TW546801B - Guard heater and pressure chamber assembly including the same - Google Patents

Description

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更特定言之則係關於用以控制一 本發明係關於壓力室， 壓力室室内溫度之構件。 積體電路⑽、光電子裝置、微機械裝置、及其他精密製 品之形成方式通常係、在基材上設置薄膜，且製程中往往必 須去除或清除基材上之部分或所有薄膜。舉例而言，在製 造包含1C之半導體晶圓時，吾人可在半導體基材上設置一 薄抗光蝕層，隨後再將其去除。 吾人從微電子基材之表面構造上所去除之污染物會因先 前所執行之不同製造步驟（例如離子植入作業後之「後端製 程」（BEOL)清潔作業、「前端製程」（FE〇L)之清潔作業、 及化學機械研磨（CMP)後之步驟）而在本質及組成上展現極 大之差異。因此，清潔及處理步驟必須針對該等污染物， 以適當之化學物質及溶劑與其反應、使其離子化、溶解、 膨脹、分散、乳化、或汽化，方可將該等污染物從基材上 去除。目前已發展出多種具有上述功能之乾式清潔法、及 以水與溶劑為基底之系統，以因應種類繁多之廢料。 發明概要 根據本發明方法之具體實例，一種用以清潔一微電子基 材之方法包括將該基材置於一壓力室中，並令一包括密相 C〇2之加工流體以循環方式通過該室，致使該加工流體接觸 該基材。在令加工流體循環流動之步驟之至少部分過程中 ，吾人可以循環方式調變該(：02之態相。 -4 - ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 X 297公釐） 546801 A7 __ B7_ 五、發明説明（2 ) _ 根據本發明方法之其他具體實例，一種用以清潔一微電 子基材之方法包括將該基材置於一壓力室中，並在一室内 將一包括密相co2之加工流體喷灑於該基材上。在喷灑加工 流體之步驟之至少部分過程中，吾人可以循環方式調變該 c〇2之態相。 根據本發明方法之其他具體實例，一種用以清潔一微電 子基材之方法包括將該基材置於一壓力室中，該壓力室内 含一包括密相C02之加工流體，致使該基材曝露於該〇：〇2中 。吾人可以循環方式調變該C02之態相，作法係令c〇2質量 流交替出現於一 C02供應源與該室之間、及該室與一低壓源 之間。該C〇2供應源之壓力大於該室，該低壓源之壓力則小 於該室。 根據本發明方法之其他具體實例，一種用以清潔一微電 子基材之方法包括將該基材置於一壓力室中，並將一包括 密相C〇2之加工流體導入該室，致使該加工流體接觸該基材 ’藉以清潔該基材。吾人可將部分加工流體從該室中移出 ，並將該部分加工流體重新導入該室。 根據本發明方法之其他具體實例，一種用以清潔—微電 子基材之方法包括將该基材置於一壓力室中，並將_包括 在相C〇2之加工流體導入該室，致使該加工流體接觸該基材 ’藉以清潔該基材。吾人可將部分加工流體從該室中移出 ’並蒸顧該部分從該室移出之加工流體，使C〇2與該加工流 體之其他組份分離。分離所得之C〇2則將重新導入該室。 根據本發明方法之其他具體實例，一種用以清潔—微電 衣紙張&度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 546801

子基材之方法包衽尤 ^ ^ 在加工室内利用一包含C〇2之加工流體 f基材ϋ將使用過之加工流體從該加工室中移出。 吾人可從使用過之加 <加工*體中分離出C〇2。分離所得之c〇2 可在該加工室或另_ 飞另加工室内重覆使用。 根據本發明之呈體恭 ^ κ例，一種用以清潔一微電子基材之

裝置包括一壓力宮；_#/ZL 至及一構件，該構件可使一包括密相C〇2i 加工流體以循環方式 a Λ通過该至，致使該加工流體接觸該基 材。ά亥裝置尚包括一 -fcg. /^L j. 構件’其可在該加工流體之循環過程 中調變該（：〇2之態相。 _據本1月之其他具體實例，_種可利用—包括密相^ 之加工"IL體清潔一微電子基材之裝置包括一壓力室。一喷 灑兀件可在該室内將該加工流體喷灑於該基材上。該裝置 尚包括一構件，其可以循環方式調變該c〇2之態相。 根據本發明之具體實例，一種用以清潔一微電子基材之 裝置包括一壓力室，其内裝有-包括密相co2之加工流體。 - c〇2供應源可與該室形成流體連通，且該叫供應源之壓 力大於該室。一低壓源可與該室形成流體連通，且該低壓 源之壓力小於該室。流體控置S件可以循環方式調變該室 内c〇2之態相’作法係令⑶2f量流交替出現於該c〇2供應 源與該室之間、及該室與該低壓源之間。 根據本發明之具體實例，一種用以清潔一微電子基材之 裝置包括-壓力室及-加工流體供應源’其中該加工流體 包括密相C〇2，該供應源可與該室形成流體連通。一蒸餾系 統包括一蒸餾器，其與該室形成流體連通，且可分離出节

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系統可將分離所得之co2重新導 該 加工流體中之C〇2 入該室或另一室中 =發明之具體實例，一種用以清潔—微電子基材之 n —加工室’其内裝有一包括密相叫之加工流體 ，=;，其可將使用過之加工流體從該加工室中移出 離包括：一構件’其可從使用過之加工流體中分 出ο”及一構件’其可將分離所得之c〇2送回該加工室 或另一加工室供後續使用。 «本發明之具體實例，_種可與_基材搭配使用之加 至、心成包括一谷器及一基材固持器。該容器構成一室。 該基材固持器具有-轉動轴，且包括位置相對之前、後表 面。該前表面可支樓該基材。至少一片動輪葉係由該後表 面向後伸’並沿该轉動軸之徑向延伸。若令該基材固持 器繞該轉動軸旋轉，該動輪葉可產生一壓差，其有助於將 忒基材固定於該基材固持器上。該加工室總成最好包括複 數片動輪葉，且δ亥專動輪葉係由該後表面向後伸出，並沿 該轉動軸之徑向延伸。 根據本發明之其他具體實例，一種可與一基材搭配使用 之基材固持器具有一轉動軸，且尚包括位置相對之前、後 表面。該前表面可支撐該基材。至少一片動輪葉係由該後 表面向後伸出’並沿該轉動軸之徑向延伸。若令該基材固 持器繞該轉動軸旋轉，該動輪葉可產生一壓差，其有助於 將該基材固定於該基材固持器上。該基材固持器最好包括 複數片動輪葉，且該等動輪葉係由該後表面向後伸出，並 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明（5 沿該轉動軸之徑向延伸。 根據本發明方 , 之具體實例，一種可使一基材固持器繞 一轉動軸旋轉之古、上^ 抑—2 々法包括提供一基材固持器。該基材固持 為包括位置相對 至少-片動輪葦二 面。該前表面可支律該基材。 一二 ”’、由该後表面向後伸出，並沿該轉動軸之 徑向延伸。若今兮 可產生一眾 ^基材固持器繞該轉動轴旋轉’該動輪葉 β' /、有助於將該基材固定於該基材固持器上。 根據本發明之呈髀本 —、 一篮貝例，一種可與一基材搭配使用之壓 β、室"成L括谷器及一基材固持器總成。該容器構成一 [f/ 4基材固持器總成包括：-基材固持器，其位於 。亥壓力至Θ ’且该基材固持器包括一可支撐該基材之前表 面及外〃又，其構成一第二室。至少一條連接通道可供 》丨匕在δ亥基：才才固持·哭之亩ρ主 . ^ 之别表面與該第二室間流動。若將該 基材安裝於該基材固持器之前表面上，該基材可覆蓋該連 接通道。一被動低壓源可與該第二室形成流體連通。 根據本發明之其他具體實例…種可與一基材搭配使用 之壓力室總成包括一容器及一基材固持器總成。該容器構 成一壓力室。該基材固持器總成包括：一基材固持器，里 位於該1力室内，且該基材固持器包括一可支撐該基材之 前表面；及一外殼，其構成一第二室。一具有限制性之通 道可供流體在該m力室與該第二室間流動。至少一條連接 通道可供流體在該基材固持器之前表面與該第二室間流動 。若將該基材安裝於該基材固持器之前表面上，該基材可 覆蓋該連接通道。一低壓源可與該第二室形成流體連通。 -8- t紙張尺度適用中國國家標^A4規格_χ297公釐） 546801 A7 B7

根據本發明 一基材固定於 一第一壓力。 材固持器，其 支樓該基材之 一條連接通道 室間流動。若 覆盖該連接通 提供-低於該 方法之具體實例，一種用产 广 禮用以在一壓力室内步 一基材固持器之方法包括在兮 ' 匕秸在忒壓力室内提 另需設置一基材固持器總成，其包括：一声 位於該壓力室内，且該基材固持器包括」 前表面；及一外殼，其構成一第二室。至3 可供流體在該基材固持器之前表面與該第二 將該基材安裝於該基材固持器上，該基材^

裝 道。另需利用一被動低壓源，在該第二室 第一壓力之第二壓力。 訂

線 根據本發明方法之其他具體實例，一種用以在一壓力室 内將-基材固定於一基材固持器之方法包括在該壓力室二 提供一第一壓力。另需設置一基材固持器總成，其包括： 一基材固持器，其位於該壓力室内，且該基材固持器包括 一可支撐該基材之前表面；及一外殼，其構成一第二室。 一具有限制性之通道可供流體在該壓力室與該第二室間流 動。至少一條連接通道可供流體在該基材固持器之前表面 與該第二室間流動。若將該基材安裝於該基材固持器上， 該基材可覆蓋該連接通道。另需在該第二室内提供一低於 該第一壓力之第二壓力。 根據本發明之具體實例，一種用以保留一流體之壓力室 總成包括可相互分離之第一及第二外殼，其構成一封閉室 及机體A漏路彳空’該路徑係由該室延伸至一外部區域。 内側Φ封用元件係沿該洩漏路徑而設置，可限制流體從 。亥至流往遠外部區域之流量。一外側密封用元件係沿該洩 546801 A7

=路徑而設置’且位於該内側密封用元件與該外部區域之 B ’可限制流體從該室流往該外部區域之流量。 封用元件係一杯形封。 j ^ 根據本發明之其他具體實例，一種用以保留一流 力”成包括可相互分離之第一及第二外殼，其構成—封 閉室及一流體洩漏路徑，該路徑係由該室延伸至一外邛區 二:-内側密封用元件係沿㈣漏路徑而設置，可限制： 體k該室流往該外部區域之流量。一外側密封用元件係沿 该洩漏路徑而設置，且位於該内侧密封用元件與該外部區 域之間，可限制流體從該室流往該外部區域之流量。該内 側密封用元件係一杯形封。當該室内之壓力超過該外部區 域之壓力時，該内側密封用元件可限制流體從該室流往^ 外部區域之流量。當該室内之壓力小於該外部區域之壓^

時，該外側密封用元件可限制流體從該外部區域流往該 之流量。 X 根據本發明之具體實例，一種可為一基材加工之壓力室 總成包括一壓力容器，其構成一封閉壓力室。該壓力室内 設有一基材固持器，其可固持該基材。一驅動總成可移動 5玄基材固持器。該驅動總成包括：一第一驅動元件，其連 接於該基材固持器，俾隨該基材固持器、相對於該壓^容 器而移動；及一第二驅動元件，其與該第一驅動元件間$ 法以流體相通，其與該壓力室間亦無法以流體相通。一驅 動單元可移動該第二驅動元件。該驅動單元與該第—驅動 元件間無法以流體相通，該驅動單元與該壓力室間亦無去 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇Χ297公爱1 一~~' ------- 裝 訂

線 M6801 五 、發明說明（8 以流體相通。贫莖— _ / — σ苐一驅動70件係以非機械方式連接於該第 70 ，致使該驅動單元可透過該第一及第-驅動元 件移動該基材固持器。 $及弟一驅動兀 根據本發明之盆他呈 力室油成勺衽； 為一基材加工之壓 室=包括—壓力容器’其構成-封閉壓力室。該壓力 成可基材固持器，其可固持該基材。一磁力驅動總 成了使该基材固持器相對於該壓力容器而移動。 :據本發明之其他具體實例’一種可為一基材加工之壓 。成I括壓力各器，其構成一封閉壓力室及一外部 汗:’該外部開口可與該壓力室形成流體連通。該壓力室 二：有-基材固持器，其可固持該基材。_驅動總成可使 二土，固持器相對於該壓力容器而移動，該驅動總成包括 Ζ外殼’其可覆蓋該壓力室之外部開口，因而密封該外部 /¾¾ 口。 根據本發明之具體實例，一壓力室總成包括一壓力容器 及一T護加熱器總成。該壓力容器構成一封閉室。該防護 t熱器總成包括一防護加熱器，其位於該室内，且介於該 壓力容器之一包圍部分與一容納空間之間。該防護加熱器 可控制該容納空間之溫度。該防護加熱器與該壓力容器之 包圍部分無法相互傳熱。 —根據本發明之某些具體實例，在該防護加熱器與該壓力 容器之包圍部分間形成一絕熱間隙。最好該絕熱間隙之寬 度至少為0.1公厘。 根據本發明之某些具體實例，該防護加熱器總成包括一 -11- 546801 A7 B7 五、發明說明（9 ) 層絕熱材料，其位於該防護加熱器與該壓力容器之包圍部 分間。最好該層絕熱材料之厚度至少為〇1公厘。 > t防護加熱器總成尚可包括一第二防護加熱器，其位於 泫至内，且介於該壓力容器之一第二包圍部份與該容納空 ^之間。该第二防護加熱器可控制該容納空間之溫度。該 第二防護力口熱器與該壓力容器之第三包圍部分無法相互 熱。 X防叹加熱器内可裝設一流體噴灑桿。該容納空間内可 設置一基材固持器。 ，亡根據本發明之具體實例，一種可與一基材及一加工流體 ::搭配使用之加工室總成包括一容器及一噴灑元件。該容 :構成一至。該噴灑元件包括至少一個形成於該噴灑元件 ，噴口，其可在該室内將該加工流體流分布於該基材上 /力^机祖可從该喷灑元件中、經由該至少一個喷口流 二二，灑元件亦將依此作出反應，繞-轉動軸、相對 5亥谷益而旋轉。 該噴灑元件可#枯—八士· Μ \ I括刀布部分’其内包含一分布渠道。 固喷口即由該分布渠道延伸至該噴灌元件外。 該二二:：Ι:=Γ與該轉動軸形成-角度。 約在5與85度之間伸方向與該轉動輪所形成之角度最好 總成可包括複數個形成於該麵元件_之賁口。 在5 X喷灑70件與該容器間可設置一軸承，# 與該容器可相對轉動。 軸承，使该嗔灑疋件 張尺度適用中國國家標準石 12. 546801 五、發明説明（) 根據本發明之其他具體實例，—種可將—加工流體流分 於-基材上之喷灑元件包括一噴灑元件，其包括至少一 個形成於該責灑元件中之嘖 T < T 口，该賀口可在該室内將該加 工 >瓜體流分布於該基材上 一 4上 5亥加工流體可從該喷灑元件中 、經由該至少一個噴口流屮 爪出 而该喷灑元件亦將依此作出 反應’繞""**轉動轴旋轉β i該噴灑元件内可包含—分布渠道，該至少一個噴口即由 該分布渠道延伸至該噴灑元件外。 / 亥至少一個喷口之延伸方向可與該轉動轴形成一角度。 α亥至y個噴'口之延伸方向與該轉動軸所形成之角度最好 約在5與85度之間。 α亥噴灑元件可包括複數個形成於該噴灑元件中之喷口。 該噴灑元件可包括一桿狀分布部分，該至少一個喷口即 形成於該分布部分中。或者該噴灑元件可包括一碟狀分布 4刀，泫至少一個噴口即形成於該分布部分中。 根據本發明方法之具體實例，一種用以將一加工流體施 予一基材之方法包括：將該基材置於一容器之一室中；提 供一噴灑7C件，其包括至少一個形成於該喷灑元件中之噴 口；透過該至少一個噴口，將該加工流體分布於該基材上 ’及令該加工流體從該噴灑元件中經由該至少一個嗔口流 出’俾使該喷灑元件繞一轉動軸、相對於該容器而旋轉。 瞭解此項技藝之人士'在參閱以下有關較佳具體實例之圖 式及詳細說明後即可明瞭本發明之目的，但該等說明僅為 本發明之範例。 -13- 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS) Α4規格(210X297公釐) 546801

圖1係一方塊圖，顯示一根據本發明具體實例之裝置， 二：化學物質供應/調節系統之方塊圖，該系統形成圖 1所不裝置之一部分； ▲圖螬一方塊圖，顯示化學物質供應/調節系統之一替代設 計，該系統形成圖！所示裝置之一部分； 圖4係一方塊圖，顯示化學物質供應/調節系統之另一替代 設計，該系紇形成圖i所示裝置之一部分； 圖5係一方塊圖，顯示再循環系統之一替代設計，該系統 形成圖1所示裝置之一部分； 圖6係一方塊圖，顯示再循環系統之另一替代設計，該系 統形成圖1所示裝置之一部分； 圖7係一方塊圖，顯示一根據本發明具體實例之供應/回收 糸統； 圖8係一剖面圖，顯示一根據本發明具體實例之壓力室總 成，該總成處於關閉狀態； 圖9係圖8所示壓力室總成之剖面圖，該總成處於開啟狀 態； 圖10係一上防護加熱器之剖面圖，該上防護加熱器形成 圖8所示壓力室總成之一部分； 圖11係圖10所示上防護加熱器之俯視平面圖； 圖12係圖1 〇所示防護加熱器之底視平面圖； 圖13係一下防護加熱器之剖面圖，該下防護加熱器形成 圖8所示壓力室總成之一部分； -14- 本紙張瓦度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱)

圖14係圖1 3所示下防鳟力 Γ I万邊加熱|§之底視平面圖； 圖15係圖8所示壓力室總成之局部放大剖面圖； 系杯开/封之立體圖式，該杯形封形成圖8所示壓力 室總成之一部分； 圖17係圖16所示杯形封之局部立體圖式； 圖18係一剖面圖’顯示-根據本發明其他具體實例之壓 力室總成； 圖19係一剖面圖，顧+ ^ J囬圚顯不一根據本發明其他具體實例之壓 力室總成； 圖20係一夾盤之俯視平面圖，該夾盤形成圖^所示壓力 室總成之一部分； 圖21係圖20所示夾盤之底視平面圖； 圖22係圖20所示夾盤沿圖21中22-22剖面線之剖面圖； 圖23係一剖面不意圖，顯示一根據本發明其他具體實例 之壓力室總成； 圖24係一夾盤之俯視平面圖，該夾盤形成圖23所示壓力 室總成之一部分； 圖25係圖24所示夾盤沿圖24中25-25剖面線之剖面圖； 圖26係一剖面圖，顯示一根據本發明其他具體實例之壓 力室總成； 圖27係一喷灑元件之底視圖，該元件形成圖26所示壓力 室總成之一部分； 圖28係圖27所示噴灑元件沿圖27中28-28剖面線之剖面圖；及 圖29係一底視平面圖，顯示一根據本發明其他具體實例 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 546801 A7 B7 五、發明説明（13 ) 之噴灑元件。 紅佳具體實例之詳細說明 以下將參照附圖以便為本發明提供更完整之說明。附圖 所不係本發明之較佳具體實例，但本發明亦可具有多種不 同形式之具體實例，並不限於本文所提出之具體實例。之 所，提出該等，體實例係為揭示更詳盡而完整之内容，並 使熟習此項技蟄之人士可徹底瞭解本發明之範圍。 僅就本發明其中-項而言，本發明大致係關於微電子基 材（例如半導體基材）之清潔或處理，其操作時機可在積體電 路、微電子裝置、微型電子機械裝置（MEM)、微型電子光 學機械裝置（MEOM)、及光電子裝置之製造過程中或製造完 成後。在積體電路製程中，去除表面污染物及微粒係一重 要步驟。製程中之清潔步驟（一般稱為「清潔作業」）甚多。 不同類型之清潔作業包括：擴散前之清潔作業；前段製程 中、灰化後之清潔作業，·後段製程中、蝕刻後之清潔作業 ，金屬沉積前之清潔作業；前端製程之電漿剝離作業；後 段製程之清潔/剝離作業；離子植入後之清潔作業；及化學 機械研磨（CMP)後之清潔作業。製程中可出現多種類型之微 粒及污染物，其來源亦有多種可能。該等微粒及污染物之 本質可為分子、離子、原子、或氣態，其來源則可為製程 本身（例如抗光蝕劑之再沉積）或來自製程外（例如晶圓之傳 輸）。 本發明之方法及裝置可有效解決互連系統由Ai/si〇2改為 Cu/低k(電介質常數）材料後所產生、原本未曾出現之問題。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 546801

例如’改用Cii後之一主要問題在於，Cu並不具有A1可自行 鈍化之性質，因此，若曝露在氧化環境中便有可能被腐蝕 。Cu若在雙道鑲嵌結構之清潔作業中被腐蝕，將導致接點 之電阻值升高，並使電介質層產生讓切及舉離之現象，因 而降低電路產出。另一項眾所關注之焦點則為傳統清潔作 業與低k材钭之化學相容性。例如，由有機矽酸鹽破璃 (OSG)及其他無機旋塗式電介質薄膜所產生之胺化學物質氣 體經證實會對通道造成損害。本發明之特點可解決該等新 型互連系統目前尚待克服之清潔問題。 參見圖1 ,圖中顯示一根據本發明較佳具體實例之裝置1〇 。如圖所示，裝置10可清潔一晶圓基材5之一表面。但熟習 此項技藝之人士在參閱本文之說明後便可瞭解，以下所說 明之裝置及方法之多種構造及特點亦可用於清潔、或以其 他方式處理晶圓或他種基材或工件。此外，熟習此項技藝 之人士在參閱本文之說明後即可瞭解，以下所說明之多種 構件及步驟或可省略、或可改為其他適當之構件或步驟（例 如傳統之構件或步驟）。 舉例而言，晶圓5可為一由半導體材料（例如矽、氡化矽、 石申化鎵…等）製成之晶圓。晶圓5具有一大體為平面狀之工作 表面5A、及一位置與其相對且大體為平面狀之背面5b。工 作表面5A上具有一連續或不連續之廢料層。該廢料層可為 一層抗光蝕釗、反應性離子蝕刻殘餘物、化學機械研磨殘 餘物、或離子·植入後之殘餘物。上述廢料層中之廢料可包 括·無機或有機污染物，例如以苯乙烯系樹脂、丙烯酸系

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546801 A7 -------B7 _ 五、發明説明（15 ) 樹脂、紛盤清漆樹脂、環烯樹脂、或順丁烯二酸酐樹脂為 基底之聚合物；以氟離子、氣離子、溴離子、或碘離子為 基底之姓刻殘餘物；及内含氧化矽或氧化鋁研磨劑之研磨 聚殘餘物’其中亦可包含其他常見之研磨漿添加物，例如 氧化劑、緩衝劑、安定劑、表面活性劑、鈍化劑、錯合劑 、腐姓抑制劑、或其他作用劑。吾人亦可利用該裝置清潔 、或以其他方式處理他種工件，例如MEMS、MEOMS、光 電子裝置、及立體之微米/奈米結構。 裝置10大致包括一流量/壓力控制系統1〇〇、一再循環系統 2 〇〇、一供應/回收系統300、一壓力室總成400、及一基材 操作系統500(圖8)。壓力室總成400包括一壓力室41〇。晶圓 5在接受加工時需固定在壓力室41〇中，以下將有更詳細之 說明。流量/壓力控制系統1〇〇可調節一或多種化學物質（又 稱添加劑或改良劑）、C〇2(可為液態、氣態、及/或超臨界流 體（ScC〇2))、及/或化學物質與C〇2之混合物，並將其施於晶 圓5之工作表面5A。基材操作系統500可固持晶圓5 ,若有需 要亦可用於移動晶圓5，俾產生均勻之清潔效果。再循環系 統200可用於過濾加工流體，並將其送回壓力室41〇。供應/ 口收糸統3 0 0可供應加工流體’亦可用於清除加工後之流出 物，若有需要亦可送回部分流出物（基本上係回收之c〇2)以 便在裝置10中作進一步使用。 以下將詳細說明流量/壓力控制系統1 00。系統丨〇〇包括一 槽丁卜其内裝有處於高壓狀態之C〇2。槽T1内C〇2之壓力最 好約介於400 psi與4000 psi之間，需視裝置1〇所執行之加工 -18 - f紙張尺度適用中國國家摞i^(CNS) A4規格(210X297公爱） ' ------ 546801 發明説明（16 作業而定。槽丁〗之容積最好至少為壓力室41〇容積之5倍。 一溫度控制元件之運作係與槽丁1相連。舉例而言，該溫度 f制7G件可為-溫度感測器及_加熱線圈或探針或熱交換 益。槽T1内c〇2之溫度最好約介於與9〇艺之間，需視妒 置10所執行之加工作業而定。該⑶2可為液態、氣態、或超 臨界態。 裝 複數條出流管線L3、L4、及L5可與槽71形成流體連通。 若需從槽Tit輸出液態c〇2，管線L3、Μ、及㈣好係接 於槽T1之-较低部分（例如經由一位置較低之出口或一没取 管）。槽τι可經由出流管線L3、L4、及L5而與一化學物質供 f /調節系統⑶⑷係以示意方式表示，下文將有更詳細: 說明）、一進給管線u、及一進給管線。形成流體連通。閥 VI、V2、及V3可分別控制管線以、L4、及L5内之流量。 訂 複數個化學物質供應源S1、S2、幻可與系統12〇形成流體 連通。各供應源S1、S2、S3均可包括單—化學物質、或包 括多種相容之化學物質（可分別在各供應源si、s2、幻内、 或在其上游加以混合）β該等供應源所包含之各化學物質可 線 置於適當容器巾。若可行的話，該等容器之壓力最好為大 氣壓力，以方便再填充。 舉例而言，由供應源S1、S2、S3所提供之化學物質可包 括：水；氧化劑’例如過氧化物或過錳酸鹽；酸類，例如 風氟酸、硫酸、及确酸；鹼類，例如第二及第三胺；氫氧 化銨；溶劑，例如有機碳酸鹽、内酯、酮、醚、醇、亞砜 、硫醇、及院烴；表面活性劑，例如包含氣化區段m -19- 546801 A7 B7

或親脂性區段之區間共聚合物或無規共聚人 ^ . . 视’具有以石夕 虱烷為基底之組份及親水或親脂性組份之表面活性,·、 碳氫化合物為基底之傳統離子性及非離子性表面活以 及鹽類，壯氟化録及膽素。不相容之化學物質係指^ 合或彼此接觸後，有可能相互產生反應，因而妨礙加工作 業並/或使裝置10或晶圓5受到損害或不當污染之化學物質 。不相容化擎物質之實例包括酸與鹼。 貝

裝 各供應源SI、S2、S3内均可設置一液面感測器，藉以指 示需要再填充之時機，並/或為作業中所使用之化學^質^ 供一度量。為控制供應源之溫度，亦可設置諸如加熱線圈 或加熱套等構件。各供應源S1、S2、S3内均可設置一混八 用元件。 ％ 口 訂

線 系統120可提供一或多份體積受控之化學物質（可包含戋不 含C〇2)，且系統120可調節該等體積，下文將有更詳細之說 明。進給管缘L1及L2均與系統120形成流體連通，俾接收該 一或多份體積之化學物質。進給管線L1可與一噴嘴191形成 流體連通，該噴嘴則與壓力室410形成流體連通。進給管線 L2可與壓力室410内之一喷灑元件190形成流體連通。進給 管線L1及L2中分別設有過濾器F1&F2。如圖所示，過濾器 FI、F2最好位於所有注入進給管線L1、L2之管線之下游端。 一真空管線L16可與壓力室410形成流體連通。一真空單 元P1可透過管線L16將壓力室410抽成完全或不完全真空。 真空單元P1可為一泵、或一或多個利用一連續運作之真空 泵而隨時保持在真空狀態或接近真空狀態之槽。真空槽之 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 546801

4點在於C力至41 G之排氣速度較快，且真空槽可在晶圓加 工過中再棑I。右使用多個真空槽，吾人可分階段操作 該專真空槽，以便以較短之昧 罕乂 m之4間，在壓力室410内產生較大 之真空。 具空平元P1亦有助於營王5 ^由道 3 、&理破導入糸統内之空氣（或周圍氣 體）。在各批攻步驟中，吾人均可開啟及關閉壓力室410以 便插入及/或移除一基材。當壓力室410處於開啟狀態時， Φ -亥室將充滿周圍氣體（基本上為空氣）。吾人可利用真空單元 Pi進行主動控制及管理，防止以此方式注入之周圍氣體在 加工流體内逐漸累積（假設加工流體可完成某種程度之再循 環）。 裝 一/盾環管泉L6使流體得以在壓力室41〇與系統12〇間流通 。管線L6最奸係接於壓力室41〇之一較低部分。 一第二氣體供應槽丁2可透過一可控制閥v丨5而與壓力室 4 1 0形成流體漣通，該閥位於該槽與該壓力室之間。該第二 氣體之飽和蒸汽壓最好大於C〇2之飽和蒸汽壓。該第二氣體 隶好為一鈍氣’若為氦、氮、或氬則更佳。 產生脈衝之設計 一可變容積元件或脈衝產生器102可與壓力室41〇形成流 體連通。脈衝產生器102包括一室102B、及可在室iq2B内 移動之加壓元件102A。脈衝產生器1〇2可使壓力室41〇内之 壓力快速下降及/或上升（亦即產生一脈衝）。加壓元件i 〇2 A 之掃過容積最好約在壓力室410容積之0.1與5倍之間。脈衝 產生為1 02產生壓力脈衝循環之速率最好約在1循環/工〇秒與 -21 - 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 546801

壓力室410内之壓 若該幅度約介於 以=動活塞戋膜片。在一具體實例中，高壓槽71可與一低 壓容器（例如T2)形成流體連通，俾為脈衝機構（活塞或膜片） 提供原動力。 50循壤/秒之間。脈衝產生器102最好可使 力至少以100 psi之幅度下降及/或上升， 3 00 psi與1 5〇〇 pSi之間則更佳。 «衝機構可為任-適當之機構，例如一連接至線性引 動-之/舌塞’-轉動軸及一連桿；一可藉由外部電線圈而 移動之磁性活塞；及/或一以電力、氣力、或液力驅動之活 塞或肤片。在一液力或氣力系統中，該脈衝機構可搭配一 閥系統’其可讓壓力迅速進、出膜片之非加工作業側，藉 σ人可增σ又適g之閥系統（未圖示），使流體經由某一路徑 /主入脈衝至1 02B中，若關閉該路徑中之一閥則可迫使該流 體通過一包括一過濾器之第二路徑並返回壓力室410中。該 第一路從可利用喷灑元件1 90將返回之流體送至壓力室4 J〇 。該複數條珞徑可防止剛從晶圓上去除之污染物或脈衝室 内所產生之徵粒（若使用活塞）再次被導入。 圖示之脈銜產生器102係接於壓力室41〇之一底部，但脈 衝產生器102貫可接於壓力室41〇之任一高度。特定言之， 若脈衝產生范102係用於促進一需在壓力室41 〇内使用雙態 相（液體/氣體）加工流體之加工作業、抑或脈衝產生器1 之 作用係在晶圓附近產生流體流及微粒流，脈衝產生器1〇2最 好係接於一较高部位。最好能使流體快速離開基材表面（沿 垂直方向）’而非橫越晶圓表面（平行於該表面）；若將噴嘴 -22- 本紙張足度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝 訂

線 546801 A7 _B7_ 五、發明説明（20 ) 接於底部往往會產生後者之狀況。吾人或可利用一較大之 脈衝室使微粒自晶圓表面脫落，並使微粒充分遠離晶圓， 以免再度沉積。一較大之脈衝室亦可使態相產生兩種態相 變化，例如從超臨界態變為液態再變為氣態。 一出流管象L1 0及一閥V6可依照吾人之選擇，使壓力室 4 1 0得以通氣釋壓至一壓力較低之區域，例如一低壓槽丁2(容 後述）、一流體輸送元件（例如一泵）、或大氣中。吾人可將 壓力室41 0之廢流出物抽出並排放至該低壓區域。 管線L10及闊V6除可供壓力室410排放廢料外，亦可與高 壓槽T1串連，俾在壓力室410内產生壓力脈衝。欲達此目的 ，吾人可利用槽T1提高壓力室410内之壓力（亦即控制閥V1 、V2、V3中之一或多個閥、及/或其他閥門，使槽T1與壓力 室410間形成一通路）、關閉閥V6、然後開啟閥,使壓力 室410内之壓力驟降。廢流出物可流至一低壓槽，例如槽了2 。此一程序可視需要而重覆。 化學物質供鹿/ΐ周節系嫌 化學物質供應/調節系統120可將供應源S1、S2、S3(供應 源之數量可多或少於此數）内之化學添加劑依選定之流量或 份量供應至壓力室410。此外，系統12〇亦可依照吾人之選 擇’控制化學物質或化學物質/C〇2之壓力、溫度、及流量 。根據本發明，系統120亦可採用特定之替代構造，容後述 。在參閱本文之說明後即可瞭解，本文所揭示之具體實例 之多種特點及構造或可省略、或可結合或代以該等具體實 例之其他特點及構造。 -23- 本紙張尺度適用中國國家標_(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂

線 546801 A7 ____ B7 五、發明説明（21 ) 參見圖2 ’其為一化學物質供應/調節系統π〇Α之示意圖 ’圖中亦顯右裝置10之某些相關部分。一流體輸送元件P3 可依照吾人之選擇，將供應源S1中之流體化學物質（「第一 流體」）抽取至（或容許其藉由重力而流入）一貯器R1中，該 貯器之壓力大體上與周圍壓力相等。一液面量測元件122可 量測該貯器内之流體體積，藉以測出待輸往壓力室41〇之化 學物貝之體積。流體輸送元件P3若可量測通過元件p3之流 量，亦可求出貯器R1内之流體體積。而後，該貯器内之化 本"〗、、加9彳便可藉由重力排出，途經一調節單元C 1 (容後述） 、過濾态F1、及管線L1，最後進入壓力室41〇。 或者亦可操作一閥VIA，使槽T1内之C〇2(例如超臨界態 c〇2(scc〇2)、液態c〇2、或經壓縮之液態c〇2或氣態c〇2)經 由一官線L3 A輪往貯器ri。如此一來便可將添加劑與€〇2之 加壓混合物經由單元C1、過濾1F1、及管線以送至壓力室 410 〇 進步參知、圖2 ’系統120A可將一第二流體（一包含化學 物質之加工流體）輸往壓力室41〇，該第二流體包括來自供 應源S2之化學物質，且供應源S2與供應源“不相容。系統 1 2 0A為該第二流體所提供之流路係與該第一流體所使用之 流路相互獨立。該第二流路包括元件P4、R2、丨22、及C2 ，其大致對應於元件P3、R1、122、及C1。 該第二流體可為一僅含化學物質之流體（亦即不含c〇2), 並以與前述相同之方式，經由P4輸往貯器R2，然後途經調 節單元C2、過;慮器F2、及管線L2 ,最後到達壓力室41 〇。或 -24- ^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公董) ' ----- 546801 A7 ______Β7 五、發明説明（22 ) 者亦可操作一閥V1B，俾將槽T1内之c〇2以一管線L3B導入 貯器R2中，使添加劑/C〇2以加壓狀態輸往壓力室41〇。 圖2亦顯示如何透過循環管線L 6、並利用p 4或一壓差將壓 力室410内之加工流體送回貯器尺2。經送回之流體可與該第 二流體重新混合以便在作業過程中重覆使用。管線L6中可 增設一過濾、器（未圖示）。 參見圖3，圖中顯示一根據本發明其他具體實例之化學物 質供應/調節系統120B。系統120B特別適合輸送氣態化學物 質。系統120B可對應於系統12〇a，唯前者省略貯器 ，南壓C02可經由管線L3A、L3B及閥VIA、V1B直達調節 單兀C1及C2。系統120B可透過流體輸送元件p3(或p句之操 作，使添加劑S1(或S2)經由調節單元C1(或C2)及過濾器fi(或 F2)而注入壓力室410。或者亦可將高壓c〇2加入並混合於各 調節單元C 1、C2内之化學物質S丨或中。在此情況下，若 欲量測輸往壓力室410之化學物質之體積，可量測通過流體 輸送元件P3(或P4)之化學物質之流量，或量測供應容器S1 或S2内之體積變化。吾人亦可控制輸往調節單元以及以之 4匕學物質及/或C〇2之流量，使輸往室41〇之流體具有吾人所 需之C02對化學物質之比值。 參見圖4，圖中顯示一根據本發明其他具體實例之化學物 質供應/調節系統120C。系統120C包括一流體輸送元件P5， 其可依照吾人之選擇，交替抽取供應源s丨及S2，及抽取槽 T1中之南壓C〇2(經由管線L3A及閥VIA)。元件P5可迫使經 選定之化學物質通過一調節單元C3、及過濾器F1與F2中之 -25- 本紙張瓦度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 546801 A7 ____B7 五、發明説明（23 ) 一或兩者（取決於閥V9及νι〇之操作），使流體最後以加壓狀 癌注入壓力室410。若有需要亦可將槽T1中之c〇2加入選定 之化學物質护，作法係利用管線L3B及閥V1B將c〇2導入調 節單元C3中。為防止不相容之化學物質s丨與S2相互混合， 吾人可將槽ΊΓ1内之C〇2(最好為純ScC〇2)以管線L3A導入， 一方面沖洗流體輸送元件P5，一方面則沖洗在通往壓力室 4 1 0之流路中、由該兩化學物質流所共用之其他部分。 再擔壤糸統 再循環系統200包括一出流管線L7，其可與壓力室410之 一較低部分形成流體連通。管線L8及L9則與管線L7形成流 體連通，且分別在過濾器F丨與F2之上游與進給管線L丨及L2 形成流體連通。一流體傳送元件P2可抽取壓力室41〇内之流 體，並迫使該流體通過管線L8及L9，最後返回壓力室410中 。再循環之流體流可與管線L1及L2中之其他流體（例如來自 系統120及/或管線L3或L4之流體）結合。管線L8及L9中設有 閥V4及V5。 再循環系統200可對晶圓表面施以額外之流體機械作用， 但不需進一步移除〇〇2及/或化學物質，亦不需另外導入c〇2 及/或化學物質。此外，再循環系統200亦可在清潔作業中 不斷清潔加工流體（例如過濾、蒸餾、或利用密度之調變以 分離其組份）。 圖5顯示本發明之一替代再循環系統200A。系統200A包括 —出流管線L14。管線L14可分別透過回流管線L15及L16而 與壓力室410中之一再循環噴嘴193及噴灑元件190形成流體 -26- 本紙張瓦度適用中國國家標夢(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 546801 A7 ________ B7 五、發明説明（24 ) 連通。-流體輸送元件P6可迫使壓力室410内之流體通過一 過濾器F3，並經由噴嘴193及/或喷灑元件190返回壓力室 410。吾人可利用閥V7及V8將流體交替輸送至該噴灑元件 或再循環噴嘴，並防止經由噴嘴193而回流。 圖6顯示本發明之另一替代再循環系統2〇〇B。系統2〇〇b包 括一出流管缴L30，其可使壓力室410經由一輸送系統242而 與一蒸餾器243(其具有一加熱元件245)形成流體連通。輸送 系統242可轉4匕壓力室41〇所排放之廢流，使其由起始狀態（例 如液體、壓缩液體、或超臨界流體）轉化為液體。最好輸送 系統242亦可防止流體從蒸餾器243回流至壓力室41〇。為此 輸送糸統2 4 2可包括一或多個關斷闊及/或單向/止回閥。 若壓力室4 1 〇所排放之廢流為液體，輸送系統242可不改 變該流體’或僅改變該流體之溫度（例如使用一加熱器或急 冷器）。若壓力室410所排放之廢流係一壓縮液體，該輸送 系統可提供藏壓之功能（例如透過一曲折路徑、一孔口、或 控制閥）。輸送系統242亦可包括一溫度改變元件。若壓力 室410所排放之廢流係一超臨界流體，吾人最好能提供上述 之減壓功能及一改變溫度之步驟。在此狀況下，或有必要 (或最好能）冷卻該流體，使其跨入態相圖中之雙態相液體/ 氣體區。 只要該流體為液態，吾人便可在蒸餾器243中煮沸/蒸餾該 流體’俾將其分離成兩種組份：一較輕組份（主要為（^:氣 體）、及一較重組份（主要為化學添加劑及夾帶之污染物）。 車交重组份可傳送（例如藉由重力傳送）至一再循環/處置系統 -27- 本紙張足度適用中國國家標準(CNg^見格(2ι〇χ挪公幻 546801 A7 B7 五、發明説明（25 ) 244。 一管線L31可將C〇2氣體流（重量較輕）導入一熱交換器246 ，C〇2氣體流將在此轉化（透過溫度及壓力之操控）為加工流 體之狀態（亦即液體、壓縮液體、或超臨界流體）。若該流體 之起始狀態為液體，該交換器可包括一連接至前述加熱元 件之傳熱線圈247，俾將凝結液之熱能傳遞至蒸餾器243。 吾人可另以過濾、吸附、吸收、膜片分離、物理分離（例如 離心力）、或靜電分離等方式清潔C02。經過調節之C〇2將被 送回，俾為基材進行額外加工，或為下一塊基材加工。吾 人亦可在此入流流體中添加額外之化學物質（例如在一混合 用貯器248中）。 此蒸餾再循環系統200B可提供一以連續或間歇方式通過 壓力室410之加工流體流。該質量流可將微粒帶離晶圓5(例 如可防止微粒再沉積於晶圓上）、並/或對晶圓表面施以機械 作用（震動），故有助於清潔作業。吾人可過濾或以其他方式 調節該質量流。該質量流可完全由蒸餾器243内所增加之熱 能驅動，不需使用泵或其他有可產生微粒之機械元件。吾 人可利用多個輸送系統242、蒸餾器243、熱交換器246提供 較大之連續流。 各個再循環系統200、200 A、200B均可提供一通過室410 之質量流，且加工流體之質量不會在作業循環中有所減損（ 雖然吾人可從加工流體流中過濾或蒸餾出少量之添加劑及 微粒。此外，各個再循環系統200、200A均可提供一通過室 4 1 0之質量流且不致改變加工流體之化學組成。 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝 訂

線 A7 1^ ------67__ 五、發明説明（26 ) 如圖1至圖5所示，過濾器F1、F2、及F3最好至少可過濾 1〇奈米至50徽米之微粒。適當之過濾器可包括燒結過濾器 、袋型過濾器、磁過濾器、靜電過濾器、及/或上列各項之 組合。每一條進入壓力室410之流體流路徑最好均如圖示之 具體實例具有一過濾器，並以該過濾器作為該路徑進入壓 力室410前之最終元件。特定言之，所有用於將流體送往壓 力至41 〇之閥及流體輸送元件均位於至少一個過遽器之上游。 調節單元C 1、C2、C3可包括一用以混合添加劑中各化學 物質、或用以混合添加劑與C〇2(若有的話）之構件，以促進 添加劑之均質性及溶合。該等調節單元亦可包括一構件， 其可控制添加劑或添加劑/C〇2之溫度。適當之混合用元件 或混合方法包括機械式混合器及流體混合法。若欲達到控 制溫度之目的，舉例而言，可利用探針、内線圈、元件、 及/或一外套。例如可使用一電熱器或一流體熱交換器。 流體輸送元件P3、P4、P5最好可以一貫之方式，準確量 測流體之流量。舉例而言，適當之元件可包括膜片泵、听 筒泵、或活塞泵。 本文雖圖示並說明特定之設計，但熟習此項技藝之人士 即知，本發明可以多種方式修改。例如在系統12〇Α (圖2)中 ’可將循環管線L6連接至流體輸送元件P3，俾將管線L6内 之流體導入管線L1。或許亦可設置一閥系統（未圖示），使 吾人得以為各流路選擇進給管線（亦即匕丨或乙]),如此一來 便可依吾人所需，將來自供應源S1(舉例而言）之化學物質（可 包含或不含C〇2)導入噴灑元件190與噴嘴191中之一或兩者 -29- 546801 發明説明（27 。裝置10可包括一戋吝攸七 ^ /夕條匕括一串連貯器之化學物質供應 2即糸統12〇A之設計）、及/或一或多條可直接注入之 學物質供應路徑（此即系統謂之設計）、及/或一 或多條可供供應源交替使用 ^ ^ ^ ③便用之並連式化學物質供應路徑（此 即系統12 0 C之設言+、。戈士兩Λ 一 右有品要亦可增設過濾器、流體輸送 兀件、貯器、調節單元、及閥系統以提供較大之彈性。 请潔/產生脈種t之方、土 吾人可利用裝置10執行多種方法，其中壓力室41〇内之晶 f 5將承受流體流、流體池、及周圍氣體（包括處於多種狀 恶（例如液體、氣體、超臨界流體）之化學添加劑、c〇2、及 其混合物）之作用。該等方法可用於清潔或以其他方式處理 (例如塗敷）曰曰圓表面5 A。舉例而言，吾人可利用裝置丨〇執 行下列共同所有之美國專利申請案所揭示之方法，該等申 請案所揭示之全部内容係以引用之方式併入本文： 1·美國專利申請案序號第 _號，發明人為

James P. DeYoung、James B. McClain、Michael E· Cole 、及〇3乂1(1£.：8以1^(1,2001年9月13日提出申請，發 明名稱為「以循環式態相調變清潔微電子結構之方法 」（代理人檔案號碼：5697-45IP); 2.美國專利申請案序號第_ 號，發明人為

James P. DeYoung - James B. McClain - Stephen M.

Gross、及 Joseph M· DeSimone，2001 年 9月 13 日提出申 請，發明名稱為「以含水二氧化碳系統清潔微電子結 構之方法」（代理人檔案號碼：5697-45IP2); •30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 裝 訂

線 546801 A7 B7 五、發明説明（28 )

3 ·美國專利申請案序號第 一號，發明人為

James P· DeYoung、james B. McClain、及如沖⑶ μ Gross，2001年9月13日提出申請，發明名稱為「去除微 電子結構上之微粒之方法」（代理人檔案號碼· 45lp3); 4·美國專利申請案序號第 號，發明人為

James P· DeYoung、james b. McClain、及 Stephen M Gross，2001年9月13日提出申請，發明名稱為「用以在" 微電子結構之二氧化碳清潔作業後控制污染物之方法 」（代理人檔案號碼：5697-45IP4); 參 裝 以下提供可根據本發明而實施之方法以作為範例。閥系統 、流體輸送元件、及感測器之運作最好係與一電腦化控制 器相連’俾能在執行吾人所需步驟時，提供必要之回饋及 控制。 訂

線 吾人可將晶圓5插入壓力室410，並以任一種適當之方法（ 例如使用黏著劑或夾具）將其固定於夾盤5丨〇。將晶圓5固定 於夾盤時，一較佳作法係採用下文中參照晶圓固持總成 520(圖19)及550(圖23)所說明之任一方式。之後便可關^並 密封該壓力室之門。 吾人可利用真空單元P1，使壓力室410内之空氣及其他任 何氣體從壓力室410内經由管線L16排出。 在為塵力室410加壓前，若有需要，亦可利用化學物質供 應/調節系統120將來自供應源SI、S2、S3中一或多個供靡 源之化學物質施於晶圓上。 然後便可利用來自高壓槽τι之c〇2(最好為液態c〇2i -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 546801

ScC〇2)為壓力室410加壓。最好可將壓力室41〇之壓力至少 提高至400 psi，若能提高至約8〇〇…丨與⑽⑻psi之間則更佳 。此外，吾人亦可利用一防護加熱器（舉例而言，容後述）使 壓力室410内氣體環境之溫度保持在一選定之溫度（最好約 在l〇°C與8CTC之間）。 壓力室410之壓力一旦升高至選定值，吾人便可利用管線 L2將密相C〇2送至噴灑元件19〇及/或噴嘴191。該噴灑元件 可將该岔相C〇2導至晶圓表面5A上。若有需要，亦可利用 化學物質供應/調節系統12〇將來自供應源S1、S2、S3中一 或多個供應源之化學物質（其中可混有或未混有液態或超臨 界態C〇2)施於晶圓上。 然後便可利用脈衝產生器102及/或高壓槽T1及閥V6進行 循環式態相調變（CPM)。更特定言之，吾人可操作脈衝產生 器102及/或南壓槽τ 1及閥V6(並適當控制加工流體之溫度） 使悲相在液怨、超6¾界態、及氣態間變換。最好態相係 在超臨界態與液態間循環變換。舉例而言，吾人可執行共 同所有之美國專利申請案序號第________號（發明人為

James P. DeYoung > James B. McClain > Michael E. Cole ^ 及David E. Brainard，2001年9月13曰提出申請，發明名稱 為「以循環式態相調變清潔微電子結構之方法」（代理人檐 案號碼：5697-45IP))所揭示之循環式態相調變法，該申請 案所揭示之全部内容係以引用之方式併入本文。 在循環式態相調變之循環過程中，C〇2或帶有化學物質之 C〇2可由噴灑元件190施予晶圓5。壓力室41〇内之流體及微 -32- 本紙張瓦度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公爱) ' -----— 546801 A7 ___B7_ 五、發明説明（30 ) 粒物質可由再循環系統200或200A自壓力室41〇中移除並局 部再循環，並/或由管線L6及系統120加以再循環。 壓力室4 1 0内之加工流體（密相C〇2、添加劑、及廢料）可 由管線L1 0排出。至於壓力室410内之C〇2則可回收至一回收 槽，下文將有所說明。加工路徑（包括壓力室41〇)可以槽T1 内之純液態或超臨界態c〇2沖洗一或多次。 上述「若有需要，可將化學物質S1、S2、S3中之一或多 種（可包含或不含Sc C〇2)施於晶圓上」、「執行循環式態相 調變」、及「移除加工流體」等步驟可視需要而重覆。在 完成循環式態相調變之最後一次循環後便可將加工流體移 出’若有需要’供應源S1、S 2、S 3亦可將一淋洗液（例如一 共溶劑或表面活性劑）配施於晶圓5上（最好可由噴麗元件19〇 配施-處於加壓狀態之淋洗液）。 然後便可利用來自槽T1之ScC〇2沖洗壓力室410及加工路 位（包括再循環路控）以去除添加劑及殘餘物。若不使用淋洗 液，亦可利用純C〇2流體（液態或超臨界態）去除基材上之添 力口劑及殘餘污染物。沖洗用之密相C〇2可再循環，但最終則 將由管線L 1 0排出。最好能利用純液態或超臨界態c〇2為晶 圓5及壓力室410進行最後一道淋洗。 然後便可為壓力室410減壓，並將晶圓5移出。 裝置10最好可透過噴灑元件190以至少400 psi之壓力將加 工流體施於晶圓表面，若該壓力約在8〇〇 pSi與3〇〇〇 pSi之間 則更佳。該方法可包括：令喷灑元件19〇相對於晶圓而旋轉 ，並以喷灑元件1 90將加工流體施於晶圓上。吾人可以轉動 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 546801 A7 _________B7 五、發明説明（31 ) 方式驅動喷灑元件（例如噴灑元件19〇或噴灑元件6〇2)及/或 夾盤（例如夾盤510、522、或552)。 此外’吾人亦可利用一進給噴嘴（例如噴嘴191)將加工流 體輸入室4 1 0内，同時利用一或多條出流管線（例如管線L7 、官線L1 0、管線L11 '及/或管線L6)將加工流體排出，因 而產生一越過晶圓5之加工流體流。裝置丨〇最好可以至少2 gPm之流量提供該穿過室41 0之流體流。 一如前述，該方法可包括：令包含C〇2之加工流體之密度 產生脈動，同時將該加工流體喷灑於晶圓5上。同樣，若以 脈衝產生器1 02進行態相調變，吾人亦可在加工流體通過室 4 10之同時進行密度調變。晶圓5及/或噴灑元件19〇可同時 轉動。 在上述各個需施用化學物質之步驟中所使用之化學物質 可為任一種適當之化學物質。特定言之，該等化學物質可 包括共溶劑、表面活性劑、反應劑、螯合劑、及上列各項 之組合。值得注意的是，化學物質供應系統120之獨立流路 及/或沖洗用構件可將不相容之化學物質以安全、有效之方 式加入室410中。 邊裝置可將不同狀態（例如液態、氣態、超臨界態）之加工 組份送往室410，且容許不同狀態之組份在室41〇内共存。 吾人若在清潔步驟中使用液態c〇2，該裝置可提供已加熱之 c〇2氣體G列如來自槽T1)，俾將加工組份自清潔作業室中排 出或沖出；吾人若以液態或超臨界態C〇2作為清潔步驟中之 主要加工流體，該裝置則可輸送一來自第二氣體槽T3之第 -34- ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)----~" 546801 A7 — —- _ B7 五、發明説明~~----- 二氣體（例如氦、氡、或急、，彼, 亂次鼠），俾在一清潔步驟中及一淋洗步 驟前置換該加工流體·五人甚尤，主、切 爪體，σ人右在清潔步驟中使用ScC〇2，該 j置亦可提供已加熱之ScC〇2(例如超臨界態eh)，其溫度 高於主要加工流體’但其密度則低於主要加工流體:、：： —清潔步驟後、-淋洗步驟前置換該加工流體。 供應/回收’系欲 供應/回I系、統300可供應及/或回收並再供應c〇2及/或化 學物質至清潔作業中。部分C〇2將在作業過程中消失。該作 業可包括批次循環’其中壓力室41〇將在基材（例如晶圓）進 出一以C〇2為基底之加工設備時，連續加壓及減壓若干次。 舉例而言，當吾人開啟壓力室以便取出並更換晶圓時，部 分co2便將消失在大氣中。部分c〇2則將隨系統所排出之廢 料流而從系統中消失。大部分之CO2均將受到污染、或因受 其他影響而不適合或有可能不適合在作業循環中一再循環 。因此，吾人必須提供額外CO2之來源以補充作業t所損耗 之C〇2。此外，C〇2及化學物質最好均可再循環，以便在裝 置10中或在他處重覆使用。 、 C 0 7存料供應激 參見圖7，供應/回收系統3〇〇包括一 c〇2存料供應源312。 舉例而言，供應源312可為以下列形式供應之c〇2: 一或多 個液體鋼瓶、一或多個内裝低溫液體且外加護框之小口大 玻璃瓶、或一或多個大型低溫液體供應系統。其儲存方法 最好兼可供應液態或氣態C02。 供應源3 12可經由一管線L17而與加工室41〇形成流體連通 -35- 本紙張足度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) ' ------- 546801 A7 — —__B7 五、發明説明（33 ) ’管線L17具有一閥VII，其可控制進入壓力室410之流量。 系統300最好能讓該供應源之c〇2以吾人所需之壓力（最好約 在15與50 psig之間）直接送入（亦即不需借助任何流體輸送元 件、加壓槽、或其類似物）壓力室410。供應源312可來自一 氣體或液體來源。 一般供工業及商業使用（例如食品加工（如冷;東乾燥及飲料 之充氣）、p Η控制、或乾冰）之C 02其潔淨度均未達微電子基 材加工作業之標準。該種c〇2供應源通常均包含諸如有機物 質、其他氣體、水、及微粒物質等污染物。因此，系統3〇〇 可包括一淨化單元D1，其位於供應源312與壓力室41〇之間 。淨化單元D 1可淨化C〇2供應源，使其達到必要之超高潔 淨度及純度。如此一來，淨化單元D1將可促進食品等級或 工業等級c〇2之有效運用，並使吾人得以使用現有之c〇2供 應鏈及配銷鏈。 淨化單元D 1可採用下列一或多種方法以過濾氣態或液態 co2 ： ^ 1. 蒸餾：c〇2可抽取自一氣態供應源、或供應源之—氣 態部分。液態c〇2可經抽取、煮沸、並在移入一故集空間 後重新凝結： Mi 2. 過濾； 3. 膜片分離（最好搭配蒸餾）；及 4. 吸收/吸附（例如根據吸引力或分子大小而加以捕集 吾人亦可將額外之C〇2導入一蒸汽節用單元32〇(容後述） ，藉以將C〇2送入作業中（更特定言之則係送往壓力室斗⑺) -36 -

546801 A7 _____ B7 五、發明説明（34 ) 。此額外之C 〇2最好先由一對應於淨化單元D丨之淨化單元 加以淨化。 廢料流之處理 在前文與作業相關之說明中便曾指出，吾人可在不同時 間點（包括（特別是）每一輪執行完畢後），利用管線11〇排出 壓力室410内之加工流體。該流體可包括液態、氣態、或超 臨界態之C〇2、化學物質、及多種污染物（例如自晶圓脫落 之微粒）。 系統300包括一低壓槽T2 ,其可接收抽取自壓力室41〇或 自壓力室410移除之廢料流。槽Τ2之壓力最好約維持在周圍 壓力與3000 psi之間。槽Τ2之容積最好至少為壓力室41〇容 積之5倍。 被排入槽T2内之混合物種類或有不同，在此情況下，槽 T2可為一分隔槽或多個槽。槽T2内之壓力小於一位於壓力 室410上游、且與壓力室41〇形成流體連通之壓頭，此壓差 將迫使廢料流由壓力室410進入槽Τ2。最好該壓頭係由高壓 槽Τ1提供，如此一來便不需使用泵或其他機械元件。 當C〇2從壓力室410移往槽Τ2時，C〇2之壓力將隨之降低 ，吾人可利用此現象使其分離。超臨界態C〇2加工流體在通 過一減壓元件（例如一控制閥或孔口）時將因膨脹而減壓。在 it匕較低壓力下，加工流體之組份（例如化學添加劑或夹帶之 污染物）將變為不可溶，促使該膨脹流有效分離為_輕流體 C〇2流及另一重流體（不可溶）流。 超臨界態C〇2加工流體亦可經由減壓膨脹而進入態相圖中 -37- 本紙張足度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 546801

之雙態相液體/氣體區，使不同之加工流體得以在一分隔槽 之不同刀區或多個槽内產生離析。此離析作用將有助於減 少混合廢之產± ;混合廢料流之處理成本大於單一組 份之流體流。離析作用亦使吾人得以蒸餾方式分離加工流 體之組份（例如從化學添加劑中分離出可再循環之c〇2、及 需加以處置之夾帶污染物）。 。人可使一液恕加工流體流因膨脹、受熱而成為氣態。 如此來便可以類似蒸餾之方式連續分離組份（亦即閃急蒸 發之蒸發），例如可參見以下有關蒸餾系統34〇之說明。 再循環及減詈 槽T2所接收之廢料流將由一管線L29(其具有一閥vi2)送 往一再循環/減量站310。吾人可利用一泵或其類似物輸送 該廢料流，但最好係透過一非機械方式，例如壓差及/或重 力。只要廢料流已在槽T2内分離，吾人便可設置兩條以上 用=輸送各分流之獨立管線，使單元31〇可分別處理各分流 。系統300可以下列方式處理及導引該等分流： 1.可將c〇2去除，作法係利用一管線L27，並依吾人所 控制之方式排放或排洩C〇2 ,俾將其安全排入大氣中，並 /或加以收集，另作他用； 2.可利用一管線L22將C〇2直接輸往壓力室41〇。該c〇2 最好可由一淨化單元D3加以淨化。經由管線L22輸往壓力 室410之C〇2其壓力可能大於大氣壓力，在此情況下，吾 人可利用該C〇2在各循環之起始階段執行或加強主加工室 之加壓作業； -38· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 546801 A7 —' - _ B7 五、發明説明（36 ) '~" 3. C〇2可由管線L23導引至淨化單sD1 ,然後進入壓力 室 410 ; 4. 可令氣態C〇2通過一淨化單元〇2、一液化單元314(其 可凋整壓力並冷部該c〇2氣體）、然後進入c〇2存料供應源 312，並依前述方式作進_步使用； 5. 可令C〇2通過一淨化單元〇4，並由一加壓元件（例如 一泵）P8重新加壓，使其經由一管線[25進入高壓槽τι ; 6·可利用一官線L26導引c〇2，使其通過一淨化單元D5 並進入一蒸汽節用槽320(容後述）；及 7.可令化學添加劑及污染物通過一管線L28，並依良好 之化學物質管理規範加以處理及/或去除/再循環。 蒸汽回收： 在將壓力室410内之加工流體排出後，壓力室41〇内仍留 有一咼壓c〇2蒸汽。在吾人開啟壓力室41〇以取出基材（例如 晶圓）前，最好且通常均需移除此蒸汽。 一種為該室減壓之方法係利用一受控之放洩元件使該室 之内容物得以通氣釋壓。或者亦可利用一壓縮機或泵降低 壓力室410内之壓力。 吾人亦可利用後述之一蒸汽回收系統322及方法降低c〇2 之壓力。該等方法及裝置可利用美國專利申請案序號第 0 9/404,95 7號（1999年9月24曰提出申請）、及美國專利申請 案序號第09/6 69,154號（2000年9月25日提出申請）所揭示之 方法及裝置之構造及特點。 一蒸汽回收槽或壓力容器322可在一作業循環之最終階段 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 546801 A7 _____B7 五、發明説明（37 ) ' ^ 透過-管線L18快速捕集coy通常為氣體或超臨界流體卜 被捕集之C〇2通常為一氣體或超臨界流體，但亦可為液體（ 在此情況下，最好係由室41〇之底部排放以免形成固態/乾 冰）。如此一來，壓力室41 〇便可快速降壓。該捕集方法最 好並不受制於一機械元件（例如一壓縮機）之體積輸出量。蒸 汽回收槽322之容積最好約為壓力室41〇容積之！至5〇〇倍。 被捕集之C〇2可依吾人所需之任一方式處理，包括： a) 使其通過一具有一閥V10之管線L21，最好亦通過一 平壓槽324，並將其去除； b) 利用管線L2 1及平壓槽324將其回收，並再循環另作 他用（例如一使用C〇2之火災抑制系統、或一可再循環另作 他用之儲存容器）； c) 可將其回收並再循環作相同之應用（可將其壓縮及/或 液化、及/或轉化為超臨界流體），重新供應至該加工系統或 該C02供應系統； d) 可將其用於下一道加工步驟中，俾為壓力室41〇加壓 (:^欲將壓力室410之壓力提南至一定水準，使吾人得以有 效增加以C〇2為基底之加工流體量，或可將此視為一必要之 作法）。 該蒸汽回收系統可包括一壓縮機P7，其有助於將壓力室 4 1 0内之物質輸往蒸汽回收槽。舉例而言，當一加工循環結 束時，壓力室410可能處於高壓狀態（C02氣體之壓力可達蒸 汽壓，若為超臨界流體，其壓力可為：300 < P( psia) < 3 OOO)，而蒸汽回收槽則處於低壓狀態。為能以非常迅速之 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 546801 A7 ______B7__ 五、發明説明（38 ) 方式（例如為方便吾人開啟壓力室41 〇以取出基材）將壓力室 41 〇之壓力降至一低壓力（例如周圍壓力），同時省下大部分 之c〇2，吾人可為該兩室均壓，然後·· a) 可利用一壓縮機，迫使更多C〇2從主加工室進入蒸汽 節用槽中；及 b) 可使用一第二蒸汽回收槽（例如採串級排列），以便以 加快一倍之速度為壓力室41 0均壓並進一步降低其壓力。 吾人亦可利用一壓縮機，在一第一輪結束後、下一輪尚 未結束前，將蒸汽回收槽内之物質移出，因為蒸汽回收槽 在下-輪結束時又必須回到低壓狀態。被捕集之C〇2可以上 述任-方式處理。 應瞭解，系統300亦可使用多種不同於上述之閥系統及流 量控制裝置。「蒸汽節用系統320」與「吾人用以處理管線 L 10其廢流中之C〇2之多種方法」其實互不相干，若有需要 可從系統300中去除其中任一者。各淨化單元〇2、D3、D4 、D5均可與淨化單元D1對應（亦即可使用前述之任一種方法 ··蒸餾、過濾、膜片分離、及吸收/吸附）。若不使用多個淨 化單元D2、D3、D4、D5，一替代作法係將其中兩個以上之 淨化單元結合，使各流路在共用之淨化單元内具有一共用 段，然後再各自岔出。 壓力室總成 參見圖8及圖9，壓力室總成400包括一上外殼420及—下 外殼430。當外殼420、430處於圖8所示之關閉位置時，兩 者間構成一壓力室410，一密封用系統4 5 0 (下文將有車交詳細 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) '" ---- # 裝 訂

線 546801 A7 B7 五、發明説明（39 ) 之說明）可將室41 〇密封。在圖8所示之關閉狀態下’ 一對位 置相對之夹具440可包圍外殼420、430之末端部分，藉以限 制外殼42 0與430之分離幅度。吾人可將夾具440移開’使外 殼420、43 0得以分離並進入圖9所示之開啟位置。 防謨加熱器_ 室410内設有一防護加熱器總成460，其包括一上防護加 熱器462及一下防護加熱器472。防護加熱器總成460在加熱 器462與472之間形成一容納空間411。在防護加熱器462與 472間之容納空間411内設有一平台或夾盤510，其可支撐晶 圓5，使其得以在防護加熱器462與472之間繞一垂直軸旋轉 。一喷灑元件190係安裝於上防護加熱器462之一槽464F中 ，且可導引流體，使其經由喷嘴192而到達晶圓之工作表面 5A上。 外殼420、430最好均係由不銹鋼或其他適當金屬一體成 形。通道422A、422B、422C穿過外殼420，通道432A、 432B、43 2C貝|J穿過夕卜殼430。詳見圖9，外殼420具有一環形 凸緣424，其具有一位於外側之環形凹口 425，一垂直壁 425A則構成該凹口之一部分。外殼430具有一環形凸緣434 ，其具有一環形槽435。凸緣434具有一垂直壁434A。外殼 42 0及430分別具有彼此相對之環形鄰接面426及436。 參見圖10至圖12，上防護加熱器462包括一内部元件464 ，其具有一頂壁464A及一環形側壁464B。頂壁464A内形成 一螺旋形流禮渠道466A，一外板467則覆蓋頂壁464A。一 環形包圍元件468可包圍側壁464B，因而在兩者間形成一環 -42- 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 546801 A7 B7 五、發明説明（4〇 ) 形環繞渠道466B。一渠道466C可使渠道466A與466B形成流 體連通。頂板467内之一入口 466D可使通道422A與渠道 4 6 63形成流體連通，一出口 466£貝|]使通道4228與渠道466八 形成流體連通。外板467及壁468係由熔接點8(舉例而言）固 定於内部元件464。喷灑元件190係穿過外板467上之一開口 467A，並固定在頂壁464A之一槽464C中（例如藉由一位於 上游之噴嘴、或螺絲）。噴灑元件190之噴嘴192可與通道 42 2 C形成流體連通。内部元件464、夕卜板467、及包圍壁468 最好係由不銹鋼製成。防護加熱器462可以螺絲固定於外殼 420，並以小型間隔件防止螺絲接觸壁面。 參見圖13及圖14，下防護加熱器472包括一内部元件478 及一外板474，該外板係以熔接點8(舉例而言）固定於該内部 元件。一開口 479穿過外板474，一開口 476D則穿過内部元 件478。内部元件478内形成一螺旋形流體渠道476A。外板 474中之一入流通道476B可使通道432 A與渠道476A形成流 體連通，一出流通道476C可使通道432B與流體渠道476A形 成流體連通。内部元件478及外板474最好係由不銹鋼或其 他適當金屬製成。防護加熱器472可以螺絲固定於外殼430 ，並以小型間隔件防止螺絲接觸壁面。 最好防護加熱器462及472均具有一表面積（亦即朝向内部 之「内」表面）對容積之比值，且其值至少為0.2平方公分/ 立方公分。若防護加熱器462及472均具有一表面積對容積 之比值，且其值約介於0.2與5.0平方公分/立方公分之間則 更佳，若約為0.6平方公分/立方公分則最佳。 -43- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 裝 訂

線 546801 A7 B7 __________ 五、發明説明（41 ) 一如前述，在執行清潔及其他作業步驟時（及在各步驟間） ，最好能控制晶圓環境（亦即室410及其中之流體）之溫度。 室410内之溫度可由防護加熱器總成460加以控制。更特定 言之，一溫度控制流體由通道422A導入後，將通過入流開 口 466D、渠道466B、通道466C、通道466A、出流開口 466E 、最後由通道422B流出。該溫度控制流體即以此一方式， 將熱能傳送至防護加熱器462，俾為防護加熱器462加熱（若 該流體之溫度高於防護加熱器462);或者，該流體亦可吸 收並移除防護加熱器462之熱能，藉以冷卻防護加熱器462(若 該流體之溫度低於防護加熱器462)。一溫度控制流體可以 相同之方式加熱或冷卻下防護加熱器472，該流體將流經通 道432A、入流開口 476B、渠道476A、出流開口 476C、及通 道 432B。 该溫度控制流體可為任一種適當之流體，最好為液體。 適當之流體包括水、乙二醇、丙二醇、水與乙二醇或丙二 醇之混合物、Dowtherm A(聯苯醚及聯笨）、D〇wtherm £、 (0-二氣苯）、礦物油、Mobiltherm(芳香族確物油）、

Thermiiiol FR(氣化聯苯）。該溫度控制流體最好為水與乙二 醉之50%/50%混合物。該流體可以任一適當方式加熱，例 如利用一電熱器、燃氣式加熱器、或蒸汽加熱器。該流體 可以任一適當方式冷卻，例如利用一氣壓冷凍式或蒸發式 流體急冷器。 ^ 防護加熱器總成460係與外殼420、430相互分離，因而在 兩者間形成一絕熱間隙470，其大體包圍防護加熱器462及 -44- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 裝 訂

線 546801 A7 B7 五、發明説明（42 ) 472。更特定言之，一絕熱間隙470A係形成於外板467與相 鄰且屬於外殼420之包圍壁部分間，且最好具有一寬度A。 一絕熱間隙470B係形成於包圍壁468與相鄰且屬於外殼420 之壁面間，且具有一寬度B。一絕熱間隙470C係形成於外板 474與相鄰且屬於外殼430之包圍壁部分間，且具有一寬度C 。最好各寬度A、B、C均至少為0.1公厘。各寬度A、B、C 若均介於約0.1與10公厘之間則更佳，若約為1.0公厘則最佳。 絕熱間隙470可實質增加系統10之效率、可控制性、及製 造輸出量。絕熱間隙470可使熱能大體上無法在防護加熱器 4 62、472與夕卜殼420、430間傳遞，因而減少外殼420、430 之溫度對晶圓5周圍氣體環境所造成之影響，甚至可將此影 響降至最低。換言之，絕熱間隙470可將溫度控制流體所須 加熱或冷卻之熱質大體侷限於防護加熱器462、472之熱質 。如此一來吾人便可控制加工流體之溫度，使其大體上不 同於外殼420、430之溫度。 •以上所說明及圖示之加熱/冷卻設計雖為流體流動式，但 除卻以流體加熱外，亦可併用或改用其他可加熱/冷卻防護 加熱器462、472方法。例如可在防護加熱器462、472中設 置電阻線圈（例如其設計可將熱能直接輻射至晶圓）。 參見圖1 8，圖中顯示一根據本發明替代具體實例之壓力 室總成400A。總成400A與總成400唯一不同處在於前者之 防護加熱器總成460A包括絕熱層471及473，並以此取代絕 熱間隙470。防護加熱器462、472可分別固定於絕熱層471 、473，絕熱層471、473則分別固定於外殼420、430。 -45- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝

線 546801 A7 —_ B7 五、發明説明（43—) ~ 熱層471、473可以結晶形氟聚合物製成，例如pcTFE(聚 氣三氟乙烯）、pTFE(聚四氟乙烯）、或pVF2(聚偏二氟乙烯） 。絕熱層471、473最好係由塊狀PTFE、新PTFE、或以玻璃 充填之PTFE製成。絕熱層47 1、473可為蜂巢狀、開孔氣、、包 狀、或具有其他構造或型態以增進其絕熱效能。 防護加熱器總成460及460A最好可使壓力室41〇内之溫度 約在〇°C至90°C之範圍内。防護加熱器總成460及460A最好 可以每秒至少500焦耳之最大速率為壓力室41〇内之氣體環 境供應熱能。 之密封用系欲 用以構成壓力室410之外殼420及430亦構成一流體茂漏路 徑3(圖15)，其位於壓力室410直接或間接通往一外部區域7 (例如周圍大氣）之介面。密封用系統450可完全或局部防止 流體沿流體洩漏路徑3流動。 詳見圖15，密封用系統450包括一Ο形環452、一環狀之杯 形（或倒V字形）封454、一環形彈簧456、及一環形扣環458 。密封用元件452與454之組合可改良壓力室密封之有效性 及耐用性，容後述。 扣環458係固定於凸緣424，且在凹口 425下方沿徑向（朝凸 緣434)向外伸出。扣環458可以不銹鋼或其他適當材料製成 。扣環45 8可以任一種適當之方法（例如以螺紋緊固件）固定 方t凸緣424。 杯形封454如圖16及圖17所示。「杯形封」在本文中係指 任一種具有一凹面部分之自添力密封用元件，且拫據其構 -46 - 本紙張瓦度適用中圏國家標準(CNS) 乂4規格公爱) 546801 A7 B7___ 五、發明説明（44 ) 造，當該密纣用元件之凹面部分所受壓力增加時（例如由位 於該密封用元件凹面側之一室之壓力增加所造成），該密封 用元件之内部壓力將因而升高並向外施力（例如施力於並抵 住一用以構成該壓力室之壓力容器其與該密封用元件相鄰 之表面），因而形成一密封用元件。杯形封454包括一環形 内壁454B，該内壁係沿一環形折線454C接合一環形外壁 4 5 4A，並在其中形成一環形渠道454D。 杯形封454最好係由一具有可撓性之彈性材料一體成形。 用以形成杯形封454之材料最好可曝露在密相C〇2中而不致 膨脹及受損。適當之材料包括氟化聚合物及彈性體，例如 ·· PTFE(DuPont 之 Teflon®);經充填之PTFE ; PTFE共聚合 物及其類似物，例如FEP(氟化乙烯/丙烯共聚合物）；Teflon AF ;氯三氟乙烯（CTFE);其他高穩定塑膠，例如聚（乙烯） 、UHMWPE(超高分子量聚（乙烯））、聚丙烯（PP)、聚氯乙烯 (PVC)、丙烯酸系聚合物、醯胺聚合物；及多種彈性體，例 如氯丁橡膠、Buna-N、及以表氯醇為基底之彈性體。適當 之密封用材料可購自 PSI Pressure Seals Inc.，310 Nutmeg Road South，South Windsor，CT 06074。 若欲將杯形封454固定於凸緣424，可將内壁454B與折線 45 4C至少其中之一（最好將其兩者）附著於凸緣424及/或扣環 4 58與其相鄰之部分。舉例而言，内壁4543、454(：可以黏著 劑固定於凸緣424。杯形封454之位置最好係由扣環45 8加以 固定，且不使用黏著劑或其類似物。 彈簧456可岛任一種可反覆且確實偏置外壁454A、使其遠 -47- 本紙張尺度適用中國國家標參(CNS) A4規格(210X297公釐) 裝 訂

線 546801 A7 B7 五、發明説明（45 ) 離内壁454B(亦即沿徑向外移）之適當彈簧。當外殼420、 430分離時，彈簧456最好可沿徑向向外偏置杯形封454，使 其超出凸緣424(參見圖9)。彈簧456最好係一繞線彈簧或一 懸臂式彈簧，其形狀類似但小於杯形封454，且係疊套於杯 形封454之内部。彈簧456最好係由彈簧等級之不銹鋼製成 。彈簧456可與杯形封454—體成形。吾人除設置彈簧456外 ，一併行或替代之作法係令杯形封454本身即具有一可將壁 454A、454B撐開之偏置力。此外亦可省略彈簧456，而杯 形封454本身亦可不具有偏置力。 〇形環452係設於槽435内。Ο形環452最好係以緊度接合之 方式固定於槽435中。該Ο形環係由一可變形之彈性材料製 成。0形環452最好係由一彈性體材料製成。若〇形環452係 由bunna-n或氯丁橡膠製成則更佳，若以乙烯一丙婦一二烯 橡膠（EDPM)製成則最佳。0形環452之尺寸需加以設計，使 〇形環452在未載重之狀態下（亦即外殼420、430分離時，參 見圖9)係局部突出於鄰接面436上方。 當外殼420、430關閉時，杯形封454係夾於凸緣424與434 之間，如圖8與圖15所示。彈簧456將偏置壁454A及454B， 使其分別抵住壁434A及425 A。若提高室410之壓力，使其 大於周圍壓力，渠道454D所受之壓力將迫使壁454A及454B 分離，並分別與壁434A及425A形成更緊密、更密封之接合。 如此一來，杯形封454便成為一牢固之主要密封用元件， 可防止室4 1 0内之流體沿流體洩漏路徑3流至0形環452或大 幅減少此一現象，使Ο形環452不需曝曬在有可能造成損害 -48- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝 訂

線 546801 A7 B7 五、發明説明（46 ) 之加工流體中。此種對〇形環452之保護可大幅延長〇形環 4 52之使用壽命，若加工流體包括高壓C〇2則更是如此。因 此，密封用糸統450將有助於形成一高產出之晶圓製造系統 ，且其中密封用元件之使用壽命較長。 值得注意的是，當吾人提南室410之壓力時，此内部壓力 將使外殼420、430略為分離，導致〇形環452未達密封所需 之載重狀態。但由於杯形封454可發揮主要密封用元件之功 能，故仍不失為一牢固之密封設計。但若杯形封454局部或 完全故障，〇形環452則將發揮功能，防止加工流體汽漏至 環境中或減少其洩漏量。根據某些具體實例，總成400可作 適當調整，使0形環452可在室410到達或超過一選定壓力時 ，容許流體沿流體洩漏路徑3流出，以免增加該〇形環所受 之壓力，並防止具損害性之加工流體（例如C〇2)長期接觸該 〇形環。 當室410内之流體處於大氣壓力或真空狀態時，杯形封 4 54之密封有效性往往因而降低（但彈簧456之偏置力仍可發 揮些許密封之功能）。在此狀況下，Ο形環452便成為主要密 封元件，可防止大氣中之流體經由流體洩漏路徑3進入室 410中。值付注意的是’大氣中之流體（基本上為空氣）通常 不含高濃度之CO:、或其他會對〇形環材料造成不當損害之 組份。 如圖所示’ Ο形環4 5 2之密封設計最好採對頭式設計，如 此一來便無可滑動之構件。杯形封454之壓力添力機構則容 許吾人使用偏置力較小之彈簧456。本發明之該等特點有助 -49- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) """ ------------ 裝 訂

線 546801 A7 B7 五 、發明說明~ -----〜一 所有對晶圓5有害之微粒之產生率。杯形封454在壓 力至〜成内亦可改採其他方向、 ^认於其他位置。吾人可 二體洩漏珞徑中連續設置兩個以上之杯形封“斗。 ° ^可由4文之說明得知，—杯形封與-彈性體〇形環密 、7兀件之合可克服某些與C02容器高壓密封設計有關之 σ題，但若H蜀使用一彈性體〇形環密封用元件或一杯形封 =無法解決该等問題。特定言之，若令彈性體〇形環曝露在 r~7 C C〇2中然後快速減壓，該彈性體〇形環之使用壽命多不 長久〃作為藍力始、封用元件之杯形封基本上需使用一強預 =彈簧方可使該容器以真空狀態供人使用。該種強預力可 月匕產生較大之摩擦及磨耗，進而產生具損害性/污染性之微 粒。根據本發明，若需利用彈性體〇形環在室内形成真空， «亥彈性體〇形環可由外部添力（從外部壓縮）。 羞圓固待總成 參見圖1 9至圖22，圖中顯示一根據本發明其他具體實例 之邮圓固持總成520。總成520可在一壓力室總成4〇〇B(圖 1 9)中取代夾盤5 1 〇，該壓力室總成除此之外均可對應於壓 力室總成400。晶圓固持總成520包括一基材固持器或平台 或夾盤522，且可利用夾盤522旋轉所產生之一壓差將晶圓 固定於夾盤522上，下文將有更詳細之說明。 夾盤522具有一前表面524及一位置相對之後表面528。複 數片（圖中共八片）動輪葉529係由後表面528向後伸出，並沿 一中央轉動軸E-E之徑向延伸（圖19)。複數條（圖中共四條） 通道526A係白後表面528貫穿夾盤522並通往前表面524上之 -50- 本紙張尺度適用中國國家摞準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 五、發明説明（48 ) 一環形渠道526B。複數條（圖中共十六條）渠道526C係由渠 道526B沿徑向向外延伸，並與渠道526B形成流體連通。亦 可增設與渠道526C形成流體連通之環形渠道（未圖示）。 如圖19所示，夾盤522係安裝於一從動軸53〇上，俾隨該 軸繞轉動軸E-E旋轉。當夾盤522旋轉時，動輪葉529將推動 或迫使「後表面528」與「壓力室410中與該後表面相鄰且 相對之表面4 1 2」間之流體沿徑向（沿方向ρ)向外（朝夾盤5 2 2 之外周邊）移動。如此一來便在夾盤522下方、夾盤522之内 部區域（亦即最靠近軸E-E之區域）與該夾盤之外部區域間產 生一壓差。更特定吕之，該中央區域之壓力（包括通道526 A 下開口之壓力）將小於夾盤522外緣之壓力，亦小於晶圓5於 夾盤522相反面所受室410内之壓力。因此，在晶圓5頂面所 受之流體壓力與渠道526B、526C内之流體壓力間將形成一 壓差。 當夾盤522及晶圓5旋轉時，晶圓5即以上述方式固定於夾 盤522。吾人可設置補助性之固持構件，俾在開始旋轉前、 或在不需旋轉之加工步驟中，將晶圓5固定於夾盤5 22上， 並/或提供額外之固定效杲。舉例而言，該等補助性構件可 包括黏著劑、夾具、及/或一外生壓差總成（如後述之晶圓固 持總成550)。 參見圖2 3至圖2 5，圖中顯示一根據本發明其他具體實例 之晶圓固持系統5 5 1。系統5 5 1包括一晶圓固持總成5 5 0，且 可在一壓力室總成400C(圖23)中取代夾盤510，該壓力室總 成除此之外均可對應於壓力室總成400(為求圖面清晰，總 -51 - 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS) A4規格(210X297公釐） 546801 A7 _ _B7 五、發明説明（49 ) 成400C之某些元件在圖中並未顯示）。總成4〇〇c尚具有一磁 力驅動總成5 8 0。 晶圓固持總成550包括一基材固持器或平台或夾盤552， 且可利用「壓力室410内之壓力」與「一出口 564之壓力」 間之一壓差將晶圓5固定於夾盤552上，以下將有更詳細之 說明。磁力驅動總成580可驅動夾盤552，使其相對於壓力 室410而移動，但吾人所密封之位置並不需正好在相對移動 之元件（亦即一軸560與外殼430)間。應瞭解，晶圓固持系統 5 5 1可搭配其他驅動設計，磁力驅動總成58〇亦可搭配其他 晶圓固持器機構。 以下將詳細說明磁力驅動總成580。總成580包括一上外 设585及一下外殼584。上外殼585之上端係容納於外殼430 中’且兩者問形成氣密密封（例如可使用一適當之密封用構 件’例如氣密墊圈）。軸560穿過外殼585，且上、下軸承 586及588係以可轉動之方式將該軸安裝於該外殼上。在軸 560與外殼元件585間設有一密封用元件561。密封用元件 5 6 1最好係一非接觸式密封用元件。密封用元件56 1若為一 間隙式密封用元件（若能形成一間隙G ,其寬度約在0.001與 0 · 002英吁之間則更佳）或一曲徑軸封則更佳。密封用元件 561亦可為一唇形密封用元件或一機械式密封用元件。 一内部磁石固持器590係安裝於軸560之下端，俾隨之轉 動；且具有一内磁石Ml ,其安裝於該内部磁石固持器之一 外部。内部磁石載具Wo係位於下外殼元件584中。〆壓力 盍596可包圍内部磁石載具590，並與下外殼元件584之下端 -52-

546801 五、發明説明

形成氣密密封（例如可使用一適當之密封用構件，例如氣密 墊圈）。如此一來，壓力蓋596與上外殼元件585便共同形成 一氣密貯器，可容納從a力室41()進人上外殼元件如之流 體。 一驅動單元582係安裝於外殼元件584上。驅動單元可 為任-種適當之驅動元件，例如以液力驅動之單元，若為 以電力驅動之單元則更佳。驅動單元582可轉動一伸入外殼 兀件584内之軔594。一外部磁石固持器592係安裝於軸5料 上，俾隨之轉動。外部磁石固持器592係位於外殼元件5料 内，但壓力蓋596可使該外部磁石固持器在機械及流體方面 均與内部磁石固持器590及壓力室41〇隔離。一外磁石闕系 安裝於外部磁石固持器592上，俾隨之轉動。 /磁石Ml與M2之構造、設置方式、及型態均形成特定之關 係，致使彼此以磁力相連接。因此，磁石M1、可以間 接之機械方式連接外部磁石固持器592與内部磁石固持器 5 90，並藉以連接軸594與軸56〇 ,使吾人操作驅動單元582 即可轉動夾盤522。 磁力驅動總成580可為任一種適當之驅動總成，並依本文 所述之方式作適當之修改。適當之磁力驅動總成包括bmd 150，可購自瑞士烏斯特市（Uster)之別Α(}。此外亦可使 用他種以非機械方式進行連接之驅動單元。 詳見圖24及圖25 ,夾盤522具有一前表面554。一埋頭通 道556B則貫穿失盤552。複數條渠道526八係由通道”佔沿 徑向向外延伸，並與該通道形成流體連通。可另設與渠道 -53-

546801 A7 _B7 五、發明説明（51 ) 5 2 6入形成流體連通之環形渠道（未圖示）。 如圖23所示’夾盤552係以一螺帽558安裝於從動軸560上 ，俾隨軸560繞一轉動軸F-F旋轉。軸560具有一沿軸向延伸 且穿過該軸之連接通道562。螺帽558具有一中央開口，其 可容許通道562與通道556B形成流體連通。一通道563係沿 徑向穿過軸560 ’並使通道562與第二室565形成流體連通， 該第二室係形成於外殼5 8 5與軸5 6 0之間。密封用元件5 6 1最 好係一非接觸式密封用元件（例如一間隙式密封用元件或一 曲徑軸封）’其可形成一受限之流體通道，供流體在壓力室 410與第二室565間流動。 外殼元件58 5上之一出口 564可使第二室565與一管線L4〇 形成流體連通。一管線L41具有一閥V30，且可使一流量限 制器566及一儲存槽568與管線L40形成流體連通。流量限制 器566可為一節流孔口、或一適當之局部封閉閥（例如一針 閥），其可在吾人之控制下限制通過該閥之流量。一管線 L42具有一閥V3 1，且可使一流體輸送元件f>2〇(如真空泵）與 管線L40形成流體連通。 吾人可以下列方式使用系統551，俾將晶圓5固定於夾盤 552。吾人可在儲存槽568内提供一壓力，並使其低於壓力 室410在一般加工條件下、其室内氣體環境之壓力。吾人可 在加工過程中開啟閥V30,使第二室565與儲存槽形成流 體連通，此時該槽之作用係一被動低壓源（亦即不以泵、壓 縮機、或其類似物產生壓力或真空）。如此一來將使室565 内之壓力（連平使彳于與該室形成流體連通之渠道5 %人内之壓 -54- 本紙張尺度適用中國g"i^(CNS) Α4規格(2ι〇 χ 297公釐)-~—- 546801 A7 ___ __ B7 五、發明説明（52 ) 力）小於壓力室410内之壓力，因而在晶圓5之上表面與晶圓 5之背面間形成一壓差，導致晶圓5被下拉（沿方向D)至夾盤 552 上。 ⑽i限制器5 6 6可限制流體從第二室5 6 5流入儲存槽5 6 8之 流里’使流體以吾人所控制之方式沒漏。此種控制泡漏之 作法可確保晶圓5兩面間之壓差足以將晶圓固定於定位，但 不致過度消耗壓力室41 〇内之流體。 儲存槽568之壓力最好大於大氣壓力，但小於壓力室41〇 在預定作業中之壓力。健存槽568可容許吾人清潔、再循環 、或以其他方式處置壓力室410内所抽出之氣體。 或者亦可省略或繞過儲存槽568，使管線L41可在閥V30開 啟之狀態下直通大氣。 當壓力室410内氣體環境之壓力等於或小於被動低壓源（亦 即儲存槽568或周圍大氣）之壓力時，吾人便可操作流體輸 送元件P20以降低室565内之壓力，使其小於壓力室410内之 壓力，以便在晶圓5之兩面間產生大小符合吾人所需之壓差 。在此情況下需關閉閥V30並開啟閥V3 1。 系統551最好能在吾人之操作下，使渠道556A内產生一至 少比壓力室410内之壓力小1 pSi之壓力，若比壓力室410内 之壓力小約·5至20 psi則更佳。 旋轉式喷灑元件 前述之噴灑元件190及後述之噴灑元件602、652均可提供 位置分散之入口，俾將加工流體直接送至晶圓表面。此外 ’該等噴灑元件亦可提供該等流體之分布流，其中更包含 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 裝 訂

線 546801 A7 B7 五、發明説明（53 ) 來自流體/表面撞擊之機械作用。此機械作用大致上係來自 喷灑元件所送出之流體流之動量。 吾人可透過噴灑元件之設計（例如包括噴口之數量、間距 、及大小），對能量傳遞/機械作用之運用方式作選擇性之控 带]。此外，若令晶圓同時旋轉則可在流體與晶圓表面間產 生剪力（動量），促進表面物質之移除。 參見圖26，圖中顯示一根據本發明其他具體實例之壓力 室總成400D。總成400D(為求圖面清晰，其某些特點在圖26 中並未顯示）可與總成400相同，唯前者設有一旋轉式噴灑 元件總成60 0(舉例而言）。總成400D可包括一以轉動方式驅 動之晶圓固持器5 1 0，另一作法係令晶圓5保持固定不動。 喷灑元件總成600可搭配前述任一種壓力室總成。值得注意 的是，即使不使用旋轉式晶圓固持器，噴灑元件總成600亦 可使-喷灑元件與一晶圓相對轉動。 噴灑元件總成600包括一喷灑元件602(亦可見於圖27及圖 2 8)。噴灑元件602包括一軸部分610及桿狀分布部分620。 一軸向通道61 2係延伸自一上開口 614、穿過部分610、並與 部分620中之一橫向通道622形成流體連通。一系列喷口 624 係由通道62 2延伸至分布部分620之底部外緣。喷灑元件602 可由-具有高氧化穩定性之材料製成，例如3 16不銹鋼。 一軸承630係固定於外殼420之一通道427内，致使軸承 630之一凸緣632係容納於通道427之一加大部分427A中。軸 承630最好係圖示之套筒式軸承。軸承630可以PTFE、聚乙 缔（PE)、或聚醚醚酮（PEEK)製成。轴承63 0最好係由PTFE製 -56- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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546801 A7 ______B7____ 五、發明説明（54 ) 成。 軸部分612穿過軸承630且具有一凸緣616，其覆於凸緣 632上。一末端蓋640係以螺紋（舉例而言）穩固安裝於外殼 420之部分427A内，且位於凸緣616之上方。末端蓋640最好 可與外殼420形成氣壓緊密密封。 末端蓋640可接收一加工流體供應源（例如來自一供應管線 9)，使加工流體流經一通道642，然後進入通道612。該流 體可繼續流人通道622，然後由噴口 624送出。 參見圖27及圖28，噴口 624係與噴灑元件602之預定轉動 軸N-N(參見圖28)形成某一角度。喷口 624之位置最好傾斜 一角度M(參見圖28)，且該角度約在〇與85之間，若約在30 與60之間則更佳。噴口 624之傾斜方向係與預定轉動之方向 R(圖27)相反。 使用時，流體離開噴口 624所產生之反作用力（亦即液力推 進力）將使嘴灑元件602在車由承630内繞軸N-N旋轉。值得注 意的是，由於軸承630係安裝於壓力室410之内部（亦即在高 壓區域内），並由末端蓋640將其與周圍壓力隔離，因此， 該軸承並不需承受其兩端間一實質壓力降所產生之載重。 除以液力驅使喷灑元件6 0 2旋轉外，一替代或併行之作法 係將噴灑元件602連接至一驅動單元。該噴麗元件可以直接 或間接之機械方式連接至該驅動單元（例如採用一軸承/密封 用元件/驅動單元之構造），或以非機械方式連接（例如使用 電磁耦合或磁性耦合（其中磁性可為永久磁性、電力驅動之 磁性、或感應驅動之磁性）之連接力）。或可令部分咬所有噴 -57- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 一 --- 546801 五 發明説明（55 口 624之方向平行於轉動軸ν·ν。 吾人亦可利用一根據本發明其 取代«元件_，並搭配上述任—種體灑元件652 灑元件652具有一耗部分660， 特點。噴 埋处八士如、 彳訂避％贺，麗兀件602，唯 62㈣由—盤狀或碟狀分布部分67〇所取代， '刀布部分670具有一由喷口 674所形成之圖$。吾人可修 改该由喷口 674所形成之圖型。 少 之上所說明、及如後附申請專利範圍所表示 非：二:：夕項發明亦可用於其他作業，且該等作業並 非先刖以車父佳具體實例為參照對象而詳加說明之作業。舉 例而言，用以將-晶圓固定於—夹盤之構件及方法亦可^ =其他類型之作業（例如與叫或晶圓製造無關之作幻以固 定他種基材。供應/回收系統300及其次系統亦可用於其他 需使用内含c〇2之加m统及作業，例如使用c〇2之 化學機械研磨（CMP)系統。 以上係本發明之示範說明，不應將其視為對本發明之限 制。本文雖已說明本發明之若干示範用具體實例，但熟習 此項技藝之人士即可瞭解，該等示範用具體實例可以多種 方式修改但在貝質上仍不脫離本發明之新穎原理及優 。因此，所有該等修改均屬本發明之範圍。應瞭解，以 係本發明之示範說明，不應將其視為僅限於本文所揭示 特定具體實例，此外，針對該等具體實例所作之修改及 他具體實例均包含在本發明之範圍中。 裝 訂 線 點 上 之 其 -58- 本紙張尺度適财S @家標準(CNS) A4規格(_X 297公釐)

Claims (1)

1. 546801 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 • 一種壓力室總成，包括·· 昀一壓力容器，其構成一封閉室；及 b) —防護加熱器總成，其包括一防護加熱器，該防 °蒦加熱器係位於該室内，且介於該壓力容器之一包圍部 分與一容納空間之間； C)其中該防護加熱器可控制該容納空間之溫度；且 d)其中該防護加熱器與該壓力容器之包圍部分無法 相互傳熱。 2 •如申請專利範圍第1項之壓力室總成，其中該防護加熱 器與該壓力容器之包圍部分間形成一絕熱間隙。 ,如申請專利範圍第2項之壓力室總成，其中該絕熱間隙 之寬度至少為0.1公厘。 4·=申請專利範圍第1項之壓力室總成，其中該防護加熱 器總成包括一層絕熱材料，其位於該防護加熱器與該壓 力容器之包圍部分間。 如申％專利範圍第4項之壓力室總成，其中該層絕熱材 料係固定於該防護加熱器。 6. 如申請專利範圍第4項之壓力室總成，其中該層絕熱材 料之厚度至少為0.1公厘。 7. 如申請專利範圍第1項之壓力室總成，其中： a) 该防護加熱器總成尚包括一第二防護加熱器，其 位於該室内，且介於該壓力容器之一第二包圍部份與該 容納空間之間； b) 該第二防護加熱器可控制該容納空間之溫度；且 -59- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

   裝

   8. 9. 園範利 專 請 中 ABCD 無法二;防護加熱器與該壓力容器之第二包圍部分 ”斑：：::。第7項之恩力室總成，其中第二防護加 ;該壓力…第二包圍部分間形成一第二絕熱間 ::::利範圍第7項之壓力室總成，其t該防護加熱 :厂'I括一層絕熱材料’其位於該第二防護加執5|血 «力容器之第二包圍部分間。 ·、、、益與 =請專利範圍第1項之壓力室總成，其中該防護加熱 =〜成包括一溫度控制構件，其可控制該防護加熱器之 溫度。 如申請專利範圍第1〇項之壓力室總成，其中該溫度控制 構件包括·至少一條渠道，其形成於該防護加熱器中； 及溫度控制流體，其循環流動於該至少一條渠道中。 12·如申請專利範圍第10項之壓力室總成，其中該溫度控制 構件包括一設於該防護加熱器内之電阻線圈。 如申請專利範圍第1項之壓力室總成，包括一安裝於該 防護加熱器之流體噴灑桿。 如申請專利範圍第1項之壓力室總成，包括一設於該容 納空間内之基材固持器。 如申請專利範圍第14項之壓力室總成，包括一用以轉動 該基材固持器之構件。 16 ·如申請專利範圍第丨5項之壓力室總成，其中該用以轉動 基材固持器之構件包括一穿過該防護加熱器之軸。 10 11 13 14. 15 -60- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) a4規格(210 x 297公釐） 546801 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範園 1 7 .如申請專利範圍第14項之壓力室總成，包括一安裝於該 基材固持器上之微電子晶圓。 -61 - 本紙張尺度適用中國國家標卑(CNS) A4規格(210 X 297公釐)