TW526397B - Resist remover composition - Google Patents

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發明領域 本發明係關於一種去光阻劑組合物， d A 共係可於諸如穩 月豆电路（1C)製程、大型積體電路 、 7灰布王、及超大型藉 {請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 體電路（VLSI)製程等之半導體製程中移除光阻之。積 發明背景： -般來說’在半導體元件製造過程中，微影製程會被 重複執行數十〜，微影製程是藉由#刻及去除半導體基 材上未被光阻圖案覆蓋之導電層，而於半導體基材 成一導電層圖案。將導電層圖案化過程結束後，即可以 光阻去除劑來剥除原來作為光罩之光阻圖案。但是，近 來在超大型積體電路製程中，多採乾蝕刻製程來形成導 電層圖案’因此造成後續剥除製程中愈來愈難將光阻去 除。 線丨鳞一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 和使用酸混合物所形成之液態組成物來進行濕蝕刻不 同的是，在乾蝕刻製程中，蚀刻製程是在氣相中進行—固 相反應是在蝕刻電漿氣體及一諸如導電層之類的物質薄 膜間進行。由於乾蝕刻製程較易掌控且所得圖案清晰， 因此已成為目前蝕刻製程的主流。但是，乾蝕刻製程卻 會引起光阻薄膜表面上蝕刻電漿氣體中離子與自由基間 複雜的化學反應，使光阻迅速硬化，造成光阻不易被移 除。特別疋’在乾餘刻諸如銘、銘合金、及氮化欽之類 的金屬導電層時’非常難去除側壁上的光阻1合物’在 硬化過程中這些光阻聚合物還會劣化，或是在剥除過程 第3頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 526397 A7 B7 五、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（ 中需使用好幾 丁而 戍種去除劑。

最近發展由I .τ 來的一種内含羥基胺及氨基乙氧基乙醇之 去光阻％丨】組合物， 、 ，， 由於/、可有效去除大部分的光阻薄膜， 因此成為最虐、，，^ 3心使用的去光阻劑組合物。但是，此種去 光阻劑組合物卻备 · 田适成I造1 glga dram或更高位元 DRAM 時之銅« 内連線金屬層，而非鋁連線金屬層被嚴重 腐1 ^亟需發展一種可彌補此問題之新穎的去光 阻劑組合物。 同.最近還有人提出混合了乙醇胺及二乙二醇單垸 基醚的去光阻劑組合物，因其沒有太多異味及毒性，且 表現出有效的去光阻力，因此被廣泛使用。但*，已知 17亥去光州〗且合物無法充分去除乾蝕刻製程中或離子植 入製程中曝露於電漿蝕刻氣體或離子束下的光阻層。因 此，亟需發展一種可去除被乾蝕刻及離子植入製程改良 過之光阻層之新穎的去光阻劑組合物。 如上述，很難以光阻去除劑將已經過離子植入製程改 良過之光阻層去除。特別是，很難將使用高輻射劑量之 離子植入製程在超大型積體電路製程中形成源/汲極區之 改良光阻層去除。在離子植入製程中，光阻層表面被來 自高能離子束及高輻射劑量間的反應熱加以硬化。此外， 還會出現光阻鼓脹破裂（popping of resist),造成光阻殘 餘物。一般來說，一經灰化處理過之半導體晶圓係被加 &至2 00 C或更高的溫度。此時，仍留存於光阻中的溶 劑應完全被揮發，但卻因光阻表面經高輕射劑量之離子 第4頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

- I I l· I I I I ·11111111 I I I I 526397 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 ___ 五、發明說明（) 束照射後所產生的硬化層而無法被完全揮發。 因此’隨著灰化製程的進行，光阻層内部的壓力會上 升’致使光阻層因内部殘留的溶劑而破裂，此稱為「鼓 脹現象（popping)」。硬化層表面破裂後即出現殘餘物，且 很難去除。此外，因光阻表面硬化層因熱、不純離子、 或摻雜物取代了光阻分子中的結構，造成交聯反應，且 反應區域會被〇2電漿所氧化。因此，此氧化的光阻會變 成殘餘物及汗染顆粒，因而降低了超大型積體電路之產 出良率。 已有人提出各種能有效去除上述劣化之光阻硬化層的 乾或濕式姓刻製程，其中之一是文獻中揭露的兩階段灰 化法’其中第二次灰化是在執行完正常灰化程序後進行 的（Fujimura，Spring Preliminary Collection of japaness Spring Application Physical Society Announcement, IP-13, p574，1989)。但是，這些製程亦有問題，除了製程繁複 外，還需要大型設備，且產率較低。 此外，也有人提出包含有機胺化合物及各種有機溶劑 的去光阻劑組合物，以用於傳統濕式光阻剥除製程中。 明確的說，一内含單乙醇胺（ME A)以作為有機胺化合物 的去光阻劑組合物已被廣泛使用。 舉例來說，一種包含兩種組成之去光阻劑組合物係包 含a)諸如單乙醇胺（MEA)、2-(2-氨基乙氧基）乙醇（AEE) 等等之有機胺化合物，及b)諸如N，N、二甲基乙酿胺 (DMAc)、N，N’-二甲基甲醯胺（DMF)、N-甲基吡哈酮 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ ----訂---------線- 526397 A7 ---- B7 五、發明說明（） (NMP)、二甲基亞礙（DMS0)、乙酸碳化酯、甲氧基乙醯 氧基丙烷（美國專利第4,617,251號）等等之極性溶劑；一 種包含兩種組成之去光阻劑組合物係包含a)諸如單乙醇 胺（ME A)、單丙醇胺、甲基氨乙醇等等之有機胺化合物， 及b)諸如 N-甲基乙醯胺（Mac)、n，N，-二甲基乙醯胺 (DMAc)、N，N-二甲基甲醯胺（DMF)、N，N-二乙基乙醯胺、 N，N-二乙基丙醯胺、N，N-二甲基丙醯胺、N，N-二甲基丁 醯胺、N-甲基-N-乙基丙醯胺（美國專利第4,770,71 3號） 等等之醯胺溶劑；一種包含兩種組合物之去光阻劑組合 物係包含a)諸如單乙醇胺（MEA)等等之有機胺化合物， 及b)諸如1,3-二甲基-2-咪FZ3酮（DMI)、1，3-二甲基-四 氫嘧啶酮（德國專利公告號第3,828,5 1 3號）等等之非質子 式極性溶劑；一種去光阻劑組合物，其係包含a)晞烴丙 胺，其中係使用了諸如單乙醇胺（MEA)、二乙醇胺（DEA)、 三乙醇胺（TEA)等之烷醇胺’及環氧乙二胺之環氧化物， b)諸如環風燒等等之續酸化物，及c)諸如二甘醇單乙醚、 二甘醇單丁醚等等之甘醇單烷基醚，此三成份以特定比 例混合使用（日、本特開平公告號第62-49355); —種去光 阻劑組合物係包含a)諸如單乙醇胺（MEA)、二乙醇胺（DEA) 等等之液態胺溶液’及b)l，3-二甲基-2-咪FZ3酮（日本特 開平公告號第6 3 - 2 0 8 0 4 3); —種正去光阻劑組合物係包 含a)諸如單乙醇胺（ME A)、乙二胺、六氫吡啶、苯甲胺 等等之胺化合物，及b)諸如N，N，-二甲基乙醯胺（DMAc)、 N-甲基吡咯酮（NMP)、二甲亞颯（DMSO)等等之極性溶劑； 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 · n n ft ϋ I n ·1 一 or n n a— n· an n n •線丨----------- 526397 A7 五、發明說明（ 及c)表面/舌性劑（日本特開平公告號第6L231343); —種 正去光阻劑組合物係包含a)諸如單乙醇胺（MEA)等等之 含氮的有機羥基化合物，b) —或多種選自二甘醇單乙醚、 二甘醇二燒基謎、γ-丁内酯、二甲基，2-咪Fz3酮之 溶劑，及c)二甲亞颯（DMSO)，此三成份以特定比例混合 使用（日本特開平公告號第64-42653); —種正去光阻劑 組合物係包含a)諸如單乙醇胺（ΜΕΑ)等等之有機胺化合 物，b)諸如二甘醇單乙醚、Ν，Ν，_二甲基乙醯胺（DMAc)、 N-甲基毗咯酮（NMP)、二甲亞颯（DMs〇)等之非質子極性 溶劑，及c)以磷酯為底的表面活性劑（日本特開平公止號 第4-124668); —種去光阻劑組合物係包含勾丨^ •二甲美 2-咪FZ3酮（DMI)，b)二甲亞颯（DMS〇)，及〇)諸如單乙 醇胺等之有機胺化合物（日本特開平公告號第心 3 5 0660); —種去光阻劑組合物係包含a)單乙醇胺，…二 甲亞職（DMS0) ’及c)兒茶酚（日本特開平公告號第％ 281 753) ·，這些去光阻劑組合物在安全性、操作性及去除 光阻上都表現出相當優異的性質。 但是，最近流行的半導體組件製程是將包括矽晶圓在 内之數種基材板，在約11〇。(：至14(rc的高溫下加熱，因 此光阻經常在高溫下被烘烤。但是，上述光阻去除劑之 例子並無法去除高溫下烘烤所成之光阻。有人建議以内 含水和/或羥基胺之光阻去除劑作為去除硬烘烤光阻之組 合物。舉例來說，一種去光阻劑組合物係包含a)羥基胺， b)烷醇胺，及〇水（日本特開平公告號第4_289866); 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -· i i l·— I i n I^-r°J· I ϋ I n ϋ 1 I . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526397 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 種去光阻劑組合物係包含a)羥基胺，b)烷醇胺，c)水， 及d)抗腐姓劑（日本特開平公告號第6-266 1 99); 一種去 光阻劑組合物係包含a)諸如GBL(Y- 丁内酯）、N，N-二甲 基甲酿胺（DMF)、N，N、二甲基乙醯胺（DMAc) ' N-甲基毗 哈® (NMP)等之類的極性溶劑，b)諸如八甲基氨基乙醇 等等的氨基醇類，及c)水（日本特開平公告號第7_ 6961 8); —種去光阻劑組合物係包含昀諸如單乙醇胺 (MEA)等之氣基醇類化合物，b)水，及c) 丁二醇（曰本特 開平a 〇號弟8 -1 23 043); —種去光阻劑組合物係包含a) 烷醇胺、烷氧烷胺，b)二甘醇單烷基醚，c)糖醇類化合物， d)四級銨氫氧化物，及e)水（日本特開平公告號第8_ 262746); 一種去光阻劑組合物係包含a)單乙醇胺（MEa) 或/和2-(2-氨乙氧基）乙醇（Aee)之類的烷醇胺化合物，b) 羥基胺，c)二乙二醇單烷基醚，d)醣（山梨醇），及幻水（日 本特開平公告號第9-1 5272 1); 一種去光阻劑組合物係包 含a)羥基胺，b)水，c)酸解離值⑶尺昀在7 5至η間之胺 類化合物，d)水溶性有機溶劑，及e)抗腐蝕劑（日本特開 平公告號第9-9691 1)等。 但是’已知上述這些去光阻劑組合物其去除因乾蚀 刻、灰化、離子植入製程、及於該製程中因蝕刻下層金 屬層而經金屬副產物改良硬化之光阻層的能力並不佳， 且其在光阻去除製程中下層金屬連線抗腐蝕的能力並不 好，因此，亟需研發一種可解決這些問題之去光阻劑組 合物。 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐) '~""" * ------, ^-----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526397 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 發明概述 本發明目的之一是提供一種去光阻劑組合物，其係能 輕易、迅速地去除因乾蝕刻、灰化、離子植入製程、及 於該製程中因蚀刻下層金屬層而經金屬副產物改良並硬 化之光阻層’並可將下層部分金屬層（特別是銅連線）被 腐蚀的情形減至最低。 為達成此目的，本發明提供了一種去光阻劑組合物， 其至少包含a) 1 0-40%重量百分比之水溶性有機胺化合 物，b)40-70%重量百分比之選自二甲亞颯（DMs〇)、n-甲 基毗咯酮（NMP) '二甲基乙醯胺（DMAc)、及二甲基甲酿 胺（D M F)及其’此合物中之水洛性有機溶劑，〇) 1 〇 — 3 〇 %重量 百分比之水’ d)0· 1-1 5。/。重量百分比之内含2至3個經基 團之有機苯匕合物，e)0.01-l〇%重量百分比之内含一 過氟燒基團之陰離子型化合物，及f)0.01-1()/。重量百分比 之5c彡衣乳乙燒》燒》基胺酸類的界面活性劑。 本發明去光阻劑組合物，較佳係以一氨基醇作為（昀水 溶性有機胺化合物，且該氨基醇較佳係選自2_氨基-丨·乙 醇、1-氨基-2-丙醇、2-氨基-1-丙醇、氨基丙醇、及 其之混合物，其中又以2-氨基乙醇最佳，因其可滲透 及膨脹光阻的能力、黏性及價格等特性，而成為最佳選 此水溶性有機胺化合物含量較好是介於1〇_4〇%重量 百分比間。明確地說，如果此有機胺化合物含量低於丨〇% 重量百分比，其將很難移除乾蝕刻製程及灰化處理 第 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線. - - -¾ :二,1 K U 1 二 V - 上 > \ Γ f 526397 A7 B7 五、發明說明（ 光阻聚合物；而如果其含量超過4 〇 %重量百分 比 ’下層 金屬連線層物質（例如二氧化矽及銅等）將會被過产 餘0 侵 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明去光阻劑組合物（b)之水溶性有機溶劑較好σ 自二甲亞颯（DMSO)、Ν-甲基吡咯酮（ΝΜΡ)、二甲f τ丞乙醯 胺（DMAc)、及二甲基甲醯胺（Dmf)及其混合物中，其中 又以NMP最佳，因其良好之可溶解光阻的能力、預防光 阻再次沉積、及因其可快速分解而可被輕易地排除。 在本發明去光阻劑組合物（c)中的水，較好是經離子交 換樹脂純化過的水，更好是具電阻值約1 8M Ω之去離子 水0 水的含量較好是介於1 〇 - 3 0 %重量百分比間。如果水 含量低於1 0%，其去除光阻的能力將因乾蝕刻及灰化處 理後所生成的金屬副產品而大幅下降。但是，如果水量 高過3 0 %，則有因去光阻過程中下層金屬連線被過度腐 蚀的憂慮，因此將需減少（a)之水溶性有機胺化合物及（b) 之水溶性有機溶劑的用量，導致剝除光阻的能力降低。 本研究結果證實水含糊較佳係介於 10-30%重量百分比 間。 在本發明去光阻劑組合物（d)中内含2或3個羥基團之 有機苯酚化合物較佳是具有下列式1之化合物： 第10貫 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ij· 526397 五、發明說明（）

[式I]

(〇H)m 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中m是一2或3之整數。 被用來去除因乾蚀刻、灰化、離子植入製程、及該製 程中因㈣下層金屬層而經金屬副產物改良並硬化之光 阻層之内含2或3個羥基團之有機苯酚化合物，可有效 地吸收介於光阻層與半導體基材間之接觸表面中因水溶 性有機胺化合物與水中氩離子反應後生成的羥離子。此 外，内含2或3個羥基團之有機苯酚化合物還可防止自 去光阻劑組合物中生成的輕基團蚀刻下層金屬層。 内含2或3個經基團之有機苯酚化合物之含量較好是 介於0.1-10%重量百分比間。如果含量低於0.1%，則其 剝除光阻層的能力將因乾蚀刻、及離子植入製程中所產 生的金屬副產物而大幅下降，並將嚴重腐蚀下層金屬層。 但如果其含量超過丨〇 0/。，則將因製造成本太高而不符經 濟效益。 在本發明去光阻劑組合物（e)中之内含一過氟烷基團之 第11頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^---------線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 526397 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 陰離子型化合物係選自由下列式 2代表之化合物族群 中： [式2]

RfCOOM +

RfS03-M +

RfS04M +

Rf0P(0)022M2 + 其中Rf是一氟化或部分氟化之厭水基團，M+是一無 v機或有機離子，Rf是選自下列：

CnF(2n+1)- ^n^(2n+l)^m^(2m-(-l)

CnF(2n + 1)OCF2CF2-CnF (2n + 1)OC6H4-CnF(2n+1)CONH(CH2)3N =

CnF(2n+1)CH2CH2Si(CH3)2- 其中m是一介於0至30的整數，且n是一介於0至 3 0的整數。 内含2或3個羥基團之有機苯酚化合物確有抗-腐蝕 效果，但卻無法完全解決在下層金屬層表面或其側壁上 出現的部分腐蝕現象（pitting)。研究結果顯示，將内含一 過氟烷基之陰離子型化合物與内含2或3個羥基團之有 機苯酚化合物混合後，可防止部分腐蝕現象（pitting)。明 確地說，已知添加内含一過氟烷基之陰離子型化合物至 第12頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —-----訂---------線 526397 A7 B7 R 一

五、發明說明（ 内含2或3個羥基團之芳香性苯酚化合物中，對防止下 層金屬層表面或其側壁上部分腐蝕現象（pitting)有加成性 地保護效果。 在本發明去光阻劑組合物中之内含一過氟烷基之陰離 子型化合物含量較好是介於O.i-iO%重量百分比間。如果 含量低於0 · 1 % ’其防止部分腐姓現象的效果將不明顯， 而如果含量高於1 0%，去光阻組合物黏性將增加，造成 使用不便。 v在本發明去光阻劑組合物（f)中之聚環氧乙燒燒胺酸類 界面活性劑較佳係選自由下列式3所代表之化合物中。 [式3]

(CH2CH2〇)mH

(CH2CH2〇)nH 其中R是CU2。烷基，m是一介於0至30之整數，且 η是一介於〇至30之整數。 聚環氧乙烷烷胺醚類界面活性劑中因加入了環氧乙淀 結構，因此表現出弱陽離子型界面活性劑的特性’其可 分散溶於去光阻劑中之光阻以降低光阻再次沉積於金屬 層的可能性。 聚環氧乙烷烷胺醚類界面活性劑之含量較佳係介於 第13頁 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------#.!——訂------！線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526397 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 0.01%至1%重量百分比間。 圖式簡單說 藉由下列詳細說明及附圖，可充分了解本發明。其中： 第1圖是光阻圖案的原來狀態，其係沉積了 1000A的 鎢及700 A的氮化鈦層； 第2圖顯示光阻去除能力測試之掃瞄式電子顯微鏡照 片’其係以實施例4之去光阻劑組合物在65 °C下執行去 除光阻後所得的結果；且 第3圖顯示光阻去除能力測試之掃瞄式電子顯微鏡照 片’其係以比較實施例1之去光阻劑組合物在65 °C下執 行去除光阻後所得的結果。 #明詳述及較佳實施例： 下列詳細說明中，只描述並示出本發明之最佳實施 例。因此，本發明各種可能之改良，均應視為仍屬本發 明範疇。因此，下列說明僅係為了闡述本發明之用，本 發明並不僅限於此。 本發明將藉由下列實施例進行說明，但本發明範疇並 不僅限於這些實施例。此外，若未特別說明時，文中所 指的百分比及混合比例均係指重量比。在本發之實施例 及比較性實施例中，去光阻劑組合物之能力，係以下列 方法進行評估。 第u頁 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------—·-----訂---------線 i^w. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526397 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 五、發明說明（） (1)光阻去除測試 製備樣品A 於一 8英寸的矽晶圓表面上 10 00A的鎢層及700A的氮化鈦層 組合物（由Mitsubishi公司出品的IS401)，旋塗於其上， 使最終薄膜厚度約為1 ·0 1 μπι。之後，將矽晶圓在一溫度 100 °C之熱板上預烘烤90秒。將具有一預先決定好圖案 之光罩放在光阻層上，曝光後以四甲基氫氧化銨 (TMAH)(由東進化學公司出品之DPD-100S)於21°C下顯 影60秒。之後，將此光阻圖案之晶圓在一溫度12〇°c之 熱板上硬化烘烤100秒。 以樣品A上之光阻圖案作為一光罩，一 SF6/C12氣體 作為蝕刻氣體，並以乾蝕刻設備（Hitachi公司產品，型號： M3 1 8) ’蝕刻底部未被光阻圖案覆蓋之鎢層及氮化層以形 成一金屬連線圖案。 光阻去除測試 將樣品A浸泡在6 5 °C之去光阻劑組合物中。之後， 取出樣品，以超過濾水沖洗’再以氮氣吹乾，依據下列 標準來評估其去除光阻的能力：以掃瞄式電子顯微鏡來 決定殘存在孔洞側壁上的光阻聚合物是否被完全除去 了，結果示於表2。 〇·代表殘存在線光阻侧壁及表面上的光阻殘餘物已 完全被去除。 △:代表8 0%以上殘存在線光阻側壁及表面上的光阻 由底部起依序沉積了 將一種常用的正光阻 参 訂-------- 線* 第15頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 526397 A7 B7_ 五、發明說明（） 殘餘物已被去除，只留下少量殘餘物尚未被清除。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) X :代表大部分殘存在線光阻側壁及表面上的光阻殘 餘物並未被去除。

(2)銅層腐蝕測試 製備樣品B 使用一半導體封裝製程中常用的銅製鉛板進行測試。 銅層腐蚀測試 將樣品 B浸泡在6 5 °C之去光阻劑組合物中。之後， 取出樣品，以超過滤水沖洗’再以氮氣吹乾’依據下列 標準來評估其腐蝕程度：以掃瞄式電子顯微鏡來決定孔 洞下層金屬層是否出現被過度蝕刻的情況，結果示於表 3 〇 〇：代表銅層表面並未出現腐蚀現象。 △:代表部分銅層表面出現腐姓現象。 X:代表整個銅層表面均出現嚴重腐蝕現象。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 526397 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 實施例1至5及比較實施例1至3 實施例1至5及比較實施例1至3之去光阻劑組合物， 分別藉由混合下列表1中a)至f)之成份來製備。上述（1) 之光阻去除測試及（2)銅層腐蝕測試係於所得之去光阻劑 組合物中執行，結果示於下列表2及表3中。 [表1 ]去光阻劑組合物之組成 分類 去光阻劑組合物之組成（重量％) a)有機胺 化合物 羥 基 胺 b)有機溶劑 c) 水 d)有機苯驗 化合物 e)陰離子型 化合物 f)界面活性劑 型式 量 量 型式 量 量 型式 量 型式 量 型式 量 實施W 1 MEA 20 - NMP 45 20 兒茶酚 13 FPA- 91 1.9 KONIOL NM-10 0.1 實施例2 MEA 10 鹏 DMA 55 20 間-苯二 酚 12 FPA- 91 2.5 KONION LM-10 0.5 實施例3 MIPA 15 _ DMS 0 65 10 間-苯二 酚 5 FPA- 91P 4.9 KONION SM-15 0.1 實施例4 MEA 15 竭 NMP 65 10 兒茶酚 8 FPA- 91 1.5 KONION SM-15 0.5 實施例5 MIPA 30 - DMF 40 25 兒茶酚 3 FPA- 91P 1 KONION LM-10 1 比較 實施例1 MEA 5 30 NMP 25 30 甲酚 9 * PEG 1 比較 實施例2 MEA 45 10 DMF 20 10 甲酚 14. 5 - - X-100 0.5 比較 實施例3 MIPA 5 45 DMA c 30 15 SA 4.5 • PEG 0.5 MIPA :單異丙醇胺 MEA :單乙醇胺 DMSO :二甲亞颯 DMF :二甲基甲醯胺 NMP ·· N-甲基吡咯酮 DMAc :二甲基乙醯胺 FPA-91:内含一氟化烷基之陰離子型化合物（DIC公司產 品） FPA-91P :内含一氟化烷基之陰離子型化合物（DIC公司 第17頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------1----—-----1---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526397 A7 B7 五、發明說明（） 產品） KONION LM-10:聚環氧乙烷烷基胺醚（韓國波麗奥公司 產品，Korean Polyol company product) KONION SM-15:聚環氧乙烷烷基胺醚（韓國波麗奥公司 產品，Korean Polyol company product) KONION SM-10:聚環氧乙燒燒基胺醚（韓國波麗奥公司 產品，Korean Polyol company product) S A :柳酸醛 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第18頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526397 A7 ----- *----- Π7 五、發明說明（） 1^_3]_去光阻劑組合物去除光阻之能力 浸泡時間 5分鐘 10分鐘 20分鐘 實施例1 0 0 0 實施例2 0 0 0 實施例3 △ 0 0 實施例4 0 0 0 實施例5 △ 0 0 比較實施例1 X X X 比叙實施例2 X △ Δ 比較實施例3 X △ Δ 弟1-3圖為掃瞄式電子顯微鏡（Hitachi Ltd·，製造之模 型S-4100)照片，其係比較了實施例4與比較實施例1之 去光阻劑組合物之個別去除光阻之能力。第1圖至第3 圖顯示了光阻去除能力測試之結果，其係以樣品A於65 C之去光阻劑組合物中進行測試。 第1圖確認了光阻圖案之原始狀態，其係在基材上依 序鍍上1000A之鎢層及700 A之氮化鈦層。 第2圖之掃瞄式電子顯微鏡照片示出，實施例4 j 光阻劑組合物於6 5 °C下，其去除光阻之能力。 第3圖之掃瞒式電子顯微鏡照片示出，比較實施4 之去光阻劑組合物於65t下，其去除光阻之能力。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 丨丨丨丨丨丨丨！ ----I I---訂-----I---線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526397 A7 五、發明說明（ [表3]

浸泡時間 5分鐘 10分鐘 20分鐘 實施例1 0 0 △ 實施例2 0 0 0 實施例3 0 0 0 實施例4 0 0 △ 實施例5 0 0 0 實施例1 △ △ X 比叙實施例2 0 △ X 比較實施例3 0 〇 X — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上述，本發明之去光阻劑組合物可於短時間内輕易 地去除因乾蝕刻、灰化及離子植入製程等所致之劣化、 硬化之光阻聚合物，與因蝕刻下層金屬所產業之副產物 所改▲之劣化、硬化之光阻聚合物。再者，本發明之去 光阻劑組合物更具有將光阻去除過程中下層金屬連線， 特別是銅連線之腐蝕情況減至最低的優點；且在後續的 沖洗步驟中’可僅以水來進行沖洗，無需使用諸如異丙 醇或二甲亞颯之類的有機溶劑進行沖洗。 雖然本發明已用特定實施例加 y σ ^ > 4加以描述，但是熟知該技 蟄 < 人士能瞭解亦可在不悖離本發 &念& +贫明範疇内，使用其他 改艮來取代本發明，這憋改良也句八 也包含在本發明範圍内。 第20頁 本紙張尺度^家鮮（CNS)A4祕⑵G x 訂- - -------線· 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製

Claims (1)

1. 526397 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 · 一種去光阻劑組合物，其至少包含a) 10-40%重量百 分比之水溶性有機胺化合物；b)40-70%重量百分比 之水溶性有機溶劑，其係選自二甲亞楓（DMSO)、N-甲基吡咯酮（NMP)、N，N，-二甲基乙醯胺（DMAc)、N，N’-二甲基甲醯胺（DMF)及其之混合物中；c) 10-30%重 量百分比之水；d)5-15%重量百分比之内含2至3個 羥基團之有機苯酚化合物；e)0· 5-5%重量百分比之内 含一過氟烷基團之陰離子型化合物，·及f) 0.01-1 %重 '量百分比之聚環氧乙烷烷胺醚類之界面活性劑。 2. 如申請專利範圍第1項所述之去光阻劑組合物，其 中之水溶性有機胺化合物係為一氨基醇化合物。 3. 如申請專利範圍第2項所述之去光阻劑組合物，其 中之氨基醇化合物係選自2-氨基-1-乙醇、1-氨基-2-丙醇、2-氨基-1-丙醇、3-氨基-1-丙醇及其之混合物 中。 4. 如申請專利範圍第1項所述之去光阻劑組合物，其 中内含2至3個羥基團之有機苯驗化合物係具有下 列式1之化合物： 第21貫 本紐尺度_巾_家鮮（CNS)A4規格（21Q ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·1!111 526397 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 [式1]

   (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 零 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5. 如申請專利範圍第1項所述之去光阻劑組合物，其 中内含一過氟烷基團之陰離子型化合物係選自由下 列式2所代表之化合物族群中： [式2] RfCOOM + RfS03M + RfS04_M + Rf0P(0)02-2M2 + 其中Rf是一氟化或部分氟化之厭水基團，M+是一無 機或有機離子，Rf是選自下列： CnF(2n+l)- ^a^，(2n+l)^m^(2m+l)" CnF(2n+1)OCF 2CF 2· CnF(2n + 1)OC6H4- 第22頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 526397 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 CnF(2n+1)CONH(CH2)3N = CnF(2n+1)CH2CH2Si(CH3)2- 其中m是一介於0至30的整數，且n是一介於0至 3 0的整數。 6. 如申請專利範圍第1項所述之去光阻劑組合物，其 中之聚環氧乙烷烷胺醚類之界面活性劑係具有下列 式3之化合物： Ί式3] (CH2CH20)mH (CH2CH20)nH 其中R是CV2。之烷基、m是一介於0至30的整數 且η是一介於0至30的整數。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) R 一

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第23頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）