TW487615B - Closed-loop ultrasonic conditioning control for polishing pads - Google Patents

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:*!·!裝------ (請先閱讀背面之注音華項寫本頁) · -丨線」 -1111_ A7 -- ----—_ B7__ 五、發明綱（1 ) ~ 本發明概有關於利用化學機械式拋光技術來拋光半導 體晶圓的方法及裝置’尤有關於調節其中所用之抛光塾表 面的方法及裝置。 、 今日在積體電路裝置技術的進展，已須要先進的化學 機械式拋光（CMP)技術來提供更佳及更適用的表面平面化 處理。在基材上備製該等裝置（即CM〇s、VLSI、ulsi、微 處理器、半導體記憶體、及相關的技術等），及該等基材本 身的備製（初級晶圓的拋光）乃須要非常高度平坦而一致的 表面。為在基材表面上達到該等高度的平面性及一致性， 其製程必須可靠而適切地被完成。拋光不是，過度拋光， 不一致的，及/或非平面的表面，皆將不能製成高品質的微 電子裝置。 在CMP製造技術中，一研磨性化學料漿通常會隨著一 旋轉拋光墊、直線式拋光帶、或旋轉桶被使用來接觸工件 表面，並將該等表面拋光或平面化。該類裝置的典型例子 係被揭露於讓渡給Speed Fam之第5329732號美國專利案， 其乃揭露一旋轉拋光墊拋光器；讓渡給AppUed Materiais 的WO 97/20660號PCT公告案，其揭露一直線的帶式拋光 器；及讓渡給 Ebara Corporation 與 Kabushiki Kaisha Toshiba 的第5643056號美國專利案，係揭露一種旋轉桶式拋光器。 該等在有關領域中之先前專利的揭露内容，將併此附送參 考。 / 在該等習知的拋光方法中，晶圓的一面會被固定於一 晶圓載具，而其另一面則會被壓抵於一拋光表面。通常， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 487615

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----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ -I線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 該拋光表面包含一拋光墊或帶，其可由各種市售的材料製 成，例如Arizona州，Scottsdale的R〇del公司所產銷的吹製 聚胺基甲酸酯。通常，一水性的膠質研磨料漿，諸如氧化 鈽，氧化鋁，煙化/沉澱的矽石或其它特定的研磨劑等，會 被澱積在拋光表面上。在其它的實施例中，亦可使用具有 固疋研磨物的拋光墊，該等墊係可由3]y[公司取得。當在拋 光或平面化處理時，該工件（例矽晶圓）一般會被壓抵於移 動的（例如旋轉或直線平移）拋光表面上。此外，為增進拋 光的有效性，該晶圓亦可繞其垂直軸來旋轉，及/或在該拋 光表面的内外周緣上來擺動。當壓力被施加於該拋光表面 與要被拋光的工件之間時，在料漿中之結合的研磨顆粒與 化學物，會使要被拋光的表面產生機械性研磨及化學性侵 姓，而能由該工件上除掉其材料。 但是，該等方法有一嚴重的缺點，即在該抛光表面上 的任何瑕疵將會轉協至工件表面，而造成該工件之拋光平 面性及一致性的缺失。為此等原因，故很重要不僅須修正 該拋光表面S磨損所致的劣m要在使用之前精確地 準備女當。在半導體技術中現今及後續的進展，包括使用 新的材料及縮減尺寸大小等，皆急切需要更精細地控制拋 光處理的規則性。尤其是，利用諸如銅等軟性材料來取代 較硬的鋁及鎢作為金屬導接件時，若使用以目前習知之方 法來調節的拋光表面，時常會造成不規則的，非平面的， 不致的拋光（果。一第二種裝置結構，稱為淺溝隔離（S丁I) 者，亦有相同的困難。 297公釐） 487615 A7 B7 五、發明說明（3 ) 目4大致已瞭解，該墊之不一致的表面磨損及大塊的 變形，主要係為不平坦及不一致拋光的結果。為解決此等 問題’已有方法被開發來重新調節該墊的表面。該等方法 基本上係研磨違塾’如讓渡給Speed pam之第5486 13 1號美 國專利，乃揭露一種用來調節墊之擺動及旋轉的研磨塗層 環總成與控制係統。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其它典型的拋光墊調節器及其控制系統，乃揭露於下 列專利案及公開的申請案中：讓渡給Westech Systems之第 5456627號美國專利案，揭露一種旋轉研磨墊調節器，其具 有可變的位置、速度及所施壓力。讓渡給MEMC Electric Materials之第5787595號美國專利案，乃揭露一種使用雷射 感測器之固定參考基準的抛光塾平坦度測量系統。讓渡給 Micron Technology之第58〇1〇66號美國專利案，乃揭露一種 雷射式不同厚度測量系統。讓渡給Micr〇n 丁echn〇1〇g》之第 36 1 8447唬美國專利案，乃揭露一種利用機械式或雷射測量 的廓形指示器。讓渡給Micr〇n 丁echn〇1〇gy之第58335丨9號美 國專利案，乃揭露-種力之反饋及比較系統。讓渡給 Applied Materials之第57〇85〇6號美國專利案，乃揭露一種 可測量拋光塾粗度之光散射技術與裝置。讓渡給ΑρρΠΜ Matedais的第W0 97/22442號pCT申請案，乃揭露一種可判 斷墊粗度之摩擦感測技術。讓渡給Speed以⑺的第 EP0829327A1歐洲專利案，乃揭露一種可測量墊厚度與靡 形的雷射式或機械式接觸探針。讓渡給以咖公司的第 EP〇816〇17A1歐洲專利申請冑，乃揭露-種機械式接觸探 487615 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（4 針可測量墊之高度並反饋來控制墊之調節器。讓渡給 Applied Materials的第5875559號美國專利案，乃揭露一台 架設有接觸感測器可測量墊厚度。讓渡給Industrial

Technology Research Institute之第 5823854號美國專利案， 乃揭露一種通過該墊之電流，計算Sherwood數來控制該塾 之調節的方法。前述所揭在相關領域中的專利案時，將併 此附送。 雷射系統須要使用一固定的參考面，且所有的測量值 係相對於該表面來作成。因此，並不一定確可得到真正直 接的絕對厚度測量值，因為雷射僅能測出至該拋光墊之曝 露頂面的距離。其它的限制包括測量的不穩定性，此係雷 射光被該墊表面上之一不平坦處，及帶有不斷變化之顆粒 的流體層散射所致。其它較可觀的散射係由該墊表面本身 原具有的粗度所造成。又，在該墊頂面上之流體層中的化 學物或拋光殘渣，將會嚴重地吸收入射光而使測量無效。 機械式的組合物雖可附设於該系統，俾於雷射測量時幫助 控制該流體層，或提供一穩定的固定參考面，但此會增加 複雜性而隱伏著由於設備故障導致停俥的風險。 用來測量拋光墊厚度參數及廓形之機械式接觸探針法 亦同樣地有其困難。不像雷射，該等系統不會受限於流體 層，但亦僅能相對於某些固定參考面來測量該拋光墊的曝 露表面處。該探針與在拋光處理時所使用的鹼性、酸性及/ 或研磨料漿之間的機械作用，通常會很快地使探針劣化。 探針的磨損會產生微粒物質，此將使該拋光墊與工件被該 裝 訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規; 五、發明說明（5 ) 寻機械構件的碎屑及其它化學劑物所污染。固定參考點之 需要亦會在測量中形成困擾，因為所附設的抛光工具本身 即會有振動。 電化學監測系統在化學機械拋光設備中本就存在一些 麻煩，因為有許多電的及電化學因素之不穩定性及多重; 響。該等因素包括如靜電位，摩擦所致電流，由馬達與其 它源頭而來的茂漏電流，及最主要的是，該化學抛光料裝 與去離子水的電化學激活性。 有見於η亥等囿限，為能使用一儀表指示器來測量該塾 且層厚度，製程工程師通常會由該抛光塾切出小片。此種 技術需要-固定平檯，在測量時對所施壓力非常敏感（該抛 光墊係由可壓縮的彈性材料構成），並僅能提供參考資料。 該;工具必須停止來進行測量，此會導致停俾時間增加而降 低。又備的產此。因此，該測量係⑴需要中止該製程而完全 地與抛光或墊調節處理分開；及⑺在測量該墊時需要切除 一^份實體，故為-破壞性方法。此外，該等選擇單點的 測！值’並不能真正代表該墊的整體性質。該墊之密度的 局口Ρ又化’會使4等單點測量值形成可質疑的。又，技術 人員在測試時可能產生某種程度的主觀，此亦會導致測量 值的偏差。 惟一較實用者係以替代物來監測該塾’並包括由抛光 工件上除去材料之速率的監測。在此除去速率之任何變化 皆直接有關於該墊的表面狀態。此方法尚未被廣泛應用。 該去除速率亦有賴«特性，旋轉速度，及其它典型的 297公釐） “!〇 /υ丄 j

疋。亚且，若該拋光墊表面已經劣化，則 _ CMP處理變數而令、，α 拋光工件亦可能总,,, ^ 又知、’故此方法將僅能在該工件已發生損 壞之後，才檢測出該墊的損壞。 、 目:已知的塾監測技術並不能提供充分的適切性、精 確1± @單14、易用性，及/或自動化。故乃需要能夠消除 或減=該等限制的裝置及方法，俾可達成更高程度的抛光 墊測里’適切的調節，延長墊的使用壽命，及一致地移動 拋光工件等。 八在t明之概括說明乙節，係僅對閱讀者介紹本發明的 。而非用來π整描34本發明。纟發明的特殊態樣會在 以下亡即來被述出，而本發明乃被揭陳於中請專利範圍， 其乃單獨界定出發明之範圍。 本毛月之主要目的係在提供可妥當檢測及控制抛光塾 之調節操作的方法及裝置。 本’X明之另一目的係在經由改良的墊調節控制，來提 供拋光墊表面之結構與廓形的改良控制。 曰本毛月之又-目的係在提供一種具有非接觸性厚度測 量探針的拋光工具，該探針可適用於化學機械式拋光環境。 本lx明之又-目的係在提供一種可判斷抛光塾流體飽 和度的方法及裝置。 本I明之X目的係在提供一種墊的自動監測系統， 其可判斷何時需要多少調節量，並適當地調節該塾。 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 概括而言，本發明係在提供調節拋光表面的方法及裝 乃匕3以超曰波感測益一抛光塾，及依據監測器所

本紙張尺錢財國國家標準（CNS)A4規格（210 ; 297公髮7 487615 A7 B7 五、發明說明（7 ) 提供的資料與預定的墊參數，來由該拋光墊表面除去其材 料等步驟。 本發明可包括一個或多個超音波感測器，其又續接一 控制器’而可依據得自該等感測器的資料來導控材料去除 才呆作。該材料去除裝置的操作參數，乃包括例如：調節器 旋轉速度，調節器旋轉加速度，調節器位置，所施加之調 節力’調節器與拋光墊之相對度，流體流量，料漿流量， 及溫度等。 圖式之簡單說明 下列圖式乃示出本發明之實施例，故並非限制本發明 的範圍，而係用來協助提供對本發明之較佳瞭解。該等圖 式並不按比例，乃用來配合以下詳細說明乙節。 第1圖係本發明一實施例所設之轉檯總成的立體圖，其 包含一調節台架及調節端作動器； 第2圖係本發明之一超音波感測器的示意圖； 第3圖係本發明一實施例之流程圖； 第4圖係本發明與習知技術所測得之墊厚度比較圖； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第5圖係本發明與習知技術所測得之墊厚度的另一比 較圖。 本節係描述本發明之態樣，並指出該等態樣的草些較 佳實施例。本節並非欲予統括發明範圍，而是用來提示專 業人士使其能更完全地瞭解本發明之其它態樣、等效實施 及可能變化時，故本發明的範嘴係由申請專利範圍中所述 者來作界定。 487615 A7

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本發明係有關於一種供使用於處理工件表面之改Μ 光表面的方法及裝置。雖該工件可能包含任何需要㈣性 表面加工的裝置’但本發明係以半導體晶圓來說明，其乃 需要控制性的、平面的、一致的表面加工。然而，專業人 士應可瞭解，本發明並不受限於任何特定的工件、抛光表 面(例如墊、帶、研磨板等)，或任何特定型式的工件表面 加工。由於具有該等拋光與研磨功能之裝置及其操作方 法，在該領域中係為習知者，故於此不再詳細說明。 、第！圖係示出本發明-實施例之轉檯總成及調節總 成300。轉檯總成200包括—平檯21〇具有檯面22〇。該轉檯 總成係可沿方向A，即如所示之反時鐘方向旋轉地，被 樞裝在檯座260上。有一具有拋光表面12〇之抛光塾ι〇〇，被 以習知方法固設在該檯面22〇上。該墊1〇〇之表面12〇乃被成 型為可便於拋光處理；然而，其最好係為-相當平坦的表 面，通常具有諸如針孔之表面構造，但不要有其它無關緊 要的表面不規則結構，以免妨確平面化處理。拋光塾100 可由各種材料，例如聚氨基甲酸醋、毛鼓、纖維及類似物 等所構成。 該墊100的形狀與大小並不十分重要，但在現今的半導 te拋光領域中，该拋光塾1 〇〇的直徑D1約有25至对（最好 為32吋），而厚度丁1為〇 〇4至〇15吋（最好為〇丨〇吋）。該墊 1 〇〇亦可由多層不同材料所構成（例如頂層係為ic_ 1 〇〇〇型 材料’而底層為Suba IV材料，其皆由Ariz〇na州Sc〇Usdale， 之Rodel公司所製造者）。有一調節架總成3〇〇，懸設在該轉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i ^--------^----- 丨線· I n -

本紙張尺度翻巾關家標準（CNS)A4規格（21〇>< 297公爱) 487615 五、發明說明（9 ) 檯總成200上，包括一2軸(垂直於拋光表面)之作動器3,〇 係可升降，一徑向擺臂34〇，及一調節工具36〇被一轉 裝接於該臂340的末端。馬達、直線作動器、球螺桿、液壓" 機構、或其它在該領域中習知的類似機構等，皆可被用來 控制該調節工具360、擺臂34〇、及2軸作動器32〇等之操作7 拋光墊厚度感測器310最好設在擺臂34〇靠近調工具 360處。此將可在調節之前或之後（視旋轉方向a而定），立 即得知局部的抛光墊厚度，及在該表面12〇上特定位置所除 去的材料。 ' 在另一實施例中，有多數的感測器被設在該調節工具 360的後方31〇及前方位置（未示出）。或者，有一感測器⑽ 列可被用來測量該拋光塾！⑼之—較大區域。該等感測器 係可為接觸或非接觸探針，並可為固定式（懸設在該墊上 而固接於該墊調節臂，或為移動式（例可沿一軌線移動）。 轉換器亦可被形成一陣列來記錄瞬時的拋光墊廓形，或製 成當時的墊厚度廓形圖。 在另一貫施例中，有一個或多個感測器可被設在靠近 一晶圓載具總成（未示出）處，俾當拋光一工件時，可提供 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該處的資料。 該拋光墊厚度感測器最好係為一種超音波轉換器，其 乃可由Massachusetts 州，Waltham 的 panametrics公司，英國 的 Unicom Automation NDT公司，（：—〇州，Englew〇〇d 的 Digital WaveA 司，及Pennsylvania 州，West Chester 的 NDT International公司等所提供。該等感測器通常係在約j 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公爱1

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Γ_·_I_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 至1 ΟΜΗζ的頻率範圍内摔作，々 、 呆乍而該頻率將會被儘可能地調 整為針對一特定測量狀況的最佳信號。 在該調節操作時，通常會有一（不連續的）流體層14〇, 包含料聚、去離子水、及其它化學物和拋光殘餘固體等， 在該拋光塾_之表面120上的不定位置表。該流體層刚 並不會干擾或使感測信號變差，反而能提供—種接合介 質’可以提升該超音波信號對空氣的傳訊結果。 "田有新的拋光墊100被放在該轉檯總成200上時，通 常會進行-啟用程序。該程序包括將該拋光塾表面120調節 及製備成適當靡形高低。此程序亦須要該塾能形成“穩定 的”。該墊的穩定性會影響其在拋光過程中由工件上除去 材料之速率的穩定性（在-段時間内），而尤關於該拋光塾 100的性能。除了此等需求之外，該墊亦須針對所擇之拋光 製程及工件具有適配的廓形，且該墊亦須例如有適當溫度 及被/文/貝處理液。在處理之前完成溫度設定與浸潰標準， 乃可減少在處理工件初始短暫的特性風險。當穩定下來時 候’忒拋光墊之穩定特性將會改變，並且在重新啟動使用 之前，使用該拋光墊的拋光製程必須再被預先調整才能進 行晶圓處理。此過程係相當耗時的，且會增加晶圓製造成 本、'本發明可藉設有一超音波厚度測量裝置，而能在一短 時間内決定該拋光塾飽和度，墊之前置準備，及抛光塾厚 度等，故可降低有關再整備的費用。 本發明在多個實施例中乃提供各種不同的感測器裝 置，可藉判斷該拋光墊與轉檯總成界面之間的距離，而來 裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -^- 線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 13 487615 A7

487615 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 --------B7 五、發明說明（12 ) ' " 此可調整性能供使用者在簡化資料時可選擇性地來測量或 免測該塾厚度或塾的表面粗度。又且，某些種類的抛光塾 乃設有凹溝及細孔等，此亦會改變其處理性能。該等構造 係可被選擇性地測量，或者分別以較小或較大的區點大小 平均值來省略。 第3圖係示出一使用本發明的拋光墊之調節控制的處 理步驟流程圖。該調節控制處理以步驟3〇〇〇開始，其會判 斷使用超音波感測器之該塾的厚度及其它性質。制，該等 測量值會與-調節資料相幸交，該#資料係、參考&比較靜態 預疋芩數或對由步驟3〇〇〇所得資料進行動態評估者。在評 估該等資料之後，將會在三個如何進行的意見中作成選 擇。鑪等意見的選擇係依據一反饋系統，其會闡釋該等資 料，並提供一在該測量裝置與該調節總成，或其它用來修 正該拋光墊的拋光工具系統之間的界面。 有一數位墊厚度感測器會將資訊反饋至一控制電路， 以算出該塾的切除速率（由拋光墊表面除去材料的速率）及 廓形。控制該等參數是很重要的，因為該墊切除速率直接 關係到拋光晶圓時的材料去除速率，而塾的廓形會影響抛 光的一致性。至於構件，該反饋及控制系統乃包含一感測 單元，一轉換器，及一被埋沒在一 CMP工具中之控制系統 的反饋回路。該控制系統可包括一個人電腦或其它的儀器 控制器。利用歷史資料，該反饋及控制系統乃可預測該塾 在連續經過一連串不斷的拋光處理之後的使用壽命。·此將 有助於藉著調節時間或壓著力的調整（封閉回路切除速率 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 15 ^--------t---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明（13) 控制），來改善材料去除速率之墊至墊的控制。利用墊性 能、參數、方法、與設備的改良控制，乃可降低擁有的成 本（coo)。墊之性能與c〇〇的相關因素將能被此系統理想 化匕括減J墊之停俥時間，改善的拋光處理性能，較高 的設備利用率，及減少不必要的維修等。 由々述三種可能選擇之第一種係為一 “不足，，狀態反 應°玄不足狀態係在該塾比該資料所預期者更薄或較 不餘和時所藝者。當作此決定時，其流程會前進至步驟 删··不會有拋光塾材料被除去及/或加入流體來幫助浸 狀態反應，即指所、Ί 得的參數係如該資料所需。其將不必採取任何行動，而j 程會推進至步驟3400。 彳、 第三種可能的選擇係為-“超過”狀態。即意編 必須被由拋光墊表面除去。在步驟咖時，該調節總心 參數會被㈣総去所的材料，㈣厚⑼在 所設定的標準内。該等參數包括，但不僅限於，調節^ 旋轉速度，調節器的旋轉加速度，調節H的位置，所I加 的調節力，調節器與抛光塾的相對速度，液體流量，料將 流量’及溫度料。-旦該所須的材料量已被除去ς 流程會回到步驟3000。由於兮絲』+ ^ ^轉桂:與調節總成的固定運 作’故材料的去除乃必須以一遠 一個步驟中除掉所有的材料。連串的步驟來進行’而非在 以下係詳述該“速度操作參數” 一允 之一控制例。當在調 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

發明說明（Μ) 節時’該調節器對該塾表㈣“自由速率，，或相對速度， 即工具在該塾上運行的速度，最好約在〇〇5^场的範 圍内。較慢的速度只能除掉較少的塾材料，而較高的速度 將會除掉更多的材料。此作動速率係由該抛光表面之相關 運動的組合動作所形成的，例如由任一旋轉、位移等動作 或其組合，以及該擺臂與調節工具等之運動。該墊或是調 節工具的其一或兩者之作動速率’皆可改變來達到所須的 去除速率。其它的操作參數亦可同樣地被控制。以達到一 所需的墊材料去除速率。 第4、5圖乃示出以兩種不同的拋光墊來比較本發明與 :知技術的實際數據。在第4圖中，使用本發明來作厚度測 量之墊，係取自以如公司之一種稱為IC1_的單層塾而 相較於使用習知的儀表指示器所得之相同塾的測量值。該 圖表顯示本發明之非接觸性超音波方法所得的測量值，係 相當對應於接觸探針法所得之結果，且該等測量值係能在 =〇.0〇5忖範圍内等值而可再重製。去離子水乃被用來作為 聲波轉換器的較佳連接介f，但是，㈣亦可使用。 第5圖的測量結果係得自亦為R〇de丨公司之一種稱為 IdOOO/Suba IV的雙層墊。由該等測量值乃可看出，使用 本电明之超音波感測器’乃能由整個拋光塾厚度中個別地 區/刀出其上層的厚度’而此係不能以習知技術之接觸式或 雷射探針來完成者。 雖本發明已配合所附圖式說明如上，但專業人士應可 瞭解本發明並不為所示之特定形式所限。其它依據所述之 本紙張尺㈣财國國家標準（CNS)A4規格（㊈ 297公釐） 487615 A7 五、發明說明（l5) 設計及裝置而為之各種修飾、變更、增補等，乃可能被實 施，而不超出本發明申請專利範圍中所述的精神與範嘴。 例如’雖本發明之_實施例含有—裝置可㈣光半導體晶 圓’但應可瞭解本發明並不受限於任何—種特定工件，諸 如晶圓、硬碟、玻璃等。此外，使用該超音波測量裝置以 及其它反饋控制系統之其它實施例和方法等，皆是可能的。 元件標號對照 1 〇〇···拋光塾 120···拋光表面 130···拋光墊疊層結構 140···流體層 200···轉檯總成 210…平檯 220···樓面 260…檯座 300···調節總成 3 10…抛光墊厚度感測 320···作動器 340…擺臂 360···調節工具 365…轉軸 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 丨·-種可自動調節一拋光墊表面的方法，包含以下步驟: (a) 以一超音波感測器監測一拋光墊； (b) 將所測得資料相較於預定的墊標準；及 (c) 依據該相較步驟來除去拋光墊表面的材料。 ”請專利範圍第旧之方法，其中該監測步驟包含以 多數的超音波感測器來監測該拋光墊。 3·如申請專利範圍第旧之方法，其中該監測步驟包含以 一不接觸該墊之超音波感測器來監測。 如申#專利範圍第1項之方法，其中該去除步驟包含調 整一墊調節器的操作參數來除掉材料。 5·如申請專利範圍第4項之方法，其中該等操作參數係選 自下列組群：調節器旋轉速度，調節器旋轉加速度，調 即器位置，所施加的調節力，調節器與拋光墊的相對速 度’液體流量，料漿流量，及溫度等。 6· —種供調節拋光表面的裝置，包含： (a) —拋光墊具有一表面可拋光工件； (b) —調節裝置可調節該拋光墊； (0—超音波感測器可監測該墊的表面；及 (句一資料反饋系統可由感測器接收信號，並傳送 該等信號來控制該調節裝置。 7·如申請專利範圍第6項之裝置 研磨塗層環。 8·如申請專利範圍第6項之裝置 器設在該調節裝置附近。 4 其中該調節裝置包含一 乃含有多個超音波感測 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 « 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 19 _ A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 9·如申請專利範圍第6項之裝置，更含有控制器可控制該 調節裝置在三度空間的速度與位置。 10·如申請專利範圍第9項之裝置，其中用以控制該調節裝 置在三度空間中之速度與位置的控制器，乃包含一擺臂 及一 Ζ軸動作控制裝置。 11 ·如申請專利範圍第9項之裝置，其中用以控制該調節裝 置在三度空間中之速度與位置的控制器，乃包含一三軸 移動架。 12· 一種可拋光工件之化學機械式拋光工具，該工具包含： (a) 至少一載具可固持一要拋光的工件； (b) —抛光塾設於一平檯上，可將在該載具中而抵 住該墊的工件拋光； (c) 一可控的墊調節裝置設在該墊附近，而可由該 塾上除去其材料來調節該塾的拋光表面； (d) 至少一超音波感測器被設來供監測該墊的拋光 表面；及 (e) —塾調節控制系統可接受由該等感測器輸入的 k號’而與墊之標準資料相較，並依據比較結果來選擇 行動，該控制系統會控制該調節系統。 13.如申請專利範圍第12項之工具，其中該調節裝置係為一 研磨環。 14·如申凊專利範圍第12項之工具，其中該載具係適於固持 半導體晶圓。 15.如申請專利範圍第丨4項之工具，其中該墊係適於以一化 1 X 297公釐） -------------^-----------------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 487615 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 學研磨料漿來拋光半導體晶圓。16.如申請專利範圍第15項之工具，其中該調節裝置係藉由 該墊之拋光表面除掉其材料來調節該墊。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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