TW493068B - Inspection tool and method for pollution status on wafer surface - Google Patents

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Kumiko Yanagi
Harumi Shibata
Seiji Nagai
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Komatsu Denshi Kinzoku Kk
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Description

五、發明說明（1) 【發明所屬技術領域】 <本發明係有關於一種在檢測半導體晶圓表面之污 所使用的器具以及其相關技術，且特別有關於一種 ^曰日圓表面的污染物質施行水萃取時非常適用的哭具。 【習知技術】 -。
At由於晶圓表面之污染係造成半導體元件之產率或付 m性降低之原因’故在半導體製造工程中 數氺多的洗淨工程，雖然如此但最後還 =為 形發生。'然而，在如上等污染之情 污染源進行污染原因之查明，乃係；J導:對特定 潔淨度之必要工作。且复 …、寺+ V體衣&工程高 度·高集聚化而日益提高。 伴隨著半導體元件之高密 在此處，關於晶圓表面污 表面上之污染物質:，系先將晶圓 (例如，「ICP一Ms」：古 ^卒取出來，再以分析裝置 )對該溶液進行定質^感應結合電漿質量分析裝置 然後’就用來供予；2析。 關習知技術而言，係疒^刀斤過程用之污染物質之萃取相 薄膜袋之中放人晶圓:加T技術：先在溫水袋萃取用 取用薄膜袋中之純水内 ，再將浸泡於該溫水袋萃 内，接著對晶圓表面上 保持原狀態而移置到恆溫槽 【發明所欲解決之課題】’亏木物質施行萃取。 仁疋在半導體製造工程中，曰口 ’日日圓的表面側（鏡面侧 $ Λ發明說明（2) >與裏面側之 大。當然，污 與畏面側而言 佳，但是在上 中來自晶圓表 後係混 行檢測 關 再藉由 萃取之 面之污 表面或 皆須進 晨面側 此 到正確 置本身 的表面 力之問 更 表面之 故不僅 還進而 度，因 合在一 〇 於該點 施加振 萃取裝 染物質 裏面的 行污染 萃取用 外，因 的污染 之洗淨 施行各 題產生 進 同 步 表 對晶圓 對在同 此不僅 處理完全不 染狀況亦大 ’係以個別 述習知之萃 面側與裏面 起’故無法 ’亦存在有 動而可將晶 置。若依據 進行萃取， 其中一面施 狀況之檢測 共2片晶圓£ 為必須將萃 物質，故每 。由上可看 面萃取時， ’伴隨著近 面的每一既 同，所要求之潔淨度的差異亦很 不相同。因此，就晶圓的表面側 對其表面之污染狀態施行檢測較 取方法中，由於在萃取處理過程 側兩方之萃取物（污染物質）最 僅對晶圓的表面側之污染狀態進 在平置的晶圓表面上添加純水後 圓表面之污染物質就各單面進行 该萃取裝置的話，的確可就各單 但ί於在每1次的檢測中僅能就 ::卒取’故在晶圓的表面、裏面 守，就必須準備表一萃取用與 取裝置本身之污染本 做1次的萃取就必須1才此檢測 出，在使用該萃取裝仃萃取裝 會有全程花費掉拫:來將晶圓 夕的時間與勞 年來晶圓的大直押仏 ^ - 化’對於晶圓 裏面側要求須有均j疋必要的， 之表變 表面上所 提高了斜夂含之複數部份要求有3淨度’ 门了對各單面進行檢測C同的潔淨 要性，也提高
五、發明說明（3) 二對在同-面内所限定部份之污染狀態進行檢測的必要 。但是在上述之所有方法中，皆對於檢測限定在晶圓表 面上之既定部份的污染狀態有困難。 本發明即係有鑒於以上之問題而提出，其目的在於提 :一種器具’該器具能對污染晶圓表面之污染物質迅速且 t貫地進行每一單面萃取或晶圓表面之一部份的萃取。 【用以解決課題之手段】 為了解決以上之課題，本發明者在經過反覆銳意研究 曰；Π ί於作為檢查對象之晶圓的表面上藉由將該 3的表面與裏面之某—部份各自獨立地圍住，再對該被 ，住的部份施行各自獨立地萃取溶劑之供排，料個別同 、:且獨立地對上述作為檢查對象之晶圓表面的表面與裏面 仃π染物質之檢測，同時亦想到實現該構想的適合哭 具’終至完成本發明。 °。 此外，在上述步驟進行當中，亦想到將作為檢查對象 圓收納於處理用的薄膜袋内，再於該薄膜袋内施行 W /谷劑之供給排出，如此就無須一 一進行萃取器具的洗 且不但可保持萃取器具的潔淨狀態，同時亦 刼作變得簡便。 卒取 人關於將上述想法具體化之本發明的晶圓表面污染狀熊 之&測工具’基本上係利用以下的思想來實現。 (1 ) 一種晶圓表面污染狀態之檢測工具，該工具係 用=ϋ為檢查對象之晶圓表面的污染物質施行萃取時所使 、器具，其特徵在於：其係由將該晶圓從兩面予以夾合 493068 五、發明說明（4) ::合之!對晶圓夹持體所構成，而在上述i對之晶圓央持 = 之晶圓夾持體的與上述晶圓之正接側的 二t i具有將具有既定之出入口之上述晶圓表面之某 二”分包圍住之灣狀凸部材，並在隔著上述灣狀凸部材所 上ϊ ί i述1曰圓夾持體與上述晶圓之間的空間内施行供予 上述卒取之溶劑的儲留。 且，！2中)在如卜上二(二所述之晶圓表面污染狀態之檢測工 :檢的下部上具有用來支承上述作 Γ:ίί!ΐ θΓ 支承構件，並可藉由該支承構 1干木3¾疋上述晶圓之位置。 丹 (3 )如上述（1 )或上述（2、 狀態之檢測工具，其中上述、H 之晶圓表面污染 ⑷如上述⑴所；為！狀構件。 具’，中上述灣狀凸部材之灣狀為圓周：…之檢測工 上述(;；：種2晶)圓表(面3冗：^^ 態之檢測工具以及收納上述染狀 中所收納的合:::在於:係將在上述袋體 (6) —種如上述（5)所述之曰 測工具組用的處理袋體，其特徵在；可染狀態之檢 灣狀凸部材所圍區域的形狀以及上辻^ =衣體係對應上述 定出形狀而於該形狀之材之上述既 使用如上述般的袋體時，因為可很容易的儲留用作 493068 五、發明說明（5) 污染物質萃 在本發 (7 )-附著於作為 來檢測該污 晶圓的表面 獨立地圍住 劑之供排， 圓表面的表 此外， 染物質之萃 用該方式之 亦可充份被 合適。 的器具之使 係藉由對 質施行萃取 檢查對象之 一部份各自 立地萃取溶 查對象之晶 裏面進行污 。因此，利 之發明意義 取之溶劑，故在用於檢測方面非常 用一般化之方〉去 明之概念中亦包含以下將如上述1 方法。 種晶圓表面之污染物質檢測方法 檢查對象之晶圓之表面上的污染物 染物質，其特徵在於：在上述作為 上藉由將該晶圓的表面與裏面之某 ’再對該被圍住的部份施行各自j蜀 以個別同時且獨立地對上述作為檢 面與裏面進行污染物質之檢测。"" 該可同時且獨立地對晶圓之表面與 取之方式乃係本發明所首次達成者 以下的方法其在半導體製造工程中 理解。 is)—種半導體之製造方法，係利用藉由將附著在 作，檢查對象之晶圓的表面上之污染物質在該晶圓的表面 與裏面同時且獨立地施行萃取，以同時且獨立地在該晶圓 的表面與裏面施行污染物質之檢測之檢查工程。 > 另外，所謂的「利用」，不僅是指把在晶圓的表面與 裏面同時且獨立地施行之檢查工程組入於一連串的半導體 製造工程中，還包括了將該檢查工程使用在一連串的半導 體製造工程中之任何型態下之廣義的概念。 此外’在本發明中之晶圓表面污染狀態之檢測工具若 更具體而言係如下所述。
在對d 用的； 透水] 件，1 上述1 述晶1 之某， 工具 具有； 件，_ 態之; 面污 出入 工具 上述 圓表 晶圓 體中 ~種晶圓表面污举妝 t為檢杳對象主、Μ之私測工具，該工具係 蓉具，U 表面的污染物質施行萃取時所使 ^ ^ ^ ^ t ^ a-a u 5 ^ ^ ^ ^ ^ ^ 系用來固定H f + > + 、衣體内，以及一固定密合構 慰對之夾持體彼此間之對人·甘由产 對之晶圓夾持體内，係於、。口，，、中，在 S之正接側的至少_ μ ' μ 、阳圓夾持體的與上 -部份之凸部材。 〃有用來圍住上述晶圓表面 (10) 如上述（9)所 ，其中在上述i對之晶圓失；：的1:紙態之檢測 有來支承上述作為檢查對象之晶 山方㈤下部上 适玎藉由該支承構件來選定上述晶圓之：：支承彳 (11) 如上述（9)或° 除測工具’…述凸部材係為條之狀晶構圓件表面污染狀 (12 )如上述（9 ) 、（ 1 〇 )或（ 染狀態之檢測工具’其中上述凸部 迷之晶*、 口的灣狀凸部材。 竹、為具有既疋心 (1 3 )如上述（1 2 )所述之晶圓表面污能之檢測 ，其中上述灣狀凸部材之灣狀係為圓周狀^心 (14 ) 一種晶圓表面污染狀態之檢測工| 係由如 (9) 、（1〇) 、（11 ) 、（12)或（13、）、所述之晶 面污染狀態之檢測工具以及收納上述作為檢查對象之 的不透水性袋體所構成，其特徵在於：係將在上述袋 所收納的晶圓由兩面夾合而對合。 、
^ 1 D 於、、如 搜如上迷C i 4 )所述之„日圓生 ::ί;組用的不透水靡，其特C染狀態之 c材所圍區域的形狀或上述灣胃袋體係對 疋出入D的：^ & 弓狀凸部材之卜械既 更進—ΐ狀而於該形狀之部份特別地膨出。 的器具，在本發明之概念中亦包含以、ff /、之使用一般化之方法。 卜將如上述鈸 來檢、、目丨丨外 對象之日日0之表面上的污举私拼 # ”该污染物質，其特徵在於：在不：：物質施行萃取 圓的：作為檢查對象之晶圓，並於上述作；：ί袋體中？ 立地鬥面上藉由將該晶圓的表面與裏面之草双—對象之晶 之二圍住，再對該被圍住的部份施行各^一部份各自獨 表面二•以個別同時且獨立地對上述作為檢= 表面與裏面進行污染物質之檢測。一子象之曰曰圓 被收納種半導體之製造方》，係利用藉由將附荖在 上之、产不透水性之袋體中的作為檢杳ϊ+ $ ώ將附者在 上之π染物質左兮曰圓沾主二Λ a 〜對象之晶圓的表面 取，以间= 圓的表面與裏面同時且獨立地 之产 寸且獨立地在該晶圓的表面盥裏而 也仃 才双剩之檢查工程。 /、畏面知仃污染物質 附菩^18 ) 一種晶圓表面之污染物質檢測古、土 K於作為檢查對象之晶圓之表面上：=，係藉由對 d該污染物質，其特徵在於：在質；行萃取 圓的5作為檢查對象之晶圓，並於上述作為产：：體中收 u的表面上將某一部份圍住 為檢查對象之晶 丹精由對該被圍住部份之内
第10頁 五、發明說明（8) _ 之 側或外側施行萃取溶劑之供排，以 晶圓表面的污染狀態進行定區域檢測。^作為檢查 (1 9 ) 一種半導體之製造方法，' T收納於不透水性之袋體中的作為檢查：用藉由將附著在 上之污染物質在該晶圓表面之一部二#象之晶圓的表面 行晶圓表面之一部份範圍的污染以進 此外，在本發明中之晶圚声、九欢劂之私查工程。 更具體而言係如下所述。、、污^狀態之檢測工具若 (20 )如上述（9 )所述之檢測工且 之失持體為同形狀之長方體形，而 '’二中：上述1對 上述1對之夾持體成對夾合之夾 足搶合構件係將 於上述長方體形狀之u之爽持體的三夹緊體係固定 (21 )如上述（20)所述之檢 緊體係可滑動而嵌入於上述其中·上述夾 者，且在上述長方體开，狀^長：體形狀之1對之夾持體上 導引上述夾緊體之滑動片的導=夾持體上分別設有用來 密合Si述)工具，其中上述固定 吸引之1對磁石而槿成，子之夾持體上所個別設立的相互 使上述1對之夾持體i 2用該磁石彼此間的吸引力來 更進—井_持體固疋畨合在晶圓表面上。 更萬全，故接供f 11、Γ中’為了能使對污染物質之檢測 (23^Ϊ 般之方法。 圓表面之今、Λ· ί法，其特徵在於：在以上所述之任一種晶 因表面之-染物質檢測方法或半導體之製造方法中，包含
第11頁 493068 五、發明說明（9) 在上述作為檢查對象之晶圓的表面上照射紫外線之工程。 如此’ ^於藉著施行紫外線照射可使與有機物結合之無機 原子j氯原子或硫原子等）以及無機原子團（硫酸基或硝 酸基等）游離成離子（例如：F-、Cl-、S2~、S〇42-、N〇3-、 PO43 )，故藉由將其進行萃取即可使針對無機物之污染物 質之檢測更為周全。 在此處，紫外線照射雖然通常係在如上所述之晶圓表 面之污染物質檢測方法施行前的階段施行之，但在必要時 也可適^對應以在如上所述之晶圓表面之污染物質檢測方 法進行中時將晶圓取出而施以紫外線照射，之後再繼續施 行污染物質檢測。 另外，紫外線照射可藉由使用應用水銀燈之紫外線燈 等一般的紫外線照射裝置來進行。 (2 4 ) —種晶圓表面污染狀態之檢測工具組，係為在 以上所述之任一種檢測工具組中更進一步含有收納上述作 為檢查對象之晶圓的石英平JDI。石英平皿可使用與例如在 外線吸收光错檢測時所使用的石英盒（c ^ 1 1 )相同材料 者，藉著使用如上述般之物質，即可避免因容器吸收多餘 的紫外線造成紫外線的照射強度減弱等問題，以及因紫外 線ft?、射導致谷裔分解而對檢測結果造成不良影響等問題。 (2 5 )在以上所述之任一種檢測工具中，係使用其表 面已經紫外線照射過之晶圓來當作上述作為檢查對象之晶 圓。亦即，以上所述之任一種晶圓表面污染狀態之檢測工 具也可使用其表面已被紫外線照射過之晶圓，藉由上述般 第12頁 493068 五、發明說明（JO) 之做法，即可利用施行紫外線照射而檢 ^ ' 出之C1-或N03-等離子，並夢 有機物游離 精密的污染物質檢測。精此再對無機物進行更深一層 另外，針對利用紫外線照射而使 化的部份，亦可進行如以下般的一了男之檢測周全 (26 ) —種晶圓表面之污染質 :著於作為檢查對象之晶圓之表面上Jfr系藉由對 來檢測該巧染物質，其特徵在於：包含在上貝施行萃取 象之晶圓的表面上照射對應該污染物質之特性=為檢查對 之電磁波之工程。就該「電磁波」而古，可：既定波長 :染物質之物質的種類而採，：剛為 合的電磁波。 电于射線等其他適 [用語之定義等] 關於作為檢杳對象之a圓 是能形成化合物；導匕：。不僅只指石夕晶圓而言，凡 零件之¥體之asH寺以及CPU或記憶體等電子 晶圓的兩面皆可M 1 「支 此外，就晶13而淪， 步將對單表面」’但是在本說明書中更進-表面，I,&兄面處理之晶圓的該鏡面處理施予面稱為 2處；：：：處理之面則稱為裏面，而對於兩面皆施ΐ 指有薄膜m:則特：將欲檢查側之面（-般而言，係 宓的#品^ 3纟二餘刻專之晶圓處理而比其他面施予更精 二兄^理之面）稱為表面。此外，所謂的「污染物 ^ Jm I係指利用萃取處理所檢測出之物質，而關於萃取 ^ 〜所明的「表面」，則是代表含有可萃取的污染物質
第13頁 邵份 就構成本發明之夾持靜 施加用以維持夾持體彼材料而t，若以為在由外部 由夾持體之變形而使萃取二：,狀態的壓力時即具有藉 的話，則可為如金屬或木枯二到不會漏出程度之剛性者 的人工材#，但若從加：：天然材料或如化學物質般 内烯樹脂、聚對苯-甲酸乙1度來看，則以聚甲酸、聚 較適合。 本甲齩乙-醇醋、聚丙烯等之塑膠材料 彼此狀，係指可使1對之夹持體 如此=二L 態予以固定之構件而言，而以 制動哭（St〇 兄，可舉例如：包圍在兩失持體外圍之 弓丨ΐ 2 邊的夾持體上所設立之磁石其相Λ 弓丨之3隔著晶圓來固定夾持體彼此間之對合狀態相互及 之欲檢測的既定f， 」糸才曰將晶圓表面 =，檢測時只須對應必要的晶圓表面之既定部份=決 :位置或範圍。此外，所謂的「某一部份」 皆晶圓表面之其他部份所隔離出：某 列如表面之中央部或端部，以及中央部的 =「灣狀」’係指由往外部開放的出入口部份而 =耆该出入口在内侧之寬度愈來愈寬廣的形狀而古，口要 滿足上述條件的話則無論形狀為何皆可，例如由上面看之
第14頁 493068 五、發明說明（12) 内側形狀可為 狀）。 「凸部材 上，亦可個別 凸部材係個別 可同時檢測晶 晶圓爽持體中 時，係以把互 置上較佳。但 成損傷或破壞 以構成凸 橡膠材料、塑 如聚四氟乙烯 的一部份挖通 周狀物之情形 的情況下，灣 形成灣狀者， 下’則亦可採 口者 更進 材料來構成， 其互為一體化 凸部材與 須達到在將該 劑不會由壓接 圓形（沒有角之形狀）或為方形（有角之形 」可設置在1對之晶圓夾持體中的任一方 設置在該1對之晶圓夾持體中的兩方上。在 設置在1對之晶圓夾持體中的兩方上時，即 圓之表·裏兩面，在該情形下，若於1對之 將作為檢查對象之晶圓由兩面夾合而對合 t —對之凸部材配置在彼此間相互吻合的位 =:41對之「凸部材」亦可在不對晶圓造 的乾圍内相互稍微移動錯開。 ，可採用在化學上非活性的 等:父：：、商就如上述般之物質來說，係以例 以形又，凸部材雖可為將平板狀物 下亦可採者，但在凸部材為條狀且圓 ,,Λ 用〇ι壞。例如，在凸部材為灣狀 作；：：：：為將平板狀物的-部份挖通以 用〇型環\ 為條狀且圓周狀物 衣之一邛伤已被切出缺口而 :日日圓夾持體與灣狀凸部材 。使用相同之材料來構成，此外，也可使 』：2接合面必須非常的平滑，t平⑼产必 凸邛材以既定的壓力壓接 ，、千⑺度必 部份往外部漏出的程度。'曰曰圓上時能使溶 493068
份（所檢測出之離子等 之污染物質的濃度）兩 的 方 污染物質之檢測包括質的部 種類）以及量的部份（所檢測出 面0 、—本ΐ:之ΐ圓Ϊ面污染狀態之檢測工具，亦可將其以 複數個β合而構成筒狀（s t a t” 晶圓之用。此外，也可將2片^以供作同時檢測複數片 彼此貼合，再將該2片之將表2以面（或依情況為表面） 對象。 表面（或晨面）同時作為計測之 f圓表面污染狀態之檢測 指不會讓供給於該袋體内之装王衣體，係 袋體係基於所供給之溶劑的透過之袋體而言，該 例如，以袋體而言，可;=而”業者適當選擇之。 處理（dls_"袋體；聚3袋…在使用 淨工程。 卞為衣體4，可簡化檢測工具之洗 型加工上常使用 狀且圓周狀物時 入口者），所膨 用來萃取污 為配合現存之檢 外’在採用超純 他的方法所無法 物離子等）、類 及其他陰離子（ 的方法來製 (〇型環之-出的部份之 染物質之溶 測叙置的容 水之溫水作 檢測出之_ 鹵化物離子 鱗酸離子等 可藉由吹塑成型等在樹脂之成 作。另外，在灣狀凸部材為條 一部份係被切出缺口而形成出 形狀為方圓狀。 劑通常為超純水之溫水，同時 積’故使用量約3 0毫升。此 為溶劑的情形下，可施行以其 化物離子（氟化物離子、氯化 (硝酸離子或硫酸離子等）以 )等之檢測。溶劑亦可對應所 493068 五、發明說明（14) 欲檢測之：染物質而使用％定之有機 【發明之貫施例】 [器具的基本結構] 第1圖係本發明之晶圓表面污 本構成方塊圖，第2圖則係用來明f欢测工具的基 之圖。又，第2圖⑴係第 圖⑴係第2圖⑴之B-B端剖(面圖以“剖面圖，第2 如第1圖（A )所示般，本發 染狀態之檢測工具1〇係由把輪杳；；圓表面污 :夾合之丨對可對合的晶圓夹持體 在該1對的晶圓夾持體lla以及llb中則係分=，而 之正接側亡安裝有上部部份已切斷去除的〇型環13，、、晶0 1 3b。0型環1 3a以及! 3b之被切斷去除的上;二f 成了出入口 14a以及14b。 係各自形 之中另、，^面，作為檢查對象之晶圓1 5係收納在薄膜袋1 6 2 ::且’ •收納於該薄膜袋16之中的晶圓 狀： 成為被夾合在1對晶圓夾持體lla以及llb之間。、收恶雙 [器具的動作方法] 晶圓15係被夾合於晶圓夾持體lla以及llb之 環13a以及13b則係隔著薄膜袋16而正接於晶圓15之/ 1 型環13a以及i3b的内側部份係形成為氣密狀態。上，〇 因此，若供給液體於該0型環丨3a以及13b之内、 的話，該液體不會由該〇型環13a以及13b之内側往外|邛份 出，而會變成儲留於其内側内。因Λ，在於 側漏 j #份供
第17頁 493068 五、發明說明（15) 給污染物質萃取用夕、、六亦丨时，_ 環所圍住的既定之—$;二二劑僅會在晶圓1 5之以〇型 萃取。 召，而變成僅對該部份施行 然後，如上述般僅對晶圓丨5 之—部份進行之萃取由於可個 型；^圍住的既定 !進行，故在使用本發明的晶圓表面乂5之表面與裏 =，即可分別由作為檢查對象之悲之檢測工具 i各自的萃取液1而能分別檢測Ξ = !及裏面得到 立之污染狀態。此外，如 ]出=裏面其各自獨 ;亦可同時進行，故若利用本發；的ί =與裏面之萃 t測工具的話’即可各自獨立且心;m染狀態之 染狀態。 u日守彳欢測表面與裏面的污 [晶圓之位置選定] 在此處’為了能確實地進曰# 信性的污染數據，京尤必須將夾合：曰二:取以得到具可 之間的晶圓15的位置就定位。因而曰曰^持體⑴以及Ub 表面污染狀態之檢測工且1〇中， 2本貫施例中之晶圓 般，為在晶圓失持體11a之下部上且有用L(C)中所示 端之支承構件18。該支承構件：、有用來支^ ^ 凸出之方式來設置，在晶圓二=較0型環13a更往内側 時’其前端部份會被收納至立於曰&以及1 lb互相對合 納孔19内。藉由該支承構件二圓夾持體lib上之收 持體ua以及llb之間的晶圓牛得爽合於晶圓夹 為檢查對象之晶圓15的二之可下 493068 五、發明說明（16) [方法之變化] 但是’在僅想特別就晶圓丨5之表面， 就晶圓1 5之單面進行檢測的情形下，〇型产亦P所謂在僅想 晶圓夾持體11a以及llb之單面側。此外，曰可僅設置在 11a以及lib與晶圓15正接之侧上，亦可不f圓夹持體 口之0型環來作為灣狀凸部材，而係如第丨圖有一部份缺 般’以具有方圓狀之凹處17a以及17b的晶^ 及lib來當作灣狀凸部材，亦即形成方圓 寺體11a 乂 1 7b的内壁是方圓狀之灣狀凸部材。在該情凹處1 7a以及 與在0型環13a以及13b之内側中可儲留，就，得 於該凹處17a以及17b的内側中亦可儲留萃取、、、:丨添相同般 [薄膜袋] & @ ° 薄膜袋16可使用目前用來進行作為檢查對 溫水萃取用之既存薄膜袋（亦即，將表面、 =二、 完所用之既存薄膜袋。❻只憑該法並無法僅就=::: 取）。此外，如本實施例般在使用薄膜袋16的 = 次檢測完只要替換薄膜袋1 6即可，基本上月^ ，母 持體na以及Ub之洗淨，反之，在沒= = 晶圓15直接夾合於晶圓夾持體lla以及llb之間的^ 吏 於檢查終了後就必須進行晶圓夾持體丨丨a以及丨丨b : ^广。 另^卜，在本發明之晶圓表面污染狀態之檢測工呈7 Β =丄比起使用如薄膜袋16般之平坦袋狀物（第 1圖（β ))而吕，係以使用如第工圖（Ε )及 化 的薄膜袋2 0更為適合（此外，第1圖（F )係第1囷（ 493068
橫剖面圖）。薄膜袋20係為了在被供以萃取溶劑時能很容 易的將該萃取溶劑儲留於〇型環13a以及13b的内側卞二很: 者0型環1 3a以及1 3b的内徑部份之形狀設立了膨出部21 ; 以使供以萃取溶劑時可藉由該部份之膨脹來將該萃取溶劑 儲留於該處。此外，在出入口14a以及“b中，亦以讓對〇 型環13a以及13b的内側進行溶劑之供排的管容易插入 提而使其膨出。 '
上述般的薄膜袋20，亦可 調整其容積，且由於能注入袋 定’例如在適當的萃取所必須 由調整膨出部2 1的大小來使萃 能使萃取溶劑遍及晶圓表面來 的薄膜袋2 0可利用膨脹成型加 製作。 [檢查] 藉由調整膨出部2 1的大小來 中之溶液的量可很容易地決 之ϊ被定為30毫升時，可藉 取溶劑不會太多或不足，故 進行萃取。另外，如上述般 工法或吹氣成型法等來加以
如第2圖/A)以及（B)所示般]對之晶圓夾持體 la u及lib係將作為檢查對象之晶圓15從兩面夾合而呈 對合之狀態，再藉由一對之固定制動器23a以及Mb 該對合狀態。#次，藉由出人σ14&以及Ub將萃取溶劑 ，水）供罗給於薄膜袋内，之後，在晶圓夾持體Ua以及 1 lb的上郤後以蓋体24，同時使其由上部固定，以防止萃 取溶劑由該部份漏出。 定制動器設在左右， a以及1 1 b的底部設立 另外’雖然在本實施例中係將固 但若如第2圖（D )所示般在夾持體i i
五、發明說明（18) 制動器2 3 c的話，則因為可爭古4p — . 〜u句』更有效地防止萃取溶劑由底部 /属出故較佳。 n然後，以該狀態將器具全體放入恆溫槽並放置一定時 ，，進行溫水萃取。經過一定時間後，取下蓋体24，並如 :圖（c ^所不般，在一邊注意勿使位於晶圓丨5下端之來 面的萃$液與來自|面的萃取液發生相混合的前提 :，一邊鬆開晶圓夾持體Ua以及llb之夾合，並使萃取液 ，入於薄膜袋之下方。然後，將四氟乙烯製之管子（tube )由出入口14a以及14b插入並抽取溜入於薄膜袋下方之萃 取液，將所得的萃取液予以分析。 馨 [既定部份之檢測] 第3圖以及第4圖係用來說明本發明之晶圓表面污染狀 態之檢測工具的其他使用例方塊圖，第4圖（D )係第4圖 C C )之C-C端剖面圖。 關於在本發明之實施例的晶圓表面污染狀態之檢測工 具中，在夾持體上所設立之凸部材的尺寸以及其設立位置 皆可對應作為檢測對象之晶圓表面部份而作任意地變更。 又，可如第3圖所示般，在1個夾持體上設立複數之凸部 持。 在將如上述般設立有複數之凸部材的失持體彼此之間鲁 轎由薄膜袋而對合時，複數之凸部材會正接於晶圓表面 上，而在由上述等凸部材所圍成的區域内產生複數之氣密 狀態空間。然後，藉由在上述之各個空間内插入四氟乙烯 製之管子，即可獨立對每個各別空間施行萃取溶劑之供
第21頁 493068 五、發明說明（19) 排。 藉著如上述般之構造’即使是在晶圓之單面表面上需 要作污染狀態之檢測的既定部份係個別地存在有複數處之 情形下，亦可橫跨複數之區域而同時施行表面污染物質之 萃取。 另一方面，在晶圓之單面表面上存在有污染狀態之欲 檢測對象以外的區域時，可利用凸部材將該區域圍住，再 藉由供給萃取溶劑於凸部材之外側所產生的空間内，即可 僅就必要的部份來施行污染狀態之檢測。 此外’在欲檢測對象以外的區域係橫跨複數處之情形 下’可藉著在夾持體上設立對應上述複數區域之位置與大 小的凸部材來將各個區域圍住，再藉由供給萃取溶劑於各 個凸部材之外侧所產生的空間内，即可僅就除了既定的複 數區域以外之必要部份來施行污染狀態之檢測。 [晶圓邊緣部份之檢測] 士 在晶圓之污染狀態的欲檢測區域為晶圓之邊緣部份 時’ w係利用如第1圖（A )所示般的器具來夾合晶圓，再於 〇型/展1 3a以及i 3b之内側與外側所保持之氣密狀態下，將 四氣乙烯製之管子插入於0型環1 3 a以及1 3 b之外側中，再 來只需藉著供排萃取溶劑即可施行晶圓邊緣部份之表面污 染物質的萃取。 士此外’以施行晶圓之邊緣部份27之檢測的其他實施例 係士第4圖（A )所示般，將本發明之實施例的晶圓 表面污染狀態之檢測工具其夾持體上之〇型環25的直徑設
第22頁 493068 五、發明說明（20) 計成比作為檢杳對象 θ 1圖m厂/象 ®的外圍還小。此即等同於在第 每壤中未設立缺口者（亦即未設立出入口者 14a以曰及14b ^貫^見使^非除效果更完全化（防止水從出入口 斤俜#日刀 > 入型裱中）之目的。另外，該〇型環25之外 4工係依如檢測所徒用的曰 缺心# 7便用的曰曰®之直徑來作比例上之調整。 體中:、二〇 :上納在-薄膜袋内之晶圓被夾合於上述之夾持 之内側二1 :夕二會隔著薄膜袋而與晶圓正接，0型環2 5 開，使仔内外得以維持氣密狀態。 饭 f該狀態下’若於〇型環25之外侧所產生的空 ^卒取洛劑㈣’萃取溶劑會變得不會漏到Q型環Μ =内、 則且可儲留在位於〇型環25之外側的某空間中， =作為檢測使用之晶圓的邊緣部份來施行表面污染^之 更進一步，在該實施例中，如第4圖（β ) 沿著晶圓的外圍而將薄膜袋的—部份作成密若 話，則在0型環25的外側所產生之空間的容積的構造的 封構造而被限定住，如此即可將用來填滿該空θ因该密 表面污染物質之萃取溶劑的量抑制在很少"^斤必須的 果，可得到濃度高之萃取液，並能康其結 因此較為合適。 X向之數據， 此外，在利用本發明施行晶圓邊緣部份 一 質的萃取時，如第4圖（C )以及第4圖（D )表面污染物 失持體26a以及26b之晶圓側之面設立凹處，、不般，係於 以使其内壁部
493068 五、發明說明（21) -------- 26c及以接合於晶圓15之外圍的方式來形成，且_形成 由衣25夾持體26a以及26b與晶圓15所圍成之空間， 就會在0型環2 5之外側沿著晶圓邊緣部份之表面生 空間26e以及26f。 μ ' 然後，若在個別的空間26e以及26f獨立地供給萃取溶 vJ則由於供給於晶圓1 5之表面侧的萃取溶劑與供給於裏 面側的萃取溶劑不會互相混合，故可將晶圓15 ^表面側的 邊緣部份之表面污染物質與裏面側的邊緣部份之表面污 物質個別地萃取出來。 藉由如上述般的萃取，即可各自獨立地對晶圓之表面 側的邊緣部份與裏面側的邊緣部份作個 測。此外，由於亦可同時對表面側的邊緣部： = ;；；的 ^緣1份進行萃取，因此若依據本發明的晶圓表面污染狀 心之私測工具的話，就可對表面側與裏面側施行個 且又同時的污染狀態之檢測。 [作為固定密合構件之磁石體的使用] 第5圖係在本發明的晶圓表面污染狀態之檢測工具 :圖用來說明使用磁石體作為固定密合構件時之使用例方 一如第5圖（A )所示般，關於本發明實施例的曰 >可染狀態之檢測工具，係在夾持體3〇a上設立阳、&面 宓人摄马固定 山。構件之磁石體3la，並在與夾持體3〇8對合之失 上設立有與在夾持體3〇a上所設之磁石體313磁極相反 之磁石體31b。 仏邳反
五、發明說明（22) 然後’如第5圖（b )所示般，在使上述之一對的 以及3〇b隔著收納於薄膜袋16中之晶圓15而對合時、， 藉著設在兩邊之夾持體30a以及3Ob上之磁石體3la與3沾 磁力作用即可讓失持體30a與30b (未圖式）以隔著θ ς 之對合狀態來固定之。 考日日圓15 利用上述般的構造，即使是在檢測如大直徑的晶圓之 表面污染狀態時，亦可在不改變吻合晶圓直徑之失=^的 尺寸（s 1 z e )下施行污染物質之萃取，故即能藉由丄個八 測工具來檢測尺寸各異之複數之晶圓的污染狀態。 [紫外線之照射] 如第Θ圖所示般，在該實施例中係將作為檢查 晶圓1 5收納於石英平皿1 〇 〇中，再以紫外線照射哕卢之以 使有機化合物中之無機成份游離出來（下式）。μ处’以
R R R c(3 hy
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第25頁 493068
五、發明說明（23) 在該實施例中，為了對在石英平JHL 1 〇 〇中所收納的作 為檢查對象之晶圓1 5同時作表面與裏面之照射，故係同 時由上下方向進行紫外線照射。但是，亦可對應實施上 限制等而適當加入每次僅施行單面照射等之變更，亦即f 在該業者之自明事項的範圍内自由行之。 可 在此處，紫外線通常係使用在30Onm以下（例如， 184· 9nm或2 53· 7nm之紫外線等）者。但是，紫外線之 或強度係基於欲使其游離的原子間之鍵結^ 波長 〉（E係能量，h係普朗克常數，2；係頻率〔 〜h (w = 1 /久）））或污染物質之量等來決定；長之倒數 〜。因此，父丄 上、 例如波長舉一例而言，亦可參照如以下砉] < 右就 譜值來決$。 表1所示之吸收光
493068 五、發明說明（24) 獨立發色團之吸收 發色團 例 人隱㈣] C Umax 溶劑 乙婦 171 15530 氣體 1-辛烯 177 12600 庚烧 -CO 2-辛炔 178 10000 庚烧 196 約 2100 庚烷 223 160 庚烧 oo 乙醛 160 20000 氣體 180 10000 氣體 290 17 己烧 c=o 丙_ 166 16000 氣體 189 900 己烧 279 15 己烧 -co2h 乙酸 208 32 乙醇 -C0C1 氯乙醯 220 100 己烧 -conh2 乙醯胺 178 9500 己烧 220 63 水 -co2r 乙酸乙酯 211 57 乙醇 -no2 硝酸曱烷 201 500 甲醇 274 17 曱醇 -ono2 硝酸丁酯 270 17 乙醇 -0N0 亞硝酸丁酯 220 14500 己烧 356 87 己烷 -NO 亞硝基丁烷 300 100 醚類 665 20 醚類 〕C-N 新戊叉正丁胺 235 100 乙醇 _C三N 乙腈 167 弱 氣體 _n3 迭氮基乙酸酯 285 20 乙醇 =n2 二偶氮曱烷 約410 3 氣體 二偶氮乙酸酯 249 10050 乙醇 1 378 16 乙醇 -N=N- 偶氮曱烷 338 4 乙醇
第27頁 【表3 493068 五、發明說明（25) 此外，若就例如紫外線之強度舉一例而言，可參照 如下表所示之值來決定。特別是在打算使構成污染物質之 化合物均一分解（上述化學式之下段反應）時，可參照表 2之數據；而打算使其不均一分解（上述化學式之上段反 應）時，則可參照表3之數據。 【表2】 均一鍵裂解能（kcal/mol) Α:Β —Α，·Β: 均一鍵裂解能.DCA—B)
3S53*4636
Ca-H 104 CHi-F m CHj-CI 84 Ci^-Br 70 CHi-X 56 H-H m H-F . V36 H—Cl 103 H~Br 88 Η—I 71 CHi，H i〇4 · .CHi-CHi SS CH»—a 84 CHi-Br 70 CiHi-ri 98 CiHs-CHi S5 CiHs-Cl 81 CiHe-Br ;69 n-CiHr-H 98. λ-CiHt-CHi B5 n-Cilii—Cl 82 n-CtHj—Br '69 t-CiHr—H 95 i-C»HT-CHt 84 t-CiHi-Cl 81 x-CiHr-Br 68 X-C4H1-H 92 .1-C4H1-CH1 SO i-CiHi-a 79 t-OHi-Bc 63 HiC=CH—H 103 HsC=CH-CHi 92 H2OCH—Cl 84 H2C=CHCHi-H S8 . 72 . 60 HjC=CHCH3—Br 47 CeHi-H 110 CiHf-CH/ 93 OHs-Ci 86 OHiCHi-a 68 OHs-Br 72 aHiCHr-H S5 •CiHsCHi - CHi 70 aHjCHi-Br 51 不均一鍵能（kcal/mol) A:B —ΔΗ=不均一鍵能》£>(A+—B+) H-H 401 CHi—H '313 H-F 370 CHi-F 256 H_C1 334 CHi-Ci 227 H-Br 324 CHi-Br 219 H-1 315 CHi-I 212 H-OH 390 CHj—OH 274 CHi-Cl 227 CHi-Br 219 CHi-I 212 CHi-OH 27Λ OHs-Cl 191 CaHs-Br 184 - CiHs—I 176 ^ C*Hi~OH 242 Λ-CiHf—Cl 185 λ-CiHt - Br 178 n-CiHj—I 171 n-CiHj-OH 235 i^CiHr-Cl 170 t-CiH?—*Br 164 x-CiHr-I 156 >-CjHt-OH 222 ϊ-ΟΗι-α 157 *-C4Hi-Bt 149 140 x-C4H»-OH 208 HaC-CH-Cl 207 HiC«CH~Br 200 ΗΛ=ΟΗ-ϊ 194 HiC«CHCH*-Ci 173 HiC=*CHCHj-Br 165 KbC»CHCHi-I 159 H»C=CHCHi-〇H .223 CiHs-Cl 219 CeHj-Br 210 C»Hs-I 202 CeHj-OH 275 C*HiCHi-CI 166. C*H»CKi-Br 157 .C«H«CH*-I H9 CiHsCHj-OH 215
第28頁
^068 、發明說明（26) 此外，雖然在該實施例中若就基本上而言係將組入檢 '則工具前之晶圓以紫外線照射之，但也可於經一次檢測後 再進行紫外線照射，然後再更進一步施行萃取及檢測。 【發明之效果】 藉由利用如以上所述般之本發明的晶圓表面污染狀態 之檢测工具，即可以簡單的操作獨立且同時地對晶圓之表 面側與裏面側進行表面污染物質之萃取，並且也可同時檢 ’則表面污染物質之陰離子（例如：F_、C Γ )與陽離子（例 如：Na+、Κ+ )。 ^ 更進一步，也可對任意之被限定部份施行表面污染 、之卒取以及檢測，且即使在所欲檢測之區域乃橫跨晶 測表面上之複數處的情況下亦可同時對各個區域進行檢 、，因此可迅速地檢測偏存於晶圓表面上之污染。 進t ί :若依據該同時檢測的話，由於也可對各單面提早 仃_圓表面污染物質之1 導體Θ^ ^ 、 榀測，故能更早施行用來調整半 Τ艰之洗淨工程所必須的拾：丨 由於藉由該提早之調整；；授―）。 且迅速地鎖定特定的污染處=中之污染，並能簡易 行迅速的應對處理，而謀求=13染原因，故能對污染進 化。 y、 + ¥體製造工程全體之效率 此外，由於可謀求萃 部的形狀與大小各異之夾护呈二本身構造之簡易化及使凸 須檢測的晶圓其尺寸久=二具谷易製造，故即使是在所必 >7染物質施行檢測。 月仏下亦能很容易地對其表面
第29頁 493068 五、發明說明（27) 更進一步，藉由在作為檢查對象之晶圓上施行紫外線 照射，更使對於無機物之污染物質檢測之周全性變得令人 可期。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明之晶圓表面污染狀悲之檢測工具的基 本構成方塊圖。 第2圖係本發明之晶圓表面污染狀態之檢測工具的使 用例說明圖。 第3圖係本發明之晶圓表面污染狀態之檢測工具的實 施例說明圖。 第4圖係本發明之晶圓表面污染狀態之檢測工具的實 施例說明圖。 第5圖係本發明之晶圓表面污染狀態之檢測工具的實 施例說明圖。 第6圖係在晶圓上進行紫外線照射時之實施例說明 圖。 【符號說明】 10 晶圓 表 面 污 染 狀 態 之檢 測 工具 11a， lib 晶 圓 夾 持 體 13a， 13b 上 部 部 份 已 切斷 去 除的0型環 14a， 14b 出 入 π 15 晶圓 16， 20 薄 膜 袋 18 支承 構件
第30頁 493068 五、發明說明（28)
19 收納孔 17a， 17b 方 圓 狀 之凹處 21 薄膜袋之 膨 出 部 2 3a, 23b， 23 C 固定制動器 24 蓋体 25 0型環 2 6a, 26b 夾 持 體 2 6c, 26d 夾 持 體 之内壁部 27 晶圓之邊 緣 3 0a, 30b 夾 持 體 31a, 31b 磁 石 體 100 石英 平JDL
第31頁

Claims (1)

  1. 493068 六、申請專 1 . 一種晶圓表面污举你At AA志斟參夕θ n主Μ狀恕之檢測工具，該工具係在對 作為檢查對象之日日圓表面的、、亡 ^ . 的/T染物質施行萃取時所使用的 器具，包括· 一 1對之晶圓夾持體，佐 ,Α ^ 係、能將收納在不透水性之袋體 中的晶圓夾合於袋體内；以及 个边JW生I衣篮 一固定密合構件，倍田十 之對合； ’、用來固定該1對之夾持體彼此間 + t ί中：在上述1對之晶圓失持體内，係於该1對之曰圓 夾持體的與上述晶圓之正你於及1對之Β曰Η 上述晶圓表面之某—部份之-方上具有用來圍住 2 ·如申請專利範圍第1頂 檢測工具，其中在上述丨、义之曰曰圓表面污染狀態之 部上具有用來支承上述作為仏晶水圓夾持體的至少一方的下 構件，並可藉由該支承構件；選曰圓的下端之支承 3. 如申請專利範圍第2項 ’nBa圓之位置。 H、ai 、叮4 t曰曰圓表面污毕狀能之 k測工具’其中上述凸部材係為條狀構件。狀心 4. 如申請專利範圍第3項所述之晶圓表面污之 具，其中上述凸部材係為具有既定之出入口的灣狀 5 ·如申請專利範圍第4項所述之晶圓表面污染狀熊之 檢測工具，其中上述灣狀凸部材之灣狀係為圓周狀。… 6 · —種晶圓表面污染狀態之檢測工具組，係由一晶圓 表面污染狀態之檢測工具以及/收納上述作為檢查對H 晶圓的不透水性袋體所構成，其特徵在於··
    六、 其 物 中 之 體 晶 態 凸 膨 檢 部 構 檢 檢 凸 申請專利範圍 係將在上述袋體中所收納的晶圓由兩面夾合 =^該檢測工具係在對作為檢查對象之晶圓表 質施行萃取時所使用的器具，&栝： 曰丨。對之晶圓夾持體，係能將收納在不透水4 、曰曰圓夾合於袋體内；以及 :固定密合構件，係用來固定該1對之夾持责 2在上述1對之晶圓夾持體内，係於該1對之 鬥/、上述晶圓之正接側的至少一方上具有用來 圓表面之某一部份之凸部材。 之7於一種如申請專利範圍第6項所述之晶圓表3 :測工具組用的不透水性袋體，其特徵在於 部ί袋體係對應上述凸部材所圍區域的形狀或 之上述既定出入口的形狀而於該形狀之部 測工圍第6項所述之晶圓表面 上且 /、中在上述1對之晶圓夾持體的至 件，"用來支承上述作為檢查對象之晶圓丨 9 該支承構件來選定上述晶圓： 測工：利範圍第8項所述之晶圓表面 】η :上述凸部材係為條狀構件。 測^範圍第9項所述之晶圓表, 部材。，、上述凸部材係為具有既定之i 而對合； 面的污染 生之袋體 豐彼此間 晶圓夾持 圍住上述 &污染狀· 上述灣狀 仏特別地 ;狀態之 ~方的下 端之支承 置。 〖狀態之 染狀態之 口的灣狀 六、申請專利範圍 一 之檢U.工如：，圍第10項所f之晶圓表面污麵 12 /、’其中上述灣狀凸部材之灣狀係為圓周狀。 著於作為—檢種杳晶對圓象表之面曰之/亏染物質，方法，係藉由對附 檢測該θ i ^aa圓之表面上的污染物賓施行萃取來 5木物質，其特徵在於： 並於中收納上述作為檢查對象之晶圓， 面與裏面：ί H 之晶圓的表面上藉由將該晶圓的表 份施行各自獨立：3:自獨立地圍住，再對該被圍住的部 對上述作=以個別同時且獨立地 質之檢測。 b曰囫表面的表面與裏面進行污染物 13.—種半導體之製造方法 收納於不透水性之袋體中的作為净杏利用藉由將附著在被 之污染物質在該晶圓的表面盥裏:^ =象之晶圓的表面上 取’以同時且獨立地在該晶圓^表獨立地施行萃 之檢測之檢查工程。 面一裏面施行污染物質 14· 種晶圓表面之污染物曾认、 著於作為檢查對象之晶圓之表面、取測方法，係藉由對附 檢測該污染物質，其特徵在於：的污染物質施行萃取來 、，在不透水性之袋體中收納上述於* 亚於上述作為檢查對象之晶圓的乍為檢查對象之晶圓， 再藉由對該被圍住部份之内側或^面上將某一部份圍住， 排，以對上述作為檢查對象之€側施行萃取溶劑之供 區域檢测。 阳貝表面的污染狀態進行定
    第34頁 故納=·、種半導體之製造方法，係利用藉由將附著在被 之污染f ί水性之袋體中的作為檢查對象之晶圓的表面上 晶圓f勿貝在該晶圓表面之一部份範圍施行萃取’以進行 面之一部份範圍的污染物質之檢測之檢查工程。 述1對如申請專利範圍第1項所述之檢測工具，其中：上 件係;之失持體為同形狀之長方體形’而上述固定密合構 总η、將上述1對之夾持體成對夾合之失緊體，且該夾緊體 取上述長方體形狀之1對之夾持體的三邊上。
    、1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之檢測工具，其中： 述爽緊體係可滑動而嵌入於上述長方體形狀之1對之夾 持體上者’且在上述長方體形狀之1對之夾持體上分別設 有用來導引上述夾緊體之滑動片的導引溝。 1 8 ·如申請專利範圍第1項所述之檢測工具，其中上述 固定密合構件係藉由在上述1對之夾持體上所分別設立的 相互吸引之1對磁石而構成，且利用該磁石彼此間的吸引 力來使上述1對之夾持體固定密合在晶圓表面上。 1 9 ·如申請專利範圍第1 2項所述之方法，其中包含在 上述作為檢查對象之晶圓的表面上照射紫外線之工程。
    2 0 · 一種晶圓表面污染狀態之檢測工具組，係為在如 申請專利範圍第6項所述之檢測工異組中更進一步含有收 納上述作為檢查對象之晶圓的石英平现。 2 1 ·如申請專利範圍第1項所述之$測工具，其中係使 用其表面已經紫外線照射過之晶圓來當作上述作為檢查對 象之晶圓。 493068 六、申請專利範圍 2 2.如申請專利範圍第1 6項所述之檢測工具，其中係 使用其表面已經紫外線照射過之晶圓來當作上述作為檢查 對象之晶圓。 2 3. —種晶圓表面之污染物質檢測方法，係藉由對附 著於作為檢查對象之晶圓之表面上的污染物質施行萃取來 檢測該污染物質，其特徵在於： 包含在上述作為檢查對象之晶圓的表面上照射對應該 污染物質之特性的既定波長之電磁波之工程。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100547936B1 (ko) * 2003-08-07 2006-01-31 삼성전자주식회사 불순물 용출 장치
JP3890047B2 (ja) * 2003-10-08 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 石英中の金属分析方法及び分析用治具
US8021623B2 (en) 2003-10-08 2011-09-20 Tokyo Electron Limited Examination method and examination assistant device for quartz product of semiconductor processing apparatus
TWI402886B (zh) * 2007-01-18 2013-07-21 Innolux Corp 以氣霧方式清洗遮罩之方法及氣霧式遮罩清洗設備
JP5028238B2 (ja) * 2007-12-04 2012-09-19 野村マイクロ・サイエンス株式会社 金属汚染物質測定方法及び装置
CN103187346B (zh) * 2011-12-29 2016-02-10 无锡华润华晶微电子有限公司 用于夹持晶圆以对其进行腐蚀的夹具
US20160118290A1 (en) * 2013-06-26 2016-04-28 Bruce Mackedanz Vertical no-spin process chamber
CN105304548A (zh) * 2015-10-13 2016-02-03 常州隆德电气有限公司 晶圆夹盘

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4028135A (en) * 1976-04-22 1977-06-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of cleaning surfaces by irradiation with ultraviolet light
US4990459A (en) * 1988-04-25 1991-02-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Impurity measuring method
US5531857A (en) * 1988-07-08 1996-07-02 Cauldron Limited Partnership Removal of surface contaminants by irradiation from a high energy source
DE4024576A1 (de) 1990-08-02 1992-02-06 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zum einseitigen aetzen einer halbleiterscheibe
US5271798A (en) * 1993-03-29 1993-12-21 Micron Technology, Inc. Method for selective removal of a material from a wafer's alignment marks
US5814156A (en) * 1993-09-08 1998-09-29 Uvtech Systems Inc. Photoreactive surface cleaning
KR100295429B1 (ko) * 1997-12-29 2001-10-24 윤종용 웨이퍼의포장방법

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