TW444235B - Method of fabricating and patterning oleds - Google Patents
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Description
444235 發明說明(1) P二t明係由防衛先進研究計劃局授予的契約第 -94-1-14 44號接受美國政府贊助。美國政府對本發 明擁有某些權利。 發明領_^. I發明係關於薄膜沉積及圖樣化方&,特別係關於適合 生產適用於商用扁平面板顯示器之有機發光二極體(0LED) :微影術圖樣化方法,&關於使用此種微影術圖樣化方法 ’攻的真空沉積元件。特別本發明提供使用具有外伸之圖 樣化系統之方法。 /. 發明背景 、。有機發光二極體係使用當由電流激發時可發光之薄膜材 料’逐漸變成扁平面板顯示器等用途逐漸普及的技術。常 見OLED配置包括雙重非同質結構,單一非同質結構及單 層’如PCT申請案9 6/ 1 9 7 9 2所述,併述於此以供參考。 OLED可使用淺光罩技術製造。但難以使用淺光罩準確對 正多層沉積材料,光罩傾向於阻塞。此外難以使用淺光罩 製造小於約3 0 〇微米之特徵,而小於约1 〇 〇微米X 1 〇 〇微米 且可能小於約1 〇微米X丨〇微米之OLED可優異地用於高解析 度全彩扁平面板顯示器。 2 0微米X 2 0微米聚合物LE d陣列已經使用發射1 93毫微来 準分子雷射之直接光行差製造。S· Noach et ai,Appl. Phys. Lett. 69,3 6 5 0,9Dec. 1 9 9 6。雖然此種尺寸適合 用於高解析度顯示器,但雷射光行差之速度低不適合商業 化。
444235 五、發明說明(2) ------ 彰術圖樣化包含使用光阻於沉積於基材之材料上產生 於圖樣材料及製造次微米尺寸之元件,比較使 Α ΐ f π技術所能達成者遠更小。微影術圖樣化也極為適 二77化,原因為其可用於快速製造大型面板。但用於製 之有機材料當暴露於有害物質如水、溶劑、顯影劑 ft大氣條件時快速劣化。特別多種用於微影術製程之化 例如用2洗除光阻之溶劑及顯影劑快速劣化有機材 需要非常小心確保有機材料於頂電極之圖樣化過程中 及其後不會暴露於有害物質。 /
Tang之,國專利5, 294, 87〇揭示於沉積有機el層之前使 用系歹〗藉微影術形成的平行壁,故於沉積有機EL介質後 無需微影術圖樣化步驟或濕式化學。 已知使用具外伸之多層光阻系統來沉積具有傾斜緣之材 料。W.R. Runyan & KE. 半導體積體電路製程技術 56〇頁八4(14〇11-^31町,199〇年。也已知使用具有外伸之 光阻系統來沉積小特徵,輔助材料已經沉積後於例如應用 於製造窄閘砷化鎵電晶體用途中光阻層掀掉。 發明概诚 敘述一種使用微影術圖樣化而於有機薄膜圖樣化小特徵 之新穎製程方法。本方法中全部微影術製程步驟皆係於有 機膜沉積前進行。包含s〇LED或類似多電極基於有機之元 件的有機膜隨後循序沉積而無需由真空移開。此種方法可 避免有機層暴露於習知微影術溶劑如三氣乙烯,丙酮,甲 醇,乙醇,丙醇其可修改有機薄膜之機械及電性質。 444 235 五、發明說明(3) 根據本發明之具體例,提供一種製造有機薄骐元件之方 法’其包含下列步驟:產生圊樣化系統於具有複數接觸塾 之基材上’圖樣化系統具有一絕緣層及一附有光阻外伸之 光阻層;透過圖樣化系統沉積第一電極,其電連接至複數 接觸墊之第一接觸墊;透過圖樣化系統沉積有機層其電連 接至第一電極;及透過圖樣化系統沉積第二電極,其電連 接至第一有機層及複數接觸墊之第二接觸墊。 根據本發明之具體例,提供一種製造堆疊有機薄膜元件 之方法’其包括下列步驟:形成一圖樣化系統於基材 上,該圖樣化系統具有一絕緣層及一帶有光阻外伸之光阻 層,該基材具有一第一接觸墊,一第二接觸墊,一第三接 觸墊’及一第四接觸墊;透過圖樣化系統沉積一第一有機 層其覆蓋及電連接至第一接觸墊;透過圖樣化系統沉積一 第一電極其電連接至第二接觸墊及第一有機層;透過圖樣 化系統沉積第二有機層其電連接至第一電極;透過圖樣化 系統沉積第二電極其電連接至第三接觸墊及第二有機層; 及透過圖樣化系統沉積第三有機層其電連接至第二電極; 透過圖樣化系統沉積第三電極其電連接至第四接觸=及 >有機層。 X- 詹 觸墊,及 根據本發明之具體例’提供一種製造堆疊有機薄膜元件 之方法,其包括下列步驟:形成一圖樣化系統於一基材 ’該圖樣化系統具有一絕緣層及一帶有光阻外伸之光阻 ,該基材具有一第—接觸墊,一第二接觸墊,一第三接 第四接觸墊;透過圖樣化系統沉積一第一有機
444235 五、發明說明(4) =其覆蓋及電連接至第-接觸$;透過圖樣化系統沉積— 第:電極其電連接至第二接觸塾及第—有機層;透過圖樣 匕系統沉積第二有機層其電連接至第—電極;透過圖樣化 系統沉積第二電極其電連接至第三接觸墊及第二有機層; 透過圖樣化系統沉積一絕緣層於第二電極頂上;透過圖樣 化系統沉積一第三電極於絕緣層頂上其係電連接至第四接 觸墊’及藉絕緣層與第二電極電絕,緣;透過圖樣化系統沉 積-第三有機層其係電連接至第三電及透過圖樣化系 統第四電極其係電連接至第二接觸墊及第三有機磷。 本發明提供使用微影術製造〇LED元件之技術,同時減少 :有害物質如溶劑、顯影劑、水、空氣或其他可能劣 機層之環境污染有機層的可能。#據本發明,可於有機材 枓沉積前及後使用對用於0LED有機材料有害的化學品。因 此本發明可藉微影術以小型尺寸製造〇Led元件。 本發明使用帶有外伸及凹割之圖樣化系統,故保護蓋層 可使用沉積有機層之相同圖樣化系統沉積。首先有機層^ 由大致垂直形成圖樣化系統基材方向沉積。然後保護蓋層 由某種角度沉積而使其沉積至凹割内邹以及至有機層上。 以㈣Μ完全覆蓋有機層’#即保護蓋層沉積於有機 2頂上士 :圍’故有機層不再由任何方向暴露。較佳保護 盍層係i未由有機層去除真空下沉積於有機層上。一旦沉 積保護蓋層,有機層被保護避免暴露於有害:質,如;: 隨後製程之顯影劑及溶劑、空氣及水氣。保護蓋層也可延 長OLED元件之儲存壽命及工作壽命。 444 235 五、發明說明(5) — 雖然下述方法係有關OLED元件之製造,但本發明也。 於製造其他使用對暴露於有害物質敏感的材料之真空I用 電子元件》 上况積 本發明提供一種製造電子元件如有機發光元件之方法 包括下列步驟’於基材上形成一圖樣化系統其具有凹巧. 透過圖樣化系統沉積一種材料例如有機發光材料;及透尚 圖樣化系統沉積保護蓋層其可完全覆蓋該材料。 k 本發明進一步提供一種製造有機發光元件之方法,包括 下列步郡,沉積及圖樣化底電極於基材上;沉積吸.圖^化 絕緣長條於沉積及圖樣化底電極步驟所得結果上方;形成 一圓樣化系統其具有凹割於沉積絕緣長條步驟所得結果上 方;透過圖樣化系統沉積一種有機發光材料;及透過圖樣 化系統沉積一保護蓋層其完全覆蓋有機發光材料。 本發明進一步提供一種有機發光元件,其包括一底電 極’有機發光材料電連接至底電極;及一保護蓋層電連 接至且完全覆蓋有機發光材料。 本發明進一步提供一種有機發光元件,其包括一底電 極;一頂電極;一有機發光材料電連接至底電極及一頂電 極,及一保護蓋層完全覆蓋頂電極及有機發光材料。 本發明進一步提供一有機發光元件堆疊,其包括(3)一 苐一元件具有(1) 一底電極;(u) 一有機發光材料電連接 至底電極;(iii) 一保護蓋層電連接至且完全覆蓋有機發 光材料,及(b ) —第二元件於苐一元件堆疊。 本發明進一步提供一種有機發光元件堆疊,其包括(a)
444 2 3 5 五、發明說明(6) " 一第一元件具有(i) 一底電極;(H) 一頂電極;(iu) 一有 機發光材料電連接至底電極及一頂電極;及(iv) 一保護蓋 層完全覆蓋一頂電極及有機發光材料;及(b) 一第二元件 與第一元件堆疊。 本發明進一步提供一種圖樣化系統,其包括一絕緣層沉 積於基材上;及一光阻層沉積於絕緣層上其具有外伸延伸 於成形於絕緣層之凹割上方。 本發明進一步提供形成一種圖樣化系統之方法,包含: 沉積一絕緣層於基材上;沉積一光阻層於絕緣層土 ;圖樣 化光阻層;及濕式蝕刻絕緣層而形成凹割於光阻層下方。 亂式之簡單說明 圖la顯不根據本發明之具體例用於由某種角度沉積一層 於靜態基材上之圖樣化系統之頂視圖。 圖1 b顯示圖1 a之圖樣化系統之剖面圖。 圖lc顯示圖la之圖樣化系統之頂視囷,其係根據本發明 之具體例用於由某個夾角沉積—層於旋轉中之基材上。 圖1 d顯示圖1 c之圖樣化系統之剖面圖。 圖2a至2p顯示於多種製程步驟後之本發明之具體例。 圖3顯示本發明之雙重非同質結構具體例之剖面圖。 圖4顯不本發明之單一非同質結構具體例之剖面圖。 圖5a顯示具有接觸墊及傳輸墊用以傳輪功率之 具體例之頂視圖。 货之 圖5b顯_示圖5a之接觸墊及傳輪墊之剖面圖。 圖6顯示本發明之具體例之頂視圖,其具有像素陣列帶 4 44 23 5 五、發明說明(7) 有金屬線及傳輸墊用於傳輸功率至製造於像素頂上之夭 件。 穴 圖7a顯示本發明之具有二電極連結單一接觸勢之具 之頂視圖。 〃列 圖7b顯示圖7a之具體例之剖面圖。 圈8為本發明之具體例之剖面圖。 元件係藉圖1 圖9為元件陣列之平面圖’此處陣列之單一 說明。 面圖 圖10為用於製造本發明之帶有絕緣層之圖樣化4 統之剖 圖1 1為本發明之堆疊具體例之剖面圖。 體 體 圖12為雙重非同質結構具體例之剖面圖,顯示 例之部件細節。 ’、 圖13為單一非同質結構具體例之剖面圖, 例之部件細節。 圓1 '、 H ί!磷下方轉化層之本發明之具體例之剖面圖 :”有吸光材料背景之本發明具體例之剖面圖。 m具有損失限制層之本發明之具體例之剖面圖。 圖17a為本發明之具體例之光學顯微相片。 壓 圖 圖17b顯示本發明之具體例之I -V作圖亦即電流對電 圖=顯示本發明之具體例之光強度對電流作圖。 細卽說明 於後文製程及附圖將參照範例具體例說明本發明
第〗〇頁 ΛΛΑ235 五 '發明說明(8) 圖樣化系統22包含絕緣層23及光阻層24,其具有外伸 24a及開口 24b ’圖樣化系統可用於藉由改變材料沉積角度 及方向以及藉由以大致為基材20法線方向軸20,旋轉基材 20以不同圖樣沉積材料於基材2〇上,現在參照圖la至1(1說 明。 圖la及lb顯示層25a沉積於基材20上之角向沉積,基材 為靜態且含接觸墊21包括接觸墊2ia、21B、21C及21D。圖 1 a為頂視圖’及圖1 b為沿圖1線1 b’所取之剖面圖。層25a 係由角0沉積,角係以距基材2 〇法線軸2 〇,之夾/角測 量’及沉積方向f ’其係由軸21C,之夾角測量。因基材2〇 於層25a沉積期間夾持為固定,層25a之形狀及尺寸係由光* 阻24之開口24b之形狀及尺寸定義。角θ及方向f決定層 25a於基材20上之位置。圖^及丨匕中0為約30度及φ為約 180度,故層25a沉積於接觸墊21C上,但未沉積於接觸墊 21B 及 2 1D 上。 圖lc及Id顯示當基材20以軸20,為軸旋轉時角向沉積於 基材20上之層25b。圖lc為頂視圖’圖id為沿圖1〇線1(1,所 取剖面圖。基材2〇旋轉使層25b沉積方向於整個沉積過程 中相對於基材20改變,允許層25b覆蓋基材20之面積比較 基材20保持靜態時之面積更大。層25b係由角Θ沉積,其 決定層25b之尺寸。 化糸铋. 現在參照圖丨a及1 b說明根據本發明之具體例之圖樣化系 統22之製法。
第II頁 五、發明說明(9) 1) 沉積絕緣層2 3。絕緣層2 3較佳沉積至約1 · 5至3微米厚 度,更佳約2微米厚度。絕緣層2 3可由任何可被濕式银刻 而形成凹割及光阻外伸2 4 a之任一種絕緣材料製成。例如 絕緣層23係由藉e-束或電漿增進化學蒸氣沉積沉積之 Si〇 ’Si Ο? ’或Si Nx製成,或藉旋塗沉積之聚醯亞胺製成。 2) 藉旋塗沉積光阻層24於絕緣層23上至約至2微米厚 度。光阻層2 4可由得自赫絲特西蘭尼斯公司之2 1 〇或 AZ411〇(舉例)製成。 一 3 )軟性烘烤光阻層2 4,烘烤溫度及時間取決於巧材料及 烘烤方法。例如若使用A2421〇,則軟性烘烤可於1〇5 t進 行3分鐘。 4) 選擇性暴露開口241)但非外伸24a於射線及顯影。雖然 ^具體例說明使用正光阻,亦即唯有於暴露於射線位置可 藉顯影劑去除之光阻,也可使用負光阻經由暴露外伸24a 而非開口 24 b貫施本發明,負光阻亦即唯有於暴露於射線 區可於顯影劑去除之光阻。 5) 濕式蝕刻絕緣層23,產生外伸24a。藉由控制蝕刻溫 二、蝕刻時間、蝕刻劑濃度、蝕刻劑攪動速度及絕緣層23 /儿積厚度,可控制外伸24a尺寸。例如7〇毫升β〇Ε(緩衝氧 化物鞋刻劑)(10 :1)[其含有3 6 5%(w/w)氟化銨, 4_ 5X(w/w)氫氟酸及59%(w/w)去離子水]與5毫升氫氟酸 9^去離子水)之混合物可以4〇〇 攪動速度於2〇它使用 .5刀鐘而藉電漿增進化學蒸氣沉積而沉積厚2微米之二氧 化石夕絕緣層23而產生1〇微米外伸24a。更小的2微来外伸 ^ 444235 五、發明說明(ίο) 24a可使用BOE(10 :1)於15〇C經歷8分鐘獲得,係藉電子束 蒸鍍未經攪動沉積於丨.7微米厚之二氧化矽絕緣層23上。 用於姓刻絕緣層2 3之蝕刻劑不會蝕刻絕緣層2 3下方結構, 如基材20及接觸墊21。例如若ΒΟΕ(1 〇 : 1)用於蝕刻絕緣層 23 ’基材20不可為可藉b〇E姓刻的材料如§丨〇2或以化。 堆疊有機發光元# 圖2〇及2p顯示根據本發明之具體例製造之三色s〇LEI)。 接觸墊21A,第一有機層31,第一電極32 ,第二有機層 33 ’第二電極34 ’第三有機層35及第三電極36循4堆疊。 保護蓋層38覆蓋有機層31、33及35及電極32、34及36之暴 硌面。第一有機層31係設置於接觸墊2ia與第一電極32間 且與其電連接《第二有機層33係設置於第一電極32與第二 電極34間且與其電連接。第三有機層35係設置於第二電極 34與第三電極36間且與其電連接。當電壓施加於接觸墊 21A與接觸墊21B時由電連接至第一電極32之第一有機層h 發光。當電壓施加於接觸墊2ΐβ與21C間時,由電連接至第 電極32及第—電極34之第二有機層33發光。當電壓施加 於接觸墊21C與2 1D間時,由電連接至第二電極第二 極⑼之第三有機層35發光。發光強度係由施加電壓產第 電流幅度決定。適當選擇發光材料用於第一有機層31、第 二有機層33及第三有機層35,藉由控制接觸墊2ia、2ib、 2 1 C及2 1 D之電壓允許元件丄〇發出紅、'綠及藍光之任—種组 現在參照圖2a至2Ρ說明根據本發明之具體例製造圖2〇及
第13頁 五、發明說明(11) 2p之三色SOLED元件1〇之方法。雖然係說明單一像素之製 造,但整個像素陣列可同時製造。圖2b、2d、2f、化、 及 W 圖 23、2C、2e、2g、21、2k,及2〇 之J Γ、2h’、2j,、21,、2n,及2〆所取之剖 面圖。絕緣層23及光阻層24未顯示於圖2a &、心%、 2ι、2k、2m及2〇,故更明白示例說明元件1〇。 圖2a及2b顯示元件1〇製造前之帶有 基材2。提供元们。之製造基礎並傳輸功率至元件二觸 墊21提供傳輪功率至元件1〇之方便幾何。_
件10透過基材20蛴朵$姶相去 ^ ^ M + 先 者,該情況下基材20及接觸墊 m需為透明,亦即材料於使用的厚度可透射元们〇發射 較Ϊ大致透射全部發射光。若元件1◦待透射光 ί'ίΓ二較佳為透明玻璃、石#、藍寶石或塑 膠’接觸塾21Α較佳為導電金屬如金、銀或链,較佳沉 至約5 0 -20 0埃厚度,更佳沉積至約1〇〇埃厚度;或導電氧 化物如ΙΤ0較佳沉積至約1000-2 0 0 0埃厚度及更佳沉積 埃厚度。接觸-iB、21c及⑽無需為透 較佳係由 >儿積至允許低電阻傳導之相同材料製成。若元件 1〜0待透光遠離基材20,基材20可由不透明材料如矽或金屬 箔製成,及接觸墊21可由任何導電材料製成而盔論苴是 透光。 ^ 2。1以有Λ層31係由“錢沉積於基材20,同時當基材 ㈣上轉時’第一有機層31由角"㈣沉積於基 材”輝⑴之角^經選擇而使第一有機層31覆蓋 第〗4頁 五、發明說明(12) ----- ‘但未覆蓋接觸墊213、21。及211),留下足夠餘 隙用於隨後沉積第一電極32、第二電極34及第三電極⑼而 形,與接觸塾21B、2]q21d分別之電連接4此步靜, 元件10出現如圖2c及2d。 2) 當基材20保持靜態時,第—電極32由角θ紐及由軸 21’方向Φ約等於〇度沉積。步驟(2)之角係大於步驟 (1)之角0有機,故第一電極32延伸超出第一有機層31並形 成與接觸墊21Β之電連接。於此步驟後,元件1〇如圖。及 2f所示。 〆 3) 畲基材20以軸20,為軸旋轉時,苐二有機層33係由角 Θ㈣沉積於基材20上。步驟(3)之角0料經選擇,故第二 有機層34未覆盍接觸墊2 ic及21D,留下足夠餘隙用於隨後 沉積第二電極34及第三電極36而分別形成與接觸墊2 ic及 211)之電連接。於此步驟後,元件1〇出現如圖以及“。 4) 當基材20保持靜態時’第二電極34由角θ㉞及由軸 21 ’方向Φ約等於1 8 0度沉積。步驟(4 )之角θ紐係大於步 驟(1)及(3)之角0有椅’故第二電極34延伸超出第—有機層 31及第二有機層33並形成與接觸墊2ic之電連接。於此步 驟後,元件1 0如圖2 i及2 j所示。 5) 第三有機層35係由角θ麵沉積於基材20,同時當基材 20以軸20’為軸旋轉時’第一有機層31由角e糾沉積於基 材20上。步雜(5)之角ι9料經選擇而使第三有機層36未覆 蓋接觸墊21D,留下足夠餘隙用於隨後沉積第三電極3 6而 形成與接觸墊21D之電連接。於此步驟,元件1〇出現如圖
第15頁 Λ 44 2 3 5 五、發明說明(13) 2k 及21。 6)當基材20保持靜態時,第三電極36由角0紐及由軸 21’方向Φ約等於90度沉積。步驟(6)之角、丨係大於步驟 (1)、(3)及(5)之角,故第三電極扑延伸超出第—有 機層3〗、第二有機層33及第三有機層35並形成與接觸墊 21D之電連接。於此步驟後,元件1〇如圖心及以所示。 7)選擇性地,當基材20以軸2〇,為軸旋轉時,保護層由 角Θ保護沉積。角θ保護需大於先前各步驟之角θ及 <9砂,故元件〗〇完全由保護層38覆蓋。保護層“可保護元 件10不會隨後暴露於有害物質。保護層38由於可能接觸接 觸墊21,第-電極32,帛二電極34及第三電極36中之多於 一者故需由非導電材料製成。較佳保護層38為鐵氟龍沉積 至約2000-50 00埃厚度,更佳為4〇〇〇_5〇〇〇埃厚度及最佳約 5—0 0 0埃厚度製成。保護層之使用容後詳述。於此步驟 元件1 0係如圖2 〇及2 p所示。 用於先前各製程步驟(2)、(4)及(6)之角"^ ,'於各步 驟可相同或相異。業界人士可依據該步騾沉積之特 極 之預定位置決定各步驟之適。同理用於前述製 程步驟(1)、(3)及(5)之角"β錢"依據該步驟沉積之特 有機層之預定沉積而定於各步驟可相同或相異。沉積 也可於一步驟内改變而影響沉積的有機層或電極之幾何。 雖然本具體例敘述具有三層獨立控制發光有機層 SOLED之製造,亦即第一有機層31、第二有機層”曰 有機層35,但也可製造具有不同配置之元件。例如刪弟除二步
444 235 五 '發明說明(14) "~' 驟(3)至(6)可製造單色OLED。刪除步驟(5)及(6)可製造雙 色SOLED。藉由於本具體例之步驟(6)與(7)間增加步驟, 可製造四色SOLED,亦即根據步驟(5)沉積額外有機層,及 根據步驟(6 )〉几積額外電極,但係由方向①約等於2 7 〇度沉 積,二者皆係介於本具體例之步驟(6 )與(7 )間進行。額外 有機層及電極將獲得四層可獨立控制沉⑽堆疊。具有不同 數目之堆疊0 LED之具體例需要不同數目之接觸墊21,要求 之接觸塾21數目需大於可獨立控制之發光層層數。 第一電極3 2及第二電極34需為透明,且需夠薄4減少吸 光,而又夠厚而具有低電阻率。第一電極32及第二電極34 可由於使用厚度透明且導電之任一種材料製成。較佳第一 電極32及第二電極34為PCT申請案W0 9 6/ 1 9 792揭示之I TO/ 金屬層,併述於此以供參考。一具體例中,.光線透過第三 電極36透射至檢視者,第三電極36較佳係由第一電極“及 第二電極34之較佳材料及厚度製成。一具體例中光係透過 基材20透射至檢視者,第三電極36較佳由厚金屬如
Mg/Ag、In、Ag 或 Au 製成,如 PCT 申請案w〇 96/19792(併述 於此以供參考)之揭示,第三電極可反射有機層31、33及 35發射之入射光返回基材20及檢視者。 第一有機層31 ,第二有機層33及第三有機層35可由業界 已知之任一種適古有機發光材料製成。例如適當有機發光 材料述於PCT申請案9 6 / 1 9 79 2及美國專利5,2 94,87〇, 併述於此以供參考。典型有機發光材料對可見光譜之光, 亦即有機層31、33及35發射光為透明,故可使用$ 一種堆
IH 第17頁 ? 444235 過基材20發 達檢視者之 前衰減比有 發射之更多 於有機層35 。使用最常 第二有機層 其他堆疊順 發光材料發 為非透明材 射至檢視者 前通過較多 機層33發射 光。結果較 ’具最小發 用0 L E D材料· 3 3發綠光及 序。若使用 射之光不透 料不會遮斷 之具體 層及交 之更多 佳具最 光效率 ’表示 第三有 之任一 明,則 其他材 五、發明說明(15) 叠順序。光透 3 5發射光於到 到達檢視者之 減比有機層3 1 有機材料係用 用於有機層31 層3 1發紅光, 光。但可使用 料對其他有機 及3 5之順序須 檢視者。 例中,有機層 界面,故可於 光,而其又衰 大發光效率之 之有機材料係 較佳第一有機 機層35發藍 種有機發光材 有機-層31、33 料發射光到達 第一有機層31、第二有機層33及第三有機層35之各層各 自包含單層發光層31E、33E及35E,包含雙重或單一非同 質結構配置之多層,如專利申請案PCT 1 979 2之揭示, 併述於此以供參考。可使用單層、單一非同質結構或雙重 非同質結構之任一種組合。 圖3顯示第一有機層31之雙重非同質結構配置。雙重非 同質結構具體例中,第一有機層31包含三分立層,發射層 (11 EL”)3 1 E夾置於孔輸送層("jjTL" )31H與電子輸送層 ("ETL”)31E間。具有第一有機層31且為雙重非同質結構之 三色SO LED元件1 0可遵照製造三gS〇LED元件1〇之製程步驟 製造’其中步驟1包含循序沉積HTL 31H、EL 31E及ETL 3 1 T之步驟’全部皆由約角θ㈣沉積且同時基材2 〇係以軸 20’為軸旋轉。HTL 31H、EL 31E及ETL 31T為透明,原因
第18頁 r 444 2 3 5 五、發明說明(16) 為其組成及厚度最小故。ED層典型厚度包括下列:HTL 31H厚約50埃至1〇〇〇埃;EL 31E厚約50埃至1〇〇〇埃;ETL 31T厚約50埃至100G埃’但偏離此種範圍之變化亦屬可 能。刖述範圍底端允許最佳性能及低電壓操作。適當有機 ETL·、EL及HTL材料實例可參考美國專利5, 294, 8 70及PCT申 請案WO 96/ 1 979 2,併述於此以供參考。 若使用單一非同質結構而非雙重非同質結構配置,雙重 非同質結構配置之EL 31E及ETL 31T由單一多功能層31E/T 替代’如圖4所示。另外HTL 31H及EL 31E可由單> 多功能 層替代。具有第一有機層31其為單一非同質結構之三色 SOLED元件1〇可遵照製造三色S〇led元件1〇之製程步驟製 造’其中步驟1包含循序沉積HTL 31H及EL/ETL 31E/T之步 驟’全部皆於基材20以軸20’為軸旋轉時由角0錢沉積。 適當有機多功能材料之例可參見PCT申請案w〇 96/19792, 併述於此以供參考。DH 0LED常允許比SH 0LED更高效率。 單一或雙重非同質結構配置中,第一有機層31、第二有 機層33及第三有機層35之排序可顛倒,亦即於雙重非同質
結構中,有機層31可以ETL 31T、EL 31E及HTL 31H之順序 替代HTL· 31H、EL 31E及ETL 31T之順序沉積;及單一非同 質結構配置中,有機層31可以EL/ETL 31 E/T接著為HU 31 Η之順序沉積。含顛倒層之〇lED稱作有機顛倒[ED或 OILED。接觸墊21A,第一電極32,第二電極34及第三電極 36之偏位須為陽極接觸有機層通過該等孔輸送電子,及陰 極接觸有機層’通過該層輸送電子’亦即於未顛倒的雙重
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η结構配置中,接觸㈣A須為陽極其輸送電子遠離 HU ’及第一電極32須為陰極其輸送電子至£几31丁 本發明之具體例,其中其上方將製造元件 1〇,像^0具有接觸㈣A、21B、21C及21D電連接至傳輸 =,,亦即傳輸墊4U、41B、41C及41D。圖51)顯示圖。沿 線5b所取剖面圖。接觸墊21之電壓係由控制於傳輪墊c 之電壓控制’將參照圖6說明如後。 圖6顯示本發明之具體例具有像素6〇陣列,於其上方可 製造兀件1 0陣列(圖中未顯示)。各個像素6〇具有噶輪墊 41A、41B、41C 及41D(接觸墊21A、21B、21C 及 21D,為求 清晰起見未顯示於圖6,但其存在可參照圖5 )。傳輸塾 41A、41B、41C及4 1D藉埋設於基材20之金屬線45(未顯示 於圖6)電連接至多工控制器43,故於各元件下方之各傳 輸墊41A、41C及41D電壓可獨立控制。各像素6〇之傳輸塾 41B保持於參考電壓V0亦即接地。傳輸墊41,多工控制器 43及金屬線45可使用業界已知之任一種手段製造。具體例 中’元件10透過基材20傳輸光至檢視者,傳輸塾及金屬 線4 5較佳夠小而不會顯著影響光傳輸至檢視者。 圖7a及7b顯示根據本發明之具體例製造的具有多於一電 極固定於相等參考電壓亦即接地之三色SOLED元件1〇〇〇。 圖7b為圖7a沿線7b’所取之剖面圖。接觸墊121 0A,第一有 機層1100,第一電極1120 ’第二有機層1140,第二電極 1160,絕緣層1180,第三電極1 2 00,苐三有機層122〇及第 四電極1 24 0循序堆疊。類似圖2〇及2 p所示之保護蓋層3 8之
第20頁 五、發明說明(]8) 保護蓋層(圖中未顯示)可用於保護元件1〇〇〇 ^第一有機層 1100係设置於接觸塾1210Α與第一電極1120間且與其電連^ 接。第二有機層1140係設置於第一電極1120與第二電極 1160間且與其電連接。絕緣層1180係設置於第二電極116〇 與第三電極12〇〇間且避免與其電連接。第三有機層122〇係 設置於第三電極1200與第四電極1240間且與其電連接。第 一電極1120及第四電極1240係彼此電連接及電連接至接觸 墊1210Β。因此接觸墊ι21〇Β及第一電極U2〇及第四電極 1 24 0皆維持於參考電壓亦即接地。第二電極丨丨6 〇名電連接 至接觸墊121 0C,第三電極丨2〇〇係電連接至接觸墊12]〇J)。 接觸墊】21 GA、121 0C及121 0D之電壓係獨立控制。本具體 例之各有機層電連接於二電極間,其中一電極係電連接接 地,另一電極係電連接至電壓可獨立控制之一接觸墊。由 第有機層11 〇 〇發光係出現於電壓施加於具有可獨立^^制 電壓之接觸墊12I0A與可電連接泛桩鎚孰19inD獨立控W f m +楚 /、」冤運接至接觸墊121 〇β且維持於接 電12〇。由第二有機層ίΜ〇發光係出現於 ίί Ϊ接觸塾12l〇C且具有可獨立控制電塵 ’與電連接至接觸塾12ι〇β且維持於地電 i二:ΓΪ1】20間。第三有機層1 220發光係出現於電愿 J J —電極】200(電連接至具有可獨立控制電塵之接 於地電屋)間。發光強^接至接觸墊121GB及维持 定。針第一古故品彳^ 〃由來自施加電壓之電流幅度決 適當選擇發:有機°材^::機層1140及第三有機層 機材料允5午藉由控制接觸墊1 2 1 0 A、
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五'發明說明(19) 1410B、1210C及1210D之電壓發出紅、綠及藍光之多種組 合之任一種。 圖8為本發明之具體例之單一元件100之剖面圖,及圖9 為元件1 00之陣列之平面圖。圖8為圖9於線Γ之剖面圖。 為求清晰起見’圖9未顯示圖樣化系統1 1 5也未顯示層 116’ 、117’ 及 U8’ 。 如圖8所示,元件1〇〇包含基材^,底電極112,絕緣長 條113 ’有機層116 ’頂電極U7及保護蓋層118。當施加電 壓跨越介於底電極112之發光區Π4與頂電極117贤·之有機 層116時有機層116發光。保護蓋層us保護有機層1丨6及頂 電極117不會暴露於有害物質^有機層116發射之光典型透 過基材111傳輸至檢視者,若於有機層116之後沉積之各層 皆為透明,光可透射遠離基材丨丨1至檢視者。來自陣列各S 元件1 0 0之發光使用業界已知之多工技術控制。 圖樣化系統11 5用於沉積有機層1〗6 ,頂電極〗1 7及保護 盍層11 8,谷後詳述,圖8載有底劑設計之層亦即層1 1 6,、 117及118對π件1〇〇之工作並無貢獻,僅分別為有機層 11 6、頂電極Π 7及保護蓋層11 8之沉積副產物。 元件100之大小及間隔可由元件1〇〇陣列之預期用途決 定。例如帶有發光區114及有機層116小於約1〇()微衆χ1〇() 微米之元件100可用於咼解析度顯示螢幕,而更大型發光 區114及有機層116可用於較低解析度顯示器。也可使> 用目 前使用之微影術技術將發光區丨1 4及有機層丨丨6製作小抵】〇 微米X 1 0微米,預期隨著微影術之進展可製作更小特徵及
五、發明說明(20) 更高解析度’本發明將可實現更高解析度。 根據本發明之具體例製造OLED元件〗〇〇之方法現在參照 圖8及9說明如後。 Π沉積底電極112於基材111。基材111及底電極1〗2須為 透明,亦即材料於使用的厚度可透過元件1〇〇發射之波長 光線’更佳可大致透射全部發射之光線。較佳基材丨係 由玻璃、石英、藍寶石或塑膠製成。底電極112通常為陽 極其載運電子遠離有機層丨16,但底電極112可為陰極。底 電極112可為任一種適當導電材料,包括銦錫氧化^物 (1 TO”)^底電極1 1 2須夠薄而可減少光的吸收,但又夠厚 而具低電阻率。較佳底電極丨12為IT〇,沉積至約2〇〇埃至^ 微求f度’更佳沉積至約1 5 00埃厚度。底電極112之圖樣 化可藉任一種適當技術進行例如於光阻層存在下蝕刻(扣 除微影術)或藉發射進行(加成微影術)。舉例言之,底電 極11 2寬約5 〇微米,間隔約〗5 〇微米,亦即中心至中心距 約1 5 0微米。 2 )沉積絕緣長條π 3於底電極丨1 2。絕緣長條i丨3可防止 一方,ΐ電極112間之直接接觸及另一方面防止頂電極117 與保4蓋層1 1 8接觸。絕緣長條丨丨3可為任一種適當絕緣材 料包,s;^,Ti〇2,SiNx或聚醯亞胺。絕緣長條113須夠厚 可,供充刀絕緣,但又不太厚不會造成隨後製程的問 題。較佳絕緣長條113沉積至約丨〇〇〇 —3〇〇〇埃及更佳至約 2〇〇〇埃厚度。絕緣長條113之圖樣化可藉任一種適當技術 進叮。絕緣長條11 3寬度係由絕-緣層丨〗5a寬度,外伸u 5d 444235 五、發明說明(21) 寬度加總及獲得約1至2微米之絕緣圖樣化公差〗丨3 a決定, 如圖1 0指示。絕緣圖樣化公差丨〗3a可防止底電極n 2與頂 電極11 7或保護蓋層i 1S間短路。絕緣長條〗】3沉積後保持 暴露之底電極112表面稱作發光區】〗4。發光區ι〗4可具有 大於約0. 5微米及約1〇至1〇〇微米寬度。 3)形成圖樣化系統1丨5於絕緣長條11 3上方。一種根據本 發明之較佳具體例形成圖樣化系統丨丨5之方法詳述如後。 圖樣化系統115具有凹割115c,其包括凹割ii5c(l)及 I 1 5 c ( 2 )’下方外伸1 1 5 d,如圖1 〇示例說明其允許^形成保 護蓋層118。圖樣化系統115可為任一種可形成凹割115(;及 外伸11 5d之系統。圖樣化系統丨丨5可為多層圖樣化系統如 雙層或二層光阻系統。較佳圖樣化系統1 1 5包含絕緣層 II 5a及光阻層11 5b。較佳外伸1 1 5d須夠大故有機層丨16未 接觸圖樣化系統11 5 ’因此保護蓋層11 8可完全遮蓋有機層 11 6 ’特別使用雙層或三層光阻系統時尤為如此。允許有 機層1 1 6接觸絕緣層1 1 5 a。外伸1 1 5 d較佳延伸於絕緣層 11 5a上約1至1 〇微米,更佳約i至5微米及最佳約2微米。如 圖1 0所示,外伸1 1 5 d延伸於絕緣層1 1 5 a上係相對於絕緣層 11 5 a接觸絕緣長條11 3該部分寬度測量。外伸11 5 d不可完 全外伸絕緣長條1 1 3,亦即光阻層1 1 5 b之開口須於兩邊比 發光區1 1 4大絕緣圖樣化公差11 3a寬度。 4)沉積有機發光層1 1 6於發光區1 1 4及絕緣圖樣化公差 11 3a上。沉積有機發光層11 6於絕緣圖樣化公差丨丨3a上可 防止頂電極117與底電極112間接觸及短路。有機發光層
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44A23B 五、發明說明(22) 11 6可由大致垂直基材11 i之方向沉積,故絕緣長條】丨3於 外伸11 5d下方部分未由沉積的有機層u 6覆蓋(圖8)。 5)選擇性地’沉積頂電極117於有機層116上。頂電極 117通常為陰極’其攜帶電子至有機層】16,但頂電極丨】? 可為陽極。頂電極117可為任一種適當材料如Mg ’Mg/“及 Li/A1。頂電極117須更厚而具低電阻率。沉積頂電極丨17 及隨後沉積各層期間須避免傷害有機層丨〗6。例如有機層 116不可加熱至高於其玻璃化溫度。頂電極117較佳沉積至 約50埃至5000埃厚度及更佳約埃厚度。頂電屬I〗?較 佳藉熱洛鍍形成且較佳由大致垂直基材}11之方向沉積。 此步驟為選擇性者,原因為保護蓋層〗丨8也可作為頂電極 11 7之功能,該例中無需頂電極1 1 7。 6)沉積保護蓋層1丨8使其完全覆蓋電極117及有機層 116 ’沉積方向係於基材lu之大致法線方向夾角β。角向 i冗積可藉任一種允許保護蓋層〗1 8材料沉積至凹割2】5c内 4且疋全覆蓋有機層116及頂電極117之技術完成。例如基 材ui可藉行星旋轉機構於位置與基材ιη之法線夾角θ之 點來$源下方旋轉。另外基材111可維持靜態,而保護蓋層 11 8係由角Θ沉積至凹割11 5 c (1)内,然後移動至新位置, 此處其維持靜態同時保護蓋層118沉積入凹割115c( 2),如 f ^所不。保護蓋層11 8沉積後,頂電極11 7及有機層1 1 6 完,,覆蓋’因此被保護不會隨後暴露於有害物質。較佳 保ά蓋層118係由Al,Li/Al ,Ag,An或ITO製成。保護蓋 層118較佳厚約〇· 5至5微米,更-佳厚約〇. 5至2微米及最佳 五、發明說明(23) 厚約1微米。保護蓋層11 8較佳比接受保護之電極〗丨7及有 機層116寬約1至10微米,更佳約】至4微米及最佳約2微 米,亦即各邊約0. 5至5微米,更佳各邊約〇. 5至2微米及最 佳各邊約1微米。保護蓋層1丨8比有機層116寬的程度受絕 緣層115a高度’保護蓋層118沉積角度,及凹割115c寬度 所限。較佳進行步驟(5)及(6)而未將元件100由真空移 出,故元件100未曾暴露於任何可能有害物質如空氣、氧 氣或水蒸氣至有機層11 6由保護蓋層丨! δ覆蓋為止,但元件 1 0 0可於各步驟間暴露於不具分解能力之環境例如^惰性氣 體而輔助沉積不同材料或由不同角度沉積。 7) 選擇性地,使用適當溶劑如丙酮去除圖樣化系統〗1 5 及沉積於圖樣化系統1 1 5上方之層1 1 6 ’、11 7,及1 1 8,。此 步驟稱作"掀離"。保護蓋層118可保護有機層116於掀離過 程不會暴露於溶劑。注意若使用帶有絕緣層丨丨5 a之圖樣化 系統11 5 ’則與帶有多層光阻層之圖樣化系統〗丨5相反,絕 緣層11 5a將不被掀離且將保留作為元件】〇〇之永久部件。 若未進行選擇性掀離步驟,層116,、117,及118,以及光阻 層115b將殘留但不會有助於元件丨之功能。 8) 選擇性地’沉積鈍化層〗丨9於保護蓋層丨} 8而鈍化整個 系統。純化層119可為任一種適當材料wSi〇x,可藉任一 種適當手段如電子束沉積而沉積。有機層116於鈍化層 沉積過程中不可加熱至其玻璃化溫度或以上。典型有機層 11 6之玻璃化溫度包括約6 3。〇至丨5 〇它之範圍。鈍化層】】9 須完全覆蓋保護蓋層11 8,其於-進行步驟7之選擇性掀離之
第26頁 444235 五、發明說明(24) 後可藉沉積鈍化層11 9完成,或透過圊樣化系統5以角θ (大於沉積保邊蓋層118之角Θ)沉積純化層119完成。 一具體例中’頂電極1 1 7之沉積由製造〇LED元件〗〇〇之製 程步驟(5)去除;藉角向沉積而沉積之保護蓋層1]8作為電 極替代頂電極1 1 7且保護下方有機層丨丨6。本具體例中,選 用於保護蓋層118之材料須為良好導體,可與有機層116作 良好電接觸’以及可遮斷有害物質之滲透至有機層116。 本具體例中Li/A1為保護蓋層118之較佳材料。 現在參照圖1 〇說明根據本發明之較佳具體例之4成圖樣 化系統1 15之方法,其顯示圖樣化系統115於製造〇LED元件 100之製程步驟(3)後之各步驟前: 1)沉積絕·緣層11 5a於底電極丨丨2及絕緣長條n 3上。絕轉 層115a較佳沉積至約1至3微米及更佳約2微米厚度。絕緣 層11 5 a可由任—種可被蝕刻及較佳濕式蝕刻而形成凹割 n 5C之=緣材料製成。例如絕緣層U 5a可為藉e-束或電榮 2,化學热氣沉積沉積之si 0,s i〇2,或SiNx製成,或藉竣 塗'儿積之聚酿亞胺製成。 来經由旋塗沉積光阻層11 5b於絕緣層1 1 5a上至約1至3微 至2微米厚度。當待製造更小型特徵.亦即10微米寬 :1 6β時須由該範圍下端選擇光阻厚度。光阻層11 5b 1二例如得自赫絲特西蘭尼斯公司之AZ4210或A24110光阻 3)軟性烘烤光 層材料及烘烤方 阻層11 5 b ’烘烤溫度及時間係取決於光阻 法。例如若使用A Z 4 21 0,則軟性烘烤可於
105 C於熱板上進行3分鐘。 4。)使用曝光大於發光區n4之光罩曝光光阻層“Μ於發 光區11 4上及顯像。雖然可如所述使用正光阻,亦即唯有 暴路於射線區才可藉顯影劑去除之光阻,但也可使用負光 阻亦即唯有力A暴露於射⑬區可㈣頁景》劑去除之光阻使用 光罩實施本發明。顯影後’光阻層〗丨5b可經後烘烤而 提高對濕式蝕刻劑之電阻率及黏著至絕緣層n5a。後烘烤 時間、溫度及方法係依據特定光阻及牽涉之蝕刻劑決定。 於AZ42 1 0光阻及β〇Ε蝕刻劑之例,可使用於約丨〇 歷約3 至1 0分鐘之後烘烤。 5)濕式蝕刻絕緣層1丨5 a,形成凹割丨丨5c及外伸〗丨5d。藉 由控制蝕刻溫度、蝕刻時間、蝕刻劑濃度、蝕刻劑攪動速 度,絕緣層1 1 5a沉積厚度,及用於沉積絕緣層丨〗5a之方 法,可控制凹割1 1 5 c尺寸。例如7 〇毫升緩衝氧化物蝕刻劑 例如BOE(1〇 : 1)[亦即36. 5%(w/w)氟化銨,4. 5%(w/w)氫氟 酸及59%(w/w)去離子水,得自j. T, Baker]與5毫升氫氟酸 (4 9%去離子水)之混合物可以4〇〇1_叩攪動速度於2〇1使用 4. 5分鐘而蝕刻藉電槳增進化學蒸氣沉積沉積之厚2微米之 二氧化矽絕緣層1 1 5a而產生1 〇微米凹割〗丨5c ,也獲得丨〇微 米外伸1 1 5d。較小的2微米凹割1 1 5c可使用缓衝氧化物蝕 刻劑於21 °C經歷8分鐘且未攪動而於藉電子束沉積於丨.7微 米尽之一氧化石夕絕緣層1 1 5 a上形成。較佳用於敍刻絕緣層 11 5 a之蝕刻劑僅極微小蝕刻絕緣長條11 3或底電極1 1 2,更 佳不會蝕刻絕緣長條1 1 3或底電-極1 1 2。例如若缓衝氧化物
第28頁 五、發明說明(26) 蝕刻劑用於蝕刻絕緣層1 1 5 a,則較佳絕緣長條3係滅散 >儿積之·一氧化欽或精疑塗沉積之聚釀亞胺。注竟圖樣化系 統11 5之絕緣層11 5 a可未被選擇性掀離步騾去除,但光阻 層115b及層116’ 、117’及118’可被去除。 另外圖樣化系統11 5可為具有凹割之雙層或三層光阻系 統。雙層及三層光阻系統揭示於M. H a t z a k i s"微影術之多 層光阻系統"固態技術,1981年8月74-80頁;E. Ong及 E. L. ΗιΓ細線光學微影術之多層光阻”固態技術ι 984年6月 J.M_ Moran 及D.J. Magdan,J‘ Vac· Sci. Tech,16, 1 6 2 0 ( 1 9 7 9 ) ’併述於此以供參考。但帶有絕緣層i i 5 a之圖 樣化系統11 5有助於形成大於約1微米之凹割11 5 c,因此比 三層及雙層光阻系統更佳。其他形成帶有凹割1 1 5c之圖樣 化系統1 1 5也適用於本發明。 根據本發明之具體例製造元件1 0 0之堆疊之方法將參照 圖11說明。 1) 如製造0LED元件1〇〇之方法製造元件100R,帶有有機 層116(1?)可發紅光。光線將通過之元件100R各層須為透 明’包括選擇性頂電極1 1 7及保護蓋層11 8 ’故來自隨後沉 積元件100之光線可透射通過元件100R。因此理由故以IT0 為較佳保護蓋層1 1 8材料。 2) 沉積分隔層121於步騾(1)製造之元件1001?上。分隔層 121可由任一種透明絕緣材料如SiOx ’ SiNx或八12〇3製成。 3) 如製造0LED元件1〇〇之方法所述製造元件10 0G,有機 層11 6 ( G )可發綠光位於分隔層〗2 1頂上,亦即分隔層執行
第29頁 Λ4Α 235 五、發明說明(27) 基材1 1 1之功能。類似元件1 〇 〇 R,元件1 〇 〇 G之各層須透 明。 4)重複步驟(2)及(3)製造元件100Β,有機層116(B)可發 藍光替代元件100G。元件之頂電極117及保護蓋層118,最 終待沉積元件100無需透明而可反射而增進光透射通過基 材111至檢視者的強度。 元件1 0 0之製造條件須為先前沉積元件1 0 〇之有機層1 1 6 不會受損的條件。例如有機層丨丨6不可被加熱高於其玻璃 化溫度。結果必須選擇具有高玻璃化溫度之有機身丨丨6, 及用於圖樣化系統11 5之光阻具有低烘烤溫度。 另外’先前沉積元件100如元件100R之保護蓋層118可作 為隨後沉積元件100之底電極112如元件l〇〇G。本具體例 中’絕緣保護層1 2 1並非必要。 如圖11所示’堆疊之各元件1〇〇可含有不同材料於有機 層1 16 ’可發射不同色彩。例如帶有發紅光0LED層丨 之紅OLED元件100R可如前述製造,然後製造帶有發綠光之 OLED層116(G)之綠OLED元件100G,然後製造帶有發藍光之 OLED材料116(B)之藍OLED元件100B,全部皆由分隔層121 隔開’如圖1 1所示而形成多色堆疊。另外堆疊中之各元件 100可具有OLED層1 16之相同EL材料俾增進強度。後述具體 例之堆疊順序並無特殊限制,原因為各元件⑺⑽、及 100β皆對其他OLED元件1〇〇發射光線透明。影響較佳堆疊 順序之因素包括:對其他元件1 〇 〇發射之光透明,亦即使 較為透明元件1 0 0較為接近檢視_者;機械人程度,亦即最
第30頁 f五、發明說明(28) 後製造需要最少機械人力之元件1 〇 〇以減少隨後處理過程 之文損機會’及亮度’亦即將發光強度最低之元件1〇〇設 置成最靠近檢視者。 堆叠OLED凡件100之較佳方法參照圖1至7揭示如上。 本發明之多個具體例中,有機層116可為單層,或包含 雙重或單一非同質結構配置之多層,如圖12及13所示。為 簡化起見’有機層116於圖12及13以外各圖顯示為單層, 但實際上為多層子層。例如若雙重非同質結構〇LED用於本 發明’則有機層1 1 6由發光層("el" ) 11 6E夾置於孔/輸送層 ("HTLN)116H與電子輸送層("ETL")U6T間,如圖12所示。 雙重非同質結構可遵照下列製造〇LED元件丨〇 〇之製程步驟 製造’其t步驟(4)包含循序沉積HTL 116H、EL 116E及 ETL 116T之各步驟,全部皆由大致垂直基材hi之方向沉 積。HTL 116H、EL 116E及ETL 1 16T為透明,原因在於其 組成及厚度。OLED層之典型厚度包括下列:HTL 116H厚約 50埃至1000埃;el 11 6E厚約50埃至1〇〇〇埃;ETL 11 6T厚 約50埃至1〇〇〇埃,但偏離此種範圍之多種變化亦屬可能。 前述範圍底端允許最佳性能及低電壓操作。適當有機 5^乙、£1及}11^材料實例可參考美國專利5,294,870及?(:丁申 請案WO 96/ 1 9 7 9 2,併述於此以供參考。 若使用單一非同質結構OLED結構,而非雙重非同質結 構,EL 116E及ETL 116T由單一多功能層116E/T替代,如 圖13所示D單一非同質結構OLED可遵照〇LED元件100之製 程步驟製造,其中步驟(4)包含循序沉積HTL 116H及
ΛΑ4 235 五、發明說明(29) EL/ETL 116Ε/Τ之步驟,全部皆由大致垂直基材lu之方向 沉積。適當有機多功能材料之例可參考PCT申請案 96/ 1 9792,併述於此以供參考。雙重非同質結構〇LED 通常允許比單一 #同質結構OLED更高效率。 單一或雙重非同質結構配置中,有機層116内部順序可 顛倒,亦即於雙重非同質結構配置中,有機層1 1 6可以順
序 ETL 116T、EL Π6Ε 及 HTL 116H 之替代 HTL 116H、EL 1I6E及ETL 1 16T之順序沉積;及單一非同質結構配置中, 有機層1 1 6可以下述順序沉積:EL/ETL 1 1 6 E/T故著為HTL 11 6H。具有顛倒層之0LED稱作有機顛倒LEI)或〇1 led。底電 極11 2與頂電極1 1 7之偏位須為陽極接觸有機層之待輸送孔 之處,及陰極接觸有機層之待輸送電子之處,亦即於未顛 倒的雙重非同質結構配置中,底電極11 2須為陽極其輸送 電子遠離HTL 116H ’及頂電極117須為陰極其輸送電子至 ETL 116T 。 本發明之有機發光層11 6E可為任何適當0LED材料,可發 射任何波長光。適當有機發光材料述於如PCT申請案 W0 96/19792及美國專利5, 294, 870,併述於此以供參考。 如圖14所示,有色向下轉變之磷層170可選擇性含括於 有機層1 1 6與基材1 11間,較佳介於底電極11 2與基材1 U間 用於向下轉化0LED發先層發射之光至預定色彩。向下轉化 磷層170也可沉積於基材1 1 1各邊上。例如藍0LED層1 16(B) 發藍光,其藉向下轉化磷層170向下轉成紅光。圖14所示 具體例設計為可產生單色紅光發光。圖1 6之元件1 0 0可使
第32頁 五、發明說明(30) 用任何適當技術沉積及圖樣化向下轉化磷層〗70於基材111 上,然後遵照製造OLED元件100之製程步驟製造。綠色及 紅色向下轉化碟乃業界已知,如揭示於Tang之美國專利 5,294,870,併述於此以供參考。 本發明包括含像素陣列之單色產物,其中各像素包含多 元件100其發射同色或大致與次一元件同色光,以及包含 像素陣列之多色產物,其中各像素包含多個元件1 0 0其發 射與其旁邊元件彼此不同色光。 多色產物之像素包含三元件1 0 0並列,分別發IT紅、綠 及藍光。例如不同色發光可經由使用不同的向下轉化碟層 170達成’此種產物可使用任一種適當技術經由沉積綠及 紅之向下轉化磷層1 70圖樣於基材11 1上製造,然後遵照製 造OLED元件100之製程步驟製造發藍光OLED元件100陣列於 向下轉化磷層170圖樣頂上,因此若干元件1〇〇可透射不被 轉化之藍光,若干元件100可透射被轉成綠光之藍光及若 干元件100可透射被轉成紅光之藍光。 另外發射不同色之並列元件1 0 0之像素可根據本發明之 具體例對各元件之有機層1 1 6使用不同材料製造,製造方 法如下: 1) 根據製造OLED元件100之方法(包括掀離)製造OLED元 件100陣列其發特殊顏色光,例如藍色,而留下空氣介於 元件1 0 0間。保護蓋層1 1 8可於隨後製程步驟中保護本步賴 製造的元件1 0 0。 2) 於本方法步驟(1)留下之空_間製造〇LED元件1〇〇陣列其
第33頁 AAA 23 5 五'發明說明(31) 發射不同色光例如綠色,但仍留下某些空間。使用〇Led元 件100之製法包括掀離但始於該製程步驟(3),原因為底電 極11 2及絕緣長條1 1 3由本製程步驟(1)原已存在故。若於 本製程步驟(1)期間使用具有絕緣層11 5 a之圖樣化系統, 則原有絕緣層1 1 5a可用於製造OLED元件100之製程步驟 (3 )。保護蓋層1 1 8可於隨後製程處理時保護本步驟製造 元件 1 0 0。 ’ 3)重複本製程步驟(2),於剩餘空間製造可發射又另— 色光例如紅色之元件1 〇 〇陣列。 / 各步驟期間,製程步驟須為先前製造之OLED不會受損的 本發明也可用於製造透明OLED。透明元件1 00極為適人 用於仰視型顯示器例如於汽車之擋風玻璃上或摩托車或"飛 機鋼盍之檢視幕上。透明〇LED元件100也可堆疊用於多色 產物或增進強度。全部各層須於透明〇LED對可見光透明。 透明元件1 0 0也極為適合高對比度用途。高對比度可經由 設置吸光材料製成之背景175於元件1〇〇旁達成,如圖15所 不。來自外在來源入射於元件丨〇〇之光通過元件1〇〇且由北 景1 75吸收,減少外在來源反射光至檢視者。 月 一具體例中,本發明可用於製造一元件丨〇〇,其設計用 於發光給位於作為元件〗00之基材丨丨〗同側的檢視者。此種 具體例之基材1 1 1無需透明,反射層可於元件丨〇 〇製造前γ 積於基材】j 1上俾反射入射於基材11 1之光返回朝向檢視凡 者仁頁电極117 ’保護蓋層118及任何鈍化層119也需透
第34頁 4 ΛΑ 2 3 5 五、發明說明(32) 明。 本發明之發光元件100可選擇性包含低度損失、高折射 指數介電材料Ti 02之損失限制層180於底電極112下方,如 圖1 6所不。損失限制層丨8 〇於底電極丨丨2係由〗τ〇此乃高損 失材料製程時為特佳。若無損失限制層18〇,來自有機層 116之光容易被波導進入及由底電極112吸收。Ti〇2&IT〇 之折射指數分別約為6及2· 2。因此損失限制層180大致 消除ITO之波導及吸收。具有損失限制層之元件1〇〇可使用 任何適當技術經由沉積及圖樣化損失限制層丨8〇於^基材u i 製造’隨後遵照製造〇LED元件100之製程步驟製造。 前述任一種方法之沉積技術皆為業界眾所周知。例如較 佳沉積有機層之方法係藉熱蒸鍍;沉積金屬層之方法係藉 熱或電子束蒸鍍;沉積ΙΤ0之較佳方法係藉電子束蒸鍍或 濺散;較佳沉積磷層之方法係藉熱蒸鍍;及較佳沉積電介 質之方法係藉電漿增進化學蒸氣沉積、濺散或電子束蒸 鍍。但本發明包括使用任一種適合用於圖樣化系統之沉積 材料層之方法。 本發明可用於廣泛多種消費品,包括電腦,電視,附有 顯示組件之電傳產品,汽車,告示板,號諸,大面積廣告 牆,戲院’體育館螢幕’影印,擋風玻璃及頭盔檢視幕之 仰視塑顯示器,及視訊遊戲。 現在參照圖8說明根據製造〇LED元件1 00之方法製造一列 元件1 〇 G :
第35頁 f ΛΑ4235 五、發明說明(33) 1 )玻璃基材1 1 1預先塗布以底電極】丨2,其係由厚约丨6 〇 〇 埃之ιτο裏成。適▲預先塗布以ιτο之玻竭可得自u〇nneiiy 應用薄膜公司。本例敘述單排元件丨〇 〇而非陣列之製造, 及單一底電極112其未經圖樣化大致覆蓋全部基材ill。帶 有底電極112之基材111如下清潔:(a)浸沒於清潔溶液(如 得自J.T· Baker公司之塔吉托(Tergit〇i))及去離子水’ 但以超音波攪動,(b)於去離子水中清洗,(c)於丨,丨,卜三 氯乙烧’丙酮及2-丙醇沸騰。各步驟結束時基材ui以經 過過濾之氮氣槍吹乾。 / 2 )絕緣長條1 1 3沉積至約2 〇 〇 〇埃厚度,係由稀普比米 (Probimide)285製成(得自〇iin微電子材料公司之聚醯亞 胺)。首先旋塗上黏著促進劑,其為一份容積比扣3289及 九份QZ3290,二者皆得自(^^微電子材料公司。然後旋塗 上二份容積比普比米285於一份容積比4- 丁内酯溶液。然 後固化絕緣長條11 3。其次絕緣長條〗丨3使用標準微影術技 術圖樣化而界定發光區114,發光區為3〇〇微米寬XI.5毫 米長’週期5 0 0微米,亦即間隔2〇〇微米寬之絕緣長條 113。 ^ 3)二氧化矽製成之絕緣層1 1 5a使用電漿增進化學蒸氣沉 積(PECVD)沉積至約2微米厚度^ AZ421〇光阻製成之&阻層 11 5b沉積至約2微米厚度。光阻層丨〗5b透過光罩曝光於射 線而圖樣化,光罩具有開槽1厘米長(任何比丨.5毫米長更 長的絕緣長條1 1 3皆有效)及寬4〇〇微米,週期50〇微米,長 條對中於發光區114上方,於AZ4 00K顯影,顯影劑係得自
苐36頁 444 235 五 '發明說明(34) 赫絲特西蘭尼斯公司於去離子水稀釋1 : 4。圖樣化留下 I 0 0微米寬光阻層1 i 5b對中於2 0 0微米寬絕緣長條丨2 2。 4) 絕緣層1 15a於2 0 0毫升B0EC1 0 : 1 )及20毫升氮氣酸 (4 9 %去離子水)之混合物可以1 Q 0 r p m於濕式钱刻授動速度 於21 °C使用3. 4分鐘。 5) 有機層116係由大致垂直基材111之方向沉積。有機層 II 6係沉積成圖1 3之單一非同質結構配置,帶有孔輸送層 116H係由a-NPD(4,4’_貳[N-(l -萘基)-N-苯基-胺基聯笨] 沉積至400埃製成,及多功能層1 16E/T係由AU3(參(8-羥 醌)鋁)沉積至約6 0 0埃厚度製成。 6) 頂電極117係由大致垂直基材111之方向沉積。頂電極 117為陰極係藉熱共同蒸鍍鎂:銀(原子比24 : 1 )至250埃 厚度接著熱蒸鍍銀至200埃厚度形成。 7) 保護蓋層118為銀製成,係由45度角β藉熱蒸鑛至1微 米厚度沉積。參照圖1 0,〇. 5微米首先沉積於凹割 1 1 5 c (1 ),然後〇 . 5微米沉積於凹割1 1 5 c ( 2 ),同時基材11 1 保持靜態而完全遮蓋頂電極11 7及有機層1 1 6。 8)光阻層115b及層116,、117,及11 8,係藉浸泡於丙酮3分 鐘去除("掀離")及於氮氣槍下吹乾。 圖17a為根據前述方法製造之一列元件1〇〇之光學顯微相 片。絕緣層1 1 5a及保護蓋層1 1 8明顯可見。 圖17b顯示一列元件1〇〇之I-V圖。圖131顯示進行掀離步 驟(8)前元件1〇〇之]:-V圖。圖132顯示進行掀離步驟(8)後 同一元件100之I-V圖。比較圖1-3 1及132,可見I-V曲線未
第37頁 444 2 3 5 五、發明說明(35) 因掀離而劣化,再度驗證丙_於掀離過程中不會參透保護 蓋層118。若干元件100於掀離前彼此電連接,而全部元件 100於掀離後皆電隔離,提示於掀離前懸吊之層116’ 、 117’或118’連結若干元件1〇〇。 圖17c顯示用於產生圖17b之同一列元件1〇〇之光輸出強 度相對於電流作圖。比較掀離前產生之圖133及掀離後產 生之圖134,可知光輸出特性未因掀離而劣化,驗證於掀 離期間丙酮並未滲透保護蓋層1 1 8。 本發明也可用於製造透明OLED(TOLED),此處寶個元件 皆對可見光透明。此種元件極為適合用於仰視型顯示器, 例如用於Ά車擋風玻璃’摩托車或飛機頭盍之檢視幕,或 駕欲艙窗。T0LED元件也堆疊而增進強度。 —具體例中,本發明也可用於製造設計用於對基材2〇 與疋件10同側之檢視者發光的有機元件丨〇。此種具體例 基材20無需透明,反射層可於元件10製造前沉積於基材2 俾^基材20朝檢視者反射時可反射入射光。但苐三電極3 及保護蓋層38需為透明,反射層於第三電極36後不可沉 ,。又較佳有機層31、33及35之色彩順序須顛倒,亦即< 一有機層31發紅光,第二有機層33發綠光及第三有機声· =光’原因為本具體例中,最末沉積層最接近檢^ 非第—沉積層。 以上列舉之任一 μ τ" a〜/儿預孜何馬苐界人士眾所周 二:::如沉積有機層之較佳方法為熱蒸鐘;沉積金屬層之 乂方法為熱或電子束蒸鍍;沉積I TO之較佳方法為電子
444 23 5 五、發明說明(36) 束蒸錢或減散。但本發明包含沉積適合用於光阻系統之材 料層之任一種方法。 本發明可用於廣泛多種消費品,包括電腦,電視’具有 顯不Is組件之電信裝置,車輛,告示牌,號誌,電視牆, 劇院及體育館螢幕,影印,擋風玻璃、駕駛艙及頭盔檢視 幕之仰視型顯示器,及視訊遊戲。 此處揭示之本發明可與下列同在審查中之申請案合併使 用:’1高度可信度、高效率可積體之有機發光元件及其生 產方法"第08/774, 119號申請案(申請日1996年23 曰);”多色LED之新穎材料"第08 /85 〇,264號申請案(申請 案1997年5月2日);11基於有機自由基之電子輸送層及發光 層11第08/774,120號申請案(申請曰1996年12月23曰);11多 色顯示裝置”第08/772, 333號申請案(申請日1996年12月23 曰);”發紅光有機發光元件(LED)'1第08/774, 08 7號申請案 (申請日1 996年12月23日);"堆疊有機發光元件之驅動電 路"苐0 8/ 79 2, 0 5 0號申請案(申請曰! 997年2月3日);《高效 率有機發光元件構造"第08/772, 332號申請案(申請日1996 年1 2月2 3日);,’真空沉積之非聚合物撓性有機發光元件„ 第08/789, 319號申請案(申請曰1997年1月23曰);11具有
Mesa像素配置之顯示器|,第〇 8/794, 5 95號申請案(申請曰 1 9 97年2月3日);"堆疊有機發光元件"第〇8/792, 號申 請案(申請曰1 9 9 7年2月3曰);11高度對比透明有機發光元 件顯示器11第08/82 1,380號申請案(申請日1 9 9 7年3月20 曰);11含5-羥-喹胺畊作為主材-料之有機發光元件"第
苐39頁 t 444 23 5 五、發明說明(37) 08/838,099號申請案(申請曰1997年4月15曰);''具高亮度 之發光元件"第08/844, 353號申請案(申請日1997年4月18 曰有機半導體雷射”第60/046, 061號申請案(申請曰 1997年5月9曰):11有機半導體雷射I·第08/8 59, 468號申請 案(申請曰1 9 9 7年5月19曰);"飽和全彩堆疊有機發光元件 "第08/858,994號申請案(申請曰1997年5月20曰);”含孔 注入增進層之有機發光元件"第08/865, 491號申請案(申請 曰1997年5月29曰);"導電層之電漿處理"第 PCT/US97/10252號申請案(申請日1997年6月12日少;"有機 多色顯示器製造用薄膜之圖樣化11第PCT/US97/ 1 028 9號申 請案(申請曰1 9 9 7年6月1 2曰)’;M雙重非同質結構紅外線及 垂直穴面發射有機雷射"第06/053,176號申請案(申請曰 1997年7月18日);π含熱安定性非對稱電荷載子材料之 OLED"第08/929,029號申請案(申請日1997年9月8日);"含 OLED與磷向下轉化層堆疊之發光元件〃第〇8/925,4〇3號申 請案(申請曰1 99 7年9月9曰於有機發光元件沉積銦錫 氧化物層之改良方法"第08/ 928, 8 00號申請案(申請日1997 年9月1 2曰);"OLED發光層之吖内酯關聯攙雜劑,,(申請曰 1 9 97年10月9日)第0 8/ 94 8, 1 3 0號申請案;"採用非金屬陰 極之高度透明有機發光元件_’(申請曰1 997年2丨月3日)代理 人檔案編號1 0 02 0/ 4 0 (臨時案)"採用非金屬陰極之高产透 明有機發光元件"(申請日1 9 9 7年U月5曰)代理人檔案又編號 1 0 02 0/ 44 ;及'1有機薄膜之低壓氣相沉積"(申請日丨年 Π月日)代理人檔案編號丨0020 /3 7,同在審查中之申請
第40頁 五 '發明說明(38) 案皆併述於此以供參考。本發明也可與同在審查中之美國 專利中請案第 08 /3 54,67 4,〇8/6 1 3,207,〇8/63 2,3 22 及 08/693, 359號及臨時專利申請案第60/010,013, 60/024,001及60/025, 501號(其個別併述於此以供參考)各 案主題合併使用。 業界人士瞭解可對此處所述及舉例說明之本發明之具體 例辨識多種修改。此種修改表示涵蓋於隨附之申請專利範 圍精髓及範圍内。
第41頁
Claims (1)
- 444235 案號 87119394修正 々、申請專利範圍 1. 一種製造有機薄膜裝置之方法,其包含下列步驟: a. 產生圖樣化系統於具有複數接觸墊之基材上,圖 樣化系統具有一絕緣層及一附有光阻外伸之光阻層; b. 透過圖樣化系統沉積第一電極,其電連接至複數 接觸墊之第一接觸墊; c. 透過圖樣化系統沉積有機層其電連接至第一電 極;及 d. 透過圖樣化系統沉積第二電極,其電連接至第一 有機層及複數接觸墊之第二接觸墊。 其中於各接觸墊之電 其中於接觸墊之一之 其中有機層包含有機 其中該有機層包含一 2 .如申請專利範圍第1項之方法 壓可獨立控制。 3 .如申請專利範圍第2項之方法 電壓設定為地電壓。 》 4 .如申請專利範圍第1項之方法 發光層15 5 .如申請專利範圍第1項之方法 有機發光層其係電連接至有機孔輸送層。 6 .如申請專利範圍第,1項之方法,其令該有機層包含一 有機發光層電連接於一層有機孔輸送層與一層有機電子輸 送層間。 7. 如申請專利範圍第1項之方法,其進一步包含於沉積 有機層之步驟前沉積損失限制層之步驟。 8. 如申請專利範圍第1項之方法,其進一步包含於沉積 有機層之步驟後沉積保護蓋層之步驟。 第1頁 2001.05.03. 043 444235 _ 案號 87119394 月 曰 修正 六、申請專利範園 9. 一種製造堆疊有機薄膜元件之方法,其包括下列步 驟: a. 形成一圖樣化系統於一基材上,該圖樣化系統具 有一絕緣層及一帶有光阻外伸之光阻層,該基材具有一第 一接觸墊,一第二接觸墊,一第三接觸墊,及一第四接觸 墊; b. 透過圖樣化系統沉積一第一有機層其覆蓋及電連 接至第一接觸墊; c. 透過圖樣化系統沉積一第一電極其電連接至第二 接觸墊且明顯重疊及電連接至第一有機層; d. 透過圖樣化系統沉積第二有機層其明顯重疊及電 連接至第一電極; e . 透過圖樣化系統沉積~第~"二電極其電連接至第三接 觸墊且明顯重疊及電連接至第二有機層; f . 透過圖樣化系統沉積第三有機層其明顯重疊及電 連接至第二電極;及 g. 透過圖樣化系統沉積第三電極其電連接至第四接 觸墊且明顯重疊及電連接至第三有機層。 1 0 .如申請專利範圍第9項之方法,其中該第一、第二及 第三有機發光層係於基材旋轉時由角61有機丨,0有檨2及 0有機3 (分別由大致垂直基材之轴測量)沉積,及第一、第 二及第三電極係於基材固定時由角0電ttl,0 * s2及 Θ t (由大致垂直基材之轴測量)沉積,其中角Θ電極1係 大於角0 有機1 Θ 極2 係大於角β 有機I Θ 有機2 及角6» 電《3 係第2頁 2001.05. 03. 044 Add &7119394 年 CT 月/曰 修正 六、 申請專利範圍 大 於 角 Θ 有嬝 1 ' 6 丨有彳 A2 ' 及 慠3 0 11 -種製造堆疊有機薄膜裝置之方法 ,其包括下列步 驟 a . 形 成 一 圖 樣 化 系 統 於 -· 基 材 上 f 該 圖 樣 化 系 統 具 有 一 絕 緣 層 及 一 帶 有 光 阻 外 伸 之 光 阻 層 該 基 材 具 有 一 第 一 接 觸 墊 -— 第 二 接 觸 塾 * 第 二 接 觸 墊 > 及 一 第 四 接 觸 塾 > b * 透 過 圖 樣 化 系 統 沉 積 一 第 一 有 機 層 其 覆 蓋 及 電 連 接 至 第 一 接 觸 墊 t C 透 過 圖 樣 化 系 統 沉 積 一 第 一 電 極 其 電 連 接 至 第 二 接 觸 墊 且 明 顯 重 疊 及 電 連 接 至 第 一 有 機 層 t d. 透 過 圖 樣 化 系 統 沉 積 第 二 有 機 層 其 明 顯 重 疊 及 電 連 接 至 第 一 電 極 , — — e. 透 過 圖 樣 化 系 統 沉 積 第 二 電 極 其 電 連 接 至 第 接 觸 墊 且 明 顯 重 疊 及 電 連 接 至 第 二 有 機 層 9 f 透 過 圖 樣 化 系 統 沉 積 '— 絕 緣 層 於 第 -- 電 極 頂 上 * g. 透 過 圖 樣 化 系 統 沉 積 一 第 三 電 極 於 絕 緣 層 頂 上 其 係 電 連 接 至 第 四 接 觸 墊 » 及 藉 絕 緣 層 與 第 二 電 極 電 絕 緣 > h. 透 過 圖 樣 化 系 統 沉 積 一 第 二 有 機 層 其 明 顯 重 疊 及 電 連 接 至 第 二 電 極 > i 透 過 圖 樣 化 系 統 第 四 電 極 其 係 電 連 接 至 第 二 接 觸 墊 且 明 顯 重 疊 及 電 連 接 至 第 三 有 機 層 0 1 2.如申請專利範圍第1 1項方法 其中該堆疊有機發光 裝 置 為 透 明 〇 第3頁 2001.05.03.045 444235 _案號87119394 年/月/日 修正_ 六、申請專利範圍 13.如申請專利範圍第11項方法,其中該第一有機發光 層為發藍光之有機層,第二有機發光層為發綠光之有機層 及第三有機發光層為發紅光之有機層。 1 4.如申請專利範圍第1項方法,其中該方法係用於製造 消費者產品。 1 5.如申請專利範圍第1 4項方法,其中該方法係用於製 造消費者產品選自包括:電腦,電視,告示板,號誌,車 輛,印表機,電信裝置,電話及影印機。 1 6.如申請專利範圍第1項方法,其中該方法係用於製造 一堆疊有機發光元件陣列。 1 7.如申請專利範圍第9項方法,其t該方法係用於製造 一堆疊有機發光元件陣列。 1 8.如申請專利範圍第1 1項法,其中該方法係用於製 造一堆疊有機發光元件陣列。 1 9.如申請專利範圍第1項方法,其進一步包含沉積向下 轉化填屠之步驟。 2 0如申請專利範圍第1項方法,其進一步包含沉積損失 限制層之步驟。 2 1.如申請專利範圍第1項方法,其中該基材於步驟(b ) 之前係置於真空下,而至步驟(d)完成後並未由真空移 開。 第4頁 2001.05. 03.046
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/976,666 US5953587A (en) | 1997-11-24 | 1997-11-24 | Method for deposition and patterning of organic thin film |
US08/977,205 US6013538A (en) | 1997-11-24 | 1997-11-24 | Method of fabricating and patterning OLEDs |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW444235B true TW444235B (en) | 2001-07-01 |
Family
ID=27130588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087119394A TW444235B (en) | 1997-11-24 | 1998-11-23 | Method of fabricating and patterning oleds |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
AU (1) | AU1608899A (zh) |
TW (1) | TW444235B (zh) |
WO (1) | WO1999026730A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6626721B1 (en) * | 2000-09-22 | 2003-09-30 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with supplemental cathode bus conductor |
US6348359B1 (en) * | 2000-09-22 | 2002-02-19 | Eastman Kodak Company | Cathode contact structures in organic electroluminescent devices |
DE10333232A1 (de) | 2003-07-21 | 2007-10-11 | Merck Patent Gmbh | Organisches Elektrolumineszenzelement |
DE10340926A1 (de) * | 2003-09-03 | 2005-03-31 | Technische Universität Ilmenau Abteilung Forschungsförderung und Technologietransfer | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauelementen |
DE102005054609B4 (de) * | 2005-11-09 | 2010-10-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von Licht emittierenden Elementen mit organischen Verbindungen |
DE102008027519A1 (de) | 2008-06-10 | 2009-12-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Flächige Leuchtkörper und ein Verfahren zum Kontaktieren flächiger Leuchtkörper |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5641611A (en) * | 1995-08-21 | 1997-06-24 | Motorola | Method of fabricating organic LED matrices |
-
1998
- 1998-11-23 WO PCT/US1998/025256 patent/WO1999026730A1/en active Application Filing
- 1998-11-23 AU AU16088/99A patent/AU1608899A/en not_active Abandoned
- 1998-11-23 TW TW087119394A patent/TW444235B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU1608899A (en) | 1999-06-15 |
WO1999026730A1 (en) | 1999-06-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |