TW419527B - Equipment to deposit thin layers on a substrate - Google Patents

Equipment to deposit thin layers on a substrate Download PDF

Info

Publication number
TW419527B
TW419527B TW086100865A TW86100865A TW419527B TW 419527 B TW419527 B TW 419527B TW 086100865 A TW086100865 A TW 086100865A TW 86100865 A TW86100865 A TW 86100865A TW 419527 B TW419527 B TW 419527B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
vacuum chamber
vacuum
gas
substrate
pump
Prior art date
Application number
TW086100865A
Other languages
English (en)
Inventor
Joachim Dr Szczyrbowski
Gotz Teschner
Jurgen Bruch
Original Assignee
Leybold System Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold System Gmbh filed Critical Leybold System Gmbh
Application granted granted Critical
Publication of TW419527B publication Critical patent/TW419527B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036Reactive sputtering
    • C23C14/0042Controlling partial pressure or flow rate of reactive or inert gases with feedback of measurements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • H01J37/3408Planar magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3444Associated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464Operating strategies
    • H01J37/347Thickness uniformity of coated layers or desired profile of target erosion

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

A7 B7 4 J9527 五、發明説明(1 ) 本發明僳關於一種沈積薄層於基體上之裝置,包括: 電流源,此電流源係與配置在真空室中之陰極相連接i 與靶(target)共同作用,靶之濺鍍之撤粒沈積在基體上 ,基體係配置於靶之對面;程序氣體源,其僳與真空室 相連接且可使真空室成為真空。 為了保證在所期望之工作點上有一穩定之醆鍍遇程, 在一定量之氣體進入時對陰極電流源進行非常精確之調 整是需要的,此處最簡單的調整模式是電流式,電壓式 及功率式調整。但為了使濺鍍陰極經由一段較長之時期 而進入電流源特性之臨界區域(例如,介於金靥模式和 氣化模式間之過渡區)中,則只有上述這些調整方式是 不夠的。 因此已有人建議:藉助於電漿-發射-監視器在固定之 功率供應下來進行氣體入口之調整(DD 271 827 13)β 在此種習知裝置中為了操作上之穩定,其傈由具有測童 糸統之電漿-發射-監視器所構成以便將光學信號轉換成 電信號,另有一値具有轉換裝置之電流源以便以眠波方 式操作此電漿槍(Plasiaatron),測量条统配置於毎一電 漿槍中,.其出口經由支撐级而與叠加裝置相連,其中轉 換裝置經由控制级而與疊加裝置相連,在出口制此電漿-發 射-監視器以及用於反應性氣體人口之閥(valve)係連接 至β加裝置。
當在真空中進行汽相读鑛(vapour deposition)過程 時,已知亦有一種方法以控制汽相滲鍍速率(DAS 本紙浪尺度適用中囷國家標準(CNS > A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 4 ^527 A7 B7 經濟部中失標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明( 2 ) 1 1 4 2 7 0 0 9 7 9 ) 及 / 或 汽 相 慘 鍍 材 料 之 合 成 « 在 此 方 法 中 有 1 一 汽 相 滲 鍍 材 料 之 成 份 流 經 測 董 區 » 在 此 測 量 區 中 此 汽 1 1 相 樣 鍍 之 材 料 受 到 光 束 照 射 其 中 需 選 擇 此 光 束 之 模 式 請 1 使 先 i 得 此 汽 相 滲 鍍 材 料 之 流 經 此 測 置 區 的 原 子 之 至 少 部 閱 ik 份 中 之 電 子 會 提 升 至 較 高 之 能 量 位 準 9 且 在 反 向 轉 換 成 背 1 之 低 能 量 狀 態 時 需 記 錄 所 産 生 之 光 子 以 作 為 汽 相 m 鍍 速 率 注 意 1 之 m 量 方 式 或 作 為 合 成 此 汽 相 m 鍍 材 料 時 所 用 之 資 訊 信 事 項 ! I 再 a* m 〇 填 窝i Μ W 但 這 m 電 漿 -發射- 監 視 器 或 依 據 文 件 D AS 2 4 0 0 9 7 9 頁 I 1 之 習 知 的 調 整 方 式 仍 具 有 下 述 缺 點 • 它 們 在 製 造 上 非 常 1 1 昂 貴 它 們 對 外 來 光 線 之 反 射 具 有 高 的 敏 m 性 它 們 需 "1 要 待 別 精 確 的 調 整 它 們 對 不 可 控 制 之 濺 鍍 氣 體 摻 雜 作 I 訂 用 具 有 很 高 之 敏 性 〇 1 此 外 9 這 些 光 學 測 量 方 法 對 在 連 鑛 操 作 時 進 行 塗 層 之 1 | 設 備 具 有 非 常 重 大 之 缺 點 * 即 r 它 們 需 要 一 値 視 窗 使 光 1 I 線 能 進 行 m 合 〇 此 種 視 窗 藉 散 佈 式 蒸 氣 (S t r e u d a m p f) 來 1 1 進 行 塗 層 * 這 樣 會 使 此 視 窗 之 光 學 特 性 改 變 » 因 此 測 Λ k )1 值 亦 改 變 〇 )1 〆 1 本 發 明 之 的 是 提 供 種 本 文 開 頭 所 逑 型 式 之 裝 置 1 1 其 可 避 免 習 知 諝 整 裝 置 之 缺 點 在 製 造 時 價 格 上 特 別 有 i 1 利 且 可 在 很 長 的 時 間 中 操 作 〇 1 1 侬 據 本 發 明 9 此 一 的 將 藉 測 量 檢 m 器 來 達 成 例 如 Ί 藉 分 析 電 -位 之 測 量 電 掻 來 進 行 » 其 方 式 是 將 真 空 室 中 或 1 與 真 空 室 相 連 之 管 道 中 之 氣 4 體 成 份 來 與 參 考 氣 體 Γ»»ιί 比 較 * 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) ^ 195 2 7 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明( ) 且 將 所 得 到 之 信 m 或 所 測 得 之 電 位 差 再 引 m 至 包 括 信 號 放 大 器 之 調 整 単 元 1 此 調 整 早 元 在 其 所 在 側 可 控 制 電 流 源 之 産 生 器 〇 其 它 細 節 及 特 徵 將 詳 細 説 明 且 顯 示 在 申 請 專 利 範 圍 各 附 屬 項 中 〇 本 發 明 允 許 盡 可 能 不 同 之 實 施 可 能 性 因 此 在 所 附 上 之 圔 式 (第1 圖至第3 圖)中 將 以 圖 解 方 式 詳 細 説 明 三 個 裝 置 , 圖 式 簡 tJtf 早 說 明 如 下 第 1 圔 具 有 磁 控 管 -陰極, 真空泵, λ - 探 針 t 程 序 氣 fflBt 證 容 器 及 氣 體 調 整 閥 之 濺 鍍 設 備 圖 1 其 中 入 -探針配置在 真 空 泵 之 抽 吸 建 接 區 中 之 真 空 室 内 〇 第 2 圖 類 似 於 第 1 圖 之 設 備 圖 9 但 具 有 主 泵 和 前 置 泵 其 中 λ -探針設置在此二値杲之連接管道中。 第 3 圃 具 有 另 一 真 空 泵 之 設 備 圖 此 真 空 泵 之 抽 吸 側 及 壓 力 側 偽 舆 宾 空 室 相 連 » 其 中 節 流 閥 和 λ -探針裝設 在 泵 之 壓 力 管 道 中 〇 第 4 圖 用 於 産 生 器 之 放 大 器 tfbt 早 元 的 電 路 |β( 圖 〇 依 據 第 1 圖 之 裝 置 基 本 上 由 下 列 組 件 構 成 配 置 在 真 空 室 5 中 之 濺 鍍 陰 極 7, 靶6 保 持 在 靶 6 下 方 之 基 體 8 , 二 個 側 面 上 設 有 陰 極 之 氣 am 體 通 道 9 , 1 0 (其 上 設 有 氣 體 入 P 管 道 11 ) 9 氣 pm 體 儲 存 容 器 16及 氣 體 流 動 調 整 閥 12 , 遮 光 件 13 f 13 f » 具 有 調 整 器 14之 電 流 源 1 具 有 探 針 加 熱 裝 置 1 5之 λ -探針3 以及具有前置泵2 之真空泵4 〇 λ -探針3 直接 配 置 在抽吸 -5 支 件 17之 區 域 中 的 iH, 微 輪 式 請 閲 之 注 意 事 項 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐} 4/952^ 419527 a? _B7__ 五、發明説明() 分子泵4之前,靶6由鈦構成且在氬-氣-混合物中進行 濺鍍,其中在基體8上生長TiOS層。具有氣化結-電解 質之λ-探針3是作為程序調整用,λ-探針3形成一種 良好之氧離子導體。 探針電壓是受控制之氣體”氣”之函數。周薗空氣之氧 氣分壓可形成參考壓力。為了消除探針電壓可能之振盪 (其可由空氣壓力及/或探針溫度之波動所造成),此二 個數值必須保持穩定。濺鍍過程像以固定之氣流童來進 行。 探針電壓是濺鍍室5中之氣氣分暱的函數,且作為陰 極電流源之功率諏整用。 第2圖之實施形式和第1圃所示者之不同點是:入_ 探針3’傺裝設在連接管道18中,而且亦在與真空室5中 之壓力相對應之壓力區中進行测定。 第3圃之實施例具有λ -探針3”,在壓力管道22中λ -探針3”偽與和真空室5相連接之真空泵20相連通,真空 泵20接入真空室5中,其中在此壓力管道中裝設節流閥 21。λ-探針3”配置在真空泵和節流閥之間。 第 在 經濟部中央標隼局員工消費合作社印策 接 面 方 號器 信生 放λ 同¾0^0 供Μ所 ί 間, 器之23 生4)-*55123 在h道 示%管 顯通由 中接經 圆β收 極 陰 至 λ 和 探器之 _ 大3" 放 3 此 3 . 針 器探 大- 如 例 ί\ 器 生 産 供 以 流 ιρτ 制 控 應 供 面 方 1 另 用 使 6 産 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 2 7 五、發明説明() 參考符號表 2 .. ,•真 空 泵 , 前置泵 3,3 ',3 ' • · • · λ -探針 4 .. .真 空 泵 5 .. 真 空 室 6 .. .靶 7 .. .磁' 控 管 陰 極 8 .. .基 體 9 .. .氣 體 通 道 10 . .氣 體 通 道 11. .氣 體 入 Ρ 管道 12. •磁 閥 13,13'. • · .遮光件 14 . •具 有 電 流 源之調 整器 15. .探 針 加 熱 裝置 16 . •氣 體 容 器 17 . •真 空 泵 之 抽吸支 件 18 . •連 接 営 道 19. •泵 連 接 區 20 . .真 空 泵 2 1. .節 流 閥 22 ., .壓 力 管 道 23,23'. .信號管道 (請先閱讀背面之注意事項再填^:頁) 裝. 線. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

19527 a 蓚正 ϊ-· F] C8 D8 ——^—— 六、申請專利範圍 第86 1 00865號「沈積薄層於基體上之裝置」專利案 (88年4月修正) 杰申請專利範圍 經濟部中央標牟局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1. 一種沈積薄層於基體(8)上之裝置,包括:電流源(14) ,此電流源俗與配置在真空室(5)中之陰極(7>相連接 且與靶(6)共同作用,靶(6)之濺鍍之徹粒沈積在基體 (1S)上,基體(18)僳配置於靶(6)之對面;程序氣體 源(16),其像與真空室(5)相連接,介於真空室(5)和 程序氣體源U6)之間裝設一個由調整器控制之分配閥 (12)且至少具有真空泵(2,4,20),真空泵(2,4,20)之 抽吸側偽與真空室(5)相連接,其特徵為:具有测量 檢測器(3,3 · 3 ”),特別是分析電位之測量電極,其將 真空室(5)中或與真空室(5)相連之管道(17)中之氣體 成份經由參考電極而與參考氣體比較或與代替此參考 電極之固體比較且將所得到之信號或所測得之電位差 再引導至包括信號放大器之調整單元(14),此調整單 元(14)在其所在倒可控制電流源之産生器;測量電極 是所諝的λ -探針3,3',3”且程序氣體是氧。 2. 如申請專利範圍第1項之裝置,其中測童電極(3)俗 配置在真空泵(4)之抽吸口(17)的區域中。 3. 如申請専利範圍第1項之裝置,其中測量電極(3')傜 裝設在前置泵(2)和主泵(4)之間的連接管道(18)中。 -1 - 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)
經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 4.如申請專利範圍第1項之裝置,其中測量電極(3")裝 設在真空泵(20)之連接於真空室(5)上之壓力管道(22 )中,在壓力管道(22)之連接區段中節流閥(21)係配置 於測量電極(3 ”)和真空室(5 )之間,真空泵(2 0 )以其抽 吸侧直接與真空室(5 )相連接。 2- 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公嫠_) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
TW086100865A 1996-03-14 1997-01-27 Equipment to deposit thin layers on a substrate TW419527B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19609970A DE19609970A1 (de) 1996-03-14 1996-03-14 Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW419527B true TW419527B (en) 2001-01-21

Family

ID=7788229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW086100865A TW419527B (en) 1996-03-14 1997-01-27 Equipment to deposit thin layers on a substrate

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6743341B2 (zh)
EP (1) EP0795623B1 (zh)
JP (1) JP3954147B2 (zh)
KR (1) KR100269006B1 (zh)
DE (2) DE19609970A1 (zh)
ES (1) ES2173243T3 (zh)
TW (1) TW419527B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19741708A1 (de) * 1997-09-22 1999-04-01 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat
DE29717418U1 (de) * 1997-09-26 1998-01-22 Leybold Systems GmbH, 63450 Hanau Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat
US6106676A (en) * 1998-04-16 2000-08-22 The Boc Group, Inc. Method and apparatus for reactive sputtering employing two control loops
DE19956733A1 (de) 1999-11-25 2001-06-28 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Regelung von Sputterprozessen
AU2001263815A1 (en) * 2000-03-27 2001-10-08 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Method for controlling reactive sputtering processes
SE519931C2 (sv) * 2000-06-19 2003-04-29 Chemfilt R & D Ab Anordning och förfarande för pulsad, starkt joniserad magnetronsputtering
US20050145487A1 (en) * 2002-04-15 2005-07-07 Michael Geisler Coating installation
DE10216671A1 (de) * 2002-04-15 2003-12-18 Applied Films Gmbh & Co Kg Beschichtungsanlage
DE10347521A1 (de) * 2002-12-04 2004-06-24 Leybold Optics Gmbh Verfahren zur Herstellung Multilayerschicht und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP4486838B2 (ja) 2003-04-25 2010-06-23 旭硝子株式会社 酸化ケイ素膜の製造方法および光学多層膜の製造方法
DE10359508B4 (de) 2003-12-18 2007-07-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Magnetronsputtern
JP4980576B2 (ja) * 2005-03-31 2012-07-18 日立オートモティブシステムズ株式会社 ペダル装置及びそれを備えた自動車
JP5623390B2 (ja) * 2008-05-30 2014-11-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 真空コーティングチャンバからアルカリ金属又はアルカリ土類金属を除去するための装置及び方法
US8083859B2 (en) * 2008-05-30 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Arrangement and method for removing alkali- or alkaline earth-metals from a vacuum coating chamber
EP2484796A1 (en) 2011-02-04 2012-08-08 Pivot a.s. Magnetron sputtering process
JP6707559B2 (ja) 2015-03-31 2020-06-10 ビューラー アルツェナウ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングBuehler Alzenau GmbH 被覆された基板の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4036167A (en) 1976-01-30 1977-07-19 Inficon Leybold-Heraeus Inc. Apparatus for monitoring vacuum deposition processes
US4428811A (en) * 1983-04-04 1984-01-31 Borg-Warner Corporation Rapid rate reactive sputtering of a group IVb metal
DE3509360A1 (de) * 1985-02-14 1986-08-14 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur messung des sauerstoffgehalts im abgas von brennkraftmaschinen
JP2515977B2 (ja) * 1986-03-11 1996-07-10 アネルバ株式会社 スパツタ装置
DE3709177A1 (de) * 1987-03-20 1988-09-29 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zur regelung der reaktiven schichtabscheidung auf substraten mittels magnetronkatoden
JPH02290966A (ja) * 1989-04-28 1990-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタリング装置およびその制御方法
EP0508359B1 (de) * 1991-04-12 1996-10-09 Balzers Aktiengesellschaft Verfahren und Anlage zur Beschichtung mindestens eines Gegenstandes
DE4138927C2 (de) * 1991-11-27 2000-01-13 Leybold Ag Vorrichtung zur Bestimmung der Gaskonzentration in einer Vakuumkammer

Also Published As

Publication number Publication date
DE19609970A1 (de) 1997-09-18
KR970065762A (ko) 1997-10-13
EP0795623A1 (de) 1997-09-17
ES2173243T3 (es) 2002-10-16
JP3954147B2 (ja) 2007-08-08
US6743341B2 (en) 2004-06-01
EP0795623B1 (de) 2002-04-17
DE59609093D1 (de) 2002-05-23
KR100269006B1 (ko) 2000-10-16
JPH108247A (ja) 1998-01-13
US20020157945A1 (en) 2002-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW419527B (en) Equipment to deposit thin layers on a substrate
Alami et al. On the deposition rate in a high power pulsed magnetron sputtering discharge
Stahl et al. A calorimetric probe for plasma diagnostics
Peter et al. Comparative experimental analysis of the aC: H deposition processes using CH4 and C2H2 as precursors
Alami et al. Enhanced ionization sputtering: A concept for superior industrial coatings
Harding et al. Cylindrical magnetron sputtering system for coating solar
Schmidtová et al. Non-monotonous evolution of hybrid PVD–PECVD process characteristics on hydrocarbon supply
Prochaska et al. High throughput screening of electrocatalysts for fuel cell applications
Hippler et al. Angular dependence of plasma parameters and film properties during high power impulse magnetron sputtering for deposition of Ti and TiO2 layers
Dendooven et al. Mobile setup for synchrotron based in situ characterization during thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition
Sahu et al. Comparison of plasma excitation, ionization, and energy influx in single and dual frequency capacitive discharges
Pajdarova et al. Optical emission spectroscopy during the deposition of zirconium dioxide films by controlled reactive high-power impulse magnetron sputtering
Sharma et al. Measurement of deposition rate and ion energy distribution in a pulsed dc magnetron sputtering system using a retarding field analyzer with embedded quartz crystal microbalance
Schmeisser et al. Photoelectron spectroscopy of nickel on zinc oxide in the monolayer and submonolayer range
Schlichting et al. Energy-dependent film growth of Cu and NiTi from a tilted DC magnetron sputtering source determined by calorimetric probe analysis
Niiranen et al. Biased quartz crystal microbalance method for studies of chemical vapor deposition surface chemistry induced by plasma electrons
Hansson et al. Experiences from nonevaporable getter-coated vacuum chambers at the MAX II synchrotron light source
Tanaka et al. Effect of hydrogen addition to the discharge gas in radio-frequency argon glow-discharge mass spectrometry for nonconducting samples
Reeve et al. Plasma diagnostics of a dc arcjet chemical vapor deposition diamond reactor
Weise et al. A multifunctional plasma and deposition sensor for the characterization of plasma sources for film deposition and etching
Naimon et al. Adhesion study of silver films deposited from a hot hollow‐cathode source
Saikia et al. Argon–oxygen dc magnetron discharge plasma probed with ion acoustic waves
He et al. Characterization and optical properties of diamondlike carbon prepared by electron cyclotron resonance plasma
Bobzin et al. Space-resolved plasma diagnostics in a hybrid (Cr, Al) N process
Karlsson et al. A compact setup to study homogeneous nucleation and condensation

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent