TW496025B - High repetition rate gas discharge laser with precise pulse timing control - Google Patents
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496025 五、發明說明(1 ) 本發明係下列諸專利案及專利申請案之部分繼續申 請:2000年十二月二十二日提出申請案編號09/748,3 16 號,2000年十月六日提出申請案編號684 629號以及1999 年八月九日提出之申請案編號〇9/37〇,739號而現在為美國 專利案第6,151,346號,它係1998年七月十八日提出之申請 案編號09/1 18,773號之部分繼續申請而現在為美國專利案 第),936,988號以及2000年六月三十日提出之申請案編號 09/608,543號。本發明有關於氣體放電雷射,以及特別地 有關於高重複率氣體放電雷射。 發明之背景 電放電氣體雷射 電放電氣體雷射係眾所熟知,並在1 96〇年代中雷射係 經發明後之立刻即已能提供。兩電極之間高電壓放電激發 一氣體增盈介質。一諧振腔含此增益介質者可讓光之激勵 放大,它係隨後呈一雷射光束之形態自此腔萃取。甚多這 些電放電氣體雷射係呈一脈波模式地操作。 激元雷射 激元雷射係一種特殊類型之電氣體放電雷射,並自從 1970年代中葉即已為眾所習知。有用於積體電路光刻之激 元雷射之說明係說明於美國專利案第5,〇23,884號中,此案 於1991年六月十一日頒授,標題為“輕便激元雷射”,以及 美國專利案第5,991,324號中,此案於1999年十一月二十三 曰頒授,標題為“可靠,單位體,生產品質狹帶氪氟激元雷 射”。兩者專利案業已讓渡給本申請人之雇主,以及這些專 4 五、發明說明(2) 利案係在此引介入本文中作為參考。上述專利案中所說明 之激元雷射係高重複率脈波雷射。在第丨圖中,雷射10之主 要元件係經顯示(第1圖相當於專利案884中之第1圖)。此放 電器22係在兩個長形(大約23吋)電極18和2〇之間,以大約 5/8吋間隔分開。早期技藝雷射之重複率,就像其中一個所 发明者,典型地係在大約每秒至2〇〇〇脈動之範圍以内。 這些高重複率雷射通常提供以氣體循環系統。在上文言及 之雷射中,此係以一長松鼠籠類型風扇導46來完成,有葉 片48如第1圖和第2圖内所示,那係專利案,884號中之第7 圖。此風扇葉片結構些許地較電極18和2〇為長並提供足夠 之循環,俾使脈波率在1〇〇至2〇〇〇Hz時,電極之間放電擾 動之氣體係在脈波之間被清除。使用於雷射中之氣體含 氟,它係極端地具反應性。驅動風扇軸13〇之此風扇轉子係 藉密封構件136被密封於由藏置結構構件12和14所提供之 同一環境系統以内,一如專利案,884號之第9節第45行處所 解釋者,以及此馬達定子140係在密封構件136之外面,並 因此而受到防護而不受氟氣體之腐蝕作用。由電放電和氣 體之急速循環所產生之氣體中之熱係由翼片之水冷式熱交 換器58所移出。這些雷射之一最重要之用途係作為一光源 用於積體電路光刻。這些雷射之最小輸出波長係由此氣體 混合體所決定。一氪氟激元雷射操作在大約248nm ; 一氬 氣激元雷射操作在大約193nm,以及一 F2激元雷射操作在 大約157nm 〇 脈衝功率 496025 五、發明說明(3) 在美國專利案第5,023,884號中所說明之此型電發電 氣體雷射利用第3圖内所示之一電脈波電力系統以產生電 放電於此兩電極之間。在此類早期技藝系統中,一直流電 源22充電一電容器組稱之為‘‘充電電容器,,或“c〇”42者至一 預定之及控制之電壓稱之為‘‘充電電壓,,者用於每一脈波。 此一充電電壓之量可以在大約500至1000伏特之範圍内。當 C〇業已被充電至預定電壓之後,一固態開關46係閉合以容 許貯存在C〇上之電能以成一圓圈非常快速地通過一串聯之 磁壓縮電路,包含電容器組52,62和82,及感應器48,54, 64 ’以及一電壓變壓器56,以產生高電壓電位在大約1600 伏特之範圍内橫越產生此放電之此電極持續大約5〇ns。 在早期技藝之光刻雷射系統中,固態關開之閉合和放 電之間之時間係在大約5微秒之範圍内;不過,C〇之放電精 確地至此預先選定之電壓在過去曾須要大約4〇〇微秒,那對 少於2000Hz之脈波重複率言係足夠地快速。讀者應瞭解, 即由於C0上電壓位準之控制係在這些系統中,故精確之 之充電係非常重要,雷射操作者在放電電壓上所有之唯一 貫際控制依序地係雷射脈波能量之主要決定者。對用作積 體電路製造之雷射光源言,脈波之精確時序未曾是決定性 地重要,由於對步級機和掃瞄機在晶片上之目標區兩者係 以若干脈波照明,諸如在幾毫秒之間隔中大約2〇至4〇脈波。 調製盤 使用於積體電路光刻之調製盤含要予以應用至矽晶片 之圖形無為處理程序之一部分以產生此積體電路。在調製 6 五、發明說明(4) 盤上之圖形典型地係晶片上相當影傻 田〜诼之二倍或四倍大。雖 然如此,但在調製盤上之面積仍然係非常小,亦即,數百 宅微米。在調製盤上之這些圖形在過去典型地曾經產生以 電子光束,以及調製盤和晶片兩者典型地曾經以可見光顯
微鏡作檢查。 I 吾人所需要者係激之雷射系統對調製盤和晶片兩者之 調製創造和檢查均有極佳之效果。 本發明之慨述 本發明提供一高重複率,輕便,單位體之氣體放電紫 外線雷射。此雷射係有用於在一積體電路製造程序中作為 用於非常急速之晶片檢查之一種光源。它係亦有用於以非 常急速之速度作調製寫出。一較佳具體例以1000至4000只2 之脈波重複率操作,並係為全天候廿四小時生產線操作而 设计。此一較佳具體例包含一脈控單元,它控制脈波之時 序至一較4塵(10·4)為小之精確度。此一氣體放電雷射之較 佳具體例可以構形以操作以一氪氟(KrF)氣體混合體,一氩 氟(ArF)氣體混合體,或&氣體混合體,各具有一大約緩衝 氣體產生248nm,197nm或157nm紫外線光脈波。 圖式之簡要說明 第1和第2圖顯示早期技藝雷射室之橫越戴面圖。 第3圖顯示早期技藝脈波電力系統之一電路圖。 第4圖顯示一為使用本發明作為用於調製寫出之一光 源之系統。 第5圖係本發明之一較佳具體例之方塊圖。 五、發明說明(5) 第6圖係一較佳具體例之雷射室之橫截面圖。 第7圖係一部分之第6圖之雷射室之橫截面圖。 第8圖係為一較佳具體例繪製之一脈波電力系統。 第9圖顯示一較佳諧振腔。 第10圖顯示減小之雷射頭感應之效果。 第11圖顯示用於顫動控制之技術。 較佳具體例之詳細說明 第一較佳具體例 本發明之第一較佳具體例係以方塊圖顯示於第5圖 内。此一雷射系統2係一單位體,以及主要模組係為易於在 雷射房4内更換而組裝,並係經指示於第1圖内。這些模組 係雷射室6,高壓電力供應8,固態磁開關模組1〇,冷卻水 模組12 ’氣體模組14,控制模組16,以及能量監控模組18。 此雷射糸統係詳細說明如下文。 雷射糸統 此一雷射系統係為生產線之操作而設計。這些雷射係 經預期實際上連續地以1〇〇〇1^至4〇〇〇1^或更大之範圍内 之脈波率來操作,每天廿四小時,每週七天,每年52週, 以最少之停工時間供保養用。預估之使用率係每年2〇〇億脈 波。此雷射必須是為最少用於保養之停工時間而建造。它 係呈甚多方式設計,像一生產線光刻雷射系統諸如一種經 說明於美國專利案第5,991,324號中者,但有甚多重要之相 異處在此一雷射中。主要之差異係本發明並不需要使線條 縮狹’同時脈波能量係較用於光刻所須要者有幾分為低。
4Λ6025 五、發明說明(6) 不過,個別脈波能量規格包括脈波之時序(至少當使用於掩 蔽寫出時)係較那些用於光刻雷射者更緊密。同時雷射光束 之相干性之在此一雷射中者,當對早期技藝光刻雷射比較 ’係大體上被減小。此雷射系統係較小甚多,大約為血 型之早期技藝之高重複率光刻雷射之大小之一半。 主要用途 本發明之此雷射系統係目前預期為主要地使用於調製 寫出和晶片檢查。 調製寫出 本發明係特別地有用於供使用在積體電路光刻用之調 製盤之製造。用於使用本發明之調製寫出之一較佳技術係 顯示於第4圖内。此一技術使用自本發明之雷射系統之先以 印製一圖形於配置在一透明基片上之薄鉻膜上。此圖形可 以要就是用光束汽化鉻,或者藉使用係由紫外線光熱化處 理之一光阻,以及後續之酸劑處理以移出來受保護之鉻, 而以雷射紫外線光來產生。這些技術係詳細地說明於美國 加州Santa Clara所舉行之SPIE 2001年微光刻會議時由 Torbjorn,Sandstrom等人所呈現之文獻:‘‘高性能雷射圖形 產生使用特殊光调製^|(SLM)及深紫外線幅射” 一文中。它 亦經呈摘要形態地說明如以第4圖為基準之后文。在此一光 罩寫出系統2 0中,自本發明之一激元雷射2之光係由分束器 22反射上至特殊光調製器24,它以極端快速之速度調製此 光。此係以諸如一百萬反射鏡陣列(1〇〇〇 χ 1〇〇〇)之極小反 射鏡表面之一尚陣列之極小反射鏡表面來完成,此陣列係 9 496025 五、發明說明(7) 電腦控制以反射所要之圖形,通過分束器22,透鏡26,光 圈28和透鏡30,以產生所要之圖形於調製盤32上。調製盤 32之位置係由干涉儀控制之定位系統34作精密地控制。 光罩檢查 本發明之雷射之其他主要用途係用於晶片檢查。在此 一應用中,自本文所說明之雷射之一雷射光束係用來照明 一小部分(大約100 em2至1mm2)之晶片,以及此反射之光 係經成像在一CCD攝影機之象素陣列上。此CCD攝影機圖 形隨後係由處理機對一預期圖形作比較,以確定此晶片是 否業已正確地被處理。此一檢查係期望成為自動積體電路 製造生產線之部分,俾使此晶片係自動地步入供檢查用之 位置内,於檢查時自動地被掃描,以及隨後於完成檢查後 步入下一步驟上。一典型晶片包含大約100cm2之積體電路 表面區。因此,當1 〇〇 # m視點係使用時,總共大約一百萬 數位照片必須為一完全之檢查拍攝此晶片。如果每一脈波 拍攝一照片而此雷射係以3〇〇〇Hz操作時,此檢查係需要大 約333秒或大約6分鐘。 雷射系統詳細說明 雷射室 一横載面圖顯示本發明之一較佳具體例之雷射室模組 6之重要特徵者係顯示於第6圖内。放電區之放大圖係顯示 示於第7圖内。此室係閉合於一壓力容器4〇内,此壓力容器 包含突出直徑之鋁管41具有鋁終端凸緣。管之壁厚度係 20mm或30mm用於400kPa和600kPa之間之設計壓力。電極 10 五、發明說明(8) 42和44係4G公分長,並係以大約6mm間隔分間以及產生大 約4mm之放電寬度。電極42,作為陽極言及之者,係以五 個饋電桿46連接至-高透鏡48,它係由蜂化電容器組 50賦此電極44係作為陽極言及者,並係電定置於陽極支 承條52上之接地線處。在此一具體例中,2〇個電流回行葉 片54提供一低電感反觀至峰化電容器組⑽之接地線一邊。 -早-預電離化H管52類似於早期技藝光刻電射中所使用 者包含一鋁質中空圓筒形有一接地桿在中央以及一導電 凸緣54運轉此管之長度,並以一彈簧力量握靠此管,應用 峰電容器之高電壓電位至預電離子化器之外表面,通常地 電漿在此表面上於每一放電之開始處,以便在兩電極之間 之放電區内產生預電離子。雷射氣體係在室4〇内以3吋直徑 電風扇56循環,此風扇係由單一DC水冷式馬達所驅動。馬 達之轉子係利用一薄罐密封單元而被密封於雷射氣體環境 之内面俾使馬達定子係*暴露於此雷射氣體環境^此一馬 達設計係詳細地說明於美國專射請案編號第,48,316 號中’其内容係引介於本文作為參考。用於風扇之轴承係 陶瓷軸承一如美國專利案第6,2〇8,675號中所說明者(如果 水冷係不需要時’說明於’675號專利案中之馬達應予使 用)。 此雷射氣體係維持在大約3(rCs5(rc之理想溫度範圍 以内’以-個或多個翼片之水冷式熱交換器57之一類型經 說明於美國專利案第6,128,323號中者。 脈波電力 496025 五、發明說明(9) 用於此一較佳具體例之脈波電力供應係說明於美國專 利案第5,142,166號之脈波電力供應之改良式版本。 第7圖係一較佳脈波電力系統之一電繪圖,用以提供在 電極42和44之間為產生放電所需要之電脈波。此圖並不顯 示係在本較佳具體例中所利用之充電單元,該單元係一型 之諧振充電器經說明於美國專利案第6,028,872號中者。此 型諧振充電器可充電CG上至1500伏特以每秒4000電荷之速 率〇 置於C〇上之電荷係由一脈衝能量控制器所控制至一大 約0.1 %之精確度。cG上電荷之精確度係非常重要。因為c〇 上之電荷測定放電能量。當自控制模組16之一命令時,開 圖TR1係通過二極管D!,飽和感應器60和感應器1^而閉合 放電C0,以便將電容器組(^充電起來。電容器(^係通過飽 和感應器MSC1諧振地放電,以提供一大約15〇〇伏特脈波 於脈波變壓器62之主要邊。脈波變壓器62係說明於美國專 利案第5,142,166號中之一般類型之1/12至1脈波變壓器。此 一脈波變壓器以大約12之因數放大脈波電壓,例如,自15〇〇 伏特至18,000伏特,或自大約2000伏特至24,000伏特。此 一變壓器係包含有六個中空捲線軸構形之心軸,各纏繞以 Metglass以形成六個心,每一心有單一主繞組與其他心之 主繞組並聯。變壓器之副繞組係包含兩個同軸導體相互徑 向地絕緣,但呈串聯地連接並傳送通過六個心之中央。 變壓器62之輸出電壓充電電容器組Cp•丨,以及它通過 飽和感應器MSC2放電以充電峰電容器Cp,它依序地提供 12 496025 五、發明說明(10) 電位以產生所說明之放電橫越電極42和44。在此一較佳具 體例中,用於第7圖之脈波供應系統之組件之電容量和電感 之較佳值係如下:
C〇電容量 =1J // F
飽和感應器60飽和之電感 =500nH 感應器Li飽和之電感 =700ϋΙΙ
Ci飽和電感 =le27#F
飽和感應器MSC1飽和電感 =14nH
Cp·〗飽和電感 =8.8nF
飽和感應器MSC2飽和電感 =80nH
Cp飽和電感 =8.8nF
此一電路利用美國專利案第5,729,562號中所說明之 技術提供能量還原。偏壓電路經顯示於64和66處者偏壓電 路中之飽和感應器以初始地反抗自充電電容器(30流至電極 之電能。不過,在開關TR1之閉合之後此感應器於一時間 之後變成飽和以容許能量向前流動至電極。由於一失配, 橫越此放電流動之電子首先自陰極42至陽極44,以及隨後 立刻地向後橫越此放電區,自陽極44至陰極42以反相地充 電Cp。由於所有飽和感應器繼續向前導電至幾微秒於脈波 開始之後。此未消耗之脈波能量通過同一路程之電路回行 至C〇以放置電荷於C〇上相反於由諧振充電器所應用者。此 電荷係立刻地由電荷倒反電路66倒反一如美國專利案第 5,729,562號中所說明者。 頭電感 13
本發明之具體例由於包括Cp和電極42和44之脈波電力 毛路之4刀之電感上之減小而以效率上之實質改良來操 作,經顯不於第8圖内70處。此一減小曾經藉利用五個饋通 銅桿來連接Cp電谷器組之高壓匯流排至陽極42,以及廿個 熱處理之鍍鎳不銹鋼板以作用如一電流回行至回行電流, 自陽極44至Cp電容器組之地線板來達成。這些改變已導致 此一電路之放電電感上之減小至少κ5ηΗ。此一減小之效 果在脈波能量和能量穩定性兩者上係顯示於第9圖之曲線 内’在該處貫際電感係與電感上30°/。和一 300%之增加作比 較。這些較高值典型地係屬早期技藝放電雷射之脈波電力 電路之此一部分之電感值。
脈波監控器
本發明之較佳具體例包括脈波能量監控器18如第5圖 内所不。一較佳監控器係一非常快速光電極體類似於美國 專利案第6,128,323號中所說明者。此一光電二極體之輸出 係已發送至微控器16,它利用此輸出以選擇用於下一脈波 之充電電壓,以及如果須要時來為顫動作改正,一如下文 所έ兒明者。每一脈波之能量和顫動係經監控,以及此結果 係實時地對規格限制作比較。如果任一參數係在理想限制 之外時,適當行動將立刻進行。 g由射糸統係用作檢查自動控制裝備時係經適當地規 劃以重複此檢查於一規格之外之脈波能量或顫動係經計量 時。如果規格之外之頻率和範圍發生超越一預定位準時, 改正性之維護保養係被要求。當此系統係用作調製寫出 14 五、發明說明(12 ) 時,規格之外之脈波能量或顫動可能毀壞此調製盤。因此, 在一具:體例中用於雷射系統之控制指示一警告當規格之外 之資訊係被探測時。此一資訊可以利用以要求調製之特殊 操作後檢查。 顯示於第5圖内18處之脈波能量監控器亦可以被併合 入一脈波能量改正環路内,諸如美國專利案第5,852·621號 中所說明之“具有脈波能量修整器之脈波雷射”。此一技術 計量此脈波能量,強迫此輸出光束進入一延遲環路中,隨 後修整一部分之能量脫離此脈波以便能達到理想之輸出。 另一可供選擇方式為使用專利案,621號中所說明之一 般技術以反射出任何不良脈波要就是由於規格之外之脈波 能量抑或顫動。此將容許調製寫出系統來支援並再次寫出 由不良脈波所表示之此部分。 顫動補償 一如第4圖内所指示以及上文所提供之調製寫出裝備 之說明,由反射鏡陣列24所產生之圖形係寫出於目標32上 一如此目標32係由定置裝備34所定置者。反射鏡陣列定置 係非常快速,以及反射鏡分段係再定置並於每一脈波之開 始處即在適當位置,該脈波係以例如每秒3〇〇〇脈衝之速度 所產生。不過,目標32典型地以連續速度移動,例如,以 每秒100mm(亦即O.lnm/ns)。微控制器因此必須控制脈波之 時序,俾使脈波能量係澱積在目標之理想位置内。由於調 製盤上特徵之面積係在大約1〇〇11111至20〇11111之範圍或更 小,故至為重要者即脈波之時序係足夠地精確以容許脈波 15 496025 五、發明說明(l3 ) 能量予以澱積者在理想位置之大約10至20nm或更小之範 圍以内。由於此目標時下地係正以大約〇.lnm/ns之速度移 動,以及將在未來以一更快速速度移動,故此脈波之時序 須要精確至1〇〇至200ns以内,以及適當地在10至20ns以 内。脈波定時内之差誤係稱之為顫動。 為上述原因,用於調製寫出之脈波之時序係較用於積 體電路光刻之脈波之時序更重要得多,在積體電路光刻處 一晶片之剖面係暴露至大約15至50脈波,以及實際需要予 以精確之脈波之時間僅至若干微秒。 本發明之此一具體例提供一顫動控制技術稱之為顫動 補償裝置(JCD),它確保該脈衝時序係精確在大約i〇_2〇ns 以内。自一輸入觸發器之光延遲躭視固態開關之脈波電力 模組之電壓而定。充電電壓愈高則觸發器和雷射脈波之間 之延遲愈短。觸發器至光線之間之延遲亦耽視脈波電力系 統内面之磁鐵之溫度而定。因此,觸發器至光線之間之延 遲係電壓和溫度之作用。脈波電力系統内磁鐵裝置之溫度 愈高,則觸發器和脈波之間之延遲則愈短。但固定之電壓 和溫度’具有此輸入觸發器之光脈波之自然脈波對脈波之 變化係很小,大約+/_5ns。 因此’在一較佳具體例中,自此使用者之一觸發之後, 此顫動控制延遲以相當於雷射之操作電壓和磁鐵之溫度之 一份量發送此觸發至雷射之圖態脈波電力,俾使產生之脈 波之時序係精確至大約2〇ns以内。 在另一具體例中,此脈波控制器根據用於正要上來之 16 496025 五、發明說明(μ 脈波之特殊充電電壓而為充電電壓上之變化來調整脈波之 時序。在此一具體例中,沒有用於溫度變化之直接改正係 經提供。不過,根據自先前脈波所計量之時間差誤一改正 係對此時序達成。由於磁鐵構件之溫度變化得很慢,此一 脈波時間反饋技術在影響為緩慢變化之溫度之補償上有效 果’並在同一時為其他更適當之影響提供補償。 此一特殊具體例使此反饋改正利用一技術,它應用一 完全100%改正用於較大時間差誤,諸如較20旧為大者,但 為較小時間差誤,諸如,例如少於20115者,僅25%之一改 正係經應用。此一較小百分比改正避免圍繞零差誤之振盪。 此一特殊具體例亦應用一策略,以利用具有一 40ΜΗΖ 晶體振盪之數位計數器之廣闊動態範圍來達成一丨塵秒解 决辦法。此40MHz振盪器提供以25ns間隔之時鐘信號,但 這些信號係經利用來充電一大約地線性類比電容性充電電 路。在此電容器上之電壓隨後係讀取以測定時間精確度至 大約1.0ns。 諧振腔 本發明之較佳具體例利用一曲線對曲線之諧振腔組 怨。此一組怨係在第8圖中顯示。一如第8圖内所示,此諧 振腔包含一 Rmax反射鏡和用於輸出耦合器之一局部地反射 之反射鏡。兩者反射鏡有一凹曲率之大約10米者,它有產 生一非常不相干之激元雷射光束,它係大體上發散。此 反射鏡有一大約100%之反射比,以及此輸出耦合器有一大 約4至30%之反射比在輸出耦合器之内面邊上,以及一反反 17 496025
五、發明說明(15) 射塗層在外面邊上。 各種變更仍可對本發明形成而不改變本發明之範圍。 那些精於此技藝者將瞭解甚多其他之可能變化。例如,以 非常高重複㈣高任務㈣之操作可能需要雷射氣體和雷 射之其他構件謂加冷卻,“域轉件,脈波電力構 件和風扇馬達。
依此,上文所揭露者係無意予以限制,以及本發明之範圍 應由附列之專射請和其法定等義來決定。
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五、發明說明(〗6) 元件標號對照 2…雷射系統 42,52,62,82…電容器組 4…雷射房 42,44···電極 6…雷射室 46···固態開關,饋電桿 8…高壓電力供應 48···葉片,高電壓透鏡 10…固態磁開關模組 48,54,64···感應器 12…冷卻水模組 50…峰化電容器組 14…氣體模組 5 2…支承條 16…控制模組 54…電流回行葉片, 18,20···電極 導電凸緣 18…能量監控模組 56···變壓器,電風扇 20…光罩寫出系統 57…熱交換器 22…分束器,放電器 58…水冷式熱交換器 24…光調製器 60…飽和感應器 26,30…透鏡 62…脈波變壓器 28…光圈 64,66…偏壓電路 32…調製盤 66…電荷倒反電路 34···定位系統 130···風扇轴 40…壓力容器 136···密封構件 4L···鋁管 14 0…馬達定子 19
Claims (1)
- ^0025 BS cs DS 申請專^#.圍 h 一 複率生產品質之氣體放電雷射系統| Γ:ϊ:-4:ί fTEr 動餐1¾置者,該系統包含: … A) —雷射室包含: 1) 一雷射氣體, 2) —對伸長之電極界定一放電區域, 3) —風扇用於循環該雷射氣體於該電極之間; B) —脈波電力系統,用以提供高電壓之電脈波以產 生放電,以1000Hz或更大之重複率橫越該電極, C) 一控制器經構形以控制所有或大體上所有該放 電之顫動至一精確度在0.2微秒以内。 2.如申請專利範圍第1項之雷射系統,其中該控制器係經 構形以控制該〇 · 1微秒或更小以内之精確度之時序。 3·如申請專利範圍第丨項之雷射系統,其中該控制器係經 構形以控制該時序至1〇〇至2〇〇微秒或更小之精確度。 4·如申請專利範圍第1項之雷射系統,其中該控制器係經 構形以控制該時序至10至20微秒或更小之精確度。 5 ·如申凊專利範圍第1項之雷射系統,其中該雷射室係被 含於一易於可更換之模組内。 6·如申請專利範圍第5項之雷射系統,其中大多數之脈波 电力糸統係被含於易於可更換之模組内。 入如申請專利範圍第6項之雷射系統,其中所有或大體上 所有該雷射系統之構件係被含於易於可更換之模組内。 8·如申請專利範圍第丨項之雷射系統,其中該雷射系統係 經構形以作用如一調製寫出系統中之光源。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 ^---------^ — -------------.--------- 20 經^-部智慧財產局員工消費合作社印製 申Μ專利範圍 9·如申請專·利範圍第1項之雷射系統,其中該雷射系統係 經構形以作用如用於調製檢查系統之光源。 10·如申请專利範圍第丨項之雷射系統,其中該雷射系統係 經構形以作用如用於一晶片檢查系統之光源。 η·如申請專利範圍第!項之雷射系统,其中該脈波電力系 統L 3 —人電路,此次電路包括一峰電容器組和兩個電 極’其中該次電路有一小於5ηΗ2電感。 12·如申請專利範圍第1項之雷射系統,其中該重複率係大 約2000Hz或更大。 如申叫專利範圍第1項之雷射系統,其中該重複率係大 約3000Hz或更大。 14·如申請專利範圍第丨項之雷射系統,其中該重複率係大 約4000Hz或更大。 1 乂如申請專利範圍第1項之雷射系統,其中該雷射氣體係 包含氪,氟,和一緩衝氣體,以及該系統係經構形以產 生有大約248nm之波長之雷射光。 16.如申6月專利範圍第1項之雷射糸統,其中該雷射氣體係 包δ 1,氟以及一緩衝氣體,以及該系統係經構形以產 生有大約193nm之波長之雷射光。 17·如申請專利範圍第1項之雷射系統,其中該雷射氣體係 包含氟和一緩衝氣體,以及該系統係經構形以產生有大 約157nm波長之雷射光。 18·如申請專利範圍第1項之雷射系統,其中該系統包含兩 個反射鏡界定一諧振腔,該反射鏡之一有高反射比在由 本紙張尺度適用中國國家標準(CNs)A4規格(210 X 297公釐) I — — — — — — — — —— I. _ I I I I I I I — — — — — — — I· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 21 4^6025 AS BS CS DS 申請專利範圍. 該雷射系統所產生之雷射光束之波長處,以及另一該反 射鏡係一局部反射之反射鏡,並經構形以作用為一輸出 耦合器,兩者反射鏡係凹反射鏡。 19.如申請專利範圍第丨8項之雷射系統,其中該局部反射之 反射鏡有一反射比在4%至30%之範圍内之波長處。 20·如申請專利範圍第18項之雷射系統,其中每一該反射鏡 有一凹曲率之大約1〇米者。 (請先Μ讀背面之注意事頊存填寫本黃> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公 22 I I n n i ί ϋ n 一<fj ϋ l i n n I I ϋ I I I ϋ n ϋ n n n -I ϋ «ϋ ϋ n ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ '
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/608,543 US6721340B1 (en) | 1997-07-22 | 2000-06-30 | Bandwidth control technique for a laser |
US09/684,629 US6442181B1 (en) | 1998-07-18 | 2000-10-06 | Extreme repetition rate gas discharge laser |
US09/748,316 US6477193B2 (en) | 1998-07-18 | 2000-12-22 | Extreme repetition rate gas discharge laser with improved blower motor |
US09/837,035 US6618421B2 (en) | 1998-07-18 | 2001-04-18 | High repetition rate gas discharge laser with precise pulse timing control |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW496025B true TW496025B (en) | 2002-07-21 |
Family
ID=27505085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090116015A TW496025B (en) | 2000-06-30 | 2001-07-18 | High repetition rate gas discharge laser with precise pulse timing control |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4080712B2 (zh) |
TW (1) | TW496025B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5368530B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2013-12-18 | 株式会社小松製作所 | 注入同期式又はmopa方式のレーザ装置 |
-
2001
- 2001-07-02 JP JP2001238447A patent/JP4080712B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-18 TW TW090116015A patent/TW496025B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002151770A (ja) | 2002-05-24 |
JP4080712B2 (ja) | 2008-04-23 |
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