TW417137B - Fluorescent display device - Google Patents

Description

417137 五、發明說明ο)

[發明所屬之技術領域] 本發明係關於一種具傷將: 的配線導體之端部及外部導線 的螢光顯示管者。 [以往之技術] 配設於外圍容器内之基板上 之連接成為確實所用之構造 一般，螢光顯示管係具有在絕緣基板之上面封閉箱型 之容器部之開口端部所形成的外圍容器。在外圍容器内， 在絕緣基板上面設有各種電極及連接此等電極的配線導體 係被連接於氣密地貫通外圍容器之封閉部的外部導線内側 的一端部。 近年來’在上述螢光顯示管之技術領域，為了在外圍 容器之顯示面儘量減少顯示部以外之面積，將上述基板上 之配線導趙與外部導線之連接部，設在封閉於該基板之容 器部之開口端部之正下方或其附近俾能增大顯示面積。 又’為了在較小外圍容器可顯示較多之資訊而期望提 咼顯示密度’惟為了反應此等期望，一般乃增加外部導線 之條數，有各外部導線之寬度變小之趨勢。 第2圖係表示以往的螢光顯示管之外部導線與配線導 體之連接構造的剖面圖。在基板100之上面藉由封閉材 來封閉容器部1 02，構成外圍容器。封閉材1 01係包含低融 點玻璃的絕緣性材料。在外圍容器内之基板1 〇〇上，形成 有陽極導體1G3與螢光體層104所構成的陽極丨〇5。在陽極 105之上面有控制電極106，而在其上面設有電子源之燈絲 狀陰極107。

C:\Program Files\Patent\310551 .ptd 第4頁 4 ! 7 五、發明說明（2) ' 在外圍容器内之基板1〇〇上，形成有絕緣層1〇8。上述 陽極105係在該絕緣層108之上面。在絕緣層1〇8之下面形 成有配線導體109，藉由形成在絕緣層1〇8之要處的通孔 110,及填充於其中間的導電材料lu， 上 體 103。 在外圍容器内之封閉部，設有沒有上述絕緣層1〇3之 一部分的開口部112，陽極導體1〇9係在該部分呈露出之狀 態。在該開口部112内，設有融接端子糊113。氣密地貫穿 封閉部所設置的外部導線115之内端部，係接觸於該融接 端子糊113。外部導線115之内端部與融接端子糊113之接 觸部分係位於封裝部之封閉材101中。 [欲解決之問題] 如上所述’若基於充分確保顯示空間在外圍容器内之 基板上之理由’將外部導線與配線導體之連接點設於封閉 部之近旁時’兩者之電氣式連接部分將徂於封閉材中。結 果’封閉材會進入外部導線與融接端子糊之間’使封閉材 成為絕緣膜’有將外部導線與融接端子糊之電氣式連接成 為不可能或不安定之問題。 本發明之目的，係特別在外圍容器之封閉部附近連接 外部導線與配線導體的螢光顯示管中’將上述連接成為安 定與正確。 [解決問題之手段] 如申請專利範圍第1項的螢光顯示管’係以包含低融 點玻璃之封閉材封閉基板之上面與容器部，貫穿上述封閉

C:\PtogramFiles\Patent\3l055i pt(j

第5頁 417137 五、發明說明（3) 的外部導線之内端部，與設於上述基板上面之配 的螢光顯示管’其特徵為：上述外部導線之内 上述配線導體之連接，係經由導電性微粒子所實 行0 請專利範圍第2項之螢光顯示管，係在如申請專 圍第1項之螢光顯示管中，上述導電性微粒子係選自 群 J之A^，pd、Ag_pt、Ag-pd、Ni、cu、Fe、A1 所構成之 群體之物質所構成為其特徵者。 ^申請專利範圍第3項之螢光顯示管，係在申請專利 範圍^項或第2項之螢光顯示Η，上料電性微粒子係 至0.2fflm之外徑為其特徵者。 緣性利範圍第4項之榮光顯示管，係具有：在絕 忐沾冰面以包含低融點玻璃之封閉材封閉容器部所 的陽極^ ’及具有設於上述外圍容器内部之營光體層 成於上述基板之上面的配線導艘ίΐΪΐ IK^ 外圍容器内部，内端部連接於未被上述 Π:::上=容器之外面的外部導Ϊ = Π 連接?=導ί::Π:Ϊ:端部與上述配線導體之 如申請專利範圍第5項之螢光顯示 範圍第4項之螢光顯示管中，在上 請專利 彳吗合器内部，位於 C:\Progmm Files\Patent\310551.ptd 第6頁 五、發明說明（4) 上述封閉材附近，未覆蓋上述配線導體之開口形成於上述 絕緣層之一部分，上述導電性微粒子係設於上述開口内， 至少其一部分比上述絕緣層上面更向上方突出，電氣式地 連接從上述導電性微粒子之上述開口向上方突出之部分與 上述外部導線，為其特徵者。 [發明之實施形態] 參照第1圖說明本發明之實施形態之一例的螢光顯示 管1 - 如第1圖所示，在絕緣基板之破璃製基板2之上面，藉 由封閉材3封閉容器部4，構成箱型之外圍容器。封閉材3 係包含低融點破璃的絕緣性材料，本例之封閉材3係包含 低一點玻璃的PbO係非結晶化玻璃。其成分係在重量％。

PbO 為 58% ’ B2〇3 為 9%、ZnO 為 6%、A 1203 為7%、Si02 為 18%、 K20 為 1%、BaO 為 1%。 在外圍容器内之基板2上，形成有陽極導體5與螢光體 層6所構成之陽極7所形成。本例之陽極導體5係例如以碳 作為主成分。在陽極上面有控制電極8，而在其上面設有 電子源的燈絲狀陰極9。 在外圍容器内之基板2上形成有絕緣層1〇。絕緣層之 厚度係50 /zm。上述之陽極7係設在該絕緣層1〇之上面在 絕緣層10下之基板2上形成有配線導體丨丨。配線導體n係 A1薄膜或Ag厚膜所形成 '絕緣層1〇之要處形成有通孔12， 而在通孔12内填充Ag糊等之導電材㈣’連接陽極導想5 與配線導體11。

417137 五、發明說明（5) 上述配線導體11之大部分，係除了接近基板2之周緣 部分之一端部之外以絕緣層10覆蓋。在外圍容器之封閉部 之附近’開口部14形成在絕緣層1〇。在該開口部η内之配 線導體11上，層狀地設有開口部115 «Ag糊15之組成係Ag 為40至50%，玻璃料玻璃為30至40%，56與Zn合計為約 2%(但是Zn較多）。Ag糊1 5係配緣導體11為Ag時，具有活性 化產生在A1表面之氧化膜，並促進A1與Ag之反應以形成化 合物的功能。

Ag糊15之層厚與配線導體11之厚度的合計，係比絕緣 層1 0之厚度小。亦即，位於絕緣層1 0之開口部1 4内的Ag糊 15之上面係位於比絕緣層1〇之上面較下方。 在絕緣層10之上述開口部14内，設有導電性之微粒子 20 ’ 該微粒子20 係由Au、Ag、Pd、Ag-Pt、Ag-Pd、Ni、

Cu、Fe、A1等之導電物質所構成。又，本例之微粒子2〇的 外徑係0,1至〇.2mm，成為該尺寸從上述開口部14露出一部 分之狀態。亦即，微粒子20係至少其一部分成為比絕緣層 10之表面更向上方突出之狀態。 上述微粒子20並不一定為球形或接近球形之形狀，成 方狀形狀也可以。此時之大小，外徑為與0.1至〇.2mm之大 約球形粒子相同程度較理想。 氣密地貫穿外圍容器之封閉材3設有外部導線16。外 部導線16之内端部16a係在封閉材3中接觸於上述微粒子 20。外部導線16之外端部16b係被導出在外圍容器之外 面。該外部導線1 6係由膨脹係數與玻璃製絕緣基板2 1大約 11^11^ C:\ProgramFiles\Patent\3l0551.ptd 第 8 頁 五、發明說明（6) 相等之合金所形成。例如以42%-Ni、6%-Cr，殘留部Fe所 構成之所謂42 6合金等所形成。 如此，本例之螢光顯示管1 ,係雖配線導體11與外部 導線16之連接部在外圍容器之封閉材3中，惟配線導體u 與外部導線16係經由導電性之微粒子20相接觸。進入配線 導想11與外部導線16之間的封閉材3，即將由與微粒子2〇 之狹窄接觸面積的高接觸堡力所刺破。因此，配線導體11 與外部導線16係與僅接觸面與面之情形相比較，可得到更 正確且安定之電氣式接觸。 特別是’在以往之連接構造所使用的融接端子糊 113 ’係作為微電物質包含約數微米之極微細之Ag粒子， 惟如上所述，導電物質愈細，封閉材轉入與外部導線之間 時容易斷開電氣式連接。但是，在本例，由於將徑為約〇. 1至0.2mm之比以往較大之導電性微粒子2〇放在中間，因 此’可正確地刺破封閉材3之絕緣膜，不會產生如以往之 異常現象。 又，隔著外部導線1 6封閉外圍容器，同時，在外圍容 器内欲以如上述之構造連接外部導線16與配線導體11，實 行如下之製程。首先，在基板2形成電極、配線構、絕緣 層10(交叉層）之後，在上述絕緣層10之開口部14，塗佈導 電性微粒子20之糊。導電性微粒子20之糊，係包含玻璃料 玻璃為50至80wt% ’導電性微粒子20為20至5〇wt%的糊。以 印刷法將該糊覆蓋在所定位置之後施以暫時燒成。 在基板2上面之周緣部設置封閉材3。在相對面於基板 ΙΒΜΒΙΜΜ C:\ProgramFiies\Patent\310551.ptd 第 9 頁 417137 五、發明說明（7) 2之容器部4之開口端面也設置封閉材3。塗佈封閉材3之糊 之後’施以暫時燒成。 隔著外部導線1 6，封閉基板2與容器部4，在正式封閉 製程中’首先，在如上所述地所構成的基板2上面，配設 未予圖示之網狀控制電極8及線狀陰極9。又，將外部導線 16之内端部i6a配置於導電性微粒子2〇之上方。又，將外 部導線16隔在辛間，在將容器部4推向基板2之狀態下加熱 成400至450 °C ,俾軟化，熔融封閉材3。基板2與容器部4、 係成為密接狀態。導電性微粒子20係貫穿熔融之封閉材3 之膜，外部導線16之内端部16a係正確地導通於配線導體 11° 特別是’在外圍容器内之基板上充分榷保顯示之空間 等之理由，須將外部導線與配線導體之連接點設在封閉部 之附近的螢光顯示管，可得到以往不安定之外部導線與配 線導體之連接狀態成為安定並提高作為顯示元件之可靠性 的效果。

在以上所說明之例子，係外部導線i 6經由配線導體i J 連接於陽極，惟當然在外部導線中也有連接控制電極8及 陰極9者，在此等外部導線之連接，當然也可適用本發 明。 在以上所說明之例子，係作為導電性微粒子例示導電 性物質之微粒子，惟在非導電性物質所構成的微粒子表 面。設置導電性物質之微粒子也可以。 [發明之效果]

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r 41713T 五、發明說明（8) 依照本發明’由於作為經由導電性微粒子連接外部導 線之内端部與配線導體之構造，因此，連接部在外圍容器 之封閉材中’也可得到導電性微粒子刺破封閉材之膜的作 用，可得到電氣式連接成為安定之效果。 [圖式之簡單說明] 第1圖係、表示本發^實施形態《一例之螢光顯示管1 的剖面圖。 第2圖係表示以往之螢光顯示管1的剖面圖。 [記號之說明] 2 基板 4 容器部 6 螢光體層 9 作為電子源之陰極 11 配線導體 16 外部導線 16b 外端部 1 螢光顯示管 3 封閉材 5 陽極導體 7 陽極 10 絕緣層 14 開口部 16a 内端部 20 導電性之微粒子

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Claims (1)

1. 68106169 417137 六、申請專利範圍 1. 一種螢光顯示管，係以包含低融點玻璃之封閉材封閉 基板之上面與容器部’貫穿上述封閉材所設置的外部 導線之内端部’與設於上述基板上面之配線導體連接 的螢光顯示管，其特徵為： 上述外部導線之内端部與上述配線導體之連接， 係經由導電性微粒子所實行。 2. 如申請專利範圍第1項的螢光顯示管，其中上述導電性 微粒子係選自由 An、Ag、Pd、Ag-Pt、Ag-Pd、Ni、 Cu、Fe、A1所構成之群體之物質所構成。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光顯示管’其 中上述導電性微粒子係0. 1至0. 2πππ之外徑。 4. 一種螢光顯示管，係具有：在絕緣性之基板上面以包 含低融點玻璃之封閉材封閉容器部所成的外圍容器； 具有設於上述外圍容器内部之螢光體層的陽極，及設 於上述外圍容器内部的電子源；在上述外圍容器内部 形成於上述基板之上面的配線導體’及在上述外圍容 器内部設於上述基板之上面並覆蓋上述配線導體的絕 緣層；以及在上述外圍容器内部，内端部連接於未被 上述絕緣層覆蓋之配線導體，同時氣密地貫通上述封 閉材而外端部被導出在上述外圍容器之外面的外部導 線的螢光顯示管，其特徵為： 上述外部導線之内端部與上述配線導體之連接， 係經由導電性微粒子所實行。 5. 如申請專利範圍第4項所述的螢光顯示管；其中在上述

   C:\Progiam Files\Patent\3l0551.ptd 第12頁 六、申請專利範面 外圍容器内部’位於上逑封„ .^ ^ 义封閉材附近，未覆蓋上逑g? 線導體之開口形成於上述絕緣層之一部分，上述導電 性微粒子係設於上述開口内，至少其一部分比上塊絕 緣層上面更向上方突出，電氣式地連接從上述導電性 微粒子之上述開口向上方突出之部分與上述外部導 線。 σ