TW585884B

TW585884B - Surface treatment of fluorinated contact lens materials

Info

Publication number: TW585884B
Application number: TW88122410A
Authority: TW
Inventors: George L Grobe Iii
Original assignee: Bausch & Lomb
Priority date: 1998-12-21
Filing date: 2000-01-13
Publication date: 2004-05-01
Also published as: US6794456B2; JP2002533741A; US20060246250A1; WO2000037545A8; EP1144487A1; DE69902106D1; US6550915B1; US20040224085A1; DE69902106T2; US7258906B2; EP1144487B1; US20030171499A1; MY118229A; CA2353823C; ES2180339T3; AU1924900A; US7094458B2; WO2000037545A1; CA2353823A1

Description

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五、發明說明（經濟部智慧財產局員工消費合作社印製發明領域本發明關於一種氟化隱形眼鏡之表面處理方法，其包拾處理高度氟化或氟矽隱形眼鏡材料。此方法包括以含氫氣之等離子氣體處理隱形眼鏡，以降低表層之氟含量，繼之氧化該表面以提高其氧及/或氮含量，藉此改進其濕潤度。發明背景以高度氟化材料製造之隱形眼鏡已經被研究多年。此些材料通常可分成兩個主要類別，即水凝膠及非水凝膠。非水凝膠無法吸收相當量的水份，然而水凝膠可吸收及保留水份在平衡狀態。非水凝膠及水凝膠氟化隱形眼鏡皆傾向於具有相當疏水、非濕潤的表面，而與它們的水份含量無關。習知技術中，已知在隱形眼鏡聚合物中引進含氟基團可大大提鬲氧滲透性。例如，依利斯等人（E1lis et ai )之美國專利第4,996,275號揭露使用包括含氟化合物雙 (1，1，1，1，3,3,3-六氟_2 -丙基）衣康酸醋之共聚用單體之混合物組合有機碎氧燒成份。使用於形成碎水凝膠之某些單體之氟化作用被指出可降低以此製造之隱形眼鏡之沈積物之堆積，如美國專利第4,954,587號、第5,079,319號及第 5,010,141號。再者，經發現使用含有具有某些氟化侧基團，即-(CF2)-H之單體之矽可提高親水性單元與包含單體單元之矽之間之相容性，如康茲勒等人（Kunzler et al )之美國專利第5,387,662號及第5,321，108號。其它氟化隱形眼本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1T---------線% 585884 A7

五、發明說明（2 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製鏡材料已經揭露於例如美國專利第3,389,〇12號；美國專利第3,962,279號；及美國專利第4,818,8〇1號。熟悉此技人士已認知到需要改造氟化隱形眼鏡之表面以使之可與眼睛相谷。已知提高隱形眼鏡表面之親水性可改進隱形眼鏡之濕潤度。此進而可改善隱形眼鏡配戴的舒適感。另外，隱形眼鏡之表面可影響隱形眼鏡對沈積物的感受度，特別是配戴隱形眼鏡期間來自眼液之蛋白質及脂類之沈積物。堆積的沈積物會引起眼睛的不舒適或甚至是發炎。在長期配戴之隱形眼鏡之例子中，其表面尤其重要，因爲長期配戴之隱形眼鏡必須設計成就寢前無須每日摘下隱形眼鏡下，具有長時間配戴舒適之高標準。因此，使用長期配戴之隱形眼鏡之目的在於不需每日給予眼睛一段時間以從配戴隱形眼鏡之任何不舒適感或其它可能有害的影響中復原過來。隱形眼鏡已經等離子氣體處理以改進它們的表面特性，以使其等之表面更具親水性、抗沈積物、抗刮傷或其它方面的改造。例如，一般已知等離子氣體可使繼之之塗層有更佳的吸附力。萊特（Letter)之美國專利第4,217,〇38號揭露在以濺射的硅玻璃塗敷硅隱形眼鏡之前，以氧氣等離子氣體蚀刻隱形眼鏡表面以提南繼之之塗層之吸附力。庫写年 (Kubacki)之美國專利第4,096,3 15號揭露塗敷塑膠基底如隱形眼鏡，較佳是PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯）隱形眼鏡之一種三步驟方法。該方法包括以等離子氣體處理該基底以在基底上形成氫氧基團以獲得良好的吸附力，接著以第二等 -5- ' ·ϋ ϋ I ϋ n ϋ ϋ V » ϋ ^1 «^1 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

n ft— —m I I 線m' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 585884 A7 五、發明說明（3) 離子氣體處理方法處理以在基底上形成後以鈍氣、空氣、氧氣或氮氣之第_ ; a，並在取从巩炙罘二寺離子氣體處理方法 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 處：二庫貝齊(Kubacki)説到以氫氣、氧氣、空氣或水兹氣預先處理，接下來之步驟較佳形成氫氧基團。而萊特 (Le⑽或庫貝齊（Kubacki)皆未提到高度氟化或^隱形眼鏡材料之表面處理方式。貝曼（Peyman)之美國專利第4,3 12,575號敎示使用氯/氣碳化合物氣體混合物處理矽隱形眼鏡。在貝曼（peyman)之1 體實施例2中，聚二甲基矽氧烷隱形眼鏡最初以5〇%氫 /50〇/〇四氟乙烯混合物處理’接著以氧氣等離子氣體處理。貝曼（Peyman)説到當使用卣化的碳氫化合物施行該發明之等離子氣體聚合方法時，氫氣可加到_化的碳氫化合物中以加速该聚合反應。貝曼（peyman)説到氫氣可以每體積之鹵化碳氫化合物大約0.1至大約5·〇體積氫氣之量加到等離子氣體聚合裝置中。貝曼（peyman)並未提到如何表面處理鬲度氟•化隱形眼鏡材料。亞尼加拉等人（Yanighara et al.)之美國專利第4,631，435號經濟部智慧財產局員工消費合作社印製揭露使用一種含有特定組合之至少一種選自齒化烷類、烷類、氫及ί素之氣體之等離子氣體聚合方法，上述氣體中鹵素/氫之原子的比率爲0.1至5，在反應區域之該等離子氣體之電子溫度爲6,0〇〇° Κ或更高，而低於30,000° Κ。最後之塗層特別適合做爲磁載聲體之保護膜。雷塔（Ratner)之美國專利第5，153,072號；第5,091，204號；第5,034,265號；及第4,565,083號揭露一種處理物件以提高 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） 585884 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（4 ) 其生化相容性之方法’據此方法’一基底係置於反應器容器内’並在純氣如氛氣存在下’曝露於等離子氣體放電中，之後曝露於可共價鍵結至基底表面以形成薄的生化相容表面之有機氣體如卣化碳或_化碳氲氣體存在下。該方法特別使用於血管接合材料之處理。該接合材料接受5_ 100瓦能量之等離子氣體放電。雷塔並未論及高度氟化隱形眼鏡材料之表面處理。就上文所述，提供一種具有光學上清晰親水的表面可展現改進的濕潤度的高度氟化隱形眼鏡是所欲的。更希望可表面處理氟化水凝膠或RGP隱形眼鏡以使其可長時間使用於人類眼睛中。特別地，希望提供一種高度氟化隱形眼鏡，其可長期配戴至少連續24小時，且更佳地，提供一種可連續且舒適配戴3至30天，沒有不可接受之角膜腫大或其它有害影響之生化相容隱形眼鏡。發明概述本發明關於一種處理高度氟化或氟矽隱形眼鏡之方法，其包括下列步驟： (a) 以含氫氣之等離子氣體處理隱形眼鏡以降低該隱形眼鏡之氟含量；及 (b) 以氧化氣體等離子氣體處理該聚合物表面，以增加其氧或氮含量，並提高其濕潤度。璧月之詳細説明如上又所述’本發明關於氟化隱形眼鏡之表面處理方法’其不是高度氟化之氟化矽材料就是高度氟化之非矽材

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A7 B7 五、發明說明（ 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製材料之氫氣等離子氣體處理經發現㈣該材料之俨塡：；二0埃（既化〈損失。氫氣(係過量存在)亦被相 ::广.物表面自由基位置，以允許該聚合物之化學 =,=限於理論下，因爲在材料表面上之等離子氣複雖的，據信，在隱形眼鏡表面上，氫氣與氣反 2成HF，其可在過程中以眞空幫浦抽走。因此，本發月使用1L氣争離子氣體還原氟化表面之化學。同時，碳含 ("、S刀析所測知)傾向於增加’其允許有繼之之等離子乳化步驟中促進氧化反應。又在氟夕材料之例子中，氣相中形成之可用於攻擊該 /物之矽a木。在薄膜中，氟與矽原子起化學反應形成 ^物種。當該♦原子具有四個氟原子（SiF4)時，該分子具二抽出，而&成薄膜之石夕的損失。同時，大過量之氫分子造成氫氣加入其餘的化學反應，其進一步還原隱形鏡材料之表面。該隱形眼鏡之氫還原表面之後可進一步用接下來之氡化等離子氣體來改造。本發明之反應條件實質上可與傳統的等離子氣體聚合反應相同。等離子氣體聚合反應期間之眞空度可爲1χ1〇: (t〇n〇至1托，而流進反應器之氣體流速可爲，例如在具… 内4體積大約1升之反應器之例子中，係〇1至1〇〇 cc(STp)Z 刀鐘。上述之氫氣在被放電進入反應器之前或之後，可純氣如氬、氦、氙、氖及其類似氣體混合。_化烷類之入並不必要，但不會有毒害，且可與氫氣組合存在，較佳爲齒素氣體對氫氣之比例少於〇 · 1對5。等離子氣體聚合可氣眼使托有與加反 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 585884 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（6 ) 應期間，該基底溫度並不特別限制，但較佳在〇。與则。c 之間。用於製造等離子氣體之放電型態並未特別限制，立可使用DC放電、低頻放電、高頻放電、電暈放電或微波放電。再者，用於等離子氣體聚合反應之反應裝置並未特別限制。所以’内部電極系統或無電極系統皆可以使用。關於該電極或線圈之形狀，或是在微波放電下其内腔或天線之構造亦不受到限制。可使用任何已知用於等離子氣體聚合反應之裝置。較佳地’藉由通過電的放電’通常在無線電頻率，經由低壓（〇·〇〇5-5·0托）氣體製造等離子氣體。據此，所使用之無線電頻率能量係由氣態之原子及分子所吸收，並且循環廷％引起這些受激發原子及分子互相碰撞，及與容室之壁碰撞，而材料之表面則被處理。電放電除了產生具能量之電子及離子、原子（基態及激發態）、分子及自由基之外， Τ製造紫外（wv)輻射。因此，該等離子氣體係基態及激發態之原子與分子之複雜混合物，其在該放電開始之後，達到穩定狀態。在等離子氣體處理中改變壓力及放電功率之效應通常爲熟悉此技人士所知。當壓力升高時，速率通常降低。因此’當壓力提高E/P値，維持等離子氣體之電場強度相對氣體壓力之比率降低，並且造成平均電子能量的降低。電子能量的降低接著造成所有電子-分子碰撞過程之速率係數的降低。壓力升高之另一結果係降低電子密度。總括而 -9- 本紙張尺錢种_家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱）

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 585884 - -—~sz--^ 五、發明說明（7 ) s ’壓力升〶效應係造成速率係數降低。設若壓力保持_ 疋，在電子备度與功率之間應爲線性關係。因此，速率係 •數應隨功率線性增加。氮氣等離子氣體先前已顯示藉由攻擊C-F鍵形成C-H键以降低氟化作用。本發明中，氟化材料之表面化學係經還原以允4繼4 4氧化反應。此一初步還原反應被發現是必須的，因爲不然的話，簡單的氣體等離子氧化反應會導致氟化聚合物I氧化表面之脱層。然而研究氫氣等離子氣體與氟化基底心動力學，進一步發現，氟矽材料之矽骨架可藉等離子氣體之作用而被移走。如上文所述，據信氫氣形成攻擊矽骨架之HF氣體，並且將在表面之大部份之聚合物骨架轉化成脂族碳物類，因此使得該表面之碳含量增加。所形成之碳包含相當量的立構規整性，且此碳構造具有相似於石墨之晶格振動，雖然亦偵測到一些不飽和。一相當部份（原有的C-F鍵可藉氫氣等離子氣體改造而被移走。氫氣等離子氣體處理之氟化材料之表面進一步被處理以提高其濕潤度’較佳藉由含氧氣或氮氣之等離子氣體之等離子氣體氧化反應。例如，氫氣等離子氣體還原表面可以等離子氣體氧化。此一隱形眼鏡之氧化反應可在由氧化介質如含氧或氮之化合物組成之大氣中完成，此些含氧或氮化合物係爲氮、空氣、水、過氧化物、〇2(氧氣）、甲醇、丙酮、燒基胺等或其組合物。本發明係可應用於廣泛種類之高度氟化隱形眼鏡材料。高度氟化一詞意指在表面頂部9 0埃中氟含量至少五百分 -10- 本紙張尺度適用中國國豕標準（CMS)A4規格（210 X 297公楚）一請先閲讀背面Μ涑意事頊存填寫本

585884 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（8 ) 比，較佳至少大約1 0百分比，如以xps分析所測得。該分杆之厚度之測定係根據下述方程式·· 以 hv=KE-所涉及之元素之束縛能 b其中hv=1486.6，KE爲XPS分析中使用之能源（例如，ai 陽極之x-ray能量）。該元素之束縛能係可變化的。例如，碳之束縛能爲285 eV，而氟之束縛能爲686 eV。再者， (ΚΕ)1/2=λ d=3Xsin0 其中Θ爲XPS測量之角度（例如45。），d爲測量之厚度（近於9 0埃，如下面具體實施例所述者），及“3”相應95%之訊號。咼度氟化材料包括水凝膠（氟膠）及非水凝膠。一般而言，水凝膠爲已知之材料類別，其包括含有水在平衡狀態之水合的，交聯聚合物系統。非水凝膠包括彈性體及不含水或低水量乾凝膠。氣碎水凝膠通常具有大約5重量百分比之水含量，且更通常介於大約1 0至大約8 0重量百分比。此些材料經常藉由聚合包含至少一個含氟矽之單體與至少一個親水性單體之混合物製備而得。典型上，不是含氟矽單體就是親水性單體在功用上作爲交聯劑（交聯劑係定義成具有複數個可聚合官能度之單體），或者可使用一分開的交聯劑。用於形成隱形眼鏡水凝膠之可應用之含氟矽單體單元係爲業者所習知，康茲勒等人（Kunzler et al.)之美國專利第 5，321，108號及芙蘭茲等人（Friends et al.)之美國專利第 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） • I ·1 MMmm i I ϋ I^OJ ϋ ϋ 1 i-i n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

585884 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（9 ) 4,8 10,764號可提供許多例子，在此提及此些專利係供做表考。可以本發明來處理之另一類別之氟化材料爲高DK氟聚合隱形眼鏡硬式氣體可滲透隱形眼鏡物件，其係由包括全氣單體之材料製備而得。一種尤其有利（高DK)之材料包括王氟-2,2-一甲基_1，3·二ττ号嗤與一或更多可接受之可共聚合乙埽類不飽和氟化共聚用單體之無定形共聚物，在該二聚否物中全氟-2,2-二甲基- i，3-二崎唆之比例至少約該共聚物之20莫耳百分比。隱形眼鏡材料另可包括至8〇重量百分比之一或更多其它選自四氟乙烯、六氟丙烯、氣三氟乙晞（CTFE)乙烯叉氟化物、pBVE、具有化學式 CF2 = CFO(CF2CFXO)nRf之全氟（燒基乙晞基）乙醚（PAVE)，其中X爲F或CFS，n爲〇-5，及尺爲1-6碳原子之全氟烷基團’以及其混合物之共聚用單體。此些單體揭露於同一天申请之美國申請案申請案號_(代理人之檔案號 Ρ〇2141)’在此提及此一揭露係供做參考。本發明之具體實施例中，氫氣等離子氣體處理之氟化聚合表面接著係以氧化等離子氣體氧化，例如，採用〇2(氧氣）、水、過氧化氫、空氣、氨等或其混合物製造自由基及被氧化的官能團。此些氧化反應使得隱形眼鏡之表面更具親水性及可濕潤的。可選擇性地完成進一步之表面處理’例如，習知技術中揭露之接入親水性聚合物或大單體。實務操作上’可將非水合狀態之隱形眼鏡置入電輝光放 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱) ---1 訂·------1·線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 585884 A7 _________ B7 五、發明說明（10) 電反應容器（例如眞空容室）以處理表面。此些反應器可從市面上購得。該等隱形眼鏡可在該容器内以鋁盤ϋ作: •爲電極）支持或其它經設計可調整隱形眼鏡之位置之其它支持裝置支持。習知技術中已知使用特殊的支持裝置以使隱形眼鏡之兩邊皆可表面處理，並且可使用於本發明中。等離子氣體處理所採用之氣體包括氣體的處理介質或大氣，如氫氣或在如氟氣之鈍氣中之氫氣，在電放電頻率例如是13_56兆赫兹（ΜΗΖ)，適當地介於大約1〇(Μ〇⑻瓦之間，較佳200至8〇〇瓦，更佳爲3⑻至5〇〇瓦，在〇 ^ 〇托 (ton*)之壓力下。等離子氣體處理時間較佳至少總共爲2分鐘，更佳至少總共爲5分鐘。該等隱形眼鏡可選擇地被翻轉以更佳處理隱形眼鏡之兩邊。該等離子氣體處理之氣體之適當流速爲50至500 seem，更佳爲100至3〇〇 sccm。熟悉此技人士已了解到該表面處理之厚度對等離子氣體流速及容1：溫度敏感。因爲該塗層與許多的變數有關，獲得所希望或最佳的塗層之最佳變數可能需要一些調整。假如有一參數被調整，一或更多其它參數之補償調整可以是適合的，使得一些例行的嚐試錯誤之實驗及其重覆可以是必要的，以得到本發明之塗層。然而，就本案揭露内容及等離子氣體處理方面之習知技術，此一反應參數之調整應不會涉及不當的實驗。如上文所指，反應參數間之一般關係爲熟悉此技者所知，且等離子氣體之技術在近年已有相當良好的發展。下文之例子提供申請人在氟化隱形眼鏡上形成塗層之最佳具體實施例。本發明之該隱形眼鏡對於長期配 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

585884 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明說明（Ή ) 戴或特殊用法，如做爲相當厚之隱形眼鏡，尤其有利。長期配戴之隱形眼鏡係爲可過夜配戴之隱形眼鏡，較佳可配 .戴至少一週，更佳可連續配戴一週至一個月。“可，，意指隱形眼鏡經一或更多政府法規權威同意可供消費者使用，例如在美國之美國食品及藥物管理局（USFDA)或在其他國家 4相當的機構。此些適合的聚合物具有氧滲透度（Dk)適當地爲80至1200貝里（Barrers)，較佳爲1〇〇至5〇〇貝里 (Barrers)。隱形眼鏡材料之氧滲透度Dk與隱形眼鏡之厚度並操關係。該氧滲透度爲氧將通過一材料之速率。一貝里· (Barrer)定義成： ((立方公分氧）（毫米)/(平方公分）（秒）（亳米汞柱）)χ 1〇-1〇或者可爲（（立方公分氧)(公分)/(平方公分)(秒）（毫米录柱）)χ 10·11 在此使用之隱形眼鏡之氧透過率爲氧將通過一特定隱形眼鏡之速率。氧透過率，Dk/t，傳統上以單位爲貝里/毫米 (BarrerS/mm)表示，其中t爲該材料之整個被測量面積之平均厚度（以毫米（mm)爲單位）。例如，具有9〇貝里（氧滲透度貝里）及90微米（0·〇9〇毫米）厚度之隱形眼鏡將具有融或1〇〇貝里/毫米（氧透過率貝里/毫米（B_rs/叫）。下述之例子將舉例説明本發明之特定的具體實施例，及其各種用途。它們僅做爲説明之目的，並未能限制本發明0 基體實施例此-具體實施例例示說明以氫氣等離子氣體處理本發明 -14- ® 家標準（CNS)A4 規格 77ΐ〇 x 297 公餐)- --;— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

585884 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____ B7__ 五、發明說明（12 ) 之氟膠材料之表面化學效應。（該氟膠係根據美國專利號 X之具體實施例X製備而得）。如下面一系列實驗所顯示， •氫氣等離子氣體之淨效應可被氧化或還原，其與在反應視窗中使用之條件有關。藉選擇還原等離子氣體之條件，可產生一表面允許加入氨氣以在該表面產生_NH2官能度 (+15%)<淨增加，並伴隨著-CF2之降低。在等離子氣體處理（+7.5%)之後，藉由萃取及熱壓處理降低在該表面之含量。然而，在整個處理過程之後，該等離子氣體處理之實質含量係被保持。氟膠材料之分析係從檢測未改造基質（控制）開始。下面之表1包含氟膠之氫氣等離子氣體改造之xps數據。此一數據反應整個頂部7 4埃之原子的組合物（相對碳之丨s電子）。該等百分比反應所有元素，除了氫、氦及自由的鋰以外。如表1所指，該控制（樣品丨）聚合物之低解析測量光譜包含氟（10%)、氧（14%)、氮（1%)、碳（67%)及娃（7%)之譜峯。該材料組合物與其本身一致。此材料以氫氣之初始等離子氣體改造企圖移走氟，並化學還原其餘的基質。其構想在於還原表面上之化學位置，供將來氨氣之氧化。被選擇完成此一目的之方法係以溫和的等離子氣體激發條件開始’並朝向更激烈的等離子氣體環境（改變壓力及瓦數）。開始時’在氫氣環境中使用5 〇瓦、0.5托〇〇的，丨〇分鐘之等離子氣體。此一等離子氣體導致氟含量之降低（表i 之樣品2 )。藉由稍微增加氧及矽而減少氟。所增加的矽及氧濃度係矽酮稍微氧化成矽酸鹽的結果。下_組等離子氣 -15- 本紙張尺度顧巾關家標規格(^7297公髮） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明說明（13) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製體條件增加該場的強度：100瓦、0 5托（10〇0五分鐘（表樣品3 )。時間的縮短係要在更強烈的瓦數條件下產生接近的相同處理及檢測氧化反應之淨效應。結果是令人驚訝的，氟含量降低而矽與氧量保持一定。因此，碳含量因氟被移走而增加（最初10%及在此一等離子氣體處理之後 4.5%)。該時間增加至1〇分鐘（1〇〇瓦，〇.5托）導致該基質之氧化反應增加，而增加氧及矽的含量。進一步提高瓦數及壓力導致基質進一步的氧化，然而亦降低去氟作用之效果。其可從表1中看出，其中壓力提高至1〇托及瓦數提高至300及500瓦係被檢測。此些實驗都進行1〇分鐘以有一個比較的基礎。由於藉提高瓦數的等離子氣體可增加該基質的氧化反應，因此測定出100瓦、5分鐘、〇·5托提供繼之之氧化反應之表面化學最佳還原。下一系列之實驗檢測該二階段等離子氣體處理之效果。下面表2包含氟膠材料之氫氣與氨氣等離子氣體改造之 XPS數據。該表之數據反應頂部7 4埃（相對碳丨s電子）之原子的組合物（藉XPS分析）。如表2所示，該初始的還原等離子氣體使用上文所討論之5〇瓦、5分鐘、〇 5托之氣氣等離子氣體。該化學還原之氟膠表面接著曝露於氨氣之氧化等離子氣體中。最成功之等離子氣體係由長時間下低瓦數及低壓力組成，所以該實驗之等離子氣體條件由i⑻瓦、 0_5托、15分鐘組成。如下面表2所示，此等離子氣體導致 15%之氮以胺之形態加入該經還原之氟聚合物。此等離子氣體亦增加所存在的氟含量，而降低整個碳量。然後，今 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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585884 A7 B7___ 五、發明說明（14 ) 以等離子氣體氧化之產物進行加工及熱壓殺菌。如表2所指出的，萃取及熱壓處理之淨效果是降低氮之淨含量 • 50%(7.5°/〇)。此外，亦發現所存在之氧含量增加。該氧濃度增加據信是來自Si-F鍵的水解，其是在第二部份之等離子氣體中形成的。該最後完全加工之氟膠聚合物其乾燥時展現一 3 5度的水接觸角度。 ' ϋ « eamm ϋ ϋ · ϋ ϋ (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁}

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製餐公 97 一 2 X 10 2 /IV 格規 Α4 S) Ν (C 準標家國國中用適度尺張紙本 585884 A7 B7 五、發明說明（15) 表1為樣品1-8 表1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製樣品反應條件氧碳氟氮矽 N/C 0/C 1 控制平均 14.4 67.1 10.2 1.4 6.9 0.02 0.21 STDEV 1.1 • 0.9 0.3 0.2 0.1 0.0 0.0 ,2 %/50瓦八0分鐘/0.5托平均 18.6 65.6 5.1 1.2 9.9 0.0 0.3 STDEV 0.9 1.1 0.2 0.3 0.2 0.0 0.0 3 Η2Α00 瓦/5 分鐘/0.5托平均 15.6 71.6 4.5 0.9 7.3 0.0 0.2 STDEV 3.2 5.3 0.2 0.6 1.8 0.0 0.1 4 H2/100 瓦 Λ0 分鐘/0.5托平均 16.6 69.9 5.0 1.2 7.7 0.0 0.2 STDEV 0.6 2.4 1.0 1.2 0.2 0.0 0.0 5 H2/300 瓦/10 分鐘/0.5托平均 13.8 71.9 6.8 4.7 2.8 0.1 0.2 STDEV 0.3 1.9 0.4 0.8 0.4 0.0 0.0 6 H2/500 瓦/10 分鐘/0.5托平均 15.7 64.1 11.6 4.4 4.2 0.1 0.2 STDEV 0.5 0.1 0.7 0.2 0.1 0.0 0.0 7 H2/500 瓦/10 分鐘/1托平均 30.8 46.6 8.2 1.9 12.5 0.0 0.7 STDEV 1.0 1.8 0.1 0.1 0.8 0.0 0.0 8 H2/500 瓦/10 分鐘/0.25托平均 25.5 47.1 9.8 1.9 15.6 0.0 0.5 STDEV 0.4 1.6 0.4 0.3 0.6 0.0 0.0 -18- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 585884 A7 B7 五、發明說明（16 ) 表2 樣品反應條件氧碳氟氮矽 N/C 0/C 9 控制平均 14.40 67.10 10.20 1.40 6.90 0.0 0.2 STDEV 1.1 0.9 0.3 0.2 0.1 0.0 0.0 10 H2/100 瓦/5 分鐘/0.5托 NH3/100 瓦 /15分鐘/0.5托平均 15.6 48.3 14.2 15.8 6.2 0.3 0.3 11 H2/100 瓦/5 分鐘/0.5托平均 26.3 52.8 3.3 7.9 9.7 0.2 0.5 NH3/100 瓦 /15分鐘/1.0托 STDEY 0.3 2.3 1.2 0.7 0.8 0.0 0.0 12 與樣品11相同，但亦以乙醇萃取及熱壓處理平均 20.7 55.3 9.3 7.5 7.2 0.1 0.4 STDEV 2.3 5.4 1.2 0.3 2.1 0.0 0.1 -I I I I I I I 一-口 T I I ϋ — — — — — . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -&Φ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 17 五、發明說明（此一具體實施例例示説明本發明 ^ ^ 、 U ,, 又又另一種鼠化隱形眼鏡材料之等離子氣體處理。在此例 ^ 此例子中 < 材料爲氟乾凝膠。乾凝膠爲包含少於二百分比水之舲 ^ 水足物質。氟膠包含甲基丙烯酉旨端部蓋住DP100多（65莫耳％)甲基三氣丙基（35莫耳％) 二甲基矽氧烷；八氟戊基甲基丙烯酯；及3_甲基丙晞基氧丙基-1-丙基氧八氟戊基四甲基二矽氧烷之反應產物。採用含氫氣等離子氣體以還原氟化表面，之後，再氧化之。第一步驟係檢測能使表面的還原最大所必須的條件。下面貫驗以低瓦數開始以找到最佳的E/p，然後上升，並經過旎量上可接爻之區。此些初始的測試使用XPS檢測經改造後之膜之表面化學。樣品物種爲膜形態，其整夜以苯萃取並在眞空爐中乾燥。該等膜放在塑膠袋中。該等離子氣體容室爲布萊商公司製造’型號4155(3以113〇111^〇(1614155)之直流〇€：無線電頻率輝光放電（RFGD)容室。此容室爲冷卻平衡平面構形，其在13.56兆赫茲（MHz)下放電，最大功率5〇〇瓦。在引進任何工作氣體之如’所有的樣品皆預先抽至〇 1托（t〇rr)。所有工作氣體皆要以2〜5分鐘來平衡，包括接續步驟之間。在此研究中使用之X-ray光電子光譜儀（xps)廠牌爲物理電子[PHI]，型號 5600(Physical Electronics [PHI] Model 5600)。此儀器使用鋁陽極，在300瓦、1 5千伏特（kV)及27 毫安培下操作。該激發源係使用環形（torodial)透鏡系統而單色化。爲求減少樣品損壞及易於光離子化中和起見，該 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） t 11 ϋ ϋ ϋ 1 n 1 一口， ϋ ϋ n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 585884 A7 B7 五、發明說明（18) 聚合物之分析，使用7毫米（mm)之絲極。此儀器之基本壓力為2.0 X 10_1G托（ton:)，而操作期間之壓力為1.0 X 1〇·9 托。此儀器使用半球形能量分析裝置，並包括具有 PFH8503A版4.0A軟體之阿波羅（Apollo)工作站。此儀器在取樣角度45°下，相對於碳原子，其實際測量之取樣厚度近於74埃。所有元素皆經充電修正至碳之CHX譜条至285.0 .電子伏特（eV)之束縛能。每一該等物種係使用低解析測量光譜[0-1100 eV]分析以證實存在於樣品表面之元素。高解析光譜係執行在那些從低解析掃瞄偵測得到的元素。該元素的組合物係從高解析光譜來決定。該原子的組合物係根據光電子譜条下面之面積而被計算，並且是在這些面積經該儀器穿透功能及所感興趣之軌域的原子截面積敏化之後。因為XPS並未能偵測氫或氦的存在，這些元素將不包括在原子百分比之任何計算中。該低解析XPS測量光·譜係在包含氟、碳、氧及矽之譜峯之未處理的氟乾凝膠表面之45度起飛角度取得。該碳“Is” 區域係曲線配合（curve fitting)“ Is”外殼層之下所看到的各種碳化學。此過程涉及首先以在285.0 eV的（：心碳之譜条配合碳“Is”區域。藉由配合唯一來自（：1^碳（假設沒有石墨、碳化鈣或鑽石構造）碳1 s譜条低束縛能侧之定性上的構造，而配合此譜条。該整個半高寬（FWHM)值可隨著該百分比高斯-勞倫茲（Gaussian-Lorentzian)譜峯·形狀來調整。該CHX譜峰之FWHM及高斯-勞倫茲（Gaussian-Lorentzian)值 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） t a— ·ϋ ϋ ϋ ϋ 一 - 口，謙 HI·· W Μ··· ΜΗΙ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 585884 A7 五、發明說明（19) 係用來供所有其它譜皋形狀配合特別的碳“ls，，外殼層。該外殼層然後配合在286.5 eV之C-0键、在288.0 eV之C=〇鍵、在289.0 eV之0=C_0鍵、在289.5 eV之C-F鍵、在292 eV之 C_FZ鍵及在292.8 eV之C-F3键之譜峯。使用電腦改變位置及 FWHM、0.1 eV左右，及改變百分比高斯·勞倫茲 (Gaussian-Lorentzian)，5百分比左右。當測量所達到配合之其餘部份時，電腦藉改變位置、FWHM及高斯-勞儉茲形狀達到不同的配合。最後的碳化學配合下面表3、4及5 所歸結之外殼層’其隨著原子濃度數據，分別增加測量厚度’企圖了解在首先的接近1〇〇埃處的膜行為。表3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (36 埃在 20。）物種氟氧碳秒 CHx C-Os CFs 1 24.18 15.04 46.29 13.61 2 24.33 15.92 46.18 14.21 3 24.39 15.29 47.54 14.31 4 24.58 15.53 45.81 14.27 5 23.13 15.88 47.15 12.38 平均 24.1. 15.5 46.6 13.8 STDEV 0.6 0.4 0.7 0.8 -22- II---------Φ. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 585884 A7 _B7五、發明說明（20 ) 表4 (7 4 埃在 4 5 ° ) 物種氟氧碳矽 CHx C-Os CFs 1 28.19 14.46 47.65 9.70 58.36 25.25 18.49 2 28.46 14.22 47.19 10.42 63.64 18.71 17.65 3 28.08 15.27 45.98 10.67 64.69 19.60 15.71 4 27.42 14.97 46.46 11.14 65.04 19.23 15.73 5 28.59 13.87 48.14 9.39 59.28 22.45 18.26 6 27.75 14.35 47.48 10.42 7 26.90 14.84 47.39 10.87 8 26.57 14.49 47.73 11.22 9 26.52 14.61 47.80 11.07 10 27.97 14.71 47.66 9.66 平均 27.6 14.6 47.3 10.5 62.2 21.0 17.2 STDEV 0.8 0.4 0.7 0.7 3.1 2.8 1.4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製表5 (104埃在 80° ) 物種氟氧碳矽 CHx C-Os CFs 1 30.50 14.34 46.52 8.64 46.05 30.07 23.89 2 30.61 14.58 45.91 8.90 52.10 25.77 22.13 3 29.64 15.54 46.25 9.56 52.65 25.12 22.13 4 29.91 14.98 45.29 9.82 49.46 27.26 23.29 5 30.44 14.59 45.29 8.16 47.88 28.85 22.27 平均 30.2 14.8 46.2 9.0 49.6 27.4 22.7 STDEV 0.4 0.5 0.6 0.7 2.8 2.1 0.8 -23- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 585884 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（21 ) 該角度解析光4之原子渡度數據指出當探測器較深入樣品時敦降低而碎增加。碳及氧原子濃度似乎未明顯改變。再者，碳“Is”曲線配合數據指出當探測器較深入樣品時碳〈氧化及氟化作用似乎增加。另外，更靠近檢測該數據看出CFS之含量朝表面增加，而CF2官能度朝向樣品實體而增加。孩與角度相關之數據指出於矽酮鍵外之CF〆三氟丙基）似乎在該聚合物之CF2(八氟戊基甲基丙烯酯）部份上競爭地驅使茲材料（此部份至表面。此舉將導致數據隨著深度改變。該聚合物膜之氫氣等離子氣體處理，初始選擇的溫和條件爲·25瓦、氫氣壓力〇·5托（t〇rr)，在大可綸網盤上$分鐘。此等離子氣體並非非常有效果。如下面表6所示在2 5 瓦之等離子氣體處理之後在聚合物化學上僅有次要變化。第二步驟係時間提高至丨〇分鐘，而維持壓力及瓦數不變。如下面表7所示，此舉幾乎對聚合物表面沒有影響。因此，如先前所述，瓦數係被提高以增加氫分子能量，而維持壓力與時間不變。如表8指出的功率提高至5 〇瓦。此舉對該聚合物表面化學有極大的影響。該表面之氟含量從大約28%降至6%。同時，氧含量從大約15%增加至27%，碳含量從47°/❶增加到56%，且矽含量停在相同的含量。有趣的是’碳“ 1 s”曲線配合顯示C-F鍵從碳外殼層之17%降至 2.3%。此指出經過等離子氣體之後，膜上存在的主要的氟係爲離子形態’且可能爲H F，所以須以加工方式離開該聚合物。 -24 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I n ·ϋ 1 1 ·1 ϋ ϋ n 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •線% 585884 A7 B7 五、發明說明（22 ) 表6 (7 4 埃在 4 5 ° ) 試驗氟氧碳矽 1 28.38 15.03 45.41 8.20 2 29.16 15.86 44.81 1017 3 26.50 15.12 48.49 11.18 平均 28.0 15.3 46.2 9.9 STDEV 1.4 0.5 2.0 1.5 表7 (74埃在45〇，10分鐘，25瓦）試驗氟氧碳矽 4 30.41 14.81 46.58 8.20 5 34.08 15.51 43.68 7.11 6 28.90 15.12 43.11 12.48 平均 31.1 15.1 44.5 9.3 STDEV 2.7 0.4 1.9 2.8 I n H 11 n 1 —Ml I in i^i 1M·-· II ·ϋ i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線％經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7

585884 五、發明說明（23 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製表8 (在45 ° ，10分鐘，50瓦) 試驗氟氧碳矽 CHx C-〇s CFs 7 6.51 28.33 52.86 12.30 86.87 10.79 2.33 8 7.02 27.85 53.13 12.00 85.90 11.91 2.20 9 4.22 23.18 62.91 9.70 87.90 9.76 2.34 平均 5.9 26.5 56.3 11.3 86-90 10.8 2.3 STDEV 1.5 2.8 5.7 1.4 1.0 1.1 0.1 提高瓦數進一步還原該聚合物化學至相當大的程度。然而，該化學還原並不排除單單只是對於氟化學。事實上較高瓦數及較長時間之氫氣等離子氣體似乎還原存在表面上之所有化學。此可從下面之表9至1 1之原子的濃度及碳i s 曲線配合數據看出來。100瓦、300瓦5分鐘及300瓦10分鐘之數據可當成一系列來檢測。當C-F鍵朝0 %變動時，氟原子的百分比停在6 %左右。氧及矽原子的百分比降低（秒從 ll%至5·2%)。矽的束縛能係指Na2SiF6在104.2eV。石夕可經由產生SiF4，從氣相中損失（眞應是仍在104.2 eV)。此可歸因於一些氟在聚合物中不是以C-F或F-H+存在。另外，碳 “Is”外殼層有近於90% CHx型態之化學。據信在這些化學上的還原是H F形成的結果。在某些能量上，此一複合物似乎攻擊該基本聚合物，而主要地使碳留在後面。此外，碳“Is”光譜具有長而平坦不對稱的尾巴暗示著等離子粒團損失的特徵。XPS光譜的等離子粒團係指高度構造化的碳原子像石墨、似鑽石之碳及鑽石之晶格振動能的損失。進 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ n flu ϋ tmae n n 1 一 > I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線%- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 585884 A7 B7 五、發明說明（24 ) 失。進一步在矽含量出現減少。藉由提高平均粒子能量及交互作用的時間，可使矽含量平均低至1.5%(最初是 11%)。此經處理之表面之矽含量平均提高至84%(最初值是 47%)。表9 (在45 ° ，10分鐘，100瓦) 試驗氟氧碳矽 CHx C-Os CFs 10 6.41 23.03 61.63 8.94 76.36 22.52 1.14 11 6.15 24.79 59.18 9.88 87.80 10.80 1.31 12 8.58 24.14 59.19 8.09 87.61 10.49 1.90 平均 7.0 24.0 60.0 9.0 83.9 14.6 1.5 STDEV 1.3 0.9 1.4 0.9 6.6 6.9 0.4 表1 0 (在45 〇，5分鐘，300瓦) 試驗氟氧碳矽 CHx C-Os CFs 13 5.31 21.44 64.49 8.77 93.48 6.52 0 14 5.37 19.62 66.79 8.22 87.97 12.03 0 15 0.00 20.43 66.15 7.60 84.32 15.33 0.38 16 5.11 18.11 69.55 7.23 88.9 10.07 1.03 平均 3.9 19.9 66.7 8.0 88.7 11.0 0.4 STDEV 2.6 1.4 2.1 0.7 3.8 3.7 0.5 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------^^^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 585884 A7 B7 五、發明說明（25 ) (在4 5 表1 1 10分鐘，300瓦）試驗氟氧碳矽 CHx C-Oxq CFs 17 6.77 18.80 68.40 6.03 88.04 10.76 1.2 18 5.96 15.03 74.67 4.34 86.63 11.59 1.78 19 6.12 17.12 71.68 5.27 87.86 10.73 1/4 平均 6.3 17.0 71.6 5.2 87.5 11.0 1.5 STDEV 0.4 1.9 3.1 0.8 0.8 0.5 0.3 具體實施例3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此具體實施例舉例說明本發明之氟化隱形眼鏡之等離子氣體處理，其中下述之包含氫氣之等離子氣體還原氟化表面化學’遠聚合物表面以另一種方式氧化。再者，此些試驗使用上面具體實施例所述之又!>8檢測該等膜在改造之後之表面化學。特別地，在此具體實施例中係選擇包含氨氣之氣fa氧化具體實施例2以氫氣等離子氣體改造之氟乾凝膠’其中初始之爭離子氣體係0.5托（t〇rr)氫氣，200瓦及 3 00瓦，10分鐘。第二等離子氣體處理之結果歸納在表12 及1 3。此些物種之低解析測量光譜包括碳、氧、氮、氟及矽。氧之原子的濃度（之後，8%-16%)及氮之原子的濃度（之後，0.5%-11%)被發現在1〇〇瓦、〇 5托、5分鐘之等離子氣體處理後提高了。此舉給予此一材料在氧化反應之後 7度的水濕潤度。 -28 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）裝---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — — — 彎· 另一種氟化隱形眼紅材中爲高Dk氟化聚合物的羅丹科技公司（Rand()m 表1 3 (A45° ，9nM、

4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 585884 五、發明說明（26 表1 2 試驗氟氧 20 8.54 6.79 21 6.74 6.89 22 7.50 6.07 23 8.06 7.03 24 7.67 6.57 平均 7.7 6.7 STDEV 0.7 0.4 0^ 0.48 0.11 0.4 0.3 試驗氟氧 25 9.61 15.41 26 9.29 13.35 27 8.90 14.25 28 9.93 12.84 平均 9.4 14.0 STDEV 0.4 1.1 10,Π 11.74 10.Of 11.9( 10 0.9 具體實施此一具體實施例舉例説明本I 料之等離子氣體處理，在此例隱形眼鏡。該等隱形眼鏡係由 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 585884 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（27 )

Technologies)(加州二藩市）取得之材料的模製桿製造而得，此材料由太夫龍AF1600 (Tefl〇n AF16〇〇)組成，其包括65莫耳百分比之PDD及45莫耳百分比TFE，係由杜邦公司（DuPont)供應。該等模製桿大小爲直徑12·7毫米及厚度4 毫米。從該等桿中切出小塊並以習知技術車削成隱形眼鏡。最後之隱形眼鏡以如下述之等離子氣體處理：該等隱形眼鏡放置在鋁塗層盤上，凹面朝上，該盤放入等離子氣體處理容室中。該等離子氣體容室爲布萊商公司蓋桑尼克部門（Branson GaSonics Division)製造的直流DC RFGD 容室 (型號7104)。此一容室爲冷卻平衡平面構形，其最大功率爲500瓦。所有的隱形眼鏡在任何等離子氣體處理之前，先將容室之殘存空氣抽至〇.01托（t〇rr)。藉由控制氣體壓力’此過私可降低該聚合物之相對處理含量。該等隱形眼鏡首先以400 seem通入氫氣於容室内而被處理。該等隱形眼鏡以等離子氣體處理1〇分鐘（3〇〇瓦、0.3托）。接著，以400 seem通入空氣於容室内，處理該等隱形眼鏡，而等離子氣體處理該等隱形眼鏡5分鐘（1〇〇瓦、〇·3托）。該隱形眼鏡與水之接觸角度（HPLC級Η2〇，72.4達因/公分 (dynes/cm))，在等離子氣體處理之前爲115度，而在等離子氣體處理之後爲0度。就本文之敎示而言，本發明許多其它的修改及變化係可行的。所以可以了解到，在本發明之申請專利範圍界定範圍内，本發明可以較所特定描述之内容以外之其它方式實施。 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）----- in —--I ^---II--I . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims

585884 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1· 一種處理氟化隱形眼鏡表面之方法，其包括以下步驟： U)在瓦數較大於25瓦及壓力爲0.1至1.0托（torr)下，以含氫氣之環境等離子氣體處理該等隱形眼鏡總共至少2 分鐘，以XPS分析測定出該表面首先之9 0埃減少氟含量至少3 0百分比； (b)以含氧氣或氮氣之氣體或氣體混合物氧化該表面，藉此提高該等隱形眼鏡之濕潤度或生物相容性。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中步驟中該等離子氣體處理係介於2 5與1000瓦之間，總共時間爲2至6 0分鐘。 3. 如申請專利範圍第i項之方法，其中該敦化隱形眼鏡材料包括含氟之矽酮大單體。 4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該大單體係用一個不飽和基團在二或更多端包含一個氟化側基團遮蓋聚 (有機碎氧燒）。 5·如申請專利範圍第4項之方法，其中該大單體包含一個含有一-CHF2或-CF3端部基團之懸垂的氟化烷基團。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6·如申請專利範圍第4項之方法，另包括一個聚矽氧烷基虎基（曱基）丙烯基單體之氟化衍生物。 7·如申請專利範圍第1項之方法，其中該等隱形眼鏡係由全氟-2,2-二曱基_1，3_二嘮唑之無定形共聚物製備而得。 8·如申請專利範圍第1項之方法，其中以xps分析測定該表面之第一個9 0埃減少氟含量至少5 〇百分比。 9·如申請專利範圍第1項之方法，其中以XPS分析測定該表 -31 - &氏張尺度適用巾國國家標準（GNS) ( 210X297公釐） 585884 A8 B8 C8 申請專利範圍面之該氧化反應導致該表面第一個9〇埃提高氮及/或氧含量至少1 0百分比。 10· —種具有含表面塗層之濕潤表面之氟化水凝膠隱形眼鏡’其特徵在於約9 〇埃之深度内之氟含量相對該實體材料消耗至少5 0百分比，而約9 〇埃之深度内之氧含量相對該實體材料加添至少5百分比。 u·如申請專利範圍第1 〇項之隱形眼鏡，其中該氟化隱形眼鏡材料包括含氟之矽酮大單體。 12·如申請專利範圍第11項之隱形眼鏡，其中該矽烷大單體係用一個不飽和基團在其二或更多端部包含一個氟化側基團遮蓋聚（有機秒氧燒）。 13. 如申請專利範圍第1 2項之隱形眼鏡，其中該大單體包含一個具有一個_CHF2或CF3端部基團之懸垂的氟化烷基基團。 14. 如申請專利範圍第1 3項之隱形眼鏡，另包括一個聚矽氧燒基烷基（甲基）丙烯基單體。 15. 如申請專利範圍第1 4項之隱形眼鏡，其中該單體為甲基丙晞基氧丙基三（三甲基-甲矽烷氧基）矽烷。 16. 如申請專利範圍第η項之隱形眼鏡，其中該等隱形眼鏡係由全氟-2,2-二甲基-1，3-二呤唑之無定形共聚物製備而得。 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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