TW467798B - Chemical mechanical planarization system - Google Patents

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TW467798B
TW467798B TW089123425A TW89123425A TW467798B TW 467798 B TW467798 B TW 467798B TW 089123425 A TW089123425 A TW 089123425A TW 89123425 A TW89123425 A TW 89123425A TW 467798 B TW467798 B TW 467798B
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Philip R Sommer
Paul D Butterfield
Manoocher Birang
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Applied Materials Inc
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Description

467 79 8 A7 B7 五、發明說明（） 本申請案請求於1999年12月17曰申請之美國專利 臨時申請案第60/172,416號之優先權，此處併入做參考。 發明領域： 本發明是有關於一種化學機械平坦化系統。且特別的 是，本發明是有關於一種調節（conditioning)化學機械平坦 化系統之研磨墊的方法與裝置。 發明背景： 在半導體晶圓製程中，使用化學機械平坦化或CMP 的好處在於其可提升沉積多層於電子元件之基底上的能 力。若半導體製造中之晶圓平坦化的需求增加，具有較少 晶圓損害與增大晶圓平坦性之較大系統（亦即工具）可增加 較多之產量β 兩此種CMP系統提出這些重點，其描述於Per Ιον等 人之專利（公告於1998年9月8日之美國專利案第 5,804,507號）以及Tolies等人之專利（公告於1998年4月 15曰之美國專利案第5,73 8,5 74號）中，兩者都併入此處做 參考。Perlov等人及Tolies等人揭露一種具有平坦化裝置 之CMP系統，其從位於一鄰近液態填充溶液（liquid filled bath)之晶圓匣被供應晶圓。傳送機構或機械手臂易於從溶 液中傳送晶圓至傳送站。從傳送站，晶圓被負載至一處理 頭（processing head)。輸送帶遞送此處理頭與晶圓至各平 坦化站中，經由移動晶圓至存在有研漿之研磨塾（polishing 第2頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 % 填 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 467798 _____B7_______ 五、發明說明（） pad)上來使晶圓達平坦化》研磨墊可包括一研磨表面，此 外，研漿可包含化學物與研磨物，用以幫助從晶圓中去除 物質。在完成平坦化製程之後，晶圓透過傳送站返回到位 於溶液中之適當晶圓匣中。 另一.種系統揭露於Hoshizaki等人之專利（公告於 1 999年6月1日之美國專利案第5,908,53〇號）中，亦併入 此處做參考。Hoshizaki等人教導一種用以平坦化晶圓之 裝置，其中晶圓依橫越對應研磨表面之晶圓表面之—致速 度而定。橫越晶圓表面之一致速度偶合一多可程式平坦化 圖案，以一致速率從晶圓表面去除物質。此外，Ho shizaki 等人提供一數量之選擇性程序，以允許使用者良好調整從 晶圓去除之物質。 上述之系統一般可利用具有或不具有研磨材料之研 磨墊3研磨墊可以是固定的或相對於晶圓移動。再者，於 晶圓之處理期間，研磨研漿、去離子晶圓與其他流體可被 配置在研磨墊上。 一般這呰或其他平坦化系統需要週期性地調節墊 (pad)或研磨媒體（media)。在平坦化製程期間，研磨媒體 經過接觸晶圓與研磨研漿後可能會被磨損《在製程期間， 通常使用在研磨媒體中之固定研磨物也可能有研磨塵粒 被移去。此外，從晶圓去除之物質可能會撞擊或阻礙研磨 媒體之表面地形。磨損、損害與阻礙研磨塾可能會使從晶 圓去除之物質不規則，並且可能造成低於預期的平坦化以 及可能造成其他表面缺陷（亦即刮痕）而使晶圓有缺陷。 第3頁 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) (靖先閲讀背面之生意事免#'-填寫本頁) 裝 _—一 —,1--—訂---！lh -線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 7 798 A7 B7 五、發明說明（ 請 先 m 讀 背 Sj 之 注 意 事 f 填 寫 傳統上調節研磨媒體（亦即創造或送回研磨媒體至一 可利用階段用以晶圓處理）之方法為磨光研磨媒體。磨光 方法（Dressing) —般包括移動一斜刷或一單一圖案化面板 面對著研磨媒體’喷灑液體面對著研磨媒體，提供百萬或 超音波能源至研磨媒體或"真空”研磨媒體之表面' 通常， 此製程發生在工作區，其經由择描磨光元件橫越類似於平 坦化圖案之圖案中之研磨墊。這些磨光製程（可交替地相 當於調節製程）都是週期性地被使用在送回研磨媒體至生 產可接受平坦化而不會傷害到晶圓之一階段中。大體上， 無論調節元件被安置在研磨頭或是在研磨媒體中，其會在 晶圓處理運轉間週期性地調節。不利的是，若晶圓之處理 停止而研磨媒體之工作區處於調節時，這些方法都會造成 產量減少a 提供於傳統調節製程之改善的元件是耦接平坦化系 統之一"研磨媒體儲存盒"，其揭露於Sommer之一般指定 美國專利申請案（於1997年10月31曰申請之美國專利申 請案第08/961，602號，下述稱之為"Sommer，602_·)中。 Sommer 402專利申請案亦併入此處做參考。 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製
Sommer '602揭露一種網狀結構（web)形式之研磨媒 體。網狀結構從一供應捲軸（roll)透過處理系統之工作區傳 遞至一拉緊捲軸。調節系統位於工作區之外部，使得研磨 媒體之整體寬度可被調節如同網狀結構提昇-在一通道中 調節研磨媒體之整體寬度造成工具時間之較佳利用性與 一相對應增加之晶圓產量相較於傳統墊調節製程來說，例 第4頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 297公釐） b 7 798 A7 B7 五、發明說明（ 如掃描具有磨光元件之工作表面_。然而，研磨媒體之較快 的調節和較多的多用途調節是可預期增加晶圓產量、減少 晶圓損害及增進晶圓平坦化。 因此，一個用來調節研磨墊之方法與裝置是有需要 的。 發明目的及概述： 本發明的目的，大體上在於提供一種用以調節一研磨 面之裝置》在一實施例中，此裝置包括研磨頭，具有一環 配置在該環之一周邊上，該環具有一調節面。本發明之另 一實施例提供研磨媒體、第一調節與第二調節元件以相對 旋轉速度運轉接觸研磨媒體。 在本發明之另一實施例中，提供一種用以調節網狀結 構表面之一自立調節系統。在一實施例中，調節系統包括 一展開器、一調節模組與一纏繞器。此調節模組包括至少 —第一與一第二調節板，選擇性地接觸研磨媒體之工作面 而以相對方向旋轉、一個或多個電刷、一個或多個水力喷 射器、一個或多個波能量元件及一個或多個真空元件< 在本發明之另一實施例中，提供一研磨台 '一網狀結 構之研磨媒體其具有至少一部分配置在研磨台上、以及一 調節元件選擇性地配置接觸研磨媒體3調節元件之附加實 施例更包括保持環、竿、碟與汽缸（cylinders)。選擇性地， 調節元件可以移動或旋轉。 在本發明之另一目的中，提供一種用以在研磨系統中
第5X 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 閲 讀 背 面 之 注 項 再 填 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7
7 79 8 五、發明說明（） 處理-基底之方法。在-實施例f，一方法包括處理媒體 之一部分上之基底；以及調節媒體之另—部分。在另一實 施例中，一方法包括推進一網狀結構之研磨物質以及調節 此研磨物質* 圖式簡箪說明 第1圖為具有調節模組之化學機械平坦化系統的示意圖； 第2圖為第i圖之調節模組的#意圖； 第3圖為另一實施例之具有包栝一個或多個調節元件之運 輸器之化學機械平坦化系統的示意圖； 第4A圖為第3圖之運輸器的部分剖面圖， 第4B圖為第4A圖之運輸器的下視圖’ 第5圖為第4A圖之調節元件之一的示意圖’ 第ό圖為沿著第5圖之切割線6'6之調節板的剖面圖； 第7圖為另一實施例之具有一調節元件配置於研磨媒體上 之化學機械平坦化系統的示意圖； 第8Α圖為第7圖之調節元件之一實施例的側视圖； 第8 Β圖為第7囷之調節元件之另一實施例的侧視圖； 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 费 合 作 社 印 製 第9圖為另一實施例之具有一調節元件配置於研磨媒體上 之化學機械平坦化系統的示意圖； 第1 0圖為第9圖之調節元件的側視圖： 第1 1圖為第10圖之調.節元件的前視圖： 第12圖為調節滾輪的示意圖； 第13Α圖為沿著第12圖之調節滾輪之調節板之切割線 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公爱） B 7 798 A7 B7 五、發明說明（ 1 3 A -1 3 A的剖面圖； 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項" 再 寫 頁 第1 3B圖為沿著第1 2圖之調節滾輪之調節板之切割線 1 3 B -1 3 B的剖面圖； 第1 4圖為第8 A ' 8 B與1 0圖之化學機械平坦化系統之交 替實施例的示意圖；以及 第1 5圖為研磨媒體調節系統的示意圖。 圖號對照說明： 100、300、7 00、900、1400 化學機械平坦化系統 研磨媒體儲存盒 104、302 直線驅動系統 底部 108、1506 1502 展開器 112 、 1504 網狀結構 1 1 6、1 1 8 122、802 直線運動元件 研磨頭 126 晶圓 204.滾輪 206 ' 406 、 1006 h 400 、 702 ' 902 、 1402 調節元件 220 流體噴射器 212、 214 惰輪 224 電刷 218 超音波產生器 垃圾收集器 304 運輸器 調節環 404 調節竿 套筒 410 質地面 1202 移動板 502 螺絲帽 1302 突出端 704 工作面 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 102 106 1 10 114 120 124 202 208 210 216 222 402 408 500 600 調節模組 纏繞器 工作面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7
805 馬達 420 促動器 1304 背脊 46 7 798 五、發明說明（） 804 支撐物 8 0 6 旋轉汽纪 1 002 支撐框 1 500 研磨網狀結構調節系統 1 004 柱狀物 發明詳細說明： 第1圖為具有調節模组丨08之化學機械平坦化系統 100的示意圖》化學機械平坦化系統10〇大體上包括一研 磨媒體储存盒（polishing media mag azine)102、一直線驅動 系統104與一底部（base)106。 研磨媒體儲存盒102大體上包括—展開器 (unwind)llO與一纏繞器（Win(jer)li2。研磨媒體之網狀結 構（web) U 4運轉介於一展開器U〇與一纏繞器112間。網 狀結構U4可實質捲起於展開器11〇或纏繞器112,或部 分捲繞於展開器110與纏繞器112上，使網狀結構114之 各部分可選擇性地暴露於展開器11 0與纏繞器1丨2間。 網狀結構U 4之工作區1 1 6佈置於化學機械平坦化系 統100之底部106上。網狀結構114之工作區116位於底 部106之相關位置，網狀結構114之工作區118是在面對 遠離底部106之網狀結構114之側面上》此種研磨媒體儲 存盒102的一個範例描述於Somme之美國專利申請案第 08/833,278號中（於1 997年4月4曰申請，下述稱之為 "Somme，278")。Somme，278專利申請案此處併入做參考。 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公楚） — — — mini I i I I l· I I I illn — Γ— · (靖先閱讀背面之注意事赛#'填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 7 798 A7 B7 五、發明說明（ 直線驅動系統1 04耦接底部i〇6。直線驅動系統1 〇4 一般包括一第一直線運動元件120、一第二直線運動元件 122與一個或多個研磨頭124。研磨頭124可在網狀結構 114之工作區116上移動。第一直線運動元件12〇與第二 宜線運動元件122(其可經由提供至少一等範圍運動之元 件所取代）偶合研磨頭124至底部1〇6。直線運動元件12〇 與122移動研磨頭124於相關於底部1〇6之可程式圖案 中。 纏繞器（Winder)U2降低至接觸網狀結構1 14之工作 面118。佈置於研磨頭124中之晶圓126被安置運動關於 工作面118»研磨研漿（未顯示）可被配置介於晶圓126與 工作面11 8間，以輕易從接觸網狀結構1 1 4之晶圓126的 特徵面去除物質《其他流體例如去離子水也可被配置於工 作面上。選擇性地，工作面丨18可包括研磨塗層、磨光、 覆蓋及/或質地化。此種直線驅動系統104的一個範例描述 於先前結合的專利申請案Sommer，602。 直線驅動系統〖04如Sommer '602所描述，其具有用 以支撐（亦即支撐一晶圓）且連接在一 x/y平面之—處理 頭。處理頭可沿著z軸移動，以接觸一固定的工作面Π8。 若處理頭大致在x/y平面移動，晶圓大致會在平坦化圖案 中之工作面118滑動"此外，覆蓋工作面之網狀結構可於 驅動系統上固定移動，使得網狀結構前進以使不同段之網 狀結構被定位在接觸晶圓之工作面上》 第1圖之示範化學機械平坦化系統描述研磨媒體 本紙張尺度適用争國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 {請先閲讀背面之注§炎#'·填窝本頁} '1ΡΪ-裂 訂-----卜·線、 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 4 6 7 798 A7 B7 五、發明說明（ 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 填 頁 之網狀結構114，其中研磨頭124依據底部1〇6而移動。 然而’本發明此處所描述，相當適用於其他驅動系統，包 括晶圓可移動旋轉於一固定的研磨媒體上（亦即一研磨塾） 以及研磨媒體可移動於一固定的晶圓下之方案。 此種平坦化系統的範例描述於Hoshizaki等人（於 1999年6月1日公告之美國專利案第5,908,530號）與 Sheldon(於1999年5月4日公告之美國專利案第5,899,800 號）之專利中，兩者併入此處做參考。
Hoshizaki等人描述之驅動系統支撐晶圓固定於x/y 平面（亦即工作面之平面）而移動晶圓面對著工作面沿著z 轴。工作面在jc/y平面中運轉，創造相關於晶圊之一平坦 化圖案。1 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製
Sheldon描述之驅動系統支撐晶圓於耦接位於底部上 之輸送帶之研磨頭中。輸送帶移動研磨頭至—具有研磨媒 體至於其上之研磨站中。研磨頭旋轉而圓形移動於x/y平 面（亦即研磨媒體之工作面118之平面）。晶園被支撐面對 工作面沿著研磨頭之Z袖。接近Z軸之旋轉偶合接近 平面之圓形移動，創造出介於晶圓與研磨媒體間之一軌道 平坦化圖案》 調節模组1 0 8大體上被配置相鄰於網狀結構」丨4之工 作面118。調節模組調節（亦即磨光）網狀結構114之工作 面118’以一均句速率從晶圓表面去除物質，以創造一均 勻質地工作面Π 8。在一實施例中’調節模組1 〇 8被配置 相鄭介於底部106與纏繞器112間之網狀結構丨丨4。 第10頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 6 7 79 8 A7 B7 五、發明說明（
諳 先 m 讀 背 & 之 注 意 Ϊ 項:； 再 I λ 頁 I 請參照第2圖，調節模組108包括-第—滾輪2〇2與 一第二滚輪204。第一滾輪202與第二滾輪2〇4可被選擇 性地配置面對著網狀結構114。選擇性地， 結構-之第-滚輪2。2或第二滾輪204產生 控制。大體上，任一滾輪（202與204)之旋轉方向與旋轉速 度是獨立地由馬達（未顯示）來控制。此種馬達的範例為步 進馬達、伺服馬達、空氣驅動器及其他用以創造旋轉運動 之裝置《此種馬達可被直接耦接滾輪、收藏於滾輪内或遠 端耦接滾輪。此外，一滾輪（或單一馬達有效地耦接一滾 輪）可選擇性地驅動此兩滾輪》在一實施例中，第一滾輪 2 02之旋轉是相對於第二滚輪2〇4 β 線 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 第一滾輪202包括一磨光面206〇磨光面206大體上 環繞滾輪之整體長度，但可被限制在僅接觸用以處理之部 分網狀結構1 1 4。磨光面2 0 6 —般被處理及質地化，以便 在網狀結構114上提供預期的調節或磨光效果。大體上， 在平坦化期間，磨光面206被選擇提供預期的結果。磨光 面2 06通常是被研磨物質地化（texture(j)，此研磨物例如是 一鑽石料、氧化物、陶瓷、銅、碳化矽、電阻或塑膠。當 然，磨光面206可以機械製造、蝕刻、或其他處理來提供 一質地面。在此種質地面下，可預期硬化或處理此表面以 延長滾輪之保養壽命。此種硬化或其他表面處理的範例包 括熱化、碳化、氮化、離子氮化或經由表面覆蓋之應用， 例如石英、氧化鋁、碳化矽、氮三硼（cubic boron nitride) 或其他保護覆蓋物。第二滾輪2 04是類似組合。 第11頁 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS>A4規格（210 X 297公釐） 4 6 7 798 A7 B7 五、發明說明（ (請先閲讀背面之注意事視ίφ填窝本頁) 請參照第12、13A與UB圖’滾輪2〇2之磨光面2〇6 可選擇地包括可輕易製造之各別的、移動板12〇2。移動板 1202在有損耗或磨損時可被個別地取代„移動板12〇2可 包括如上所述之質地面’或包括其他幾何圖形例如一個或 多個突出端1 302或連續之背脊1 304。 調節模組108可選擇性地包括附加調節元件2〇8以増 加網狀結構U4之調節。一個或多個附加調節元件2〇8可 被個別地加至調節模組1 〇 8中或加至任何結合或變動之元 件量中。此種附加調節元件208可包括—個或多個電刷、 流體噴射器、超音波產生器及其他的調節元件。這些附加 元件之位置可選擇性地給予預期調節效果至網狀結構 114。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第2圖之實施例中’第一流體噴射器21〇導引面對 網狀結構114之一流體（一般是去離子水）使介於第一惰輪 212與第二惰輪214間被拉緊鄰近第二惰輪214之位置。 一個或兩惰輪（212與214)任一可經由馬達（未顯示）驅動， 其有效地耦接一遠端馬達或其他滾輪/惰輪、自甴汽缸或有 效地搞接至制動器（未顯示）。流趙同時可去除微粒及使網 狀結構1 1 4保持潮濕》第一流體喷射器2 i 〇以導引流體面 對網狀結構1 14之方法，防止流體遠離弄濕網狀結構U4 之非工作侧。 第一電刷216被故置接觸第一與第二滾輪（2〇2與204) 之磨光面》第一電刷216用以去除物質，其可位於磨光面 2 06上或碰撞至磨光面206。 第12頁 表紙張尺度適用尹國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐
經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 五、發明說明（） 超音波產生器218位於第一滾輪202與第一惰輪212 間。超音波產生器2 1 8用以提供面對網狀結構1 1 4之波能 量，以放鬆可能在網狀結構114上之破片* 第二流體噴射器220用以導引一清潔流禮至面對著鄰 近第一惰輪212之網狀結構114。第二流體嗜射器220之 操作類似於第一流體喷射器2 1 0 ° 第二電刷224位於接觸鄰近第一惰輪212之網牧結構 11 4 »第二電刷224 —般會在一方向中旋轉，以防止經由 網狀結構11 4傳輸（或經由第二電刷224清掃）之破片跑到 網狀結構114之工作區上》選擇性地’垃圾收集器222用 以捕捉調節模组10 8内之破片與流體。 在操作中，網狀結構Π4會前進（在一方向或隨後向 後或向前）通過第一滾輪202與第二滾輪204。滾輪（2〇2 與204)會運轉至接觸網狀結構1 14。滚輪（2〇2與204)會被 驅動在相同或相對方向，以在網狀結構114上產生調節效 果（亦即在網狀結構114上給予一表面調節，以產生一預 期平坦化過程至晶圓1 26)。在一實施例中，滚輪（202與 204)會維持在一定速度，並給予一均勻調節效果沿著網狀 結構114之長度。整體網狀結構114可在處理之前被調 節β此外，網狀結構1 1 4之選擇區段可在處理晶圓126期 間或於處理晶圓126間被調節。使用第一與第二滾輪（2〇2 與204)可減少用以調節網狀結構1 1 4所需之時間β再者， 4 ?袞輪（202與204)可包含不同的磨光面206，使網狀結構 114上之調節效果的範圍可被擴大。 第13頁 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — ι!ί — t * 11 (请先閲讀背面^注意事吼^壤寫衣頁} -8J- •線
4 6 7 798 五、發明說明（） 第3圖為另一貫施例之化學機站, 字機械平坦化系統3 〇 〇的示 意圖。化學機械平坦化系統3 0 〇為& ^ υυ包括一研磨媒體儲存盒 102、一直線驅動系統302、一戾却！以Λ 祗哔106與一選擇性調節模 组108 "研磨媒體儲存盒1 02之& ώ命搞& & 心紐成與操作描述於第1圖 之實施例中。直線驅動系統302 - |， 股類似於第1圖之直線 驅動系統104,其具有配置於用以支撐一個或多個研磨頭 !24之運輸器304中之附加一個或多個調節元件。 請參照第4A圖與第4B圖，調節元件4〇〇可移動地稱 接運輸器304。當然，調節元件可耦接研磨頭124或移動 於對應網狀結構114之"研磨圖案"中的其他結構。調節元 件400可同時配置對應於研磨頭ι24與網狀結構114之工 作面H8 »調節元件400可包括調節環4〇2及/或調節竿 404。調節環402配置於大約研磨頭124之周邊。調節環 402可額外提供做為一保持環，以維持晶圓i26在研磨頭 124下研磨》調節環402具有一磨光面4〇6 a磨光面4〇6 一般以一研磨物使其質地化’例如一鑽石料、一氧化物或 一陶瓷。當晶圓126存在於研磨頭丨24中時，磨光面406 可被配置選擇性接觸網狀結構114，或在晶圓處理期間， 保持網狀結構114之無阻礙。當無晶圓126存在於研磨頭 1 24中時，磨光面406可替換性地接觸面對網狀結構丨14。 如第5與6圖所示，調節環402可選擇性地以機械製 造 '蝕刻或不同的方法，以提供質地化磨光面406 »調節 環402之磨光面406可選擇地包括可輕易製造之各別的、 移動板5 00。移動板500在有損耗或磨損時可被個別地取 第Η頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------l·——η------- (锖先閲讀背面之注意亊货年填窝本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 57798 A7 B7 五、發明說明（ 代。移動板500可以各種檨或诂 像式被附加至調節環402中來允 許移動板500之移去，而随祐太曰 隨後在阳圓處理期間，維持移動 板500至調節環402。在—音祐你丨由 赏施例中，移動板500使用具 有頭部之一螺絲帽502(例如一平面4 ^ J ^ 十面頭部機械嫘絲帽）固定 至調節環402，其被配置於磨光 、徵尤面4〇6下。移動板500可 包括如上所述之質地面，或白蛀使 4 I括其他幾何圖形例如一個或 多個突出端600。 請在參照第4A輿4R ,相1 ** *» 興4β圖，1周即竿404大體上是一柱狀 或其他形狀，卫經由套筒彻有效轉接運輸器3〇4。套筒 408大體上位於調節環4G2之外部n調節竿4〇4可 耦接至運輸器304之其他部分。調節竿4〇4耦接促動器42〔 其用以移動調節竿404接觸研磨媒體e當調節竿4〇4配置 面對網狀結構1 14時及當經歷有關網狀結構i 14之相關運 動時，套筒408保持調節竿4〇4之質地面41〇於相關網狀 結構114之一實質標準。調節竿4〇4可整體被包括從調節 物質或替換物，質地面410可被塗蓋、磨光或質地化以提 供調節效果給網狀結構Π 4。此種塗料可包括陶瓷、罐石 與氧化物》 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 在操作中’運輸器3 04在平行於網狀結構1 1 4之平面 之χ-y運動中運轉e調節元件400運轉以接觸網狀結構 1 14 »調節元件400與網狀結構1 1 4間之相關運動使網狀 結構114上產生調節效果。當晶圓126存在於研磨頭12^ 時，調節元件400可選擇性地配置面對網狀結構11 4，以 提供M機台内"調節（亦即在晶圓處理期間調節網狀結構 第15頁 本紙張尺度適用中固國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 4 67 798 五、發明說明（ 114)»當然，調知元件400可在晶圓處理期間，被保持在 相隔網狀結構H4之一位置中，並且被運轉以週期性地在 晶圓運轉間調節網狀結構1 14 β運輸器3〇4之預定運動產 生相關於網狀結構114之晶圓126之研磨圖案，也在調節 元件400被配置面對網狀結構114時提供一調節圖案。假 如有需要的話，調節圖案可被程式化不同於研磨圖案。 第7圖為另一實施例之化學機械平坦化系統7〇〇的示 意圖。化學機械平坦化系統700包括一研磨媒體傲存盒 102、一 i線驅動系統104、一底部106、—調節元件7〇2 與選擇性之一調節模組108»研磨媒體儲存盒1〇2與直線 驅動系統1 04之組成與操作描述於第！圖之實施例中。調 節元件702耦接底部106之工作面704至直線驅動系統 I 04之一侧。調節元件702顯示於直線驅動系統1 〇4之右 侧。然而，調節元件702可交替地位於直線驅動系統1〇4 之左側或在相鄰於研磨媒體儲存盒1〇2之其他位置。 請參照第8A圖，調節元件702耦接直線運動元件 802。直線運動元件802經由支撐物804耦接底部106，使 得網狀結構11 4通過介於調節元件702與底部1 06間。直 線運動元件8 02可包括耦接直線促動器或其他直線運轉機 制之水力或氣體汽缸、球狀推進器、步進器或伺服馬達。 當需要磨光網狀結構114時，調節元件702可還擇性地運 轉以接觸網狀結構114 調節元件702大體上是一竿狀或 碟狀，當接觸網狀結構114且經由直線運動元件802轉變 時（及/或網狀結構114在調節元件702下移動），其被保持 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事填卑填寫本頁) A!裝 訂-------Γ線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6779 8 A7 -----------B7, -..___ 五、發明說明（） 以維持在相關於網狀結構U4之一正常位置。調節元件 702包括如同第4圖之調節竿所述之一質地面410。當然， 質地面可包括如同第5圖之移動板500所述可移動調節 板。選擇性地，調節元件702可有效耦接一馬達805，馬 達805用以旋轉調節元件702大約一中心軸。此種馬達之 範例包括直接或間接耦接調節元件702之空氣或流體促動 器 '步進馬達、伺服馬達或其他用以給予旋轉運動之元 件。 當然，調節元件702可以是一旋轉汽缸806如第8B 圖所示。大體上’旋轉汽缸806耦接至一馬達（未顯示）， 用以提供汽缸實質平行於研磨媒體114之平面之一旋轉運 動。旋轉汽缸806大體上類似於第2圖所述之第一調節滚 輪202，其中旋轉汽缸806是較短長度及倚靠於直線運動 元件802上’以動態定位旋轉汽缸802來調節網狀結構114 之一選擇（或整體）寬度" 經濟部智慧財產局興工消費合作社印製 請再參照第7圖，在操作中，經由運轉調節元件702 接觸網狀結構11 4來調節網狀結構1 1 4。經由旋轉調節元 件702垂直於網狀結構114之運行方向，調節元件702會 被"掃描"越過網狀結構114，而在調節元件702下推進網 狀結構11 4向後及向前。選擇性地，當接觸網狀結構1 14 時，調節元件702旋轉《 第9圖為另一實施例之化學機械平坦化系統9 0 〇的示 意圖。化學機械平坦化系統900包括一研磨媒體儲存盒 102 ' —直線驅動系統104、一底部1〇6、一調節元件902 第17貫 本紙張尺度適用t國國家標举<CNS)A4規格（210 X 297公釐)' ' 4 6 7 79 8 A7 _ B7 五、發明說明（） 與選擇性之一調節模组108。研磨媒'禮儲存盒102與直線 驅動系統1 04之組成與操作描述於第1圖之實施例中。調 郎元件902轉接底部106之工作面704沿著直線驅動系统 1 0 4之一側。調節元件9 0 2雖然圖示於直線驅動系統1 〇 4 之右側’但調節元件902可交替地位於直線驅動系統1 〇4 之左側。 請參照第1 0圖，調節元件9 0 2經由一支撐框J 〇 〇 2搞 接底部106’使得網狀結構114通過介於調節元件902與 底部106間。在網狀結構114之磨光期間，調節元件902 可選擇性地運轉以接觸網狀結構11 4。調節元件9〇2大體 上是具有磨光面1006之柱狀物1004，其類似於第2圖所 示之第一滾輪202之架構與操作。磨光面被配置橫 越汽缸1 004之長度且至少如網狀結構1 14之工作面的長 度寬（亦即用以研磨基底之網狀結構U4之部分 請參照第1 0與11圖*在操作中’經由運轉調節元件 9 02接觸網狀結構1 1 4來調節網狀結構丨1 4。在旋轉調節 元件902下經由推進網狀結構114向後及向前，相關於網 狀結構1 14之調節元件702會被”掃描"。 第14·圖為第8A、8B與10圖之實施例之交替實施例 的示意圖°化學機械平坦化系統1400包括—研磨媒體儲 存盒102、一直線驅動系統104、一底部1〇6與一調節元 件14〇h研磨媒體儲存盒102與直線驅動系統1〇4之組成 與操作描述於第1圖之實施例中· 調節元件1402大體上配置相鄰介於底部與缠繞 第18頁 本紙張尺度遇用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 (諳先閲讀背面之注¾事贫再填窝本頁) .裝 訂-------l··線 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 4 6 7 798 A7 __B7 _ I '........ N — 1 IW·—— 五、發明說明（） 器1 12間之網狀結構丨14。調喊元件1402可包括如第8A、 8B圖所示之調節元件702,調卽元件208如第1 0圖所示， 或此處所揭露之調節模組/元件之任何組合。此外，調節元 件可被增大伴隨如第2圖所述之附加調節元件208與垃圾 收集器222。 第1 5圖為本發明包括研磨網狀結構調節系統1 5 0 0的 另一實施例。研磨網狀結構調節.系統1 5 0 〇包括一展開器 1 502、一調節模组1 506與一纏繞器1 504 β展開器1502、 調節模組1506與樓繞器可相互搞接或交替自立。研 磨媒體之網狀結構114從展開器1502運行至纏繞器 1 504，使網狀結構可選擇性地從展開器1 502傳送至纏繞 器1504。調節模耝I506可被運轉接觸網狀結構114，以 調節或磨光網狀結構114之工作面118。調節模組1506 可包括如第2圖所示之調節模組1〇8、如第8Α、8Β圖所 示之調節元件702、如第1 〇圖所示之調節元件208、或此 處所揭露之調節模组/元件之組合Λ 必須注意的是，雖然上述之一些實施例指出相關於研 磨媒體之研磨元件的直線運動，但一些元件可在一非直線 運動中移動*並給予網狀結構之工作面或研磨媒體預期的 調節效果。舉例來說，習知者可輕易設計出一非直線路徑 用以第8Α、8Β圖所示之調節元件。在調節元件下網狀結 構之移動可補償非垂直於網狀結構之運動部分，或交替 地，以相關於網狀結構之調節元件之一致速度，調節圖案 可被架構來磨光網狀結構之選擇部分。 第19頁 (靖先閱讀背面之注意事齋再填寫本頁) --裴 n l·---訂-------卜-線 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4現格（21〇 297公釐〉 4 6 7 798 A7 _B7_ 五、發明說明（） 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。‘ — — — — — — — —lid ί_Ί I - — — — l·! — — «— — — — If — . .,, / <請先閱讀背面之注意事氣再填寫本頁)
-J 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第201 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 7 798 § D8 六、申請專利範圍 1. 一種用以調節一研磨面之裝置，至少包括： 一研磨媒體1 14 ; 一運輸器304 ; 一研磨頭124,耦接至該運輸器，其中該研磨.頭係配 置鄰近於該研磨媒體：以及 一調節元件400，耦接至該運輸器。 2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該調節元件更 包括： 一竿404，配置鄰近於該研磨頭，且該竿具有一調節 面4 1 0選擇性地接觸該研磨媒體。 3 .如申請專利範圍第2項所述之裝置，更包括： 一促動器，耦接該竿。 4. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，更包括： 一驅動器，用以支撐該運輸器。 5. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中該竿接觸該研 磨媒體，該驅動器移動該研磨頭。 6. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中該調節面係選 自於鑽石料、石英、氧化鋁、氧化物、碳化矽、氮三硼、 陶瓷、銅、電阻與塑膠所組成之族群.β 第21育 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事再填寫本頁)
    gl 4 6 7 798 六、申請專利範圍 7. —種用以調節一研磨面之装置，至少包括： 一研磨媒體114;以及 一第一調節元件202與一第二調節元件204配置相 鄰於該研磨媒體，其中該第一調節元件是以一第一旋轉 速度選擇性地被促動接觸該研磨媒體，以及該第二調節 元件是以一第二旋轉速度五以相對於該第一旋轉速度 之一方向，選擇性地被促動接觸該研磨媒體。 8. 如申請專利範圍第7項所述之裝置，其中該第一調節元 件與該第二調節元件各更包栝一質地面· 9. 如申諳專利範圍第8項所述之裝置’其中該調節面係選 自於包括鑽石料、；δ英、氧化鋁、氧化物、碳化矽、氮 三硼、陶瓷 '銅、電阻與塑膠等組成之一族群a 10. 如申請專利範圍第8項所述之裝置’其中該第一調節元 件更包括： 複數個板。 請 先 閲 面 注 f ' 5裝 本 _ 頁 I 一 I I I I I I tr i I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11.如申請專利範圍第10項所述之裝置，其中任一之 板更包括： 一質地面。 該些 < 被 12.如申請專利範圍第〗〇項所述之裝置，其中该迆振 第22賓· 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 χ 2ζ7公釐） 67798 Μ ^ C8 D8 六、申請專利範圍 釋放附加至該調節環。 13,如申請專利範圍第8項所述之裝置，更包括： 一垃圾收集器。 1 4.如申請專利範圍第8項所述之裝置，更包括： 一個或多個附加調節元件，選擇性地面對該研磨媒 k配置，該研磨媒體可選自於從一電刷、一流體噴射器 與一超音波產生器所組成之一群組。 1 5.如申請專利範圍第7項所述之裝置，更包括： 一纏繞器；以及 一展開器，在調節期間，該研磨媒體會前進介於該 纏繞器與該展開器間。 16, —種用以調節一研磨面之裝置，至少包括： 一網狀結構之研磨媒體114; 一研磨頭124，配置鄰近於該網狀結構； 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項/ 再、 填 本 頁 Λ k 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 及 以 第第 第 統統 系系 區 區 件 元 節 調 頭 磨 研 該 揮 支 以 統 系 動 驅 第 該 於 近 鄰 置 統 系 驅 二 第 該 接 耦 1 7.如申請專利範圍第1 6項所述之裝置，其中該第一調節 第23頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 之裝置，其中該汽紅是轉 6 7 798 截 ____§ 六、申請專利範圍 元件係選擇性地被動接觸該斫磨媒體。 18. 如申請專利範圍第ι6項所述之裝置，其中該第—調節 元件更包括： 具有質地面之一碟片或竿’且選擇性地接觸該研磨 媒體。 19. 如申請專利範圍第16項所述之裝置，其中該第一調節 元件在垂直於該研磨媒體之一軸上旋轉3 20. 如申請專利範圍第16項所述之裝置’其中該第一調卽 元件更包括： 一汽缸，選擇性地面對该研磨媒體配置。 2 1 ·如中請專利旄圍第1 7項所述 動的。 , , ,-d·.少锼置，其中當接觸## 22.如申請專利範圍第16項所述之装I丹〒田鞭 節元件時，該研磨媒體是前進的* 2 3 .如申請專利範圍第1 6項所述 元件相關於該研磨媒體之寬度而移 24_如申請專利範圍第1 6項所述之裝I其中該調厂 良紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） {琦先閲靖背面之注意事填再填窝本頁) 裝--------訂-------h·線；·.、 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 之装置’其中該第一調節 6 If 8 9 A8B8C8D8 、申請專利範圍 更包括： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一滾輪902,具有一中線被配置平行於該研磨媒體之 平面。 2 5 .如申請專利範圍第24項所述之裝置，其中該滚輪是在 其中線上旋轉。 26. 如申請專利範圍第24項所述之裝置，其中該滾輪更包 括： 一長度，至少等於該研磨媒體之一工作面之一寬 度。 27. 如申請專利範圍第24項所述之裝置，其中當接觸該研 磨媒體時，該網狀結構是前進的。 28. 如申請專利範圍第24項所述之裝置，其中該滾輪更包 括： 複數個板。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 29. 如申請專利範圍第28項所述之裝置，其中任一該些板 更包括： 一質地面。 3 0.如申請專利範圍第28項所述之裝置，其中該些板可被 第25貫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 467798 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 釋放附加至該調節環 3 1 · —種用以調節一研磨物質之網狀，結構的方法，包含下列 步驟： 推進一研磨物質之網狀結構； 移動一調節器斜交成角度於該網狀結構前進之方 向；以及 調節該研磨物質。 32·如申請專利範圍第31項所述之方法’其中該推進步驟 更包括傳送該網狀結構介於一展開器與一纏繞器間之 步驟。 3 3 ‘如申請專利範園第3 1項所述之方法，其中該調節步驟 更包括步驟： 攜帶一旋轉元件接觸該研磨物質。 (請先閱讀背面之注意事硬Ηή:填寫本頁) -·裝--------訂---------r-線' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 34·如.申請專利範圍第33項所述之方法，其中該調節步驟 更包括步驟： 攜帶具有相對於該第一滚輪之一旋轉之一旋轉元件 接觸該研磨物質。 3 5 ‘如申諳專利範圍第3 3項所述之方法，其中該旋轉元件 在垂直於該研磨物質之一軸上旋轉》 第26頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSU4規格（210 X 297公釐） ¢ 6 7 798 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 6.如申請專利範圍第3 3項所述之方法，其中該旋轉元件 在垂直於該研磨物質之一軸上旋轉。 3 7.如申請專利範圍第3 3項所述之方法，更包括步驟： 傳送已調節之該網狀結構至一處理系統中； 研磨該網狀結構上之一基底；以及 再次調節該處理系統上之該網狀結構。 (請先閱讀背面之注意事項坪填寫本頁) 裝 VIA 一BJ E n rtf i n >l· I - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第.27頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4859600A (en) * 1983-04-25 1989-08-22 Genentech, Inc. Recombinant procaryotic cell containing correctly processed human growth hormone
US6196899B1 (en) * 1999-06-21 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Polishing apparatus
WO2001064391A2 (en) * 2000-02-29 2001-09-07 Applied Materials, Inc. Planarization system with a wafer transfer corridor and multiple polishing modules
JP2002028853A (ja) * 2000-07-14 2002-01-29 Ebara Corp 研磨装置
US6821189B1 (en) * 2000-10-13 2004-11-23 3M Innovative Properties Company Abrasive article comprising a structured diamond-like carbon coating and method of using same to mechanically treat a substrate
US6702654B2 (en) * 2001-02-07 2004-03-09 Agere Systems Inc. Conditioning wheel for conditioning a semiconductor wafer polishing pad and method of manufacture thereof
US6752698B1 (en) * 2001-03-19 2004-06-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning fixed-abrasive polishing pads
US6579157B1 (en) * 2001-03-30 2003-06-17 Lam Research Corporation Polishing pad ironing system and method for implementing the same
KR100939096B1 (ko) * 2001-05-29 2010-01-28 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치, 폴리싱방법 및 기판캐리어 시스템
US7037177B2 (en) * 2001-08-30 2006-05-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for conditioning a chemical-mechanical polishing pad
US6739948B2 (en) * 2002-01-15 2004-05-25 International Business Machines Corporation Synchronous tape head polishing device and method
US7824498B2 (en) * 2004-02-24 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Coating for reducing contamination of substrates during processing
US6935938B1 (en) * 2004-03-31 2005-08-30 Lam Research Corporation Multiple-conditioning member device for chemical mechanical planarization conditioning
US20080156360A1 (en) * 2006-12-26 2008-07-03 Applied Materials, Inc. Horizontal megasonic module for cleaning substrates
JP5649417B2 (ja) * 2010-11-26 2015-01-07 株式会社荏原製作所 固定砥粒を有する研磨テープを用いた基板の研磨方法
US8540551B2 (en) * 2010-12-15 2013-09-24 Corning Incorporated Glass edge finish system, belt assembly, and method for using same
EP3571009A4 (en) 2017-01-20 2021-01-20 Applied Materials, Inc. THIN PLASTIC POLISHING ARTICLE FOR CMP APPLICATIONS
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
US11717936B2 (en) 2018-09-14 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Methods for a web-based CMP system
KR20200068785A (ko) * 2018-12-05 2020-06-16 삼성디스플레이 주식회사 연마 모니터링 시스템 및 연마 모니터링 방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5569062A (en) 1995-07-03 1996-10-29 Speedfam Corporation Polishing pad conditioning
KR100440417B1 (ko) 1995-10-23 2004-10-22 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 화학-기계적연마응용을위해패드컨디셔너와웨이퍼캐리어를통합시키는장치
US5938507A (en) * 1995-10-27 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Linear conditioner apparatus for a chemical mechanical polishing system
US6371838B1 (en) * 1996-07-15 2002-04-16 Speedfam-Ipec Corporation Polishing pad conditioning device with cutting elements
US5842912A (en) 1996-07-15 1998-12-01 Speedfam Corporation Apparatus for conditioning polishing pads utilizing brazed diamond technology
US6019670A (en) 1997-03-10 2000-02-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for conditioning a polishing pad in a chemical mechanical polishing system
US5857899A (en) 1997-04-04 1999-01-12 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing head with pad dressing element
EP1015177A1 (en) 1997-04-04 2000-07-05 Obsidian, Inc. Polishing media magazine for improved polishing
US5941762A (en) * 1998-01-07 1999-08-24 Ravkin; Michael A. Method and apparatus for improved conditioning of polishing pads
US6123607A (en) * 1998-01-07 2000-09-26 Ravkin; Michael A. Method and apparatus for improved conditioning of polishing pads
US6004196A (en) * 1998-02-27 1999-12-21 Micron Technology, Inc. Polishing pad refurbisher for in situ, real-time conditioning and cleaning of a polishing pad used in chemical-mechanical polishing of microelectronic substrates
US6276996B1 (en) * 1998-11-10 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6196899B1 (en) * 1999-06-21 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Polishing apparatus

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Publication number Publication date
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EP1114695A2 (en) 2001-07-11

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