TW442985B - Manufacturing method of semiconductor composite electric heating film - Google Patents
Manufacturing method of semiconductor composite electric heating film Download PDFInfo
- Publication number
- TW442985B TW442985B TW88116368A TW88116368A TW442985B TW 442985 B TW442985 B TW 442985B TW 88116368 A TW88116368 A TW 88116368A TW 88116368 A TW88116368 A TW 88116368A TW 442985 B TW442985 B TW 442985B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electric heating
- substrate
- electrode
- heating film
- insulating layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Surface Heating Bodies (AREA)
Description
442 9 8 5 A7 B7 五、發明說明(丨) 本發明係關於一種半導體複合電熱膜之製法,尤指— 種可確保電熱膜通電後不虞在表面或透過基材產生漏電現 象之絕緣防護措施。 此處所指的電熱膜,係泛指各種電熱式容器底部設置 的薄膜式電熱裝置,如電熱水瓶、電熱炊具'咖啡壺及其 他加熱式器具,該電熱膜係由半導體構成,而以蒸鍍方式 設置於經絕緣處理之金屬或非金屬基材的底面,經設以電 極並予通電,即於基材底面形成高溫,以達加熱之目的。 如第五圖所示,係一種既有電熱膜(80)之構造示 意圊,如前揭所述,係以蒸鍍方式附設於基材(8 i)表 (底)面’隨後於電熱膜(8 〇)的相對兩端分設以一電 極(8 2),經於兩電極(82)上通電,可使電熱膜( 8 0 )因熱阻抗形成高溫而對基材(8丄)進行加熱。 惟刖述將電熱膜(80)直接施加於基材(8 1 )上 的作法顯有仍待商榷之處。 如前揭所述,該電熱膜(8 〇 )係以蒸鍍方式直接施 加於基材(8 1 )表面’其與基材(8 i )間及施加後的 電熱膜(8 0 )表面均無任何防護措施,由於電熱膜(8 0)上有電源直接施加,當其運用之基材(8丄)係由導 電之金屬材料(如不鐘鋼、鋁材、銅材及缺鄉等)構成時 ,不僅在電熱膜(80)表面可能產生漏電現象,亦可能 透過基材(8 0 )發生漏電情事,又電熱膜(8 〇 )所附 著之基材(8 1 )為非金屬(如石英 '陶究、花岡岩、雲 母、耐熱玻璃、塑高溫塑料)構成時,雖不致透過基材( 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) f請先閱讀背面之江意事項再填寫本頁) γ^--------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 4 > 8 5 A7 ____B7_ 五、發明說明()) 8 1 )發生漏電情事,但電熱膜(80)表面仍存在漏電 的高危險性。 由上述可知,,既有電熱膜施加於基材時未有任何防護 措施’致有漏電而影響使用安全之情事發生,故有進一步 檢討並謀求解決措施之必要。 因此’本發明主要目的在提供一種可確保電熱膜通電 後不虞在表面或透過基材產生漏電現象之複合式電熱膜製 造方法。 為達成前述主要目的採取的主要技術手段係令前述方 法至少包括有: 一清洗基材步驟; 一於前述基材上鍍設電熱膜之步驟; 一於前述電熱膜上塗伟電極之步驟;及 一絕緣層之塗佈步驟; 利用前述絕緣層之形成以隔離電熱膜,避免漏電情事 發生。 前述的絕緣層塗佈步驟係單獨於塗佈電極後實施以形 成外絕緣層’以針對電熱膜表面及其上電極進行隔離β 前述的絕緣層塗佈步驟分別於錄膜前及塗佈電極步驟 後實施而分別形成内、外絕緣層;藉此可防止電熱膜表面 或透過基材產生漏電情事。 前述的基材厚度係大於0.5 mm,其上之電熱膜厚度小 於2 μ®,又電熱膜上的電極厚度為〇.2〜0.5刪,該外絕緣 層之厚度亦為0.5〜2 nun。 4 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公ίΓ) "" -----------'^裝--------訂--------,線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 442985 A7 ' -----^_____ 五、發明說明($ ) 前述的基材厚度係大於〇_5咖,其上之内絕緣層厚产 為〇, 5〜2刪電熱膜厚度小於2μω,又電熱膜上的電極厚度 為〇·2〜0.5_,該外絕緣層之厚度亦為〇.5〜2mi^ 又 則述的基材係由石英 '陶瓷、花岡岩、雲母、耐熱玻 璃、耐高溫塑料及經絕緣處理之金屬、綠瑯等低膨服係數 之材料構成,其形狀可為管狀、圓板狀、方板形杯形、 壺形及其他不特定形狀者。 則述的電極,其原料係由銀、鈀或銀鈀合金構成,其 係利用前述原料之粉末加氧化鉍(5%)、硼酸鉛(3%)、松香 (10%)、松節油(10%)等混合後研成膏狀,以塗佈或網印方 式設於電熱膜上的預定位置,經烘乾^別它,3分鐘)、滲 銀(500〜80(TC,10〜15分鐘)而成,而反應化學式為:
Ag2〇 — Ag + 〇2 个 前述内絕緣層所使用原料係由三氧化鈦與黏土(配比 為100:7)加水調成膏狀’以塗佈或網印方式附著於基材 上,經供乾(200C,30分鐘)後,放入爐内燒結(82〇〜 ,1分鐘)後構成。 前述外絕緣層所使用材料係由:矽溶膠或有機矽樹脂 添加矽酸鹽粉(配比為100:30)調成膏狀,塗佈於電熱膜及 電極的外層,經烘乾(120°C,10分鐘)後即構成。 為使貴審查委員進一步瞭解前述目的及本發明之技 術特徵,茲附以圖式詳細說明如后: (一)圈乂部i : 第一圖:係本發明一較佳實施例之流程圖。 5 本紙張尺度適用中囵國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I.^裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 442985 經濟部智慧財產局員工湞費合作社印製 A7 五、發明說明(< ) 第一圖-係本發明一較佳實施例所構成電熱膜元件之結構 示意圖。 第三圖:係本發明又—較佳實施例之流程圊。 苐四圊:係本發明又—較佳實施例所構成電熱膜元件之結 構示意圖。 第五圖:係習用電熱膜元件或器皿之結構示意囷。 (二)圖號部分: (1 0 ) ( 2 0 )基材 (1 1 ) ( 2 1 )電熱膜 (12)(22)電極 (13) (23)外絕緣層 (24)内絕緣層 (80)電熱膜 (81)基材 有關本發明-較佳實施例之製作流程係如第一圖所示 ,其主要包括有: 一「基材清洗」步驟; —「鍵膜」㈣,係於前述基材上鍵上電熱膜; 塗佈電極」步驟,係於前述基材之電熱膜上設以 電極; 彳絕緣層塗佈」步驟’係於前述電熱膜及電極外 塗佈絕緣層;其中: 該「基材清洗」步驟係令由石英、陶究、花岡岩、雲 母、耐熱玻璃及耐高溫塑料等低膨脹係數材料構成之基材 以純水配合超音波清洗其表面,或以無水乙醇擦拭表二, 經以60~120°C予以「烘乾」後備用; 又基材之形狀可為管狀、圓板狀' 方板形、杯形、壺 "— .y 裝--------訂---------線' y· (琦先閱請背面之注意事項再填寫本頁)
4 4 9 3 S A7 --— _B7__ 五、發明說明(r) 形及其他不特定形狀者,主要係因應用途之差異而有所不 同。 該「鍍犋」步驟:係將經過清洗步驟之基材置入高溫 (600〜780t)的燒結爐中,將調製成液態的鍍膜原料以喷 塗、蒸塗、浸塗或網印方式均勻的披覆在基材表面; 該鍍膜原料之主原料為二氧化錫,搭配其他的摻雜配 料依重量比包括有:銻(0· 6〜8%)、鉍(〇· 3〜4%)、鎳 (0.3~49〇、鎘(〇.3〜4?〇、鐵(〇.1〜1%)、硼(〇.2〜2%)等加入 無水乙醇中攪拌而溶解構成液態之鍍膜複合劑。 又前述基材於燒結爐中披覆鍍膜原料後,經過15〜2〇 分鐘燒結並產生化學反應而形成晶格,使每一微小晶袼各 產生一個自由電子’而構成一半導體電熱獏,且其電阻值 係正溫度係數者。 前述形成晶格之化學犮應式為: · 〇22 + s;5 s^· · s;* · s;3 · ο;2 該「塗佈電極」步驟:係於完成鍍膜步驟的電熱膜半 成〇〇上以塗佈或網印方式塗印以經過調配的電極原料,再 以60〜120°c「供乾」30分鐘後置入滲銀爐内以550°c〜800 C燒渗數分鐘後形成電極。 前述的電極原料係由銀、鈀或銀鈀合金構成之粉末加 氧化级(5%)、领酸鉛(3%)、松香(1〇%)、松節油(10幻等混 合後研成膏狀’經塗印於電熱膜上的預定位置,再烘乾、 滲銀後構成電極,其反應化學式為:
Ag + 〇2 个 私紙張尺度適用中國國家標規^⑽χ 297公发〉 -----iiw-敦 〈請先閱讀背面之^音?事項再填寫本頁} 訂----------線y 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Ag2〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 442985 A7 _B7 五、發明說明(名) 該「外絕緣層塗佈」步驟··係於完成塗佈電極步驟之 電熱膜及電極外塗覆以調配完成的絕緣材料,該絕緣材料 係由砍溶勝或有機石夕樹脂添加;5夕酸鹽粉以]n n ' ιυυ:30的配比 調成膏狀’經塗覆於電熱膜及電極的外層,再予洪乾( 120C,10分鐘)後即完成該步驟。 以前述製程所構成的複合電熱膜構造係如第二圖所示 ,其於基材(1 0 )的表面覆設電熱膜(工i ),.電熱= (1 1 )上設有電極(1 2 ) ’而電熱膜(i i )及電極 (1 2 )並同時為一外絕緣層(丄3 )所覆蓋,藉此可在 電熱膜(1 1 )及電極(1 2 )外層構成一絕緣防護措施 ’以有效避免漏電情事發生。至於前述基材(丄〇 )的厚 度係大於0,5晒,該電熱膜(丄丄)厚度小於2㈣該電 熱膜(1 1 )上的電極(1 2 )厚度為〇.2~〇 5細’該外 絕緣層(1 3 )之厚度亦為〇. 5~2 mm。 又如第三圖所示,係本發明又一較佳實施例之製作流 程圏,其與前一實施例差異處在於應用至不同的基材上, 主要係運用在金屬或琺瑯材質的基材上,其包括有: 一「基材清洗」步驟: 一「内絕緣層塗佈」步驟,係於前述基材上塗佈内絕 緣層; 一「鍍膜」步驟,係於前述基材的内絕緣層上鍵上電 熱膜; 一「塗佈電極」步驟,係於前述基材之電熱膜上設以 電極; 本紙張尺度適用中國因家標準(CNS)A4規格X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 Γ n n ί ϋ J n =σ 線y 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 442985 A/ _ B7 五、發明說明(7 ) 外絕緣層塗饰」步驟,係於前述電熱膜及電極夕卜 塗佈絕緣層。 前述步驟中除「内絕緣層塗佈」步驟外,其餘製程步 驟及相關條件均與前一實施例相同,容不再次贅述;有關 該「内絕緣層塗佈」步驟係在「基材清洗」步驟之後、「 鍍膜」步驟之前進行。主要在基材係由經過絕緣處理之金 屬或珠瑯構成時,其經過清洗步辣後,以三氧化鈦與黏土 (配比為100 __ 7 )加水調成膏狀的絕緣材料,利用塗佈或 網印方式附著於前述基材上,經以2〇(rc烘乾3〇分鐘後, 再放入爐内燒結(820〜86CTC,1分鐘)後即於基材表面構成 一内絕緣層,並準備進行下一「鍍膜」步驟。 而利用前述方法製成之複合電熱膜元件,其構造係如 第四圖所示,其除於電熱膜(2 1 )及電極(22)外層 設有外絕緣層(2 3 )之外,並進一步在基材(2 〇 )與 電熱膜(2 1 )間設有内絕緣層(2 4)。 而前述製法所構成之複合電熱膜,進一步於基材(2 0 )與電熱膜(2 1 )間設有内絕緣層(2 4 ),藉此除 由外絕緣層(2 3 )對電熱膜(2 1 )及電極(χ 2 )表 面構成防護以避免漏電外’亦透過内絕緣層(2 4 )之隔 絕’使電熱膜(2 1 )不致透過基材(2 0 )發生漏電情 事。 由上述說明可知’本發明主要在提供一種複合式半導 體電熱膜及其製造方法,其可於基材與電熱膜及電熱膜表 面形成絕緣防護’以有效防止漏電等影響使用安全之意外 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 « 297公釐) ^------·裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 442985 __B7 _ 五、發明說明(/ ) 發生,由此可見,本發明確已具備產業上利用性及進步性 ,並符合發明專利要件,爰依法提起申請。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公坌)
Claims (1)
- 六 442985 年月日修正/更正/補充 C8 D8 申請專利範圍 修正 111111¾^内容 ^^5正 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第88116368號專利申請案申請專利範圍修正本 1 . 一種半導體複合電熱膜之製法,其包括有: 一清洗基材步驟; 一於前述基材上鍍設電熱膜之步驟: 一於前述電熱膜上塗佈電極之步驟;及 —絕緣層之塗佈步驟; 利用前述絕緣層之形成以隔離電熱膜,避免漏電情事 發生。 2·如申請專利範圍第1項所述半導體複合電熱膜之 製法’該絕緣層塗佈步驟係於塗佈電極後實施以形成外絕 緣層’以針對電熱膜表面及其上電極構成絕緣防護。 3.如申請專利範圍第1項述半導體複合電熱膜之製 法’該絕緣層塗佈步驟分別於鑛膜前及塗佈電極步驟後實 施而分別形成内、外絕緣層。 4·如申請專利範圍第1或3項所述半導體複合電熱 膜之製法’該内絕緣層係由三氧化鈦與黏土(配比為 100:7)加水調成紊狀’以塗佈或網印方式附著於基材上, 經烘乾(200C,30分鐘)後,放入爐内燒結(82〇-86〇t:,l分 鐘)後構成》 5 ·如申請專利範圍第1、2或3項所述半導體複合 電熱膜之製法,該外絕緣層係由矽溶勝或有機矽樹脂添加 梦酸鹽粉(配比為1〇〇:3〇)調成素狀,塗佈於電熱膜及電極 的外層,經烘乾(12〇eC,l()分鐘)後構成。 6 .如申請專利範圍第2項所也半導體複合電熱臈之 本紙張尺度ii財國國家標準(CN;i_)A4規格(210 x 297公爱) --:----- —-L I -----^--------訂---------線· ^1 ! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 442985 β单h 柊if. /穸ΐ /识充 六、申請專利範圍 氣法’ 5亥基材係由石央、陶究、花岡岩、雲母、财熱玻璃 及耐高溫塑料等低膨脹係數之材料構成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 ’如申請專利範圍第3項所述半導體複合電熱膜之 製法’該基材係由經絕緣處理之金屬、链瑯等低膨脹係數 之材料構成》 8. 如申請專利範圍第1、6或7項所述半導體複合 電熱膜之製法,該基材形狀可為管狀、圓板狀、方板形、 杯形、壺形及其他不特定形狀者。 9. 如申請專利範圍第1項所述半導體複合電熱膜之 製法,該電極係由銀、鈀或銀鈀合金之粉末加氧化鉍 (5%)、硼酸鉛(3%) '松香(!〇%)、松節油(1〇%)等混合後研 成旁狀,以塗佈或網印方式設於電熱膜上的預定位置經 烘乾(120°C,3分鐘)、滲銀(5〇〇〜800。{:,10〜15分鐘)後構 成。 1 0 .如申請專利範圍第9項所述半導體複合電熱膜 之製法,該電極的化學反應式為:Ag2〇 — Ag + 〇2个。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11.一種半導體複合電熱膜元件,其包括有一基 材、一形成於基材上的電熱膜、一塗印於電熱膜上預定位 置之電極、一塗印於電熱膜與電極外層之外絕緣層。 1 2 ·如申請專利範圍第i i項所述之半導體複合電 熱膜元件,該基材厚度係大於0.5咖,其上之電熱膜厚产 小於2μΠ1,又電熱膜上的電極厚度為〇 2~〇5職該外^ 緣層之厚度亦為0.5〜2ιππι。 1 3 · —種半導體複合電熱膜元件,其包括有一美 本紙張尺度適用中國國家標準(CNSJA4規格(210x297公爱 442985 β B8 C8 ο ,¥: ^^ 六、申請專利範圍 材、一形成於基材上的内絕緣層、一設於内絕緣層上的電 熱臈、一塗印於電熱膜上預定位置之電極、一塗印於電熱 膜與電極外層之外絕緣層。 1 4 *如申請專利範圍第1 3項所述之半導體複合電 熱膜元件,該基材厚度係大於0.5 im,其上之内絕緣層厚 度為0.5〜2 nun電熱膜厚度小於2μιη,又電熱膜上的電極厚 度為0.2~0.5mm,該外絕緣層之厚度亦為0.5〜2刪。 --^ I ! Ί--^-------•"訂---— If---線—^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW88116368A TW442985B (en) | 1999-09-23 | 1999-09-23 | Manufacturing method of semiconductor composite electric heating film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW88116368A TW442985B (en) | 1999-09-23 | 1999-09-23 | Manufacturing method of semiconductor composite electric heating film |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW442985B true TW442985B (en) | 2001-06-23 |
Family
ID=21642392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW88116368A TW442985B (en) | 1999-09-23 | 1999-09-23 | Manufacturing method of semiconductor composite electric heating film |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TW442985B (zh) |
-
1999
- 1999-09-23 TW TW88116368A patent/TW442985B/zh active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6736997B2 (en) | Sol-gel derived resistive and conductive coating | |
CA2721674C (en) | Thick film high temperature thermoplastic insulated heating element | |
TW475235B (en) | Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus | |
JP3894577B2 (ja) | 加熱要素 | |
JP3198844U (ja) | ストレートヘアアイロン | |
TWI234216B (en) | Ceramic heater | |
WO2009012621A1 (fr) | Élément de chauffage électrique d'un circuit de film épais de terre rare basé sur un substrat céramique de verre et procédé pour le préparer | |
TW491822B (en) | Ceramic heater | |
TW526671B (en) | Ceramic heater | |
JPS60140693A (ja) | 抵抗膜加熱器具 | |
JP2013541812A (ja) | セラミックガラスを利用した面状発熱体 | |
TW200937995A (en) | Corrosion-resistant laminated ceramic member | |
CN101544855A (zh) | 一种环保型多功能涂料及其制备方法 | |
JP2007512665A (ja) | 薄膜加熱素子 | |
CN109362133A (zh) | 多用途大功率密度高温高性能电热膜制造工艺 | |
TW442985B (en) | Manufacturing method of semiconductor composite electric heating film | |
TW541638B (en) | Heater member for mounting heating object and substrate processing apparatus using the same | |
CN107454699B (zh) | 一种电磁感应加热膜制作方法及电磁感应加热膜 | |
TW425728B (en) | Semiconductor thermal electric film and its manufacturing method | |
TW444210B (en) | Electric conduction heating mechanism and electrostatic chuck using this electric conductive heating mechanism | |
JP2004024347A (ja) | 電磁調理用容器及びその製造方法 | |
JP3940047B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
EA037599B1 (ru) | Толстопленочный элемент с подложкой с нанесенным покрытием, имеющим высокую теплопроводность | |
JP2001230059A (ja) | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 | |
CN107602158A (zh) | 一种热敏电阻铜电极的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |