TW546414B - Plasma etch method for forming plasma etched silicon layer - Google Patents

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546414 五、發明說明ο) 【發明背景】 1. 發明領域 本發明大 方法。本發明 漿#刻殘留物 2. 相關技術說 微電子製 ，會形成經過 層加以隔離。 當微電子 形之微電子導 成經蝕刻之矽 矽層與經蝕刻 程技術中，已 此類電漿 電漿的活化之 刻化學物種， 、氯且/或氯 製程中所形成 部份經蝕刻之 絕緣且/或電 中所運用之溝 晶矽非基材層 之多晶矽導體 製程之 體層之 層，包 之非晶 經變的 蝕刻方 下，可 舉例來 化氫， 之經蝕 早晶石夕 容性溝 渠，以 ，可作 層，該 加，微 時，運 之單晶 但不僅 見。 用電漿 性強烈 刻氣體 於此。 能包括 材層， 半導體 全經過 微電子 程包括 製程上，形 子製程上， 層之電漿蝕 開始形成， 子導體層， 電子 用電 碎層 限於 蝕刻 之含 可能 同樣 ，但 其中 積體 名虫刻 製程 半導 致上指在微電子 更特別指在微電 之經電漿蝕刻矽 明 程從微電子基材 圖案成形之微電 積集度增 尺寸減少 括經I虫刻 相矽層， 愈來愈常 法時常運 提供反應 說，該蝕 但不僅限 刻矽層可 半導體基 渠，如同 及（2)完 為：（a) 微電子製 成經蝕刻矽層之 形成具有較少電 刻方法。 在微電子基材上 並由微電子介電 裝置與經圖案成 漿蝕刻方法以形 、經蝕刻之多晶 此，在微電子製 氣體混合物，在 溴且/或含氯I虫 包括漠、漠化氫 地，此類微電子 不僅限於：（1) 具有淺且/或深 電路微電子製程 並圖案成形之多 中，經圖案成形 體積體電路微電

546414 五、發明說明 子製程， 製程中， 同樣 會運用名虫 性強烈之 理之經蝕 氧化$夕介 限於此。 所完成之 基材層， 於此，在 矽介電層 雖然 方法是如 微電子製 並非完全 有：（1) 不容易控 如減少微 成經#刻 重覆地形 介電層， 因此 重覆地形 (2) 但不僅限於此，以 場效電晶體（FET; 地，在微電子製程 刻氣體混合物，在 含漠且/或含氯名虫 刻矽層，經常形成 電層、氮化矽介電 該含矽介電層可形 經圖案成形含矽介 舉例來說如閘極介 半導體積體電路微 形成於場效電晶體 微電子製程中，用 此重要，且在微電 程技術中，用以形 無問題存在。譬如 在微電子製程中， 制並重覆地形成含 粒污染物殘留的形 矽層時，若存在含 成該經#刻矽層， 在該電漿蝕刻方法 ，在微電子製程中 成經钱刻碎層時， 及（b)半 ;)之閘極 中，若利 電漿的活 刻化學物 於含$夕介 層與氮氧 成為電漿 電層，或 電質含矽 電子製程 (FETs) 以形成經 子製程技 成經蝕刻 ，在微電 當運用電 較少殘留 成，但不 矽介電層 使該經蝕 中，含有 ，運用電 必須朝向 導體積體電 電極。 用電漿蝕刻 化之下，可 種，經過電 電層的存在 化矽介電層 蝕刻罩幕中 另一種 介電層 中，該 内之閘 蝕刻矽 術中至 矽層之 子製程 漿#刻 物質之 僅限於 ，時常 刻矽層 較南的 漿钱刻 以下兩 方式 ，但 閘極 極電 層之 為普 電漿 中已 方法 經I虫 此） 不容 相對 選擇 方法 個目 路微電子 方法，將 提供反應 漿蝕刻處 之下，如 ，但不僅 ，硬罩幕 ，形成於 並不僅限 介電質含 極下方。 電漿蝕刻 遍，但在 蝕刻方法 知的問題 時，時常 刻碎層（ ;(2)形 易控制並 於該含矽 度。 以控制並 標：（1)

第6頁 546414 五、發明說明（3) 較少的殘留物形成（如微粒污染物的殘留形成，但不僅限 於此）；（2)形成經蝕刻矽層時，若存在含矽介電層，必 須使該經餘刻石夕層相對於該含矽介電層，在該電漿蝕刻方 法中’含有較高的選擇度，這也是本發明所導入的目標。 在微電子製程中，形成具有所希望性質之電漿處理微 電子層之電漿處理方法，已經揭露於微電子製程技術中。

舉例來說，Gupta等人於美國專利5, 4 5 6, 79 6中，揭露 一種電漿處理方法，在微電子製程中，運用該電漿處理方 法，可減低微粒產生及沉積於一基材上。該電漿處理方法 運用：（1)在導入該基材進入電漿反應器腔室之前，快速 增加電漿反應器腔室内之電漿功率至高電漿功率的程度， 使該基材進入電漿反應器腔室之前，能夠先有效地清潔該 電漿反應器腔室，以及；（2)在導入基材進入該電漿反應 器腔室之後，慢慢地增加電漿反應器腔室内之電漿功率’ 以避免電漿反應器腔室内之微粒循環，而造成基材上的沉 積。

Sai to等人於美國專利5, 681，424中，揭露一種電漿處 理方法，用於清潔電漿反應器腔室，在該電漿反應器腔室 内，利用一含溴化氫之蝕刻氣體混合物，町於一基材上方 形成一經電漿蝕刻矽層，並同時能夠於基村上溢散靜電荷 ，在電漿處理方法所運用之電漿裝置内，利用一靜電卡盤 ，固定該基材於該電漿反應器腔室中。該電聚處理方法運 用含氧蝕刻氣體混合物，同時清潔反應器胶室與溢散基材 上方所形成之靜電荷。 %

第7頁 546414 五、發明說明（4)

Leung等人於美國專利5, 7 0 5, 0 8 0中，揭露一種電漿處 理方法，用於清潔反應器腔室内之沉積物，包括可清潔一 電漿反應器腔室，但不僅限於此，而不至破壞反應器腔室 内，對電漿處理方法非常敏感之反應器組件。當運用該電 漿處理方法時，在清潔該反應器腔室内之沉積物之前，該 電漿處理方法會先包覆對該電漿處理方法非常敏感之反應 器腔室組件。 皿111'1^6311等人於美國專利5,811，35 6中，揭露一種電 漿處理方法及一種電漿處理裝置，可使反應器腔室内具有 較低濃度之移動離子與金屬污染物，使得該反應器腔室内 可製造微電子層，特別是具有高度可靠度之微電子介電層 。當利用該電漿處理方法與電漿處理裝置調理該反應器腔 室時，該方法運用功率密度大於0 . 0 5 1瓦特每平方釐米， 與調理時間大於約3 0秒之偏壓無線電頻率。

Gupta之美國專利5, 824, 375中，揭露一種電漿處理方 法與一種電漿處理裝置，可減低電漿反應器腔室中之氟與 其他可吸附污染物，該方法利用一化學氣相沉積（CVD) 方法，如電漿強化化學氣相沉積（PECVD)方法，但不僅 限於此。在利用一含氟電漿蝕刻方法，清潔該電漿反應器 腔室之後，以及利用一電漿沉積方法，於該電漿反應器腔 室内形成一保護調理層之前，該電漿處理方法與電漿處理 裝置，會利用鈍氣電漿處理該電漿反應器腔室。 在微電子製程技術中所希望的是額外的電漿蝕刻方法 與材料，於微電子製程中，可控制並重覆地形成具有較少

546414 五、發明說明（5) 殘留物之經蝕刻矽層，形成經蝕刻矽層時，若存在含矽介 電層，必須使該經餘刻石夕層相對於該含石夕介電層，在該電 漿蝕刻方法中，含有較高的選擇度。 本發明將導向前述幾個目標。 【發明概述】 本發明的第一個目的為在微電子製程中，提供一種電 漿蝕刻方法，可重覆地並可控制地形成一層經蝕刻矽層。 本發明的第二個目的為依據本發明的第一個目的，提 供一種電漿蝕刻方法，可重覆地並可控制地形成具有較少 殘留物質之經蝕刻矽層（如微粒污染物殘留，但並不僅限 於此）。 本發明的第三個目的為依據本發明的第一個目的與第 二個目的，提供一種電漿蝕刻方法，使該電漿蝕刻方法在 微電子製程中，存在含矽介電層的情況下形成經蝕刻矽層 時，可重覆地並可控制地展現該經蝕刻矽層相對於該含矽 介電層強化的選擇度。 本發明的第四個目的為依據本發明的第一個目的、第 二個目的與第三的目的，提供一種易於商品化的方法。 依據本發明之目的，在此提供一種電漿蝕刻方法，可 用於形成一層經電漿蝕刻矽層。為了實際運用本發明之方 法，首先，提供一第一基材，其上方具有一第一矽層。接 著，在一具有電漿蝕刻氣體混合物之電漿反應器中，運用 一電漿蝕刻方法，蝕刻該第一矽層，以形成一經蝕刻之第 一矽層，該電漿蝕刻氣體混合物在電漿反應的活化之下，

第9頁 546414 五、發明說明（6) 至少可提供反應性 氯钱刻化學物種， 包括：（1)調理一 成一調理聚合物層 第一矽層，在該經 刻之第 蝕刻該 該電漿 碎層， 漿反應 器腔室 本 重覆地 如微粒 在微電 層時， 矽介電 前述目 部形成 該經調 與（3) 一經# 内之調 (1)、 一矽層；與 第一矽層以 反應器腔室 以形成 經 器腔室内之 。依據（1) 發明提供一 並可控制地 殘留，但並 子製程中， 可重覆地並 層強化的選 的：（1)調 一調理聚合 理之電漿反 在餘刻一形 刻之第二矽 理聚合物層 (2)及（3) 強之含漠 兩者其中 清潔之電 之經調理 調理之電 (3)在該 形成該經 内，蝕刻 蝕刻之第 調理聚合 、（2)及 種電漿I虫 形成具有 不僅限於 存在含矽 可控制地 擇度。本 蝕刻化學物種與 之一。在該電漿 器腔室， 應器腔室 器腔室中 漿反應 電漿反 漿反應 經調理之電漿反 蝕刻之第一矽層 理 清潔 物層之經 應器腔室 成於第二 層之前， ，以提供 來運用該 一形成 二矽層 物層， (3)來 刻方法 較少殘 此）， 介電層 展現該 發明藉 之電漿 調理電 中，名虫 基材上 清潔該 清潔之 電漿蝕 於第二基 之前，清 以提供清 運用該電 ，可於微 留物質之 並且使該 的情況下 經餘刻石夕 由運用以 反應器腔 漿反應器 刻 單一 方之第二 經調理電 電漿反應 刻方法。 反應性 蝕刻方 以提供 ;(2) ，形成 應器腔 之後， 材上方 潔該經 潔之電 漿蝕刻 電子製 經I虫刻 電漿蝕 形成經 層相對 下方式 室，以 腔室； 基材之 矽層， 漿反應 器腔室 強之含 法中， 内部形 蝕刻該 該經餘 室内， 以及在 之第二 調理電 漿反應 方法。 造中， 矽層（ 刻方法 蝕刻矽 於該含 來實現 提供内 (2)在 矽層； 以形成 器腔室 。依據

第10頁 546414 五、發明說明（7) 本發明之方法易於商品化。本發明所運用之裝置，大 致上習用於微電子製程技術中。既然程序控制及材料的選 擇至少為本發明之一部份，而非單單描述本發明之方法與 裝置的存在性，因此本發明極易商品化。 【附圖簡述】 本發明之目的、特性與優點，可由下一節之較佳實例 之詳細說明中得到完全的了解。較佳實例之詳細說明可藉 由附圖的内容獲得進一步的了解，附圖則顯示本發明之實 體部份，其中： 第1圖、第2圖、第3圖與第4圖顯示依據本發明之電漿 蝕刻方法，一電漿蝕刻腔室於各個連續階段之一系列示意 斷面視圖。 第5圖顯示本發明中，基材連續於電漿蝕刻反應器腔 室處理時，電漿反應器腔室内調理聚合物層含量對基材處 理次數之變化圖。 【圖號說明】 10 電漿反應器腔室 10, 10, 12 14 14, 16 18 _ 經調理電漿反應器腔室 電漿反應器腔室 固定盤 調理聚合物層 增補調理聚合物層 基材 矽層蝕刻電漿蝕刻

第11頁 546414 五、發明說明（8) 【較佳實例之詳細說明 本發明提供一種電 重覆地並可控制地形成 如微粒污染物殘留，但 刻方法在微電子製程中 I虫刻ί夕層時，可重覆地 於該含矽介電層強化的 來實現前述目的：（1) 提供内部形成一調理聚 (2)在該經調理之電漿 矽層；與（3)在蝕刻一 以形成一經蝕刻之第二 器腔室内之調理聚合物 。依據（1) 、（ 2)及 本發明之電漿蝕刻 電路微電子製程、陶瓷 微電子製程、感測器影 陣列光電微電子製程， 包括單晶矽層、多晶矽 以形成經#刻石夕層，包 晶矽層與經蝕刻之非晶 第1圖至第4圖圖解 蝕刻腔室於各個連續階 顯示在運用本發明之電

漿蝕刻方法，可於微電子製造中， 具有較少殘留物質之經蝕刻矽層（ 並不僅限於此），並且使該電漿蝕 ，存在含矽介電層的情況下形成經 並可控制地展現該經蝕刻矽層相對 選擇度。本發明藉由運用以下方式 調理一清潔之電漿反應器腔室，以 合物層之經調理電漿反應器腔室； 反應器腔室中，蝕刻一單一基材之 形成於第二基材上方之第二矽層， 矽層之前，清潔該經調理電漿反應 層，以提供清潔之電漿反應器腔室 (3)來運用該電漿蝕刻方法。 方法，於微電子製程中，包括積體 基材微電子製程、太陽能電池光電 像陣列光電微電子製程與顯示影像 但不僅限於此，可用於蝕刻矽層， 層與非晶相矽層，但不僅限於此， 括經蝕刻之單晶矽層、經蝕刻之多 相石夕層，但不僅限於此。 本發明之電漿蝕刻方法中，一電漿 段之一系列示意斷面視圖。第1圖 漿蝕刻方法初期，該電漿反應器腔

第12頁 546414 五、發明說明（9) ' 室之示意斷面視圖。 第1圖顯示一清潔之電漿反應器腔室1 〇，其中已經製 成一固定盤1 2。如同熟悉本技術之人所了解，電漿反應器 腔室可依需要及電漿製程的不同，而有各種不同的類^ 尺寸與輪廓，任一類型之基材皆可用於各種不同的微電子 製程中。電漿反應器腔室的類型、尺寸與輪廓，已經揭露 於習知技術說明一節中，並於此完全引用為參考文獻。同 樣地’如同熟悉本技術之人所了解，第1圖中示意斷面視 f f圖解之該固定盤1 2，尺寸經過適當地設計，可容納一 基材，偉妖

第 於利用本發明之電漿蝕刻方法於微電子製程中。 g旛游2圖中’依據本發明之電漿蝕刻方法，圖解一電漿 第 至於次一個階段時之示意斷面視圖。 工闽仏2圖顯示一電敷反應器腔室，等同於第1圖之示意斷 面圖所示+ ± 士 ^ , π之峋濾電漿反應器腔室1 〇，但於清潔電漿反應器 腔至1 〇< Μ 该清潔雷 表面上，形成一調理聚合物層1 4，結果，利用 。Afe裝反應器腔室1 0形成一經調理電漿反應器腔室

上最好由木發明之較佳實例中’該經調理聚合物層1 4典型 而行，彳曰〜調理聚合物材料所形成，可從下列各組中擇一 ;(2)〜不僅限於此：（1) 一含矽與溴之調理聚合物材料 氣之調含石夕、演與氧之調理聚合物材料；（3) —含矽與 材料；聚合物材料；（4) 一含矽、氣與氧之調理聚合物 含矽、5) —含碎、廣與氯之調理聚合物材料；及（6) — 在^ 氯與氧之調理聚合物材料。 發明之較佳實例中，該調理聚合物層1 4至少可用

第13頁 546414 五、發明說明 以下三種 該至 調理聚合 層之擋片 刻氣 同一 蝕刻 同一 蝕刻 中， 之蝕 蝕刻 氮。 氣名虫 體或 調理 氣體 調理 氣體 含溴 刻氣 氣體 最典 刻氣 (10) 方法中 少三種 物層形 ，連同 含氯I虫 電漿蝕，並力口 電漿蝕 ，並加 之蝕刻 體典型 典型上 型的情 體最好 之任 調理 成方 一調 刻氣 刻方 入一 刻方 入一 氣體 上最 最好 況之 為氯 種加以形成。 形成方 法運用 聚合物層 法，該方 理電漿蝕 體；（2) 法，至少 含氧^虫刻 法，至少 含氧I虫刻 典型上最 好包括氣 包括氧、 下，含溴 或氣化氳 刻方法 一鍵有 運用一 氣體； 運用一 法中， :(1) ，至少 氧化矽 含溴I虫 及（3) 含溴I虫 在本發 溴化氫 氣體。 好包括 化氫與氯。同 臭氧、 蝕刻氣 ，而含 一氧化 體最好 氧钱刻 第一種 一鑛有 運用一 層之擋 刻氣體 一 $夕擋 刻氣體 明之較 與溴， 樣地， 二氮與 為 >臭化 氣體最 為擋片 氧化矽 含漠I虫 片，連 或含氣 片，連 或含氯 佳實例 而含氯 含氧之 二氧化 氫，含 好為氧 該擂片調理方法典型上最好應用於以電漿處理八吋直 徑基材，而欲將該調理聚合物層1 4形成於一經調理電漿反 應器腔室1 0 ’時：（1)電漿反應器腔室1 0内之壓力約從1毫 托耳至5 0 0毫托耳；（2)無線電頻率源之頻率約從2百萬赫 茲至1 3 . 5 6百萬赫茲時，無線電頻率源之功率約從1 0瓦特 至2 0 0 0瓦特，並且一外部偏壓功率可達到約5 0 0瓦特；（3 ) 電漿反應器腔室1 0與擋片之溫度，約從攝氏2 0度至攝氏 2 0 0度；（4)含溴且/或含氯蝕刻氣體之流率約從1 0標準 立方公分每分鐘（seem)至2 0 0標準立方公分每分鐘；（5)

第14頁 546414 五、發明說明（π) 含氧蝕刻氣體之流率約從1標準立方公分每分鐘至5 0標準 立方公分每分鐘（seem) ; (6)典型上最好為氦氣，但並 不僅限於此，可作為背面之冷卻氣體，氣體壓力約從1托 耳至5 0托耳，並且流率約從2標準立方公分每分鐘至5 0標 準立方公分每分鐘（seem) ;( 7)磁場強度可達到約200 高斯；及（8)電漿調理時間約從5秒至1 2 0秒。 該至少三種調理聚合物層形成方法中之第二種，為連 續式調理聚合物層形成方法，其中一產出基材已經形成並 暴露於一矽層上方，或一存在含矽介電層之矽層上方，如 氧化矽介電層，氮化矽介電層或氮氧化矽介電層，但並不 僅限於此，該產出基材於一相對低電漿功率及一相對高之 反應器腔室壓力之下經過電漿蝕刻，於該經調理反應器腔 室1 0 ’内形成該調理聚合物層1 4，而不損壞該產出基材。 在此環境之下，當運用一連續式調理方法時，會用到： (1)含矽調理聚合物層形成氣體；（2)至少一含溴調理 聚合物層形成氣體或一含氯調理聚合物層形成氣體；及 (3) —可供選擇之含氧調理聚合物層形成氣體，其中當 運用如前述之擋片調理聚合物層形成方法時，後兩種調理 聚合物層形成氣體，須依照所使用之含溴且/或含氯蝕刻 氣體與含氧蝕刻氣體加以選擇。該含矽調理聚合物層形成 氣體可從下列各組選擇，但並不僅限於此，包括溴化矽（ 可作為含溴調理聚合物層形成氣體），四氣化矽（可作為 含氯調理聚合物層形成氣體）與矽烷。 該連續式調理聚合物層形成方法典型上最好應用於以

第15頁 546414 五、發明說明（12) 電漿處理八吋直徑基材，而欲將該調理聚合物層1 4形成於 一經調理電漿反應器腔室1 0 ’時··（ 1 )電漿反應器腔室内之 壓力約從5 0毫托耳至1 0 0 0毫托耳；（2)無線電頻率源之頻 率約從2百萬赫茲至1 3. 5 6百萬赫茲時，無線電頻率源之功 率約從1 0瓦特至1 0 0 0瓦特，並且不需一外部偏壓源；（3 ) 電漿反應器腔室1 0與產出基材之溫度，約從攝氏2 0度至攝 氏2 0 0度；（4)含矽調理聚合物層形成氣體之流率約從1標 準立方公分每分鐘至2 0 0標準立方公分每分鐘（seem) ; (5) 含溴且/含氯調理聚合物層形成氣體之流率約從1 0標準立 方公分每分鐘至2 0 0標準立方公分每分鐘（seem) ; (6)— 可供選擇之含氧調理聚合物層形成氣體之流率約從1標準 立方公分每分鐘至5 0標準立方公分每分鐘（sccm) ;( 7 ) 典型上最好為氦氣，但並不僅限於此，可作為背面之冷卻 氣體，氣體壓力約從1托耳至5 0托耳，並且流率約從2標準 立方公分每分鐘至50標準立方公分每分鐘（seem) ; (7) 磁場強度可達到約2 0 0高斯；及（8)電漿調理時間約從5 秒至1 2 0秒。 最後，在本發明之較佳實例内，該至少三種調理聚合 物層形成方法中之第三種，為一無晶圓調理聚合物層形成 方法，該方法利用一調理聚合物層形成氣體混合物之沉積 參數，以及前述之連續式調理聚合物層形成方法之限制， 但不具有產出基材，或任何其他基材在該清潔之電漿反應 器腔室10内。 在本發明之較佳實例内，前述三種調理聚合物層形成

第16頁 546414 五、發明說明（13) 方法之任一種中，可額外地加入一種可供選擇之含氟蝕刻 氣體/調理氣體，如三氟化氮含氟蝕刻氣體/調理氣體， 或六氟化硫含氟蝕刻氣體/調理氣體，但不僅限於此，此 外，不可使用含氟碳之蝕刻氣體/調理氣體，氣體流率約 從1標準立方公分每分鐘至1 0 0標準立方公分每分鐘，而最 好是從1標準立方公分每分鐘至2 0標準立方公分每分鐘 (seem)。同樣地，特別針對該無晶圓調理聚合物層形成 方法時，本發明亦期望能夠於該清潔電漿反應器腔室1 0内 ，運用一陶瓷卡盤，而非一鍍有聚亞醯胺之卡盤，以避免 鍍有聚亞醯胺之卡盤上方之聚亞醯胺層受到該電漿調理聚 合物層形成方法的破壞。 第3圖顯示依據本發明之電漿蝕刻方法中，一電漿反 應器腔室於次一個階段之示意斷面視圖。 第3圖顯示一電漿反應器腔室，等同於第2圖之示意斷 面圖所顯示之經調理電漿反應器腔室1 0 ’，但其中在固定 盤1 2上方固定有一基材1 6，經過一矽層蝕刻電漿蝕刻1 8之 蝕刻，並同時增補該調理聚合物層1 4，於一經增補地調理 之電漿反應器腔室1 0 ’’内，形成一增補調理聚合物層1 4 ’ 〇 雖然並無特別圖示於第3圖之示意斷面圖中，該基材 1 6上方已經形成一矽層，於該矽層蝕刻電漿1 8内經過蝕刻 後，形成一經蝕刻矽層。該矽層可由矽質材料所形成，包 括早晶$夕質材料’多晶^夕質材料與非晶相^夕質材料。雖然 並不僅限於此，但該矽層典型上最好利用一罩幕層加以罩

第17頁 546414 五、發明說明（14) 幕，該罩幕層可由一含矽之硬罩幕介電材料所形成，如氧 化矽硬罩幕介電材料，氮化矽硬罩幕介電材料或氮氧化矽 硬罩幕介電材料，但並不僅限於此，或者可用光阻罩幕材 料，但光阻罩幕材料較不適用，因為光阻罩幕材料可能增 加碳至增補調理聚合物層1 4 ’，或增加不同的污染物至基 材1 6上。同樣地，矽層時常形成於含矽介電層存在的情況 之下，若不是用於形成硬罩幕層，該含矽介電層可能與該 矽層接觸，舉李來說，如直接形成於該矽層之下。 在本發明之較佳實例中，針對該矽層蝕刻電漿1 8，該 矽層電漿蝕刻1 8典型上最好利用一蝕刻氣體混合物，在電 漿反應的活化之下，形成至少一種反應性強之含溴蝕刻化 學物種或反應性強之含氯蝕刻化學物種（如溴化氫、溴、 氯化氳且/或氯，但不僅限於此），以及形成一種可供選 擇之含氧餘刻化學物種（如氧、臭氧、一氧化二氮或二氧 化氮，但不僅限於此），以及形成一種可供選擇之含氟名虫 刻化學物種（如三氟化氮與六氟化硫，但不僅限於此）。 更佳地的是，該矽層蝕刻電漿1 8可運用一蝕刻氣體混合物 ，含有溴化氫、氧與三氟化氮。 如第3圖之示意斷面圖所示，在經增補地調理之電漿 反應器腔室1 0 ’’内之八英吋直徑基材1 6上方，蝕刻一矽層 以形成一經蝕刻矽層時，該矽層蝕刻電漿1 8亦會用到下列 條件：（1)電漿反應器腔室内之壓力約從1毫托耳至5 0 0毫 托耳；（2)無線電頻率源之頻率約從2百萬赫茲至1 3 . 5 6百 萬赫茲時，無線電頻率源之功率約從1 0瓦特至2 0 0 0瓦特，

第18頁 546414 五、發明說明（15) 並且一外部偏壓源之功率可達5 0 0瓦特；（3 )基材1 6與經增 補地調理之電漿反應器腔室1 0 ’’之溫度，約從攝氏2 0度至 攝氏2 0 0度；（4 )溴化氫之流率約從1 0標準立方公分每分鐘 至2 0 0標準立方公分每分鐘（seem) ; (5)氧氣之流率約從 1標準立方公分每分鐘至50標準立方公分每分鐘（seem); (6)三氟化氮之流率約從1標準立方公分每分鐘至5 0標準 立方公分每分鐘（seem) ; (7)典型上最好為氦氣，但 並不僅限於此，可作為背面之冷卻氣體，氣體壓力約從1 托耳至5 0托耳，並且流率約從2標準立方公分每分鐘至5 0 標準立方公分每分鐘（seem);及（8)磁場強度可達到 約2 0 0高斯。 第4圖顯示依據本發明之電漿蝕刻方法中，一電漿反 應器腔室於次一個階段之示意斷面視圖。 第4圖顯示一電漿反應器腔室之示意斷面圖，等同於 第3圖之示意斷面圖所顯示之經增補地調理之電漿反應器 腔室1 0 ’’，但其中該電漿反應器腔室已經清除該增補調理 聚合物層1 4 ’，並回復至類似第1圖之示意斷面圖所示之清 潔電漿反應器腔室1 0之狀況，但不必完全相同。 在第3圖之示意斷面圖所顯示之經增補地調理之電漿 反應器腔室1 0 ’’内，典型上最好利用一電漿氣提方法，氣 提該增補調理聚合物層1 4 ’，以提供如第4圖與第1圖之示 意斷面圖所示之清潔電漿反應器腔室1 0，該氣提方法典型 上最好利用一蝕刻氣體混合物，在電漿活化之下，可提供 一反應性強之含氟蝕刻氣體化學物種。更佳地是，該蝕刻

第19頁 546414 五、發明說明（16) 氣體混合物典型上運用至少一種三氟化氮或六氟化硫，並 最好不包括氟碳蝕刻氣體。 在應用於處理八吋直徑基材1 6之經增補地調理之電漿 反應器腔室1 0 ’’内，氣提該增補調理聚合物層1 4 ’時，該 電漿氣提方法亦會用到下列條件：（1)經增補地調理之電 漿反應器腔室1 0 ’’内之壓力約從5 0毫托耳至5 0 0毫托耳； « (2)無線電頻率源之頻率約從2百萬赫茲至1 3. 5 6百萬赫 茲時，無線電頻率源之功率約從1 0 0瓦特至2 0 0 0瓦特，並 且一外部偏壓源之功率可達5 0 0瓦特；（3)經增補地調理 之電漿反應器腔室1 0 ’’之溫度，約從攝氏2 0度至攝氏2 0 0 度；（4)三氟化氮或六氟化硫之流率約從1 0標準立方公 分每分鐘至5 0 0標準立方公分每分鐘（seem) ;( 5)典型 上最好為氦氣，但並不僅限於此，可作為背面之冷卻氣體 ，氣體壓力約從1托耳至5 0托耳，並且流率約從2標準立方 公分每分鐘至50標準立方公分每分鐘（seem);及（6) 磁場強度可達到約2 0 0高斯。 雖然並無特別圖示於第4圖之示意斷面圖中，該電漿 氣提方法亦可選擇性地選用一擋片。同樣地，特別是當擋 片未運用於電漿氣提方法時，本發明亦期望能夠於該經增 補地調理之電漿反應器腔室1 0 ’’内，運用一陶瓷卡盤，而 非一鐘有聚亞醯胺之卡盤，以避免鍵有聚亞醢胺之卡盤上 方之聚亞醯胺層受到該電漿調理聚合物層形成方法的破壞 〇 如第3圖之示意斷面圖所示，從該經增補地調理之電

第20頁 546414 五、發明說明（17) 漿反應器腔至1 〇 ’中，氣提該增補調理聚合物層丨4，，可提 供如第4圖之示意斷面圖所示之清潔反應器腔室丨〇，在該 清潔之反應器腔室内，可依據第丨圖、第2圖與第3圖之製 程流程圖，進行第二基材之處理，該第二基材上方可形成 一第二矽，，經過蝕刻後可形成一經蝕刻第二矽層。 對於每一製造於該電漿反應器腔室之單一基材，如第 1圖至第4圖=不意斷面圖所示，依據本發明之方法，運用 一電漿反應器腔室調理、一矽層蝕刻與一電漿反應器腔室 清潔，可重覆地並可控制地提供一具有強化均勻度之經蝕 刻矽層，形成於該基材16上，該基材16上方之經蝕刻矽層 ，可重覆並可控制地形成較少的殘留物（如微粒污染物殘 留），並且減_少存在經蝕刻矽層時，含矽介電層的蝕刻。 第5圖顯示依據本發明之較佳實例，電漿反應器腔室 中[電漿反應器腔室内調理聚合物層含量對基材處理次數 之，文化圖。如第5圖内之說明所示，向上之箭頭虛線代表 本發明製程之一部份，表示在經調理電漿反應器腔室内形 成該調理聚合物層。同樣地，與該調理聚合物層之箭頭虛 線相接：，為-額外之向上箭頭實線，表示該經增補地調 理之反應器腔室内之增補調理聚合物層含量。最後，向 之箭頭實線表示本發明清潔該反應器腔室的結 該增補調理聚合物層。 > 际 同樣如第5圖所示，針對調理聚合物之含量，豆一 陰影表示之目標範圍，在此目標範圍内，為本發明之 所預期之電漿反應器腔室操作區。在調理聚合物含量之陰

546414 五、發明說明（18) 影區上方，表示調理聚合物層之厚度變得過厚，使得剝落 產生’並於基材上方產生微粒污染，而該基材上方為電浆 反應器腔室内，蚀刻形成一石夕層之處。同樣地，若是電裝 反應器腔室内’調理聚合物層的含量少於最低要求的含量 ’經觀察發現，形成於該基材上方之石夕層，相對於基材上 方含矽介電層之蝕刻選擇度會有損失的情形。 如同熟悉本技術之人所了解，雖然·· （ 1)如第1圖之 示意斷面圖所示之該清潔反應器腔室1 〇，等同但並不需要 完全相同於第4圖之示意斷面圖所示之清潔反應器腔室1 〇 ’及（2)在本發明中’第1圖之示意斷面圖所示之該清潔 反應器腔室1 〇，典型上最好利用電漿氣提方法加以形成， 如從第3圖之示意斷面圖所示之經增補地調理之電漿反應 器腔室1 0 ’’，利用該電漿氣提方法，形成第4圖之示意斷 面圖所示之清潔反應器腔室1 〇，但是當啟動本發明之方法 時’如第1圖之示意斷面圖所示之該清潔反應器腔室i 〇， 可能於初始時利用另一種方法處理，以保證潔淨度，如其 他電漿氣提方法與電漿調理方法，但並不僅限於此。一 同樣地，如熟悉本技術之人所了解，雖然本發明 + 的内容適用於多次循環之調理/蝕刻/清潔方法，以重= 地並可控制地形成一系列之經蝕刻矽層，使其於—旻 製程中，於一系列之基材上方具有預期之特質，但:，子 明之方法亦可換種說法，同樣地被揭露並中請=本發 之清潔/調理/蝕刻方法，《多次循環之蝕刻：楯環 理方法，☆一系列相同基材上方，形成一系 ：/調 ，相同預 546414 五、發明說明（19) 期特質之經蝕刻矽層，因為本發明所提供之多次循環方法 ，可任意選擇其特定之起始點。 最後，如同熟悉本技術之人所了解，本發明之較佳實 例僅說明本發明之内容，而非限制本發明。雖然，依據本 發明之較佳實例，可針對方法、材料、結構與尺寸加以修 改與修正，並藉此於一微電子製程中提供一經蝕刻矽層， 但仍視為依據本發明及申請專利範圍所完成。

第23頁 546414 圖式簡單說明 第1圖、第2圖、第3圖與第4圖顯示依據本發明之電漿 蝕刻方法，一電漿蝕刻腔室於各個連續階段之一系列示意 斷面視圖。 第5圖顯示本發明中，基材連續於電漿蝕刻反應器腔 室處理時，電漿反應器腔室内調理聚合物層含量對基材處 理次數之變化圖。

第24頁

Claims (1)

1. 3 號 8fl1f)9977__ 六、申請專利範m -—月日__j|i____ 3·如申請專利範圍第1項之太 包含有單晶矽層、多晶法，其中該矽層係可選自於 4 ·如申請專利範圍筮〗 層及非晶相矽層的組群。 利用—罩幕層以ί幕項該V層ν及其中 省罩幕層係選自於包括二 … 幕層的組群。 夕介声質硬罩幕層及光阻罩 5·如申請專利範圍第丨項之 ， ' 一材料所形成，係選_ 法，其中該調理聚合物層由 娘演之調理= 列組群’包括有： 含矽、溴與氧之調理聚合物材料· 一 含矽與氯之調理聚合物材料/ ， J石夕、氯與氧之調理聚合物材料； 3矽、:臭與氯之調理聚合物材料； 3 h '臭氯與氧之調理聚合物材料。 6 ·如申請專利範圍第1項之 # ; 罝仅基材日t，係使用下列條件 該電漿反應器腔室内之壓為1到5 00毫托耳； 無線電頻率源之頻率微2到丨3 率调之汾查H Λ丨η · 3 〇白禹赫錄铃，無線電頻 羊源之功率微1〇到2〇〇〇瓦特，並 率可達500瓦特； 外邛偏壓源之功 該二材度與經調理之電漿反應器腔室之溫度，為攝氏5〇到 填化氫之流率為〗〇到2〇〇標準立方公分每分鐘（see"; MS 第26頁 546414

   _索號 89102277 六、申請專利範圍 氧氣之流率為1到50標準立方公分每分鐘（sccm); 三氟化氣之流率為1到50標準立方公分每分鐘（sccm); 背面之冷卻氣體之氣體壓力為1到5〇托耳，並且流率為2 到50標準立方公分每分鐘（seem);及 磁場強度可達到200高斯。 …、 7·如申請專利範圍第1項之方法，亭中在該步驟（3)之調理 電漿反應腔至内清潔步驟中’當使用八英忖直徑基材 ，係使用下列條件： / ' 經調理之電漿反應器腔室内之壓力為5〇到5〇〇毫托；— 無線電頻源之頻率從2到13·56百萬赫兹時，無限電頻 之功率為100瓦特到2000瓦特，且一外部偏壓之率 可達500瓦特； 經調理，電漿，應器腔室之溫度，為攝氏2〇到2〇。度； 二氟化氮或六氟化硫之硫率為丨〇到5 〇 〇標準立方公分考 分鐘（seem); ”=體壓力為1到5Q推托耳，且流率為2到5〇: 、準立方么为母分鐘（seem);及 磁場強度可達到2 〇 〇高斯。

   8. 二：專利範圍第!項之方法，其中該調理方法可選自 於包含有擋片調理方法、產出曰圓表 晶圓調理方法。 產出曰曰圓連績式調理方法與： 9. :申請專利範圍第8項之方法其中 用於八英吋直徑基材時，係使用下列：件片「方法使 °亥電水反應器腔室内之壓力為J到5 〇 〇亳托耳；

   第27頁 546414 Λ 修正 曰 六 案號 89102277 申請專利範圍 無線電頻率源之頻率微2到13.56百萬赫茲時，無線電頻 率源之功率微10到2〇〇〇瓦特； ^漿反應器腔室與擋片之溫度，攝氏2〇到2〇〇度； s溴且/或含氯蝕刻氣體之流率為丨〇到2 〇 〇標準立方公分 每分鐘（seem); … 含氧蝕刻氣體之流率為2到5〇標^立方公分每分鐘 (seem)； ' 月面之冷部氣體壓力為i到5 〇托耳，，且流率為2到5 〇標準 立方公分每分鐘（sccm); 磁場強度可達到2〇〇高斯（sccm)、及 電漿調理時間為5到1 2 〇秒。 / 專:“&圍第8項之方法，其中該產出晶圓連續式 用於八英偷基材時，係使用下列條件·· 水反應器腔室内之壓力為1到1〇〇〇毫托耳； 盘^ + i #貝半楗2到1 3· 56百萬赫茲時，無線電頻 率源之功率微ίο到1〇〇〇瓦特； 電τ反應态腔至與產出基材之溫度，為攝氏20到2⑽度 含形成氣體之流率為1到2°°標準立方公 含漠且/或含氯調理聚合物 標準立方公分每分鐘(1广 7 = 氧調理聚合物形成氣體之流率為2到5。 ‘準立方公分每分鐘（sccm); 第28頁 546414

   背面之冷卻氣體壓力為1到50托耳，且流率為2到5〇標準 立方公分每分鐘（sccm); 磁場強度可達到200高斯；及 電襞調理時間為5到1 2 0秒。 11 ·如申請專利範圍第8項之方法，_中該無晶圓^調理方法 使用於八英吋直徑基材時，係使用下例條件： 電裝反應器腔室之壓力為5〇到1〇〇〇毫托耳； 無線電頻率之頻率為2到13· 56赫茲時，無線電頻率之功 率為1 0到1 〇 〇 〇瓦特； $毁反應器腔室之溫度，為攝氏2〇到2〇〇度； 各石夕調理聚合物層形成氣體之流率為1到2 〇 〇標準立方公 分每分鐘（seem); 含溴且/或含氣調理聚合物層形成氣體之流率為1〇到2〇〇 標準立方公分每分鐘（sccm); 可供選擇之含氧調理聚合物形成氣體之流率為1到5 〇 標準立方公分每分鐘（seem); 磁場強度可達到200高斯；及 電漿調理時間為5到120秒。 種形成一經餘刻多晶石夕層之方法，係包含有： 提供-第-基材，係具有—第一單晶矽層形成覆蓋於其 上； 引用一具有一電漿反應器腔室與一電漿蝕刻氣體混合物 之電漿蝕刻方法，蝕刻該第一多晶矽層，以形成一經 蝕刻之第一多晶矽層，該電漿蝕刻氣體混合物在電漿

   第29頁 546414 六、申請專利範

   的活化之下’可提供至少一反應性強之含溴蝕刻化學 物種、及一反應性強之含氯蝕刻化學物種，其中在該 電漿蝕刻方法中： ’、 ^ (1 )調理一清潔電襞反應器腔室，以提供一内部具有 一調理聚合物層之經調理電p反應器腔室-、； (2 )蝕刻該第一單晶矽層，在亨經調理之電聚反應器 腔室中，形成該經蝕刻之第一單晶矽層；及 口

   (3)在該經調理之電漿反應器腔室内，蝕刻該第一單 晶矽層以形成該經蝕刻之第一單晶矽層之後，以一及 在δ玄電聚反應器腔室内，餘刻《一形成於第二基材上 方之第二單晶矽層，以形成一經蝕刻之第二單晶矽 層之前，清潔該經調理電漿反應器腔室内之調理聚 合物層’以提供清潔之電漿反應器腔室，依據 (1 ) 、 （ 2 )及（3 )來運用該電漿蝕刻方法。

   1 3.如申請專利範圍第1 2項之方法，其中在該基材係可用 於一微電子製程中，該微電子製程中係可選自於包含有 積體電路微電子製程、陶瓷基材微電子製程、太陽能電 池光電微電子製程、感測器影像陣列光電微電子製程及 顯示影像陣列光電微電子製程的組群。 •如申請專利範圍第1 2項之方法，其中 ，用一罩幕層罩幕該多晶矽層；及、 層係可選自於由包括有含矽介電質硬罩幕層及光 阻罩幕層的組群。 1 5 士由▲主 °明專利範圍第1 2項之方法，其中該調理聚合物層

   第30頁 546414 六 皇號89102， 曰 申請專利範圍 由一材料所形成，可選自於 含矽與溴之調理聚合物材料；的組群，係包括有： 含矽、溴與氧之調理聚合物材料· 含矽與氯之調理聚合物材料；， 含矽、氣與氧之調理聚合物材 含矽、溴與氯之調理聚合物材料…、 ιΛνΛ、氯與氧之調理聚合物材料。 1 6·如申鮰專利範圍第i 2項之方法，复 第一單晶石夕層中，當使用八英直、中在該步驟（2)蝕刻 列條件： -丁直k基材時，係使用、下 該電漿反應器腔室内之壓為J到5〇〇毫托 - 無頻率微2到13.56百萬赫茲時，無線電頻 ίϊΐΐ二1◦到2000瓦特，並且-外部偏壓源之功 率可達500瓦特； 該基材與經調理之電衆反應器腔室之溫度，為攝氏5〇到 2 0 0 度； 溴化氫之流率為1〇到20 0標準立方公分每分鐘（sccm); 氧氣之流率為1到50標準立方公分每分鐘（sccm); ’ 三氟化氮之流率為1到50標準立方公分每分鐘（sccm); 背面之冷卻氣體之氣體壓力為1到50托耳，並且流率為2 到50標準立方公分每分鐘（sccm);及 磁場強度可達到2 0 0高斯。 17·如申請專利範圍第1 2項之方法，其中在該步驟（3 ) 之調理電漿反應腔室内清潔步驟中，當使用八英忖直徑

   第31頁 546414

   基材時，係使用下列條件： 經調理之電漿反應器腔室内之壓力為5〇到5〇〇毫托； 無線電頻源之頻率從2到1 3· 56百萬赫茲時，無限電頻 率之功率為100瓦特到2000瓦特，且一外部偏壓之功 率可達500瓦特； … 經，理之電漿反應器腔室之溫度/為攝氏2〇到2〇〇度； 二氟化氮或六氟化硫之硫率為丨〇到5 〇 〇標準立方公分每 分鐘（seem); 责面之冷部氣體壓力為i到5 〇推托耳，且流率為2到5 〇標 準立方公分每分鐘（sccm);及 磁場強度可達到2 0 0高斯。 / — 18·如申請專利範圍第1 2項之方法，其中該調理方法可選 自於包含有擋片調理方法、產出晶圓連續式調理方法與 無晶圓調理方法。 19·如申請專利範圍第18項之方法，其中該擋片調理方法 使用於八英吋直徑基材時，係使用下列條件： 該電聚反應器腔室内之壓力為1到5 〇 0毫托耳； 無線電頻率源之頻率微2到丨3· 56百萬赫茲時，無線電頻 率源之功率微10到200 0瓦特； 電聚反應為腔室與擋片之溫度，攝氏2 〇到2 〇 〇度； 含邊且/或含氣餘刻氣體之流率為1〇到2〇〇標準立方公分 每分鐘（seem); 含氧蝕刻氣體之流率為i到5 〇標準立方公分每分鐘 (seem);

   第32頁 546414

   背面之冷卻氣體壓力為1到50托耳，且流率為2到5〇▲準 立方公分每分鐘（seem); 磁％強度可達到200高斯（seem);及 電漿調理時間為5到1 2 0秒。 20·如申請專利範圍第18項之方法丨，其中該產出〜晶圓連續 式調理方法使用於八英吋直徑基，材時，係使用下列條件 該電漿反應器腔室内之壓力為1到丨〇 〇 〇毫托耳；

   無線電頻率源之頻率微2到丨3· 56百萬赫茲時，無線電頻 率源之功率微10到1〇〇〇瓦特； 、 電漿反應器腔室與產出基材之溫度，為攝氏2〇到度 含石夕調理聚合物層形成氣體之流率為1到2 〇 〇標準立方公 分每分鐘（seem); 含〉臭且/或含氣調理聚合物層形成氣體之流率為1 〇到2 0 0 才示準立方公分每分鐘（seem); 一可供選擇之含氧調理聚合物形成氣體之流率為1到5〇 才示準立方公分每分鐘（sccm);

   背面之冷卻氣體壓力為1到5〇托耳，且流率為2到5〇標準 立方公分每分鐘（sccm); 磁場強度可達到2〇〇高斯；及 電漿調理時間為5到120秒。 21·如申請專利範圍第1 8項之方法，其中該無晶圓調理方 法使用於八英吋直徑基材，係使用下例條件：

   第33頁 546414

   電漿反應器腔室之壓力為50到1000毫托耳； 無線電頻率之頻率為2到丨3· 56赫茲時，無線電頻率之功 率為1 0到1 0 〇 〇瓦特； 電裝反應器腔室之溫度，為攝氏20到2〇〇度； 含石夕調理聚合物層形成氣體之流率為1到2 〇 〇標〜準立方公 分每分鐘（seem); 1 3 ✓臭且/或含氯調理聚合物層形成氣體之流率為1 〇到2 〇 〇 標準立方公分每分鐘（sccm); 一可供選擇之含氧調理聚合物形成氣體之流率為1到5 〇 才示準立方公分每分鐘（sccin); 磁場強度可達到2 0 0高斯；及 〆' 電漿調理時間為5到1 2 0秒。 2 2 · —種形成一經蝕刻多晶矽層之方法，包括有； 提供一第一基材，係具有一第一多晶矽層形成覆蓋於豆 上； …、 利用一具有一電漿反應器腔室與一電漿蝕刻氣體混合物 之電漿蝕刻方法，蝕刻該第一多晶矽層，以形成一經蝕 刻之第一多晶矽層，該電漿蝕刻氣體混合物在電漿的活 化之下，可提供一反應性強之含溴蝕刻化學物種，其中 在該電漿蝕刻方法中： ' (1 )理一清潔電漿反應器腔室，以提供一内部具有一 調理聚合物層之經調理電漿反應器腔室； (2 )姓刻該第一多晶石夕層，在該經調理之電漿反應器 腔室中，形成該經蝕刻之第一單晶矽層；及

   第34頁 546414 _案號89102277_年月日 佟,τ 六、申請專利耗圍 (3)在該經調理之電漿反應器腔室内，蝕刻該第一多 晶碎層以形成該經银刻之第· >-多晶秒層之後，以及在 該電漿反應器腔室内，蝕刻一形成於第二基材上方之 第二多晶石夕層，以形成一經餘刻之第二多晶石夕層之前 ，清潔該經調理電漿反應器腔_内之調理聚、合物層， 以提供清潔之電漿反應器腔室，依據（1 ) 、、（ 2 )及 (3 )來運用該電漿蝕刻方法。1 23. 如 於一 積體 池光 顯示 24·如 利用 該罩 随里 t 由~ 含石夕 含矽 含石夕 含石夕 含石夕 含石夕 微電子製程 電路微電子 電微電子製 影像陣列光 申請專利範 〜罩幕層罩 幕層係可選 幕層的組群 申請專利範 柯料所形成 與溴之調理 '溴與氧之 與氯之調理 、氯與氧之 、溴與氯之 、溴、氯與 圍第2 2項之方法；其中在該基材係可用 中，該微電子製程中係可選自於包含有 製程、陶瓷基材微電子製程、太陽能電 程、感測器影像陣列光電微電子製程及 電微電子製程的組群。 圍第22項之方法，其中 幕該多晶石夕層；及 自於由包括有含矽介電質硬罩幕層及光 〇 圍第22項之方法，其中該調理聚合物層 ，可選自於下列的組群，係包括有： 聚合物材料； 調理聚合物材料； 聚合物材料； 調理聚合物材料； 調理聚合物材料； 氧之調理聚合物材料。

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   案號891⑽977 六、申請專利範圍 26·如申請專利範圍第22項之方法，盆中為 蝕刻第一早日日矽層中，當使用八英吋直 ； 用下列條件： 卫基材時，係使 該電漿反應器腔室内之壓為1到500毫托耳· 無f電頻率源之頻率微2到13.5 赫兹時 率源之功率微10到2_瓦特，：壓= 率可達500瓦特； 丨 偏i、源之功 該二與經調理之電聚反應器腔室之溫度，為攝氏5〇到 ==為10到20。標準立方公分每分鐘(seem) 乳軋之^率為1到50標準立方公分每分鐘（sccm)厂— 化氮之流率為1到5〇標準立方公分每分鐘（sum); 月面之冷部氣體之氣體壓力為工到5〇托 到50標準立方公分每分鐘（sccm);及 机革為2 磁場強度可達到2〇〇高斯。 士申明專利範圍第2 2項之方法，其中在該步驟（3) 2:理電漿反應腔室内清潔步驟中，當使用八英吋直徑 基材時，係使用下列條件： 2調理之電漿反應器腔室内之壓力為50到500毫托； …、線電頻源之頻率從2到13.56百萬赫兹時，無限電頻率 之功率為100瓦特到2000瓦特，且一外部偏壓之功率 可達500瓦特； 理，電漿反應器腔室之溫度，為攝氏2〇到2〇〇度； —氟化氮或六氟化硫之硫率為丨0到5 〇 〇標準立方公分每

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   分鐘（seem ); 背面之冷卻氣體壓力為1到5 0推牦耳 準立方公分每分鐘（seem);及 且流率為2到5 0標 方法|，其中該調理'方法可選 產出丨晶圓連續式調理方法與 磁場強度可達到2 〇 〇高斯。 2¾.如申請專利範圍第22項之 自於包含有擋片調理方法、 無晶圓調理方法。 叫.如申知專利範圍第28項之方法，，其中該擋片調理方法 使用於八英吋直徑基材時，係使用下列條件： 該電漿反應器腔室内之壓力為丨到500毫托耳； 無線電頻率源之頻率微2到13.56百萬赫兹時，無線電頻 率源之功率微1 0到2 0 0 0瓦特； 電=反應器腔室與擋片之溫度，攝氏20到200度； 含溴且/或含氯蝕刻氣體之流率為10到20 0標準立方八 分每分鐘（sccm) ; A 5氧姓刻氣體之流率為1到5 0標準立方公分每分鐘 (seem); 月面之冷卻氣體壓力為1到5 0托耳，且流率為2到5 0標準 立方公分每分鐘（seem); 磁場強度可達到20 0高斯（sccm);及 電滎調理時間為5到120秒。 30·如申請專利範圍第28項之方法，其中該產出晶圓連續 >·、凋理方法使用於八英吋直徑基材時，係使用下列條件

   第37頁 546414 修正 __案號89102277_年月 b 六、申請專利範圍

   該電漿反應器腔室内之壓力為1到1〇〇〇毫托耳； 無線電頻率源之頻率微2到1 3 · 5 6百萬赫茲時，無線電頻 率源之功率微1 0到1 0 0 0瓦特； 電漿反應腔室與產出基材之溫度，為攝氏2〇到2〇〇度 ；^ I …、 含石夕調理聚合物層形成氣體之流率為1到2 〇 〇標準立方公 分每分鐘（seem); 含漠且/或含氯調理聚合物層形成氣體之流率為丨〇到2 〇 〇 標準立方公分每分鐘（sccm); _

   一可供選擇之含氧調理聚合物形成氣體之流率為1到5〇 標準立方公分每分鐘（sccm); - 背面之冷卻氣體壓力為1到50托耳，且流率為2到50標準 立方公分每分鐘（seem); 磁場強度可達到2 0 〇高斯；及 電漿調理時間為5到120秒。 31·如申請專利範圍第2 8項之方法，其中該無晶圓調理方 法使用於八英吋直徑基材，係使用下例條件： 電漿反應器腔室之壓力為5 〇到1 〇 〇 〇毫托耳；

   無線電頻率之頻率為2到1 3 · 5 6赫茲時，無線電頻率之功 率為10到1 〇 〇 〇瓦特； 電漿反應器腔室之溫度，為攝氏20到200度； 含石夕調理聚合物層形成氣體之流率為1到200標準立方公 分每分鐘（sccm); 含 >臭且/或含氣調理聚合物層形成氣體之流率為丨〇到2〇 〇

   546414 _案號89102277_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 標準立方公分每分鐘（seem); 一可供選擇之含氧調理聚合物形成氣體之流率為1到50 標準立方公分每分鐘（seem); 磁場強度可達到2 0 0高斯；及 電漿調理時間為5到120秒。 / …、

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