係圖。 圖四為本發明即時控制準分子雷射退火程序之能量密度 的方法之一流程圖。 圖式之符號說明 10 雷 射 結 晶 系 統 12 準 分子 雷 射裝置 14 光 源 產 生 器 16 影 像接 收 器 18 基 板 20 基 板 3 0 最 佳 能 量 密 度 決 定 程 序 40 準 分 子 雷 射 退 火 程 序 50 檢 測 多 晶 矽 結 晶 狀 態 是 否良 好

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Claims (1)

1242917 六、申請專利範圍 1. 一種具有光學檢測暨雷射能量密度校正功能之雷射 結晶系統，該雷射結晶系統包含有： 一準分子雷射退火（excimer laser annealing)裝 置，該準分子雷射退火裝置可執行一最佳能量 密度決定程序及一準分子雷射退火程序，其中 該最佳能量密度程序係用來決定準分子雷射之 一最佳能量密度，而該準分子雷射退火程序係 依據該最佳能量密度利用準分子雷射將一基板 表面之非晶石夕（amorphous silicon)轉換成多晶 石夕（polysilicon);以及 一光學檢測裝置，用來於該最佳能量密度決定程序 中檢測出該最佳能量密度，並於該準分子退火 程序中判斷出該基板表面之多晶矽之結晶狀態 是否良好，該光學檢測裝置包含有： 一光源產生器，用來產生一可見光以照射該基 板表面； 一影像接收器，用來擷取該基板表面所呈現的 反射影像，以及 一資料處理系統，與該準分子雷射退火裝置相 連接，用以接收該影像接收器所檢測出之 資訊，並根據該等資訊控制該準分子退火 裝置。 2. 如申請專利範圍第1項所述之雷射結晶系統，其中該

第20頁 1242917 六、申請專利範圍 準分子雷射退火裝置係利用準分子雷射以線狀掃描方式 執行該最佳能量密度決定程序及該準分子雷射退火程 序0 為 係 器 收 接 像 影 第該 圍且 範， 利光 專白 請為 申係 〇 如光機 見相 .可昭⑴ 3 一 ' 該 中 其 統 系 晶 結 射 雷 之 述 所 項 描 掃 性 線 速 高 於 介 角 夾 面 平 之 板 基 第該 圍與 範度 利角 專射 請照 申之 如光 見。 4可間 統 系 晶 結 射 雷 之 述 所 項 該 中 其 之 度 5 8 至 統 系 晶 士口 身 雷 之 述 •所 項 於 介 角 夾 面 平 之 板 基 第該 圍與 範度 利角 專射 請照 申之 如光 見 •可 5 一 該 中 其 之 度 ο 3 至 第有 圍接 範連 利另。 專統況 請系狀 申理晶 如處結 料之 •資面 6 該 其 統 系 晶 結 射 雷 之 述 所 項 表 板 基 該 示 顯 .以 用 置 裝 示 顯 b— 方 的 度 密 量 能 佳 最 之 程 製 火： 退驟 射步 雷列 子下 分有 準含 定包 決法 USul f 種方 一該 ί.法 fcr ¥ 該 且 層 晶 tr ¥ - 有 具 面 ； 表域 板區 基個 該數 ，複 板有 基分 一區 供係 提層 晶

第21頁 1242917 六、申請專利範圍 進行一準分子雷射退火程序，並分別利用不同能量 密度之準分子雷射照射各該區域；以及 利用一光學檢測裝置檢測各該區域之結晶狀態，且 具有最佳結晶狀態之區域所對應之準分子雷射的能量密 度即為該最佳能量密度。 8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該最佳能量 密度係用來提供給該準分子雷射退火程序，以將至少一 產品基板表面之非晶碎層結構轉換為多晶碎層，且該產 品基板表面之非晶矽層的製程條件係完全相同於該基板 表面之該非晶矽層的製程條件。 9. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該準分子雷 射退火程序係利用準分子雷射以線狀掃描方式照射該基 板表面之該非晶矽層，以將該非晶矽層之非晶矽結構再 結晶成多晶矽結構。 10. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該光學檢測 裝置包含有： 一光源產生器，用來產生一可見光以照射該基板表 面之各該區域；以及 一影像接收器，用來擷取各該區域所呈現的反射影 像。

第22頁 1242917 六、申請專利範圍 11. 如申請專利範圍第1 0項所述之方法，其中該光學檢 測裝置另包含有一資料處理系統，用來分析並比對該影 像接收器所擷取之各該反射影像，以判斷各該區域之結 晶狀態，進而決定該準分子雷射退火程序之最佳能量密 度。 12. 如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中判斷各該 區域之結晶狀態之步驟包含有比較各該區域之反射影像 相對亮度強弱與比較由各該區域内不同位置計算出之反 射影像的變異係數（coefficient of variance， CV)大 /J、 ο 13. 如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中該資料處 理系統可儲存該影像接收器所擷取之各該反射影像，且 該資料處理系統另包含有一最佳反射影像，用來與該影 像接收器所擷取之各該反射影像進行比對，以進一步調 整該準分子雷射退火程序之該最佳能量密度’。 14. 如申請專利範圍第1 0項所述之方法，其中該可見光 之照射角度與該基板之平面夾角介於1 0至8 5度之間。 15. 如申請專利範圍第1 0項所述之方法，其中該可見光 之照射角度與該基板之平面夾角介於1 5至3 0度之間。

第23頁 1242917 六、申請專利範圍 16. 一種即時控制準分子雷射退火製程之能量密度的方 法，該方法包含有下列步驟： (a) 利用一表面具有非晶矽層之基板，進行一最佳能 量密度決定程序，以決定出該準分子雷射退火程序 之最佳能量密度；以及 (b) 提供一表面具有非晶矽層之產品基板，且該產品 基板表面之非晶矽層的製程條件係完全相同於該基 板表面之該非晶矽層的製程條件，再利用步驟（a)所 決定出之該最佳能量密度的準分子雷射來照射該產 品基板，藉此將該產品基板表面之非晶矽層轉換為 多晶石夕層。 17. 如申請專利範圍第1 6項所述之方法，其中該最佳能 量密度決定程序另包含有下列步驟： 提供一基板，該基板表面具有一非晶石夕層，且該非 晶矽層係區分有複數個區域； 進行一準分子雷射退火程序，並分別利用不同能量 密度之準分子雷射照射各妖區域，以將各該區域之非晶 矽結構轉換為具有不同結晶狀態之多晶矽結構；以及 利用一光學檢測裝置檢測各該區域之結晶狀態，以 決定該準分子雷射退火程序之最佳能量密度。 18. 如申請專利範圍第1 7項所述之方法，其中該光學檢 測裝置包含有：

第24頁 1242917 六、申請專利範圍 一光源產生器，用來產生一可見光以照射該基板表 面之各該區域， 一影像接收器，用來擷取各該區域所呈現的反射影 像；以及 一資料處理系統，用來分析並比對該影像接收器所 擷取之各該反射影像，以判斷各該區域之結晶狀態； 其中具有最佳結晶狀態之區域所對應之準分子雷射 的能量密度即為該最佳能量密度。 19. 如申請專利範圍第1 8項所述之方法，其中判斷各該 區域之結晶狀態之步驟包含有比較各該區域之反射影像 相對亮度強弱與比較由各該區域内不同位置計算出之反 射影像的變異係數（coefficient of variance， CV)大 小 〇 2 0 · 如申請專利範圍第1 6項所述之方法，其中該方法在 完成步驟（b )之後另包含有一步驟： (c )進行一檢測程·序，利用該光學檢測裝置來檢測該 產品基板表面的結晶狀悲， 其中當該產品基板表面之該多晶石夕層的結晶狀態正 常，則重複進行步驟（b )，以將其他產品基板表面之非晶 石夕層轉換為多晶石夕層，而當該產品基板表面之該多晶石夕 層的結晶狀態不正常，則再次進行步驟（a )，以重新決定 出另一最佳能量密度。

第25頁 1242917 六、申請專利範圍 2 1. 如申請專利範圍第1 8項所述之方法，其中該資料處 理系統可儲存該影像接收器所擷取之各該區域所呈現之 各該反射影像，並用來與該檢測程序所擷取之該產品基 板表面的反射影像進行比對。 22. 如申請專利範圍第1 8項所述之方法，其中該資料處 理系統可儲存該影像接收器所擷取之各該反射影像，且 該資料處理系統另包含有一最佳反射影像，用來與該影 像接收器所擷取之各該反射影像進行比對，以進一步調 整該準分子雷射退火程序之該最佳能量密度。 光 見 C 可間 該之 中度 其5 8 ，至 法ο 11 於 介 述角 所夾 項面 18平 第之 圍板 .範基 利該 專與 請度 申角 如射 •照 3之 光 見。 可間 該之 中度 其ο 3 ，至 法5 方Μ 之介 述角 所夾 項面 18平 第之 圍板 範基 利該 專與 請度 申角 如射 •照 U之 女 子該 射 準照 該式 中方 其描 ，掃 法狀 方線 之以 述射 所雷 項子 16分 第準 圍用 Λ-巳 ί 矛 利係 專序 請程 申火 退 射 雷 表為 板換 基轉 構 結 晶 br ¥ 之 層 矽 晶 kr 該 將 以 層 矽 晶 μρ 該 之 面 構 結 矽 晶 多

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