TW408408B - Lithographically defined microelectronic contact structures - Google Patents

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408408 _案號87120731_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 1 3 .如申請專利範圍第1項之方法，其中：罩幕材料層具 有在大約5 0微米與2 0 0微米之間的厚度。 1 4.如申請專利範圍第1項之方法，其中在罩幕層中的開 口包括：在電子組件的表面上之一區域，它可能包括一些 或所有端子，具有一個大約1 〇，〇 〇 〇到大約4 2，0 0 0平方微米 的面積。 1 5 .如申請專利範圍第1項之方法，其中在罩幕層中的開 口包括：在電子組件的表面上之一區域，它可能包括一些 或所有端子，並足以牢固最後接觸結構。 1 6.如申請專利範圍第1 1項之方法，其中：傾斜區具有 在大約6 0度與大約7 5度之間的平均角度。 1 7.如申請專利範圍第6項之方法，其中··突出元件突出 距罩幕層在大約5 0微米與1 7 5微米之間。 1 8.如申請專利範圍第6項之方法，其中：突出元件具有 在大約1 2 5微米與大約3 7 5微米之間的底部尺寸。 1 9.如申請專利範圍第1項之方法，其中：種晶層具有在 大約1 0 0 0埃（A)與4 2 0 0埃之間的厚度。 2 0 .如申請專利範圍第1項之方法，其中：種晶層包括金 層，它具有大約2 5 0 0到大約4 2 0 0埃的厚度。 2 1 .如申請專利範圍第1項之方法，其中：種晶層包括銅 層，它具有大約1 0 0 0到大約3 0 0 0埃的厚度。 2 2.如申請專利範圍第2項之方法，其中：初始導電層具 有大約3000埃與大約6000埃之間的厚度。 23.如申請專利範圍第2項之方法，其中：初始導電層包

O:\56\56213-960330.ptc 第66頁 408408 _案號87120731_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 括一種鈦和鹤的合金。 2 4 .如申請專利範圍第2項之方法，還包括：將第二導電 層沉積在初始導電層上。 2 5 .如申請專利範圍第2 4項之方法，其中：第二導電層 是金層，它具有在大約2500埃與大約4500埃的厚度。 2 6 .如申請專利範圍第1項之方法，其中罩幕材料包括一 種選自：由聚醯胺，酚醛清漆（Novo lac)樹脂，以及光敏 抗餘劑所組成之組群的材料。 2 7.如申請專利範圍第1項之方法，其中：開口具有側 壁，而種晶層則實質上覆蓋著側壁。 2 8.如申請專利範圍第1項之方法，其中：開口具有側 壁，而種晶層則只是部份覆蓋著侧壁。 2 9 .如申請專利範圍第1項之方法’，其中利用一種選自： 由濺鍍，化學蒸汽沉積法，物理蒸汽沉積法，以及電子束 沉積法所組成之組群的方法來沉積種晶層。 3 0.如申請專利範圍第1項之方法，其中：利用電解電鍍 來沉積整層導電材料。 3 1 .如申請專利範圍第1項之方法，其中利用一種選自·· 由電解電鍍，無電鍍，化學蒸汽沉積法，物理蒸汽沉積 法，一種涉及沉積出自於水溶液之材料的方法，以及一種 造成因液體或固體之先驅物感應分解而產生之材料的方法 所組成之組群的方法來沉積整層導電材料。 3 2.如申請專利範圍第1項之方法，其中：整層導電材料 包括鎳。

O:\56\56213-960330.ptc 第67頁 408408 _案號87120731_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 3 3 .如申請專利範圍第1項之方法，其中整層導電材料包 括一種選自：由鎳，銅，始，鐵，金，銀，翻族元素，貴 金屬，半貴金屬，飽族元素，鶴，以及銦所組成之組群的 材料。 3 4.如申請專利範圍第1項之方法，進一步包括：在電子 組件的端子與離開此端子處而安置的電子組件表面上之一 遠距端子之間形成一導電組件，然後將具有開口的罩幕層 沉積在遠距端子而不是原端子的上方，並且根據在罩幕層 中的開口 ，進一步沉積種晶層和一整層，以接觸遠距端 子。 3 5.如申請專利範圍第1項之方法，還包括：製造一個分 離末端結構，並且將它永久性地接合到接觸結構，以製作 一第二改良式接觸結構。 3 6.如申請專利範圍第1項之方法，進一步包括：製造一 個被連接到分離頂端結構的間隔柱結構’並且將間隔柱結 構接合到接觸結構，以製作一種第三改良式接觸結構。 3 7.如申請專利範圍第1項之方法，其中：電子組件是一 種半導體元件。 3 8.如申請專利範圍第1項之方法，其中：電子組件是尚 未和晶圓離異的一種半導體元件。 3 9.如申請專利範圍第1項之方法，其中電子組件是選 自：由半導體元件，記憶體元件，半導體晶圓之一部份， 一完整半導體晶圓，空間變換器，陶瓷元件，探測卡，晶 片載體，以及插座所組成之組群。

O:\56\56213-960330.ptc 第68頁 408408 _案號87120731_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 4 0 .如申請專利範圍第1項之方法，其中：種晶層的底部 區和端子有實體接觸。 4 1 .如申請專利範圍第1項之方法，其中：種晶層的底部 區雖然距離端子而位移，但是和端子有電接觸。 4 2 . —種導電材料的接觸結構，包括： 連接到一種電子組件之一底部區，該電子組件具有一 表面和鄰接表面之一端子； 一主體區，遠離表面而位移，並連接到底部區； 底部區和主體區各自包括導電材料； 藉此，將接觸結構牢固到電子組件並電連接到端子， 且其中：底部具有實質上形成一種部份漏斗式結構的側 歸 〇 4 3.如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，進一步包括主 體區，它包括一近似圓形區，該區具有一内曲線，其近似 圓形之内徑小於具有一近似圓形外徑的外曲線，而内徑的 中心點會適當地偏移外徑的中心點則使得可以近似圓形的 區域勾勒出一彈性構件的輪廓。 4 4.如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，進一步包括一 末端區，它連接到主體區，並且突離出主體區及電子組件 的表面，並電連接到端子。 4 5 .如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，其中：主體區 近似平行於電子組件的表面，並且距離該表面而位移。 4 6 .如申請專利範圍第4 5項之接觸結構，其中：至少是 主體區的一部份會距離電子組件的表面而位移了在125微

O:\56\56213-960330.ptc 第69頁 408408 案號 87120731 曰 修正 六、申請專利範圍 米與5毫米之間的距離。 4 7.如申請專利範圍第4 5項之接觸結構，其中：至少是 主體區的一部份會距離電子組件的表面而位移了在5 0微米 與2 0 0微米之間的距離。 4 8 .如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，還包括：在被 連接底部區與主體區之間的傾斜區。 4 9 ·如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，其中：將底部 區連接到電子組件的表面，它可能包括一些或所有端子， 並具有大約1 0，0 0 0到大約4 2，0 0 0平方微米的面積。 5 0.如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，其中：將底部 區連接到電子組件的表面，它可能包括一些或所有端子， •並具有至少一個足以牢固接觸結構的區域。 5 1 .如申請專利範圍第4 8項之接觸結構，其中：傾斜區 具有在大約60度與大約75度之間的平均角度。 5 2.如申請專利範圍第44項之接觸結構，其中：頂端區 突出距遠離電子組件之表面的主體區在大約5 0微米與1 7 5 微米之間。 5 3 .如申請專利範圍第4 4項之接觸結構，其中：頂端區 具有在大約1 2 5微米與大約3 7 5微米之間的底部寬度，通常 是平行於電子組件之表面而測得的。 5 4.如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，其中：底部具 有實質上形成一種完全漏斗式結構的側壁。 5 5 ·如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，其中：導電材 料包括鎳。

O:\56\56213-960330.ptc 第70頁 408408 _案號87120731_年月日 修正_ 六、申請專利範圍 5 6.如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，其中導電材料 包括一種選自：由鎳，銅，鈷，鐵，金，銀，鉑族元素， 貴金屬，半貴金屬，纪族元素，鎢，以及翻所組成之組群 的材料。 5 7 .如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，還包括： 鄰接電子組件之表面之一遠距端子；以及 將遠距端子連接到電子組件之端子之一導電組件； 其中將底部區牢固到並連接到至少是遠距端子的一部 份，進而電連接到電子組件之端子。 5 8 .如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，其中：電子組 件是一種半導體元件。 5 9 .如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，其中：電子組 件是已經和晶圓離異的一種半導體元件。 6 0 .如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，其中電子組件 是選自：由半導體元件，記憶體元件，半導體晶圓之一部 份，一完整半導體晶圓，空間變換器，陶瓷元件，探測 卡，晶片載體，以及插座所組成之組群。 6 1 .如申請專利範圍第4 2項之接觸結構，還包括：將一 分離頂端結構永久性接合到接觸結構，以製作一種第二修 改式接觸結構。 6 2 ·如申請專利範圍第6 1項之接觸結構，進一步包括： 將一種間隔柱結構連接到分離頂端結構並接合到接觸結 構，以製作一種第三修改式接觸結構。 63. —種藉由提供在其上具有第二端子的第二電子組件

O:\56\56213-960330.ptc 第71頁 408408 案號87120731 年月日 修正 圍 範 利 專 .請 中 如 用 使 以 加 子 端二 第 到 觸 接 構 圍結懷觸 利· 表接 青"將 、並 六 法 方 的 構 結 觸 接 之 項 2 4 第 現 實 括 包 步一 進 法 方 之 項 3 6 第 圍 範 利 專 請 中 如 4 6 在 現 實 便 以 接 ii 力 壓。 種接 一連 Ιον 間的 之間 子之 端子 二端 第二 與第 構與 結子 觸端 接一 在第 進 法 方 之 項 3 6 第 圍 範 利 專 請！ 申構 D結 士蜀 • 角 65接 在 現 實 括 包 步 的 間 之 一 子子夂備 端端W準 二二製構 第第來結 與與ffl觸 子t接 種端一供 1 ·以 第66壁 在 側 接 *-gc il 性 久 永 種 以 現 實 之纟 中括 口包 3法 之方 。中該 接層， 連'4法 勺 勺 6幕6 ㈤罩帛 之一之 斜 傾 底材 基幕 一罩 供一 提將 層中 f L- I 料層彳 料 材 幕 罩 在 專 請 申 如 上 底 基 到 塗 敷 ο一 之 壁 側 斜 傾 有 具 成 形 對 是 料 材 幕 罩 中 其 法 方 之 項 6 6 第 圍 以面 ，表 上一 面第 表距 一在 第是 的約 底大 基面 到表 塗該 敷， 層面 料表 材二 幕第 罩的 將層 並料 ，材 的幕 敏罩 靈得 光獲 之 面 表 1 第 於 行 平 有 具 到 光 :曝 括區 包一 還第 法的 方層 該料 ，材 處幕 離罩 距將 段 有 第 第量 之 面 表 1 第 於 行 平 有 •，具 度到 罙光 第區 的二 彡第 n^> ο 白 S1層 en料 lm材 (d幕 元罩 次將 測次 乃二 此第 ，的 淺面 還表 度一 深第 一於 第行 比平 度而 深， 二面 第表 ，二 度第 深的 二層 第料 的材 元幕 次罩 層 及料 以材 •，幕 元罩 次除 一去 第中 的區 面光 表曝一已 第二 於第 行和 平一 於第 大從 則 元

O:\56\56213-960330.ptc 第72頁 408408 _案號87120731_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 藉此，在罩幕材料層上作一步階式開口 ，該開口在其 最深範圍處比在第二表面處還窄。 6 8.如申請專利範圍第6 6項之方法，其中：針對不同深 度的許多曝光量，各自具有平行於第一表面之一對應的面 積，該面積隨著對應的較淺深度而遞增地變大些，藉此， 從諸多已曝光區中去除罩幕材料層，因而形成一種具有通 常是傾斜側壁的開口。 6 9.如申請專利範圍第6 6項之方法，其中：用來準備一 種通常是傾斜側壁的製程會留下距離平滑斜面有一些不連 續性，該方法還包括加熱回流該罩幕材料層，以減輕至少 有一些不連續性。 7 0. —種用來製造在一罩幕材料層中之開口中之一傾斜 側壁以供接觸結構準備之用的方法，該方法包括： 提供一基底； 將一罩幕材料層敷塗到基底上； 在罩幕材料層中形成一開口 ，該開口具有一側壁； 加熱回流在開口區中的罩幕材料層，使得開口的側壁 變得更傾斜。 7 1 . —種用來製造在一罩幕材料層中之開口中之一傾斜 側壁以供接觸結構準備之用的方法，該方法包括： 提供一基底，該基底具有一表面； 將一罩幕材料層敷塗到基底的表面上； 以遞變角度方式來曝光罩幕材料層，使得在罩幕材料 層中的最深處的曝光具有平行於基底表面之一次元，該面

O:\56\56213-96033O.ptc 第73頁 408408 惠87120731_年月 申請專利範圍 積〗=在罩幕材料層之最淺處曝光中的曝光次元；以及 處通常^ ^ ^光罩幕材料層，以形成一種較接近基底表面 处遇节疋較窄的開口。 叫 暮7姑2·杜W請專利範圍第71項之方法，還包括：改變在罩 幕材枓層中之不同深度處的曝光強度。 -在罩 曝光罩°蓋申从請專利範圍第71項之方法，還包括：改變用來 光，而較《 = 用ΐ得較窄圖案都被用來較深處曝 7 4 λ /圖案則都破用來較淺處曝光。 在開口 °肉申其請專利範圍第68項或第71項之方法 槿杜沾给/成種成形構件（shaped member) 構件的第一部份祐p/4 I + J 部份則通常遵昭在=表面’而成形 75如申姓直幕材料層中之開口的形成 材料層而\δϋ圍第74項之方法，還包括 76. —種且有/莫到从基底的表面之一成形構件。 種圖案，的、子罩二材包料括層，該層具有諸多傾斜開口的一 i Hi件’它具有一表面； 罩幕材料層； 任旱幕材料層φ 并々 開口都具有至少一個傾二夕開口士，許多開口中至少有幾作 於近似垂直的平均…、貝1壁，δ亥傾斜側壁具有一種不芦 π ， & 用度。 、 ^ 7 ·如申請專利簕囹 壁是處在距離垂直 6項之電子組件，其中··傾斜側 78如由嗓番 面大約60到75度的平均角度。 78.如申清專利範圍第π項之電子組件，角其度中電子組件 六 曰 修正 還包括： 使得成形 去除罩幕

408408 案號87120731 年月日 修正 圍 範 利 專 請 申 六 件器 元換 體變 憶間 記空 件元 元晶 體體 導導 半半 由全 :完 自一 選， 是份 β— it口 一測 之探 一11]， 晶件 體元 導瓷 半陶 卡 晶 體用 載種括 片.包 所 座 及 以 群 組 之 成 法 方 的 構 結 觸 接一 之 區 斜 傾 - 有 具 作 製 來 件之 aaLl 子 子組 一^6-L 種 的電 一 口離 的 開遠 子 一與 端 之面 一 子表 之 端的及 面 接件以 表 鄰組； 接 有子區 鄰 具電斜 和 在在傾 面 塗種的 表 敷一間 一 層括之 有 幕包面 具 罩口表 供 一開的 法提 將該層 方 ·， ，幕 該 件 上罩 份是 部少 一至 之在 子塗 端敷 是且 少並 至， 在區 塗部 敷底 層一 積之 體層 大積 一體 之大 料成 材形 性以 彈， 將方 上 的 因以 區區 體體 主主 一和 之區 層部 積底 體接 大連 成而 形份 Λ R— J^it口- 方之 上區 的斜 份傾 部是 一少 之至 層著 幕沿 罩此 以 而 係 關 定 固 ► it 種一 照 依 並。 子構 端結 到觸 接接 連的 式底 方基 氣到 電接 以連 種式 一方 成械 形機 第 圍 範 利 專 青 構 結 觸 接 後 最 放 言釋 中f 以 如 層 80幕 罩 法 方 之 項 第 圍 範 利 專 請 中 如 法 方 之 項 層 晶 種一 積 沉 就 前 之 層 積 .體 81大 塗 進 進 除 去 括 包 步 括 包 步 敷 在 少 至 著 接 il 層 晶 種 該 在區 積體 沉主 且一 並之 ? 層 區晶 立口種 底成 一形 之以 層， 晶方 種上 成的 形份 以部- 份之 部層 一幕 的罩 子是 端少 是至 之 區 斜 傾 是 少 至 著 沿 此 因 區 體 主 和 區 部 底 接 ^gc 而 份 部 進 法 方 之 項 IX 8 第 圍 範 利 專 請 申 如 括 包 步 案 圖

O:\56\56213-960330.ptc 第75頁 408408 _案號87120731_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 設計種晶層以界定一種彈性構件之一輪廓。 8 3.如申請專利範圍第7 9項之方法，進一步包括：藉由 一種具有一個或更多個開口的蔭罩，利用沉積種晶層來圖 案設計種晶層，以界定所需種晶層的形狀。 8 4.如申請專利範圍第7 9項之方法，進一步包括：圖案 設計種晶層之主體區以包括一近似圓形區，該區具有近似 圓形之一内内曲線，它具有一内徑，該區並具有近似圓形 之一外曲線，它具有一外徑，外徑大於内徑，其中内徑的 中心點會適當地偏離外徑的中心點，使得可以近似圓形的 區域勾勒出一彈性構件的輪廓。 8 5.如申請專利範圍第7 9項之方法，進一步包括：在罩 幕層上安置一突出元件，然後將大體積層沉積得至少部份 覆蓋著突出元件，因而提供一種比大體積層沉積的其它部 份距離電子組件還移離得更遠的導電區。 8 6 .如申請專利範圍第7 9項之方法，其中：大體積層的 主體區近似平行於電子組件的表面，並且距離該表面而位 移。 8 7.如申請專利範圍第8 6項之方法，其中：主體區距離 電子組件的表面而位移了在大約5 0微米與2 0 0微米之間的 距離。 8 8.如申請專利範圍第7 9項之方法，其中：傾斜區具有 在大約60度與大約75度之間的平均角度。 8 9.如申請專利範圍第8 5項之方法，其中：突出元件突 出距離罩幕層在大約5 0微米與1 7 5微米之間。

O:\56\56213-960330.ptc 第76頁 408408 _案號87120731_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 9 0 .如申請專利範圍第8 1項之方法，其中··種晶層包括 金層，它具有大約2500到大約4200埃的厚度。 9 1 .如申請專利範圍第8 1項之方法，其中：種晶層包括 銅層，它具有大約1 0 0 0到大約3 0 0 0埃的厚度。 9 2.如申請專利範圍第7 9項之方法，其中：利用電解電 鍍來沉積整層導電材料。 9 3.如申請專利範圍第7 9項之方法，其中利用一種選 自：由電解電鍍，無電鍍，化學蒸汽沉積法，物理蒸汽沉 積法，一種涉及沉積出自於水溶液之材料的方法，以及一 種造成因液體或固體之先驅物的感應分解而產生之材料的 方法所組成之組群的方法來沉積整層導電材料。 9 4.如申請專利範圍第7 9項之方法，其中整層導電材料 包括一種選自：由鎳，銅，始，鐵，金，銀，翻族元素， 貴金屬，半貴金屬，鈀族元素，鎢，以及鉬所組成之組群 的材料。 9 5 ·如申請專利範圍第7 9項之方法，還包括：在電子組 件的端子與離開端子處而安置的電子組件表面上之一遠距 端子之間形成一導電組件，然後將具有開口的罩幕層沉積 在遠距端子而不是原端子的上方，並且根據在罩幕層中的 開口，進一步沉積種晶層和一整層，以接觸遠距端子。 9 6 .如申請專利範圍第7 9項之方法，其中：電子組件是 一種半導體元件。 9 7.如申請專利範圍第7 9項之方法，其中電子組件是選 自：由半導體元件，記憶體元件，半導體晶圓之一部份，

O:\56\56213-960330.ptc 第77頁 408408 _案號87120731_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 一完全半導體晶圓，空間變換器，陶瓷元件，探測卡，晶 片載體，以及插座所組成之組群。 9 8. —種導電材料的接觸結構，包括： 連接到一種電子組件之一底部區，該電子組件具有一 表面和鄰接表面之一端子； 一主體區，遠離表面而位移，並連接到底部區； 一傾斜區，被連接到底部區和連接到主體區，因而形 成底部區和主體區中之一或兩者的一部份； 底部區和主體區各自包括導電材料； 藉此，將接觸結構牢固到電子組件並電連接到端子， 且其中：底部具有實質上形成一種部份漏斗式結構的侧 后衰〇 9 9.如申請專利範圍第9 8項之接觸結構，還包括主體 區，它包括一近似圓形區，其中具有一近似圓形之内徑之 内曲線其是小於具有一外徑之近似圓形的外曲線，而内徑 的中心點會適當地偏移外徑的中心點，使得可以近似圓形 的區域勾勒一種彈性構件的輪廓。 1 0 0 .如申請專利範圍第9 8項之接觸結構，還包括一頂端 區，它連接到主體區，並且突離出主體區及電子組件的表 面，並電連接到端子。 1 0 1 .如申請專利範圍第9 8項之接觸結構，其中··主體區 近似平行於電子組件的表面，並且距離該表面而位移。 1 0 2 .如申請專利'範圍第9 8項之接觸結構，其中：將底部 區連接到電子組件的表面，它可能包括一些或所有端子，

O:\56\56213-960330.ptc 第78頁 408408 案號 87120731 Λ_Ά 曰 修正 六、申請專利範圍 並具有至少一 10 3.如申請 具有在大約6 0 1 0 4 .如申請 區突出距遠離 1 7 5微米之間 1 0 5 .如申請 料包括鎳。 1 0 6 .如申請 包括一種選自 貴金屬 的材料 107. 鄰 將 其 份，進 108. 件是一 109. 是選自 份，一 卡 5 晶 110. ，半貴 0 如申請 接電子 遠距端 中將底 而電連 如申請 種半導 如申請 :由半 完全半 片載體 在一種 個足以牢固接觸結構的區域。 專利範圍第9 8項之接觸結構，其中：傾斜區 度與大約7 5度之間的平均角度。 專利範圍第1 0 0項之接觸結構，其中：頂端 電子組件之表面的主體區在大約5 0微米與 專利範圍第9 8項之接觸結構，其中：導電材 專利範圍第9 8項之接觸結構，其中導電材料 :由鎳，銅，始，鐵，金，銀，錄族元素， 金屬，飽族元素，鶴，以及錮所組成之組群 專利範圍第9 8項之接觸結構，還包括： 組件之表面之一遠距端子；以及 子連接到電子組件之端子之一導電組件； 部區牢固到並連接到至少是遠距端子的一部 接到電子組件之端子。 專利範圍第9 8項之接觸結構，其中：電子組 體元件。 專利範圍第9 8項之接觸結構，其中電子組件 導體元件，記憶體元件，半導體晶圓之一部 導體晶元，空間變換器，陶瓷元件，探測 ，以及插座所組成之組群。 以石版印刷方式界定的接觸結構中，一種用

O:\56\56213-960330.ptc 第79頁 408408 案號 87120731 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 來界定底部材料層上之 將一突出區定位在 形成一種接觸結構 覆蓋底部材料層的某個 1 1 1 .如申請專利範圍 接觸結構之後就去除底 1 1 2 .如申請專利範圍 接觸結構之後就去除突 1 1 3 .如申請專利範圍 是一種能夠以石版印刷 1 1 4.如申請專利範圍 組件，在其上牢固底部 1 1 5 .如申請專利範圍 電子組件加以牢固接觸 1 1 6 .如申請專利範圍 方法來形成接觸結構： 個部份，並覆蓋底部材 於種晶層位置之一大體 1 1 7.在一種以石版印 物包括： 一底部組件；以及 在底部組件上之一 1 1 8.如申請專利範圍 組件，相對於電子組件 一隆 底部 ，以 部份 第1 1 部材 第1 1 出元 第1 1 方式 第11 材料 第1 1 結構 第11 敷塗 其中：底部材料 計的罩幕材料。 起區域的方法，該方法包括： 材料層上； 覆蓋突出元件的某個部份，並 〇 0項之方法，還包括：在形成 料層。 0項之方法，還包括：在形成 件。 0項之方法 加以圖案設 0項之方法，還包括：一電子 層。 0項之方法，還包括：相對於 0項之方法，還包括藉由以下 一種晶層以覆蓋突出元件的某 料層的某個部份，然後再形成適應 積材料層。 刷方式界定的接觸結構中，一種產 突出區。 第117項之產物，還包括：一電子 加以牢固並電連接到電子組件的底

O:\56\56213.960330.ptc 第80頁 408408 _案號 87120731_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 部組件。 1 1 9 .如申請專利範圍第1 1 8項之產物，其中··突出區是 離開底部組件而延伸以及離開電子組件而延伸之一接觸 區〇

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