TW594830B - Cold cathode fluorescent flat lamp - Google Patents

Description

594830 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種冷陰極平面燈結構（C ο 1 d Cathode Fluorescent Flat Lamp ，CCFFL)，且特別是有 關於一種可提供均勻之面光源並具有高結構強度的冷陰 極平面燈結構。 【先前技術】 隨著產業日益發達，行動電話、數位相機、數位攝 影機、筆記型電腦、桌上型電腦等數位化工具無不朝向 更便利、多功能且美觀的方向發展。然而，行動電話、 數位相機、數位攝影機、筆記型電腦、桌上型電腦的顯 示螢幕是不可或缺的人機溝通界面，透過上述產品之顯 示螢幕將可以為使用者的操作帶來更多的便利。近年 來，大部分的行動電話、數位相機、數位攝影機、筆記 型電腦以及桌上型電腦上之顯示螢幕皆以液晶顯示面板 (L C D p a n e 1 )為主流，然而，由於液晶顯示面板本身並不 具有發光的功能’故在液晶顯不面板下方必須提供一背 光模組（b a c k 1 i g h t in 〇 d u 1 e )以提供光源，進而達到顯示 的功能。 習知常見的背光模組主要係由一燈管、一反射罩 (holder)以及一導光板（LGP)所構成。上述的導光板可將 燈管所發出之線性光線轉換為面光源的型態，由於燈管 通常配置於導光板之側邊，故由導光板所投射之面光源 均勻性較差，所以必須在導光板的光出射面上配置數層 光學膜片（如擴散片、增光片等膜片），然而導光板與光

10877twf.ptd 第8頁 594830 五、發明說明（2) 學膜片價格昂貴，其導致背光模組的成本提高。此外， 由於燈管、反射罩以及導光板皆是單獨的構件，必須另 以一膠框將上述之燈管、反射罩及導光板承載固定。故 從上可得知，此種背光模組在組裝上較為繁瑣，組裝成 本亦無法更進一步地降低。 基於上述考量，習知技術發展出一種冷陰極平面 燈，由於冷陰極平面燈具有良好的發光效率與均勻性， 且能夠提供大面積的面光源，故冷陰極平面燈已廣泛被 應用於液晶顯示面板之背光源以及其他應用領域上。 承上所述，冷陰極平面燈屬於一種電聚發光元件， 其主要是利用電子由陰極射出之後，與氣體密閉腔體中 0 陰極與陽極之間的鈍氣產生碰撞，並將氣體離子化、激 發以形成電漿。之後，電漿中被激發的激態原子會以放 射紫外線的方式回到基態，而所放射之紫外線會進一步 激發冷陰極平面燈中的螢光體，以產生可見光。 第1圖繪示為習知一種冷陰極平面燈的俯視示意圖。 第2圖繪示由第1圖之剖面線A - A所見的剖面圖。請共同參 照第1圖與第2圖，習知冷陰極平面燈1 0 0主要係由一板狀 基材1 1 0、一板狀基材1 2 0、多個邊條1 3 0、一螢光體 1 4 0、一放電氣體1 5 0以及多個電極1 6 0所構成。其中，板 狀基材1 1 0與板狀基材1 2 0例如是玻璃或其他透明材質所 製，邊條1 3 0係配置於板狀基材1 1 0與板狀基材1 2 0之間， _ 且與板狀基材1 1 0以及板狀基材1 2 0的邊緣連接，以使板 狀基材1 1 0與板狀基材1 2 0之間構成一密閉的腔體1 7 0。

l〇877twf.ptd 第9頁 594830 五、發明說明（3) 請繼續參照第1圖及第2圖，螢光體1 4 0係配置於板狀 基材1 1 0與板狀基材1 2 0之内壁上；放電氣體1 5 0係注入於 腔體1 8 0内，此放電氣體例如為氙氣（X e )、氖氣（N e )、氬 氣（A r )等惰性氣體；而電極1 6 0配置於腔體1 7 0内，並對 應於板狀基材1 1 0與板狀基材1 2 0的兩端，且與一電源（圖 未示）電性連接，此電極例如為銀電極或是銅電極。 承上所述，在冷陰極平面燈1 0 0的點亮過程中，主要 是藉由電極1 6 0驅動，使得電極1 6 0在腔體1 7 0内部發射電 子與放電氣體1 5 0產生碰撞，並將放電氣體1 5 0離子化、 激發以形成電漿。之後，電漿中被激發的激態原子會以 放射紫外線的方式回到基態，且所放射之紫外線會進一 步激發板狀基材1 1 0與板狀基材1 2 0之内壁上的螢光體 140 ，以產生可見光。 然而，習知的冷陰極平面燈雖可提供均勻的面光 源，當要提供大面積的面光源時，僅以邊條維持板狀基 材之間的間隙，其中央區域結構較為脆弱，容易因受不 當外力而破損，故通常會將板狀基材的厚度增加，此方 法雖可提高整體的結構強度，但由於厚度增加將導致冷 陰極平面燈的透光率下降，而降低冷陰極平面燈的亮 度。 除了加厚板狀基材的厚度之外，習知的冷陰極平面 燈亦可在兩板狀基材之間加入多個間隙物（s p a c e r )，用 以加強中央區域的結構強度，使得冷陰極平面燈能夠承 受外界的大氣壓力甚至其他不當的外力，但是，如此將

10877twf. ptd 第10頁 594830 五、發明說明（4) 使得冷陰極平面燈的製作更為繁瑣，且提高製作的成 本。 【發明内容】 因此，本發明的目的就是在提供一種冷陰極平面燈 結構，其可提供均勻性的面光源，且能有效提高冷陰極 平面燈整體的結構強度，以避免冷陰極平面燈受到不當 的外力而破損。 本發明提出一種冷陰極平面燈結構，主要係由一第 一板狀基材、一第二板狀基材、一螢光體、一放電氣體 以及複數個電極所構成。其中，第一板狀基材具有多個 凹槽，第二板狀基材配置於第一板狀基材上，以使這些 凹槽構成多個密閉腔體；螢光體配置於這些密閉腔體之 部分内壁或全部内壁上；放電氣體配置於這些密閉腔體 内，而電極分別配置於這些密閉腔體的兩端。 本發明另提出一種冷陰極平面燈結構，主要係由一 第一板狀基材、一第二板狀基材、一螢光體、一放電氣 體以及複數個電極所構成。其中，第一板狀基材具有多 個第一凹槽；第二板狀基材具有多個第二凹槽，第二板 狀基材配置於第一板狀基材上，且第二凹槽分別與第一 凹槽相對應，以使得這些第一凹槽與這些第二凹槽構成 多個密閉腔體；螢光體配置於這些密閉腔體之部分内壁 或全部内壁上；放電氣體配置於這些密閉腔體内，而電 極分別配置於這些密閉腔體之兩端。 本發明再提出一種冷陰極平面燈結構，主要係由一

10877twf. ptd 第11頁 594830 五、發明說明（5) 波浪狀結構體、一第一板狀基材、一第二板狀基材、一 螢光體、一放電氣體以及複數個電極所構成。其中，波 浪狀結構體具有多個波峰及波谷；第一板狀基材配置於 這些波谷上，以使得波浪狀結構體與第一板狀基材之間 成為多個第一密閉腔體；第二板狀基材配置於這些波峰 上，以使得波浪狀結構與該第二板狀基材之間成為多個 第二密閉腔體；螢光體配置於第一密閉腔體以及第二腔 體的部分内壁或全部内壁上；放電氣體配置於這些第一 密閉腔體以及這些第二腔體内；電極則分別配置於這些 第一密閉腔體以及這些第二腔體之兩端。 在發明的較佳實施例中，上述之第一板狀基材、第 二板狀基材與波浪狀結構體的材質例如是玻璃；放電氣 體例如是一惰性氣體（如：氙氣、氖氣或氬氣）；而電極 例如是一金屬電極（如：鎳電極、銀電極、銅電極、鉬電 極或鈮電極）。此外，電極上更可配置一阻抗裝置，此阻 抗裝置例如是電阻、電容或電感。 在發明的較佳實施例中，上述之第一凹槽及第二凹 槽例如為矩形或弧形凹槽，且第一凹槽及第二凹槽的延 伸方向係可平行於第一板狀基材的其中一邊緣，或者第 一凹槽及第二凹槽的延伸方向亦可與第一板狀基材的其 中一邊緣夾一角度。 此外，第一凹槽與第一凹槽之間可配置一至數條連 通凹槽，以使各個第一凹槽相互連通，同樣地，第二凹 槽與第二凹槽之間亦可配置一至數條連通凹槽，以使各

10877twf.ptd 第12頁 594830 五、發明說明（6) 個第二凹槽相互連通。另外，冷陰極平面燈若為兩板狀 基材夾置波浪狀結構體的型態，亦可在波浪狀結構體上 配置一至數條連通凹槽，以使波浪狀結構體與第一、第 二板狀基材間之各個密閉腔體連通。而上述連通凹槽的 寬度例如為0 · 1 m m〜1 0 m m，且深度例如為0 . 1 m m〜5 m m。 藉由連通凹槽的配置，使得冷陰極平面燈在進行抽 真空的步驟時，可一次將冷陰極平面燈内部空氣抽完， 並可一次將放電氣體注入冷陰極平面燈中，使製程更為 簡易。 在本發明的較佳實施例中，上述第一板狀基材之底 面可設計為一反射表面，而第二板狀基材之底面可設計 為一擴散表面，藉由上述反射表面及擴散表面以增進冷 陰極平面燈的發光效率。 本發明主要在於板狀基材上配置多個凹槽，使得第 一板狀基材之表面可支撐第二板狀基材，或以第一板狀 基材及第二板狀基材夾置一波浪狀結構體，而以波浪狀 結構體支撐第一板狀基材及第二板狀基材，如此將使得 冷陰極平面燈進一步薄化，並能提高冷陰極平面燈的結 構強度，進而避免冷陰極平面燈受到不當的外力而破 損。此外，因上述凹槽或波浪狀結構體的設計，以使板 狀基材之表面可作為支撐面，故本發明並不需要配置邊 條、間隙物等構件，其成本可再降低，且製程更為簡 易。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更

10877twf. ptd 第13頁 594830 五、發明說明（7) 明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式， 作詳細說明如下： 【實施方式】 第3圖繪示依照本發明第一較佳實施例冷陰極平面燈 的俯視示意圖，第4圖繪示由第3圖之剖面線B - B所見的剖 面圖。請共同參照第3圖及第4圖，本實施例之冷陰極平 面燈2 0 0主要係由一第一板狀基材2 1 0、一第二板狀基材 2 2 0、一螢光體2 3 0、一放電氣體2 4 0及複數個電極2 5 0所 構成。其中，第一板狀基材2 1 0具有多個呈矩形型態之第 一凹槽2 1 2，第二板狀基材2 2 0配置於第一板狀基材2 1 0 上，以使得這些第一凹槽2 1 2構成複數個密閉腔體2 1 4， 而上述之第一板狀基材2 1 0及第二板狀基材2 2 0例如是玻 璃或其他透明材質所製。 請繼續參照第3圖及第4圖，螢光體2 3 0配置於密閉腔 體214之内壁上，係可配置於密閉腔體214的整個内壁上 (本圖所示），或可選擇性地配置於密閉腔體2 1 4的部分内 壁上（圖未示）；放電氣體240注入於密閉腔體214内，此 放電氣體240例如為氣氣（Xe)、氖氣（Ne)、氬氣（Ar)等惰 性氣體，而電極2 5 0分別配置於密閉腔體2 1 4的兩端，且 與一電源（圖未示）電性連接，此電極2 5 0例如為鎳電極、 銀電極銅電極、鉬電極或銳電極等金屬電極。 承上所述，冷陰極平面燈2 0 0的點亮過程中，主要是 藉由電極2 5 0驅動，使得電極2 5 0在密閉腔體2 1 4内部發射 電子與放電氣體240產生碰撞，並將放電氣體240離子

10877twf. ptd 第14頁 594830 五、發明說明（8) 化、激發以形成電漿。之後，電漿中被激發的激態原子 會以放射紫外線的方式回到基態，且所放射之紫外線會 進一步激發密閉腔體2 1 4之内壁上的螢光體2 3 0 ，以產生 可見光。 此外，由於第一板狀基材2 1 0及第二板狀基材2 2 0例 如是玻璃或其他透明材質所製，故由各個第一凹槽2 1 2内 所產生的可見光，均可在第一板狀基材2 1 0及第二板狀基 材2 2 0之間傳導，並穿透第一板狀基材2 1 0及第二板狀基 材2 2 0 ，而發出均勻性佳的面光源。另夕卜，第一凹槽2 1 2 的延伸方向係可平行於第一板狀基材2 1 0的其中一邊緣， 或者第一凹槽2 1 2的延伸方向亦可與第一板狀基材2 1 0的 其中一邊緣夾一角度。 故從上可得知，本發明之第一凹槽2 1 2其形式不需加 以限制，係可為直條凹槽、橫條凹槽或斜條凹槽皆可。 而上述所提及之電極2 5 0上更可進一步配置一阻抗裝置 2 6 0 ，例如是電阻、電容或電感，用以調整電極2 5 0的阻 抗。 值得注意的是，由於在第一板狀基材2 1 0上形成多個 第一凹槽2 1 2，使得第二板狀基材2 2 0可以第一板狀基材 2 10之表面作為為支撐面，而配置於第一板狀基材210 上，如此可增強冷陰極平面燈2 0 0其中央區域的結構強 度，避免冷陰極平面燈因受不當外力而破損，如此不需 增加板狀基材的厚度或額外配置間隙物，故成本可再降 低0

l〇877twf.ptd 第15頁 594830 五、發明說明（9) 此外，第一凹槽2 1 2的形成只需在模具上稍加設計， 即可在製作板狀基材之同時與板狀基材一體成型，且第 一凹槽2 1 2本身的空間即可注入放電氣體2 4 0 ，故不需如 同習用冷陰極平面燈，以邊條在兩板狀基材之間架構出 放電氣體腔體，所以製程可更為簡易。 如第3圖所示，在第一凹槽212與第一凹槽212之間可 配置一至多條連通凹槽2 1 6 (圖中僅繪示其一），以使第一 凹槽212與第一凹槽212之間可相互連通，而連通凹槽216 的寬度例如為0 · 1 m m〜1 0 m m，且深度例如為0 · 1 m Π1〜5 m m。此 夕卜，連通凹槽2 1 6並不非侷限如第3圖所繪示，配置於冷 陰極平面燈2 0 0的中央區域。換句話說，連通凹槽21 6可 配置在第一凹槽2 1 2與第一凹槽2 1 2之間任何適當的位置 上。藉由連通凹槽216的設計，使得平面燈冷陰極200在 進行抽真空的步驟時，可一次將冷陰極平面燈2 0 0内部空 氣抽完，並可一次將放電氣體2 4 0注入冷陰極平面燈2 00 中，如此將可使得製程更為簡易。 第5圖繪示依照本發明第二較佳實施例冷陰極平面燈 的剖面圖。請參閱第5圖，本實施例與第一較佳實施例所 述之冷陰極平面燈結構大致相同，其相同處即不多作贅 述，而差異處在於第二板狀基材2 2 0上配置多個矩形型態 之第二凹槽222，且這些第二凹槽222與第一板狀基材210 上之第一凹槽212相對應，而構成多個密閉腔體218。螢 光體2 3 0配置於密閉腔體2 1 8之全部内壁上，當然亦可配 置於部分内壁上，且放電氣體240注入上述之密閉腔體

10877twf. ptd 第16頁 594830 五、發明說明（ίο) 2 1 8 内。 值得注意的是，由於在第一板狀基材2 1 0與第二板狀 基材2 2 0上皆配置有相對應的第一凹槽2 1 2與第二凹槽 2 2 2 ，故在相同密閉空間的條件下，可進一步降低整個冷 陰極平面燈的厚度。 第6圖繪示依照本發明第三較佳實施例冷陰極平面燈 的俯視示意圖。本實施例與第一較佳實施例所述之冷陰 極平面燈結構大致相同，其相同處即不多作贅述，而差 異處在於第一板狀基材2 1 0上所開設之第一凹槽2 1 2由矩 形型態改為弧形型態，且第一板狀基材2 1 0上之接觸表面 係由平面接觸的型態改為弧面接觸的型態，而使得第一 板狀基材2 1 0概呈一波浪狀的型態，其藉由將上述第一板 狀基材2 1 0上之接觸表面設計為弧形型態，使得第一板狀 基材210具有等同於透鏡（lens)的效果，而可將經過螢光 體230所產生之可見光，集中朝向第二板狀基材220的方 向投射。 此外，第一板狀基材2 1 0之底面可進一步設計為一反 射表面2 7 0，例如塗佈一層反光材料，而第二板狀基材 220之底面可進一步設計為一擴散表面280，例如是具有 多個V型刻痕或多個凹點的表面，藉由上述反射表面2 7 0 及擴散表面280的設計，進而增進冷陰極平面燈200的發 光效率。 承上所述，由於第一板狀基材2 1 0上之接觸表面將其 寬度縮短成為弧面型態，如此可進一步增加密閉腔體2 1 4

10877twf.ptd 第17頁 594830 五、發明說明（11) 的體積，並進而提昇前述抽真空及注入放電氣體等步驟 的效率。 第7圖繪示依照本發明第四較佳實施例冷陰極平面燈 的俯視示意圖，第8圖繪示由第7圖之剖面線C - C所見的剖 面圖。請共同參照第7圖及第8圖，本實施例之冷陰極平 面燈3 0 0主要係由一波浪狀結構體3 1 0、一第一板狀基材 320、一第二板狀基材330、一螢光體340、一放電氣體 3 5 0以及多個電極3 6 0所構成。其中，波浪狀結構體3 1 0具 有多個波峰3 1 2及波谷3 1 4。第一板狀基材3 2 0配置於這些 波谷314上，以使得波浪狀結構體310與第一板狀基材320 之間成為多個第一密閉腔體3 1 6。第二板狀基材3 3 0配置 於這些波峰3 1 2上，以使得波浪狀結構體3 1 0與該第二板 狀基材3 2 0之間成為多個第二密閉腔體3 1 8。 螢光體340配置於第一密閉腔體316以及第二腔體318 的全部内壁或部分内壁上。放電氣體350例如為氛氣 (X e )、氖氣（N e )、氬氣（A r )等惰性氣體，且注入於這些 第一密閉腔體316以及這些第二密閉腔體318内。電極360 例如為鎳電極、銀電極、銅電極、鉬電極或鈮電極等金 屬電極，其分別配置於這些第一密閉腔體3 1 6以及這些第 二密閉腔體318之兩端，且與一電源（圖未示）電性連接。 當然，電極3 6 0上同樣可配置一阻抗裝置3 7 0，例如是電 阻、電容或電感，用以調整電極3 6 0的阻抗。 承上所述，冷陰極平面燈3 0 0的點亮過程與前述之各 實施例相同，主要是藉由電極3 6 0驅動，使得電極3 6 0在

10877twf. ptd 第18頁 594830 五、發明說明（12) 第一密閉腔體3 1 6及第二密閉腔體3 1 8内部發射電子與放 電氣體3 5 0產生碰撞，並將放電氣體3 5 0離子化、激發以 形成電漿。之後，電漿中被激發的激態原子會以放射紫 外線的方式回到基態，且所放射之紫外線會進一步激發 第一密閉腔體316及第二密閉腔體318之内壁上的螢光體 3 4 0 ，以產生可見光。 此外，波浪狀結構體3 1 0上亦可如同前述之各實施 例，配置一至數條連通凹槽3 8 0，以使波浪狀結構體3 1 0 與第一板狀基材3 2 0與第二板狀基材3 3 0間之各個密閉腔 體連通。另外，第一板狀基材320之底面亦可如同前述之 各實施例，設計為一反射表面3 2 2，而第二板狀基材3 3 0 之底面亦可如同前述之各實施例，設計為一擴散表面 3 3 2，藉由上述反射表面322及擴散表面332的設計，而同 樣達到增進冷陰極平面燈之發光效率的效果。 承上所述，本實施例係由第一板狀基材及第二板狀 基材夾置一波浪狀結構體，而以此波浪狀結構體支撐第 一板狀基材及第二板狀基材，如此同樣可達到提高冷陰 極平面燈之結構強度的目的。 綜上所述，本發明之冷陰極平面燈結構至少具有下 列優點： 1.藉由板狀基材上所設計的凹槽或於兩板狀基材間 夾置之波浪狀結構體，使得板狀基材之表面可得到支 撐，使冷陰極平面燈中央區域的結構強度可增強，避免 冷陰極平面燈因受不當外力而破損。

10877twf. ptd 第19頁 594830 五、發明說明（13) 2 .措由板狀基材上所設計的凹槽或兩板狀基材間爽 置之波浪狀結構體，使得板狀基材之表面可得到支撐， 故並不需要另外配置邊條、間隙物等構件，其成本可降 低。 3 .藉由板狀基材上之凹槽與凹槽間或於波浪狀結構 體上所配置的連通凹槽，使得冷陰極平面燈在進行抽真 空的步驟時，可一次將冷陰極平面燈内部空氣抽完，並 可一次將放電氣體注入冷陰極平面燈中，如此將可使得 製程更為簡易，且能有效縮短製造時間。 4. 藉由縮短板狀基材之接觸表面的距離，以增加密 閉腔體的體積，進而提昇抽真空及注入放電氣體等步驟 的效率。 5. 藉由在位於上方之板狀基材的底面製作反射表 面，以及在位於下方之板狀基材的底面製作擴散表面， 以增進冷陰極平面燈的發光效率。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非 用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明 之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發 明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10877twf. ptd 第20頁 594830 圖式簡單說明 【圖式簡單說明】 第1圖是繪示為習知一種冷陰極平面燈的俯視示意 圖， 第2圖是繪示由第1圖之剖面線A - A所見的剖面圖； 第3圖是繪示依照本發明第一較佳實施例冷陰極平面 燈的俯視示意圖； 第4圖是繪示由第3圖之剖面線B - B所見的剖面圖； 第5圖是繪示依照本發明第二較佳實施例冷陰極平面 燈的剖面圖； 第6圖是繪示依照本發明第三較佳實施例冷陰極平面 燈的俯視不意圖， 第7圖是繪示依照本發明第四較佳實施例冷陰極平面 燈的俯視不意圖，以及 第8圖是繪示由第7圖之剖面線C - C所見的剖面圖。 【圖式標示說明】 1 〇 〇 :冷陰極平面燈 1 1 0、1 2 0 :板狀基材 1 3 0 :邊條 140 :螢光體 1 5 0 :放電氣體 1 6 0 :電極 1 70 :腔體 2 0 0、3 0 0 :冷陰極平面燈 2 1 0、3 2 0 :第一板狀基板

10877twf. ptd 第21頁 594830 圖式簡單說明 2 1 2 :第一凹槽 2 1 4、2 1 8、3 1 6 、3 1 8 :密閉腔體 216、380 :連通凹槽 2 2 0、3 3 0 :第二板狀基板 2 2 2 :第二凹槽 2 3 0、3 4 0 :螢光體 2 4 0、3 5 0 :放電氣體 2 5 0、3 6 0 :電極 2 6 0、3 7 0 :阻抗裝置 270、322 :反射表面 280、332 :擴散表面

10877twf. ptd 第22頁

Claims (1)

1. 594830 六、申請專利範圍 1 . 一種冷陰極平面燈結構，包括： 一第一板狀基材，具有複數個凹槽； 一第二板狀基材，配置於該第一板狀基材上，以使 得該些凹槽成為複數個密閉腔體； 一螢光體，配置於該些密閉腔體的部分内壁以及全 部内壁其中之一； 一放電氣體，配置於該些密閉腔體内；以及 複數個電極，分別配置於該些密閉腔體之兩端。 2 .如申請專利範圍第1項所述之冷陰極平面燈結構， 其中該第一板狀基材與該第二板狀基材之材質包括玻 璃。 3. 如申請專利範圍第1項所述之冷陰極平面燈結構， 其中該放電氣體包括一惰性氣體。 4. 如申請專利範圍第3項所述之冷陰極平面燈結構， 其中該惰性氣體包括氙氣、氖氣及氬氣其中之一。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之冷陰極平面燈結構， 其中該些電極為一金屬電極。 6 .如申請專利範圍第5項所述之冷陰極平面燈結構， 其中該金屬電極包括鎳電極、銀電極、銅電極、鉬電極 及鈮電極其中之一。 7. 如申請專利範圍第1項所述之冷陰極平面燈結構， 其中該些凹槽的延伸方向係平行於該第一板狀基材的其 中一邊緣。 8. 如申請專利範圍第1項所述之冷陰極平面燈結構，

   10877twf. ptd 第23頁 594830 六、申請專利範圍 其中該些凹槽的延伸方向與該第一板狀基材的其中一邊 緣夾一角度。 9 .如申請專利範圍第1項所述之冷陰極平面燈結構， 其中該些凹槽為矩形溝槽及弧形溝槽其中之一。 1 0 .如申請專利範圍第1項所述之冷陰極平面燈結 構，更包括至少一連通凹槽，該連通凹槽配置於該些凹 槽之間，以使該些凹槽相互連通。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該連通凹槽的寬度為〇. lmm〜1 Omni 且深度為 0· 1 mm 〜5 mm 。 1 2 .如申請專利範圍第1項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該第一板狀基材之底面為一反射表面。 1 3.如申請專利範圍第1項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該第二板狀基材之底面為一擴散表面。 1 4.如申請專利範圍第1項所述之冷陰極平面燈結 構，更包括一阻抗裝置，該阻抗裝置配置於該些電極 上，且該阻抗裝置為電阻、電容及電感其中之一。 1 5 . —種冷陰極平面燈結構，包括： 一第一板狀基材，具有複數個第一凹槽； 一第二板狀基材，具有複數個第二凹槽，該第二板 狀基材配置於該第一板狀基材上，其中該些第二凹槽係 分別對應於該些第一凹槽，以使得該些第一凹槽與該些 第二凹槽構成複數個密閉腔體； 一螢光體，配置於該些密閉腔體的部分内壁以及全

   10877twf.ptd 第24頁 594830 六、申請專利範圍 部内壁其中之一； 一放電氣體，配置於該些密閉腔體内；以及 複數個電極，分別配置於該些密閉腔體之兩端。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該第一板狀基材與該第二板狀基材之材質包括 玻璃。 1 7 .如申請專利範圍第1 5項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該放電氣體包括一惰性氣體。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該惰性氣體包括氙氣、氖氣及氬氣其中之一。 1 9 .如申請專利範圍第1 5項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該些電極為一金屬電極。 2 0 .如申請專利範圍第1 9項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該金屬電極包括鎳電極、銀電極、銅電極、鉬 電極及鈮電極其中之一。 2 1 .如申請專利範圍第1 5項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該些第一凹槽及該些第二凹槽的延伸方向係平 行於該第一板狀基材的其中一邊緣。 2 2.如申請專利範圍第1 5項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該些凹槽及該些第二凹槽的延伸方向與該第一 板狀基材的其中一邊緣夾一角度。 2 3.如申請專利範圍第1 5項所述之冷陰極平面燈結 構，更包括至少一連通凹槽，該連通凹槽配置於該些第 一凹槽之間，以使該些第一凹槽相互連通。

   10877twf.ptd 第25頁 594830 六、申請專利範圍 2 4 .如申請專利範圍第1 5項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該些第一凹槽與該些第二凹槽為矩形溝槽及弧 形溝槽其中之一。 2 5 .如申請專利範圍第1 5項所述之冷陰極平面燈結 構，更包括至少一連通凹槽，該連通凹槽配置於該些第 二凹槽之間，以使該些第二凹槽相互連通。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該連通凹槽的寬度為0.1 mm〜l〇mm 且深度為 0.1mm〜5mm 〇 2 7.如申請專利範圍第1 5項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該第一板狀基材之底面為一反射表面。 2 8.如申請專利範圍第1 5項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該第二板狀基材之底面為一擴散表面。 2 9 .如申請專利範圍第1 5項所述之冷陰極平面燈結 構，更包括一阻抗裝置，該阻抗裝置配置於該些電極 上，且該阻抗裝置為電阻、電容及電感其中之一。 3 0 . —種冷陰極平面燈結構，包括： 一波浪狀結構體，具有複數個波峰及波谷； 一第一板狀基材，配置於該些波谷上，以使得該波 浪狀結構體與該第一板狀基材之間成為複數個第一密閉 腔體； 一第二板狀基材，配置於該些波峰上，以使得該些 波浪狀結構與該第二板狀基材之間成為複數個第二密閉 腔體；

   10877twf. ptd 第26頁 594830 六、申請專利範圍 一螢光體，配置於該些第一密閉腔體以及該些第二 腔體的部分内壁及全部内壁其中之一； 一放電氣體，配置於該些第一密閉腔體以及該些第 二腔體内；以及 複數個電極，分別配置於該些第一密閉腔體以及該 些第二腔體之兩端。 3 1 .如申請專利範圍第3 0項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該波浪狀結構體、該第一板狀基材以及該第二 板狀基材之材質包括玻璃。 3 2 .如申請專利範圍第3 0項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該放電氣體包括一惰性氣體。 3 3.如申請專利範圍第3 2項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該惰性氣體包括氙氣、氖氣及氬氣其中之一。 3 4.如申請專利範圍第3 0項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該些電極為一金屬電極。 3 5 .如申請專利範圍第3 4項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該金屬電極包括鎳電極、銀電極、銅電極、鉬 電極及鈮電極其中之一。 3 6.如申請專利範圍第3 0項所述之冷陰極平面燈結 構，更包括至少一連通凹槽，該連通凹槽配置於該波浪 狀結構體上，以使該些第一密閉腔體及該些第二密閉腔 體相互連通。 3 7.如申請專利範圍第3 6項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該連通凹槽的寬度為0.1 mm〜10mm 且深度為

   10877twf. ptd 第27頁 594830 六、申請專利範圍 0.1mm〜5mm 〇 3 8 .如申請專利範圍第3 0項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該第一板狀基材之底面為一反射表面。 3 9 .如申請專利範圍第3 0項所述之冷陰極平面燈結 構，其中該第二板狀基材之底面為一擴散表面。 4 0 .如申請專利範圍第3 0項所述之冷陰極平面燈結 構，更包括一阻抗裝置，該阻抗裝置配置於該些電極 上，且該阻抗裝置為電阻、電容及電感其中之一。

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