TW440791B - Method for correcting Harvard architecture - Google Patents
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Μ 〇7 9 1 4828twf.di /008 B7 &、發明說明(/ ) 本發明是有關於一種數位訊號處理晶片上的哈佛結 構,且特別是有關於一種將程式記憶體區分爲係數記憶 體與程式記憶體的修正哈佛結構之方法。 習知的微處理器(microprocessor)其具有單一的 記憶體系統,此記憶體系統可以設計於晶片內或者是在 晶片外額外的加入記憶體系統。而此記憶體系統同時用 來儲存程式的程式指令碼以及資料,所以微處理器只能 在一段時間內處理程式指令或者資料其並不能同時來處 理程式指令的執行與資料的存取。 而在現代的數位訊號處理(DSP)晶片上,由於資 料處理的數量龐大,單一記憶體系統的處理方式其處理 效率並不能夠達到要求。爲了要提高系統的效率,於是 哈佛結構(Harvard architecture)的記憶體系統就應運 而生,並且廣泛的使用於數位訊號處理晶片上,其將記 憶體系統分爲程式記憶體(program memory,PM)與資 料記憶體(data memory,DM )其有各別的資料存取匯 流排(data access bus)與指令存取匯流排(program fetch bus)使得微處理器能夠各別的同時達成指令的執行與資 料的存取,進而提高系統的處理效率。 請參照第1圖,其所繪示爲習知哈佛結構系統存取 方塊圖。微處理器內之指令存取元件(instruction processing element,IP) 10可以同時要求程式記憶體 (PM) 30提供程式指令碼用以執行程式,亦可以要求 資料存取單元(data processing element’ DP) 20 由資 3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂-! —-----線— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x297公釐) A7 4828twf.doc/008 五、發明說明(1) 料記憶體(DM) 1〇或者程式記憶體(PM) 30讀取資料 來進行運算,經過運算之後的資料再存回資料記憶體 (DM) 40或者程式記憶體(PM) 30。而指令的執行與 資料的運算存取是可以同時進行的。 然而習知哈佛結構的架構仍然有其缺陷: (1) 在DSP的應用上常常需同時使用兩個記憶體 作運算,如MAC=MAC+AX0*AY0指令’其中Αχ〇=ΡΜ (PM的位址),而AY0=DM(DM的位址),顯而易見的, 此時PM的存取仍然必須發生,此時PM是當作資料來 運算,但是借PM來使用。這樣會造成PM讀取程式指 令碼與資料存取時必須等待的問題,這樣就會影響到微 處理器的效率。故當IP同時作PM存取時,一般設計快 取記憶體(cache memory)來解決此問題,將程式指令 碼存放於快取記憶體中,而PM當作存放資料的記憶體。 但是當程式指令碼太多以至於快取記憶體容納不下時, 此時依然會有PM讀取程式指令碼與資料存取時必須等 待的問題。 (2) 在DSP的晶片上,通常其程式指令碼長度與 資料的長度會不相同,但是爲了要能夠借用PM來儲存 資料,其PM內之空間就必須遷就資料長度與程式指令 碼長度較大的一方,如此勢必造成記憶體的浪費。 因此本發明係提供一種修正哈佛結構之方法,將程 式記憶體再細分爲程式記憶體與係數記憶體,使得微處 理器解決習知程式記憶體必須等待的問題,提高系統執 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
1 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格(210 X 297公釐) 44 07 9 1 五、發明說明(>) 行成效。 本發明係提供一種修正哈佛結構之方法,將程式記 憶體再細分爲程式記憶體與係數記憶體其可以分別獨立 運作,並且程式記憶體與係數記憶體各有不同的長度來 解決習知程式記憶體浪費的問題。 本發明提出一種修正哈佛結構之方法,其簡述如 下: 一微處理器用來執行程式指令之存取與資料的讀 寫。將多個資料存放於資料記憶體內。將多個程式指令 碼存放於程式記憶體內。將每一個程式指令碼中必須執 行運算處理之二個資料的其中之一存放於係數記憶體 內。微處理器以程式記憶體內的程式指令碼依序執行程 式,並以資料記憶體內之資料來作存取。當程式執行必 須使用到運算處理時,可立即讀取資料記億體與係數記 憶體內之資料來作運算β 爲讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 懂,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說 明如下: 圖式之簡單說明: 第1圖其所繪示爲習知哈佛結構系統之存取方塊 圖;以及 第2圖其所繪示本爲發明一種修正哈佛結構之系統 存取方塊圖繪示。 標號說明: 5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I I I I I I I 11111111 I - 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印裂 本紙張尺度適用令國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 B7 4828twf.doc/008 五、發明說明(d) 10、110指令存取元件 20、120資料存取元件 30、130程式記憶體 40、140資料記憶體 150係數記憶體 實施例 請參照第2圖,其所繪示本爲發明一種修正哈佛結 構之系統存取方塊圖繪示。其將程式記憶體再細分爲程 式記憶體130與係數記憶體150,其可以分別獨立運作。 而在DSP晶片內之微處理器其可執行程式指令之存取與 資料的讀寫,而微處理器具有指令存取元件(IP) 110 與資料存取元件(DP) 12〇。而將資料存放於資料記憶 體140內。將程式指令碼存放於程式記憶體130內。將 程式指令碼中必須執行運算處理之二個資料其中之一存 放於係數記憶體150內。通常,指令存取元件11〇負責 依序由程式記憶體130內讀取程式指令碼讓微處理器能 夠執行程式。而資料存取元件120負責將資料記憶體140 內之資料讀取至微處理器內並根據程式指令碼來運作。 當程式指令碼爲需要使用到二筆資料來作運算時,資料 存取元件可同時至資料記億體140與預先儲存於係數記 憶體15〇內讀取資料並且根據程式指令碼來作運算,減 少系統等待的時間,提高系統的執行成效。 另外’由於各別的程式記憶體130與係數記憶體150 的獨立運作,解決習知程式指令碼長度與資料的長度不 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2】0 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
. I ϋ I 訂---------線— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4407 9 t 4 8 2 8 twf. doc/008 A7 B7 五、發明說明(π 相同而浪費記憶體的問題。 因此,本發明的優點係提出一種修正哈佛結構之方 法,將程式記憶體再細分爲程式記憶體與係數記億體, 使得微處理器解決習知程式記憶體必須等待的問題,提 高系統執行成效。 本發明的另一優點係提出一種修正哈佛結構之方 法,將程式記憶體再細分爲程式記憶體與係數記憶體其 可以分別獨立運作,並且程式記憶體與係數記憶體各有 不同的長度來解決習知程式記憶體浪費的問題。 綜上所述,雖然本發明已以較佳實施例揭露如上, 然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫 離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾, 因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定 者爲準。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
II ϋ I I It. I ϋ I n It n ϋ n n ϋ ϋ ϋ n n I —, I
Claims (1)
- BS 4828twf.doc/ 008 〇 D8 經.濟部智慧財產局8工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1. 一種修正哈佛結構之方法,包括: 一微處理器用以執行程式指令之存取與資料的讀 寫; 將複數個資料存放於一資料記憶體內; 將複數個程式指令碼存放於一程式記憶體內; 將各該些程式指令碼中必須執行運算處理之二資料 其中之一存放於一係數記憶體; 該微處理器以該程式記憶體內的該些程式指令碼依 序執行一程式,並以該資料記憶體內之該些資料來作存 取;以及 當程式執行必須使用到運算處理時,可立即讀取該 資料記憶體與該係數記憶體內之資料來作運算。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該微處 理器包括: 一指令存取元件,用以讀取程式記憶體內之該些程 式指令碼,以及 一資料存取元件,用以讀寫該資料記憶體與該係數 記憶體內之資料。 3. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該程式 記憶體、該資料記憶體與該係數記憶體係爲各別獨立之 記憶體。 4. 如申請專利範圍第1項所述之方法’其中該資料 記憶體與該係數記憶體內之各該些資料長度必須相同。 5. 如申請專利範圍第1項所述之方法’其中該程式 8 本紙張尺度適用中國囷家標率(CNS^A&格(2丨0X297公缝 1 (請先閱讀背面之·江意事項再填寫本頁) 訂· _91六、申請專利範圍記憶體與該係數記憶體內之各該些程式指令碼長度與各 該些資料長度可爲相同與不同二者擇一。 (請先閱讀背面之ii意事項再填寫本百) -.1 ^» _ " 崠 經濟部智慧財產局®κ工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X29?公釐)
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1999
- 1999-06-17 TW TW88110179A patent/TW440791B/zh not_active IP Right Cessation
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GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |