TW517174B - Photomask and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

A7 517174 B7 ___ 五、發明說明（/ ) 發明背景 1. 發明領域 本發明係有關於一種用來製造半導體元件之一種光罩 。更特別地，本發明係有關於一種含有一個微調式光罩的 光罩及其製造方法。 ‘ 2. 相關習知技術之說明 用來在晶片上面實現精密電路的光蝕微影製程，在半 導體元件之製造中扮演一個重要的部分。因爲如此，光蝕 微影製程的品質大大地影響整個半導體元件品質，包括半 導體晶片的品質，同樣地也影響半導體晶片之生產率。在 這種光蝕微影製程中使用的光罩係圖案化遮罩。鉻膜二位 元遮罩係光罩中的一種，而且是一種圖案化的鉻膜石英基 板。當半導體晶片之積體化密度增加時，鉻膜二位元遮罩 必須具有一個更高的解晰度。然而，由於光線的繞射現象 ’鉻膜二位元遮罩在滿足此要求方面有一個極限。作爲鉻 膜二位元遮罩的另一種選擇，相位偏移遮罩已經被發展出 來。相位偏移遮罩含有相位偏移材料，其係選擇性地在石 英基板上面形成而傳遞光線。雖然相位偏移遮罩與傳統的 曝光設備一起使用，該曝光設備傳統地係與鉻膜二位元遮 罩一起使用’但是相位偏移遮罩不像鉻膜二位元遮罩，其 可以加強解晰度以及相位的焦深。在各種不同種類的相位 偏移遮罩中，使用-種半透明材料來替代鉻膜圖案以控制 光線傳遞以及絲馳的-f卿翻雖祕遮罩最被廣 泛地使用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ··# 訂---------線」 衣纸張尺度適《中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297^^ 517174 A7 _____ B7 ------- 五、發明說明（2 ) 同時，當半導體元件的積體化密度增加時’以微調式 遮罩及相位偏移遮罩來製造具有縮減長度之閘極的情形越 來越多。微調式遮罩指出一種將通過相位偏移遮罩的特定 光線阻擋而不傳遞到晶片上的遮罩。在此’互補或是對立 於微調式遮罩的遮罩稱爲移位器‘。 在晶片上面使用微調式遮罩來製造具有縮減長度之閘 極的傳統步驟，將以參考圖1的方式來描述。當製作一個 晶片圖案10,其中含有主動區圖案13、閘極15、一個在 主動區圖案13上面形成的預定部分，以及連接在晶片11 上之閘極15的場多晶矽17時，一個微調式遮罩20及一個 移位器26被使用。微調式遮罩20包含一個透明層21以及 一個以鉻膜形成的不透明圖案23，而移位器26包含一個 以鉻膜形成的不透明層25、一個具有〇°相位的透明層27a 以及27c、一個具有180°相位的透明層27b，以及分別位 於透明層27a、27b以及27c之間的不透明鉻膜層29a及 29b ° 移位器26以光曝照，然後經過移位器26 —個移位器 影像36在晶片11上形成。只有放置在（Γ相位透明層27a 及27c下面以及放置在180°相位透明層27b下面的一部分 光阻在晶片11上面形成，其在當其他的光阻部分不被曝光 時曝光。結果’曝光區37a、37b、37c以及未曝光區35、 39a及39b被形成。未曝光區39a以及39b控制(或是影響) 閘極15的長度。未曝光區39a及39b可以在沒有不透明鉻 膜層29a以及29b的情況下形成，因爲破壞性干擾可以在 —______4 _ 各紙張尺度適用中國國家標準（CNS)a4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線L· 517174 A7 _____B7_ 五、發明說明（$ ) 具有0°相位的透明層27a、27c及具有180°相位的透明層 27b之間的邊界中發生，因而沿著光線的一條黑線無法被 偵測到，而形成未曝光區39a及39b。 光線照射在微調式遮罩20上面，然後一個微調式影像 30在晶片11上面形成。該微調式影像30由一個曝光區31 以及一個未曝光區33組成。 爲了形成晶片圖案10的聞極15以及場多晶砍17，一^ 個微調式影像30之未曝光區33的預定部分必須經由移位 器影像36轉換爲曝光區。爲此，當晶片11以光線曝照時 ，微調式遮罩20以及移位器26彼此平放在晶片11上面， 一個晶片圖案影像40因而製成。 晶片圖案影像40的未曝光區43a、43b以及45包含一 個用來形成閘極15的閘極圖案以及一個用來形成場多晶矽 17的場多晶矽圖案45。該場多晶矽17指出一個多晶矽圖 案，其在閘極15形成的區域外形成。換言之，未曝光區 43a及43b包括一個場多晶矽17預定部分，其在考慮（T相 位透明層27a以及27c以及180°相位透明層27b中之光學 近接效應時，以與閘極圖案接觸的方式製造，同樣地，在 主動區圖案13上面的聞極15也是如此。 在以下含有場多晶矽17預定部分及閘極15的圖案稱 爲閘極圖案，而在形成聞極圖案的區域以外形成的多晶石夕 圖案將稱爲場多晶矽圖案。換言之，場多晶矽圖案45及含 有一種縮減長度之閘極15的閘極圖案43a、43b被形成。 在這裡，參考數値41指出一個曝光區。 _5______ 衣纸張尺度適3中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 n H 一一OJ« n ϋ 1 I flu n in I n n n n n 517174 A7 _____B7_____ 五、發明說明（> ) 微調式遮罩20可以由半透明相位偏移遮罩組成。圖 2A及2B的每一個圖顯示，在分別使用傳統的鉻膜二位元 遮罩以及傳統的相位偏移遮罩做爲微調式遮罩20之事例中 ，對於各種焦深(DOF)的曝光差異。在使用鉻膜二位元遮 罩做爲微調式遮罩（參考圖2A)之事例中，介於密集閘極 圖案區及孤立閘極圖案區之間的曝光差異共同範圍及焦深 寬裕度係大於那些使用相位偏移遮罩做爲微調式遮罩20的 範圍(參考圖2B)。換言之，如果微調式遮罩20由鉻膜二 位元遮罩組成時，用來製造具有縮減長度之閘極圖案的製 程有可能獲得所需的充足寬裕度。然而，如果該微調式遮 罩20由鉻膜二位元遮罩組成時，場多晶矽圖案的焦深寬裕 度非常小。因此，如果焦深僅僅輕微地增加時，場多晶矽 圖案及閘極圖案是分開的。 如果微調式遮罩20由一個半透明相位偏移遮罩組成時 ，場多晶矽圖案中的焦深寬裕度增加，然而，如圖2B顯 示，閘極圖案中的焦深寬裕度降低，因此要獲得一個足夠 的製程寬裕度是困難的。 此外，如果微調式遮罩20由鉻膜二位元遮罩組成時， 閘極或是閘極圖案的長度可以被縮減。然而，當半導體晶 片變得更緻密時，要確實縮減場多晶矽圖案的長度是很困 難的，另一方面，如果微調式遮罩20由一個半透明相位偏 移遮罩組成時，閘極圖案的長度無法被縮減，但是場多晶 砍圖案的長度可以被縮減。因此，要確實縮減晶片的尺寸 是很困難的。 (請先閱讀背面之汪意事項再填寫本頁) 訂- 丨線 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） 517174 A7 _______B7_ 五、發明說明（t ) 如果微調式遮罩20由一個半透明相位偏移遮罩組成時 ，考慮到微調式遮罩20的光學近接效應以及移位器26的 光學近接效應，微調式遮罩20必須進行光學校正。因爲如 此，製成具有光學近距性校正的遮罩是困難的。 發明槪要 ‘ 爲了解決上面描述的問題，本發明之實施例的第一個 特點係提供一種含有微調式遮罩的光罩及其製造方法，其 可以獲得閘極圖案以及場多晶矽圖案之充足的製程寬裕度 〇 本發明之實施例的另一個特點係提供一種含有可以縮 減晶片尺寸的微調式遮罩及其製造方法。 本發明之實施例的更進一步特色係提供一種可以在閘 極圖案上面更容易執行光學近距性校正的光罩及其製造方 法。 因爲如此，本發明提供一種光罩，其含有移位器及用 來阻擋經由移位器傳遞之特定光線到晶片上面的微調式遮 罩。在這裡，微調式遮罩包括一個含有鉻膜遮罩的第一部 分以及一個含有相位偏移遮罩的第二部分。 微調式遮罩第一部分相當於一個區域，在其上面將放 置一個含有晶片閘極之閘極圖案以及一個從閘極延伸的場 多晶矽預定部分，而微調式遮罩之第二部分相當於一個區 域，在其上面不是第一部分的部分將放置一個由場多晶石夕 組成的場多晶砍圖案。 在微調式遮罩兩個對立端中、第一及第二部分之間的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # 訂------------^—0 衣纸張尺度適闬中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 517174 A7 _______B7_ —_ 五、發明說明（έ ) 邊界，最好對準一個假想層的兩個對立邊緣，該假想層對 於微調式遮罩的兩個對立端均相同並且在設計微調式遮罩 時被引入；然而，在微調式遮罩兩個對立端之中一個的第 一及第二部分邊界，可以允許以一個預定距離離開假想層 中兩個對立邊緣中之一個，其對^於微調式遮罩的兩個對立 端均相當並且在設計微調式遮罩時被引入。在這裡，該預 定距離最好不大於被照射在光罩上面的光波長。在特定地 使用KrF作爲光源的案例中，預定距離不大於2480埃。 至於在使用ArF作爲光源時，預定距離不大於1930埃。 微調式遮罩的幾個其他的對立邊緣放置在假想層中的 幾個相對應邊緣之中。 爲了製造微調式遮罩，一個不會因爲熱度很快地收縮 或是膨脹的基板如石英基板被準備。一個移位材料層如石夕 化鉬以及一個不透明的光線阻擋層，例如具有同樣尺寸的 鉻膜層相繼地在基板上面形成，然後將鉻膜層圖案化以形 成一個小於移位材料層尺寸的鉻膜層圖案。爲了形成鉻膜 層圖案，具有小於鉻_層長度的遮罩在移位材料層上面形 成，然後以遮罩曝光的絡膜層被移除。依照本發明的另— 個實施例，形成該微調式遮罩的步驟包括相繼地在基板上 面形成一個移位材料層以及小於移位材料層尺寸的鉻膜層 ，然後將移位材料層圖案化以形成一個大於鉻膜層尺寸的 圖案化移位材料層。 因爲如此，一個以鉻膜層圖案製成的鉻膜遮罩被完成 ，該鉻膜層圖案將放置閘極圖案，以及一個以位移材料圖 ___8_ 本纸張尺度適罔中國國家標準（CNTS)A4規格（210 X 297公釐） ' ' '--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------訂---------線—· 517174 A7 _______B7 ___ 五、發明說明（) 案形成的相位偏移遮罩被完成，該位移材料圖案上將放置 多晶砂圖案。 本發明的這些以及其他的特點對於那些熟悉一般習知 技術的人，在探討以下詳細描述時將很容易地變得明顯。 圖式簡單說明 · 本發明的上述特點及優點以其中的較佳實施例詳細描 述並配合附圖作爲參考後將變得更爲明顯，其中： 圖1揭示一個依照先前習知技術，使用含有移位器及 微調式遮罩來形成一個具有縮減長度之閘極的傳統方法； 圖2A以及2B分別是依照先前習知技術，使用傳統的 鉻膜二位元遮罩及傳統的相位偏移遮罩作爲微調式遮罩的 案例中，對應各種焦深的曝光差異圖； 圖3揭示一個依照本發明之微調式遮罩的平面圖； 圖4揭示一個對應於依照本發明之微調式遮罩與當設 計微調式遮罩時所引入的假想層之間的幾個重疊寬裕度的 焦深圖示； 圖5A到5D揭示一個沿著圖3之I-Ι線所取的橫剖面 圖，其揭示一個依照本發明的第一實施例來製造微調式遮 罩的方法；而 圖6A到6C揭示一個沿著圖3之Μ線所取的橫剖面 圖，其揭示一個依照本發明的第二實施例來製造微調式遮 罩的方法。 元件符號說明 1〇 ·晶片圖案 _____— Q - _ 拿、纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .# 訂---------線—參 517174 A7 _B7_ 五、發明說明（2 ) ί 1 ·晶片 13 ·主動區圖案 15 ·聞極 17 ·場多晶石夕 20 ·微調式遮罩 ‘ 21 ·透明層 23 ·不透明圖案 25 ·不透明層 26 ·移位器 27a、27b、27c ·透明層 29a、29b ·不透明鉻膜層 30 ·微調式影像 31、37a、37b、37c、41 ·曝光區 33、35、39a、39b、43a、43b、45 ·未曝光區 36 ·移位器影像 40 ·晶片圖案影像 51 ·假想層 53 ·鉻膜遮罩 55 ·主動區 57 ·相位偏移遮罩 59a、59b ·突起 60 ·基板 62 ·砂化鉬層 62a ·矽化鉬層圖案 t、紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n n 一OJs n n n n n n n I n n n n n n n In 517174 A7 -------— —__B7_____ 五、發明說明（7 ) 64 ·鉻膜層 64a’ ·圖案化鉻膜層 64a、66a、68 ·鉻膜層圖案 68’光阻層圖案 66光阻層 · 66af圖案化光阻層 較佳實施例之詳細說明 在2001年5月23日提出、編號爲〇1_28484並標題爲 :光罩及其製造方法”的韓國專利申請，以作爲本發明之參 考的方式結合爲一個整體。 本發明現在將以參考圖3、4、圖5A到5D以及6A到 6C來更完全地描述。 參考圖3，一個包含微調式遮罩以及移位器(未被顯示) 的光罩被顯示。該微調式遮罩包含一個鉻膜遮罩53，其被 放置在將要形成閘極圖案之區域上面；以及一個相位偏移 遮罩57 ’其被放置在將要形成場多晶矽圖案之區域上面， 或是被放置在不被閘極圖案佔據之其他區域上面。在這裡 ’如參考圖1所描述的，閘極圖案包含一個只在主動區55 上面形成的閘極，以及一個考慮到移位器之光學近接效應 而從閘極延伸的場多晶矽預定部分。場多晶矽圖案指出一 個多晶矽圖案，其在將要形成閘極圖案之區域以外的預定 區上面形成。參考數値51指出一個假想層，其在當設計區 分爲鉻膜遮罩53以及相位偏移遮罩57的微調式遮罩時被 引入，並且放置在微調式遮罩的鉻膜遮罩53上面。有兩個 ——______ " 丁、紙張尺度適周中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 訂---------線丨# 517174 B7 五、發明說明（/0 ) 從鉻膜遮罩53垂直地延伸的突起部分59a以及59b。該突 起部分59a及59b的邊緣與假想層51的較高邊緣以一個預 定距離A分開。最好是，距離A爲零。如果距離A僅僅在 一個不大於光源的波長範圍中時，本發明的精神可以被實 現。既然KrF及ArF分別具有2480埃以及1930埃的波長 ，其任意一個可以作爲光源，因此距離A最好不大於2480 埃。 微調式遮罩53的左側及右側邊緣以及假想層51的左 側及右側邊緣分別地以一個預定距離B分開。如果用來形 成微調式遮罩53的遮罩製造設備是理想的，換言之，如果 該遮罩製造設備精確地對準於一個想要形成遮罩圖案的位 置時，介於該鉻膜遮罩53的左側邊緣及假想層51的左側 邊緣，或是介於鉻膜遮罩53右側邊緣以及假想層51右側 邊緣之間、具有距離B的間隙是不需要的。 在本發明中，爲了形成微調式遮罩，執行了兩次曝光( 參考圖5A到5D以及6A到6C)。換言之，本發明的曝光 包含第一曝光步驟以及第二曝光步驟，第一曝光步驟用來 形成微調式遮罩之鉻膜遮罩53，第二曝光步驟用來形成微 調式遮罩之相位偏移遮罩57。因此，爲了在第二曝光步驟 中在絡膜遮罩5 3及相位偏移遮罩5 7之間獲得一個重疊邊 際，具有距離B的間隙必須在鉻膜遮罩53的左側邊緣以 及假想層5 1的左側邊緣之間被準備，以及在介於絡膜遮罩 53的右側邊緣及假想層51的右側邊緣之間被準備。因此 ，距離B可以因遮罩的曝光裝置性能不同而不同。 — _____12__ T-紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 --訂---------線—▲ 517174 A7 ________B7_____ 五、發明說明（丨| ) 從微調式遮罩之鉻膜遮罩53的每一個的突起部分59a 及59b邊緣到假想層51頂部邊緣之距離A將以參考圖4 的方式更完整地描述。圖4顯示在A爲〇的第一案例以及 當A大於照射在光罩上之光波長的第二案例中’對應於不 同焦深之圖案的變化。當A爲0·時，即使焦深逐漸地增加 ，閘極及場多晶矽是不分開的。然而’當A大於照射在光 罩上面之光波長時，當焦深逐漸增加時’介於閘極圖案以 及場多晶矽圖案之間的連接部分變得很薄。換言之’在鉻 膜遮罩53及相位偏移遮罩57之間的邊界附近的閘極圖案 以及場多晶矽圖案部分變得更薄(或是更窄）。當焦深爲〇·4 時，閘極圖案與場多晶矽圖案是分開的。如果距離A增加 並且依照上述，鉻膜遮罩會被置在形成場多晶矽圖案形成 的區域中，場多晶矽圖案中的焦深寬裕度將會退化。因此 在本發明中，相位偏移遮罩代替鉻膜遮罩被放置在場多晶 矽圖案區上。 假想層51的較高/較低邊緣原本是要分別對準於鉻膜 遮罩53的較高/較低突起59a及59b之邊緣。然而，由於 在曝光製程期間曝光裝置的不穩定性，假想層51的較高/ 較低邊緣可以分別從鉻膜遮罩53之突起59a及59b的較高 /較低邊緣中隔開。如果從假想層51之較高/較低邊緣到鉻 膜遮罩53分別之較高/較低突起59a及59b邊緣的距離A 是在所使用的光波長範圍中時（可以是正的或是負的），獲 得形成聞極圖案以及場多晶政圖案所須的充足寬裕度是可 能的。因此，製造具有縮減長度的閘極圖案或是聞極變得 __ ，丨_— _13_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線丨---- t、纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ' A7 517174 ____B7__ 五、發明說明（A ) 較爲容易。 簡言之，在先前習知技術中，微調式遮罩係以在對應 於鬧極圖案區及場多晶砂圖案區的位置上安裝一個鉻膜遮 罩的方式來製造。使用由鉻膜遮罩組成的微調式遮罩來縮 減閘極圖案或閘極的長度是可能’的；然而，場多晶矽圖案 的長度縮減是不可能的。另一方面，如上面所描述的，本 發明的微調式遮罩包括一個安裝在對應於閘極圖案區位置 的鉻膜遮罩以及一個安裝在場多晶矽圖案區位置的相位偏 移遮罩。因而，如圖2A所顯示，在閘極圖案區的焦深寬 裕度可以被獲得，而且同時地，如圖4中的上面幾個框所 顯示，場多晶矽圖案區的焦深寬裕度可以被得到。 結果是，場多晶矽圖案長度以及閘極圖案長度的縮減 是可能的，因此，使用本發明的微調式遮罩來縮減晶片的 尺寸是可能的。 在本發明的微調式遮罩中，既然相位偏移遮罩不佔用 閘極圖案區，用來校正光學千擾效應的光學近距性校正可 以考慮在只有一個移位器的情況下執行，該干擾效應是否 發生取決於閘極圖案或是閘極是否太密集。因此，該光學 近距性校正可以更簡化而且可以比在習知技術中只使用相 位偏移遮罩作爲微調式遮罩的方式更易於製造。 在下面，用來製造一種微調式遮罩的方法將以參考圖 5A到5D以及6A到6C來描述。圖5A到5D說明一個沿 著圖3之I-Ι線所取的橫剖面圖，其係一種使用製造微調式 遮罩相位偏移遮罩之第二曝光步驟的重疊邊緣來製造微調 ------- -ji________— •^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _______訂_________線—拳_____________ 517174 A7 B7 五、發明說明（β ) 式遮罩的方法，也就是，將圖3的假想層51納入考慮的方 法。圖6A到^C說明一個沿著圖3的I-Ι線所取的橫剖平 面圖，其係不將圖3的假想層51納入考慮的方法。 參考圖5A，一個半透明矽化鉬層62、一個不透明鉻 膜層64 ’以及一個將作爲光罩使用的光阻層66相繼地在 一種如石英材料製做的基板60上面中製成，該基板不會因 溫度或是熱度變化而很快地膨脹或是收縮。然後，光阻層 66以具有一個預定的長度來圖案化，因此光阻層圖案66a 被形成。參考圖5B，鉻膜層64以及矽化鉬層62以光阻層 圖案66a作爲光罩來圖案化，因此一個鉻膜層圖案64a以 及一個矽化鉬層圖案62a被形成。接下光阻圖案66a被移 除，然後另一個光阻層（未被顯示）在形成鉻膜層圖案64a 的基板60的整個表面上沉積。參考圖5C，光阻層被圖案 化，因而一個具有比鉻膜層圖案64a尺寸小的光阻層圖案 68被形成。參考圖5D，使用光阻層圖案68作爲一個遮罩 ，鉻膜層圖案64a被蝕刻，因而一個鉻膜層圖案64b被形 成，其被圖案化兩次。然後該光阻層圖案68被移除，因此 完成一個依照本發明第一實施例的微調式遮罩。 在下面，依照本發明製造微調式遮罩的另一個方法將 被描述。參考圖6 A，·一個如圖5 A所顯不的半透明砂化銷 層62、不透明鉻膜層64，以及一個作爲遮罩的光阻層66 相繼地在基板60上面形成。接下來，光阻層66被圖案化 ，然後使用圖案化的光阻層66來只將鉻膜層64圖案化。 在圖6A中，參考符號66af以及64af分別指出一個圖案化光 ____u_— t、紙張尺度適《中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------I1 517174 A7 _ _ B7____ 五、發明說明（外） 阻層以及圖案化鉻膜層。然後，圖案化光阻圖案66a’被移 除’接著另一個光阻層在包含鉻膜層圖案64a’的整個基板 60表面上面沉積。參考圖6B，光阻層被圖案化，因此一 個大於鉻膜層圖案64af的光阻層圖案68’被形成。光阻層圖 案68’的邊緣係對準圖3之鉻膜遮罩53的邊緣。接下來， 參考圖6C，在基板60上面形成的矽化鉬層62，以光阻層 圖案68’來進行圖案化，因此形成一個圖案化矽化鉬層62a， 。接著，移除光阻層圖案68’，因此完成一個依照本發明的 第二實施例的微調式遮罩。 本發明以限制在微調式遮罩的方式描述。然而，對於 那些熟悉習知技術的人來說，光學近接效應可以由穿透截 線校正，鎚頭校正，觸動校正或是散射桿校正所彌補是相 當明顯的。 依照本發明的微調式遮罩包括一個安裝在對·應於閘極 圖案區位置的鉻膜遮罩，以及安裝在對應於場多晶矽圖案 區的一個相位偏移遮罩。因爲如此，可以獲得閘極圖案區 的焦深寬裕度，同時，也可以獲得場多晶矽圖案區的焦深 寬裕度。結果是，場多晶矽圖案以及閘極圖案的長度縮減 是可能的，因此，使用本發明的微調式遮罩來縮減晶片尺 寸是可能的。甚且，在閘極圖案區上面，光學近距性棱正 變得較易於執行。 本發明的較佳實施例已經在這裡揭露，雖然特定的術 語被使用，這些術語僅僅是爲了以一種總稱性以及描述性 的觀念來詮釋本發明，而不是爲了局限本發明的範圍。因 __ϋ________ 衣纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ;# 訂---------線丨· 517174 A7 _B7_ 五、發明說明（fi ) 爲如此，一般熟練於習知技術的人可以理解到在形式及細 節上的各種改變及修飾可以被提出而不離開下述之本發明 的聲明所提出的精神及範圍。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一OJI n n n n n n ϋ I n ·11 n n n n n n n n -n 本紙張尺度適闬中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 517174 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種光罩，係包含： 一個移位器；以及 一個用來將經過移位器的特定光線阻擋而不傳遞到晶 片上的微調式遮罩，該微調式遮罩包含一個具有鉻膜遮罩 的第一部分以及一個具有相位偏移遮罩的第二部分。 2. 如申請專利範圍第1項之光罩，其中第一部分對應 於一個將要放置含有晶片閘極之閘極圖案的區域及一個從 閘極延伸的場多晶矽預定區域，而第二部分對應於一個將 要放置含有場多晶矽的場多晶矽圖案的區域，但不在第一 部分的區域。 3 ·如申請專利範圍第1項之光罩，其中在微調式遮罩 兩個對立端中、第一及第二部分之間的邊界，係對準假想 層的兩個對立邊緣，其對於微調式遮罩的兩個對立端均是 如此，並且在設計微調式遮罩時被引入。 4. 如申請專利範圍第2項之光罩，其中在微調式遮罩 兩個對立端中、第一及第二部分之間的邊界，係對準假想 層的兩個對立邊緣，其對於微調式遮罩的兩個對立端均晏 如此，並且在設計微調式遮罩時被引入。 5. 如申請專利範圍第1項之光罩，其中兩個對立端中 之一個的第一及第二部分之間的邊界係以一個預定距離離 開假想層對立邊緣中的一個，其對於微調式遮罩的兩個對 立端均是如此，並且在設計微調式遮罩時被引入。 6. 如申請專利範圍第2項之光罩，其中兩個對立端中 之一個的第一及第二部分之間的邊界係以一個預定距離離 _____—------------ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） ΙΦ.. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 線一 517174 A8 B8 C8 _ _!!__——--一^- 六、申請專利範圍 開假想層對立邊緣中的一個，其對於微調式遮罩的兩個矣寸 !!#! (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 立端均是如此，並且在設計微調式遮罩時被引A ° > 7. 如申請專利範圍第6項之光罩，其中之預定距離不 大於照射在光罩上的光波長。 γ 8. 如申請專利範圍第6項之光罩，其中預定距離大約 是2480 Α埃。 9. 如申請專利範圍第1項之光罩，其中微調式遮罩的 其他的對立邊緣被放置在對應的假想層的邊緣中° 10. —種製造光罩之方法，其係包含以下的步驟： 準備一個移位器；以及 形成一個微調式遮罩以阻擋經過移位器的特定光線傳 遞到晶片上，該微調式遮罩具有一個包含鉻膜遮罩的第一 部分以及一個包含相位偏移遮罩的第二部分。 11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中的第一部分 對應於將放置含有晶片閘極的閘極圖案區以及一個從閘極 延伸的場多晶矽預定區，而第二部分對應於第一部分以外 的區域，其對應一個放置含有場多晶矽的場多晶矽圖案區 域。 I2·如申請專利範圍第11項之方法，其中形成該微調 式遮罩係包含： 準備一個基板； 相繼地在基板上面形成具有同樣尺寸的移位材*料層以 及鉻膜層；以及 將鉻膜層圖案化以形成一個小於移位材料層尺寸的絡 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210x 297公釐） -- 517174 A8 B8 C8 ____ D8 六、申請專利範圍 膜層圖案。 13.如申請專利範圍第12項之方法，其中該鉻膜層圖 案的形成係包含： 形成一個比移位材料層上的鉻膜層還要小的遮罩；以 及 藉由將該遮罩曝光以移除該鉻膜層。 14·如申請專利範圍第13項之方法，其中該移位材料 層係以矽化鉬製成。 15.如申請專利範圍第13項之方法，其中該遮罩係以 光阻製成。 16·如申請專利範圍第12項之方法，其中該基板係以 石英製成。 17·如申請專利範圍第11項之方法，其中微調式遮罩 的形成係包含： 相繼地在基板上面形成一個小於在一基板上之移位材 料層尺寸的一移位材料層以及一鉻膜層；以及 將該移位材料層圖案化以形成一個大於該鉻膜層的圖 案化移位材料層。 __ 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------------------------------1T----------------線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)