TW442985B - Manufacturing method of semiconductor composite electric heating film - Google Patents

Manufacturing method of semiconductor composite electric heating film Download PDF

Info

Publication number
TW442985B
TW442985B TW88116368A TW88116368A TW442985B TW 442985 B TW442985 B TW 442985B TW 88116368 A TW88116368 A TW 88116368A TW 88116368 A TW88116368 A TW 88116368A TW 442985 B TW442985 B TW 442985B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electric heating
substrate
electrode
heating film
insulating layer
Prior art date
Application number
TW88116368A
Other languages
English (en)
Inventor
Li-Huang Shiu
Original Assignee
Creator Technic Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Creator Technic Co Ltd filed Critical Creator Technic Co Ltd
Priority to TW88116368A priority Critical patent/TW442985B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TW442985B publication Critical patent/TW442985B/zh

Links

Landscapes

  • Surface Heating Bodies (AREA)

Description

442 9 8 5 A7 B7 五、發明說明(丨) 本發明係關於一種半導體複合電熱膜之製法,尤指— 種可確保電熱膜通電後不虞在表面或透過基材產生漏電現 象之絕緣防護措施。 此處所指的電熱膜,係泛指各種電熱式容器底部設置 的薄膜式電熱裝置,如電熱水瓶、電熱炊具'咖啡壺及其 他加熱式器具,該電熱膜係由半導體構成,而以蒸鍍方式 設置於經絕緣處理之金屬或非金屬基材的底面,經設以電 極並予通電,即於基材底面形成高溫,以達加熱之目的。 如第五圖所示,係一種既有電熱膜(80)之構造示 意圊,如前揭所述,係以蒸鍍方式附設於基材(8 i)表 (底)面’隨後於電熱膜(8 〇)的相對兩端分設以一電 極(8 2),經於兩電極(82)上通電,可使電熱膜( 8 0 )因熱阻抗形成高溫而對基材(8丄)進行加熱。 惟刖述將電熱膜(80)直接施加於基材(8 1 )上 的作法顯有仍待商榷之處。 如前揭所述,該電熱膜(8 〇 )係以蒸鍍方式直接施 加於基材(8 1 )表面’其與基材(8 i )間及施加後的 電熱膜(8 0 )表面均無任何防護措施,由於電熱膜(8 0)上有電源直接施加,當其運用之基材(8丄)係由導 電之金屬材料(如不鐘鋼、鋁材、銅材及缺鄉等)構成時 ,不僅在電熱膜(80)表面可能產生漏電現象,亦可能 透過基材(8 0 )發生漏電情事,又電熱膜(8 〇 )所附 著之基材(8 1 )為非金屬(如石英 '陶究、花岡岩、雲 母、耐熱玻璃、塑高溫塑料)構成時,雖不致透過基材( 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) f請先閱讀背面之江意事項再填寫本頁) γ^--------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 4 > 8 5 A7 ____B7_ 五、發明說明()) 8 1 )發生漏電情事,但電熱膜(80)表面仍存在漏電 的高危險性。 由上述可知,,既有電熱膜施加於基材時未有任何防護 措施’致有漏電而影響使用安全之情事發生,故有進一步 檢討並謀求解決措施之必要。 因此’本發明主要目的在提供一種可確保電熱膜通電 後不虞在表面或透過基材產生漏電現象之複合式電熱膜製 造方法。 為達成前述主要目的採取的主要技術手段係令前述方 法至少包括有: 一清洗基材步驟; 一於前述基材上鍍設電熱膜之步驟; 一於前述電熱膜上塗伟電極之步驟;及 一絕緣層之塗佈步驟; 利用前述絕緣層之形成以隔離電熱膜,避免漏電情事 發生。 前述的絕緣層塗佈步驟係單獨於塗佈電極後實施以形 成外絕緣層’以針對電熱膜表面及其上電極進行隔離β 前述的絕緣層塗佈步驟分別於錄膜前及塗佈電極步驟 後實施而分別形成内、外絕緣層;藉此可防止電熱膜表面 或透過基材產生漏電情事。 前述的基材厚度係大於0.5 mm,其上之電熱膜厚度小 於2 μ®,又電熱膜上的電極厚度為〇.2〜0.5刪,該外絕緣 層之厚度亦為0.5〜2 nun。 4 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公ίΓ) "" -----------'^裝--------訂--------,線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 442985 A7 ' -----^_____ 五、發明說明($ ) 前述的基材厚度係大於〇_5咖,其上之内絕緣層厚产 為〇, 5〜2刪電熱膜厚度小於2μω,又電熱膜上的電極厚度 為〇·2〜0.5_,該外絕緣層之厚度亦為〇.5〜2mi^ 又 則述的基材係由石英 '陶瓷、花岡岩、雲母、耐熱玻 璃、耐高溫塑料及經絕緣處理之金屬、綠瑯等低膨服係數 之材料構成,其形狀可為管狀、圓板狀、方板形杯形、 壺形及其他不特定形狀者。 則述的電極,其原料係由銀、鈀或銀鈀合金構成,其 係利用前述原料之粉末加氧化鉍(5%)、硼酸鉛(3%)、松香 (10%)、松節油(10%)等混合後研成膏狀,以塗佈或網印方 式設於電熱膜上的預定位置,經烘乾^別它,3分鐘)、滲 銀(500〜80(TC,10〜15分鐘)而成,而反應化學式為:
Ag2〇 — Ag + 〇2 个 前述内絕緣層所使用原料係由三氧化鈦與黏土(配比 為100:7)加水調成膏狀’以塗佈或網印方式附著於基材 上,經供乾(200C,30分鐘)後,放入爐内燒結(82〇〜 ,1分鐘)後構成。 前述外絕緣層所使用材料係由:矽溶膠或有機矽樹脂 添加矽酸鹽粉(配比為100:30)調成膏狀,塗佈於電熱膜及 電極的外層,經烘乾(120°C,10分鐘)後即構成。 為使貴審查委員進一步瞭解前述目的及本發明之技 術特徵,茲附以圖式詳細說明如后: (一)圈乂部i : 第一圖:係本發明一較佳實施例之流程圖。 5 本紙張尺度適用中囵國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I.^裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 442985 經濟部智慧財產局員工湞費合作社印製 A7 五、發明說明(< ) 第一圖-係本發明一較佳實施例所構成電熱膜元件之結構 示意圖。 第三圖:係本發明又—較佳實施例之流程圊。 苐四圊:係本發明又—較佳實施例所構成電熱膜元件之結 構示意圖。 第五圖:係習用電熱膜元件或器皿之結構示意囷。 (二)圖號部分: (1 0 ) ( 2 0 )基材 (1 1 ) ( 2 1 )電熱膜 (12)(22)電極 (13) (23)外絕緣層 (24)内絕緣層 (80)電熱膜 (81)基材 有關本發明-較佳實施例之製作流程係如第一圖所示 ,其主要包括有: 一「基材清洗」步驟; —「鍵膜」㈣,係於前述基材上鍵上電熱膜; 塗佈電極」步驟,係於前述基材之電熱膜上設以 電極; 彳絕緣層塗佈」步驟’係於前述電熱膜及電極外 塗佈絕緣層;其中: 該「基材清洗」步驟係令由石英、陶究、花岡岩、雲 母、耐熱玻璃及耐高溫塑料等低膨脹係數材料構成之基材 以純水配合超音波清洗其表面,或以無水乙醇擦拭表二, 經以60~120°C予以「烘乾」後備用; 又基材之形狀可為管狀、圓板狀' 方板形、杯形、壺 "— .y 裝--------訂---------線' y· (琦先閱請背面之注意事項再填寫本頁)
4 4 9 3 S A7 --— _B7__ 五、發明說明(r) 形及其他不特定形狀者,主要係因應用途之差異而有所不 同。 該「鍍犋」步驟:係將經過清洗步驟之基材置入高溫 (600〜780t)的燒結爐中,將調製成液態的鍍膜原料以喷 塗、蒸塗、浸塗或網印方式均勻的披覆在基材表面; 該鍍膜原料之主原料為二氧化錫,搭配其他的摻雜配 料依重量比包括有:銻(0· 6〜8%)、鉍(〇· 3〜4%)、鎳 (0.3~49〇、鎘(〇.3〜4?〇、鐵(〇.1〜1%)、硼(〇.2〜2%)等加入 無水乙醇中攪拌而溶解構成液態之鍍膜複合劑。 又前述基材於燒結爐中披覆鍍膜原料後,經過15〜2〇 分鐘燒結並產生化學反應而形成晶格,使每一微小晶袼各 產生一個自由電子’而構成一半導體電熱獏,且其電阻值 係正溫度係數者。 前述形成晶格之化學犮應式為: · 〇22 + s;5 s^· · s;* · s;3 · ο;2 該「塗佈電極」步驟:係於完成鍍膜步驟的電熱膜半 成〇〇上以塗佈或網印方式塗印以經過調配的電極原料,再 以60〜120°c「供乾」30分鐘後置入滲銀爐内以550°c〜800 C燒渗數分鐘後形成電極。 前述的電極原料係由銀、鈀或銀鈀合金構成之粉末加 氧化级(5%)、领酸鉛(3%)、松香(1〇%)、松節油(10幻等混 合後研成膏狀’經塗印於電熱膜上的預定位置,再烘乾、 滲銀後構成電極,其反應化學式為:
Ag + 〇2 个 私紙張尺度適用中國國家標規^⑽χ 297公发〉 -----iiw-敦 〈請先閱讀背面之^音?事項再填寫本頁} 訂----------線y 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Ag2〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 442985 A7 _B7 五、發明說明(名) 該「外絕緣層塗佈」步驟··係於完成塗佈電極步驟之 電熱膜及電極外塗覆以調配完成的絕緣材料,該絕緣材料 係由砍溶勝或有機石夕樹脂添加;5夕酸鹽粉以]n n ' ιυυ:30的配比 調成膏狀’經塗覆於電熱膜及電極的外層,再予洪乾( 120C,10分鐘)後即完成該步驟。 以前述製程所構成的複合電熱膜構造係如第二圖所示 ,其於基材(1 0 )的表面覆設電熱膜(工i ),.電熱= (1 1 )上設有電極(1 2 ) ’而電熱膜(i i )及電極 (1 2 )並同時為一外絕緣層(丄3 )所覆蓋,藉此可在 電熱膜(1 1 )及電極(1 2 )外層構成一絕緣防護措施 ’以有效避免漏電情事發生。至於前述基材(丄〇 )的厚 度係大於0,5晒,該電熱膜(丄丄)厚度小於2㈣該電 熱膜(1 1 )上的電極(1 2 )厚度為〇.2~〇 5細’該外 絕緣層(1 3 )之厚度亦為〇. 5~2 mm。 又如第三圖所示,係本發明又一較佳實施例之製作流 程圏,其與前一實施例差異處在於應用至不同的基材上, 主要係運用在金屬或琺瑯材質的基材上,其包括有: 一「基材清洗」步驟: 一「内絕緣層塗佈」步驟,係於前述基材上塗佈内絕 緣層; 一「鍍膜」步驟,係於前述基材的内絕緣層上鍵上電 熱膜; 一「塗佈電極」步驟,係於前述基材之電熱膜上設以 電極; 本紙張尺度適用中國因家標準(CNS)A4規格X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 Γ n n ί ϋ J n =σ 線y 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 442985 A/ _ B7 五、發明說明(7 ) 外絕緣層塗饰」步驟,係於前述電熱膜及電極夕卜 塗佈絕緣層。 前述步驟中除「内絕緣層塗佈」步驟外,其餘製程步 驟及相關條件均與前一實施例相同,容不再次贅述;有關 該「内絕緣層塗佈」步驟係在「基材清洗」步驟之後、「 鍍膜」步驟之前進行。主要在基材係由經過絕緣處理之金 屬或珠瑯構成時,其經過清洗步辣後,以三氧化鈦與黏土 (配比為100 __ 7 )加水調成膏狀的絕緣材料,利用塗佈或 網印方式附著於前述基材上,經以2〇(rc烘乾3〇分鐘後, 再放入爐内燒結(820〜86CTC,1分鐘)後即於基材表面構成 一内絕緣層,並準備進行下一「鍍膜」步驟。 而利用前述方法製成之複合電熱膜元件,其構造係如 第四圖所示,其除於電熱膜(2 1 )及電極(22)外層 設有外絕緣層(2 3 )之外,並進一步在基材(2 〇 )與 電熱膜(2 1 )間設有内絕緣層(2 4)。 而前述製法所構成之複合電熱膜,進一步於基材(2 0 )與電熱膜(2 1 )間設有内絕緣層(2 4 ),藉此除 由外絕緣層(2 3 )對電熱膜(2 1 )及電極(χ 2 )表 面構成防護以避免漏電外’亦透過内絕緣層(2 4 )之隔 絕’使電熱膜(2 1 )不致透過基材(2 0 )發生漏電情 事。 由上述說明可知’本發明主要在提供一種複合式半導 體電熱膜及其製造方法,其可於基材與電熱膜及電熱膜表 面形成絕緣防護’以有效防止漏電等影響使用安全之意外 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 « 297公釐) ^------·裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 442985 __B7 _ 五、發明說明(/ ) 發生,由此可見,本發明確已具備產業上利用性及進步性 ,並符合發明專利要件,爰依法提起申請。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公坌)

Claims (1)

  1. 六 442985 年月日修正/更正/補充 C8 D8 申請專利範圍 修正 111111¾^内容 ^^5正 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第88116368號專利申請案申請專利範圍修正本 1 . 一種半導體複合電熱膜之製法,其包括有: 一清洗基材步驟; 一於前述基材上鍍設電熱膜之步驟: 一於前述電熱膜上塗佈電極之步驟;及 —絕緣層之塗佈步驟; 利用前述絕緣層之形成以隔離電熱膜,避免漏電情事 發生。 2·如申請專利範圍第1項所述半導體複合電熱膜之 製法’該絕緣層塗佈步驟係於塗佈電極後實施以形成外絕 緣層’以針對電熱膜表面及其上電極構成絕緣防護。 3.如申請專利範圍第1項述半導體複合電熱膜之製 法’該絕緣層塗佈步驟分別於鑛膜前及塗佈電極步驟後實 施而分別形成内、外絕緣層。 4·如申請專利範圍第1或3項所述半導體複合電熱 膜之製法’該内絕緣層係由三氧化鈦與黏土(配比為 100:7)加水調成紊狀’以塗佈或網印方式附著於基材上, 經烘乾(200C,30分鐘)後,放入爐内燒結(82〇-86〇t:,l分 鐘)後構成》 5 ·如申請專利範圍第1、2或3項所述半導體複合 電熱膜之製法,該外絕緣層係由矽溶勝或有機矽樹脂添加 梦酸鹽粉(配比為1〇〇:3〇)調成素狀,塗佈於電熱膜及電極 的外層,經烘乾(12〇eC,l()分鐘)後構成。 6 .如申請專利範圍第2項所也半導體複合電熱臈之 本紙張尺度ii財國國家標準(CN;i_)A4規格(210 x 297公爱) --:----- —-L I -----^--------訂---------線· ^1 ! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 442985 β单h 柊if. /穸ΐ /识充 六、申請專利範圍 氣法’ 5亥基材係由石央、陶究、花岡岩、雲母、财熱玻璃 及耐高溫塑料等低膨脹係數之材料構成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 ’如申請專利範圍第3項所述半導體複合電熱膜之 製法’該基材係由經絕緣處理之金屬、链瑯等低膨脹係數 之材料構成》 8. 如申請專利範圍第1、6或7項所述半導體複合 電熱膜之製法,該基材形狀可為管狀、圓板狀、方板形、 杯形、壺形及其他不特定形狀者。 9. 如申請專利範圍第1項所述半導體複合電熱膜之 製法,該電極係由銀、鈀或銀鈀合金之粉末加氧化鉍 (5%)、硼酸鉛(3%) '松香(!〇%)、松節油(1〇%)等混合後研 成旁狀,以塗佈或網印方式設於電熱膜上的預定位置經 烘乾(120°C,3分鐘)、滲銀(5〇〇〜800。{:,10〜15分鐘)後構 成。 1 0 .如申請專利範圍第9項所述半導體複合電熱膜 之製法,該電極的化學反應式為:Ag2〇 — Ag + 〇2个。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11.一種半導體複合電熱膜元件,其包括有一基 材、一形成於基材上的電熱膜、一塗印於電熱膜上預定位 置之電極、一塗印於電熱膜與電極外層之外絕緣層。 1 2 ·如申請專利範圍第i i項所述之半導體複合電 熱膜元件,該基材厚度係大於0.5咖,其上之電熱膜厚产 小於2μΠ1,又電熱膜上的電極厚度為〇 2~〇5職該外^ 緣層之厚度亦為0.5〜2ιππι。 1 3 · —種半導體複合電熱膜元件,其包括有一美 本紙張尺度適用中國國家標準(CNSJA4規格(210x297公爱 442985 β B8 C8 ο ,¥: ^^ 六、申請專利範圍 材、一形成於基材上的内絕緣層、一設於内絕緣層上的電 熱臈、一塗印於電熱膜上預定位置之電極、一塗印於電熱 膜與電極外層之外絕緣層。 1 4 *如申請專利範圍第1 3項所述之半導體複合電 熱膜元件,該基材厚度係大於0.5 im,其上之内絕緣層厚 度為0.5〜2 nun電熱膜厚度小於2μιη,又電熱膜上的電極厚 度為0.2~0.5mm,該外絕緣層之厚度亦為0.5〜2刪。 --^ I ! Ί--^-------•"訂---— If---線—^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
TW88116368A 1999-09-23 1999-09-23 Manufacturing method of semiconductor composite electric heating film TW442985B (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW88116368A TW442985B (en) 1999-09-23 1999-09-23 Manufacturing method of semiconductor composite electric heating film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW88116368A TW442985B (en) 1999-09-23 1999-09-23 Manufacturing method of semiconductor composite electric heating film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW442985B true TW442985B (en) 2001-06-23

Family

ID=21642392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW88116368A TW442985B (en) 1999-09-23 1999-09-23 Manufacturing method of semiconductor composite electric heating film

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TW442985B (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6736997B2 (en) Sol-gel derived resistive and conductive coating
CA2721674C (en) Thick film high temperature thermoplastic insulated heating element
TW475235B (en) Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus
JP3894577B2 (ja) 加熱要素
JP3198844U (ja) ストレートヘアアイロン
TWI234216B (en) Ceramic heater
WO2009012621A1 (fr) Élément de chauffage électrique d'un circuit de film épais de terre rare basé sur un substrat céramique de verre et procédé pour le préparer
TW491822B (en) Ceramic heater
TW526671B (en) Ceramic heater
JPS60140693A (ja) 抵抗膜加熱器具
JP2013541812A (ja) セラミックガラスを利用した面状発熱体
TW200937995A (en) Corrosion-resistant laminated ceramic member
CN101544855A (zh) 一种环保型多功能涂料及其制备方法
JP2007512665A (ja) 薄膜加熱素子
CN109362133A (zh) 多用途大功率密度高温高性能电热膜制造工艺
TW442985B (en) Manufacturing method of semiconductor composite electric heating film
TW541638B (en) Heater member for mounting heating object and substrate processing apparatus using the same
CN107454699B (zh) 一种电磁感应加热膜制作方法及电磁感应加热膜
TW425728B (en) Semiconductor thermal electric film and its manufacturing method
TW444210B (en) Electric conduction heating mechanism and electrostatic chuck using this electric conductive heating mechanism
JP2004024347A (ja) 電磁調理用容器及びその製造方法
JP3940047B2 (ja) 光電変換装置の製造方法
EA037599B1 (ru) Толстопленочный элемент с подложкой с нанесенным покрытием, имеющим высокую теплопроводность
JP2001230059A (ja) 半導体製造・検査装置用セラミック基板
CN107602158A (zh) 一种热敏电阻铜电极的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent