TW464860B - Magneto resistor sensor with differential collectors for a non-volatile random access ferromagnetic memory - Google Patents

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A7 4648 6 0 _B7__ 五、發明說明（1) 本發明之僭先權 本案主張1999年3月4日提出之共同待決美國臨時申 請案第60/121，901號之優先權。 本發明領域 本發明有關非依電性隨機存取記憶體〇更明確言之， 本發明有關一種用於非依電性隨機存取强磁記憶體之具有 差動集極之磁電阻體傳感器〇 本發明背景 電腦記憶體技藝在前二十年內已經歷深遠之進展〇 — 種第一代電腦記憶體牽涉磁心記憶體技藝◦爲形成各個磁 心，一小型環狀鐵酸鹽磁心予交織成精細電線矩陣。藉施 加電流通過該等電線，該心將程式化成具有將對應於邏輯 1或〇之北或南指向通量通路〇磁心記憶體之優點爲非依 電性，或不需予更新以記憶所儲存之邏輯信號。此外，心 記憶體亦爲v'輻射無感性〃，或不受像加瑪射線之離子化 用輻射之影響。然而，該磁心陣列之組裝極爲勞力密集而 在發展出半導體法時迅即被放棄〇 目前，一種最普遍之記憶體技藝係使用M0S (金氧半 導體）或CMOS (互補金氧半導體）法〇然而一般詳知，由 於電容器之固有漏洩所致，此技藝需將每一記憶格恆定更 新以維持邏輯信號强度〇此記憶格恆定更新在電壓來源不 受限制時不成問題，但在類如疊頂電腦及蜂巢式電話之多 種應用中則電源有限〇爲處理此種問題，曾將可再充電電 池用於所有可攜帶式電氣裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------- -裝------1—訂·-----— l· -線 (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 464860 五、發明說明（2) 與使用具有電容性記憶體陣列之裝置相關之問題爲不 方便每小時維持各電池受到正確充電。因此，有需要一種 無需更新且廉價又快速製成之非依電性記憶體裝置0 有關非依電性隨機存取記憶體之專利實例如下，其中 每一均因其等之支持性敎示而以指述方式納入本文： 頒給Di my a η等之美國專利4,360, 899號敎示一種具有 在主要表面或基底上排成陣列之多數磁格之非依電性隨機 存取記憶體。操作Bf，選取單一磁格，並在同時施加電脈 衝至一對在鄰近所選格子處相交之導體時以感應方式在相 反之殘餘（亦即永久）狀態間轉換。每一電脈衝均具有一 不足以將所選格子之殘餘狀態以感應方式轉換之振幅。然 而，各電脈衝之組合振幅至少等於此一轉換所需之振幅〇 頒給Mathews之美國專利5,068,82e號敎示一種以霍 耳效應爲操作基礎之非依電性靜態磁記憶體裝置〇該裝置 包括一以磁場形式儲存資料之磁性嵌補、一半導體霍耳棒 、以及一對用以放大及緩衝沿霍耳棒所生霍耳電壓之一體 成形雙極電晶體。使用時*電流被迫向下流過霍耳棒之長 度，導致一霍耳電壓在橫過磁場及電流二者方向之方向上 產生〇該雙極電晶體之基座予歐姆耦合於該霍耳棒，以感 測該霍耳電壓--其極性代表所儲存之資訊〇最後，一攜帶 電流之導體系統予用以將資料寫於個別之磁性嵌補〇 頒給L~au之美國專利5,295,097號敎示一種具有攜 帶多數獨立之可磁式極化域之非依電性隨機存取記憶體。 各域均包圍以一全寫環路構件，並配置成以其殘餘磁場穿 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -5 — --------------裝--------訂--------L.線1· (請先閱讀背面之注意事項/4寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4648 6 0 at B7 五、發明說明（3) 透一個雙汲極場效電晶體（FET)之霍耳波道。各域以字列 及環節行編組而成，各自藉單一全寫電流經由該包圍環路 構件予以寫入，且各自藉一連接於該FET域予以讀取〇該 記憶體能以各種不同形式製作〇 頒給Li%；au等人之美國專利4,791，604號敎示一種片 狀隨機存取記憶體0該片狀隨機存取記憶體爲一種以其格 密度及較小之尺寸與功率要求爲特徵之非依電性且可運送 之記憶體，但具有磁心記憶體或磁碟或磁帶之非依電特性 及耐震之運送能力〇該片狀隨機存取記憶體之進一步特徵 爲一種包含一個二維磁性基底及一個固定驅動裝置供寫與 讀入該基底之記憶體。此外，每一格位置均附接一固定傳 感元件供傳感資訊〇該記憶媒介不僅包括一匀質之二維基 底，亦包括以光感石版印刷技術形成於該基底內之鐵酸鹽 磁心，其中資訊係儲存於該磁心內，並藉該傳感元件自一 由該磁心所界定之間隙讀取0該發明之記憶格因而可配置 及編組以形成串聯及並聯二者形式之破壤性讀出隨機存取 記憶體，或非破壤性讀出隨機存取記憶體0 頒給McDowel]等人之美國專利5,926,414號敎示一種 與一載波偏轉型磁場傳感器組合之磁積體電路結構0各種 磁結構均實現一狀況，其中磁場實質上正交於感測電流載 波之行進方向，從而獲致最大靈敏度0藉由將—磁式記憶 格設置於單一最小尺寸M0S元件上’可實現一與FLASH記 憶格之習用DRAM比較爲有利之小格子。由該磁結構所提供 在磁場上較大程度之控制能使一記憶體陣列內各格子間之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —6 — ------*---II--- — ill---·!111111« I .. (請先閱讀背面之江意事項#填寫本頁) A7 464860 ____B7____ 五、發明說明（4) 互稱減爲最小0 頒給Lekven之美國專利敎示一種磁鐵記憶體元件’以 及一種用以生產多數此種元件以形成靜態磁記憶體或數位 資訊儲存系統之程序0個別之二元儲存構件藉由通量電路 予提供方向優選性磁特性，以建立優選之磁化軸0用以驅 動該等個別二元儲存構件（供儲存及感測用）之導體係以 一經編組之型樣配置，以達成選擇性〇亦揭示一種批式生 產程序〇 本發明之目的及摘述 因此，本發明之一特色爲提供一種非依電性强磁隨機 存取記憶體裝置，能迅速讀取每一磁鐵內所儲存之資料並 有效利用最少數量之組件。明確言之，爲有一種能讀取每 一磁環節（儲存元件）內所儲存資料之非依電性强磁隨機 存取記憶體〇 此外，本發明之一特色爲提供一種强磁記憶格，包含 一環節（6)，以强磁材料製成，具有一殘餘極性。亦有一 位於該環節附近之寫入線（13)，予耦合以接受一足以產生 該殘餘極性之電流。此外*有一磁傳感器（7 )，具有一置 於該環節（6)附近之磁電阻體（1)，後者具有一回應該環 節（6 )殘餘極性之電流方向；以及一對集極（2 a & 2 b )，附 接於磁電阻體（1 )供收集電流。 本發明之另一特色爲提供一記憶格，具有一耦合於磁 電阻體（1)及寫入線（13)之控制電路（30)〇該控制電路在 讀與寫二者功能期間被啓動，並由一讀/寫驅動電路（11 ) 本紙張尺度適用中國因^標準（CNS)A4規格^210 X 297公爱 1 -Ί ----1---1 -----裝 -------訂—---—y 線 (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 46 4 8 6 0 A7 B7 五、發明說明（5) 及一讀/寫開關（9 )構成〇當一選定之讀/寫開關被啓動 時，寫功能係藉讀/寫驅動電路（11)及一寫驅動電路（31) 之同時啓動予以完成，而讀功能係藉寫驅動電路（11)及一 電壓差動放大器（12)之同時啓動予以完成。 又，本發明之一額外特色爲提供一記憶格，具有一電 壓差動放大器（12)供放大及偵測自一對感測線（4a&4b)接 受之電壓差。該對感測線（4a & 4b)接受集極（2a & 2b)內產 生之電壓差，並將其導至差動放大器（12) 〇 迄此已相當廣義提列本發明之更重要特色，以使下列 之詳述可較爲明白，並使此一對業界之貢獻可較被認知0 本發明之另一特色將因以下併同所附圖式及申請專利範圍 之本發明詳述而變成更清楚，或者可藉由本發明之實施而 知嘵〇 簡要圖說 圖1爲一具有一對集極之舊法磁電阻體之示意圖，電 流係導向右方0 圖2爲一具有一對集極之舊法磁電阻體之示意圖，電 流係導向左方〇 圖3爲本發明非依電性强磁隨機存取記憶體之一示意 圖〇 圖4爲圖3中所示記憶格元件之側視圖，有一磁傳感 器置於一强磁環節下方。 圖5爲圖3中所示記憶格元件之側視圖，有一磁傳感 器置於一强磁環節上方0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2W X 297公釐）_ --------------裝 --------I 訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 464860 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（6) 應注意，本發明之圖式非按比例〇各圖式僅爲示意圖 ，無意描繪本發明之特定參數〇各圖式僅意在描述本發明 之選定具體形式，故而不應視爲對本發明之範疇設限。本 發明將經由附圖之使用作額外之明確及詳細說明。各圖間 相同之編號代表相同之元件0 較佳具體形式詳沭 申請人已發現，强磁環節內所儲存二元資料之讀取可 一與其緊密連通之磁傳感器輕易且有效完成〇此一元件無 需活動部件或將所儲存邏輯信號更新，且能於微米及次微 米位準感測磁式儲存資料。 現參考圖1及2 ;所示爲一經構組成磁電阻體1 (稱 爲MR1 )之舊法霍耳半導體，具有一對集極2a及2b置放成 與磁電阻體1之縱向中央等距，並在電流來源Es及輸入或 寫入線3反側。自輸入線3所接受之電流於一選定之方向 (左或右）予以偏壓，如箭頭5所指示。電流出現偏壓係 因MR1置於一流過MR1之磁通場（未示出）附近所致。 在圖1之情況下，電流因磁場殘餘施加於MR1上而向 右偏壓。因此，Mill之電子被擠向右方，導致其大部份流 入集極2b內。圖2中出現相同程序，僅方式相反而因MR 1 上所施加逆轉磁場之殘餘所致將電流向左偏壓，導致大部 份電子流入集極2a內。 轉移入集極2a及2b內之電子分別流入感測線4a及4b內 〇由於MR1上所施加磁場產生之之方向性偏壓5 ，一感測 線將較另一感測線接受更多電子，故而具有較大之負電荷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -9- --If---------裝-----^--!訂…—-----線 ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 464860 五、發明說明（7) 〇感測線4 a與4 b間電荷之不平衡產生一電壓差，沿感測線 4a及4 b轉移至電壓差動放大器12，而示於圖3 〇 現參考圖3 ;所示爲本發明之一四X四隨機存取記憶 體陣列100之部份示意圖。有多數個別之强磁環節6各包 圍以一線圈，一般以寫入或驅動線13指示。將包含一腿1 並在其上安置一對集極2a及2b之磁傳感器7置於儲存環節 6附近。環節6所產生之對磁傳感器7有影響之磁場係以 破折線8代表〇請注意，環節6實際上位於傳感器7之正 下方或正上方，但最佳爲用破折線8以示意方式例示之。 控制電路3 0包含讀/寫驅動電路1 1、讀/寫開關9 、及輸 入放大器10〇控制電路3 ϋ係耦合於寫入線13及磁傳感器7 〇此種雙重耦合容許控制電路30在設定（寫）及感測（讀 )二者操作期間使用〇寫驅動電路31亦耦合於寫入線13, 但在相反端。此外，電壓差動放大器12如所示耦合於感測 線4 a及4 b 〇 在單一記憶格之寫入操作期間內，控制電路30及寫驅 動電路31之適當節段予同時選出。因此，業界熟練人士將 輕易了解電流係導引於所需之方向上，如由將h 0"或11Γ1 設定於任何旣定記憶格四周之要求所予界定。 同樣，在單一記憶格之感測或w讀取〃操作期間，控 制電路30及感測放大器12予同時選出。因此，業界熟練人 士將輕易了解如何可讀取個別之記憶格〇因此，業界普通 技術人員均將理解同一控制電路3D與讀電路12及寫電路31 組合使用而不使用雙重控制之優點〇 本紙張尺度適用尹國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -10- -------------裝----— I—丨訂--丨！！-線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制^ A7 48 _____B7_ 五、發明說明（8) 現參考圖4及5;所示爲單一微米或次微米規模强磁 記憶格元件之典型橫斷面。明確言之爲有一磁傳感器 7 〇 一强磁儲存元件（或"環節"）6係置於基底22上， 並以一線圈或設定（寫入）線13包圍。基底22可以任何詳 知用於製作基底之物質製成，誓如矽、玻璃、砷化鎵等， 而寫入線13可以業界熟練人士己知之任何合宜導電材料製 成，譬如鋁、銅等。一絕綠層20係匱於寫入線1S與環節6 之間。此外，絕緣層19、21、及23爲絕緣材料且依需要置 於該記憶格內〇所有存在之絕緣層可用業界詳知之任何合 宜絕綠材料製成，譬如Si(h或Si3N4等。 磁傳感器7置於環節6附近並可緊抵之〇磁傳感器7 包含一由高度活動半導體材料譬如銻化銦製成之磁電阻體 1 ，並如圖1及2中有一對集極（未示出）置於其上〇該 對集極可由業界普通技術人士已知之任何導電材料製成， 且耦合於感測線h及4b，示如一來自側邊之單一線。進一 步顯示者爲一來自控制電路3 0之輸入引線，附接於磁電阻 體1 ，在集極（未示出）及感測線4a及4b相反端。 請注意，傳感器7與强磁環節6之間未予顯示絕緣層 ，因在此構形中無電位存在於其間。此可爲一優點，因該 傳感器及環節較有絕緣層將其等分隔之情況更緊密關連， 此使記憶格之電靈敏度較大。最後，基底22及記憶格110 可以相關業界熟練人士已知之任何方法製作，譬如電鍍、 噴濺、電子束沉積、化學蒸氣沉積、微觀機製、毫微技藝 本紙張尺度適用石國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297一公釐) -11- --I -----------裝-----_--1 訂·--------線 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ________B7___ 五、發明說明（9) 及分子束嘉晶成長Ο 操作模式 操作時，並參考圖3，第一步驟爲將邏輯値寫入每一 環節6內。明確言之，讀/寫電路30及寫電路31分別就每 一記憶格予以啓動〇視通過寫入線13之電流方向而定，將 —邏輯w零"或*壹"單獨儲存於特定環節內。有利者， 不同於舊法設計*整個記憶陣列可在此時與電力斷連或關 閉，並保存該陣列巧儲存之所有數位資料〇然則，先前之 記憶體設計必須定常更新以維持其內所儲存之數位資料〇 因此，本發明將較舊法設計節省電力〇 在本發明中爲讀取數位資料，係將同一讀/寫電路30 與適當之讀電路I2 —併啓動。明確言之，電流係予路徑選 擇至感測電路7 〇電流在其自線3進入時，大部份將被導 至線4a或4b，視相鄰環節之殘餘極性而定。差動放大器12 將感測各線間之差，後者將指示邏輯"零〃或邏輯v'壹〃 被儲存於相關環節內〇 業界熟練人士可構思出許多修改形式及替代排列，而 不背離本發明之精神及範疇，且所附申請專利範圍意在涵 蓋此等修改形式及排列。因此，雖然本發明已如上併同目 前認爲係本發明最實用且較佳之具體形式作個別及詳細說 明，業界普通技術人士均明白可作成多種修改形式包括（ 但不限於）尺寸、材料、形狀、形式、功能、操作方式、 總成、及使用之變化，而不背離本文中所列示之原理及概 念0 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公' ~~ -12- — — — rlljl — — — —— -------> -----—II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 464860 ___B7_ 五、發明說明（10) 舉例言之，在一些情況下可將絕緣層2 2省除。恆無必 要將零件如集極2a及2b準確對準於磁電阻體1上，且在鼓 勵不對準之下工作可能更佳〇 -------------裝-------訂 -----fl· 線 (請先閱讀背面之注意事項异填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. B8 4 經濟部智慧財產局員工消货合作社印製 六、申請專利範圍 1. 一種具有多數記憶格之强磁記憶體電路，每一記憶 格包含： U) —環節（儲存元件）（6)，由强磁材料製成， 具有一殘餘極性； (b ) —寫Λ線U 3 )，位於環節（6 )附近，予耦合以 接受一足以產生該環節（6)殘餘極性之電流； U)—磁傳感器（7)，包括： (1) —磁電.阻體（1)，置於環節（6)附近，具有一回 應該環節（6 )殘餘極性之電流方向；與 (2) —對集極（2a&2b)，耦合於磁電阻體（1)，以收 集來自磁電阻體（1)之電流並於其間產生一電壓差；以及 (d) —控制電路（30)，電耦合於寫入線（13)及磁傳 感器（7 )，以於寫及讀操作期間分別提供電流〇 2 .如申請專利範圍第1項之記憶體電路，尙包含： (a) —對感測線（4a& 4b)，分別耦合於該對集極， 以將該電壓差輸送離開該等集極；以及 (b) —差動放大器（12)，耦合於該對感測線（4a& 4b)，以放大及偵測該電壓差。 3 ·如申請專利範圍第2項之記憶體電路，其中該控制 電路尙包含： U) —讀/寫驅動電路（11)，予耦合以於一第一及 第二方向將電流饋入寫入線（13)，及將電流饋入磁電阻體 (1);以及 (b )—讀/寫開關（9 )，予耦合於讀/寫驅動電路 本紙張尺度適用中國因家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -14- _____________^--------^---------“ ’線 (請先Μ讀背面之注意事項声：V寫本頁) _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 g_ 六、申請專利範圍 (11)與各寫入線及該磁電阻體間，係設計以控制寫及讀二 者操作期間內被啓動之環節（6 ) 〇 4 .如申請專利範圍第3項之記憶體電路，其中讀/寫 開關（9 )爲電晶體〇 5 .如申請專利範圍第4項之記憶體電路，其中電流係 在該差動放大器被啓動時由控制電路（30)導引通過磁電阻 體⑴ 〇 6 .如申請專利範圍第4項之記憶體電路，尙包含一寫 驅動電路（31)，耦合於寫入線（13)以於該第二方向將電流 饋至該寫入線〇 7 .如申請專利範圍第3項之記憶體電路，其中電流係 在控制電路（30)及寫驅動電路（31)被同時啓動時於該第一 或第二方向導引通過寫入線（13)〇 8. 如申請專利範圍第4項之記憶體電路，其中集極（2a & 2b )係在與控制電路（30 )之一輸入引線附接點相反之附 接點耦合於磁電阻體（1 ) 〇 9. 如申請專利範圍第1項之記憶體電路，尙包含一基 座（22)，位於水平面上，其中環節（6)有一高度而方位爲 垂直於基座（2幻之水平面。 I 0 ·如申請專利範圍第9項之記億體電路，其中寫入線 (1 3 )外接於環節（6 )周邊附近〇 II .如申請專利範圍第10項之記憶體電路，其中磁傳感 器（7)係置於環節（6)下方之一基底（22)內，而環節（6) 即置於後者之上〇 本紙張尺度洎用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐) ~' -*15- I I —.1 — — — — — — — — — I I ϊ I I I I -I — 11 I I I I {請先閱讀背面之注意事項ν··%寫本頁> AS B8 C8 D8 464860 六、申請專利範圍 12 .如申請專利範圍第1 〇項之記憶體電路，其中磁傳感 器（7 )係置於環節（ϋ )上方〇 (請先閱讀背面之;i意事項产、寫本頁) 1 3 .如申請專利範圍第2項之記憶體電路，其中在—指 足感測線（4 a )內之電流量大於另一感測線（4 b )內之電流量 時指耶一數位値1 〇 1 4 ·如申請專利範圍第2項之記憶體電路，其中在一指 定感測線（4a )內之電流量大於另一感測線（4b )內之電流量 時指不一·數位値"0 '_ 〇 H一種儲存及檢索二元資料之方法，包含以下步驟： U)提供一記憶體環節（6)，由强磁材料製成，具 有一殘餘極性； (b)沿一位於環節（6)附近之寫入線（13)發送一電 流，而導引環節（6 )之極性；以及 (c )偵測環節（6 )之極性，方法爲： (1) 經由一置於該環節附近之磁傳感器（7)發送一電 流；以及 (2) 讀取一由磁傳感器（7)所產生之電差；以及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (d )使用一控制電路（3 0 )以兼導引環節（6 )之極性 及偵測環節（6 )之極性。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中磁傳感器（7 ) 尙包含： U) —磁電阻體（1)，置於環節（6)附近，具有一 回應環節（6 )殘餘極性之電流方向；以及 (b)—對集極（2a& 2b)，彼此電獨立，耦合磁電阻 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格Ί210 X 297公&)_ G 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 8 6 0 儲 C8 _____ D8 六、申請專利範圍 體u) ’且與其中央等距分隔，以收集流過磁電阻體（1) 之電流並產生一電壓差〇 17 ·如申請專利範圍第16項之方法，尙包含以下步驟： (a) 將該對集極（2a&2b)耦合於一對感測線（4a& 4b) ’後者將該電壓差轉移離開該對集極；以及 (b) 將該對感測線（4a & 4b)耦合於一差動放大器（ 12)，後者放大該電壓差0 1 8 .如申請專利範圍第15項之方法，其中該控制電路尙 包含： U)—讀/寫驅動電路（11)，予耦合以於—第一方 向將電流饋入寫入線（1 3 )，及將電流饋入磁電阻體（1 ); 以及 (b )—讀/寫開關（9 )，予耦合於讀/寫驅動電路 (1 1 )以控制寫及感測二者操作期間內被啓動之環節（6 ) 〇 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之方法，其中讀寫開關（9 ) 爲電晶體。 2 0.如申請專利範圍第16項之方法，其中集極（2a & 2b) 係在與控制電路（3 C))之一輸入引線附接點直接相反之附接 點耦合於磁電阻體（1 )。 21 .如申請專利範圍第I?項之方法，其中電流係在差動 放大器（I2)被啓動時，由控制電路（3〇)導引通過磁電阻體 (1) 〇 22 .如申請專利範圔第：5項之方法，尙包含以下步驟： 提供一寫驅動電路（3 1 )，耦合於寫入線（1 3 )，以於 本紙張尺度適用中园國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公亨） — — — — — —lull — —— - I 1 I I I I I « — — ΙΓΙ1ΗΙ (請先M讀背面之注意事項/ \寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AS B8 C8 六、申請專利範圍 一第二方向將電流饋至該寫入線〇 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之方法，其中電流係在控制 電路（3ϋ)及寫驅動電路（ai)被同時啓動時於—第一或第二 方向導引通過寫入線（13) 〇 2 4 _如申請專利範圍第1 5項之方法，尙包含以下步驟： 提供一基座（24)，位於水平面上，其中環節（6)有 一高度而方位爲垂直於基座（22)之水平面。 25.如申請專利範圍第24項之方法，其中磁傳感器（7) 係置於該環節下方之一基底（22)內，而環節（6)即置於後 者之上〇 2 6 ·如申請專利範圍第2 4項之方法，其中磁傳感器（7 ) 係置於環節（6 )上方。 27 .如申請專利範圍第25項之方法，其中寫入線（15)外 接於環節（6 )周邊附近。 2 8 .如申請專利範圍第1 7項之方法，其中在一指定感測 線（4 a )內之電流量大於另一感測線（4b )內之電流量時指示 —數位値1" 〇 29 ·如申請專利範圍第17項之方法，其中在一指定感測 線（4a )內之電流量大於另一感測線（4b )內之電流量時指示 —數位値"ϋ " 〇 3 0 . —種具有多數記憶格之記憶體電路，每一記憶格包 含： (a ) —環節（6 )，由强磁材料製成，具有一殘餘極 性； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297餐_) II I — — — — — —— I I — I — — — ———I— * — ——-— — —1— '(靖先閲讀背面之注意事項知寫本頁) 6 8 4 6 4 A8B8C8D8 夂、申請專利範圍 (b )寫裝置，耦合於該環節附近，用以於一寫操作 期間將一殘餘極性寫入該環節； (c )讀裝置，耦合於該環節附近，用以於一讀操作 期間讀取該環節之殘餘極性；以及 (d )控制裝置，耦合於該讀裝置及寫裝置，用以$ 制寫及讀操作期間內被啓動之記憶格〇 3 1 . —種儲存及檢索二元資料之方法，包含以下步驟： (a)提供一環節（6)，由强磁材料製成•具有一殘 餘極性； (b )於一寫操作期間將一殘餘極性寫入環節（6 ); (c )於一讀操作期間讀取環節（6 )之殘餘極性；以 及 •(d)使用單一控制電路（30)以執行上述步驟（b)及 (c )二者。 -------------裝--------訂--------1線 C請先朗讀背*之江意事項vh寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國固家標準（CNS)A4規恪（210 X 297_^篸）