TW550658B - High speed stripping for damaged photoresist - Google Patents

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TW90106478A
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Wayne L Johnson
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Description

550658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（） 交叉參考共同審理中的相關中諸砉 本申請案係關於下列共同審理中之申請案：美國暫定申 請案60/1 56,595，標題爲"多區段光阻加熱器”，1999年9 月29日入檔；及PCT申請案PCT/US 98/23248，標題爲，，所 有可偏移RF及/或表面溫度經控制之ESRF”，1998年11月 1 3日入檔。本請案也關於下列兩個與此同一曰期歸檔之 申請案：標題爲”光速光阻剝離室”之律師備審案件目錄編 號23 12-078 1 -6YA PROV及標題爲"夾盤運送方法及系統” 之律師備審案件目錄編號2312·0836_6ΥΑ PROV，在此各 將這四個共同審理中之申請案整個併入以爲參考。 發明背景 發明領域 本發明係關於除去已嵌入離子之光阻的方法及系統，更 特別地是關於有效地剝離因高劑量離子之嵌入而受損之光 阻層的方法及系統。 ' 背景描述 光阻已被用於超大型積體（VLSI)電路之製造多年。其係 作爲所選區域内之屏蔽離子嵌入及將圖案轉入各層中（如 氧化物、氮化物、聚矽及金屬）之遮蔽材料。待離子嵌^ 或圖案轉移完成後，需將·該光阻層完全去除。一般而士 光阻的去除，所謂的剝離或灰化係在含有（高量）氧的^银 中完成。該氧原子與光阻中的c(碳）&H(氫）反應 揮發性產物，然後自系統中被排出。將光阻剝離製程、>成 要條件摘要成：1 )完整性，2)或極少或無電荷損傷，必 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) ，裝--------訂--------- 本紙張尺度翻t關家標準（CNS)A4規格（21γ χ 297公釐） 550658 A7 B7 五、發明說明（2 極少或無污染，及4)高生產率。當元件的特徵尺寸縮小 時，這些必要條件急遽變嚴。 在氧化電漿中可十分容易地將無離子後人之光阻剝離， 但不易將因電漿乾蝕刻而受高劑量離子嵌入損害之光阻完 全剝離。在高劑量離子&人過程中·，光阻的表層嚴重受損 或碳化’因此形成不易去除的外殼。在部份電漿乾蚀刻應 用例中，i程中所產生的聚合物或物質t沈積在光阻圖案 或已蝕刻特徵的側壁上，並沿著圖案邊緣形成"幕"，一 般需要乾剝離及溼加工將其除去。使用慣用只含氧的製程 時，這些外殼層或"幕"在灰化後將以殘留物的形式留在 晶片表面上。 另一個考量是電漿放電中有許多帶電荷的粒子（離子及 電子）。視施與電漿之RF循環及施加在晶片本身之偏壓而 定，晶片在電漿中將吸引電子或離子至其表面上。當電子 具有極低質量並以極快速度飛行時，表面電子累 一般會在晶片上形成負電壓。若此橫跨晶片的負電壓未被 平衡，所造成的電位差將在橫跨晶片與薄氧化物層之間形 成電位差，其中該薄氧化物層可能存在於表面導電層與^ 導體基材之間。當此電位差足夠高時，其可能造成^害， 如電荷集中於該薄氧化物層中或甚至擊穿介電。而且，+ 漿中所產生的uv輻射也會使電荷集中於氧化物層中。Z 阻剥離被用於許多VLSI製造程序之步驟中時，^許極少 或無電荷或U V損害以維持製得元件之產率。 在大部分商用光阻及顯影劑中可發現金屬内容物，雖然 -5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） Ψ I I I I 訂 550658 、發明說明（3 ) 二因爲這些金屬内容物無法藉氧電聚除去，光阻剝 、'、=，他們將會以，，殘留物，，的形式停留在基材表面 可二：：馬完全除去整個晶片上之光阻所需要的過度蝕刻 、止：人绝些金屬内容物推入晶片表面上所存在之薄膜中並 5屬溫染。類似現象可能發生在這些嵌入離子不純物 、口亞磷及坤）上，當這些不純物在氧電漿中被氧化並於過 度蚀刻期間被推入表層時。 、 一鬲生產率，一項任何商用裝置之標準規格，需要儘可能 l的剥離製程。除了可信賴、快速及有效的晶片轉移系統 及抽取系統i外，需要非常高的光阻剝離速率，如> 4米/ 分鐘以獲得高生產率。 已發展出許多可利用氧電漿放電自半導體晶片表面去除 光阻的裝置及製程。在慣用方法中，簡單地直接將具有光 阻塗層之晶片放在桶狀灰化器内所產生的氧電漿中。當桶 狀灰化器中批次操作的生產量高時，可能造成電荷損傷及 /亏染因爲居離子係直接與晶片接觸，而且使用長過度蚀 刻時間。 美國專利編號5,478,4〇3 ( Shinagawa等人，1995年）介紹 一種可用於光阻灰化應用之裝置。該裝置係使用微波源產 生含氧電漿。如圖1中所.示，微波所產生的電漿經過電漿 傳送板被導入下游操作室中，經光阻沈積之晶片於該處進 行處理。當微波可有效地產生氧自由基時，電漿中的離子 可具有高離子能並造成電荷損害及污染，若其直接與晶片 表面接觸。必須將這些離子從電漿源至晶片基材之路途上 6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁·) ，裝·-------訂·-------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550658 A7 五、發明說明（4 自通量中消除。傳送板捕捉電漿中帶有電荷的粒子 許中性活性物種通過，藉此以灰化光阻塗層而备 —I “ 、 曰 个ρ累積電 何於晶片表面上°此晶片被放在可調整並仿署、， J正八1上匮以改變晶片 與電漿傳送板間之距離的夾盤中。 在光阻剝離中利用微波產生電漿的觀念可在美國專利、 號5,562,775 (Mihara等人，1996年）、美圃崖… } 夭固寻利編號 5,78〇,395 (SydanSk等人’ 199S年）、美國專利編號 5,773,2〇l(Fujimm*a等人，I"8年）及美國專利編^ 5,545,289 (Chen等人，1996年）中找到。如其中所述般： 欲加工之晶片被放在電漿源室的下游。微波源所產生的離 子在到達晶片的途中再結合，因此只有中性自由基到達晶 片並影響灰化製程。 ^ 在無利用下游處理方式之例子中，晶片被放在靠近該源 的電漿中，而且一般會使用電荷集中板以減少電荷傷堂至 最低。使用傳送板以減少到達晶片表面之帶有電荷的粒子 係讨論於美國專利編號4,859,303 ( Kainitsky等人，1989年） 及•’利用高壓ICP源之先進光電剝離法，，（Savas等，固態技 術，1996 年 10 月，123-128 頁）（後文之"Savas") 〇 使用上述微波源及電荷集中板時，剝離已嵌入高劑量離 子之光阻的問題是到達晶·片表面之氧自由基無法非常有效 地除去該光阻塗層之已碳化外殼表皮。剝離製程期間，該 表皮層易因應力及下面未碳化光阻之軟化而破裂，而且穿 過這些碎片的氧自由基可以極高速率與下面”軟•，光阻反 應。由灰化下面”軟”光阻層所產生的揮發性產物將使已 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) π裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、發明說明（ 硬化的表皮層更碎，最後破成 ·,光阻爆列、坪片。這相當於-般 變得枉不1些小硬光阻表皮碎片將黏在基材表面並 ::極不易以氧自由基將其完全去除，即使以長過度蚀刻 ，國專利編號4,861，424(Fujimura等人，1989後文 〈” 424專利"）描述經特殊設計可剥_已嵌人離子之光阻 =兩步驟製程。其在第—個加工步驟中使用—種含有氯也 氮，混合物的電漿，而且在第二個加工步驟中使用氧電漿 (或滢化學處理）。在第一個步驟中，電漿中所產生的氫自 由基與已碳化光阻中的碳及所嵌入的離子（如p、八8或" 反應，打斷連結其之键。所產生的氫化物化合物可揮發， 即使在罜溫下。反應產物可在低溫下揮發的事實對幾乎不 殘留任何殘留物於基材上是特別重要的，因爲高於未硬化 光阻物質之軟化溫度（約12〇XM5(rc)的溫度可能造成光阻 爆裂。 在*424專利中，如圖2中所示般，第一個步驟係在平行 板RIE(反應性離子蝕刻）型反應器中完成，而第二個步驟 是在微波下流的灰化器中完成。此方法的問題是平行板 RJE型反應器具有南電子溫度及高離子能，其可能造成電 荷及晶格損害以及對基材·的污染。 美國專利編號5,773,301 ( Fujimura等人）描述—種將水蒸 汽加入氧中以產生灰化氣體之製程。水蒸汽的添加降低灰 化反應的活化能並增加反應物種，因此增加灰化速率並降 低操作溫度。但是，此揭示文中的灰化速率只有約3〇〇〇埃 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — III — — — * — — — — 11— « — — I — — — — — . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁·) 550658 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6 /分鐘
Savas描述一種光阻剥離系統，其係利用謗導耦合電劈 源及法拉第屏蔽以降低RF對電漿之電容耦合。幾近純# 謗導耦合性質降低電漿的電壓。高壓（〜1托）及低RF功碑 級（〜1瓦/耄升）的使用產生具有高解離及低離子化的售 水。因此，此源提供高光阻剥離速率，但非常低的電荷才| 害。但是，光阻的灰化係純粹藉由化學反應進行時，爲了 獲仵鬲灰化速率，將晶片溫度保持在高溫（如介於2〇〇。〇 250X：)。因此，當該系統用於剝離已嵌入離子之光阻時， 因高晶片溫度之故，其可能有光阻剝離上的問題。另一方 面，若使用低操作溫度以防止光阻剝離，灰化速率受損， 使生產率變低。 概略而言，在半導體元件製造上已發展出多種可用於剥 離光阻的系統。他們可有效地剥離_般光阻，但其大部份 用於剝離已嵌人離子之光阻時會有問題，於該處產生已竣 化表層。雖然。發展出不同裝置及製程以解決此問題，但 他們承受㈣E型灰化器例中導人潛在電荷及晶格損害或 在低溫操作例中低生產率的結果。 發明概沭 因此’本發明目的爲提·供一種剝離已嵌入離子之光阻的 較佳方法。 纽其他優點可藉兩步驟製程完成，其中已碳化表層及 下面叙先阻係纟兩不同步驟中靜電厚蔽叫咖 應器内利用不同製程被剝離。第一 水 叫判離步驟係利用低操 -9 本紙張尺度適用中國國家標準(cns)a4 mHm： 297公釐）
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五、發明說明（9 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1〇5b負載止動室11〇、至少一個操作室120及匣室130。 在加工循環過程中，位於負載止動室11〇中的機械手臂 140知日日片（未顯示出）轉移至/自匣及室12〇及 130)。興空幫浦（未顯示出）被安裝在各室中以獲得所需眞 工條件。氮氣管線（未顯tf出）係連接至負載止動室丨丨〇及 局清洗及通風目的之冷卻室13〇。運送操作氣體或液體蒸 汽之氣體管線係連至操作室12〇。 加熱或冷卻機制也可被安裝在任何加工、冷卻及負載止 動罜中。例如，圖3中所示，在一個本發明負載止動室 110的具體實例中，包括—個視情況選用的預加熱夾盤 150。相同地，在另一個具體實例中，若需要同時預熱多 個晶片，負載止動室110内可包含多個預熱夾盤。 安裝抽取系統以供負載止動室及各操作室用。供操作室 用I抽取系統可達到> 1000公升/秒之抽取速度。高抽取 速度可增加反應性物種的交換速率及反應產物的排放，促 進灰化製程並改善該室的清潔。 在本發明系統之示範用途中，先將具有受損光阻（如在 其他半導體元件製造製程中，因式樣化及離子嵌入所造成 的）之碎晶片移至負載止動室i i 〇中。然後將負載止動室 110抽至範圍從(M0毫托之底壓，藉著以惰性氣體（如氮） 沖洗該室110 ’同時抽氣以維持該壓力在200-500毫托。然 後將晶片移至ESRF操作室120，兩步驟光阻脱離將於該處 進行。 視情況選用之預加熱夾盤150被安裝在負載止動室110及 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 i^i ϋ ϋ ·ϋ 一-口、· ·ϋ ·( an n ϋ ϋ ϋ I . 550658 A7 五、發明說明（10 ) /、或^吏用夕個夾盤旋轉臂時，將晶片移入ESRF操作室120 心=’先將其預熱至100-150X：間之溫度。此可進一步縮 短晶片到達第一個程序步驟溫度所需時間，因此增加系統 的生產率。 操作A内的基材固定器一般係維持在1〇〇_15〇。。之空載 彳皿良雖然在此曾描述之預熱及空載溫度係在相同範圍 内，但其將對熟諳此技者證明這些溫度範圍在另一個具體 實例中可爲不同的。在晶片運送過程中，以惰性氣體（如 氮）沖洗負載止動及操作室。將晶片放在程序夾盤上後， 該室被抽至〇·2毫托之底壓。 圖4爲一個根據本發明ESFR操作室12〇之具體實例的概 要圖。ESRF源係描述於美國專利編號4,938,〇31及編號 5,234,529。根據本發明，操作室12〇作爲電漿產生源裝置 並包含被安置在螺旋管210内且環繞在内部電漿區周圍2 縱向開槽（接地）的金屬E -屏蔽（靜電屏蔽）200及縱向開槽 (電力上可偏移的）金屬偏壓屏蔽2〇2 (靜電屏蔽）。陶資、 絕緣壁230將電漿加工區220中的電漿與旋管21〇隔開。一 般而言，偏壓屏蔽202被安置在E-屏壁200與絕緣壁23〇之 間，其中該偏壓屏蔽槽係與E -屏蔽槽成一直線，但是， 偏壓屏蔽槽一般較寬。E·-屏蔽200減低區200中該旋管21〇 與電漿之電容耦合，同時RF電力從RF電源260(經由匹配 網狀結構262 )與電漿作謗導耦合。 E -屏蔽200中的直立缝隙或槽被設計成調整電容與誘導 耦合RF電力之相對百分比。E -屏蔽及其缝隙（或槽）對该 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------ί ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550658 A7 五、發明說明（12 ) B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 低溫戈定可用：欺入離子之光阻時可使用不同溫度設定。 而内“又定^剥離已碳化表層以消除光阻爆裂的問題， 生：；用於剑離下面軟光阻以增加剥離速率及整體 利用圖4中的操作舍 炸 氮之混合物：;=、(2)氯、(3)水蒸汽 人物W7p )虱”氮I混合物、（6)氧與水蒸汽之混 氧_、水瘵汽及氮之混合物）剝離已碳化表層。該 W乳組係經由氣體運送系統160被導入操作室12〇中， 同時將該操作室維持在06-12托之間。藉由RF源剔將 1.5瓦>/耄升之RF功率級應用在謗導旋管21〇上以產生 水—藉偏壓屏蔽偏壓電路250使偏壓屏蔽202偏移，並 固疋於日日片夾盤270之晶片3〇〇上產生負Dc偏壓量（如卜 伏特，較佳係2-10伏特）。該晶片在此條件下加工一段 一個程序步驟時間（如秒或分鐘）。在另一個具體實例中， 利用黏在基材固定器27〇上或與其組合之偏移電壓源各別 使曰口片產生負偏移（當以R F偏移時，由於D c自給偏壓）。 在孩替換具體實例中，偏壓屏蔽202使晶片（或其他基材） 邊緣偏移，而且偏移電壓源使該晶片的中心偏移。 對於第二個剝離整個下面軟光阻之程序步驟，晶片溫 被提高至200-250 ’C之間。操作室被抽至低壓，然後將 合氣體（如（1)氧、（2)氧與氮之混合物、（3)氧與水蒸 之混合物及（4 )氧、水蒸汽及氮之混合物）導入操作室 中’同時保持在0.8-1.2/托之壓力下。將施予謗導旋管 -15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 在 20 第 度 適 汽 120 210 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 550658 A7 ---——gl-__ 五、發明說明（13 ) =RF %力降低至〇8β1 2瓦/毫升之間以增加氧自由基的生 ------------裝 Γ 清先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 、：奉低離子的產生。E _厚蔽2〇〇在此步驟接地以降低電 漿電壓和到達晶片300表面之離子數。 在另—個具體實例中，可加人視情況選用的第三個步驟 以剝離晶片表面上若存在之碳殘留物。這第三個步驟的條 件係類於第一個程序步驟，除了使用較高晶片溫度(如 200-250 C ) I外。低能量離子通量及高晶片溫度可背助礙 殘=物自晶片表面去除〇因爲離子能通量不高，極小或無 電荷損害及污染於其中發生。 加工後，將晶片300移回負載止動室。然後將晶片移至 另一個操作室120中或穿過裝料門185至未裝料匠1〇讣 中。將匣105插入並移出前門wo。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 光阻剝離程序過程中，極少發生電漿中的離子噴濺在室 壁上時，部份反應產物可能沈積在該室表面並隨時間累 積。這些該室表面上以含碳物質爲主的沈積物可能形成粒 子問題。藉解開零件並以特定溶劑及水溼清理之以週期性 清理該室係普遍在光阻灰化器中進行的。溼清洗程序是耗 時而且有時可脃佔系統停機時間的大部分。利用本發明 系統，可實行乾電漿清理程序以降低沈積物的累積。這可 拉長溼清理的間隔時間並·明顯增加整個系統的開機時間。 爲了進行乾清理程序，應在該源旋管上施予高RF電 力’ >2瓦/毫升’以產生高密度電漿。將傾斜晶片放在晶 片固疋器270中以保護該晶片固定器27〇表面。將清理氣 體（如（1)氧、（2,)氧與氮、（3)NF3、（4)氧與抑3及（5)氮 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550658 A7 --- B7 五、發明說明（14) 與NF3)導入該室中。應偏移E_屏蔽2〇〇以在室壁上設置負 偏壓（如大於100伏特）。高屏蔽偏壓增加RF電力與電漿之 電容耦合，形成較高的電漿電壓。此高電漿電壓增加衝擊 該室内部表面之離子能通量並提高清理程序。 因此，本發明裝置及程序可用於剝離因離子嵌入而受損 之光阻，其中因高劑量離子衝擊而形成已碳化層皮層。該 裝置係利用靜電屏蔽源以產生低電壓源電漿。夾盤設計使 溫度可快速改變，因此可在同一程序中使用多個溫度設 定。使用高速抽取系統以增加排放反應產物及交換新鮮操 作氣體之效率。該裝置及程序具有（1)實質上完全清理、 (2)典或極少電荷損害、（3)無或極少污染捧入及（4)高生 產率之剝離已嵌入高劑量離子光阻的優點。 該程序利用多個步驟以剝離受損光阻。在第一個步骤 中’在低晶片基材溫度下，利用已偏移E -屏蔽將氧自由 基與少量離子導入晶片表面以剥離硬皮層。在第二個步驟 中’在高基材溫度下，利用已接地E_屏蔽將氧自由基與 幾近無離子導入晶片表面以剝離整個下面軟光阻。在視情 況選用的第三個步驟中，使用類似第一個步驟之條件，但 利用向基材溫度以剝離晶片表面上若存在之碳殘留物。 在苐一個本發明具體實例中，圖6中所示般，併入可交 換炎盤裝置以取代視情況選用之預熱器丨5〇，且其細節係 極詳細地描述於同此入檔，標題爲"夾盤運送方法及系統，， 之律師備審案件目錄編號23 12-0836-6YA PROV YA。圖7 顯示可交換夾盤裝置之俯視圖。兩個固定晶片3〇〇a&3〇〇b -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550658 A7 B7 五、發明說明（15) 之夾盤270a及270b被安置在室400中並裝有供垂直動作 v410及旋轉動作420用之設備。首先晶片運送臂140將晶片 30Ob裝在夾盤270b上並於該處被預熱。晶片300a上所進 行之加工一旦完成，利用垂直動作410降低夾盤組合，然 後利用旋轉動作420旋轉，使夾盤270b與晶片300b —起與 夾盤270a與晶片300a交換。然後夾盤組合280提高410， 使夾盤270b與晶片300b置於ESRF操作室120中。然後如上 述般進行晶片300b上已嵌入離子之光阻的剝離。該程序一 但完成，重複上述循環，藉運送臂140卸下晶片300b並送 回晶片匣105b。 在另一個具體實例中，如圖8之俯視圖中所示般，使用 室500中三重夾盤組合580上三個夾盤270a、270b及270c與 晶片300a、300b及3 00c —起組成之群。利用雙夾盤組合 280時，三重夾盤組合580係裝有垂直動作410及旋轉動作 420。具有兩個ESRF反應室120a及120b。這兩個ESRF室 進行不同的化學反應。例如，ESRF室120a可進行還原化 學反應以還原已碳化已嵌入離子表皮，而且ESRF室120b 利用氧化化學反應剝離光阻。在此系統之示範性用途中， 藉運送臂140將晶片300b裝在夾盤270b上並預熱之。當室 120a及120b中之加工程序完成時，利用垂直動作410降低 三重操作夾盤組合，利用旋轉動作420旋轉120度，然後 垂直動作410上升，使晶片300b現在位於ESRF操作室120a 中。同時在ESRF室120a中，可還原光阻上已嵌入離子已 碳化之外殼。當還原程序完成時，再度降低三重操作夾盤 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
550658 A7 B7 五、發明說明（16 ) 組合580，旋轉12〇度並升高之，使晶片3〇〇b再度位於 ESRF室120b中。可在ESRF室120b中導入剥離光阻之氧化 化學反應。一旦剝離程序完成，再度降低三重操作夾盤組 合580，旋轉120度並再度升高之。現在已剝離嵌有離子 之光阻的晶片300b已準備回到晶片匣i〇5b中。 明顯地只有夾盤270b上之晶片300b依照上面描述進行， 位於夾盤27〇a及27〇C上之晶片3〇0a及300c將只在不同時間 點進行相同程序。 明顯地，在上面敎義的指導下本發明可進行許多改良及 變化。因此需了解在所附申請專利範圍内，本發明可以異 於在此所特別描述之方式來實行。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}
· I I ϋ ·ϋ ·ϋ n ϋ 0> · n n n ill I l n I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 550658 第〇9〇1〇6478號專利申請案 ^ 中文申請專利範圍替換本(92輩· 1 g 六、申請專利範圍 ~一 1· 一種在電漿操作系統中剝龜伞咖、、 ^ τ利離先阻又方法，其包括步驟： (1)還原ESRF電漿操作系統中欲加工之基材的光阻上 表面上之外殼以顯露出軟光阻層，其中使用第一種操作 ^體’孫第-種操作氣體包含至少一種氧、Α、氮和水 蒸汽；及 ⑺還原該外殼後，料SRF電漿中剝離軟光阻層，其 中使用第__種操作氣體’該第：種操作氣體包含至少一 種氧、氮和水蒸汽。 2·根據中請專利範圍第之方法，其中⑴之還原步驟包 括副步騾： 以負電壓使電漿操作系統之可以電力偏移的偏壓屏蔽 偏移；及 /主入該第一種操作氣體以剝離該外殼。 3·根據申請專利範圍第1項之方法，其中（？）之剝離步驟包 括副步驟： 將靜電屏蔽接地，及 注入該第二種操作氣體以剝離軟光阻層。 4·根據申請專利範圍第丨項之方法，其中偏移之副步驟係 利用介於1與2 0伏特之間的負D C電壓使可以電力偏移的 偏壓屏蔽偏移。 5·根據申請專利範圍第丨項之方法，其中偏移之副步驟係 利用介於2與10伏特之間的負DC電壓使可以電力偏移的 偏壓屏蔽偏移。 6·根據申請專利範圍第1項之方法，其中（1)之剝離步驟另 550658 A8 B8
    外包括以介於0與2〇伏特之間 偏移之副步驟。 〒致便暴材固疋器負 7.根據申請專利範圍第丨項之方法，戈 外包括將其# 4 & 。 八中（1)之刎離步驟另 卜。括將基材加熱至處與15〇。 其中⑶之剝離步驟另外包括將基材加熱至2〇〇步&而^ <間的副步騾。 ” 250 C 8·根據申請專利範圍第丨項之方法，並 《田⑽“系包括注入第一種氣體以維持壓力在。6托= 1.2托範圍内’而且其中注入第二種氣體之副步驟係包括 汪入第二種氣體以維持壓力在〇8托至12托範圍内。 Ί中請專利範圍p項之方法，另外包括預加熱電浆 操作莖之基材外側。 10.根據申請專利範圍第”頁之方法，包括利用多重可 X換晶片固定組合使基材在操作室間移動之步驟。 -2 -
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