TW410403B - Phase shifting mask structure and manufacture thereof - Google Patents

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之出光側之光之振幅M(b)表示，晶片上之光之振幅分布 K(c)表示，晶片上之光之強度分布M (d)表示。 另外，圖7 (B)之（a)表示使用習知之光掩模701a *利用 曝光之光進行投影曝光之情況，在這種情況時之掩模之出 光側之光之振幅以（b)表示*晶片上之光之振幅分布MU) 表示，晶片上之光之強度分布K(d)表示。 圖7(A)(a)之上移式之相位轉移.光掩模701在透明基板 702上設有線路空間圖型由遮光膜703所形成，具有指定之 寬度和間距，該線路空間圖型之一開口部和與該開口部鄰 接之遮光膜703上設置有轉移層704，而圖7(B)(a)之習知 之光掩模701a是在透明基板702a上設置線路空間圖型由遮 先膜703a所形成，具有指定之寬度和間距。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 茌上移式之相位轉移光掩模701，當曝光之光射入之情 況時，在掩模出光側，就如圃7(A)(b)所示*透過轉移部 704之光之振幅，與透過沒有轉移層之遮光膜703之間之光 之振幅，其相位會偏移IH7T U為奇數），亦即被設定成反轉 之方式。因此，在晶片上該等光互相干擾，變成如圖7(A) (c)所示之振幅分布*其结果是晶Η上之光強度變成如圖7 (A) (d)所示。 與此相對的，在使用習知之光掩模701a之情況時，光掩 模輸出側之振幅如圖7(B)(b)所示·各個開口部之光不會 互相偏移，互相干擾時，變成如圖7B(c)所示之振幅分布 ，其結果是晶片上之光强度變成如圖7(B)(d)所示。 在圖7U)(d)之情況時，在光強度分布之山間為光強度 -修正頁 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 410403 Α7 Β7 五、發明說明（l) [發明之背景] (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是關於用在LSI，超LSI»超超SLI等之高密度積 體電路之製造之光掩模，尤其有關於上移式相位轉移光掩 模.或上移式相位轉移光掩模基板之製造方法。 近年來由於半導體積體電路之高密集化，促成用K製造 該電路之標線亦被要隶需要更進一層之檝细化。在目前， 從16M之DRAM用之5倍之標線轉印之元件圖型之線幅被微细 化成0.6wra。在64M之D8AM之元件靨型之情況時，變成需 要有0.35« in線幅之解像度，使用習知之分節器之光之曝 光方式仍然具有限度。因此，從光之曝光中之搮線轉印之 元件圖型之解像度可K提高，使用目前之分節器，其可使 用之方式之相位轉移光掩模變成受到重視。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 相位轉移光掩模在日本專利案特開昭58-17344號，特公 昭62-5 9296號記載有其基本之觀念和原理，可Μ繼壤目前 之光曝之先之系統為其優點*各種型式之相位轉移光掩模 之開發被盛行的檢討。至少要在透明之基板上形成遮光層 画型，再在其上形成轉移層圖型，藉以彤成上移式之相位 轉移光掩槙為其一例。 使用該上移式之相位轉移光掩模*在晶片上進行投影曝 光之情況時之解像度，和使用習知之未具有轉移層之光掩 模之投影曝光之情況之比較例，可Κ使用圖7(A)，（Β)來 進行簡單之說明。 圖7(A)之（a)表示使用上移式上之相位轉移光掩模701， 利用曝光之光進行投影曝光之情況，在這種情況時之掩模 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —4 修正 Μ

之出光側之光之振幅M(b)表示，晶片上之光之振幅分布 K(c)表示，晶片上之光之強度分布M (d)表示。 另外，圖7 (B)之（a)表示使用習知之光掩模701a *利用 曝光之光進行投影曝光之情況，在這種情況時之掩模之出 光側之光之振幅以（b)表示*晶片上之光之振幅分布MU) 表示，晶片上之光之強度分布K(d)表示。 圖7(A)(a)之上移式之相位轉移.光掩模701在透明基板 702上設有線路空間圖型由遮光膜703所形成，具有指定之 寬度和間距，該線路空間圖型之一開口部和與該開口部鄰 接之遮光膜703上設置有轉移層704，而圖7(B)(a)之習知 之光掩模701a是在透明基板702a上設置線路空間圖型由遮 先膜703a所形成，具有指定之寬度和間距。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 茌上移式之相位轉移光掩模701，當曝光之光射入之情 況時，在掩模出光側，就如圃7(A)(b)所示*透過轉移部 704之光之振幅，與透過沒有轉移層之遮光膜703之間之光 之振幅，其相位會偏移IH7T U為奇數），亦即被設定成反轉 之方式。因此，在晶片上該等光互相干擾，變成如圖7(A) (c)所示之振幅分布*其结果是晶Η上之光強度變成如圖7 (A) (d)所示。 與此相對的，在使用習知之光掩模701a之情況時，光掩 模輸出側之振幅如圖7(B)(b)所示·各個開口部之光不會 互相偏移，互相干擾時，變成如圖7B(c)所示之振幅分布 ，其結果是晶片上之光强度變成如圖7(B)(d)所示。 在圖7U)(d)之情況時，在光強度分布之山間為光強度 -修正頁 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） __410403_μ_ 五、發明説明（3 ) 變成零之位置，_與此相對的，在翻7 (B) (d)之.情況時，光 強度分布之山變成下端擴大之狀態。亦即，對於晶片上之 抗蝕劑之解像度|圖7 ( Λ ) ( d )之光強度分布比圃7 (B ) (d )之 光強度分布優良。 如上所述*最好是使轉移部704之厚度成為使相位差偏 移ιηπ U為奋數相位偏移效果最大之情況是當在πττ-ττ / 3〜m 7Γ + ττ / 3 ( m為奇歟）之範圃時亦可Μ有妷的提高解像 度。 如上所述*為著獲得高解像度*所Μ爾要控制轉移曆之 曝光之光之相位變化量，使透過具有轉移靥之開口部之曝 光之光和透過未具有轉移廇之開口部之曝光之光，變成相 位互相反轉，該相位變化虽可以利用Μ下之（1)式，Κ於[ {诗先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 示 表 TJ 度 弧 (Γ中 Λ 式 =2上 4 在 是 η 光 暘 之 料 材 .之 層 移 轉 位 3J ί- /IV 層 移 轉 成 光 瞜 是 λ 厚. 膜 之0 移 轉 位 相 是 d 率 JV 折- 之 ο 長 長 波波 之之 光光 之之 M濟部中央標準局—工消贽合作社印製 位轉 相位 (1 相 .層 ( J 移料制 轉材控 - 層 之 即移角 亦轉位 和相 層 移 長於非 波對成 之，變 光定制 之決控， 光來之 暍率厚 照射膜 依折之 厚之I) > 層 Ut4移 } 材.轉 層之位 移層相 轉移t 線 *1 為 光 之 光 曝 。 在 要中 重其 常 矽. 化 氧 二 為 料. 材 層 移 轉 時移 況偏 情 位 之相 為弱 約 Ξ 大00 1 率 射 折 之 料 材 層 移 轉 .為 因 使 Μ 所 為 成 變 厚 膜 之0 必 fir 度 氧 二 外 另 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS > Λ4規格（2丨0X297公浼） 6 修正頁 410403 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 Λ 7 Β7五、發明説明u ) 化矽不使用成膜法之折射率為1.5之程度。 另外*遮光膜通常以鉻膜形成，在許多情況是在膜之兩 側設置反射防止膜彤成3層構造，為著獲得充分之遮光效 果需要使用100nm程度之膜厚。 圖型之尺寸，在64MDRAM用途之5.倍之情況時，大約為 1.0〜1.5w m0 依照這種方式*在上移式相位轉移光掩模之情況時，因 為茌厚度lOOnra之遮光膜圖型上形成厚度400nm之相位轉移 橫，所Μ在圖5所示之習知之製造工程中，轉移層（相位轉 移層）之表面會受到下層之遮光膜圖型之凹凸之影響，其 剖面變成如圖6(a)所示之剖面，在同一光透過部内會產生 相位之温亂，因此不能正確的控制相位角為其間題。 另外*由於圖型之間隔，和相位轉移膜之成膜法及成膜 條件之不同，會使相位轉移角受到很大之影響，亦為其問 題。 用Μ抑制相位之混亂之轉移層之理想之剖面彤狀為如圖 6 (b)或U)所示之形狀。 為著改良轉移部之剖面形狀，所W最好使轉移層在遮光 膜上形成平坦狀，此種構想被揭示在日本専利案特開平 5-2975S9號，將塗布玻璃（自旋玻璃Spin on Glass; S0G) 使用作平坦化膜。 但是*在此種方法之情況時|要MS0G在寬度1.0〜1.5 Win，具有高度大約l〇〇nm之凹凸之遮光層上，形成凹部上 之厚度為40〇nm之平坦化膜，其獲得非常困難，其結果是 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 袈· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格（210X297公釐） ―7—修正頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 410403 A7 ' B7 五、發明説明（5 f 、 轉移層變成圃（3 ( a )所示之剖面形狀·在同一光透過部內產 生相位之混亂，不能正確的控制相位角。 如上所述 > 在上移式相位轉移光掩模中，可K用來解决 :轉移廇材/料會受下層之遮光膜圖型之凹凸之影響，不能 獲得所希望之剖面形狀，在轉移材料之同一光透過部内會 產生相位之混亂，不能正確的控制相位角等問題。 [發明之概要] 本發明針對上述之間題，其目的是提读一種髙品質之上 移式相位轉移光掩模，可Μ因應光掩橫之微细化和高密集 化。 本發明之上移式4位轉移光掩摸之製造方法是在透明基 板上至少形成靡_光層-圖....型或遮光曆圃型和轉移層之蝕刻阻 擋曆，當在基上金面的形成轉移層之後，形成轉移層圖型 I其中包含有平坦化工程用來研磨除去由於遮光餍圆型之 髙低差所產生之轉移層表而之凹凸。 另外I本發明之上移式相位轉移光掩橫之製造方法是在 透明基板上至少形成遮光勝11型或遮光層麵型和轉移層之 蝕刻阻擋層，在該遮光層圖型形成面上全面的形成平坦化 層，其次在該平坦化廇上全面的形成轉移層之後，進行轉 移層圖型之形成，和/或茌透明莪板上至少形成轉移層圖 型，在該遮光層圆型形成面上全面的形成平坦化層，其次 在該平坦化層上全面的形成轉移層之蝕刻胆擋層，然後在 該触刻胆擋層上全面的形成轉移層之後，進行轉移層圖型 之形成，其中包含有平坦化工程，在全面塗布平坦化用之 本纸張尺度中國國家標準{ C'NS ) Λ4現格（2I0X297公犛) ~= (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

410403 at B7 五、發明説明（6 ) 層之後，經由研磨除去由於該遮光層画型之高低差所產生^ 之該表面之凹凸，用以進行平妲化|藉Μ形成平坦化層。 另外，在上述之基板上，至少形成遮光層圃型或遮光曆 圖型和轉移層之蝕刻咀擋阍，在該遮光層圖型形成面上全 面的形成平坦化1，其次茌該平坦化層上全面的形成轉移 層之後，進行轉移曆圖型之形成|在轉移層圖型之形成之 後，對平坦化層迆行與轉移層相同之圖型加工。 本發明之上移式相位轉移光掩模用基板之製造方法是在 透明基板上至少形成遮光層圖型或遮光層圖型和轉移層之 蝕刻阻擋層，在其上全面的形成轉移層，其中包含有平坦 « 化工程用來研磨除去由於遮光曆圖型之髙低差所產生之轉 移層表面之凹凸。’ 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，本發明之上移式相位轉移光掩橫用基板之製造方 法是在透明基板上至少形成遮、光層圖型或遮光層.圃型和轉 移層之阻擋曆，在其上全面的形成平坦化曆，在該平坦化 層上全面的形成轉移層*和/或在透明®板上至少形成遮 光層圖型|在該遮光層圖型形成而上全面的形成平坦化層 ，其次在該平坦化層上全而的形成轉移層*其中包含有平 坦化工程，在全面塗布平坦化用之層之後*經由研磨除去 由於該遮光層乏高低差所產生之該層之表面之凹凸，用Κ 進行平坦化，藉Μ形成平坦化層。 本發明之上移式相位轉移光掩模是在透明基板上至少設 有遮光層圖型或遮光層圖型和轉移層之蝕刻阻播層，在其 上具有轉移層圖型，其中利用研磨使轉移層圖型被平坦化。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Μ規格（210 X 297公使} 410403 Λ7 B7 五、發明説明（7 ) 另外，本發明之上移式相位轉移光掩模是在透明基板上. 至少設有遮光曆圖型或遮光層圖型和轉移層之蝕刻胆擋層 ，在其上依照順序的具有平坦化層和轉移層圃型，和/或 在透明基板上依照順序的具有遮光層圖型，.平坦化層*轉 移層之蝕刻阻擋曆，和轉移層圃型，其中經由研磨使該平 坦化層被平坦化。 另外，本發明之上移式柑轉移層光掩模是在上述之透明 基板上至少設有遮光層圃型或遮光層圖型和轉移曆之蝕刻 姐擋層，在其上依照順序的具有平坦化層和轉移層圖型， 其中將平坦化層加工成與轉移層相同之圖型，促成透過由 4 兩層所形成之«層圖型之曝光之光，和透過沒有積餍圖型 之區域之曝光之光之相位差4在 m Λ ~η / 3 <彡<πιπ + π /3(m為奇數）之範圃。 本發明之上移式相位轉移光掩模基板是在透明基板上至 麵 _ 少設有遮光層圖型或遮光層圖型和轉移層之蝕刻阻擋曆’ 在其上全面的具有轉移層，其中該轉移層經’由研磨被平坦 化° 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，本發明之上移式相位轉移光掩橫用基板是在透明 基板上至少設有遮光層圓型或遮光層圖型和轉移層之蝕刻 阻擋曆，在其上依照順序的具有平坦化層和轉移層•和/ 或在透明基板上依照順序的具有遮光廇圖型，平坦'化層’ 轉移層之蝕刻阻擋層，其中該平坦化層經由研磨被平坦化。 另外，本發明之上移式相位轉移光掩模用基板是在上述 之透明基板上至少設有遮光層圃型或遮光層圖型和轉移層 本紙張尺度適用中國國家標毕（0阳）以規格（210'/ 297公趙) Ή — A7 B7 410403 五、發明説明（8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之独刻阻擋曆，在其上順序的具有平坦化層和轉移層，其〆 中促成透過平坦化層和轉移層之植層之曝光之光，和通過 相同光路波長之空氣之唱光之光之相位差4在 ηιπ - π /3<彡<m?r + 7t /3(m為奇数）之範圃。 另外，在上述本發明之上移式相位轉移光掩橫或上移式 相位轉移光掩橫®板之製造方法中·利甩化學式機械研磨 用來進行表面凹凸之平坦化。 另外，在上述木發明之上移式相位轉移光掩横或上移式 相位轉移光掩模基板上，利用ib學式機械研磨用來進行表 面凹凸之平坦化。 本發明之上移式¥位轉移光掩描利用此種方式所構成， 轉移層不會受到下曆之遮光膜圃型之高低差之影響，可以 形成平坦狀。因此|轉移 圖型’之轉移層厚在同一光透過 部内（開口部内）缵為均一，利用埴種方式，在對晶片投影 曝光時*在同一光透過部内（開口部内）不會產生相位之混 亂。. 其结果是可以提供一種能夠正確控制相位角之上移式相

I 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 位轉移光掩模。 另外，本發明之上移式相位轉移光掩模用基板利用此種 方式所構成，如上所述I可以提供能夠正確控制相位角之 上移式相位轉移光掩橫製作用之蕋板。 另外，本發明之上移式相位轉移光掩樓之製造方法可Μ 製堦上述之能夠正確控制相位角之本發明之上移式相位轉 移光掩模，本發明之上移式相位轉移光掩橫用基板之製造 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS ) Λ4规格（210Χ297公婕) =~^~~" A7 __^_41 Q4Q3 五、發明説明（9 ) 方法可Μ製造上述之本發明之上移式相位轉移光掩棋用基. 板。 亦即，申請專利範圃第1和2項之製造方法利用此種方式 所構成，工程數自變少，其結規避可Μ很容易的黄施*申 請專利範圃的筲施，申請專利範園第3和4項之製造方法， 經由在平坦化層形成後之平坦化曆上設置在蝕刻阻擋層， 即使由於研磨使平坦化層之膜厚本身產生變動時，若可Μ 保捋平坦性，則不會損害相位轉移量之均一性為其優點， 可Μ不需要正確的檢測研磨之終點。 另外，在本發明中因為利用CMP(Cheroical Mechanical Po 1 i s h i n g )進行研磨，經由監視容贵，藉Μ監視旋轉驅動 部之轉矩之變化，因此可Μ進行研.磨終點之檢測，？g Μ Κ 良好之精確度控制厚度，另外I可以進行不會發生粒子之 平坦研磨。 . 由本發明之說明書當可濟楚和瞭解本發明’之其他目的和 優點。 下面將Μ舉例之方式用來說.明本發明所包含之結構之特 徵，元件之組合|和各個部份之配置，和本發明之範園將 Κ所附之申請專利範圍來界定。 [附圖之簡要說朋]. ' 圖1是工程概略圃，用來說明本發明之莨胞例1。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ! - 12 _修正頁 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 L8' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 410403 a7 B7 五、發明説明（10 ) 圖2是工程概略圖，用來說明本發明之實施例2。 圖3是工程概略圖，用來說明本發明之實施例3。 圖4用來說明本發明之實施例所使用之CMP裝置。 圖5是習知之上移式相位轉移光掩模之製造工程概略圖。 圖6用來說明上移式相位轉移光掩模中之轉移圖型部剖 面形狀。 圖7用來說明使用上移式相位轉移光掩模在晶Η上進行 投影曝光時之解像度。 [較佳具體例之說明] 下面將參照圖1用來說明本發明之實施例1。圖1用來說 明實施例1之ί線暘光用之上移式相位轉移光掩模之製造工 程。 在光掩模用合成石英基板101上，利用以下之條件，對 作為蝕刻阻擋層之氧化給膜102進行噴漉成膜，使其成為 20ιιιπ之厚度。噴濺條件如下所述。 方式：RF磁控管噴濺器 靶標：氧化給 氣體和壓力：氬，3pa 成膜速度：大約0.5nm/min 於前述之氧化給膜102上，即在鉻遮光膜之兩面上設置有 該由氧化氮膜所形成之低反射層，而藉Μ形成遮光膜，同時 ，遒利甩習知之光刻技術，對於前述之遮光膜，進行選擇性 之蝕刻處理，而藉以獲得所希望之遮光膜圖型103。（a) 另外，遮光膜之成膜條件和遮光膜圖型103之製作之光 刻術處理之進行與習知之石英基板和鉻遮光層所形成之光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A衫見格（2丨0X297公釐） -I3- 修正；f {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .袈· 訂 410403 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（U) 掩模之情況完全相同。利用觸針式表面粗度計測定該遮光 膜圖型103之厚度大約為120nm。 其次，在該遮光膜圖型103面上，利用旋轉塗布法，全 面的塗布市面上所販賣之S0GU亞來伊特希克那路公司製 之玻璃211S)，在氮氣之環境中，Μ 300度燒成1小時，燒 成後之膜厚大約25 On m，用Κ獲得S0G膜104。 然後，如圖4之模式方式所示，利用CMP (Chen icai Mechanical Polishing)裝置對S0G進行研磨直至遮光膜圖 型接合在研磨襯墊，藉Μ在遮光膜之開口部製作120ηιπ之 平坦之S0G膜104a。（c) 下面將簡單的說明画4所示之CMP装置。 在圖4中，符號之401是基板，經由基板保持器40 2被安装 在基板旋轉台403。該基板旋轉台之下面409由膜片所形成 ，經由閥404將壓縮空氣導人到基板旋轉台403内，藉以利用 均一之壓力可K將基板401推壓到被固定在霣驗台40 8上之 研磨襯墊406。另外，在研磨中可Μ經由管子407供給指定 之蔡液。旋轉台經由支持棒40 5被施加有適當之負載，如圖 所示，用來在襯墊上進行公轉。經由監視襯墊之容量用來 檢測該研磨之終點。利用這種方式用以獲得S0G膜10 4a。 另外，在研磨之终點之檢測時，可K使用監視旋轉驅動 部之轉矩之方法和上述之襯墊容量監視方法兩者同時兼用。 另外一方面，該S0G之燒成後之i線波長（365nm)之折射 率利用分光偏析儀求得為1.45。因此，利用（1)式，因為 使相位反轉所爾要之膜厚大約為410nm*在S0G膜l〇4a上更 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -I4-修正貝· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝- 訂 410403 A7 B7__ 五、發明説明（12 ) 塗布有290nra之S0G105藉Μ進行燒成製作，用Μ獲得本發 明之上移式栢位轉移光掩模用基板l〇A° (d) 該基板未包含有習知之研磨工程，其與上移式基板之不 同是表面形成平坦。 另外，利用通常之光刻術，尉該S0G膜進行製版’製作 由所希望之圖型所形成之轉移圖型部l〇5a。由該s〇G膜所 形成轉移圖型部105a之蝕刻，利用K下之條件進行乾式蝕 刻0 方式：RF反應性離子蝕刻 氣體和壓力：CHF3 : 02 = 10 : 1 . 5p3 電力：ΙΟΟΙί 利用這種方式用Μ獲得本發明之上移式相位轉移光掩模 10Β 。 （e) 該相位轉移光掩模10B是使栢位轉移圃型部之剖面 形狀如圖6(b)所示之剖面形狀，Μ習知之製造方法（圓5) 所製作出之如圖6(a)所示之剖面形狀，在同一開口部内之 相位轉移膜厚之分布不會不均―，S0G轉移之膜厚變成均 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) m·* 。 在本實陁例1中，利用被研磨之S0G膜104和被圃型製作 之S0G膜105a用來形成轉移層，被研磨之S0G膜104a擔任作 為平坦化層之任務。 在本實施例中是使作為平坦化層l〇4a和S0G膜者使用相 同之材質，但是也可以利用不同之材質之組合用來形成轉 移層。_____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 修正貝· A 7 - B7 五、發明説明（13) 另外，在本實施例中，作為蝕刻阻擋層之氧化給膜1Ό 2 亦可以使遮光膜圖型1 0 3先形成在合成石英基板1 0 1上，然 後在該掩模之全部之面進行成_。 另外，在本實例中，使被研J0後之S 0 G膜1 0 4. a之膜厚與 遮光層1 0 3之膜厚相同，因為利用上述之C Μ P裝置使遮光膜 圖型接合研磨襯墊•所Μ可Μ確莨的控制膜厚。 另外，作為平坦化餍之S 0 G 1¾ 1 0 4 a和S 0 G膜1 0 5 a之兩廇所 形成之橫層圖型之透過之暍光之光和沒有積曆圖型之區域 之透過之曝光之光之相位差4假如在 m?r-ir/3<<6<ni7i+7i/3(ni 為奇數） i 之範圍時，則在對晶片進行投影曝光時，可以有效的提高 解像度。 此處所舉例的是使用氧化给（Η Γ 0 2 )作為蝕刻咀擋層，使 用SOG作為平妲化廇.和轉移曆，怛是也可Μ使用其他之材 料。 下面將說明莨胞例2 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 下面將使用圖2用來說明本發明之興胞例2。圖2用來說 明實胞例2之i線_光用之上移式相位轉移光掩橫之製造工 程。 與實胞例1同樣的，茌光掩横用合成石英基板2 0 1上，進 行噴溅成膜，形成2 0 n m之厚度之氣化給膜2 0 2，在其上兩 面設置由氣化氮化膜所形成之低反射賻，在形成遮光膜圖 型2 0 3之後（a )，衽該遮光膜閫型2 0 3而上形成S 0 G膜2 0 4， 其燒成後之膜淳大約為5 6 Ο η η)。_( b ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公矩） 410403 Λ7 B7 經濟部中央標準局肩工消費合作社印製 五、發明説明（ 14) 1 1 | 其 次 使 用 實 施 例 1所用 CMP (Cheffii cal Mechanical 1 1 1 Po 1 ί s h in g ) 裝 置 使 該S0G膜204進行 平坦 化，用來製作由 | 請 1 I 膜 厚 410η τπ 之 S [JG 膜 所 彤成之平坦化層 205 藉以形成上移 先 閱 1 式 相 位 轉 移 光 掩 橫 用 基板 20A。（c) 讀 背 1 1 面 I 然 後 使 用 該 上 移 式相位轉移光掩 模用 基板20A，與實 之 注 | 意 I 施 例 1同樣的， 對S0G 膜20 5進行製版， 藉以製作由所希望 事 項 1 [ 再 [ f - 之 圖 型 所 形 成 之 轉 移 圖型部205a，用 以獲 得本發明之上移 寫 本 袈 式 相 位 轉 移 光 掩 模 20B。（d) 頁 1 該 相 位 轉 移 光 掩 模 20B之轉移圖型部205 a之表面為平坦 1 I 狀 如 同 習 知 之 上 移 式相位轉移光掩 模， 同一開口部內之 Ί 相 位 轉 移 膜 厚 之 分 布 不會不均一，S0G轉移之膜厚為均— i 訂 ϋ 另 外 在 此 實 施 例 中*作為鈾刻阻 擋層 之氧化給膜202 - 1 1 亦 可 Μ 使 遮 光 膜 FBft 画 型 203先形成在合成石英基板202上，然 1 1 後 再 在 該 掩 模 之 全 部 之面進行成膜。 另外 *在此處所舉之 1 1 I 實 例 是 使 用 氧 化 給 (H f 0 2)作為蝕刻阻 擋層 ，使用S0G作為 1 '·. 平 坦 化 層 和 轉 移 層 但是也可Μ使用 其他 之材料。 1 1 下 面 將 說 明 實 施 例 3 - 1 1 下 面 將 使 用 ten 圖 3甩來說明本發明之實施例3。圖3用來說 i I 明 實 施 例 3之ί 線 曝 光 用之上移式相位 轉移 光掩模之製造工 I 1 1 程 0 1 1 與 實 m 例 1同樣的 ，在光掩模用合成石英基板301上，於 1 1 其 兩 面 設 置 由 氧 化 氮 化膜所形成之低 反射 層*在形成遮光 1 1 膜 圖 型 303之後（a) 9 於該遮光膜圖型 303面上形成S0G膜* 1 I 其 燒 成 後 之 膜 厚 大 約 為 350nm〇 (b) 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17-修正頁 410403 A7 B7 ， 五、發明説明（15). (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，使用贳施例1所用之C Μ P ( C h e 0丨c a 1 M e c h a n i c a 1 P o 1 1 s h i η g )裝置，使該S 0 G膜迆行平坦化，用來製作由膜 厚2 5 0 n m之S 0 G臌所形v成之平坦化屑3 0 4。（ c ) 其次，在該平坦化曆3 0 4上設置由氧化给所形成之触刻 阻擋曆3 0 5，其厚度為2 0 η m ((j )。該蝕刻姐擋層3 0 5之形成 方法和條件與窩胞例1相同。 Μ與上述者同樣之方式，在所形.成之蝕刻阻擋層3 0 5上 塗布S 0 G膜，在燐成後由S 0 G形成厚度4 1 0 n m之轉移層3 0 6， 藉Μ形成上移式相位轉移光掩橫用基板3 0 A。（ V) 然後，使用該上移式相位轉移光掩棋用基板3,0 A，與寶 胞例1同樣的，將S 0 G膜3 0 S製版成所希望之圖型3 0 6 a，用 Μ獲得本發明之上移式相位轉移光掩愤3 0 B。（ f ) 在此處所舉之贳例是使用氧化給（H f 0 2 )作為鈾刻阻擋層 ，使用S 0 G作為平坦.化層和轉移曆，但是也可Μ使用其他 之材料。 該相位轉移光掩模之S 0 G轉移部3 0 6 a之表面為乎坦狀， 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 K習知之上移式相位轉移光掩橫來看，在同一開口部內之 相位轉移膜厚之分布不會不均一 > S 0 G轉移之膜厚為均一 ，在對晶片進行投影曝光時，相位不會混亂。 利用本發明之上移式相位轉移光掩橫和基板及其製造方 法，可Μ提供能夠因應L S I，超L S I，超超L S I等之微细化 ，髙密集度化要求之上移式相位轉移光掩楔。 亦即·所提供之上移式相位卿移光掩模可Κ正確的控制 相位角，可Μ將微ffl之圖型轉印到晶片上。 --~~=- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0X 297公廣） 1 0

Claims (1)

1. 辨赠 88. 10. -4修正本 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一 二 1 1 I 1 . 一 種 上 移 式 相 位 轉 移 光 掩 模 之 製 造 方 法 在 透 明 基 板 1 1 1 I 上 至 少 形 成 遮 光 層 画 型 或 遮 光 層 圖 型 和 轉 移 層 之 蝕 刻 阻 擋 1 I 請 1 J 層 9 當 在 其 上 全 面 的 彤 成 轉 移 層 之 後 形 成 轉 移 層 圖 型 9 先 閱 1 Ϊ 讀 1 而 且 在 遮 光 圖 型 上 至 少 有 部 份 之 轉 移 層 圖 型 里 簠 疊 ί 背 面 1 * 1 之 其 特 徵 是 包 含 有 平 坦 化 工 程 用 來 研 磨 除 去 由 於 遮 光 層 圖. 注 意 1 I 型 之 高 低 差 所 產 生 之 轉 移 層 表 面 之 凹 凸 0 事 項 1 [ 再 I 2. 一 種 上 移 式 相 位 轉 移 光 掩 模 用 基 板 之 製 造 方 法 9 在 透 身 木 明 基 板 上 至 少 形 成 遮 光 層 圖 型 或 遮 光 層 圖 型 和 轉 移 層 之 蝕 頁 1 刻 胆 擋 層 在 其 上 全 面 的 形 成 轉 移 層 其 特 徵 是 包 含 有 I 平 坦 化 工 程 用 來 研 磨' 除 去 由 於 遮 光 層 圖 型 之 高 低 差 所 產 生 1 I 之 轉 移 層 表 面 之 凹 凸 0 1 訂 3 . 一 種 上 移 式 相 位 轉 移 光 掩 模 之 製 造 方 法 在 透 明 基 板 1 1 上 至 少 形 成 遮 光 圖 型 或 遮 光 層 圖 型 和 轉 移 層 之 蝕 刻 阻 擋 I I 層 在 該 趣 光 層 画 圖 型 形 成 面 上 全 面 的 m 成 平 垣 化 層 其 次 1 1 | 在 該 平 坦 化 層 上 全 面 的 形 成 轉 移 曆 之 後 進 行 轉 移 層 圖 型 1 p知 之 形 成 而 且 在 遮 光 ΓΒΠ 圆 型 上 至 少 有 — 部 份 之 轉 移 層 圖 型 -· / 1 1 圼 重 疊 和 /或在透明基板上至少形成遮光層圔型 在該 1? 1 . 遮 % 層 圖 型 形 成 面 上 全 面 的 形 成 平 坦 化 層 其 次 在 該 平 坦 1 1 化 層 上 全 面 的 m 成 轉 移 層 之 蝕 刻 姐 擋 層 9 然 後 在 該 蝕 刻 阻 1 1 擋 層 上 全 面 的 形 成 轉 移 層 之 後 3 進 行 轉 移 層 圖 型 之 形 成 1 1 .而 且 在 遮 光 圖 型 上 至 少 有 部 份 之 轉 移 層 tm ϋ) 型 呈 重 疊 鲁 t ! I 其 特 徵 是 » * 包 含 有 平 坦 化 工 程 在 全 面 塗 布 平 坦 化 用 之 層 1 I 之 後 ♦ 經 由 研 磨 除 去 由 於 該 遮 光 層 圖 型 之 高 低 差 所 產 生 之 1 1 該 層 表 面 之 凹 凸 3 用 Μ 進 行 平 坦 化 5 藉 Μ 形 成 平 坦 化 層 〇 1 1 本紙涑尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 辨赠 88. 10. -4修正本 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一 二 1 1 I 1 . 一 種 上 移 式 相 位 轉 移 光 掩 模 之 製 造 方 法 在 透 明 基 板 1 1 1 I 上 至 少 形 成 遮 光 層 画 型 或 遮 光 層 圖 型 和 轉 移 層 之 蝕 刻 阻 擋 1 I 請 1 J 層 9 當 在 其 上 全 面 的 彤 成 轉 移 層 之 後 形 成 轉 移 層 圖 型 9 先 閱 1 Ϊ 讀 1 而 且 在 遮 光 圖 型 上 至 少 有 部 份 之 轉 移 層 圖 型 里 簠 疊 ί 背 面 1 * 1 之 其 特 徵 是 包 含 有 平 坦 化 工 程 用 來 研 磨 除 去 由 於 遮 光 層 圖. 注 意 1 I 型 之 高 低 差 所 產 生 之 轉 移 層 表 面 之 凹 凸 0 事 項 1 [ 再 I 2. 一 種 上 移 式 相 位 轉 移 光 掩 模 用 基 板 之 製 造 方 法 9 在 透 身 木 明 基 板 上 至 少 形 成 遮 光 層 圖 型 或 遮 光 層 圖 型 和 轉 移 層 之 蝕 頁 1 刻 胆 擋 層 在 其 上 全 面 的 形 成 轉 移 層 其 特 徵 是 包 含 有 I 平 坦 化 工 程 用 來 研 磨' 除 去 由 於 遮 光 層 圖 型 之 高 低 差 所 產 生 1 I 之 轉 移 層 表 面 之 凹 凸 0 1 訂 3 . 一 種 上 移 式 相 位 轉 移 光 掩 模 之 製 造 方 法 在 透 明 基 板 1 1 上 至 少 形 成 遮 光 圖 型 或 遮 光 層 圖 型 和 轉 移 層 之 蝕 刻 阻 擋 I I 層 在 該 趣 光 層 画 圖 型 形 成 面 上 全 面 的 m 成 平 垣 化 層 其 次 1 1 | 在 該 平 坦 化 層 上 全 面 的 形 成 轉 移 曆 之 後 進 行 轉 移 層 圖 型 1 p知 之 形 成 而 且 在 遮 光 ΓΒΠ 圆 型 上 至 少 有 — 部 份 之 轉 移 層 圖 型 -· / 1 1 圼 重 疊 和 /或在透明基板上至少形成遮光層圔型 在該 1? 1 . 遮 % 層 圖 型 形 成 面 上 全 面 的 形 成 平 坦 化 層 其 次 在 該 平 坦 1 1 化 層 上 全 面 的 m 成 轉 移 層 之 蝕 刻 姐 擋 層 9 然 後 在 該 蝕 刻 阻 1 1 擋 層 上 全 面 的 形 成 轉 移 層 之 後 3 進 行 轉 移 層 圖 型 之 形 成 1 1 .而 且 在 遮 光 圖 型 上 至 少 有 部 份 之 轉 移 層 tm ϋ) 型 呈 重 疊 鲁 t ! I 其 特 徵 是 » * 包 含 有 平 坦 化 工 程 在 全 面 塗 布 平 坦 化 用 之 層 1 I 之 後 ♦ 經 由 研 磨 除 去 由 於 該 遮 光 層 圖 型 之 高 低 差 所 產 生 之 1 1 該 層 表 面 之 凹 凸 3 用 Μ 進 行 平 坦 化 5 藉 Μ 形 成 平 坦 化 層 〇 1 1 本紙涑尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4104Q3 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4. 一種上移式相位轉移光掩模基板之製造方法*在透明 基板上至少形成遮光層圖型或遮光層圖型和轉移層之蝕刻 阻擋層，在其上全面的形成平坦化層，在該平坦化層上全 面的彩成轉移層*和/或在透明基板上至少形成遮光層圖 型，在該遮光層圖型形成面上全面的彤成平坦化層*其次 在該平坦化層上全面的彤成轉移層之蝕刻阻擋層*然後在 該蝕刻阻擋層上全面的形成轉移層；其特徵是：包含有平 坦化工程，在全面塗布平坦化用層之後，經由研磨除去由 於該遮光層圖型之高低差所產生之該層表面之凹凸，用Μ 進行平坦化，藉以形成平坦化層。 5. 如申請專利範圍第3項之上移式相位轉移光掩模之製 造方法，在透明基板上至少形成遮光層圖型或遮光層圖型 和轉移層之蝕刻阻擋層*在該遮光曆圖型胗成面上全面的 彤成平坦化層*而且在遮光圖型上，至少有一部份之轉移 層圖型呈重疊；其次在該平坦化層上全面的形成轉移層之 後*進行轉移層圖型之形成；其特激是：在形成轉移層圖 型之後•將平坦化層加工成與轉移層相同之圖型。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之上移式相位轉移 光掩模或上移式相位轉移光掩橫基板之製造方法*其特徵 是：利用化學式機械研磨用來進行表面凹凸之平坦化。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 2