JP2002351050A - 光マスク及びその製造方法 - Google Patents

光マスク及びその製造方法

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JP2002351050A JP2002063938A JP2002063938A JP2002351050A JP 2002351050 A JP2002351050 A JP 2002351050A JP 2002063938 A JP2002063938 A JP 2002063938A JP 2002063938 A JP2002063938 A JP 2002063938A JP 2002351050 A JP2002351050 A JP 2002351050A
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Chul-Hong Park
哲 弘 朴
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光マスク及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ゲート領域に対応する位置に配置される
クロムマスク及びフィールドポリ領域に対応する位置に
配置される位相反転マスクを含むトリムマスク。これに
より、ゲートパターン及びフィールドポリパターンの工
程マージンが確保できるだけではなく、ゲートパターン
またはゲート長さ、さらに、フィールドポリパターンの
長さが縮められる。これにより、チップのコンパクト化
が可能になる。加えて、ゲートパターン領域の光学的な
近接補正をより容易に行える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子製造用光
マスクに係り、特に、トリムマスクを含む光マスク及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造過程のうち微細回路をウェー
ハ上に具現するフォトリソグラフィ工程が半導体製造工
程のうち重要な部分を占めており、このフォトリソグラ
フィ工程における質は半導体チップの生産性はもとよ
り、半導体チップを含む製品の品質を左右する主要な要
素である。光マスクはこのようなフォトリソグラフィに
使用される回路の原板である。クロムマスクは光マスク
の一つであって、石英基板上にクロムパターンが形成さ
れている。クロムマスクは光の回折現象のために半導体
集積度の増加に伴う解像度の増加の要求を満足させるの
には限界があり、この理由から、位相反転マスクが出現
するようになった。位相反転マスクは石英基板上に選択
的に形成されて光を透過できる位相シフト物質を含む。
この位相反転マスクは従来のクロムマスクの使用時に採
用されていた露光装備を利用しつつも相の解像度及び焦
点深度（ＤＯＦ：Ｄｅｐｔｈ Ｏｆ Ｆｏｃｕｓ）を高め
ることができた。このような位相反転マスクのうち光の
透過率及び位相を調節するハーフトーン物質をクロムパ
ターンの代わりに使用するハーフトーン位相反転マスク
が最も広範に使用されている。
【０００３】一方、半導体素子の集積度が高くなるにつ
れて、位相反転マスクと共にトリムマスクを使って縮小
した長さを有するゲートが製造されている。トリムマス
クとは、位相反転マスクを通った光のうちウェーハに達
してはならない光を遮断するマスクを言う。そして、こ
こでは、トリムマスクと対向するか、あるいは相補関係
をもっているマスクをシフタと呼ぶ。
【０００４】図１を参照して、トリムマスクを使ってウ
ェーハ上に縮小した長さを有するゲートを形成する過程
について説明する。
【０００５】まず、トリムマスク２０及びシフタ２６を
使ってウェーハ１１上に活性領域パターン１３、この活
性領域パターン１３と所定部分において交差するゲート
１５と、このゲート１５と連結されたフィールドポリ１
７を有するチップパターン１０を形成する。この時、ト
リムマスク２０は透明層２１及びクロムよりなる不透明
パターン２３を含み、シフタ２６はクロムよりなる不透
明層２５と、０°位相の透明層２７ａ、２７ｃと、１８
０°位相の透明層２７ｂ、及びこれらの間に形成された
クロム不透明層２９ａ、２９ｂを含む。
【０００６】シフタ２６が露光されれば、ウェーハ上に
はシフタイメージ３６が形成される。０°及び１８０°
の位相透明層２７ａ、２７ｂ、２７ｃの下部のウェーハ
上に形成されたフォトレジストは露光され、残りの部分
は露光されない。これにより、露光領域３７ａ、３７
ｂ、３７ｃ及び非露光領域３５、３９ａ、３９ｂが形成
される。非露光領域３９ａ、３９ｂはゲート長を調節す
る役割をする。一方、非露光領域はシフタ２６のクロム
不透明層２９ａ、２９ｂがなくとも形成できる。これ
は、０°の位相領域２７ａ、２７ｃと１８０°の位相領
域２７ｂとの境界においては消滅干渉が起こり、光が検
出されない黒線が形成されるからである。
【０００７】そして、トリムマスクに光が照射されれ
ば、ウェーハ上にトリムイメージ３０が形成される。こ
の時、トリムイメージ３０は露光領域３１及び非露光領
域３３を含む。
【０００８】チップパターン１０のゲート１５及びフィ
ールドポリ１７を形成するためには、シフタイメージ３
６がトリムイメージ３０の非露光領域３３のうち一部を
露光領域に変えなければならないため、露出工程中にト
リムマスク２０及びシフタ２６をウェーハの上部におい
て重畳させる。すなわち、トリムマスクを使った露光工
程後に、シフタを使って２次露光を行う。これにより、
チップパターンイメージ４０が形成される。
【０００９】一方、チップパターンイメージ４０の非露
光領域４３ａ、４３ｂ及び４５はゲート１５を形成する
ためのゲートパターン及びフィールドポリ１７を形成す
るためのフィールドポリパターンを含む。ここで、フィ
ールドポリパターンとは、ゲートパターン以外の領域に
形成されるポリパターンを言う。ところで、非露光領域
４３ａ、４３ｂは、活性領域上において活性領域と交差
するゲートのほかに、シフタ２６の０°及び１８０°位
相透明層２７ａ、２７ｂ、２７ｃ間の光学的な近接効果
を考慮してゲートパターンと接触するフィールドポリパ
ターンの所定部分をも含む。
【００１０】以下では、説明の便宜上、フィールドポリ
の一部及びゲートを含むパターンをゲートパターンと称
し、限定されたゲートパターン以外の領域に形成された
ポリパターンをフィールドポリパターンと称する。すな
わち、フィールドポリパターン４５及び縮小した長さを
有するゲートを含むゲートパターン４３ａ、４３ｂが形
成される。ここで、参照番号４１は露光された領域を表
わす。
【００１１】一方、トリムマスクをハーフトーン位相反
転マスクにより実現することもできる。ところで、図２
Ａ及び図２Ｂから明らかなように、トリムマスク２０が
クロムマスクよりなる場合（図２Ａ参照）には、トリム
マスク２０が位相反転マスクよりなる場合（図２Ｂ参
照）に比べて、密なゲートパターン領域及び疎なゲート
パターン領域の共通露出偏差の許容範囲及び焦点深度の
マージンが大きい。すなわち、クロムマスクによりトリ
ムマスクを実現すれば、縮小した長さを有するゲートパ
ターン形成工程のマージンが確保できる。
【００１２】これに対し、フィールドポリパターン領域
のトリムマスクがクロムマスクである場合には、フィー
ルドポリパターンの焦点深度のマージンが小さいため
に、焦点深度が少しだけ増加してもフィールドポリパタ
ーン及びゲートパターンが切れてしまうという問題があ
る。
【００１３】ハーフトーン位相反転マスクによりトリム
マスクを実現すれば、フィールドポリパターンにおいて
は焦点深度マージンが高くなるが、ゲートパターンにお
いては、図２Ｂに示されたように、焦点深度マージンが
低くなって十分な工程マージンが確保し難くなるという
問題がある。
【００１４】そして、クロムマスクによりトリムマスク
を実現すれば、ゲートまたはゲートパターンは縮められ
るものの、半導体チップの小型化に伴い、フィールドポ
リパターンをその信頼性を確保しつつ縮めることは難し
い。これに対し、ハーフトーン位相反転マスクによりト
リムマスクを実現すれば、フィールドポリパターンは縮
められるものの、ゲートパターンは縮められない。この
ため、チップを信頼性良くコンパクト化し難いという問
題がある。
【００１５】また、トリムマスクがハーフトーン位相反
転マスクである場合には、シフタの光学的な近接効果の
ほかにも、トリムマスクの光学的な近接効果をも考慮し
て光学的な補正をしなければならない。このため、光学
的な近接補正マスクを抽出し難いという問題がある。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明が解決
しようとする技術的課題は、ゲートパターン及びフィー
ルドポリパターンの工程マージンを確保できるトリムマ
スクを有する光マスク及びその製造方法を提供するとこ
ろにある。
【００１７】また、本発明が解決しようとする他の技術
的課題は、チップをコンパクト化できるトリムマスクを
有する光マスク及びその製造方法を提供するところにあ
る。
【００１８】また、本発明が解決しようとするさらに他
の技術的課題は、ゲートパターンの光学的な近接補正を
容易ならしめるトリムマスクを有する光マスク及びその
製造方法を提供するところにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】前記技術的課題を達成す
るために、本発明では、シフタと共に光マスクを構成し
てシフタを通った光のうちウェーハに達してはならない
光を遮断する光マスクをクロムマスクよりなる第１部分
及び位相反転マスクよりなる第２部分を含むように設計
する。
【００２０】ここで、第１部分はチップのゲート及びそ
のゲートから延びたフィールドポリの所定部分を含むゲ
ートパターンが配置される部分に対応し、第２部分は第
１部分を除いた領域に形成されるフィールドポリよりな
るポリパターンが配置される部分に対応する。
【００２１】望ましくは、トリムマスクの一側及びその
対向側における第１部分と第２部分との境界がトリムマ
スクの一側及びその対向側に対応し、設計時に導入され
る仮想層の一側及びその対向側のエッジと一致する。し
かし、トリムマスクの一側またはその対向側のうち少な
くとも一側における第１部分と第２部分との境界がトリ
ムマスクの一側及びその対向側に対応する仮想層の一側
またはその対向側のエッジのうち少なくとも一つと所定
距離だけ離れていても良い。ここで、前記所定距離は光
マスクに照射される光の波長よりも大きくなければ良
い。具体的には、前記所定距離はＫｒＦ波長の場合には
２，４８０Åよりも大きくなく、ＡｒＦ波長の場合には
１，９３０Åよりも大きくない。
【００２２】そして、トリムマスクの他側のエッジ及び
その対向側のエッジが仮想層の対向エッジよりも内側に
配置されている。
【００２３】以下、前述したトリムマスクを製造する過
程について説明する。まず、石英のように熱による収縮
及び膨脹が自由な基板を用意する。基板上の所定部分に
同一の大きさを有するシフト物質層、例えばＭｏＳｉ層
及び不透明光遮断層、例えばクロム層を順次に形成す
る。次に、クロム層をパターニングしてシフト物質層よ
りも小さいクロム層パターンを形成する。ここで、クロ
ム層パターンを形成するためには同一の大きさを有する
シフト物質層及びクロム層の上面に、クロム層よりも短
いマスク、例えばフォトレジストを形成する。そして、
このマスクを使って露出されたクロム物質層を除去す
る。一方、トリムマスクを製造する他の例によれば、基
板上にシフト物質層及びシフト物質層よりも小さいクロ
ム層を順次に形成する。次に、シフト物質層をパターニ
ングするが、パターニングされたシフト物質層もクロム
層よりも大きくする。
【００２４】従って、ゲートパターンが配置される部分
にはクロム層パターンよりなるクロムマスクを形成し、
ゲートパターン以外のポリパターンが配置される部分に
はシフト物質層パターンよりなる位相反転マスクを形成
する。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明を詳細に説明する。
【００２６】図３を参照すれば、光マスクはトリムマス
ク及びシフタ（図示せず）を含む。トリムマスクは、ゲ
ートパターンが形成される領域に対応する位置に配置さ
れるクロムマスク５３、及びゲートパターン以外の領域
に対応する位置に配置される位相反転マスク５７を含
む。ここで、ゲートパターンとは、図１の説明部分にお
いて述べたように、活性領域５５の上部において活性領
域とのみ交差するゲート及びシフタの光学的な近接効果
を考慮してこのゲートと接触して延びるフィールドポリ
の所定部分を含むものを言う。そして、フィールドポリ
パターンとは、ゲートパターン以外の領域に形成された
ポリパターンを言う。参照番号５１はトリムマスクの設
計時に導入されてクロムマスク５３と位相反転マスク５
７領域とを区切るものであって、トリムマスクのクロム
マスク５３と重なって配置される。そして、クロムマス
ク５３は上段及び下段において各々突出部５９ａ、５９
ｂを有している。突出部５９ａ、５９ｂのエッジ及び仮
想層５１の上部エッジは間隔Ａだけ離れている。望まし
くは、この間隔Ａが０であるが、この間隔Ａがトリムマ
スク５３に照射される光源の波長よりも大きくない範囲
内であれば、本発明の思想を実現できる。現在、ＫｒＦ
光源の場合には２，４８０Åの波長を有し、ＡｒＦ光源
の場合には１，９３０Åの波長を有するため、前記間隔
Ａも２４８０Åを超えなければ良い。
【００２７】そして、トリムマスク５３の左右エッジ及
び仮想層５１の左右エッジは間隔Ｂだけ離れている。ト
リムマスクを形成するためのマスク製造装備が理想的で
ある場合、すなわちマスク製造時のトリムマスク及び製
造装備との整列が正確になされている場合には間隔Ｂは
不要である。
【００２８】しかし、本発明においては、トリムマスク
を形成するために２回の露光を行う（図５及び図６参
照）。すなわち、トリムマスクのクロムマスク部分を形
成するための露光と位相反転マスク部分を形成するため
の露光とがそれである。このため、２次露光時のクロム
マスク及び位相反転マスクの重畳マージンを与えるため
に間隔Ｂが必要である。この間隔Ｂはマスク露光装備の
能力によって変わる。
【００２９】一方、図４を参照し、トリムマスクのクロ
ムマスクの突出部５９ａ、５９ｂのエッジ及び仮想層５
１の上部エッジの間隔Ａについて調べてみる。図４は、
Ａが０である場合及びＡが光マスクに照射される光源の
波長以上の間隔を有する場合の焦点深度によるパターン
の変化を示したものである。Ａが０である場合には焦点
深度が高くなってもゲート及びフィールドポリが切れな
い。しかし、Ａが照射される光源の波長以上である場合
には、焦点深度が高くなればゲートパターンとフィール
ドポリパターンとの接続部、すなわちクロムマスクと位
相反転マスクとの境界においてパターンが細くなり、焦
点深度が０．４になれば切れてしまう。すなわち、Ａが
大きくなってフィールドポリパターンが形成される部分
にクロムマスクが配置されれば、フィールドポリパター
ンの焦点深度マージンが低くなるということがわかる。
従って、本発明においては、フィールドポリパターン側
にはクロムマスクを配置せずに位相反転マスクを使用し
ているのである。
【００３０】そして、仮想層５１の上部及び下部エッジ
とトリムマスクのクロムマスクの上部突出部／下部突出
部のエッジとが一致することを意図したが、工程上の露
光装備の不安定により、これらのエッジが一致せずに離
れることがある。しかし、これらのエッジ間の離隔距離
Ａが使用光源の波長範囲（陰または陽の値）内にさえあ
れば、ゲートパターン及びフィールドポリパターンの形
成マージンを確保できる。従って、縮小した長さを有す
るゲートパターンまたはゲートの製造工程がより容易に
なる。
【００３１】要するに、従来はゲートパターン領域及び
フィールドポリパターン領域の両側領域に対応する位置
にクロムマスクを配置してトリムマスクを形成してい
た。このため、クロムよりなるトリムマスクを使ってゲ
ートパターンまたはゲート長を縮められたが、フィール
ドポリパターンは縮められなかった。しかし、前述した
ように、本発明に係るトリムマスクは、ゲートパターン
領域側に対応する部分に配置されるクロムマスク及びフ
ィールドポリパターン領域側に対応する部分に配置され
る位相反転マスクを含む。従って、図２Ａから明らかな
ように、ゲートパターン領域側の焦点深度マージンが確
保できると共に、図４の上段部から明らかなように、フ
ィールドポリパターン領域側の焦点深度マージンも確保
できる。
【００３２】ゲートパターン領域及びフィールドポリパ
ターン領域側の焦点深度マージンの確保により、ゲート
パターン及びフィールドポリパターンの両方の長さが縮
められるようになった。このために、本発明に係るトリ
ムマスクを使ってチップのコンパクト化も可能である。
【００３３】一方、本発明に係るトリムマスクはゲート
パターン領域側には位相反転マスクが配置されていない
ので、ゲートパターンまたはゲートの疎密による光学的
な干渉効果を補正するために行われる光学的な近接補正
はシフタだけを考慮して行える。従って、トリムマスク
全体を位相反転マスクとして使用する場合に比べて光学
的な近接補正過程がより単純化し、かつ容易になるとい
う長所がある。
【００３４】以下、図５及び図６を参照し、図３のＩ−
Ｉ断面によるトリムマスクの製造方法について説明す
る。図５Ａないし図５Ｄは、２次露光時の重畳マージン
を考慮して、すなわち仮想層５１を考慮してトリムマス
クを製造する場合である。これに対し、図６Ａないし図
６Ｃは、２次露光時の仮想層５１を考慮せずにトリムマ
スクを製造する場合である。
【００３５】熱または温度による膨脹及び収縮がほとん
ど起こらない物質、例えば石英よりなる基板６０上にハ
ーフトーン層であるＭｏＳｉ層６２、不透明層であるク
ロム層６４及びマスクであるフォトレジスト膜６６を順
次に形成する（図５Ａ）。次に、フォトレジスト膜６６
を所定長さにパターニングする。パターニングされたフ
ォトレジスト膜６６ａを使ってクロム層６４及びＭｏＳ
ｉ層６２をパターニングし、クロム層パターン６４ａ及
びＭｏＳｉ層パターン６２ａを形成する（図５Ｂ）。次
に、フォトレジストパターン６６ａを除去した後、クロ
ム層パターン６４ａが形成された基板の全面にさらにフ
ォトレジスト膜（図示せず）を形成する。次に、フォト
レジスト膜をパターニングしてクロム層パターン６４ａ
よりも小さいフォトレジスト膜パターン６８を形成する
（図５Ｃ）。このフォトレジスト膜パターン６８を使っ
てクロム層パターン６４ａをエッチングし、パターニン
グされたクロム層パターン６４ｂをさらに形成する。次
に、フォトレジスト膜パターン６８を除去してトリムマ
スクを完成する（図５Ｄ）。
【００３６】以下、本発明に係るトリムマスクの他の製
造方法について説明する。図５Ａに示されたように、基
板６０上にハーフトーン層であるＭｏＳｉ層６２、不透
明層であるクロム層６４及びマスクであるフォトレジス
ト膜６６を順次に形成する。次に、フォトレジスト膜を
パターニングし、パターニングされたフォトレジスト膜
６６ａ´を使ってその下部のクロム層だけをパターニン
グする（パターニングされたクロム層は６４ａ´で表示
されている。）（図６Ａ）。フォトレジストパターン６
６ａ´を除去した後、クロム層パターン６４ａ´を含む
基板の全面にさらにフォトレジスト膜を形成する。次
に、フォトレジスト膜をパターニングするが、この時、
フォトレジストパターン６８´はクロム層パターン６４
ａ´よりも大きくし、かつ図３の５３のエッジと一致さ
せる（図６Ｂ）。次に、フォトレジストパターン６８´
を使って基板６０上に形成されたＭｏＳｉ層６２をパタ
ーニングし、パターニングされたＭｏＳｉ層６２ａ´を
形成する。次に、フォトレジストパターン６８´を除去
して本発明に係るトリムマスクを完成する（図６Ｃ）。
以上の説明において、本発明がトリムマスクそのものに
限定されると説明したが、本発明のトリムマスクにセリ
フ校正法、ハンマーヘッド校正法、ジョッグ校正法、散
乱校正法などを採用して光学的な近接効果を補償できる
ということは当業者にとって自明である。
【００３７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係るトリム
マスクは、ゲートを含むゲートパターン領域に対応する
位置に配置されるクロムマスク及びフィールドポリパタ
ーン領域に対応する位置に配置される位相反転マスクを
含む構造となっていることから、ゲートパターン及びフ
ィールドポリパターンの工程マージンが確保できるだけ
ではなく、ゲートパターンまたはゲートの長さ、さら
に、フィールドポリパターンの長さが縮められる。これ
により、チップのコンパクト化が可能になる。加えて、
ゲートパターン領域の光学的な近接補正をより容易に行
える。
【図面の簡単な説明】
【図１】シフタ及びトリムマスクよりなる光マスクを使
って縮小した長さを有するゲートを形成する通常の方法
を示した図である。
【図２】Ａ及びＢは、トリムマスクとして各々クロムマ
スク及び位相反転マスクを使用する場合の露出偏差によ
る焦点深度を示したグラフである。
【図３】本発明に係るトリムマスクの平面図である。
【図４】本発明に係るトリムマスク及びトリムマスクの
設計時に導入される仮想層の重畳マージンによる焦点深
度を示した図である。
【図５】ＡないしＤは、図３のＩ−Ｉ断面によるトリム
マスクの製造過程の一実施形態を説明するための図であ
る。
【図６】ＡないしＣは、図１のＩ−Ｉ断面によるトリム
マスクの製造過程の他の実施形態を説明するための図で
ある。
【符号の説明】
５３…クロムマスク ５５…活性領域 ５７…位相反転マスク ５９ａ、５９ｂ…突出部

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 シフタと、 前記シフタを通った光のうちウェーハに達してはならな
    い光を遮断し、クロムマスクよりなる第１部分及び位相
    反転マスクよりなる第２部分を含むトリムマスクとを備
    える光マスク。
  2. 【請求項２】 前記第１部分はチップのゲート及び前記
    ゲートから延びたフィールドポリの所定部分を含むゲー
    トパターンが配置される部分に対応し、前記第２部分は
    前記第１部分を除いた領域に形成されるフィールドポリ
    よりなるポリパターンが配置される部分に対応する請求
    項１に記載の光マスク。
  3. 【請求項３】 前記トリムマスクの一側及びその対向側
    における前記第１部分と前記第２部分との境界が前記ト
    リムマスクの一側及びその対向側に対応し、設計時に導
    入される仮想層の一側及びその対向側のエッジと一致す
    る請求項１に記載の光マスク。
  4. 【請求項４】 前記トリムマスクの一側及びその対向側
    における前記第１部分と前記第２部分との境界が前記ト
    リムマスクの一側及びその対向側に対応し、設計時に導
    入される仮想層の一側及びその対向側のエッジと一致す
    る請求項２に記載の光マスク。
  5. 【請求項５】 前記トリムマスクの一側またはその対向
    側のうち少なくとも一側における前記第１部分と前記第
    ２部分との境界が前記トリムマスクの一側及びその対向
    側に対応し、設計時に導入される仮想層の一側またはそ
    の対向側のエッジのうち少なくとも一つと所定距離だけ
    離れている請求項１に記載の光マスク。
  6. 【請求項６】 前記トリムマスクの一側またはその対向
    側のうち少なくとも一側における前記第１部分と前記第
    ２部分との境界が前記トリムマスクの一側及びその対向
    側に対応し、設計時に導入される仮想層の一側またはそ
    の対向側のエッジのうち少なくとも一つと所定距離だけ
    離れている請求項２に記載の光マスク。
  7. 【請求項７】 前記所定距離は前記光マスクに照射され
    る光の波長よりも大きくない請求項６に記載の光マス
    ク。
  8. 【請求項８】 前記所定距離は約２，４８０Åである請
    求項６に記載の光マスク。
  9. 【請求項９】 前記トリムマスクの他側のエッジ及びそ
    の対向側のエッジが設計時に導入される仮想層の対応エ
    ッジよりも内側に配置されている請求項１に記載の光マ
    スク。
  10. 【請求項１０】 シフタを用意する段階と、 前記シフタを通った光のうちウェーハに達してはならな
    い光を遮断し、クロムマスクよりなる第１部分及び位相
    反転マスクよりなる第２部分を含むトリムマスクを形成
    する段階とを備える光マスク製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記第１部分はチップのゲート及び前
    記ゲートから延びたフィールドポリの所定部分を含むゲ
    ートパターンが配置される部分に対応し、前記第２部分
    は前記第１部分を除いた領域に形成されるフィールドポ
    リよりなるポリパターンが配置される部分に対応する請
    求項１０に記載の光マスク製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記トリムマスクを形成する段階は、 基板を用意する段階と、 前記基板上に同一の大きさを有するシフト物質層及びク
    ロム層を順次に形成する段階と、 前記クロム層をパターニングして前記シフト物質層より
    も小さいクロム層パターンを形成する段階とを含む請求
    項１１に記載の光マスク製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記クロム層パターンを形成する段階
    は、 前記同一の大きさを有するシフト物質層及びクロム層の
    上面に、クロム層よりも短いマスクを形成する段階と、 前記マスクを利用して露出されたクロム物質層を除去す
    る段階とを含む請求項１２に記載の光マスク製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記シフト物質層はＭｏＳｉよりなる
    請求項１３に記載の光マスク製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記マスクはフォトレジストよりなる
    請求項１３に記載の光マスク製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記基板は石英よりなる請求項１２に
    記載の光マスク製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記トリムマスクを形成する段階は、 基板上にシフト物質層及び前記シフト物質層よりも小さ
    いクロム層を順次に形成する段階と、 前記シフト物質層をパターニングする段階とを含み、 前記パターニングされたシフト物質層は前記クロム層よ
    りも大きい請求項１１に記載の光マスク製造方法。
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