TW591713B - Light emitting device having compound conductive layer - Google Patents

Description

~級_ 9112哩~^月日 修正_ 货明說明（1) 導奮本^發明係關於一種發光元件，尤其關於一種具有複合 也層之發光元件。 示光一_極體之應用頗為廣泛，例如，可應用於光學顯 薏7置、交通號誌、資料儲存裴置、通訊裝置、照明裝 發=及醫療裝置。如何提高發光二極體之亮度，是在 九,極體之製造上之重要課題。 中，美，專利第5, 789, 768號〔其申請人與本案相同〕 光^揭露如圖1顯示之發光二極體構造，此先前技藝發 1已了極，之特徵在於接觸層i 5上形成一透明氧化導電層 约自則電極1 8送出之電流，在透明氧化導電層丨6中能 以:句ΐ 開’另外該透明氧化導電層之穿透率可達8 5 〇/〇 帶=’使得由發光層射向該透明氧化導電層之光能輕易 在；由於透明氧化導電層之電阻值約在2〇〜1〇〇Ω/ 口， 但θ電阻值操作下，應用於小尺寸之發光元件尚可行， X應用於大尺寸之發光元件時就不適用。 造，在美國專利第5, 563, 422號中揭露一種發光二極體構 明壤其中在一Ρ型接觸層上以低溫形成一極薄之Ni/Au透 果導電層，利用金屬之低電阻值，以達到電流分布之效 ’而改善發光二極體之發光特性。然而實質上，以此 1材料製成之透明導電層，在經過融合處理後，其穿透 率僅約5 0 %〜7 0 %，因此影響發光二極體之發光效率。 於中華民國專利第134, 587號中，揭露一種發光元件 構造，該元件之表面存在一複合式抗反射層，其中該複 合抗反射層是由一導體層例如Ag與AlInGaP元件接觸，導 體層之上有一導電氧化物層，來助增電擴散效率；另外

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該複合式抗反射層一可置於前述發光元件之基板與發光 疊層之間形成一複合式反射層，該複合式反射層可將射 向基板的光反射釋出，以提高發光效率。然而實質上， 金屬導體層不易與發光元件之各型半導體層形成良好之 ^姆接觸’由參考資料’’Modern GaAs Procession

Method”， Williams， Ralph· 1990， ρ219·所述可知，

Ag、Au或者Ag/Au之合金無法與半導體形成良好之歐姆接 觸，而其他金屬導體類在經過加熱融合後可形成歐姆接 觸’但其穿透率及反射率皆大幅降低，無法達到前述之 提高發光效率之目的。另外於該專利提到其導體層Ag是 利用蒸鑛法直接形成於半導體層上，然而實際上，Ag與 半導體之接合力非常差，在蒸鍍後很容易剝離，不利於 後續之製程進行。 本案發明人於思考如何解決前述之缺點時，獲得一 發明靈感，認為若藉使用一第二透明氧化導電層，存在 於該複合導電層之金屬層以及發光元件之半導體層之 間，該第二透明氧化導電層能夠與發光元件形成歐姆接 觸，而金屬層不受融合之影響，仍能維持較佳之光穿透 效率及反射效率，如此可提高發光元件之發光效率。另 外，藉由該第二透明氧化導電層來強化發光疊層或基板 與複合導電廣之間之接合力，使得發光元件之纟士構強 化，以利於後續製程之進行。 千之…構強 發明概要 本發明之主要目的在於提供一具有複合導電層之發

591713 _案號91124847_年月曰 修正_ 五、發明說明（3) 光元件，該發光元件包含一發光疊層、一第二透明氧化 導電層以及一複合導電層，其中該複合導電層至少包含 一第一透明氧化導電層以及一透光性金屬層、一基板， 藉由該第二透明氧化導電層存在於該第一透明氧化導電 層及透光性金屬層之間，使得該複合導電層與發光疊層 形成良好之歐姆接觸，維持較佳之光穿透率。 另外若該複合導電層形成於該發光疊層及基板之 間，則可藉由該第二透明氧化導電層，使得該複合導電 層以及該基板之間形成良好之歐姆接觸，而該複合導電 層亦維持較佳之反射率，使得由發光疊層射向該複合導 電層的光產生反射，以提高發光元件之發光效率。 本發明之另一目的在於利用該第二透明氧化導電層 來強化發光疊層或基板與複合導電層之間之接合力，使 得發光元件之結構強化，以利於後續製程之進行。 依本發明一較佳實施例具有複合導電層之發光元 件，包含一第一電極、形成於該第一接線電極上之一基 板、形成於該基板上之一第一束缚層、形成於該第一束 缚層上之一發光層、形成於該發光層上之一第二束缚 層、形成於該第二束缚層上之一第一接觸層、形成於該 第一接觸層上之一複合導電層，其中該複合導電層包含 形成於該第一接觸層上之一第一透明氧化導電層以及形 成於該第一透明氧化導電層上之一金屬層、形成於該複 合導電層上之一第二透明氧化導電層、以及形成於該第 二透明氧化導電層上之一第二接線電極。 前述基板，係包含選自於GaP、GaAs及Ge所構成材料

591713 曰 案號 91124847 五、發明說明（4) 組群中之至少一種材料；前述第一束缚層、發光層與第 二束缚層’係包含AlGalnP ;前述第一接觸層，係包含選 自於GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP 及AlGaAs 所構 成材料組群中之至少一種材料；前述第一或第二透明導 電層包含選自於氧化銦錫、氧化録錫、氧化銻錫、氧化 鋅及氧化鋅錫所構成材料組群中之至少一種材料；前述 金屬層’係包含選自於In、Sn、A1、Au、Pt、Zn、Ag、 Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe或AuGe所構成材料組群中之至少 一種材料。 詳細說明 請參閱圖2，依本發明一較佳實施例具有複合導電層 之發光το件2，包含一第一接線電極29、形成於該第一接 線電極29上之一基板20、形成於該基板2〇上之一第一束 =層22、形成於該第一束缚層22上之一發光層23、形成 思該發光層23上之一第二束缚層24、形成於該第二束缚 二、4上之一第一接觸層25、形成於該第一接觸層25上之 二複合導電層26，其中該複合導電層26包含形成於該第 :接觸層25上之一第一透明氧化導電層26ι以及形成於該 =一透明氧化導電層261上之一第一金屬層2 6 2、形成於 二，合導電層上之一第二透明氧化導電層27、以及形成 ^邊第二透明氧化導電層27上之一第二接線電極28。依 法佳實施例之發光元件2，其利用一複合導電層來達到電 /爪分散之目的’其中該複合導電層之穿透率可達8 〇 %以 上，而電阻值僅約3 Ω / □，可兼顧穿透性佳 '低電阻值

591713 案號 91124847 曰 修正 五、發明說明（5) 及調整亮度之目的。 請參閱圖3，依本發明另一較佳實施例具有複合導電 層之發光元件3，包含一第一接線電極39、形成於該第一 接線電極39上之一基板30、形成於該基板30上之一連接 層301、形成於該建接層301上之一複合導電層36，其中 該複合導電層3 6包含形成於該連接層3 0 1上之一第一透明 氧化導電層361 ，形成於該第一透明氧化導電層361上之 一第一金屬層362，形成於該第一金屬層362上之一第二 透明氧化 上之一第二 透明氧化 第 之 束缚層3 2 成於該發 缚層3 4上 3 5上之一 複合導電 合導電層 僅約1 Ω / 前述 代替之， 得元件結 前述 接觸層及 第四透明 導電層363，形成於該第二透明氧化導電層363 金屬層364、形成於該複合導電層上之一第三 導電層37、形成於該第三透明氧化導電層37上 接觸層31、形成於該第二接觸層31上之一第一 二形成於該第一束縛層32上之一發光層33、形 光層上之一第二束缚層34、形成於該第二束 之一第一接觸層35、以及形成於該第一接觸層 第二，線電極38。本實施例之目的在於利用該 層之多重反射效果’能夠將由發光層射向該複 =光，經由反射帶出，該複合導電層之電阻值 □。 之第二較佳實施例中，該基板亦可以金屬基板 ^此便可省略發光元件中之第一接線電極，使 構更簡化。 二較佳實施例中，亦可於發光元件3之第一 第一接線電極之間形成一第二複合導電層及一 氧化導電層，此結樽之電流分散佳，另外分別

591713 _案號91124847_年月日 修正_ 五、發明說明（6) 藉由該兩組複合導電層之高穿透及高反射作用，可適用 於大尺寸之發光元件。 請參閱圖4A及圖4B，在波長400〜670奈米範圍下，改 變複合導電層金屬層及透明導電氧化層之層數，複合導 電層之穿透率及反射率之變化情形；請參閱圖5A及圖 5B，調整複合導電層之組成厚度，複合導電層之穿透率 及反射率之變化情形。由圖4A、圖4B、圖5A及圖5B可 知，改變複合導電層之層數或組成厚度，即可改變其反 射率或穿透率，因此可利用此特性來提高發光元件之亮 度或者調變其亮度。 請參閱圖6，依本發明再一較佳實施例具有複合導電 層之發光元件6，包含一複合導電層66，其中該複合導電 層66包含一第一透明氧化導電層661 ，形成於該第一透明 氧化導電層661上之一第一金屬層662，形成於該第一金 屬層662上之一第二透明氧化導電層663，形成於該第二 透明氧化導電層663上之一第二金屬層664，形成於該第 二金屬層664上之一第三透明氧化導電層665，形成於該 第三透明氧化導電層665上之一第三金屬層666、形成於 該複合導電層上之一第四透明氧化導電層67、形成於該 第四透明氧化導電層6 7上之一絕緣基板6 0、形成於該絕 緣基板60上之一第二接觸層61，其中，該第二接觸層61 之上表面包含一第一表面區域與一第二表面區域、形成 於該第一表面區域上之一第一束缚層62、形成於該第一 束缚層62上之一發光層63、形成於該發光層63上之一第 二束缚層64、形成於該第二束缚層64上之一第一接觸層

591713 案號 91124847 五、發明說明（7) 6 ^、、形成於該第一接觸層上之一第一接線電極6 8、以及 形成^該第二表面區域上之一第二接線電極69。 别述基板，係包含選自於GaP、GaAs、GaAsP、 A 1 G a A s、s i C或G e所構成材料組群中之至少一種材料；前 述絕緣基板，係包含選自Ai2〇3或玻璃所構成材料組群中 之至^ 一種材料或其它可代替之材料；前述第一、第二 或第—金屬層’係包含選自於In、Sn、A1、Au、Pt、 、Pb、Pd、Ge、CU、AuBe、AuGe、PbSn 或AuZn 所 ，j，料組群中之至少一種材料；前述第一束缚層係包 iA1GaInP、A〇、GaN、A1GaN、InGaN 或A1InGaN 所 f成材料組群中之至少一種材料；前述發光層係包含選 自AiGalnP、GaN、InGaN或AUnGaN所構成材料组群中之 至少一種材料；前述第二束缚層係包含選自AlGainp、 AIN、GaN、AlGaN、InGaN 及 AlInGaN 所構成材料組 至少-種材料；前述第-或第二接觸@ ’係包含 GaP 、GaAs 、GaAsP 、InGaP 'AiGalnP 、AlGaA 曰、 InGaN或AlGaN所構成材料組群中之至少一種材 第一 '第二、第三或第四透明氧化導電層包含^自 化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及轰 I ;氧 成材料組群巾之至少一種材料。 μ氧化鋅錫所構 雖然本發明之發光二極體已以較佳實施例揭 上，然本發明之範圍並不限於上述較佳實施例，/ 述申請專利範圍所界定為準。因此任何熟知此項下 者，在不脫離本發明之申請專利範圍及精神 ' # w Γ ’ s可做

591713 案號91124847_年月日 修正 五、發明說明（8) 任何改變。 第12頁 ❿ 591713 _案號91124847_年月日 修正_ 圖式簡單說明 圖式之簡單說明： 圖1為一示意圖，顯示一先前技藝發光二極體之構 造； 圖2為一示意圖，顯示依本發明一較佳實施例之一種 具有複合導電層之發光元件； 圖3為一示意圖，顯示依本發明另一較佳實施例之一 種具有複合導電層之發光元件； , 圖4A-4B為在波長4 0 0〜6 7 0奈米範圍下，改變複合導 電層金屬層及透明導電氧化層之層數，複合導電層之穿 透率及反射率； 圖5A-5B為在波長400〜670奈米範圍下，改變複合導 電層金屬層及透明導電氧化層之組合厚度，複合導電層 之穿透率及反射率； 圖 6為一 示意圖，顯示依本發明再一較佳實施例之 種具有 複合導電層之發光元件。 符號說 明 10 基板 11 第一 束缚層 12 發光 層 13 第二 束缚層 14 窗戶 層 15 接觸 層

第13頁 591713 案號91124847_年月日 修正 圖式簡單說明 16 透明氧化導電層 17 後電極 18 前電極 2 發光元件 20 基板 22 第一束缚層 23 發光層 24 第二束缚層 25 第二接觸層 26 複合導電層 261 第一透明氧化導電層 262 第一金屬層 27 第二透明氧化導電層 28 第一接線電極 29 第二接線電極 3 發光元件 30 基板 301 連接層 31 第二接觸層 32 第一束缚層 33 發光層 34 第二束缚層 35 第二接觸層 36 複合導電層 361 第一透明氧化導電層

第14頁 591713 案號91124847_年月日 修正 圖式簡單說明 362 第一金屬層 363 第二透明氧化導電層 364 第二金屬層 37 第三透明氧化導電層 38 第一接線電極 39 第二接線電極 6 發光元件 60 絕緣基板 61 第二接觸層 62 第一束缚層 63 發光層 6 4 第二束缚層 65 第一接觸層 66 複合導電層 661 第一透明氧化導電層 662 第一金屬層 663 第二透明氧化導電層 664 第二金屬層 665 第三透明氧化導電層 666 第三金屬層 67 第四透明氧化導電層 68 第一接線電極 69 第二接線電極

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Claims (1)

1. 591713 _案號91124847_年月日 修正_ 六、申請專利範圍 1· 一種具有複合導電層之發光元件，包含： 一基板； 一發光疊層，形成於該基板之上； 一複合導電層，形成於該發光疊層之上，其中該複合 導電層至少包含一形成於該發光疊層上之第一透明氧化 導電層及一形成於該第一透明氧化導電層上之金屬層； 一第二透明氧化導電層，形成於該複合導電層之上； 以及 電極。

   2. —種具有複合導電層之發光元件，包含： ^丞板， 一複合導電層，形成於該基板之上，其中該複合導電 層至少包含一形成於該基板上之第一透明氧化導電層及 一形成於該第一透明氧化導電層上之金屬層； 一第二透明氧化導電層，形成於該複合導電層之上； 一發光疊層，形成於該第二透明氧化導電層之上；以 及 電極。 3. —種具有複合導電層之發光元件，包含：

   一複合導電層，其中該複合導電層至少包含一第一透 明氧化導電層及一形成於該第一透明氧化導電層上之金 屬層；

   第16頁 591713 _案號91124847_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 一第二透明氧化導電層，形成於該複合導電層之上； 一基板，形成於該第二透明氧化導電層之上； 一發光疊層，形成於該基板之上；以及 電極。 4. 一種具有複合導電層之發光元件，包含： 一弟二接線電極； 一基板，形成於該第二接線電極之上； 一第一束缚層，形成於該基板之上； 一發光層，形成於該第一束缚層之上；

   一第二束缚層，形成於該發光層之上； 一第一接觸層，形成於該第二束缚層之上； 一複合導電層，形成於該第一接觸層之上，其中該複 合導電層至少包含一形成於該第一接觸層上之第一透明 氧化導電層及一形成於該第一透明氧化導電層上之金屬 層； 一第二透明氧化導電層，形成於該複合導電層之上； 以及 一第一接線電極，形成於該第二透明氧化導電層之 上。

   5. —種具有複合導電層之發光元件，包含： 一第二接線電極， 一基板，形成於該第二接線電極之上；

   第17頁 591713 _案號 91124847_^_0_修正_ 六、申請專利範圍 一複合導電層，形成於該基板之上，其中該複合導電 層至少包含一形成於該基板上之第一透明氧化導電層及 一形成於該第一透明氧化導電層上之金屬層； 一第二透明氧化導電層，形成於該複合導電層之上； 一第二接觸層，形成於該第二透明氧化導電層之上； 一第一束缚層，形成於該第二接觸層之上； 一發光層，形成於該第一束缚層之上； 一第二束缚層，形成於該發光層之上； 一第一接觸層，形成於該第二束缚層之上；以及 一第一接線電極，形成於該第一接觸層之上。 6. —種具有複合導電層之發光元件，包含： 一金屬基板； 一複合導電層，形成於該金屬基板之上，其中該複合 導電層至少包含一形成於該金屬基板上之第一透明氧化 導電層及一形成於該第一透明氧化導電層上之金屬層； 一第二透明氧化導電層，形成於該複合導電層之上； 一第一束缚層，形成於該第二透明氧化導電層之上； 一發光層，形成於該第一束缚層之上； 一第二束缚層，形成於該發光層之上； 一第一接觸層，形成於該第二束缚層之上； 一第一接線電極，形成於該第一接觸層之上。 7. —種具有複合導電層之發光元件，包含：

   第18頁 591713 _案號91124847_年月日 修正__ 六、申請專利範圍 一複合導電層，其中該複合導電層至少包含一第一 透明氧化導電層及一形成於該第一透明氧化導電層上之 金屬層； 一第二透明氧化導電層，形成於該複合導電層之 上； 一絕緣基板，形成於該第二透明氧化導電層之上； 一第二接觸層，形成於該絕緣基板之上，其中，該 第二接觸層之上表面包含一第一表面區域與一第二表面 區域； 一第一束缚層，形成於該第一表面區域之上；

   一發光層，形成於該第一束缚層之上； 一第二束缚層，形成於該發光層之上； 一第一接觸層，形成於該第二束缚層之上； 一第二接線電極，形成於該第二表面區域之上；以 及 一第一接線電極，形成於該第一接觸層之上。

   8 ·如申請專利範圍第1項、第2項、第3項、第4項、第5 項、第6項或第7項所述之具有複合導電層之發光元件， 其中，該複合導電層中之金屬層可具有透光性或不透光 性。 9.如申請專利範圍第1項、第2項、第3項、第4項、第5 項、第6項或第7項所述之具有複合導電層之發光元件，

   第19頁 591713 _案號91124847_年月日 修正_ 六、申請專利範圍 其中，於該複合導電層之上可形成複數組複合導電層。 1 0 ·如申請專利範圍第1項、第2項、第3項、第4項、第5 項、第6項或第7項所述之具有複合導電層之發光元件， 其中，該複合導電層之組合厚度可調整。 光別 發分。 之前層 層之電 電層導 導疊化 合光氧 複發明 有該透 具成三 之形第 述，一 所上及 項之以 ^板層 圍基電 範該導 I於合 專，複 其成 中 '形 彡件序 1元依 圍 範 利 專 請 中 如 中成 其形 ，序 件依 元別 光分。 發前層 之之電 層層導 電缚化 導束氧 合一明 複第透 有該三 具成第 之形一 述，及 所上以 項之層 4板電帛d Γ 基導 該合 於複 專 請 申 如 層 導 合 複 有 具 之 述 成 形 序 依 別 分。 上層 之電 灼 」 ㉟層導 P疊化 第光氧 或發明 項該透 2於三 _ ，第 圍 範申一 J#其及 ίΊ ， 以 件層 元電 光導 發合 之複 專 請 中 如 、中 項其 5 第， 圍件 i元 Λ·/摩 J J光 ί 發 之 層 導 合 第 第 或 第 該 於 成 形 序 依 別 分。 之電 極導 電化 線氧 接明 一透 第三 該第 成一 有，以 具上層 之之電 述層導 所觸合 項接複 光 發 之 層 導 合 複 有 具 之 述 所 項 2 第 圍 A3^i 利 專 請 中 如

   第20頁 591713 _案號91124847_年月日 修正_ 六、申請專利範圍 元件，其中，於該基板之上，形成該複合導電層之前形 成一連接層。 16·如申請專利範圍第6項所述之具有複合導電層之發光 元件，其中，於該金屬基板之上，形成該複合導電層之 前形成一連接層。 17·如申請專利範圍第15項所述之具有複合導電層之發光 元件，其中，於該發光疊層之上分別依序形成一複合導 電層以及一第三透明氧化導電層。 1 8 ·如申請專利範圍第1 6項所述之具有複合導電層之發光 元件，其中，於該第一接觸層之上，形成該第一接線電 極之前分別依序形成一複合導電層以及一第三透明氧化 導電層。 1 9 .如申請專利範圍第1項、第2項、第3項、第4項、第5 項、第6項或第7項所述之具有複合導電層之發光元件， 其中，該第一透明氧化導電層包含選自於氧化銦錫、氧 化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構成材料組群 中之至少一種材料。 2 0 .如申請專利範圍第1項、第2項、第3項、第4項、第5 項、第6項或第7項所述之具有複合導電層之發光元件，

   591713 -—-—9JJ24847 年 月 _修正 六、申請專利範圍 其中’該第二透明氧化導電層包含選自於氧化杳 化韻錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構成未 中之至少一種材料。 2 1 ·如申請專利範圍第1 1項所述之具有複合導電 元件^其中’該第三透明氧化導電層係包含選自 锡 '氧化锅錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所 料組群中之至少一種材料。 2 2 ·如申請專利範圍第1 2 .項所述之具有複合導電> 元件’其中’該第三透明氧化導電層係包含選自 錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所 料組群中之至少一種材料。 2 3 ·如申請專利範圍第丨3項所述之具有複合導電/ 元件，其中，該第三透明氧化導電層係包含選自 錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所 料組群中之至少一種材料。 2 4 ·如申請專利範圍第丨4項所述之具有複合導電力 元件’其中’該第三透明氧化導電層係包含選自 錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所 料組群中之至少一種材料。 i錫、氧 f料組群 層之發光 氧化銦 構成材 I之發光 氧化鋼 構成材 ，之發光 氧化銦 構成材 3之發光 氧化銦 構成材

   第22頁 591713 _案號 91124847__年 曰 m__ 六、申請專利範圍 25·如申請專利範圍第17項所述之具有複合導電層之發光 元件，其中，該第三透明氧化導電層係包含選自氧化銦 錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構成材 料組群中之至少一種材料。 2 6 ·如申請專利範圍第1 8項所述之具有複合導電層之發光 元件，其中，該第三透明氧化導電層係包含選自氧化銦 錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構成材 料組群中之至少一種材料。 2 7 ·如申請專利範圍第1項、第4項或第5項所述之具有複 合導電層之發光元件，其中，該基板係包含選自G a p、 GaAs、GaAsP、AlGaAs、SiC或Ge所構成材料組群中之 少一種材料或其它可代替之材料。 之發光 Al2〇3 、 材料組 2 8 ·如申請專利範圍第2項所述之具有複合導電層 70件’其1 ’該基板係包含選自Si、GaAs、Sic、 ^ =、石英、Gap、GaAsP、A1GaAs或金屬所構成 之至少一種材料或其它可代替之材料。

   之於m專利範圍第3項或第γ項所述之具有複合ί 或二笨所嫌二、其中，該絕緣基板係包含選自A 1 2〇3、 之材料。冓成材料組群中之至少一種材料或其它可

   591713 - 91124847_年月日 鉻 π：__ 六、申請專利範圍 3 0 ·如申請專利範圍第1項、第2項、第3項、第4項、第5 項、第6項或第7項所述之具有複合導電層之發光元件， 其中，該金屬層係包含選自In、Sn、A1、Au、Pt、ζη、 Ag、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、PbSn 或AuZn 所構成 材料組群中之至少一種材料或其它可代替之材料。 3 1 ·如申請專利範圍第4項、第5項、第6項或第7項所述之 具有複合導電層之發光元件，其中，該第一束缚層係包 含選自AlGalnP 、A1N 、GaN 、AlGaN 、InGaN 或AlInGaN 所 構成材料組群中之至少一種材料或其它可代替之材料。 32·如申請專利範圍第4項、第5項、第6項或第7項所述之 具有複合導電層之發光元件，其中，該發光層係包含選 自AlGalnP、GaN、InGaN或AlInGaN所構成材料組群中之 至少一種材料或其它可代替之材料。 33·如申請專利範圍第4項、第5項、第6項或第7項所述之 具有複合導電層之發光元件，其中，該第二束缚層係包 含選自AlGalnP、AIN、GaN、AlGaN、InGaN 及AlInGaN 所 構成材料組群中之至少一種材料或其他可替代之材料。 3 4 ·如申請專利範圍第4項、第5項、第6項或第7項所述之 具有複合導電層之發光元件，其中，該第一接觸層係包 1 第 591713 Λ_JL 曰 修正 案號 91124847 六、申請專利範圍 含選自於GaP 、GaAs、GaAsP 、InGaP 、AlGaInP 、 AlGaAs、GaN、InGaN或AlGaN所構成材料板群中之至少一 種材料。 ^ 3 5 ·如、申#請專利範圍第5項或第7項所述之具有複合導電層 之發光70件，其中，該第二接觸層係包含選自於GaP、 丄S;GaAsP 、InGaP 、A1GaInP 、AlGaAs 、GaN 、InGaN 或 A 1 G a N 所構点 & , · , L , w攻材料組群中之至少一種材料。

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