TW418455B - High frequency coupler, and plasma processing apparatus and method - Google Patents

High frequency coupler, and plasma processing apparatus and method Download PDF

Info

Publication number
TW418455B
TW418455B TW088110735A TW88110735A TW418455B TW 418455 B TW418455 B TW 418455B TW 088110735 A TW088110735 A TW 088110735A TW 88110735 A TW88110735 A TW 88110735A TW 418455 B TW418455 B TW 418455B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
plasma processing
coupler
frequency coupler
center
high frequency
Prior art date
Application number
TW088110735A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohiro Okumura
Akizo Watanabe
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Ind Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Ind Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW418455B publication Critical patent/TW418455B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

418455 A7 B7
五、發明說明（7 ) 1〇·8 Ω · m者。 依照本發明之第15觀點，特提供有一電漿處理方法， 包含： 抽空真空室之内部，同時氣體係進給入此真空室内； 以真空室内之一壓力係經控制至一預定壓力，供應高 頻電力，通過一匹配電路以及用以耦合此匹配電路至電磁 波幅射裝置諸如一天線或相對於匹配電路之電極者，至此 電磁波幅射裝置，俾使電流流動於由垂直於一第一筆直線 之平面所切開之南頻搞合器之一部分内，而此筆直線連接 高頻耦合器和匹配電路之輸出部分之間之一接合表面之中 心和高頻耦合器和電磁波幅射裝置之間之接合表面之中心 者，此部分有一如此構形，即此部分含多條直線片段用以 流動電流，自此部分之大約中心點徑向地配置，此第一筆 直線大約中央地傳送通過放置在一基體電極上之基體，並 係定置在幾乎是垂直於此基體之第二筆直線上；以及 在真空室内產生電漿用以處理此基體，此產生之電衆 幾乎是對稱地橫越此基體之中央。 依照本發明之第16觀點，特提供有一電漿處理方法如 第15觀點中所宣佈者，其中此電流流動在徑向地配置之多 條直線片段内，此多條線片段係以由垂直於此第一筆直線 之平面所切開之高頻耦合器之部分之中心為準大致上係呈 點對稱式地配置。 依照本發明之第17觀點，特提供有一電漿處理方法如 第15觀點中所宣佈者，其中此電流流動於高頻耦合器和匹 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 --II 訂· — — II--I 人 I . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 418455 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（10) 依照本發明之第23觀點，特提供有一電漿處理方法如 第15觀點中所宣佈者，其中此電流流動於高頻耦合器之一 表面部分内，此部分係包含一物質之有一不大於2X 1 (Γ8 Ω • m之電阻率者。 依照本發明之第24觀點，特提供有一電漿處理方法如 第19觀點中所宣佈者，其中此電流流動於高頻耦合器之一 表面部分内，此部分係包含一物質之有一不大於2χ 1(Γ8Ω • m之電阻率者。 依照本發明之第25觀點，特提供有一電漿處理方法如 第15觀點中所宣佈者，其中高頻電力之量係不大於lKw。 依照本發明之第26觀點，特提供有一電漿處理方法如 第19觀點中所宣佈者，其中高頻電力之量係不大於lKw。 依照本發明之第27觀點，特提供有一電漿處理方法如 第6觀點中所宣佈者，其高頻電流流動於其内之高頻耦合器 之一表面部分係包含一物質之有一不大於2x 1 Ο·8 Ω · m之 電阻率者。 依照本發明之第28觀點，特提供有一電漿處理裝置如 第6觀點中所宣佈者，它係一種蝕刻裝置。 附圖之簡要說明 本發明之此等及其他觀點和特徵，將可自下列以附圖 為基準之其相關聯之較佳實施例之說明，將變得益為清晰 ，附圖中： 第1圖係一剖視圖，顯示被引用於本發明之第一實施例 中之一電漿處理裝置之配置； 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------:裝--------訂· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 418455 Λ8 B8 C8 D8 畔）月㈣ 六、申請專利範圍 係幾乎是垂直此基體之第二筆直線上；以及 在此真空室内發生電漿用以處理此基體，此發生之 电装係檢越此基體之中心接近地對稱。 2〇·如申請專利範圍第19項之電漿處理方法，其中此電流流 動於徑向配管之多條直線片段内者，係大致上以由垂直 於第一筆直線之平面所切開之高頻耦合器之部分之中 心為準呈點對稱式地配置。 21.如申請專利範圍第19項之電漿處理方法，其中此電流流 裝 動於南頻耗合器和匹配電路之輸出部分之間之接合表 面中，以及此電流流動於高頻耦合器和基體電極之間之 接合表面中者，此等接合表面之任一個係大致上為圓形 平面。 22·如申請專利範圍笫19項之電漿處理方法，其中此電流流 動在一接合部分中，該處此高頻耦合器和匹配電路之輸 出部分係由被固定於一分接頭内之第一螺栓固定在一 起，而此分接頭係裝設在此高頻輕合器和匹配電路之輸 出部分之間之接合表面之大約中心處，以及此^流流動 於此接合部分中，該處此高頻耦合器和基體電極係由被 固定於分接頭内之第二螺栓所固定在一起，而此分接頭 係裝設在此高頻耦合器和基體電極之間之接合表面之 大約中心處。 23 ·如申請專利範圍第丨5項之電漿處理方法，其中此高頻電 力之量係不大於lkW。 24·如申請專利範圍第19項之電漿處理方法，其中此高頻電
418455 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 力之量係不大於lkW。 25·如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其中高頻電流 流動其内之高頻輕合器之一表面部分係包含一物質之 有一不大於2χ 10·8Ω · m之電阻率者。 26.如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，它係一蝕刻裝 置。 裝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS) A4規格（210X297公釐） 36
TW088110735A 1998-06-26 1999-06-25 High frequency coupler, and plasma processing apparatus and method TW418455B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18009398A JP3257512B2 (ja) 1998-06-26 1998-06-26 高周波結合器、プラズマ処理装置及び方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW418455B true TW418455B (en) 2001-01-11

Family

ID=16077324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088110735A TW418455B (en) 1998-06-26 1999-06-25 High frequency coupler, and plasma processing apparatus and method

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6291937B1 (zh)
JP (1) JP3257512B2 (zh)
KR (1) KR100353375B1 (zh)
SG (1) SG91821A1 (zh)
TW (1) TW418455B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4286404B2 (ja) * 1999-10-15 2009-07-01 東京エレクトロン株式会社 整合器およびプラズマ処理装置
JP3482949B2 (ja) * 2000-08-04 2004-01-06 松下電器産業株式会社 プラズマ処理方法及び装置
SG143065A1 (en) 2001-02-16 2008-06-27 Sony Corp Data processing method and its apparatus

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US186503A (en) * 1877-01-23 Improvement in lightning-rod-connecting clips
US90578A (en) * 1869-05-25 Improvement in lightning-rod couplings
US543960A (en) * 1895-08-06 Electrical conductor
US2417785A (en) * 1943-05-08 1947-03-18 Westinghouse Electric Corp Low-loss conductor for highfrequency currents
US3617617A (en) * 1970-06-12 1971-11-02 Du Pont Insulated electrical conductor
US4451830A (en) * 1980-12-17 1984-05-29 The Commonwealth Of Australia VHF Omni-range navigation system antenna
AU559648B2 (en) * 1982-03-11 1987-03-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave oven with rotary antenna
US4523127A (en) * 1983-02-02 1985-06-11 Ga Technologies Inc. Cyclotron resonance maser amplifier and waveguide window
FR2631199B1 (fr) * 1988-05-09 1991-03-15 Centre Nat Rech Scient Reacteur a plasma
EP0554039B1 (en) * 1992-01-30 1996-11-20 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for generating plasma, and semiconductor processing methods
US6106663A (en) * 1998-06-19 2000-08-22 Lam Research Corporation Semiconductor process chamber electrode

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000006505A (ko) 2000-01-25
KR100353375B1 (ko) 2002-09-18
SG91821A1 (en) 2002-10-15
US6291937B1 (en) 2001-09-18
JP2000012286A (ja) 2000-01-14
JP3257512B2 (ja) 2002-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4659912A (en) Thin, flexible, autoregulating strap heater
TW452841B (en) Improved substrate support for plasma processing
EP1300878A4 (en) DEVICE AND METHOD FOR PLASMA PROCESSING AND SLOW WAVE PLATE
KR900013589A (ko) 플라즈마 처리장치
TW373196B (en) A micromagnetic device for power processing applications and method of manufacture therefor
EP1108766A9 (en) Adhesion method and electronic component
EP0855630A3 (en) Fixing device
TW388933B (en) Plasma etching chamber for manufacturing semiconductor devices
PT1459332E (pt) Processo para produção de uma camada de resistência condutora eléctrica, bem como dispositivo de aquecimento e/ou arrefecimento
TW418455B (en) High frequency coupler, and plasma processing apparatus and method
WO2003010809A1 (fr) Dispositif de traitement au plasma et table de montage de substrat
NO911440L (no) Fremgangsmaate for oppvarming av en transportroerledning, samt transportroerledning med oppvarming.
KR20150005503A (ko) Ｒｆ 가열된 챔버 컴포넌트들을 냉각시키기 위한 시스템
JP2000357683A5 (zh)
TW464969B (en) Simultaneous discharge device
GB2361398B (en) Heating arrangement
KR950034507A (ko) 헬리콘파플라즈마처리방법 및 장치
JP2967060B2 (ja) マイクロ波プラズマ発生装置
TW497154B (en) Gas feedthrough with electrostatic discharge characteristic
EP0996155A3 (en) Radio frequency integrated circuit apparatus
KR0140089Y1 (ko) 마이크로파 전달장치
JP2614283B2 (ja) ヒートパイプを用いた結合器
MB et al. 2a-M-9 Effect of Ambipolar Field for the Drift Ion Cyclotron Waves in Sheet Plasmas
JPH0963755A (ja) ラバーヒーター
Gurevich et al. Effect of an electric field on the distribution of fast electrons(in plasmas)

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees