TW463525B - Organic electroluminescent device and the manufacturing method of the same - Google Patents

Organic electroluminescent device and the manufacturing method of the same Download PDF

Info

Publication number
TW463525B
TW463525B TW089110673A TW89110673A TW463525B TW 463525 B TW463525 B TW 463525B TW 089110673 A TW089110673 A TW 089110673A TW 89110673 A TW89110673 A TW 89110673A TW 463525 B TW463525 B TW 463525B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
scope
item
patent application
organic
film layer
Prior art date
Application number
TW089110673A
Other languages
English (en)
Inventor
Rung-Yuan Tsai
Ching-Yan Jau
Jia-Shuai Jang
Mu-Yi Hua
Original Assignee
Ind Tech Res Inst
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=21659946&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TW463525(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Ind Tech Res Inst filed Critical Ind Tech Res Inst
Priority to TW089110673A priority Critical patent/TW463525B/zh
Priority to US09/672,920 priority patent/US6566805B1/en
Application granted granted Critical
Publication of TW463525B publication Critical patent/TW463525B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations

Description

B7 4 635 2 5 5982twf.doc/006 五、發明說明（/) 本發明是有關於一種有機電激發光（〇rganic mectr0_ Luminescent, OEL)元件及其製作方法，且特別是有關於— 種可彎曲（Flexible)之有機電激發光元件及其製作方法。
有機電激發光具有自發光、廣視角（達160度）、高應 答速度、低驅動電壓、全色彩等特點，目前已可實用化， 可應用於彩色平面顯示元件’例如小型顯示面板、戶外顯 示看板、電腦及電視螢幕等。有機電激發光的硏發始於I960 年代’利用有機化合物作爲發光層(Emitting Layer，EML)材 料，並將此發光層配置在金屬陰極與透明陽極之間，以構 成有機電激發光元件D 有機電激發光元件依據材料的種類可槪略區分爲：小 分子與高分子有機電激發光元件兩大類。1980年代初期， 美國柯達公司利用三-(8-羥基奎林）鋁（Tri-(8-HydrQxyqinnoline)Alummum, A1q3)做爲有機發光層，並在發 光層與陽極之間插入電洞發射層（Hole Injecting Layer, HIL) ’大幅提昇有機電激發光元件特性及穩定性，確立了 有機電激發光元件的實用性。1990年英國劍橋大學利用聚 對位苯基乙嫌（P〇ly(p-Phenylene Vinylene), PPV)高分子共轭 聚合物（Conjugated Polymer)製造高分子有機電激發光元 件，由於聚對位苯基乙烯（PPV)系列之材料具有類似半導 體的特性以及高分子有機電激發光元件的製程簡易，因而 引發了第二波有機電激發光元件的硏究熱潮。 塑膠材料由於具有透明、質輕、可彎曲與適當的拉張 強度及不易破脆等特性，因此可作爲薄型輕量化的攜帶型 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） n I I I I I I I I i - la n 1 n n --i*f-t*JI n I n I - I -ΙΪ n I <請先閱讀背面之注音筆項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工洧費合作社印製 A7 B7 4 6 3 5 2 5 5982twf *doc/〇〇s 五、發明說明（2_) 液晶顯示器（Liquid Crystal Duplay, LCD)之基板（如日本 Sharp公司所提出之美國專利第5,237,439、5,245,457號）， 或者τη作爲有機電激發光兀件的基板（如美國princet〇rl大 學所提出之美國專利第5,844,363號），亦可應用於其他的 光學顯示元件。 常用之塑膠基板的材料爲丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、 環氧樹脂（Epoxy Resin)、聚乙烯對苯二甲酯（Polyethylene Terephthalate，PET)、或聚碳酸酯（p〇lycarb〇nate，PC)等。然 而前述這些塑膠材料無法承受高溫，因此在液晶顯示器及 有機電激發光元件的製程中，於塑膠基板上製作材質爲銦 錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)之透明電極時，其製程的 溫度不能高於攝氏200度。而且塑膠的質地較軟，容易受 到刮傷，所以必須進行表面硬化塗層處理。 再者，塑膠材料的緻密性低，無法有效阻擋水氣和氧 氣的穿透，且極易將水氣和氧氣吸附於其中。然而，有機 電激發光元件中的有機膜材對於水氣及氧氣甚爲敏感，因 爲水氣與氧氣會造成有機膜材劣化’影響有機電激發光元 件之使用壽命。而塑膠材料中所薇含之水氣與氧氣’常會 在真空蒸鑛的過程中釋出’造成蒸鍍膜層附著不良；或者 是於元件完成後逐步釋出’造成有機電激發光元件之導電 電極及發光材料之性能劣化。上述的這些因素都會降低塑 膠有機電激發光元件的性能及其使用的穩定性° 請參照第1圖，其所繪示的是習知一種塑膠有機電激 發光元件之結構示意圖°此種架構係由美國柯達公司提出 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G χ 297公餐〉 ------------ί 裝------II訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46352 5 5982twf.doc/006 A7 B7 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 五'發明說明（多） 之美國專利第4,885,21 1號所揭露，其製作方法係先於塑 膠基板100之表面鍍上透明導電電極102,以作爲電洞發 射層。此透明導電電極102之材質爲銦錫氧化物，厚度爲 30毫微米（Nanometer, _)至400毫微米，面電阻小於100 歐姆/平方公分（Ω/cm2)。其次，在透明導電電極1〇2之表 面鍍上有機發光層104，然後，再於有機發光層1〇4之表 面鍍製具有低功函數（Low Work Function)之金屬導電電極 106 ’ 以當作電卞發射層（Electron Injection Layer, EIL)。金 屬導電電極106之材料爲鋰（Li)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋁（A1)、 銀(Ag)、銦(In)等及其合金，厚度則爲毫微米至400毫 微米。 由於有機發光層之材料選用上的差異，因此有機電激 發光元件可槪分爲小分子有機電激發光元件及高分子有機 電激發光元件’而這兩種有機電激發光元件之發光層的鍍 製方式也有所差異。 小分子有機電激發光層一般爲雙層結構，如美國 Princeton大學所提出之美國專利第5,844,363號，以真空 蒸鍍法（Vacuum Deposition)在銦錫氧化物膜層上依序蒸鍍 上電洞傳遞層與發光層，並由電洞傳遞層（Hole Transport Layer, HTL)與發光層（EML)共同構成小分子有機電激發光 層。其中電洞傳遞層之材質爲氮氮雙苯基-氮氮’-(間-甲 基苯）聯苯肢（Ν,Ν’-Dipheny丨-N,N，_(m-Tolyl.)Benzidine， TPD)，厚度爲80毫微米，而發光層之材質爲三-(8-羥基奎 林)鋁（Alq3)，厚度則亦爲80毫微米。 本紙張又度適用中國舀家標準（CNS>A4規格<210 X 297公釐） ------------ί 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 G 3 5 2 5 A7 5982twf,d〇c/006 _____B7_____ 五、發明說明（f) (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 而高分子有機電激發光層則是採用單層結構，如G. Gustafsson 等人所提出之硏究（Synthetic Metals, 55-57, 4123-4127 (1993))，以厚度爲50毫微米至100毫微米之聚（2-甲 氧基-5-(2’-乙基己基氧K對位苯基乙烯）層（Poly(2-MethoXy-5-(2’-Ethyl-hexyl〇xy)-p-Phenylene-Vinylene，MEH-PPV)作爲 發光層。而此一高分子有機電激發光層係以旋轉塗佈(Spin Coating)、浸鑛（Dipping)、噴鍍、刮刀、網印（Screen Printing) 或噴墨印刷(Ink-Jet Printing)等方法形成於銦錫氧化物膜層 或者是摻雜樟腦磺酸(Camphor Sulfomc Acid, CSA)的聚苯胺 (Polyaniline，PANI)膜之表面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而，不論是小分子有機電激發光元件或高分子有機 電激發光元件，這些元件中的有機發光層材料（第1圖中 之104)及金屬電極(第1圖中之106)對水氣和氧氣非常地 敏感，極易與水氣和氧氣產生反應，常會因一點點水氣和 氧氣造成元件的劣化。因此，在有機電激發光元件的製作 過程中，對於周遭環境水氣和氧氣的控制要求非常嚴格， 亦即要求其水氣、氧氣濃度小於百萬分之一（lppm)。再者， 美國專利第5,844,363號中係提出以真空蒸鍍法製作可彎 曲小分子有機電激發光元件，但是並未提出任何有效阻擋 水氣或氧氣從塑膠基板釋出之措施。同樣地，在G. Gustafsson等人之硏究中，雖以旋轉塗佈法製作可彎曲高 分子有機電激發光元件，可是對於塑膠基板也未做任何處 理。 就塑膠薄膜液晶顯示器而言’爲了保護塑膠基板，阻 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） δ A7 B7 5982twf.doc/θθβ 五、發明說明（f) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 隔從塑膠基板釋出或穿透的水氣和氧氣，並且緩和塑膠基 板和銦錫氧化物電極之間的熱應力，以避免膜層產生龜 裂，因此必須在銦錫氧化物膜層與塑膠基板之間鍍上一層 保護膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在美國專利第5,237,439號中，係以浸鍍和烘烤(baking) 的方法在厚度爲0.1毫米(MU1imeter, mm)至0.5毫米之塑膠 基板的兩面形成硬化塗層（Hard Coat)，其厚度爲2微米 (Micron, μηι)至6微米，而其材質則爲摻雜硼（Boron)之有 機矽氧化物（Organosilane)、丙烯酸（Acrylic)、三聚氰胺 (Melamine)、胺基甲酸乙酉旨（Urethane)等樹脂。此一硬化塗 層可保護塑膠基板並吸收由塑膠基板所釋出的水份，而且 可緩和塑膠基板、材質爲氧化矽（Si〇x)、厚度爲10毫微米 至60毫微米之底塗(Undercoat)與銦錫氧化物電極之間的熱 應力，以避免膜層發生龜裂。而在沒有摻雜硼的有機硬化 塗層與材質爲氧化矽（Si〇x)的底塗之間，亦可使用氧化鈦 (TiOJ緩衝層(Buffer Layer)，以達到舆摻雜硼之有機硬化塗 層相同的功能訴求。如前所述之氧化鈦(Ti〇x)緩衝層、氧 化矽(SiOx)的底塗及銦錫氧化物(IT0)電極，皆係以濺鍍法 (Sputtering Deposition)鍍製而成。 在美國專利第5,245,457號中，則是提出一種低溫形 成頂塗(Topcoat)的方法，應用一種商業化含矽氧化物（Silica) 的鍍膜油墨，將其塗佈於塑膠基材上之銦錫氧化物電極表 面，經由紫外光(Ultraviolet, UV)照射後，再對其進彳了溫度 低於攝氏200度之低溫熱處理，以形成頂塗並避免損壞塑 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 6352 5 5982twf.d〇c/006 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明u ) 膠基材。 於美國專利第5,808,715號中，亦提出一種具有二氧 化鈦-二氧化砂（Ti02-Si02)複合膜作爲頂塗及底塗之液晶顯 示元件，其中二氧化鈦-二氧化矽複合膜是以低溫離子輔 助電子槍蒸鍍法（Ion-Assisted Electron Gun Evaporation)在溫 度低於攝氏丨00度下形成’用以做爲塑膠薄膜液晶顯示器 之透明導電電極之頂塗及底塗。而此種二氧化鈦_二氧化 矽複合膜層的絕緣性非常好（亦即其電阻無限大）、硬度相 當尚、表面非常平滑’具有下列之特點：（丨)可有效防止大 小如電極間隙之導電性不純物造成電極間的短路；（2)保護 塑膠基材’以避免其遭到刮傷；（3)作爲水氣和氧氣的隔離 層(Isolating Layer) ’防止水氣和氧氣由塑膠基材滲出，造 成膜層附著不良；（4)當做銦錫氧化物鍍層與塑膠基材間的 結合層（Bonding Layer) ’防止銦錫氧化物鍍層與塑膠基材 之間因熱膨脹差異而造成膜層龜裂。 因此本發明提供一種有機電激發光元件及其製作方 法’在可彎曲小分子及/或高分子有機電激發光元件之透明 導電電極上分別配置形成頂塗與底塗，作爲有機電激發光 元件之塑膠透明導電基材的水'氧隔離層與硬膜保護層， 且作爲有機電激發光元件中金屬導電電極（即電子發射層) 的保護膜。並適當設計頂塗、底塗與透明導電鍍層之光學 厚度’以提升有機電激發光元件之發光效率。 根據本發明之上述及其他目的，提出一種有機電激發 光元件之製作方法，首先提供具有第一表面與第二表面之 Η 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210^ 297公釐） — — — — — — — — — — I · I I l- I f I _ I I I I _ — 11 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4635 2 5 五、發明說明（q ) 透明塑膠基材；其次，以低溫離子輔助電子槍蒸鍍法於第 一及第二表面上分別形成第一和第二複合膜層；然後，以 低溫離子輔助電子槍蒸鍍法於第一複合膜層上形成透明電 極；接著，以熱蒸鍍法在透明電極上形成小分子發光材料 構成之有機發光層，或者是以旋轉塗佈法在透明電極上形 成高分子發光材料構成之有機發光層；再以熱蒸鍍法於有 機發光層上形成金屬電極；而後，以低溫離子輔肋電子槍 蒸鍍法於金屬電極上形成保護層，將金屬電極與有機發光 層完全包覆。 此外，根據本發明之上述及其他目的，又提出一種有 機電激發光元件，其中包括具有第一表面與第二表面之塑 膠基板，而在第一與第二表面上分別配置有二氧化鈦-二 氧化矽複合膜層之第一及第二複合膜層；在第一複合膜層 上覆有銦錫氧化物電極，第-複合膜層位於塑膠基板與銦 錫氧化物電極之間；由小分子或高分子發光材料構成之有 機發光層，是被覆於銦錫氧化物電極上；而金屬電極則是 覆蓋於有機發光層上，使有機發光層位於銦錫氧化物電極 與金屬電極之間：此外，還具有二氧化矽保護層，配置於 金屬電極上，並將金屬電極與有機發光層完全包覆u 爲讓本發明之上述和其他S的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細 說明如下： 圖式之簡單說明： 第1圖所繪示爲習知一種塑膠有機電激發光元件之結 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝--------訂--- ----I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公芨） A7 4 6352 5 5982twf.doc/006 _B7_ 五、發明說明（& ) 構示意圖； 第2A圖至第2F圖所繪示爲依照本發明之較佳實施 例，一種有機電激發光元件及其製作方法，其製作流程之 剖面示意圖；以及 第3圖所繪示爲鍍有與未鍍二氧化鈦-二氧化矽複合 膜之聚碳酸酯塑膠基材，於相對溼度95%，攝氏25度之 恆溼恆溫環境中4小時後，其穿透率與入射光波長之間的 實驗數據圖。 圖式之標記說明： 100 :塑膠基板 102 :透明導電電極 104 :有機發光層 106 :金屬導電電極 200 :透明塑膠基材 202a、202b :塑膠基材表面 204a、204b :複合膜層 206 :透明導電電極 208 :發光層 210 :金屬導電電極 212 :保護膜 實施例 請參照第2A圖至第2F圖，其所繪示的是依照本發明 之較佳實施例，一種有機電激發光元件及其製作方法’其 製作流程之剖面示意圖，此種有機電激發光元件包括可彎 ------1 —----JLK· i — 一----訂--- - -----丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4 6352 5 S9S2twf.d〇c/〇〇e A7 ______B7_____ 五、發明說明（9 ) 曲有機電激發光元件。如第2A圖所示’首先提供具有第 一表面202a及第二表面202b之可見光透明塑膠基材2〇〇 ’ 本發明之可彎曲塑膠有機電激發光元件所採用的塑膠基板 200之材質包括聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯〇〇17：^-
Polymethyl Methacrylate，Acrylic-PMMA)、聚酉旨樹月曰（Polyester
Resin)及環氧樹脂等，而其尺寸(長X寬X厚度)則例如分別 爲2.5父2‘5乂0.1(111111)和2.5\2.5\0.25(111111)，厚度貝[1是]、於 或等於0.25毫米。 其次，請參照第2B圖，於透明塑膠基材200之第一 表面202a與第二表面202b分別形成第一複合膜層204a與 第二複合膜層204b，其中形成第一複合膜層204a與第二 複合膜層204b之方法包括離子輔助電子槍蒸鍍法等，較 佳的方式是在溫度低於攝氏100度之常溫下將透明塑膠基 材200置於真空腔（未顯於圖中）內，以離子輔助電子槍蒸 鍍法蒸鍍膜層。第一複合膜層204a與第二複合膜層204b 之材質包括二氧化鈦-二氧化矽(Ti0rSi02)複合膜。 如第2B圖所示，位於透明塑膠基材第一表面202a上 的第一複合膜層2〇4a中，二氧化鈦(Titanium Dioxide，Ti〇2) 的含量範圍爲0%至100%，即第一複合膜層204a之二氧化 鈦-二氧化矽複合膜中二氧化鈦與二氧化矽（Sllic〇n Dioxide， Si02)之比例可以爲任意比値，而第一複合膜層· 204a之厚 度約爲20毫微米至150毫微米。第一複合膜層204a具有 雙重功用’除了可以阻隔由塑膠基材200內部釋出的水氣 和氧氣’還可以作爲後續步驟形成之銦錫氧化物鍍層與塑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSXA4規格（210 X 297公釐） -----------!-.----丨_"丨訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6352 5 59a2twf.doc/006 A7 ___B7___ 五、發明說明（β ) 膠基材200的結合層，防止銦錫氧化物鍍層因熱膨脹或彎 曲而產生龜裂。 而第2B圖中，位於透明塑膠基材第二表面202b上的 第二複合膜層204b與第一複合膜層204a類似，其中二氧 化鈦的含量範圍亦爲0%至100%，即第二複合膜層204b之 二氧化鈦-二氧化矽複合膜中二氧化鈦與二氧化矽之比例 可以爲任意比値，而第二複合膜層204b之厚度則約爲20 毫微米至150毫微米，用以作爲保護透明塑膠基材200之 硬化層（Hard Layer)，防止其遭外力刮傷。 以離子輔助電子槍蒸鍍法製作第一複合膜層204a與 第二複合膜層204b之二氧化鈦_二氧化矽複合膜時’其蒸 鍍所需的起始原料爲三氧化二鈦(Ti2〇:i)藥片和二氧化矽顆 粒。而爲了控制二氧化鈦-二氧化矽複合膜材的組成，二 氧化鈦的蒸鍍速率固定約爲0.2毫微米/秒(nm/s)’二氧化 矽的蒸鍍速率則約爲0毫微米/秒至2毫微米/秒。反應所 用的氣體爲高純度氬氣（Ar)(純度大於99.99%)和高純度氧 氣（〇2)(純度大於99.99%)的混合氣氛，其流量分別固定約 爲每分鐘18毫升和30毫升，即氬氣流量約爲18 sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)，而氧氣流量約 爲30 seem。離子槍源的放電電壓約爲100伏特(V)，放電 電流約爲40安培(A)，因此整個離子源的能量約爲90電子 伏特(eV)。二氧化鈦-二氧化矽複合膜材的鍍膜製程詳細步 驟可參考本發明之發明人蔡榮源等之硏究（你〖· 34, 3075-3982(1995)與（9沉五时，36,2335-2340(1997))。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公麓） ------------^裝--------訂---------& (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 6352 5 A7 5 9 8 2 twf . doc /0 0 6 ____B7___ 五、發明說明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後，請參照第2C圖，於第一複合膜層204a之表面 形成透明導電電極206,如此便完成有機電激發光元件用 的透明導電塑膠電極。其中形成透明導電電極206之方法 包括於同一個真空腔內，溫度低於攝氏100度之常溫下， 進行離子輔助電子槍蒸鍍法等，而透明導電電極206之蒸 鍍起始原料爲氧化銦錫藥片，其中氧化錫（Sn02)的重量比 爲10%(即90%In203-10%Sn02)。故透明導電電極206之材 質包括銦錫氧化物等，而厚度約爲30毫微米至400毫微 米，面電阻則小於100歐姆/平方公分（Ω/cm2) 13如果需要 在導電塑膠基板上製作顯示器，則可以蝕刻法在透明導電 膜上製作出顯示器所需的電極圖案，亦即形成具有已定義 圖案之透明導電電極206。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，請參照第2D圖，在完成有機電激發光元件用 的透明導電電極206之後，再於透明導電電極206上形成 發光層(EML)208。其中發光層208例如是由單一層發光材 料所構成，或者是多層發光材料疊合而成，而構成發光層 208之材料包括小分子發光材料、高分子發光材料等。若 發光層208之材料爲小分子發光材料，則可以熱蒸鍍法於 透明導電電極206上鍍上一層或多層之小分子發光材料； 如發光層208之材料爲高分子發光材料，則可以旋轉塗佈 法於透明導電電極206上鍍上一層或多層之高分子發光材. 料。 再請參照第2E圖，於塑膠基板的發光層208上形成 金屬導電電極210,以作爲電子注入層（Electron Inj.ection η 本紙張尺度適用中國®家標準（CNS)A4規格（2〗0 χ 297公釐） " _ 352 5 5982twf.d〇c/006 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（Μ) Layer, EIL)。其中形成金屬導電電極210之方法包括熱蒸 鍍法等，而金屬導電電極210例如是由單一層金屬材料所 構成，或者是由多層金屬材料疊合而成，構成金屬導電電 極210之材料則包括鋰、鎂、鈣、鋁、銀、銦等及其合金。 請參照第2F圖，完成金屬導電電極210的製作後， 再於覆有第一複合膜層204a、透明導電電極206、發光層 208及金屬導電電極210的塑膠基材200上形成保護膜 212，以覆蓋金屬導電電極210，並將有機發光材料及金屬 電極完全包覆，以隔絕外界的水氣和氧氣，防止其與金屬 導電電極或有機發光膜層產生反應，以提升元件的使用壽 命。其中形成保護膜212之方法包括離子輔助電子槍蒸鍍 法等，較佳的方式是在低於常溫且不通入氧氣的情況下’ 將透明塑膠基材200置於真空腔（未顯於圖中）內’以離子 輔助電子槍蒸鍍法蒸鍍保護膜212。而保護膜212之材質 包括二氧化矽(Si02)等，其厚度則約爲20 _微米至150毫 微米。 以離子輔助電子槍蒸鍍法製作純的二氣化砂保護膜 時，是在溫度低於攝氏100度之常溫、且不通入氧氣的情 況下進行，二氧化矽的蒸鍍速率約維持在2毫微米/秒’而 反應所用的氣體爲闻純度氨氣（純度大於^ 爲每分鐘18毫升，其餘之離子助鍍條件與二氧化叙^一热 化砂複合膜一樣。 本發明之可彎曲塑膠有機電激發光元忤中’ 於透明 塑膠基材200表面之第一、第二複合膜贖（2〇4a、204b)、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 I 言 ά. 463525 5982twf.doc/006 A7 B7 五、發明說明（/3 ) 透明導電電極206、以及保護膜212，皆可以離子輔助電 子槍蒸鍍法在常溫中蒸鏡而成。由於離子的撞擊並不會造 成基材溫度明顯上升，所以整個製程的溫度來源主要是由 蒸發源而來。從實驗結果發現，在本發明的整個鍍膜製程 中，其所造成的溫度上升小於摒氏60度，因此不會對諸 如聚碳酸酯(PC)和聚甲基丙烯酸曱酯（PMMA)等塑膠基材有 任何的影響，同時本發明之製程也可適用於其它對溫度敏 感之塑膠基材，如聚乙烯對苯二甲酯(PET)等。 應用低溫離子輔助電子槍蒸鍍所得之二氧化鈦-二氧· 化矽(TiC^SiC^)複合膜，經由X光繞射和穿透式電子顯微 鏡之分析結果顯示其爲一完全非晶質結構（Amorphous)，因 此不會造成像結晶晶界(Grain Boundary)對光散射之效應， 所以不會降低有機電激發光元件之發光效率。 此外，二氧化鈦-二氧化矽複合膜層具有很高之硬度， 平均皆在2500N/mm2以上。在二氧化鈦-二氧化矽複合膜 層中的二氧化鈦含量達75%時，其硬度甚至高於4000N/mm2 以上，比玻璃的硬度還高，而聚碳酸酯（PC)和聚甲基丙烯 酸甲酯（PMMA)等塑膠基材之硬度則只有幾十至幾百 N/mm2。因此二氧化鈦-二氧化矽複合膜層可以有效地保護 塑膠基板，當做塑膠基材及金屬導電電極之硬化保護層， 以避免其被外力所刮傷，防止有機電激發光元件受損。 再者，二氧化鈦-二氧化矽複合膜之光學折射係數可 藉調整組成之材料含量比例而改變，因此對波長爲550毫 微米之入射光而言，複合膜之光學折射係數的範圍由純的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.I I _ I! —訂----- 線' 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4. 6 3 5 2 ^ A7 5 9 8 2 twf . doc /0 0 6 _______B7_ 五、發明說明) 二氧化矽（Si02)之M6至純的二氧化鈦(Ti02)之2.36皆可。 因此選擇適當組成之二氧化鈦-二氧化矽複合膜及其厚 度，再和適當光學厚度之銦錫氧化物鍍層互相結合，可以 有效提升有機電激發光元件之發光效率，因此可以用來當 做有機電激發光元件之光學增透層（Transmittance Enhanced Layer)。 由於二氧化鈦-二氧化矽複合膜之特性，因此其對於 阻隔水氣和氧氣從大氣滲透進入塑膠基材內部或從塑膠基 材內部之釋出之效應非常明顯。請參照表一與表二，其所 列之數據分別是：將已鍍上厚度爲200毫微米之複合膜的 聚碳酸酯(PC)和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)塑膠基板置於相 對溼度95%、攝氏25度之恆溼恆溫環境中6小時，並且 利用微量天平稱取樣品在恆溼恆溫測試前後之重量變化， 同時與未鍍任何保護膜之空白塑膠基板之測試結果做比 較。 表一、已鍍和未鍍200毫微米厚之二氧化鈦-二氧化矽複合 膜的聚碳酸酯塑膠基板經6小時相對溼度95%、攝 _氏25度之恆溼恆溫環境測試前後的重量變化 鍍膜組成 X Ti02 100% Ti02 75% Τι〇2 50% Ti〇2 25% Si〇2 100% 重量變化(mg) 0.33 0.16 0.19 0.12 0.16 0.21 表二、已鍍和未鍍200毫微米厚之二氧化鈦-二氧化矽複合 i I — ---1-----{裝--------訂---------故 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用令國國家標準（CNSU4規格（210 X 297公釐） 463525 S982twf.doc/0〇6 A7 _ B7_ 五、發明說明 膜的聚甲基丙烯酸甲酯塑膠基板經6小時相對溼度 95%、攝氏25度之恆溼恆溫環境測試前後的重量變 化 鍍膜組成 X Si02 100% Ti02 50% 重量變化(mg) 2.32 1.76 1.47 由表一和表二所列之數據顯示，相較於表面未覆有任 何鍍層之空白塑膠基板，表面覆有厚度約200毫微米之二 氧化鈦-二氧化矽複合膜的聚碳酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯 塑膠基板對於水和氧氣之滲透量有很明顯的改善，因此證 明二氧化鈦-二氧化矽複合膜可以有效阻隔水氣和氧氣之 滲透。 請參照第3圖，其所繪示的是表一中所列之聚碳酸酯 樣品，其穿透率（Transmittance)對入射光波長之穿透光譜。 圖中縱軸所代表的是穿透率，而橫軸所代表的是入射光之 波長，穿透光譜則是以光譜儀測量樣品在波長爲1000毫 微米至2000毫微米之間的穿透率。圖中所測試之樣品包 括表面覆有200毫微米之二氧化鈦-二氧化矽複合膜的聚碳 酸酯塑膠基板、表面未覆有任何鍍層之空白塑膠基板。這 些樣品被置於相對溼度95%，攝氏25度之恆溼恆溫環境 中4小時後，經測試結果得知，其穿透光譜隨二氧化鈦-二氧化矽複合膜之組成不同而有變化。 如第3圖所示，其中在1900毫微米附近之吸收峰是 -------------f --------訂·--------1 請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 46352 5 5 9 8 2 twf. doc /0 0 6 五、發明說明) 由於氯氧基（-〇H)之非對稱性伸張（Asymmetnc Mode)與彎曲（Bending Mode)模式所造成，因此可據以用來 判斷樣品中之含水量。此外，由於複合膜材中二氧化鈦_ 二氧化矽之成分比例不同，使其光學折射率隨之產生差 異’因而造成樣品對入射光之穿透率亦有所不同。因此如 前段所述，經由選用適當之膜材並與膜厚之匹配，進而可 以達到提升有機電激發光元件之發光效率的效果。 本發明主要是採用低溫離子輔助電子槍共蒸鍍製程製 作二氧化鈦-二氧化矽複合膜，以做爲可彎曲小分子有機 電激發光元件及高分子有機電激發光元件之塑膠透明導電 基板的底塗和面塗，以及在不通氧之條件下以低溫離子輔 助電子槍蒸鍍製程製作二氧化矽層做爲小分子有機電激發 光兀件及局分子有機電激發光元件之金屬導電電極（電子 發射層)的保護膜。 由於二氧化鈦-二氧化矽複合膜層的絕緣性非常好（其 電阻無限大）、硬度相當高、表面非常平滑，因此本發明 將二氧化鈦-二氧化矽複合膜層蒸鍍於透明塑膠基板之 上、下表面，其目的及優點如下： (1) 作爲塑膠基材之水氣和氧氣隔離層。 (a) 可防止水氣和氧氣由塑膠基材滲出，避免造成銦 錫氧化物膜層附著不良。
(b) 可防止水氣和氧氣與金屬導電電極及/或有機發 光膜層反應，避免造成元件壽命降低D (2) 作爲塑膠基材之硬化層，保護塑膠基材及金屬導電 ---I I--ί 11 I ^ * 11-----訂--------- <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 4 6352 5 5982twf. doc/006 五、發明說明（/?) 電極，以免其遭外力刮傷。 (3) 作爲塑膠基材與銦錫氧化物鍍層間的結合層，防止 銦錫氧化物鍍層與塑膠基材間因熱膨脹的差異或因彎折造 成膜層龜裂。 (4) 作爲發光元件之光學增透層，二氧化鈦-二氧化矽 複合膜層和銦錫氧化物鍍層兩者以適當之光學厚度互相結 合，可提升有機電激發光元件之發光效率。 由上述本發明之較佳實施例可知，應用本發明具有下 列優點： (1) 在進行真空蒸鍍過程中，可有效抑制水氣和氧氣由 塑膠基材滲出，以增加銦錫氧化物膜層與塑膠基材的附著 性，並可防止水氣和氧氣與後續鍍上之有機發光層與金屬 電極層產生反應，進而提升元件的性能及延長元件的使用 壽命。 (2) 可有效抑制外界環境中的水氣和氧氣經由塑膠基材 滲入元件內部，避免其與有機電激發光元件之發光層與金 屬電極層直接反應而造成元件劣化。 (3) 可有效保護塑膠基材及金屬導電電極，增加元件的 表面硬度，防止其遭刮傷。 (4) 以適當光學厚度之複合膜層和銦錫氧化物鍍層互相 結合，可提升有機電激發光元件之發光效率。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上’然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者’在不脫離本發明之精神 和範圍內，當可作各種之更動與潤飾’因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------f 裝--------tT----------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Claims (1)

  1. 4635 2 5 A8 B8 5 9 8 2 twf. doc / 0 0 6 罐 、申請專利範圍 1. 一種有機電激發光元件，其中至少包括： 一塑膠基板，具有一第一表面與一第二表面； 一第一複合膜層，配置於該第一表面； 一第二複合膜層，配置於該第二表面； 一透明電極，配置於該第一複合膜層上，且該第一複 合膜層位於該塑膠基板與該透明電極之間； 一有機發光層，配置於該透明電極上，且該透明電極 位於該第一複合膜層與該有機發光層之間； 一金屬電極，配置於該有機發光層上，且該有機發光 層位於該透明電極與該金屬電極之間；以及 一保護層，配置於該金屬電極上，並將該金屬電極與 該有機發光層完全包覆。 2. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該塑膠基板之材質包括聚碳酸酯(PC)。 3. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該塑膠基板之材質包括聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)。 4. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該塑膠基板之材質包括聚酯樹脂(PET)。 5. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該塑膠基板之材質包括環氧樹脂（Epoxy)。 6. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該塑膠基板之厚度不大於0.25毫米。 7. 如申請專利範圍第丨項所述之有機電激發光元件’ 其中該第一複合膜層包括二氧化鈦-二氧化矽複合膜層。 --------1---^ --------^ ' I ! ! -----線f I (請先閱讀背面之注咅W事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210^297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4635 2 5 AS B8 5982twf.doc/006 惡 六、申請專利範圍 8. 如申請專利範圍第7項所述之有機電激發光元件， 其中該第一複合膜層中二氧化鈦之含量範圍爲〇%至 100%。 9. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該第一複合膜層之厚度約爲20毫微米至150毫微米。 10. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該第二複合膜層包括二氧化鈦-二氧化矽複合膜層。 11. 如申請專利範圍第10項所述之有機電激發光元 件，其中該第二複合膜層中二氧化鈦之含量範圍爲0%至 100%。 12. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該第二複合膜層之厚度約爲20毫微米至150毫微米。 13. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該透明電極之材質包括銦錫氧化物。 M.如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該透明電極之厚度約爲30毫微米至400毫微米。 15. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該該透明電極之面電阻小於100歐姆/平方公分。 16. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該有機發光層係由單層有機發光材料構成。 17. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該有機發光層係由複數層有機發光材料疊合構成。 18. 如申請專利範圍第丨項所述之有機電激發光元件， 其中該有機發光層之材質包括小分子有機發光材料。 --- Ϊ 1 1 I ---1 Λ^--------訂---------線{ * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） ^ 6352 5 A8 B8 5982twf,doc/006 瑞 六、申請專利範圍 19.如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該有機發光層之材質包括高分子有機發光材料。 20·如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該金屬電極係由單層金屬材料構成。 21. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該金屬電極係由複數層金屬材料疊合構成。 22. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該金屬電極之材質係選自於由鋰、鎂、鈣、鋁、銀、 銦及其等之組合所組成的族群中之材料。 23. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該保護層之材質包括二氧化矽。 ‘ 24. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件， 其中該保護層之厚度約爲20毫微米至150毫微米。 25. —種可彎曲有機電激發光元件，其中至少包括： 一塑膠基板，具有一第一表面與一第二表面； 一第一二氧化鈦-二氧化矽膜層，配置於該第一表面； 一第二二氧化鈦-二氧化矽膜層，配置於該第二表面： 一銦錫氧化物電極，配置於該第--二氧化鈦-二氧化 矽膜層上，且該第一二氧化鈦-二氧化矽膜層位於該塑膠 基板與該銦錫氧化物電極之間； 一有機發光層，配置於該透明電極上，且該透明電極 位於該第一二氧化鈦-二氧化矽膜層與該有機發光層之 間； 一金屬電極，配置於該有機發光層上，且該有機發光 ' 22 -----------1- ^--------訂---------線 f * {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16352 5 5982twf.doc/006 A8 BS CS D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 層位於該透明電極與該金屬電極之間；以及 一二氧化矽保護層，配置於該金屬電極上，並將該金 屬電極與該有機發光層完全包覆。 26. 如申請專利範圍第25項所述之可彎曲有機電激發 光元件，其中該塑膠基板之材質係選自於由聚碳酸酯、聚 甲基丙烯酸甲酯、聚酯樹脂及環氧樹脂所組成之族群中的 材料。 27. 如申請專利範圍第25項所述之可彎曲有機電激發 光元件，其中該第一二氧化鈦-二氧化矽膜層中二氧化鈦 之含量範圍爲0%至100%。 28. 如申請專利範圍第25項所述之可彎曲有機電激發 光兀件，其中該第一二氧化欽--一氧化砂膜層之厚度約爲20 毫微米至150毫微米。 29. 如申請專利範圍第25項所述之可彎曲有機電激發 光元件，其中該第二二氧化鈦-二氧化矽膜層中二氧化鈦 之含量範圍爲0%至100%。 30. 如申請專利範圍第25項所述之可彎曲有機電激發 光元件，其中該第二二氧化鈦-二氧化矽膜層之厚度約爲20 毫微米至150毫微米。 31. 如申請專利範圍第25項所述之可彎曲有機電激發 光元件，其中該有機發光層之材質包括小分子有機發光材 料。 32. 如申請專利範圍第25項所述之可彎曲有機電激發 光元件，其中該有機發光層之材質包括高分子有機發光材 ------------? 裝--------訂---------線{ , (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用十國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 463525 A8 B8 5982twf,doc/OOG 盟 、申請專利範圍 料。 33. 如申請專利範圍第25項所述之可彎曲有機電激發 光元件，其中該二氧化矽保護層之厚度約爲20毫微米至150 毫微米。 34. —種有機電激發光元件之製作方法，其中至少包括 下列步驟： 提供一塑膠基板，該塑膠基板具有一第一表面與一第 二表面； 分別於該第一表面上形成一第一複合膜層，於該第二 表面形成一第二複合膜層； 於該第一複合膜層上形成一透明電極； 於該透明電極上形成一有機發光層； 於該有機發光層上形成一金屬電極；以及 於該金屬電極上形成一保護層，將該金屬電極與該有 機發光層完全包覆。 35. 如申請專利範圍第34項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該第一複合膜層之方法包括低溫離子 輔助電子槍蒸鍍法。 36. 如申請專利範圍第35項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該第一複合膜層之溫度低於攝氏1〇〇 度。 37. 如申請專利範圍第34項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該第一複合膜層之材質包括二氧化鈦 與二氧化矽。 --------------ίι--------訂 --------線(, (請先閱讀眢面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格mo X 297公釐） A8 R8 C8 D8 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印ΜΛ 46352 5 5982twf,d〇c/006 申請專利範圍 38. 如申請專利範圍第34項所述有機電激發光元件之 製作方法’其中形成該第二複合膜層之方法包括低溫離子 輔助電子槍蒸鍍法。 39. 如申請專利範圍第38項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該第一複合膜層之溫度低於攝氏100 度。 40. 如申請專利範圍第34項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該第一複合膜層之材質包括二氧化鈦 與二氧化石夕。 41. 如申請專利範圍第34項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該透明電極之方法包括低溫離子輔助 電子槍蒸鍍法。 42. 如申請專利範圍第41項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該透明電極之溫度低於攝氏100度。 43. 如申請專利範圍第34項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該透明電極之材質包括銦錫氧化物。 44. 如申請專利範圍第34項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該有機發光層之材質包括小分子有機 發光材料。 45. 如申請專利範圍第44項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該有機發光層之方法包括熱蒸鍍法。 46. 如申請專利範圍第34項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該有機發光層之材質包括高分子有機 發光材料。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐) --------I — — tr 一衣--------訂-----I ---線{ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制私 4 635 2 5 AS B8 5 9 8 2 twf . doc/ 0 0 6 盟 六、申請專利範圍 47. 如申請專利範圍弟46項所述有機電激發光兀件之 製作方法’其中形成該有機發光層之方法包括旋轉塗佈 法。 48. 如申請專利範圍第34項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該保護層之材質包括二氧化矽。 49. 如申請專利範圍第：Μ項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該保護層之方法包括低溫離子輔助電 子槍蒸鍍法。 50. 如申請專利範圍第49項所述有機電激發光元件之 製作方法，其中形成該保護層之溫度低於攝氏100度。 51. —種可彎曲有機電激發光元件之製作方法，其中至 少包括下列步驟： 提供一塑膠基板，該塑膠基板具有一第一表面與一第 二表面； 以低溫離子輔助電子槍蒸鍍法分別於該第一表面上形 成一第一二氧化鈦-二氧化矽膜層，於該第二表面形成一 第二二氧化鈦-二氧化矽膜層； 以低溫離子輔助電子槍蒸鍍法於該第一二氧化鈦-二 氧化矽膜層上形成一銦錫氧化物電極； 於該銦錫氧化物電極上形成一有機發光層； 以熱蒸鍍法於該有機發光層上形成一金屬電極；以及 以低溫離子輔助電子槍蒸鍍法於該金屬電極上形成一 二氧化矽保護層，將該金屬電極與該有機發光層完全包 ------------^ 聚--------訂---------線ί / (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格mo X 297公釐） 4 6352 5 5982twf.doc/〇〇6 A8 R8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 六、申請專利範圍 52. 如申請專利範圍第51項所述可彎曲有機電激發光 元件之製作方法，其中形成該第一二氧化鈦-二氧化矽膜 層之溫度低於攝氏100度。 53. 如申請專利範圍第51項所述可彎曲有機電激發光 元件之製作方法，其中形成該第二二氧化鈦-二氧化矽膜 層之溫度低於攝氏100度。 54. 如申請專利範圍第51項所述可彎曲有機電激發光 元件之製作方法，其中形成該銦錫氧化物電極之溫度低於 攝氏100度。 55. 如申請專利範圍第51項所述可彎曲有機電激發光 元件之製作方法，其中形成該有機發光層之材質包括小分 子有機發光材料。 56. 如申請專利範圍第55項所述可彎曲有機電激發光 元件之製作方法，其中形成該有機發光層之方法包括熱蒸 鍍法。 57. 如申請專利範圍第51項所述可彎曲有機電激發光 元件之製作方法，其中形成該有機發光層之材質包括高分 子有機發光材料。 58. 如申請專利範圍第57項所述可彎曲有機電激發光 元件之製作方法，其中形成該有機發光層之方法包括旋轉 塗佈法。 59. 如申請專利範圍第51項所述可彎曲有機電激發光 元件之製作方法，其中形成該二氧化矽保護層之溫度低於 攝氏1〇〇度。 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x四7公釐〉 --------- ^----------It----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
TW089110673A 2000-06-01 2000-06-01 Organic electroluminescent device and the manufacturing method of the same TW463525B (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW089110673A TW463525B (en) 2000-06-01 2000-06-01 Organic electroluminescent device and the manufacturing method of the same
US09/672,920 US6566805B1 (en) 2000-06-01 2000-09-28 Organic electro-luminescent device with first and second composite layers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW089110673A TW463525B (en) 2000-06-01 2000-06-01 Organic electroluminescent device and the manufacturing method of the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW463525B true TW463525B (en) 2001-11-11

Family

ID=21659946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089110673A TW463525B (en) 2000-06-01 2000-06-01 Organic electroluminescent device and the manufacturing method of the same

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6566805B1 (zh)
TW (1) TW463525B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI561116B (en) * 2009-10-12 2016-12-01 Samsung Display Co Ltd Organic light emitting diode lighting apparatus and method for manufacturing the same

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020036291A1 (en) * 2000-06-20 2002-03-28 Parker Ian D. Multilayer structures as stable hole-injecting electrodes for use in high efficiency organic electronic devices
JP4112800B2 (ja) * 2000-12-05 2008-07-02 富士フイルム株式会社 発光素子及びその製造方法
WO2002091064A2 (en) * 2001-05-04 2002-11-14 General Atomics O2 and h2o barrier material
US7053547B2 (en) * 2001-11-29 2006-05-30 Universal Display Corporation Increased emission efficiency in organic light-emitting devices on high-index substrates
US20040206953A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Robert Morena Hermetically sealed glass package and method of fabrication
US6998776B2 (en) * 2003-04-16 2006-02-14 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
US7018086B2 (en) * 2003-06-13 2006-03-28 Toppoly Optoelectronics Corp. Back light module and liquid crystal display
US7572512B2 (en) 2006-03-02 2009-08-11 University Of Central Florida Research Foundation Sol-Gel composite AR coating for IR applications
TW201001624A (en) * 2008-01-24 2010-01-01 Soligie Inc Silicon thin film transistors, systems, and methods of making same
JP4575966B2 (ja) * 2008-02-27 2010-11-04 株式会社沖データ 半導体装置
US20100095705A1 (en) 2008-10-20 2010-04-22 Burkhalter Robert S Method for forming a dry glass-based frit
US8906320B1 (en) 2012-04-16 2014-12-09 Illumina, Inc. Biosensors for biological or chemical analysis and systems and methods for same
CN110411998B (zh) 2013-12-10 2022-06-07 伊鲁米那股份有限公司 用于生物或化学分析的生物传感器及其制造方法
CA3066347C (en) 2017-12-26 2021-01-19 Illumina, Inc. Sensor system

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
JP2655946B2 (ja) 1991-04-04 1997-09-24 シャープ株式会社 液晶表示素子の製造方法
JP2755844B2 (ja) 1991-09-30 1998-05-25 シャープ株式会社 プラスチック基板液晶表示素子
EP0809420B1 (en) * 1995-02-06 2002-09-04 Idemitsu Kosan Company Limited Multi-color light emission apparatus and method for production thereof
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
JP3526877B2 (ja) * 1997-03-11 2004-05-17 ジィ、オハイオ、ステイト、ユニバーシティー、リサーチ、ファンデーション 色可変バイポーラ／ａｃ発光素子
US5808715A (en) 1997-03-27 1998-09-15 Industrial Technology Research Institute Liquid crystal display devices having undercoat and overcoat made of TiO2 --SiO2 composite material
JP2000012225A (ja) * 1998-06-26 2000-01-14 Sony Corp 有機電界発光素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI561116B (en) * 2009-10-12 2016-12-01 Samsung Display Co Ltd Organic light emitting diode lighting apparatus and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US6566805B1 (en) 2003-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW463525B (en) Organic electroluminescent device and the manufacturing method of the same
CN101306589B (zh) 阻隔膜及元件
EP2115798B1 (en) Process for forming moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
TWI517976B (zh) 濕氣障壁塗層
US7229703B2 (en) Gas barrier substrate
US8236912B2 (en) Gas-barrier film and environment-sensitive device
WO2005105428A1 (ja) 積層体、発光素子及びその使用
JP2009541939A (ja) 有機発光ダイオードデバイスのための防湿コーティング
WO2008007770A1 (en) Transparent conducting layer coated film and its use
JP2000323273A (ja) エレクトロルミネッセンス素子
EP2056372A2 (en) Gas barrier film and organic device using the same
JP2007216435A (ja) ガスバリアフィルム基板、電極付きガスバリアフィルム基板、及びそれらを用いた表示素子
JP2007083493A (ja) ガスバリアフィルムおよびこれを用いた有機デバイス
WO2015061657A1 (en) Permeation barrier system for substrates and devices and method of making the same
JP2007273094A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
TW200531588A (en) Composite articles having diffusion barriers and devices incorporating the same
US8067085B2 (en) Gas barrier film, and display device comprising the same
JP2010055894A (ja) 発光素子用封止フィルム
JP5567934B2 (ja) 非晶質窒化珪素膜とその製造方法、ガスバリア性フィルム、並びに、有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法および封止方法
Gasonoo et al. Parylene C-AlN multilayered thin-film passivation for organic light-emitting diode using a single deposition chamber
JP2015103389A (ja) 有機ｅｌ素子
WO2015012108A1 (ja) 電子デバイスおよびその製造方法
JP2004009665A (ja) バリア膜付き光学フィルムシートおよびこれを用いた表示素子
Wong et al. Co-sputtered oxide thin film encapsulated organic electronic devices with prolonged lifetime
JP4763483B2 (ja) 粘土薄膜基板、電極付き粘土薄膜基板、及びそれらを用いた表示素子

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees