TWI236075B - Method for forming die protecting layer - Google Patents

Description

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一、【發明所屬之技術領 種形成晶粒封裝保 粒封裝用保護層在晶圓中 之表面）的方法。 域】 護層的方法，特別| 3, & ^ 種形成晶 之一表面（相對於晶杈所在表面 一、【先如技術】 在現有半導體領域中，形成於晶之 尺寸極為微小且其結構極為脆弱，並且也往往歲：ί:: 感等等，合成-個系統材才能正常的運:乍與=與； 多數個:曰粒(任一晶粒相對於一積體電路元件)形成於 後，必須先封裝這些晶粒然後才能正常使用。 ；曰"

第一Α圖顯示一晶圓10，此晶圓1〇具有複數個已 準備進仃封裝之發光二極體晶粒丨丨，而每一發光二極體晶 粒11上均具有電極16。為了進行封裝，每一發光二極體晶 粒11均需被分割。分割後之發光二極體晶粒丨丨經形成保護 層如第一 B圖與第一c圖所示。第一b圖顯示發光二極體晶 粒11係以背面發光，因此保護層丨2形成於發光面上。保護 層12為透光材質，且多加入螢光粉。第一c圖顯示發光二 極體晶粒11係以正面發光，因此保護層1 4形成於電極1 6上 。保護層1 4亦為透光材質，且多加入各色螢光粉。由於每 一發光二極體晶粒必須逐一塗上保護層，若欲將數量龐大 之發光二極體晶粒逐一塗上保護層勢將耗時耗力，且每一 發光二極體晶粒分別塗上保護層亦容易產生製程標準與產

第5頁 1236075 五、發明說明（2) _____ 口口口口為變動不一的問題， 的提升岣容易產生不利的影響生產成本的降低與產品良率 顯然地 性上仍有改進的空Fa1，a °此在A造成本與生產便利 研發。 b有必要對封裝技術作進一步的 三、【發明内容】 仅噌i t明所欲解決之技術問題為提供一種开彡成S軲土 4層的方法以解決製程標準與產品嚷動 保護層的‘：：2:::題j提供-種形成晶粒封裝 $低生產成本亚提升產品良率。 本杳明所欲解決之技術問題一 保護層的方法以提高後續封裝製程的便利,;成甜粒封裝 本發明解決問題之技術手段係包含提供 粒之晶圓，晶圓具有相對之第-表面盘第I表、面，曰晶 成透光保護封料，並材料與營光粉以形 一表走再加熱透光保護材料使其固〖以形成晶粒 麵 第6頁 五、發明說明（3) 封裝保護層]上述製程主要係用於覆晶封裝元件。當然， 若對於一般兀件而言，晶粒封裝保護層係形成於第一表面 上。 對本杂明與先前技術之功效，由於本發明先形成透 光保護層在晶圓之表面（晶粒所在表面或相對於晶粒所在 之表面）’因此本案完全不需要再使用固定工具來固定已 2之晶圓以施加保護層’可以有$文簡化封裝程序與降低 併4^ ί ί，亚可簡單地批量生產。而且，所有晶粒都是一 “ = = ?層而後才分割成為個別之晶粒，故能明顯 争低衣k成本與提高生產便利性。 四、【實 本發 細插述外 本發明的 在此 敦的方法 列方式等 圖示，所 而沒有晝 施方式】 明的一些實施例會詳細描述如下。然而，除了詳 丄本發明還可以廣泛地在其他的實施例施行’且 軏圍不叉限定，其以之後的專利範圍為準。 特別強調的是，本發明的重點是在於改變晶粒 二：沒有改變晶粒的構造或晶粒在晶圓上 ^此，為避免混淆本發明之重點以及為了 K示都只有定性晝出晶粒(連同電極)的存在， ^日日粒（連同電極）的具體實際輪廓。 參考第 A圖所示，顯示一具有相對之第一表面與第

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五、發明說明（5) 接者必 成完全覆蓋 將透光高分 子材料硬化 透過烘烤等 這些細節。 於晶圓2 0之 溫度，通常 粒2 2。舉例 ，硬化溫度 高分子材料 須固化透光保護材料之透光高 第二表面之透光保護層24。一 子材料加熱至超過一硬化溫度 轉變為透光保護層24。當然， 方式來硬化透光高分子材料， 此外，硬化溫度通常係調整到 這些晶粒2 2 ;而透光高分子材 也是調整到不會損傷已存在於 來說，就一般之封裝用材料如 大約為攝氏150至200度上下。 可加熱至攝氏150度與攝氏3 〇〇 分子材料 般來說， ’來將透 本實施例 本實施例 不會損傷 料溫度高 晶圓2 0之 環氧樹脂 而固化其 度之間。 以形 係透過 光向分 也可以 不限制 已存在 於硬化 這些晶 等而言 他透光 近者封裝規格的不同，透光保護層24可以是位於晶粒 位於之晶圓20的第二表面，也可以是位於晶粒22所位 2JH20表面即第一表面。如第圖所示，施加透光 保4，料於第一表面上並覆蓋整個第一表面。接著固化透 光保屢材料，藉以形成完全覆蓋第一表面之透光保護層Μ 。透光保護材料包含透光高分子材料並摻雜，各種顏色及 合色之螢光粉。透光保護層24的形成係預先混合透光 同刀子材料與螢光粉以形成一透光保護材料以使晶粒能發 出各種所需顏色光，再將透光保護材料以旋塗（Spin-On) 方j，塗佈（Coating)方式等方式形成於第一表面。由於 本K她例與前一實施例的差別僅在於透光保護層24是被形 成在晶圓20之第一表面或第二表面。因此，本實施例之細

1236075 五、發明說明（6) 實施例，在此不再重覆 節與可能變化如同前 比較本案與傳統技術，可以發現本案與習知技術的主 要差別在於先形成透光保護層在晶圓之表面（晶粒所在表 面或相對於晶粒所在之表面）。因此，本實施例完全不需 要再使用固定工具來固定已分割之晶圓以施加保護層，可 以有效簡化封裝程序與降低封裝成本。而纟，所有晶粒都 是一併形成透光保護層而後才分割成為個別之晶粒。,： 第囷"’員示本电明之升》成晶粒封裝保護層的方法的流 程，包含下列基本步驟：如步驟32所示，首先提供一具有 複數個晶粒之晶圓’晶圓具有相對之第一表面與第二&面 、，而複數：晶粒位於第-表面。接著如步驟34所示，預先 混合透$兩分子材料與螢光粉以形成透光保護材料，並將 透光保濩材料以各種方式形成塗佈覆蓋於第二表面上如步 驟36所y最後再加熱透光保護材 其固化 封裝保護層，如步驟38所 /成曰日寸 以上所述僅為本發明之 發明之申請專利範圍。在不 内仍可予以便化而加以實施 圍。因此，本發明之範疇係 較佳實施例，並非用以限定本 脫離本發明之實質内容的範_ ，此等變化應仍屬本發明之範 由下列申請專利範圍所界定。

第10頁 1236075 圖式簡單說明 五、【圖式簡單說明】 第一A圖顯示一傳統具有複數個之發光二極體晶粒之 晶圓， 第一B圖顯示形成保護層於發光二極體晶粒背面的結 果； 第一C圖顯示形成保護層於發光二極體晶粒電極的結 果； 第二A圖顯示一具有複數個晶粒之晶圓； 第二B圖顯示形成一透光保護層於晶圓上的結果； 第二C圖顯示形成一透光保護層於晶圓上的結果；及 第三圖顯示本發明之形成晶粒封裝保護層的方法的流 程 主要部份之代表符號： 1 0晶圓 11發光二極體晶粒 1 2保護層 1 4保護層

1236075 圖式簡單說明 1 6電極 2 0晶圓 2 2晶粒 23電極 24透光保護層 3 2提供一具有複數個晶粒之晶圓 34預先混合透光高分子材料與螢光粉以形成透光保護 材料 3 6將透光保護材料塗佈覆蓋於晶圓 38加熱透光保護材料使其固化以形成晶粒封裝保護層

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Claims (1)

1236075 六、申請專利範圍 ""~ 1 · 一種形成晶粒封裝保護層的方法，至少包含： 提供一具有複數個晶粒之晶圓，該晶圓具有相面對之 一第一表面與一第二表面，該複數個晶粒位於該第一表面 ， 預先混合一透光高分子材料與一螢光粉以形成一透光 保護材料； 將4透光保護材料形成覆蓋於該第二表面上；及 加熱该透光保護材料使其固化以形成一晶粒封裝保護 層0 2 ·如申清專利範圍第1項之形成晶粒封裝保護層的方法， 其中該晶粒包含發光二極體晶粒。 3 ·如申清專利範圍第1項之形成晶粒封裝保護層的方法， 其中該透光高分子材料包含環氧樹脂（Ep〇xy )。 4 ·如申请專利範圍第1項之形成晶粒封裝保護層的方法， 其中該透光高分子材料包含聚亞醯酸。 5·如申請專利範圍第丨項之形成晶粒封裝保護層的方法， 其中該透光高分子材料包含聚甲基丙烯酸曱酯 (Polymethyl Methacrylate)。 6·如申請專利範圍第1項之形成晶粒封裝保護層的方法，

1236075___ 六、申請專利範圍 其中該透光高分子材料包含丙烯釀丁二烯苯乙烯共聚合物 (Acrylonitrile Butadiene Styrene C〇polymer)核十月旨 (ABS resin)。 7 .如申請專利範圍第1項之形成晶粒封裝保護層的方法， 其中該透光高分子材料包含聚醚酿亞胺（Polyetherimides 8. 如申請專利範圍第1項之形成晶粒封裝保護層的方法， 其中該透光高分子材料包含聚酸亞胺（Polyimides)。 9. 如申請專利範圍第1項之形成晶粒封裝保護層的方法， 其中該螢光粉包含黃光螢光粉或各種顏色及其組合色之螢 光粉。 1 0 .如申請專利範圍第1項之形成晶粒封裝保護層的方法， 其中該營光粉包含白光螢光粉或各種顏色及其組合色之螢 光粉。 1 1.如申請專利範圍第1項之形成晶粒封裝保護層的方法， 其中該螢光粉包含藍光螢光粉或各種顏色及其組合色之螢 光粉。 1 2 .如申請專利範圍第1項之形成晶粒封裝保護層的方法，

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材料係以旋塗方式―）形成覆蓋 之形成晶粒封裝保護層的方法， 刮刀擠製方式（Squeeze )形成 之形成晶粒封裝保護層的方法， 熱至攝氏150度與攝氏3 00度之間 13·如申請專利範圍第1項 其中該透光保護材料係以 覆蓋於該第二表面上。 14·如申請專利範圍第1項 其中該透光保護材料係加 固化。

15· —胃種形成晶粒封裝保護層的方法，至少包含： 提七、具1複數個發光二極體晶粒之晶圓，該晶圓J 減日目Γ Γ之r ΐ 一表面與一第二表面，1亥複數個發光二才 體晶粒位於該第一表面； 保護=混合一透光高分子材料與一螢光粉以形成-透， 層 將該透光保護材料形成覆蓋 加熱該透光保護材料使其固 於該第一表面上；及 化以形成一晶粒封裝保護

第15頁 1236075_ ， 六、申請專利範圍 1 7 .如申請專利範圍第1 5項之形成晶粒封裝保護層的方法 ，其中該透光高分子材料包含聚亞醯酸。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之形成晶粒封裝保護層的方法 ，其中該透光高分子材料包含聚甲基丙烯酸曱酯 (Polymethyl Methacrylate)0 1 9 .如申請專利範圍第1 5項之形成晶粒封裝保護層的方法 ，其中該透光高分子材料包含丙烯_丁二烯苯乙烯共聚合 物（Acrylonitrile Butadiene Styrene Copolymer)樹月旨 (ABS resin)° 2 0 .如申請專利範圍第1 5項之形成晶粒封裝保護層的方法 ，其中該透光高分子材料包含聚醚醯亞胺 (Ρ ο 1 y e t h e r i m i d e s ) 〇 2 1 .如申請專利範圍第1 5項之形成晶粒封裝保護層的方法 ，其中該透光高分子材料包含聚醯亞胺（Polyimides)。 2 2 .如申請專利範圍第1 5項之形成晶粒封裝保護層的方法 ，其中該螢光粉包含黃光螢光粉或各種顏色及其組合色之 螢光粉。 2 3 .如申請專利範圍第1 5項之形成晶粒封裝保護層的方法

第16頁 1236075 六、申請專利範圍 ，其中該榮光粉包含白光螢光粉或各種顏色及其組合色之 螢光粉。 2 4 ·如申請專利範圍第1 5項之形成晶粒封裝保護層的方法 ，其中該螢光粉包含藍光螢光粉或各種顏色及其組合色之 螢光粉。 25·如申請專利範圍第1 5項之形成晶粒封裝保護層的方法 ’其中遠透光保護材料係以旋塗方式（§ p丨η _ 〇 η )形成覆 蓋於該第一表面上。 26·如申請專利範圍第丨5項之形成晶粒封裝保護層的方法 ’其中該透光保護材料係以刮刀擠製方式（Squeeze )形 成覆蓋於該第一表面上。 2 7 ·如申請專利範圍第1 5項之形成晶粒封裝保護層的方法 ，其中違透光保護材料係加熱至攝氏15〇度與攝氏3〇〇度之 間固4匕。

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