TW474838B - Slurry hydrocarbon synthesis process with catalyst rejuvenation in external lift pipe - Google Patents

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474838 A7 B7 五、發明説明（1 ) 內文之背景 發明範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本碰明係關於一種在外部反應區進行以觸媒再生的漿 « » 式烴合成方法。更明確言之，本發明係關於一種可在外部 合成反應區之上升管內以在原位的方式將三相、費究型烴 合成漿中的固態觸媒顆粒予以再生的方法，其中此漿包括 觸媒顆粒、氣體氣泡及烴漿液。 發明背景 漿式烴合成法（HCS)爲已知之方法。漿式HCS 方法係將內含Η 2和C 0混合物之合成氣（syngas )作爲第 三相以冒泡方式上昇通過反應器內的漿，此漿液包含有此 合成反應的烴生成物及內含適宜之費托型烴合成觸媒的分 散懸浮固體。內含此種三相漿的反應器又稱爲"氣泡管柱 "如U,S. Patent 5，348，982中所揭示。無論漿反 應器是否作爲分散或下陷層運作，漿中的混合情形一般總 在塞流（plug flow)與回混（back mixed)兩種理想狀態之間。 由含有氮（即天然氣）或含氮化合物（即resids、煤、頁岩、 焦煤 '焦油砂之類）之烴原料所生成的合成氣總含有 H C N和NH3，會污染到反應漿，並快速但可逆式的將觸 媒去活化。咸信某些會在漿中以H C S反應中的副產物形 式形成的含氧及碳質化合物也會導致迅速去活化。由此類 物質去活化的觸媒係爲可逆，其催化活性可藉由去活化觸 媒（經去活化之觸媒）再與氫再生用氣體接觸而恢復。反 本紙張尺度进jil中阀1¾家標枣（('NS ) ( 210X 297^^ ) 4 474838 Α7 Β7 五、發明説明（2 ) 應漿中的H C S觸媒活性可藉著漿與氫或含氫氣體接觸而 間歇的或連續的再生，而形成經觸媒再生漿，如U.S.

Patents !5 ’ 260，239 和 5，268，344 所揭示 。在’ 239專利方法中再生過程是在漿反應器外槽進行 ，其中再生用氣體是以冒泡的方式通過漿。 頃發現觸媒再生方法會產生副產物再生廢氣，其中所 含的物質會使觸媒去活化。先前技藝之方法中，再生廢氣 在反應器中或在外槽中與漿混合。讓廢氣與槳接觸並混合 會再度被觸媒去活化物質所污染，繼而影響觸媒再生法的 總效率。因此，在此技藝中須改良之處即在使觸媒於漿中 再生而不致於被再生廢氣中存在之觸媒去活化物質所污染 發明摘要 本發明係關於一種在外部合成反應區內以在原位的方 式將三相烴合成（HC S )漿中的可逆式去活化固態觸媒 顆粒予以再生的方法，此方法可減低漿受到觸媒再生所產 生之廢氣中觸媒去活化物質的污染或再污染。 本發明方法包括將源自H C S反應器的漿通入再生區 外反應器，在此與再生氣體接觸，此氣體可將漿中觸媒至 少部份再生以形成經再生觸媒漿及再生過程所產生之氣體 (廢氣）的混合物。此廢氣內含之物質能可逆式的將觸媒 去活化。此混合物再通入脫氣及分離區以便將廢氣由漿中 移除。再生漿可再回到反應器。再生區位於外部的中空的 _____________—- 5_ 本紙乐尺度適川巾國Κ家標々（CNS ) Λ4規格（2丨0 Χ 297公藶） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

474838 A7 B7_ 五、發明説明（3 ) 上升管或管道，以內液與反應器內的漿相通。觸媒再生用 氣體係注入上升管中而與漿混合，且至少將部份觸媒顆粒 再生。生用氣體也可作爲上升用氣體以便將$體和漿提 升通過上升管並流出，再進入脫氣及分離區。脫氣及分離 區爲一個獨立槽，並位於H C S反應器外部。經脫皱及分 離出之廢氣係由槽上方部份移出並送去作進一步處理或丟 棄，而經再生觸媒漿（在廢氣中較少）則由槽下方部份移 除並經由漿管回到反應器。 源於H C S反應器之反應漿通過脫氣下導管進入上升 管或外再生區，如先前技藝所揭示，以便在漿進入再生區 之前移除其中至少一部份含有C ◦的氣體氣泡。與先前之 外再生法技藝相異之處，在於採用一種外上升管可使下導 管漿之入口位於反應漿較低的位置（其觸媒濃度通常較高 )，此乃因氣體提升作用而非純粹自流使漿循環經過上升 管。在反應漿與再生用氣體接觸之前宜先盡量將其中含有 C 0的合成氣移除’因爲頃發現漿中之C 0在未消耗盡之 前會阻礙觸媒再生。本發明文中’交互使用"經再生漿" 和"經再生觸媒漿〃意指內含觸媒顆粒至少已部份經過再 生的H C S漿。再生係指恢復至少一部份催化活性以便可 由內含Η 2和C 0混合物之合成氣（syngas)原料形成烴。 在有關漿式H C S法的具體實施例中，本發明之方法 包括以下步驟： (a )在觸媒去活化物質之存在及可由該合成氣（至 少一部份在該反應條件下爲液體）形成烴的有效反應條件 ________- —---------ίί· 0-» ------------- 川中家標冷（rNS ) Λ4規格（2丨0x297公漦） ---r.-丨77---I {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -ΙΓ 丁 -3 474838 A7 B7 __ 五、發明説明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 下，將內含Η 2和C0混合物之合成氣（syngas)與獎體（包 括該觸媒、烴漿液及氣體氣泡）中的烴合成觸媒固態微粒 接觸，莫中存在於該合成氣的該物質以可逆的方式將該漿 中的該觸媒去活化； (b )由該漿體將部份該漿通過脫氣區以去除蝥漿中 內含C 0之氣體氣泡並形成減氣漿； (c )將減氣漿通入該漿體外的再生區； (d )將包括觸媒再生氣的氣體通入該觸媒再生區中 ，在此該氣體與該漿接觸以至少將其中的部份該觸媒再生 而形成（i ) 一種經再生觸媒漿和（i i ) 一種再生廢氣 (其內含有的物質）會去活化該觸媒且其中該氣體也可在 該區作.爲上升用氣體，及 (e )將該經再生觸媒漿及廢氣通入該漿體外的氣體 分離及移除區中，在此從該漿中分離及移除該廢氣以形成 缺廢氣的經再生觸媒漿，並 (ί )將該缺廢氣的經再生觸媒漿送回到該漿體中。 如同上述，內含直立上升管（可供漿和廢氣經過通入 氣體分離及移除槽）的再生區供再生漿經過回到H C S反 應器或其它槽中。漿反應器可於再生過程中運作或可離開 線上作業而以批式再生。再生可連續的或間歇的進行。在 H C S反應器線上再生並產生烴液時，由反應器中連續的 或定時的取出部份液體。此類液體再經進一步處理成爲有 用的產物。 本發明方法可避免在反應器中的經再生觸媒漿和漿受 本纸張尺度.滴圯屮阀囚家標呤U'N’S ) Λ4規格（210Χ 297公趙) ^ 474838 Α7 Β7 五、發明説明（5 ) 到觸媒再生過程所形成之去活性廢氣物質的污染或再度污 染，並提供比先前技藝更有效的廢氣脫離及移除方法。對 於再生植度的控制較佳，因爲再生區並非浸在雙中或 « HCS反應器中。在本發明中，〜觸媒去活性物質"意指 能可逆式去活化觸媒的物質，經與槳液中的再生用氣體在 原位接觸後即可恢復其觸媒活性（經再生的觸媒）。氫或 含氫氣體對於此種再生過程有效，如先前技藝所揭示。最 後，雖然HCN，NH3及其它類型的氧質和碳質物質能將 此觸媒去活化，本發明並無意僅限於使用這些物質，可採 用任何能可逆式去活化此觸媒、且其觸媒活性能用一種合 宜的再生用氣體予以恢復的物質。不過本發明的另一項優 點在於其能使漿在反應器、上升管、廢氣脫離及分離槽之 間循環並回到反應器中，此乃由於在上升管中再生用氣體 的上升作用及自流所致。此具體實施例中並未用到也不需 要任何漿幫浦。最後，雖言本發明對於將烴漿液中H C S 觸媒在原位予以再生有特定之用途，但並非僅限於此特定 具體實施例。 經濟部中决標羋局员-τ消赀合η社 圖形之簡述 圖1爲可運用於本發明方法的H C S漿反應器的橫切 面圖，其上配有外上升管氣體再生器和氣體分離區。 圖2代表先前技藝的外置再生法，其觸媒係於外槽中 再生。 θ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 木纸张尺度適川中國H標令（) Λ4ί){_格（210Χ297公t ) 474838 A7 B7 五、發明説明（6 ) 主要元件對照 10 漿式HCS反應器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 12 1筒狀鐵槽 14 氣體輸入管 15 氣室 16 氣體產物管 18 三相漿 19 烴液產物吸取裝置 2 1 管 22 非透氣和非透液性隔板 2 3 外壁 24 脫氣下導管 26 脫氣裝置 27 脫氣及觸媒濃縮區 2 8 下導管 30 有角度的橫向部份 3 1 斜底 3 2 底 3 3 開口 3 4 上升管 3 6 管 3 8 觸媒再生區 4 0 開口 42 脫氣及分離區 木紙张尺度適川中國囤家標彳（（’NS ) Λ4現格（210X297公f ) 474838 ί?4-Ί部中*抒津局η〈-τ消资合^:社印1;, A7 B7五、發明説明（7 ) 4 4 槽 4 8 底部 4 9 1觸媒經再生漿 50 中空管或管 5 4 管 60 HCS漿反應器 6 1 三相漿 62 筒狀外殻 6 4 脫氣下導管 66 脫氣及觸媒濃縮杯 6 8 下導管 7 0 漿液去除裝置 7 1 管 72 氣體輸入管 7 4 管 7 5 管 76 非透氣和非透液性隔板 80 氣體收集區 8 2 下導管 83 脫氣及觸媒濃縮杯 84 觸媒再生槽 86 筒狀外殼 87 非透氣和非透液性隔板 88 觸媒分配下導管 木紙张尺度適州中1¾¾家標苹（（'NS ) Λ<1現格（2ΙΟΧ297公f ) ------Ί---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) l· T -3 474838 Μ _Β7_ 五、發明説明（8 ) 9 0 下導管 9 2 管 94 1內氣體收集區 9 8 孔 10 0 漿 詳細說明 在費托漿式HC S法中，內含HdDCO混合物之合成 氣是以冒泡的方式通入反應漿，於其中經催化轉化成烴， 以液態烴較佳。其氫對一氧化碳的莫耳比可分佈介於約 〇 . 5〜4，一般介於0 . 7〜2 . 75，而以介於約 〇.7〜2.5較佳。費托HCS反應的化學定量莫耳比 爲2 . 0，然而基於許多熟諳此藝者所知的原因（本發明 在此不加以贅述）並未使用化學定量莫耳比。在漿式Η CS方法中，只2對（：0的莫耳比通常爲約2 . 1/1。合 成氣可依多種方法形成，包括·使熱碳質物質（例如焦煤或 煤）與蒸汽或含有甲烷的原料互相接觸。含有甲院的原料 以其方便性、純度、且不致於留下大量待處理及丟棄的灰 而較佳。含甲烷之氣體原料經引入合成氣產生器後，由天 然氣或將煤、焦油、液態烴等氧化而得。以部份化氧化作 用、蒸汽重組或其合倂作用由甲烷產生合成氣的方法爲已 知，如US patent 4，8 8 8，1 3 1。許多情況下宜催化 性部份氧化並蒸汽重組在液層合成氣產生單位（F B S G )中的甲烷，如 U.S. Patents 4，888，131 及 ~——-------------——-- 11 _______ 本紙仏尺度通川巾囡囤家樣-彳（rNS ) Λ4規格（2IOX297公犛） T.---衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 474838 A7 B7 五、發明説明（9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5，160，456中所揭示。無論甲烷來源爲何，氮或 含氮化合物一般均存在於含有甲烷的氣體中，在合成氣形 成之際輔ί進合成氣生成器中，其中部份轉換成NH3及 HCN。這些可去活化費托HC S觸媒，特定言之爲那些 含有C 〇之催化金屬，要將這些去除到不致於在合理的期 間造成觸媒去活化的程度則既不易且昂貴。頃發現此等物 的去活化作用爲可逆且觸媒可經與氫接觸而再。此種將經 可逆式去活化觸媒的催化活性恢復即稱爲觸媒再生。不過 ，本發明方法雖較佳且較可能，但不見得能將所有通過再 生管的漿中觸媒顆粒之催化活性成功地完全恢復。因此在 文中採用類似"至少將部份觸媒再生〃表示。頃發現此再 生方法產生再生反應的氣體生成物，文中以再生廢氣代表 ，而此廢氣中含有一些與存在於合成氣中的觸媒去活化物 質相同，最重要的是此物質會造成觸媒去活化（如NH3及 HCN)。因些需先將再生漿中的廢氣去除再送回到 H C S反應器中的主漿體以免污染觸媒去活化物質中的反 應漿。此再生方法結果是其淨效應並無太多收益，因此必 須尋求其它方法以去除再生漿中的廢氣又不致於使觸媒去 活化物質污染到反應的H C S漿。本發明即是此問題的解 決方案。 存在於再生區的C 0在完全消耗殆盡之前會阻礙觸媒 再生。因此須先去除至少部份漿中含有未反應合成氣的氣 體氣泡再將其輸入再生區，可顯著地減少再生區中存在的 c 0量。如此便使再生反應所需的氫量減少且造成再生度 ----------------—12 _ 本紙張尺度珣州中闽!.¾家標彳（（'NS ) Λ‘1現格（2丨Ο X 297公漦） 474838 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 大爲提高。此外，由於注入再生區的氫或含氫之再生提升 氣體使得再生區中Η 2對C 0的比例遠高於化學定量 2 . 1/''1、甚而高於1〇/1。意即再生區中C0並未 轉化成目標的液態烴產物，而是初步轉化爲甲烷，因而浪 費了寶貴的合成氣及一些添加的氫再生氣體。此氣體氣泡 同時也含有H C S反應的氣體反應產物，其中至少5 0% 可能爲水蒸氣，因可充作再生氣體的稀釋劑而干擾到反應 觸媒再生。C 0與Η2的反應會放熱。先將c 0與Η2於再 生區中反應殆盡（而非去除部份在漿中的氣體氣泡）再送 往再生反應並與氫或含氫再生氣體接觸可提高漿的溫度。 此種作法對於由C O生產甲烷有利，且有助於烴液體氫解 及裂解成較輕的產物，例如甲烷。因此，宜先盡量去除漿 中氣體氣泡再予以再生。 本發明的具體實施例之一即以圖1的橫切面圖說明， 其中漿式HC S反應器1 0包括內含三相漿1 8的筒狀鐵 槽1 2、氣體輸入管1 4 (以便由反應器底部輸入合成氣 )、位於頂部的氣體產物管16 (以去除費托型HCS反 應之氣體產物及未反應的合成氣，由漿中上升排出而收集 到氣室1 5 )。此漿內含烴液，其內有分散且懸浮的 H C S觸媒微粒和氣體氣泡。此漿液內含H C S反應產物 ’在漿反應條件下爲液體，而氣體氣泡含有合成氣及 H C S反應之氣體產物（其中主要包括蒸汽或水氣）。合 成氣是透過一種接近反應器底部適當的氣體分配裝置（位 於非透氣和非透液性隔板2 2表面上）以冒泡的方式通過 ------—-----—----------------Λ Ο ____ 本紙饭尺度滴州屮阈1¾孓棍彳（C'NS ) Λ4規格（2丨〇y 2()7公漦） ---ΊΙΜ---! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 、ys 474838 A7 _____B7 五、發明説明（11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 漿1 8之底部。烴液產物吸取裝置1 9 (如：濾器）係位 在主漿體1 8中以便自反應器中經過管2 1吸取液態烴產 物。脫氣k導管2 4包括一種直立的中空管2 8/其開口 位於頂部，通向直立伸延伸且向上開口的脫氣裝置2 6， 可供由漿中將氣體氣泡脫。裝置2 5同時可濃縮漿液（向 下流動且由開口 3 3流出而進入直立的中空下導管2 8 ) 中的觸媒顆粒。管2 8離開反應器並側跨伸展成帶有角度 的橫向部份3 0，在其底部3 2處向上進入上升管3 4， 並以液體和上升管中的內觸媒再生區3 8相通。脫氣和觸 媒濃縮裝置2 6包括一個向上開口的中空杯，配有筒狀直 立外壁2 3及斜底3 1，作爲內脫氣及觸媒濃縮區2 7。 不過，其上可具有直線形、曲線形或多角形外壁。裝置或 杯2 6的主要特色包括向上開口的脫氣及（附加的）觸媒 濃縮區2 7受外牆2 3、斜底3 1及底孔或漿出口 3 3圍 繞。斜底的角度大於觸媒顆粒的內摩擦角度，因而自漿中 脫離的觸媒顆粒不會在底部堆積。杯的頂部必需有開口以 便供漿進入，同時，讓脫離的氣體排出。壁2 3和底3 1 可避免向上升的氣體氣泡（以小圓形表示）進入杯中的漿 內以便脫氣，並視需要濃縮觸媒。同時也估算時間，以便 使流經的漿有充足的滯留時間以達到較靜止的（以薄層較 佳）順流，使能提供最大的接合，並釋出在漿中的氣體氣 泡，其後再向下流進直立的下導管2 8。如此可供懸浮的 觸媒顆粒墜下並在流經開口 3 3進入下導管的漿液中濃縮 ，此開口較杯（爲漿的入口和脫離氣體的出口）頂部的開 ------------- ---------—「14____ 本纸張尺度垧州中闽阀家標瑋（（，NS ) Λ‘1规格UiO〆297公釐） 474838 Α7 Β7 五、發明説明（12 ) 口小。亦即’脫氣杯的水平橫截面顯著地大於杯底的孔’ 以便能使在下導管中觸媒的淨濃度會大於主漿體1 8 °此 提高的觸读濃度有部份乃由於氣體氣泡的釋出所..致’造成 較濃的漿中含有的淨觸媒含量比主漿體1 8高。此外’雖 言在漿層1 8中有相當程度的紊流’但是由於在區（用以 使觸媒顆粒保持懸浮）上方所存在的上升氣體氣泡量減少 ，因此在區2 7上方之漿（但非於杯內）也會掉下觸媒。 如圖所示’下導管2 8底部排出漿’有反應器和側跨伸展 成帶有角度的橫向部份3 0 ’在底3 2處向上轉而爲中空 上升管3 4，其內腔3 8爲觸媒再生區。因此’自反應器 1 0中漿體1 8流出的反應漿順流進入下導管2 4的脫氣 及觸媒濃縮區2 7，在此漿脫除其氣體氣泡而形成經減氣 漿，同時，視需要將觸媒濃縮，因此與自主漿體1 8中取 出的漿相比較，漿（藉由孔3 1順流而離開杯或區2 7並 進入下導管2 8和3 0 )係經減氣及濃縮觸媒。雖然輸入 上升管的經除氣漿之濃縮觸媒在某些具體實施例中係爲附 加的，本發明在運用時若使用三相H C S漿則仍爲較佳的 具體實施例。其後此等經減氣及觸媒濃縮漿便沿著下導管 向下流，離開反應器向上進入上升管3 4內部的觸媒再生 區3 8。內含氫的再生用氣體沿著管3 6進入近其底部的 上升管3 4內部3 8，在此與經減氣漿液中之觸媒接觸以 便至少將其部份再生而形成經再生觸媒漿和再生廢氣。此 再生用氣體也可作爲上升用氣體以提升內含經再生觸媒的 漿向上，越過開口 4 0並離開上方開口而進入槽4 4中的 本纸讥尺度適川中闽阀家標呤（（'NS ) Λ ‘丨規格（210X2W公鳆） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 -*0 474838 A1 _____ B7 五、發明説明1(3 ) ' 脫氣及分離區4 2。在氣體分離區4 2中，廢氣係由漿中 分離而出並由氣體管5 4排除。此富含氫氣的廢氣係作爲 燃料用或再作進一步處理去除觸媒去活化物質以寧淸除氣 體並形成淸淨氣體，其中所有或部份淸淨氣體可再作其他 處理或循環回收到上升管底部當作觸媒再生用氣體〆已淸 除廢氣的觸媒經再生漿下行至外置槽4 4底部48，以 4 9表示，並自此處順流經過中空管或管5 0再回到反應 器1 0中的主漿體1 8，在此與反應器漿體混合。雖然本 發明方法中所描述的外置的或外漿觸媒再生裝置係以中空 管或上升管示範，不過在其它具體實施例中上升管也可用 加上直立式隔板形成多個垂直上昇的觸媒再生區，在各區 內則注入觸媒再生用的上升氣體。 經濟部中央標準局負工消f合作枉印狀 圖2顯示一種外置的漿再生方法，此係於U.S. Patent 5，260，239中揭示的先前技藝，其中內有筒狀外 殼6 2的HC S漿反應器6 0含有三相漿6 1，其內則包 括分散並懸浮在漿液中的觸媒顆粒和氣體氣泡。一個或多 個用來減少觸媒分散不均的脫氣下導管（爲求方便起見， 在圖中僅顯示一個（6 4 ))包括一個上方脫氣及觸媒濃 縮杯’其下則接上直立式下導管6 8。此脫氣下導管的類 型則揭示於U.S. Patent 5，382，748及其申請專利 範圔。漿液去除裝置7 0 (例如一種濾器）透過管 7 1由 反應器去除在H C S反應中的液體產物。氣體輸入管7 2 將合成氣輸入到反應器的底部，再透過數個排列在非透氣 和非透液性隔板7 6上的氣體分配裝置平均分配到漿中。 -1R - ---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 表紙張尺度適用中國國家(:ί;準（CNS ) Λ4¾½ ( 210χ2<ί7^~ 474838 Λ7 Η 7 五、發明説明*(4 ) 反應器的頂部包括一個氣體收集區80，在此將氣體透過 管7 4由反應器中去除。另一個顯示的下導管8 2也包括 一個脫氣及觸媒濃縮杯8 3，杯下再接上直立式宁空管的 / 頂部’此管向下彎並穿透過此反應器而進入觸媒再生槽 8 4 ’在此由反應器中的漿體6 1輸入脫氣及觸媒濃縮漿 。觸媒再生槽8 4包括筒狀外殻8 6、一個或多個可使槽 內的觸媒垂直濃度更均勻之觸媒分配下導管（爲求方便起 見’在圖中僅顯示一個（88))。同時也含有一個或多 個下導管（爲求方便起見，在圖中僅顯示一個（9 0 )) ’可將再生漿帶回到反應器6 0中。槽8 4在其槽頂部有 一個內氣體收集區9 4，氣體則由此處透過氣體管9 6去 除。在HC S反應器6 0中的一個或多個脫氣及觸媒濃縮 下導管8 2將經過減氣並觸媒濃縮漿透過一個或多個孔 9 8由反應器輸入觸媒再生槽8 4中，在此至少將部份觸 媒作可逆式去活化。在槽8 4中使經減氣及觸媒濃縮漿與 含氫的觸媒再生用氣體（以管9 2輸入到槽底部）接觸， 並使用在非透氣和非透液性隔板8 7上的適宜氣體分配裝 置以冒泡的方式通過槽中的漿1 0 0。此再生用氣體可至 少將漿中觸媒顆粒的活性部份恢復，其中一部份則繼續通 入一個或多個下導管9 0的氣體脫離區，此管將漿送回到 反應器。由觸媒經再生漿中去除的再生廢氣則與再生槽中 的漿接觸。 注入再生區的氫或含氫之觸媒再生氣包括可能含有其 它氣體（如：氮，C〇2，H2〇，CH4，C2— 〇4+烴 本紙悵尺度適用中阀國家(:?:專（CNS ) Λ4^怡（2丨0 a 筇） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 -s 經濟部中央標隼局貝工消费合作杜印裂 474838 A7 Η 7 五、發明説明t5 ) )的氫和CO (其條件爲112對（：0的莫耳比足以去除c〇 且蒸餾器能至少再生一部份觸媒）。在上述具體實施例之 中，在經過處理而去除觸媒毒物（如上述之氧質及氮化合 物）後，所有或部份含氫之再生廢氣可再循環回到再生區 。此過程可在一個或多個固態吸附劑層上進行，如冷卻和 溶於水中等等。 如於U.S. Patent 5，288，673中所揭示的，觸 媒再生的程度可分別用漿在再生區中的溫度控制，無論其 在周圍H C S反應區之主漿體溫度爲何。此專利掲示可在 再生區或管中藉著一個或多個、以提高或降低漿在區中的 滯留時間控制溫度，此係利用再生反應的放熱特性，將再 生管隔絕、在區內加熱或一種冷卻介質、將再生用氣體預 熱等等。’ 6 7 3專利中認爲在再生區內的溫度應高到足 以去除C 0並至少再生部份觸媒且低到足以使生成甲烷及 蠟（〜C 2 Q +烷系）氫解控制在最少。這些原則在本發明 中同理。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印贤 ^^衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在H C S方法中，液態和氣態烴產物的生成係由內含 Η2和C 0之混合物合成氣與適當的費托型H C S觸媒接觸 ，在轉化或非轉化條件下、以在非轉化條件下較佳，在非 轉化條件下，極少或無水氣轉化反應進行，尤其當觸媒金 屬中含有C 〇、R u或其混合物。適當的費托型反應之觸 媒包括，例如：一種或多種第V I I I族觸媒性金屬，如 F e、N i、Co、Ru及Re。在具體實施例之一中觸 媒包括具催化有效量的Co ’及由Re、Ru、Fe、 ________________-18 ___ 本紙張尺度適用中國國家標4M CNS ) ( 2丨0X2W公棼） 474838 A7 ______'_ H7 五、發明説明f6 )

Ni 、Th、Zr、Hf、U、Mg 及 La 中選出一種或 多種支承在適當的無機載體材料上，以含有一種或多種耐 火金屬氧化物者較佳。含C 〇觸媒之較佳載體包括：二氧 # 化鈦，尤其對使用漿式H C S方法製造較高分子量、主要 爲鏈烷系液態烴產物時。有效觸媒及其製備爲已知1Τ已示 範，但仍有非限制性的實例，例如：U.S. Patents 4，5 6 8 ’ 663:4，663，305:4，542，122 :4，621，072 及 5，545，674° 以根據本發明之H C S法所產生的烴通常會再進一步 昇級成更具價値的產物，將所有或部份C 5 +烴系進行分餾 及/或轉化。轉化意指一種或多種程序運作以至少改變烴 的部份分子結構，包括非催化性處理（如：蒸汽裂解）， 及催化處理（如：催化裂解，其中餾份與適當的觸媒接觸 )。若氫係作爲反應物，則處理步驟方法通常指的是加氫 轉化法，包括，例如：加氫異構法、加氫裂解法、加氫脫 臘法、加氫提煉法，而更激烈的加氫提煉法指的是氫化處 理，這些均是在文獻中常用於烴原料加氫轉化法的條件下 經濟部中央標孪局負工消费合作社印狀 ；：-I贊-I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 進行，烴原料中包括富含鏈烷烴的烴原料。 有關經轉化而形成較具價値產物的示範性但非限制性 的實例包括：一種或多種合成的原油、液體燃料、烯烴、 溶劑、潤滑油、工業油或醫學用油、石蠘烴 '含氮和氧之 化合物之類。液體燃料包括一種或多種引擎汽油、柴油燃 料、噴射燃料及煤油，而潤滑油包括：例如，汽車用、噴 射引擎用及透平機及金屬用油類。工業用油包括掘井液、 — ..... — —- -------1.9. _ 本紙张义度適用中國國家標準（CNS ) Λ‘4叱,½ ( 210〆：^?公砧） 474838 Η 7 五、發明説明<7 ) 農業用油類、熱轉移液之類。 本發明的其它各種具體實施例及改良對於熟諳此藝者 係顯而易見的，且可輕易的爲其所運用而不出上哗本發明 之領域及精髓。因此，此申請專利範圍之精髓並不限於上 述之詳細說明，而是藉申請專利範圍將所有本發明專利的 新穎特色涵括，包括所有特色和具體實施例及其相當’以 供相關於本發明之熟諳此藝者處理。 (請先閱讀背面之注意事項再填巧本頁) -濟部中央榡率局貝工消费'合作社印" 尺度適用中國國家標隼（CNS )_A4W.格(

Claims (1)

1. 474838 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第87106816號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國90年6月修正 1 . 一種形成烴化合物之漿狀烴合成方法，包括： (a)令具有觸媒去活化物質且內含Η 2與C 0混合物的 合成氣與固態微粒烴合成觸媒於包括該觸媒、氣體氣泡及 烴漿液的漿體內在可由該合成氣形成烴的有效反應條件下 接觸，在該反應條件下其至少一部份係爲液體，其中該合 成氣裡的該去活化物質以可逆方式將該漿內的該觸媒去活 化； (b )由該漿體將部份該漿通過脫氣區以去除該漿中 內含C 0之氣體氣泡並形成減氣漿； (c )將減氣漿通入該漿體外的觸媒再生區； 經.濟部智慧財產局員工消费合作社印製 (d )將包括觸媒再生氣的氣體通入該觸媒再生區中 ,在此該氣體與該漿接觸以將其中的觸媒至少部份再生而 形成（i ) 一種經再生觸媒漿和（i i ) 一種再生廢氣（ 其內含有會去活化該觸媒的物質）且其中該氣體也可在舌亥 _區中作爲上升用氣體；及 (e )將該經再生觸媒漿及廢氣通入該漿體外的氣體 分離及移除區中，在此從該漿中脫離及分離該廢氣以形成 缺廢氣的經再生觸媒漿。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中缺廢氣的經 再生觸媒漿係送回到該漿體中。 3 .如申請專利範圍第2項之方法，其中該觸媒包含 本紙張尺度逍用中國國家揉準（CNS ) Λ4规格（210X297公釐） 474838 A8 B8 C8 D8___ 、申請專利範圍 至少一種經載持的第八族金屬。 4 ·如申請專利範圍第3項之方法，其中該再生氣體 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 含有氫。 5 ·如申請專利範圍第4項之方法，其中該金屬含有 鈷。 6.如申請專利範圍第5項之方法’其中該氣體脫離 區係浸在該漿體中。 7 .如申請專利範圍第6項之方法，其中一部份該液 態烴係由該漿體中取出。 ' 8 .如申請專利範圍第7項之方法，其中至少一部份 由該合成氣形成的該烴係以一或多種轉化操作程序昇級爲 至少一種更具價値的產物。 9 .如申請專利範圍第8項之方法，其中該觸媒另外 再包括二氧化鈦。 1 〇 .如申請專利範圍第8項之方法.，其中該漿體在 烴合成反應器中包括反應漿，且其中該再生區係於該反應 器之外部。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -2- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4g ( 210X297公釐）