TW594349B - Liquid crystal display device and method of the same - Google Patents

Description

594349 五、發明說明（1) 一、發明所屬之技術領域： 本發明係有關於一種液晶顯示元件之製造方法，特 別是有關於一種可減少薄膜電晶體液晶顯示器陣列 (TFT-LCD Array)基板製程光罩數之液晶顯示元件之製 造方法。 二、先前技術：

傳統液晶顯示（1 i q u i d c r y s t a 1 d i s p 1 a y )器的製 造過程中，德支影製程（lithographic process )是高成 本而且需要南精密度控制的關鍵步驟。特別是在液晶顯 示器的微影製程中，陣列（array )製程是最關鍵的步 驟，因為眾多微小的薄膜電晶體（t h i n f i 1 m transistors )要同時形成在一大塊基板上。因此，降低 微影製程的次數可以有效的提升液晶顯示器的製造良率 以及降低其製造成本。利用微影製程來製造陣列時，每 減少一道光罩，代表著降低光罩的製作成本以及曝光次 數。而曝光次數的減少表示需要的高精密度的步驟減 少，因而產品的良率得以提升。 目前薄膜電晶體液晶顯示器（TFT-LCD )業界常用的 量產技術需要五道光罩來定義薄膜電晶體（TFT )元件與 晝素（透明）電極。而一般由五道光罩製程縮減為四道 594349 五、發明說明（2) 光罩的方法主 1 .合併金屬層 金屬層（SD ) 與導電層（PE 光罩製程。然 點，所以不適 2 .合併半導體 光罩減為四道 構關係，將導 3 .合併金屬層 式係以半透光 程。上述方法 比較接近現今 程0 要有下列三種： (SD)與導電層（PE)光罩製程，也就是 以ITO替代Cr等材料。因合併金屬層（SD ) )光罩製程，而將光罩數從五道減為四道 而’利用I T 0作為訊號傳輸有阻抗太南的缺 用於大尺寸高解析度的機種。 層（S E )與絕緣層（C Η )光罩製程，以將 。此方式因為薄膜電晶體（T F Τ )元件的結 致有較大斷差，並且有I 〇 f f較高之缺點。 (SD )與半導體層（SE )光罩製程，此方 (Half-tone )光阻方式完成四道光罩之製 為三星（Samsung)所發表之文獻，其製程 中華映管（CPT )所採行之五道光罩光造製 上述三星（Samsung)所採用之半透光 (Half-tone ;亦稱為Gray-tone，其係利用二種光阻膜 厚差）方法係利用狹缝光罩（s 1 i t m a s k )使光阻因感光 強度不同，形成半透光（Half-tone)光阻，進而定義出 通道區（為BCE結構）。上述製程餘裕度太小（small process windows or narrow margin ) ，不易形成高度 均勻的半透光（H a 1 f - t ο n e )光阻以及源極金屬易剝落而 造成斷線。

第7頁 594349 五、發明說明（3) 另外，利用曝光後烘烤（PEB :Post Exposure Bake )的方法之四道光罩製程，所定義之半透光（Half-tone )光阻也會造成均勻度不佳、源極汲極金屬易剝落而造 成斷線的情形。再者，也有採用導電層（PE )來定義通 道區的方式，但是其I 〇 f f可能較大而不易控制。 因此，對於上述所提之缺點與減少光罩之目的，需 要提供另外一種比較容易製造以及可減少光罩數目以降 低製造成本之液晶顯示元件。 三、發明内容： 鑒於上述之發明背景中，傳統方法所提供之液晶顯 示元件之製造方法所產生之諸多問題與缺點，本發明主 要之目的在於提供一種可減少薄膜電晶體液晶顯示器陣 列（T F T - L C D A r r a y )基板製程光罩數之液晶顯示元件之 製造方法，以降低製造成本。 根據以上所述之目的，本發明提供了 一種液晶顯示 元件之製造方法，其包含以下之步驟：首先，提供一基 板；接著，形成一第一金屬層於上述基板之上；然後， 形成一第一光阻圖案於上述第一金屬層之上，並以上述 第一光阻圖案為一蝕刻罩幕蝕刻第一金屬層，直到上述 基板裸露出來為止’結果於上述基板之上形成一閘極圖

第8頁 594349 五、發明說明（4) 案；之後，去除上述第一光阻圖案；接著，形成一第一 絕緣層於上述基板與閘極圖案之上；然後，形成一半導 體層於上述第一絕緣層之上；之後，形成一第二金屬層 於上述半導體層之上；接著，形成一第二光阻圖案於上 述第二金屬層之上，並以上述第二光阻圖案為一蝕刻罩 幕依序蝕刻上述半導體層與第二金屬層，直到上述第一 絕緣層裸露出來為止，結果於上述閘極圖案與第一絕緣 層之上形成一第二圖案；然後，去除上述第二光阻圖 案；之後，形成一第二絕緣層於上述第二圖案與第一絕 緣層之上；接著，形成一第三光阻圖案於上述第二絕緣 層之上，並以上述第三光阻圖案為一蝕刻罩幕蝕刻第二 絕緣層，直到部分之上述第二圖案與閘極圖案裸露出來 為止，結果於上述閘極圖案、第一絕緣層與第二圖案之 上形成一第三圖案，並於上述第二圖案之上形成一通道 區；然後，去除上述第三光阻圖案；之後，形成一導電 層於上述第一圖案、第二圖案與第三圖案之上；接著， 形成一第四光阻圖案於上述導電層之上，並以上述第四 光阻圖案為一蝕刻罩幕蝕刻導電層，直到部分之上述第 二圖案與第三圖案裸露出來為止，結果於上述第一圖 案、第二圖案與第三圖案之上形成一第四圖案；然後， 去除上述通道區下之上述第二圖案中之上述金屬層；之 後，蝕刻上述通道區下之上述第二圖案中之部分上述半 導體層；接著，形成一第三絕緣層於上述通道區、第三 圖案與第四光阻圖案之上；最後，去除上述第四光阻圖

第9頁 594349 五、發明說明（5) 案與第四光阻圖案之上之上述第三絕緣層 本 包含： 緣層，上，其 述閘極 導體層 中上述 層厚度案，上 中上述 中空區 一第二 屬層圖 發明亦提供了 基板 上述 中上 圖案 圖案 半導 比非 述金 金屬 ，使 絕緣 案與 上 第一絕 述第一 之部分 形成於 體層圖 通道區 屬層圖 層圖案 得上述 層圖案 第一絕 具有一上述第二中 空區與一上述第一 層圖案、第三中空 下之上述閘極圖案 層圖案形成於包含 第二絕緣層圖案之 第三絕緣層圖案形 層圖案之上。 述基 緣層 絕緣 裸露 上述 案具 之半 案形 具有 通道 ，上 緣層 空區 中空 區下 裸露 上述 上； 成於 種液晶顯不 板上具有一 形成於上述基板與 層具有一第一中空 出來； 元件之結構，該結構 閘極圖 閘極圖 有一通 導體層 成於上 一與上 區中之 述第二 之上， 、一上 區，使 之上述 一第 一半 案與 道區 厚度 述半 述通 半導 絕緣 其中 述金 得上 金屬 出來；一導 第一中空區 以及，一第 包含上述通 導體層 第一絕 ，該通 略小； 導體層 道區一 體層圖 層圖案 上述第 屬層圖 述通道 層圖案 電層圖 與第三 三絕緣 道區之 案；一 閘極圖 區使得 圖案， 緣層之 道區之 一金屬 圖案之 樣大小 案裸露 形成於 二絕緣 案上之 區中之 與第一案，上 中空區 層圖案 上述第 第 絕 案之 部份上 上述半 上，其 半導體 層圖 上，其 之第二 出來； 上述金 層圖案 第三中 半導體 中空區 述導電 之上述 ，上述 二絕緣

第10頁 594349 五、發明說明（6) 四、實施方法： 本發明的一些實施例會詳細描述如下。然而，除了 詳細描述外，本發明還可以廣泛地在其它的實施例中施 行，且本發明的範圍不受限定，其以之後的申請專利範 圍為準。 本發 中空陣列 首先 述基板之 屬層之上 明提 之製造方 ，提供一 上； ，並 供了 一較佳實施例 含以下 法，包 基板； 接著 然後 以上述第一 金屬層，直到上述基板 形成一第 板之 案； 上； 後， 成一 二光 金屬 述閘 去除 述第 圖案 上形 接著 然後 形成 第二 阻圖 層， 極圖 上述 二圖 於上 成一閘極圖案； 形 形 成 成 第一絕 半導體 第二金屬層於 於上述 圖案 光阻 案為 直到上述第 案與 第二 案與 述第 餘刻罩幕 第一 光阻 第一 絕 、絕 絕緣層 圖案； 絕緣層 緣層之 光阻圖 裸露出 之後， 緣層於 層於上 上述半 第二金 依序# 緣層裸 之上形 之後， 之上； 上，並 ，在 之步 形成 光阻 案為 來為 去除 上述 述第 導體 屬層 刻上 該實施例中，一種 驟·· 一第一金屬層於上 圖案 於上 刻罩 止’結果 上述 第一 述第 幕I虫 於上 光阻 極圖 之上 接著 以上 層與 結果 基板與閘 緣層 上； ，並 導體 露出來為止， 成一第二圖案；然 形成一第二絕緣層 接著，形成一第三 以上述第三光阻圖 一絕 層之 之上 述半 來為 一金 刻第 述基 圖 案之 ；之 ，形 述第 第二 於上 後， 於上 光阻 案為

第11頁 594349 五、發明說明（7) 一蝕刻罩幕蝕刻第 與閘極圖案裸露出 圖案 絕緣層 包含一 形成一 上；接 以上述 分之上 述第一 案；然 金屬層 部分上 二圖案 述第四 層。上 圖案裸 與第二 通道區 導電層 著，形 第四光 述第二 圖案、 後，去 ;之後 述半導 、第三 光阻圖 述之步 於上 成一 阻圖 圖案 第二 除上 ，I虫 體層 圖案 案與 驟請 二絕 來為 之上 後， 述第 第四 案為 與第 圖案 述通 刻上 ;接 與第 第四 參照 緣層 止， 形成 去除 一圖 光阻 三圖 與第 道區 述通 著， 四光 光阻 第一 ，直 結果 一第 上述 案、 圖案 刻罩 案裸 三圖 下之 道區 形成 阻圖 圖案 圖到 到部 於上 三圖 第三 第二 於上 幕名虫 露出 案之 上述 下之 一第 分之 述閘 案， 光阻 圖案 述導 刻導 來為 上形 第二 上述 三絕 上； 上述第 極圖案 上述第 圖案； 與第三 電層之 電層， 止 結 案之 之上之上 第十一圖 成一第 圖案中 第二圖 緣層於 最後， 述第三 以解釋 二圖案 、第一 三圖案 之後， 圖案之 上，並 直到部 果於上 四圖 之上述 案中之 上述第 去除上 絕緣 之〇 請參考第一圖，首先，在一基板1 〇 〇上形成一閘極 (G E )圖案1 0 1。上述基板1 0 0為一絕緣基板材質，例如 是一玻璃。上述閘極圖案1 0 1之形成步驟為：首先，採用 一旋轉塗佈（spin coating)的方式塗佈一光阻層在一 金屬層之上，然後，利用一微影（L i t h 〇 g r a p h y )技術將 上述光阻層圖案化，之後，再利用上述光阻層圖案作為 |虫刻罩幕以進行一 |虫刻（E t c h i n g )技術，而將上述金屬 層银刻，以形成一閘極圖案1 0 1 。形成閘極圖案1 0 1之

第12頁 594349 五、發明說明（8) 後，再將剩餘之光阻去除。上述閘極之材料為金屬，例 如是銘（A1)、铭合金、钥（Mo)、錮鶴合金（MoW)、 鉻（Cr)或鈕（Ta)。 請參考第二圖，然後，形成一絕緣層（G I ) 1 0 2於上 述基板1 0 0與閘極圖案1 0 1之上。上述絕緣層1 0 2之材料例 如是一氮化矽。接著，形成一半導體層（SE)103於上述 絕緣層1 0 2之上，上述半導體層1 0 3之材料例如是一本質 非晶石夕或掺雜非晶石夕。之後，形成一金屬層（S D ) 1 0 4於 上述半導體層103之上，上述金屬層104之材料例如是紹 (A1 )、鋁合金、鉬（Mo)、鉬鎢合金（MoW)、鉻（Cr )或组（Ta)。上述金屬層（SD) 104係為源極與沒極金 屬層。 請參考第三圖，接著，形成一第二光阻圖案（未圖 示）於上述金屬層104之上，並以上述光阻圖案為一蝕刻 罩幕依序#刻上述半導體層103與金屬層104，直到上述 絕緣層1 0 2裸露出來為止，結果於上述閘極圖案1 0 1與絕 緣層102之上形成一圖案103、104。。然後，去除上述光 阻圖案。 請參考第四圖，之後，形成一絕緣層（C Η ) 1 0 5於上 述圖案1 0 3、1 0 4與絕緣層1 0 2之上。上述絕緣層（C Η ) 105為一層間絕緣層，此層之目的在定義一通道區。上述

第13頁 594349 五、發明說明（9) 絕緣層（C Η ) 1 0 5之材料為氮化石夕。 請參考第五圖，接著，形成一光阻圖案（未圖示） 於上述絕緣層1 0 5之上，並以上述光阻圖案為一蝕刻罩幕 蝕刻絕緣層1 0 5 ，直到部分之上述圖案1 0 4與閘極圖案1 0 1 裸露出來為止，結果於上述絕緣層102與圖案104之上形 成一圖案105 ，上述圖案105包含一中空通道區106、一中 空接觸區1 0 7與一中空接觸區1 0 8。然後，去除上述光阻 圖案。上述中空接觸區1 0 8可以使得閘極（G Ε )與導電層 (ΡΕ )接觸。 請參考第六圖，之後，形成一導電層（ΡΕ)109於上 述圖案101 、104與105之上。上述導電層（ΡΕ) 109為像 (畫）素透明電極。接著，塗佈一光阻層1 1 0於上述導電 層1 0 9之上。然後，利用一微影（L i t h 〇 g r a p h y )技術將 上述光阻層圖案化以形成光阻層圖案1 1 0，接著，再利用 上述光阻層圖案1 1 0作為蝕刻罩幕以進行一蝕刻 (Etching )技術，而將上述導電層（P E ) 1 0 9 #刻，以 形成一導電層（PE)圖案109 ，請參考第七圖。上述導電 層（PE ) 1 0 9之材料為一透明導電材料，例如I TO。 請參考第八圖，然後，去除上述中空通道區106下之 上述圖案104中之上述金屬層。之後，餘刻上述中空通道 區106下之上述圖案104中之部分上述半導體層，使得中

第14頁 594349 五、發明說明（ίο) 空通道區106下之上述半導體層厚度比非中空通道區106 之半導體層厚度略小，請參考第九圖。 請參考第十圖，接著，形成一絕緣層1 1 1於上述圖案 103、圖案105與光阻圖案109之上。上述絕緣層111為一 _ 層間絕緣層，而其材料例如是氮化石夕。最後，去除上述 _ 光阻圖案109與光阻圖案109上之上述絕緣層111 ，請參考 第十一圖。 本發明亦提供一種液晶顯示元件之結構，其包含： 一基板1 0 0，上述基板1 0 0上具有一閘極圖案1 0 1 ; —絕緣着· 層1 0 2，上述絕緣層1 0 2形成於基板1 0 0與閘極圖案1 0 1之 上，其中絕緣層1 0 2具有一第一中空接觸區1 0 8使得部份 閘極圖案101之部分裸露出來；一半導體層圖案103，上 述半導體層圖案103形成於絕緣層102之上，其中上述半 導體層圖案103具有一通道區，上述通道區之半導體層厚 度比非通道區之半導體層厚度略小；一金屬層圖案104， 上述金屬層圖案104形成於半導體層圖案103之上，其中 金屬層圖案104具有一與通道區一樣大小之中空通道區 1 0 6 ; —絕緣層圖案1 0 5，上述絕緣層圖案1 0 5形成於金屬 層圖案1 0 4與絕緣層1 0 2之上，其中絕緣層圖案1 0 5具有一 ¢, 第二中空通道區106、一金屬層圖案104上之第三中空接 觸區107與一第一中空接觸區108 ; —導電層圖案109 ，上 述導電層圖案109形成於包含第一中空接觸區108與第三

第15頁 594349 五、發明說明（π) 中空接觸區1 0 7之絕緣層圖案1 0 5之上；以及，一絕緣層 圖案1 1 1 ，上述絕緣層圖案1 1 1形成於包含通道區之絕緣 層圖案105之上。 本發明之主要優點如下： 1.具有一保護層的關係，而因為附著力的增加，可以減 少源極導線斷路（s 〇 u r c e〇p e η )的發生。 2 .以層間絕緣層接觸窗定義薄膜電晶體（TF Τ )通道區 域。 3 .不需要搭配採用複雜的微影製程，均勻度較容易控 制。 4. 為防止晝素電極與閘極相接觸而造成薄膜電晶體（TFT )元件短路故障，所以閘極在薄膜電晶體（TFT )通道 兩侧各開一洞。 5. 因為半導體層會因背通道I虫刻（Back Channel Etching · BCE )而較通道的源極沒極金屬窄，所以不 會有所謂的漏電流（I 〇 f f )沿著受摻雜的半導體流動 的問題。也就是說，不需要在源極金屬進行絕緣層 (CH Layer)開窗，將金屬層（SD)與半導體層（SE) 的n+a-SiH 去除。 對熟悉此領域技藝者，本發明雖以一較佳實例闡明 如上，然其並非用以限定本發明精神。在不脫離本發明 之精神與範圍内所作之修改與類似的安排，均應包含在

第16頁 594349 五、發明說明（12) 下述之申請專利範圍内，這樣的範圍應該與覆蓋在所有 修改與類似結構的最寬廣的詮釋一致。因此，闡明如上 的本發明一較佳實例，可用來鑑別不脫離本發明之精神 與範圍内所作之各種改變。

第17頁 594349 圖式簡單說明 第一圖是根據本發明所顯示之形成閘極圖案於基板上之 不意圖， 第二圖是根據本發明所顯示之形成一絕緣層（G I )、半 導體層（SE )與金屬層（SD )於基板與閘極圖案上之示 意圖； 第三圖是根據本發明所顯示之蝕刻半導體層（SE )與金 屬層（SD)之示意圖； 第四圖是根據本發明所顯示之形成第一絕緣層（C Η )之 不意圖， 第五圖是根據本發明所顯示之蝕刻第一絕緣層（C Η )之 不意圖， 第六圖是根據本發明之形成一導電層（ΡΕ )之示意圖； 第七圖是根據本發明之蝕刻導電層（Ρ Ε )之示意圖； 第八圖是根據本發明之蝕刻部分金屬層（SD )之示意 圖， 第九圖是根據本發明之蝕刻部分半導體層（S Ε )之示意 1 1 第18頁 594349 圖式簡單說明 圖，

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Claims (1)

1. 594349 yX jii. ΓΤ 六、申請專利範圍 1. 一種液晶顯示元件之製造方法，包含以下之步驟： 提供一基板，該基板上具有一第一圖案，該第一圖案為 閘極圖案 形成 形成 形成 形成 圖案 到該 第一 半導 金屬 第一 一絕 層於 於該 該半 圖案 幕依 裸露 形成 圖案 層於 圖案 刻罩 閘極 緣層 包含 該基板與該閘極圖案之上； 第一絕緣層之上； 上； 層之上，並以該第一光阻 半導體層與該金屬層，直 ，結果於該閘極圖案與該 第二圖案； 絕緣 體層 層於 光阻 刻罩 緣層 之上 光阻 絕緣 一第二光阻 圖案為一姓 二圖案與該 、該第 該第三 為 第 導體層之 於該金屬 序蝕刻該 出來為止 第一絕緣層 去除 形成 形成 光阻 該第 圖案 案， 區， 去除 形成 之上 形成 圖案 案與 該第 一第 絕 圖案 該第二光阻圖案 一導電層於該第 一第三 為一# 該第三 光阻圖案 刻罩幕# 圖案裸露

   該第二圖 於該第二 幕蝕刻該 圖案裸露 案與該第一絕緣層之上； 絕緣層之上，並以該第二 第二絕緣層，直到部分之 出來為止，結果於該閘極 與該第二圖案之上形成一第三圖 一個中空通道區與二個中空接觸 圖案、該第二圖案與該第三圖案 於該導電 刻該導電 出來為止 層之上，並以該第三光阻 層，直到部分之該第二圖 結果於該第一圖案 該

   第20頁 594349 六、申請專利範圍 第二圖案與該第三圖案之上形成一第四圖案； 去除該中空通道區下之第二圖案中之該金屬層； 蝕刻該中空通道區下之第二圖案中之部分該半導體層； 形成一第三絕緣層於該中空通道區、該第三圖案與該第 三光阻圖案之上；以及 去除該第三光阻圖案與該第三光阻圖案之上之該第三絕 緣層。 2 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件之製造方法，其 中該基板為一絕緣基板。 3.如申請專利範圍第2項之液晶顯示元件之製造方法，其 中該絕緣基板為一玻璃。 4 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件之製造方法，其 中該第一絕緣層之材料為氮化矽。 5 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件之製造方法，其 中該閘極之材料為一金屬，該金屬選自銘（A 1 )、紹合 金、鉬（Μ 〇 )、鉬鎢合金（Μ 〇 W )、鉻（C r )或钽（T a ) 之一。 6 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件之製造方法，其 中該半導體層之材料為一本質非晶矽或摻雜非晶矽。

   第21頁 594349 六、申請專利範圍 7 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件之製造方法，其 中該金屬層之材料選自銘（A1) 、1呂合金、錮（Mo)、 鉬鎢合金（Μ 〇 W )、鉻（C r )或鈕（T a )之一。 8 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件之製造方法，其 中該第二絕緣層之材料為氮化矽。 9 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件之製造方法，其 中該導電層之材料為一透明導電材料，而該透明導電材 料為I T 0。 1 0 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件之製造方法， 其中該第三絕緣層之材料為氮化矽。 1 1 . 一種液晶顯示元件之製造方法，包含以下之步驟： 提供一基板； 形成一第一金屬層於該基板之上； 形成一第一光阻圖案於該第一金屬層之上，並以該第一 光阻圖案為一蝕刻罩幕蝕刻該第一金屬層，直到該基板 裸露出來為止，結果於該基板之上形成一第一圖案，該 第一圖案為一閘極圖案； 去除該第一光阻圖案； 形成一第一絕緣層於該基板與該閘極圖案之上；

   第22頁 594349 六、申請專利範圍 形成一半導 形成一第二 形成一第二 體層 金屬 於該 層於 圖案 第一絕緣層之 光阻 屬層 圖案 去除 形成 形成 光阻 該第 圖案 案， 區， 去除 形成 之上 形成 圖案 案與 第二 去除 I虫刻 層； 圖案為 ，直到 與該第 該第二 一第二 一第三 圖案為 二圖案 、該第 該第三 該半導體層之上； 光阻圖案於該第二金屬層之上，並以該第二 一名虫刻罩幕依序勉刻該半導體層與該第二金 該第一絕緣層裸露出來為止，結果於該閘極 一絕 緣層 圖案 層於 光阻圖案 一 Ιά刻罩 與該閘極 緣層 包含 光阻 絕緣 絕 圖案 該第三光阻圖案 一導電層於該第 一第四 為一餘 該第三 圖案與 該中空 該中空 光阻圖案 刻罩幕蝕 圖案裸露 該第三圖 通道區下 通道區下

   之上形成一第二圖案； ， 該第二圖案與該第一絕緣層之上； 於該第二絕緣層之上，並以該第三 幕蝕刻該第二絕緣層，直到部分之 圖案裸露出來為止，結果於該閘極 與該第二圖案之上形成一第三圖 一個中空通道區與二個中空接觸 一圖案、該第二圖案與該第三圖案 於該導電層之上，並以該第四光阻 刻該導電層，直到部分之該第二圖 出來為止，結果於該第一圖案、該 案之上形成一第四圖案； 之該第二圖案中之該金屬層； 之該第二圖案中之部分該半導體

   第23頁 594349 六、申請專利範圍 形成一第三絕緣層於該中空通道區、該第三圖案與該第 四光阻圖案之上；以及 去除該第四光阻圖案與該第四光阻圖案之上之該第三絕 緣層。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之液晶顯示元件之製造方法 其中該基板為一絕緣基板。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之液晶顯示元件之製造方法 其中該絕緣基板為一玻璃。 1 4.如申請專利範圍第1 1項之液晶顯示元件之製造方法 其中該第一金屬層之材料選自鋁（A 1 )、鋁合金、鉬 (Mo)、鉬鎢合金（MoW)、鉻（Cr)或钽（Ta)之一 1 5 .如申請專利範圍第1 1項之液晶顯示元件之製造方法： 其中該第一絕緣層之材料為氮化矽。 1 6 .如申請專利範圍第1 1項之液晶顯示元件之製造方法： 其中該半導體層之材料為一本質非晶矽或摻雜非晶矽。 〇 1 7.如申請專利範圍第1 1項之液晶顯示元件之製造方法： 其中該第二金屬層之材料選自鋁（A 1 )、鋁合金、鉬 (Mo)、鉬鎢合金（MoW)、鉻（Cr)或钽（Ta)之

   第24頁 594349 六、申請專利範圍 1 8 ·如申請專利範圍第1 1項之液晶顯示元件之製造方法， 其中該第二絕緣層之材料為氮化矽。 1 9 .如申請專利範圍第1 1項之液晶顯示元件之製造方法， 其中該導電層之材料為一透明導電材料，該透明導電材 料為I T 0。 2 0 .如申請專利範圍第1 1項之液晶顯示元件之製造方法， 其中該第三絕緣層之材料為氮化矽。 2 1 . —種液晶顯示元件之結構，包含： 一基板，該基板上具有一第一圖案，該第一圖案為一閘 極圖案； 一第一絕緣層，該第一絕緣層形成於該基板與該閘極圖 案之上，其中該第一絕緣層具有一第一中空接觸區使得 部份該閘極圖案之部分裸露出來； 一半導體層圖案，該半導體層圖案形成於該第一絕緣層 之上，其中該半導體層圖案具有一通道區，該通道區之 該半導體層厚度比非通道區之該半導體層厚度略小； 一金屬層圖案，該金屬層圖案形成於該半導體層圖案之 上，其中該金屬層圖案具有一與該通道區一樣大小之第 二中空通道區； 一第二絕緣層圖案，該第二絕緣層圖案形成於該金屬層

   第25頁 594349 六、申請專利範圍 圖案與該第一絕緣層之上，其中該第二絕緣層圖案具有 一該第二中空通道區、一該金屬層圖案上之第三中空接 觸區與一該第一中空接觸區； 一導電層圖案，該導電層圖案形成於包含該第一中空接 觸區與該第三中空接觸區之該第二絕緣層圖案之上；以 及 一第三絕緣層圖案，該第三絕緣層圖案形成於包含該通 道區之該第二絕緣層圖案之上。 2 2 .如申請專利範圍第2 1項之液晶顯示元件之結構，其中 該基板為一絕緣基板。 2 3 .如申請專利範圍第2 1項之液晶顯示元件之結構，其中 該絕緣基板為一玻璃。 2 4.如申請專利範圍第2 1項之液晶顯示元件之結構，其中 該閘極之材料為一金屬，該金屬選自銘（A 1 )、I呂合 金、钥（Mo)、錮鶴合金（MoW)、絡（Cr)或组（Ta) 之一 ° 其中 2 5 .如申請專利範圍第2 1項之液晶顯示元件之結構 該第一絕緣層之材料為氮化矽。 2 6 .如申請專利範圍第2 1項之液晶顯示元件之結構，其中

   第26頁 594349 六、申請專利範圍 該半導體層之材料為一本質非晶矽或摻雜非晶矽。 2 7.如申請專利範圍第2 1項之液晶顯示元件之結構，其中 該金屬層之材料選自鋁（A 1 )、鋁合金、鉬（Μ 〇 )、鉬 鶴合金（MoW)、鉻（Cr)或组（Ta)之一。 2 8 .如申請專利範圍第2 1項之液晶顯示元件之結構，其中 該弟二絕緣層之材料為氣化碎。 2 9 .如申請專利範圍第2 1項之液晶顯示元件之結構，其中 該導電層之材料為透明導電材料’該透明導電材料為 IT0 ° 3 0.如申請專利範圍第2 1項之液晶顯示元件之結構，其中 該第三絕緣層之材料為氮化矽。

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