TW514984B - Substrate exposure device - Google Patents

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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 514984 F 11 e : 8 3 Ο 8 t w Γ d 〇 c / Ο 1 2 A7 B7 五、發明説明（/ ) 本發明是有關於一種基板曝光裝置，且特別是有關 於一種藉由顯示裝置直接對光阻進行曝光的基板曝光裝 置。 微影（photolithography )可以說是整個半導體製程中 舉足輕重的步驟之一。晶圓的製作中，各層薄膜的圖案以 及摻雜的區域等都是由微影製程來決定。因此，我們通常 以一個製程所需要經過的微影次數，即其所需要的光罩數 量來衡量這個製程的複雜程度。進行微影製程時，必須先 將晶圓加溫以將其表面上的水分子蒸除，這個步驟稱爲去 水烘烤（dehydration bake )。接著進行塗底（priming )，適 當的塗底可以使晶圓的表面能調整至與光阻的表面能相 近，增加光阻於晶圓的附著力。之後才進行光阻塗佈、軟 烤（soft bake )、硬烤（hard bake )等步驟。在晶圓上的光 阻經過適當的固化之後，最後再藉由曝光（exposure )、顯 影（development )以將光罩上的圖案轉移至光阻上。 請參照第1圖，其繪示爲習知微影製程藉由接觸式 (contact mode )光罩將圖案轉移至光阻上的示意圖。首先 提供一基材（substrate )100，基材100上可具有已形成之 線路、介電層、介電層圖案、或導電層，並於表面配置有 光阻102。接著將一光罩110配置於光阻102上。爲保護 光罩表面，光罩與光組之間以保護膜104隔開，保護膜104 同時與光罩Π0的表面及光阻102的表面接觸，之後再藉 由一光源112的照射對光阻102進行曝光，以將光罩110 的圖案（pattern )轉移至光阻102上。 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4現格（210 X 297公釐） 83. 3. 10,000 ---------Φ II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tr. 514984 丨 1 e : 8 3 0 8 t vv i、· (J 〇 C / 0 1 2 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 發明説明（> ) 習知接觸式的光罩110係架構於一透明基板106上， 透明基板106的一表面上配置有圖案化遮蔽層1〇8。爲保 護光罩’夾於光罩基板106及光阻1〇2之間的保護膜104， 同時與光罩基板106及光阻102的表面接觸。其中，光罩 110上的圖案化遮蔽層108可將光源n2遮蔽以決定照射 於光阻102上之圖案。 接著請參照第2圖，其繪示習知微影製程藉由非接 觸式（n〇ne-contact mode )光罩將圖案轉移至光阻上的示意 圖。首先提供一基材（substrate )200，基材200上配置有 光阻202。接著將一光罩210配置於光阻202上方，而在 光罩210與光阻202之間配置一透鏡組214。之後再藉由 一光源212的照射對光阻202進行曝光，以將光罩210的 圖案216轉移至光阻202上。 習知非接觸式的光罩210係架構於一透明基板206 上’透明基板206的表面上配置有圖案化遮蔽層208，光 罩210上的圖案化遮蔽層208可將光源212遮蔽以決定照 射於光阻202上之圖案216，而光罩210是藉由透鏡組214 以非接觸光阻202的方式，將圖案轉移至光阻202上。 習知的光罩在製作上十分的費時與昂貴，且光罩必 須將其放置在適當的環境中保存，因此光罩在維護上的花 費很高。 此外，光罩上的圖案並無法更動，因此當晶圓或是 印刷電路板上的線路設計有所更動時，必須重新製作適用 的光罩。 4 ------------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 83. 3. 10,000 514984 A7

File:8 3 0 8 twr d〇c/〇 , 2 五、發明説明（^ ) 因此，本發明的目的在於提出一種不需要光罩的基 板曝光裝置’可以降低微影製程中因光簞製作及保存而產 生的成本。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) $發明之另-目的在㈣出-Μ可圖案化之基画 光裝置’可隨曝光圖案的需求，輕易改變其顯示之圖案，以 達到基板曝光裝置重複使用的效果。 爲達本發明之上述目的，提出一種基板曝光裝置係 由一顯示裝置與一控制系統所組成。其中，該顯示裝置係 用以顯示欲轉移至光阻上的圖案。而控制系統係用以控制 顯示裝置所顯示的圖案。 本發明的基板曝光裝置中，顯示裝置可爲一非自發 光威不#，例如液晶顯不器（Liquid Crystal Display; LCD)，或是一自發光顯示器，例如有機電激發光二極體 顯示（Organic Light Emitting Display; OLED)、高分子有 機電激發光二極體（Polymer Light Emitting Diode; PLED) 顯不器、電漿顯示器（Plasma Display Panel; PDP)、及場 發射顯7K器（Field Emission Display; FED)等。而上述液 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 晶顯τκ器包括一非自發光之液晶顯示面板，並配置有一光 源模組以提供曝光光源。 本發明的基板曝光裝置係以接觸式或非接觸式對光 阻進彳了曝光。其中接觸式基板曝光裝置的顯示裝置係藉由 一保護膜與光阻相接觸。而非接觸式之基板曝光裝置在其 顯示裝置與光阻之間可選擇性地配置一透鏡組。 爲讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 83. 3. 10,000 514984 卜 I 1 e : 8 3 ϋ 8 t \\ ί、. d 〇 c / Ο 1 2 . _ A7 B7 五、發明説明（〆） 懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明 如下： 圖式之簡單說明： 第1圖繪不爲習知微影製程藉由接觸式光罩將圖案 轉移至光阻上的示意圖； 第2圖繪示爲習知微影製程藉由非接觸式光罩將圖 案轉移至光阻上的示意圖； 第3圖繪7Γ；爲依照本發明之一較佳實施例接觸式基 板曝光裝置的示意圖；以及 第4圖繪示爲依照本發明之另一較佳實施例非接觸 式基板曝光裝置的示意圖。 ^ 圖式之標示說明= 100、200、300、400 :基材 102、202、302、402 :光阻 104、304 :保護膜 106 :透明基板 108 :圖案化遮蔽層 110 :光罩 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ----------II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 112、212 :光源 214、410 :透鏡組 216、314、414、416 ··圖案 306、406 :顯示裝置 306a、406a :液晶顯示面板 306b、406b :背光源模組 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 83. 3. 10,000 514984 ile : 8 3 0 8t\vf.doc/0 12 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（夕） 308、408 :控制系統 較佳實施例 首先請參照第3圖，其繪示爲依照本發明之一較佳 實施例接觸式基板曝光裝置的示意圖。在進行曝光製程之 前，先提供一基材300，基材300上配置有光阻302，其 中該基材300可爲不具有電路或已具有電路之積體電路(IC) 基材、印刷電路板（PCB)基材、或各式封裝基材等。接觸 式基板曝光裝置主要係由~'顯不裝置306與一'控制系統 308所構成。其中，顯示裝置306可爲一非自發光顯示器， 例如液晶顯不器（Liquid Crystal Display; LCD)，或是一 自發光顯示器，例如有機電激發光二極體顯示（Organic Light Emitting Display; 0LED)、高分子有機電激發光二極 體（Polymer Light Emitting Diode; PLED)顯示器、電漿 顯示器（Plasma Display Panel; PDP)、及場發射顯示器 (Field Emission Display; FED)等。而控制系統 308 則係 用以控制顯示裝置306上所顯示的圖案314。 本實施例所述之顯示裝置306可由一液晶顯示面板 306a與一背光模組306b所構成。其中，背光模組306b係 配置於該液晶顯示面板306a的一表面上，以作爲曝光光 源。另外，光源提供亦可採用側光源模組。由於該液晶顯 示面板306a本身即爲光閥（light valve )，藉由控制系統308 控制液晶分子在各畫素（pixel )中的排列狀態，於該液晶 顯示面板306a上構成該圖案314。由背光模組306b所發 出的光線經過該液晶顯示面板306a之後，即照射於該光 7 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 83. 3. 10,000 ---------! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、Ϊ7· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 W4984 F> le :8 3 0 8 twf.doc/0 1 2 A7 __B7__ 五、發明説明（6) 阻302上進行曝光。 此外，由於顯示裝置306會與基材300上的光阻302 接觸，故配置有一保護膜(protect film )304，使得該液晶 絲頁不面板306a藉由該保護膜304與該基材300上的光阻 302接觸。 上述液晶顯示面板306a藉由保護膜304與基材300 上的光阻302接觸以進行曝光的模式，相當於習知藉由接 觸式光罩將圖案轉移至光阻上的模式。此接觸式基板曝光 裝置通常可將液晶顯示面板306a上所顯示的圖案314以 1 : 1的比例轉移至光阻302上。 爲了方便5兌明’本貫施例中僅以液晶顯币器作爲顯 示裝置306的例子進行說明，並非限定本發明中的顯示裝 置306僅能使用液晶顯示面板，亦可爲具有自發光能力的 顯7^裝置，該自發光顯示裝置不需要配置用以提供曝光光 源的光源模組，因爲顯示面板本身即可一倂提供曝光光 源。 接著請參照第4圖，其繪示爲依照本發明之另一較 佳貫施例非接觸式基板曝光裝置的示意圖。在進行曝光製 手壬之則，先^£供一基材400，基材400上配置有光阻402， 其中s亥基材400可爲不具有電路或已具有電路之積體電路 (1C)基材、印刷電路板(PCB)基材、或各式封裝基材等。非 接觸式基板曝光裝置主要係由一顯示裝置4〇6與一控制系 統408所構成。其中，顯示裝置4〇6可爲一非自發光顯示 器，例如液晶顯示器（Liquid Crystal Display; LCD)，或 8 本紙張尺度適用中國國$準(CNS)爾（210謂公廣)~ ------------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 514984 F i le : 83 08 t\v Γ. doc/O 1 2 A7 __ B7 ___ 五、發明説明（；7 ) 是一自發光顯示器，例如有機電激發光二極體顯示（Organic Light Emitting Display; OLED)、高分子有機電激發光二極 體（Polymer Light Emitting Diode; PLED)顯示器、電漿 顯示器（Plasma Display Panel; PDP)、及場發射顯示器 (Field Emission Display; FED)等。而控制系統 408 則係 用以控制顯示裝置406上所顯示的圖案414。 本實施例所述之顯示裝置406可由一液晶顯示面板 406a與一背光模組406b所構成。其中，背光模組406b係 配置於該液晶顯示面板406a的一表面上，以作爲曝光光 源。另外，光源提供亦可採用側光源模組。由於該液晶顯 示面板406a本身即爲光閥（light valve )，藉由控制系統408 控制液晶分子在各畫素（pixel )中的排列狀態，於該液晶 顯示面板406a上構成該圖案414。由背光模組406b所發 出的光線經過該液晶顯示面板406a之後，即照射於該光 阻402上進行曝光。 此外，在顯示裝置406會與基材400上的光阻402 之間配置有一透鏡組410。該透鏡組410可經由對圖案414 進行縮小、放大、聚焦、散焦等處理後成爲圖案416。就 .目前一般技術而言，液晶顯示面板406a上各畫素之間配 置有黑色矩陣（Black Matrix，BM )，其具有遮蔽光線的效 果，可能會造成圖案解析度的問題，而影響製程良率，因 此在本實施例中，可藉由透鏡組410的配置，加上適當的 散焦處理，即可克服。 上述穿透式液晶顯示面板406a藉由以非接觸的方式 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 83. 3. 10,000 ---------Φ II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 514984 ,：11 e : 83 ο 8 tw Γ. doc/O 1 2 八7 B7 五、發明説明（β ) 對光阻402以進行曝光’相當於習知藉由非接觸式光罩將 圖案轉移至光阻上的模式。此非接觸式基板曝光裝置通常 可將液晶顯示面板406a上所顯示的圖案414等比例放大 或是等比例縮小轉移至光阻402上。 爲了方便說明，本實施例中僅以液晶顯示器作爲顯 示裝置406的例子進行說明，並非限定本發明中的顯示裝 置406僅能使用液晶顯示面板，亦可爲具有自發光能力的 顯示裝置，該自發光顯示裝置不需要配置用以提供曝光光 源的光源模組，因爲顯示面板本身即可一倂提供曝光光 源。 不論是接觸式基板曝光裝置（第3圖）或是非接觸 式基板曝光裝置（第4圖）皆可應用在印刷電路板（Print Circuit Board，PCB )上圖案化配線（routing )的製作、積 體電路（Integrated Circuit，1C )中各圖案化膜層的製作。 綜上所述，本發明之基板曝光裝置至少具有下列優 點·· 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 1. 本發明之基板曝光裝置直接將不同的圖案轉移至光 阻上，不但可以省去光罩製作的時間，而且可以使得積體 電路的自動化量產更爲容易。 2. 本發明之基板曝光裝置可以將各種不同的圖案轉移 至光阻上，不需要針對不同的圖案而製作對應的光罩在製 作成本上大幅降低。 3·本發明可省去製程上之光覃更換操作程序’同時可 避免因爲更換光罩所可能造成的污染或製程變異。 83. 3. 10,000 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS〉Α4規格（210x297公釐） 514984

Fi le : 8 3 0 8 tw t、. doc/O 1 2 . „ A7 B7 五、發明説明（f ) 4. 本發明之顯不面板與光學定位系統之位置始終保持 固定不變，可省去製程上部分的光罩定位問題。 5. 本發明的圖案是曝光時即時產生，可使即時的設計 修定、設計變更成爲可能，有利於對各別客戶的產品多樣 化設計，以及多樣化的產品客戶化設計。 6. 本發明可省去現有光罩保存及維護成本。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非 用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之 保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 29<7公釐） 83. 3. 10,000

Claims (1)

1. 514984 A8 Hne^OStwr.doc/O^ g D8 六、申請專利範圍 1·一種基板曝光裝置，可將一圖案轉移至一基材表面 之一光阻層上，該基板曝光裝置至少包括： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一顯示裝置，用以顯示該圖案，並將該圖案轉移至 該光阻層；以及 一控制系統，用以控制該顯示裝置所顯示的圖案。 2. 如申請專利範圍第1項所述之基板曝光裝置，其中 該基材爲積體電路基材。 3. 如申請專利範圍第1項所述之基板曝光裝置，其中 該基材爲印刷電路板基材。 4. 如申請專利範圍第1項所述之基板曝光裝置，其中 該基材爲各式封裝基材。 5. 如申請專利範圍第1項所述之基板曝光裝置，其中 該顯示裝置爲非自發光顯示器。 6. 如申請專利範圍第5項所述之基板曝光裝置，其中 該非自發光顯示器包括一非自發光顯示面板及一光源模 組，其中該光源模組係提供曝光光源。 7. 如申請專利範圍第6項所述之基板曝光裝置，其中 該非自發光顯示面板爲液晶顯示面板。 經齊郎智慧財產局員X.消費合作社印製 8. 如申請專利範圍第6項所述之基板曝光裝置，其中 該光源模組係採用背光源。 9. 如申請專利範圍第6項所述之基板曝光裝置，其中 該光源模組係採用側光源。 10. 如申請專利範圍第1項所述之基板曝光裝置，其 中該顯示裝置爲自發光顯示器。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ¾齊郎皆i材轰咼員11消費合阼fi印製 514984 A8 PMe:S 3 0 8 Uvr.doc/012 g D8 t、申請專利範圍 11. 如申請專利範圍第10項所述之基板曝光裝置，其 中該自發光顯示器爲有機電激發光二極體顯示器。 12. 如申請專利範圍第10項所述之基板曝光裝置，其 中該自發光顯示器爲高分子有機電激發光二極體顯示器。 13. 如申請專利範圍第10項所述之基板曝光裝置，其 中該自發光顯示器爲電漿顯示器。 14. 如申請專利範圍第10項所述之基板曝光裝置，其 中該自發光顯示器爲場發射顯示器。 15. 如申請專利範圍第1項所述之基板曝光裝置，其 中該顯示裝置係藉由一保護膜接觸於該光阻層。 16. 如申請專利範圍第1項所述之基板曝光裝置，其 中該顯示裝置與該光阻層之間，可配置一透鏡組。 17. —種基板曝光裝置，可將一圖案轉移至一基材表 面之一光阻層上，該基板曝光裝置至少包括： 一顯示裝置，係爲非自發光顯示器，包括一非自發光 顯示面板及一光源模組，用以顯示該圖案，並將該圖案轉 移至該光阻層，其中該光源模組係用以提供曝光光源；以 及 一控制系統，用以控制該顯示裝置所顯示的圖案。 18. 如申請專利範圍第17項所述之基板曝光裝置，其 中該基材爲積體電路基材。 19. 如申請專利範圍第17項所述之基板曝光裝置，其 中該基材爲印刷電路板基材。 20. 如申請專利範圍第17項所述之基板曝光裝置，其 --------------------"訂—--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 逐齊邛智i讨4¾員X-消費合阼f£印製 514984 六、申請專利範圍 中該基材爲各式封裝基材。 21. 如申請專利範圍第17項所述之基板曝光裝置，其 中該非自發光顯示面板爲液晶顯示面板。 22. 如申請專利範圍第17項所述之基板曝光裝置，其 中該光源模組係採用背光源。 23. 如申請專利範圍第17項所述之基板曝光裝置，其 中該光源模組係採用側光源。 24. 如申請專利範圍第17項所述之基板曝光裝置，其 中該顯示裝置係藉由一保護膜接觸於該光阻層。 25. 如申請專利範圍第17項所述之基板曝光裝置，其 中該顯示裝置與該光阻層之間，可配置一透鏡組。 26. —種基板曝光裝置，可將一圖案轉移至一基材表 面之一光阻層上，該基板曝光裝置至少包括： 一顯示裝置，係爲自發光顯示器，用以顯示該圖案， 並將該圖案轉移至該光阻層；以及 一控制系統，用以控制該顯示裝置所顯示的圖案。 27. 如申請專利範圍第26項所述之基板曝光裝置，其 中該基材爲積體電路基材。 28. 如申請專利範圍第26項所述之基板曝光裝置，其 中該基材爲印刷電路板基材。 29. 如申請專利範圍第26項所述之基板曝光裝置，其 中該基材爲各式封裝基材。 30. 如申請專利範圍第26項所述之基板曝光裝置，其 中該自發光顯示器爲有機電激發光二極體顯示器。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 514984 、申請專利範圍 31·如申請專利範圍第26項所述之基板曝光裝置，其 中該自發光顯示器爲高分子有機電激發光二極體顯示器。 32·如申請專利範圍第26項所述之基板曝光裝置，其 中該自發光顯示器爲電漿顯示器。 33. 如申請專利範圍第26項所述之基板曝光裝置，其 中該自發光顯示器爲場發射顯示器。 34. 如申請專利範圍第26項所述之基板曝光裝置，其 中該顯示裝置係藉由一保護膜接觸於該光阻層。 35. 如申請專利範圍第26項所述之基板曝光裝置，其 中該顯示裝置與該光阻層之間，可配置一透鏡組。 --------------------訂---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ¾齊曰i讨查苟員1_消費^咋^^-製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ 297公釐）