TW406136B - Magnetic containmetn of hot dip coating bath - Google Patents

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五、發明說明（i) 4υυ J.OO -- 相關申請案 本案係08/ 96442 8號美國專利申請案”採用冷激硬面塗層 ，屬塞之熱g鑛法之延續部份，其内文在此可供表考。 發明背景 / 本發明大致係關於利用一鍍層金屬如辞或鋁所做之金屬 2:鋼條者之熱浸鍍’特別是指一種依據一熔態鍍層金 曰面下方所浸之—或多枚長條導輥需求而配送之埶浸 鍍方法。 · 鋼條係鍍覆以一鍍層金屬如鋅或鋁，以改善鋼條之抗腐 ，或抗氧化性，其中—種鍍層鋼條之方法係將鋼條浸入熔 態鍍層金屬槽内，習知之熱浸過程為連續式，且其初期處 理步驟通常需要在長條錢以一鑛層金屬之前預先處理鋼 條’預先處理可改善鍍層對鋼條之黏著性，且預先處理步 驟可為（a )在一控制環境中之預備加熱操作，或（b) 一熔流 操作’其中長條之表面係以一無機炫劑調整。 無論預先處理為何，習知之熱浸鑛過程採用一鍵層步 驟，係在一含有一或多數浸潰導輥之熔態鍍層金屬槽内執 行’以利改變鋼條之方向，威當長條經歷熱浸鍍步騾時導 引長條。較特別的是，鋼條通常自上方進入熔態鍍層金屬 槽，且在一具有大致向下分量之方向中移動，然後繞過一 或多數沉浸之導輥，以將鋼條方向由朝下變為朝上，隨後 當長條朝上移動時長條即自疼態鍵層金屬惰#由出。 在熔態鍍層金屬槽内採用沉浸導輥會產生若千問題，諸 問題可詳見於08 /8 2 2 78 2號美國專利申請案"熱浸鍍方法

π A ，丹門乂隹此可供參考。 目前已有特定嘗試省略在熱浸鍍過程中採用沉潰之導 輕，在諸嘗試中，鋼條係通過容裝浸槽之 一長形

長條通道開孔，以導# λ Θ 4 π a A · P 槽表“方，且長條開孔係位於浸 通過開孔及浸槽。導逆一之直線形路徑以 ^向=I責之W ’而能在長條通過浸槽時改變長條方 長形之長條通道開孔通常位於容裝浸 採用若干方法以防止熔態金屬通過長停通，且 槽。 、我餘通逼開孔逸出浸 有些方法係在開孔處採用機械式封閉件 件係在長條向上移動通過開孔時結合 為機械式封閉 緣，造成封閉件磨損或破裂，因而造成J離、=表面與邊 開孔。相關於機械式封閉件之其 金屬漏出 内之凝固與較大之熱梯度，而相關c金屬浸液 則包括長條鍍層厚度中之不規則物。〃 1層之品質問題 其他方法係使用電磁鐵裝置，其位 ΐ了磁力以將浸槽中之炼態金屬i離ίΐ道開孔 置可防止次槽中之整體溶態金屬自炫 ^開孔，諸裝 體抑制），但是仍容許些許熔熊金-屬槽逸出（即整 滴漏出浸槽，特別是在侧緣處\、長形容過長條通道開孔而 一漏洩會是一大問題。 汗孔之末端處’此 發明概述

第7頁 五、發明說明（3) 本發明係指 所有之效益， 整體抑制，亦 開孔。本系統 漏洩，而本發 含有熔態金 向下漸縮向容 具有一對相對 各別側 電磁鐵 力以將 電磁 依本發 攪動， 方向間 前文 磁阻之 所用， 之有效 底部開 用上可 另有 可抵抗 者之趨 壁且各 通過容 熔態鍍 鐵之操 明所示 此阻制 隔之平 所述之 路徑， 依此， 間隙， 孔處之 獨立於 導引元 電磁鐵 勢，及 -- ---— —種熱浸鍍系統，其省略沉浸之導輥而具備 此外，其不僅可取得浸槽中熔態鍍層金屬之 可大致減少炫態鑛層金屬滴或漏過長條通道 所減少之漏洩係前文所述電磁鐵裝置容許之 明之系統包括文後所述之一或多種方法。 屬鍍層浸槽之容器係呈槽狀’且其具有側壁 器底部中之長條通道開孔，相關之電磁鐵則 立互相面對之極性面，係各鄰近於容器之一 大致依循於相鄰侧壁之輪廓’此舉可增大由 器底部所生之磁通密度，因而增加朝上之磁 層金屬浸液之底部推離容器中之底部開孔。 作用於攪動浸液，此攪動可解決漏洩問題， ，一裝置用於阻制因電磁鐵操作所生之浸液 裝置係呈眾多成對之水平方向設置且在垂直 面構件’其定義一中央長孔供鋼條通過。 平面構件係由鐵磁性材料組成，其定義一低 供相對立互相面對極性面之間之間隙中磁通 平面構件可減少電磁鐵相互面對極性面之間 藉此增加間隙處之磁通密度，因而增大容器 f上磁力。減少間隙之鐵磁性平面構件在& 前文所述之阻制裝置。 件可保持鋼條在容器内部中央處，導引元件 將長條吸向二相對立相互面向極性面其中— 當鋼條移過容器時可限制其側向移動，因為

五、發明說明（4) 406^.36 此移動係不必要者。 一電流導體具有一對端子，各直接接觸於浸槽底部之熔 態鍍層浸液，且各設於長條通道開孔各別端處之一污水槽 内。電流導體係導送（a)來自一外電源之直流電流（當電磁 鐵以直流充電時），或（b )由電磁鐵之磁通所生之渦電流 (當電磁鐵以一依時變化電流充電時）。前述之電流流過電 流導體端子之間，即熔態鍍層金屬槽底部。電流結合於浸 槽底部電磁鐵之磁通，以產生一磁力將浸液底部向上推離 容器中之底部開孔。使用一電流導體可集中電流於浸液底 部處之要求位置，且相較於無電流導體時所生之磁力時， 其可改善該處朝上磁力之效能。 在一實例中，電磁鐵所用之線圈係一般LCR串聯電路之 一部份，此電路之操作方式為其可自動增大電流以產生磁 通，只要鄰近於容器中底部開孔處之熔態金屬浸液底部高 度有任意下降時。此舉將增大 < 力，而將浸液底部向上 推。 其他特性與優點亦呈現於所請求之方法與裝置内，或者 其可供習於此技者由以下詳細說明及相關圖式之配合而得 知0 圖式簡單說明 圖1係本發明一實例所示一熱浸鍍系統之局部截面示意 圖； 圖2係一立體圖，揭示系統中所用之一容器與一電磁 鐵；

五、發明說明（5) 406二36 圖3係系統一段之垂直截面放大圖； 圖4係系統中所用一容器實例之立體圖； 圖5係圖4所示容器在一倒置位置時之立體圖； 圖6係圖4 - 5所示-可分離之半容器側視圖，揭示容器之 内部結構； 圖7係沿圖6之7- 7線所取之容器斷面垂直截面圖，惟其 揭示二個半容器接合之情形； 圖8係類似於圖7且沿圖6之8 - 8線所取之垂直截面圖； 圖9係類似於圖8且沿圖6之9 - 9線所取之垂直截面圖； 圖1 0係系統中所用一電磁鐵實例之立體圖； 圖1 1係一局部截面之端視圖，揭示圖1 0電磁鐵之一部 份； 圖1 2係沿圖1 0之1 2 - 1 2線所取之水平截面圖； 圖1 3係一半容器之内視圖，揭示系統中用於減少漏洩之 特定内部組件實例； 圖1 4係容器内部之垂直截面放大圖，揭示用於阻制容器 内熔態金屬攪動之一裝置實例； 圖1 5係攪動阻制裝置之立體圖； 圖1 6係一立體圖，揭示容器及系統中所用電流導體之一 實例； 圖17係一斷面之放大截面圖，揭示一電流導體之一末端 段； 圖1 8係沿圖1 7截面橫向所取之斷面放大載面圖，且揭示 電流導體之其他部份；

第10頁 五、發明說明（6) αΟυ^οβ 圖19係一半容器之斷面内視圖，揭示一電流導體另一實 例； 圖2 0係一電路圖，揭示一使用直流電流之電流導體； 圖21係一斷面之垂直截面圖，說明容器内部一組件用於 減少容器外之一電磁鐵相對立相互面對極性面之間之有效 間隙； 圖2 2係一仰視圖，揭示一對刻槽之長條導引元件其中一 者，其各位於容器底部之一各別相對立端處； 圖23係一用於電磁鐵串聯式電路之電路圖； 圖24係一用於電磁鐵並聯式電路之電路圖；及 圖2 5係一圖表，繪示圖2 3所示串聯電路之電流（I )對電 感（L)關係。 詳細說明 請先參閱圖1，編號30係指本發明之一熱浸鍍系統實 例，圖1中之系統3 0用於以鋅或鋅合金組成之鑛層金屬做 一連續式金屬條之鍍層，例如鋼條。本發明之其他熱浸鑛 系統實例則可以鋁、鋁合金或類此物者之鍍層金屬鍍於一 連續式金屬條，而錫、鉛及其各別之合金則為又一鍍層金 屬範例，其可應用於本發明其他實例之熱浸鍍系統中。 請即參閱圖1、3，一連續式鋼條3 2係自一捲繞體（圖中 未示）旋出，且進行一般之預先處理操作（圖中未示），預 先處理後，長條32由導引輥36、37沿一路徑導引，該路徑 延伸穿過一長槽形容器3 8底部中之一長孔形開孔4 3，該容 器則容裝熔態鍍層金屬之浸液4 0，其在本例中為鋅。浸液

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40具有一頂表面41，h交怒士如 ^ 且夺底部之開孔4 3係位於浸液4 〇頂 表面41下方’開孔43可供長條以導送入浸液4〇，長條隨後 沿著-條伸過浸液40之路徑移動。長條32通過浸㈣之移 動即可令長條32鍍上一層構成浸液4〇之鍍層金屬，且一鍍 層之，條31自浸液頂表面41下游處離開浸液4〇。 、容器38具有-開放式頂端42，供鍍層金屬長條31在通過 浸,40後可向上穿過此處。容器38上方設有一對習知型式 之，刀、44(如圖1 )，例如可藉由導引加熱或未加熱之 空氣或氮氣噴向長條31以控制長條31上之鍍層厚度。氣刀 44、44下游處設有一收緊捲轴（圖中未示），供鍍層之長條 31再次捲繞於其上而形成一線圈狀，以利自收緊捲轴 出。 容器38將參考圖3-8而詳述如下。 如圖3所示’谷器38具有一沿著垂直於長條32平面之垂 直平面所取之概壬漏斗形垂直截面，復如圖3所示，容器 38具有（i)—較窄部58，係自開孔43延伸向下游處，及 (1 1 )—較寬部5 9，位於較窄部朝向下游處。 清即參閱圖4-8，容器38係由二個半容器52、52組成， ’、/α者重直之突緣53、53而在對立端接合，當二個半容器 接合時’其即定義出長槽形之容器38。 谷器3 8具有一對縱向之側壁5 5、5 5及一對各自延伸於側 .土 55 55末端之間之端壁56、56，側壁55、55定義出圖 3、8-9所示之漏斗形垂直戴面。容器38及其漏斗形截面包 括前述之較窄底部58及較寬頂部59，一中間容器6〇設於寬

第12頁 、發明說明（8) 俨ρ έ ί乍底部5 8之間，且包含一對側壁段6 1、6 1，側壁 又^自寬，部59朝向窄底部58依上游方向呈漸縮狀。 2建構容器38之材料包括非磁性不銹鋼及耐火材料。 7即參閱圖6，其說明容器38之内部結構，容器之窄部 =括通迢6 2 ’係自容器底部開孔4 3朝下游延伸，通道 一對呈相對立之縱向側6 3、6 3 (圖6中僅示其中）及一 ，各自延伸於通道側63、63之間之相對立端64、64所定 電磁鐵50將參考圖2及10-12詳細說明如下。 电磁鐵5 0包含一長方形外構件1 〇 〇，係由磁性材料組成 且包含一對相對立面向之縱向侧壁1 0 1、1 〇 1，各具有一對 相對立端，以及—對端壁1〇2、1〇2，各延伸於側壁1〇1、 1 0 1之對應端之間’側壁丨〇 1、1 〇 1連同端壁1 〇 2、1 〇 2而共 同定義一垂直方向設置之内空間丨0 4 ，内空間分別具有開 放式之頂、底端105、106。 電磁鐵50亦包含一對極性構件1 〇8、1 〇8，各由磁性材料 組成且各安裝於垂直方向設置之空間丨〇 4内之外構外丨〇 〇各 別側壁101上，各極性構件1 〇8在空間1〇4内向内延伸向另 一極性構件且終端為一極性面1 〇 9，極性面係對立地面向 另一極性構件1 〇 8上之極性面丨〇 9 (如圖1 0、1 2 )，極性面 1 〇 9 ' 1 〇 9於其間定義一間隙丨丨〇以容置容器,3 8。 如圖1 1所示，各極性構件丨〇 8包覆以—線圈丨丨2，以利導 送電流’依本發明之一實例所示，來自一電流源丨丨3之依 時變化電流係流過各線圈丨丨2，以利於線圈丨丨2所包覆之極

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f生構件1 ο 8内產生—磁場，電流源η 3可調整以改變依 ί電流導送至線圈112之安培數，藉此控制由電磁鐵50產 生之磁場強度。 另、實例中，一未隨時間改變之直流電流係流過線圈 以產生磁場，一可調整之電流源亦可用於此實例中。 線圈112係由多樣化線圈&115組成，各Ε延伸環繞於極 性構件1 08且各由適當之導電材料組成，例如銅。線圈匝 1 5相互絕緣’且利用—般絕緣材料（圖中未示）以隔絕於 極性構件1 08。圖i i所示之實例中，線圈】i 2係以實心線組 成，而另一實例中，線圏可由銅管組成，例如可供一冷去 流體循環通過。 μ 極性構件108、；！ 08及外構件1〇〇提供一路徑ιΐ6以用於由 電流流過線圈112所生之磁場，路徑116在圖丨2中以含有箭 頭之虛線表示，特別是磁場自一極性構件丨〇8上之一極性 面1 0 9延伸過間隙1 1 〇 ,而到達另一極性構件1 〇 8上之極性 面1 09。磁場隨後依序延伸過另一極性構件丨〇8、再以相反 方向穿過供另一極性構件丨〇 8安裝於其上之縱向側壁1 〇丄、 隨後穿過外構件1〇0之二端壁1〇2、1〇2，穿過供—極性構 件108安裝於其上之縱向側壁1〇1、及穿過一極性構件ι〇8 而回到該極性構件之極性面1 〇 9上。 流過各極性構件108上各線圈丨12之電流方向係控制使各 極f生構件上各線圈產生之磁場延伸過相同方向中之 110。 ” 電磁鐵50係以一般磁性材料組成，例如陶鐵磁體或電氣

五、發明說明（ίο) 406136 "~" 鋼疊層。 如圖10、12所示，電磁鐵50係由二個半磁鐵1 1 4、1 1 4組 成’各具有一 E形之水平方向截面。 參閱圖3，極性構件1 〇 8之各極性面1 0 9係鄰置於容器3 8 之各別側壁5 5，且大致緊鄰於容器較窄底部5 8處之側壁及 漸縮狀之側壁段61。各極性面丨〇 9具有一輪廓，大致上係 依循於相鄰侧壁5 5之輪廓，在此實例中特別是沿著漸縮狀 之侧壁段6 1及沿著容器底部5 8。 相互面對之極性面1 〇 9、1 〇 9之間距離（.即間隙11 〇 )在接 近於容器底部開孔43之較窄容器部5 8處為最小，由於極性 面間隙1 1 〇之見度在此處為最小，因此相較於間隙11 〇較寬 =容器58下游方向其他位置，則其磁場強度（磁通密度）係 最高。此外，由於磁通通過之阻力（即磁阻）在自由空間中 係低於在浸液4 〇之熔態金屬中’因此磁通易通過極性面 109、109之間而集中於浸液40底部下方之通道62中，其係 鄰近於容器底部開孔43。據此，對於一既有而流過線圈 Π2、U2之依時變化電流而言，由電磁鐵5〇施加於浸液4〇 之磁力在接近於容器底部開孔43之容器底部58處即高於熔 態金屬浸液40中之任意其他位置。大體而言，磁力（及磁 通）可藉由調整對磁鐵充電之依時變化電流量而調整。 由一依時變化電流產生之磁通係通過圖3所示之間隙n〇 且在浸液40内產生渦電流，參閱圖6，渦電流之路徑“包 括沿浸液40底部延伸之一段46，其在容器38縱向中之水平 方向且鄰近於開孔43，該處之渦電流方向係與該處之磁通

第15頁 五、發明說明（11) 4〇氐 方向成直角，致使磁通與渦電流在—水平面中相交，而產 =向上方之磁力’如圖3、6所示。諸力將迫使鄰近於底 4開孔43之浸液40部份（即浸液40之底部）朝向上方遠離開 孔43(即圊3所示之下游方向），此即習知之磁浮效應。 施加於鄰近底部開孔43之熔態金屬浸液部份之朝\力量 所生之磁浮係熔態金屬浸液整體抑制之一因素，前述之磁 ^ Ϊ磁鐵5 〇效應之其他手段（文後詳述）相關聯於磁鐵 約98%以上之浸液4〇整體抑制，前述磁浮型式 抑制可成功防止大部份熔態鍍層金屬通過長條 63盘戚fU…t Γ 可減少沿通道62之侧63、 63與知64、64發生之滴落或漏下情形（如圖6)。 八：磁鐵50之操作將攪動浸液4〇，而產生例如具有一垂直 式授流，此授動更會助長滴液或漏液 遇過谷Is 3 8之底部開：4 # ® 1 3-1 5 t ^ ^ o ^ ^ ^ 且平面狀構件7i、72，各平、面错土包3眾多對之大致平行 炼態金屬浸液40敎狀離=集件71、72最好由-可抵抗 平面構件”、72;:覆„’例如不銹鋼’另者’ 各對平面構件71 料（圖中未示）。 隔，且各對平面構件71。7長條32之路徑而在垂直方向間 向延伸過浸液40。各斜工 一橫向於長條路徑方向之方 孔73，各長孔73掛赢平面構件71、72於其間定義出一長 孔，以容許在長條3 另董广面構件71 疋義之長 向對齊之長孔73。二路偟移動時長條32可通過垂直方 Μ件71、72通過由電磁鐵50產生之

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五、發明說明（12) 授動路徑，且藉此料 如圖14所示，某制攪動。 側壁段6卜61之間：容器3:7'、72係設於向下漸縮容器 向尺寸’係在向下漸縮： 7平面構件具有各自之橫 向對齊之平面構件71 1壁奴61、61之間延伸。垂直方 7 2係利用間隔件7 5 7 5 垂直方向對齊之平面構件7 2、 間隔件設於相鄰平面構：?:持，垂直方向呈間隔關係，各 72、72之間。 干U、7 1之間以及相鄰平面構件 在一實例中，阻制裝 用其間隔件75以固持成f。。中之所有平面構件71、71係利 與下方之平面構件·、—早元，各間隔件則固接於其上方 同樣利用其間隔件75以，中所有平面構件72、72 單元内之所有平面構件皆以^古早70。在另一實例中’— 起，各桿件穿過平面槿株偽垂直桿件（圖中未示）固持在— 平方向設置且在ί直間隔件中之對齊孔。-群呈水 於阻制裝置7。之各端：：隔之橫構件76、77、78、79設 構件71、71單_、έ ΐ， 阻制裝置70中垂直間隔之平面 以提供若干；直間隔之平面構件72、72單元， 阻件裝置70具有!=件71、”。 交哭w〜 ’主直方向尺寸，最好相當於欲容裝在 内之溶態錄層金屬浸液Μ深度。 8 〇而1^丨5所不之實例中，阻制裝置7 〇係利用端支架8 0、 此 呈番’=' 、方’各支架設於阻制裝置7 0之相對立端且自 螺=槐向上延伸。各端支架80包括一長孔09 ,田你交 螺紋構件8卜以接附支架8〇至一裝置⑽之 長孔82，用於容置 — 臂件84，該裝

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、發明說明（13) ^其Ϊ事項中係做為圖13實例中之阻制裝置7。之安裝架 h 裳置83亦具有另一功能，容後詳述。 内於接合阻制裝置70内平面構件及用於安裝容器38 可浐用裝置70之方法僅為說明’用於此目的之其他方法亦 木。在某些實例中，各對平面構件71、了2可由單一平 =件代替’此構件具有一相當於平面構件71、72組合橫 二之橫向尺寸，及具有一體成型且設於中央之長孔， 以代替長孔7 3。 如參閱圖3所示，一間隙11〇形成於磁鐵5〇之二相互面對 極f生面1 0 9、1 0 9之間’由圖3及圖1 4比車交可知，平面構件 對71 了2在水平方向延伸於相互面對極性面1〇9、丨〇9之 間，且在容器38較窄底部58上方之部份間隙丨丨〇中，上述 之間隙1 1 0部份係較寬於較窄底部58中之間隙部份。極性 面1 09、1 09之間間隙越寬，則通過該間隙部份之磁通密度 越低，增大磁通密度係有其必要，且磁通密度可藉由減少 極性面1 0 9、1 0 9之間之有效間隙而增加，文後即說明一種 達成此目的之方法。 一 在一較佳實例中’平面構件7 1、7 2由鐵磁性材料組成， 例如碳鋼或磁性不銹鋼，相較於熔態浸液4 〇之金屬（例如 鋅）’ Θ述之一種材料較易由磁通穿透，且對於延伸在極 性面1 0 9、1 0 9之間之磁通提供一較低磁阻之流動路徑。藉 由組成諸材料之平面構件7丨、7 2，極性面丨〇 9、i 〇 9之間有 效間隙得以減小’較特別的是有效間隙減低至（a)長孔7 3 寬度加上（b)平面構件71外側緣74a與相鄰極性面1〇9之間

第18頁 --4〇aiafi____ 五、發明說明（14) 距離加上（c)平面構件72外侧緣74b與相鄰極性面1〇9之間 距離。 圖2 1說明用於減少極性面丨〇 9、；[ 0 9之間有效間隙之一方 法變換實例，在此實例中，垂直方向對齊之諸對水平方向 設置且間隔之平面元件丨7 1、1 7 2係於其間定義—空間 173，供長條32之路徑延伸，各對平面元件171、ι72設於 極性面109、109之間之間隙丨1〇中，且在容器38較窄底部 5 8上方之間隙1.1 〇部份中（請一併參閱圖3、2丨）。成對之二 平面元件係位於同一水平面中，各平面元件自漸縮狀側壁 段61、61之各自内側壁表面174、175延伸過浸液4〇而朝向 另 平面元件，即彳更於長條路徑方向之一方向。平面元件 1 7 1、1 7 2由鐵磁性材料組成，例如不錄鋼，藉以減少相互 面對之極性面1 0 9、1 〇 9間之有效間隙，如同平面構件7 i、 72之方式（參閱前段）。 圖2 1所示之實例中，平面元件丨7 1、1 72係局部埋入容器 38之側壁段6 1、61内，其他將平面構元件1 71、172接附於 諸側壁段之方法亦可採用。 請即參閱圖6-8及13，前述之通道62具有一對相對立端 64、64，其各間隔於容器38之一相鄰端壁56，一空間67設 於容器端壁56與通道端64之間，一堰體65係在各通道端64 處向上延伸且在侧向延伸過容器中間部6 0之相對立漸縮側 壁段61 、61之間之容器内部（如圖7-8)，各堰體65佔用容 器端壁56與通道端64之間之部份空間。位於容器38各端且 在一容器端壁5 6與一堰體6 5之間者係一污水槽6 6，各污水

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五、發明說明（15) 污水槽66位於一容 於通道62末端64與 槽包含用於拘限一溶態金屬池之結構， 器底部壁段6 8之頂端’而該壁段係延伸 容器38相鄰端壁56之間。 在圖3、13所示之實例中，各極性構件1〇 1〇9)係（a)向下延伸至通道62底部（相當於容及底、極性面 43)及（b)縱向延伸至一鄰近於，器38各端空間== 此’當磁通通過極性面1 0 9、1 0 9之間睡，讲、s 课 道62底部及末端空間67、67。 #磁通即存在於通 請即參閱圖13及16-18，其中所示為減少熔離 漏過底部開孔43之另一方法，此方法係呈一電"流導體3 式，其一實例大致以圖1 3中之編號8 3表示。 如前所述，當電磁鐵5 0配合一依時變化電流（交流戋脈 衝式直流）而操作時，電磁鐵產生之磁通即於熔够^屬、^ 液4〇中產生渦電流，渦電流通常依循於圖6所示&之環ς 路徑45，且路徑包括一段46依循於容器38縱向中之、产&液^ 底部。電流導體83定義一低電阻路徑，以供依循於、^液4〇 底部之段46以外之其他渦電流部份依循。 參閱圖1 3，電流導體8 3係一概呈U形之元件，由導電材 料如銅所組成’導體83包含（i) 一對垂直方向之臂件μ、 84 ’各鄰置於谷器38之一各別端壁56及（ii) 一橫構件μ。 各臂件8 4具有一頂段8 5，係利用橫構件8 6以連接至另—臂 件之頂段8 5。電流導體8 3亦包含一對底端段8 7、8 7，係各 接於一各別臂件84且各位於容器壁段68上方之一容器38各 別端空間内’並導電於污水槽6 6内之浸液4 〇部份。雖然圖

第20頁 五、發明說明⑽ ，山一 --- 1 3中未繪示，但是導體8 3係以阻制裝置7 〇及浸液4 〇 (污水 槽6 6中之浸液4 0部伤除外）而絕緣於導電性接觸件。 在圖1 3之實例中，渦電流流過電流導體83而非沿著路徑 4,5(如圖6)迴流通過浸液40，且渦電流係由電流導體83導 廷入容器38之端空間67 ,即導送入污水槽66内之熔態金屬 浸液40部份内。 如前所述，電磁鐵50所生磁場及浸液4〇中所衍生渦電流 之間結合而生之磁力將迫使熔態金屬浸液4 〇離開容器底部 開孔4 3，並且保持浸液4 0底部在容器底部開孔4 3上方。 沿容器3 8長度任意位置施加於浸液4 〇底部之朝上磁力為 (a)該處磁通量及（b)該處渦電流二者之函數，極性面 109、109互相面對地通過端空間67、67，藉以提供磁通於 δ玄處。如别所述’電流導體8 3將電磁鐵5 〇產生之渴電流導 向端空間67、67，即鄰近於容器38底部處。若無電流導體 8 3，則至少有些渦電流會流過一將端空間6 7、6 7旁通之路 徑45.(如圖6)。藉由使用具有非絕緣端段87、87於污水槽 6 6 ' 6 6内端空間6 7、6 7之電流導體8 3，渦電流可比無電流 導體8 3時較易於集中在端空間6 7、6 7内，此將增大端空間 6 7、6 7處之朝上磁力，因而有助於減少滴漏通過容器底部 開孔43 ’特別是沿通道63之末端64、64處。 電流導體8 3亦可大致減少渦電流沿浸液4 〇頂部循環流 動’此係有其必要者，因為沿浸液4 0頂部流動之渦電流會 結合於§亥處電磁鐵5〇產生之磁場’而形成一磁力以迫推浸 液40向下。由於電流導體83可減少渦電流沿浸液頂部循環

第21頁 406144 五、發明說明（17) 流動’因而亦減低將浸液向下推之磁力，由此增加磁力在 浸液底部向上推浸液之效果’以及減少浸液滴漏通過容器 底部開孔4 3。 如上所述，電磁鐵50產生之磁通密度呈最高之處亦即電 磁鐵5 0相對立極性面丨0 9、1 〇 9之間間隙1 1 〇最小之處，同 樣’產生於浸液4 〇中之渦電流呈較高之處則為間隙1 1 〇較 小之處，即鄰近於浸液4 〇底部處。此外，電流導體83沿著 鄰近通道63頂部之浸液40底部而集中渦電流。 如上所述，電流導體83具有垂直方向之臂件84、84，其 多數係設於浸液4 〇内。圖1 6揭示一變換實例，其中一 u形 電流導體183具有完全位於浸液40外之垂直方向臂件184、 184及具有一銜接於臂件184、184之橫構件186 ,只有電流 導體183之末端段187、187位於浸液40内，即污水槽66、 66内之端空間67、67處。一連接段188自各末端段187穿過 谷器3 8之一縱向側壁5 5，到達一各別之臂件1 8 4。 先前所述者係電磁鐵5 0配合使用一依時變化之電流，不 响交流或脈衝式直流’在此狀況下’形成之磁通會在浸液 4〇内產生渦電流，諸渦電流流過由電流導體83或丨83提供 之低阻路徑。 不隨時間變化 在本發明之另一實例中，電磁鐵5 〇可由— 之電流操作’例如非脈衝式直流，在此種配置中，一磁 50極性構件1〇8上之各線圈112(如圖u)係接於一直流源 電流不中斷地流過線圈112 ’以產生一磁場通過相互面對 之極性面109、109之間之浸液40 (如圖3)，依此所生成之

第22頁 玉、發明說明（18) 磁場並不會 導送直流至 處，此配置 内）° 在圖20之 末端段Π 8、 別端空間67 直流沿著浸 縱向，此直 之未中斷直 生一磁力， 孔4 3 。 ,^ 406.36 丑· π液40中產生渦電流。另者，一外電源用於 液4 0内，且在極性面1 0 9、1 0 9之間一位置 之—實例係揭示於圖2 〇内（在最後一繪圖紙 實例中’—直流源11 9係由一管線11 7接至一對 118 ’未端段各位於底壁段68上方之容器38各 内且通電於該處污水槽6 6内之浸液（如圖6 )。 液40底部而自一末端段118流出，即容器38之 流結合於流過電磁鐵5 0極性構件1 〇 8上線圈1 1 2 流所生之磁場（如圖1 1 )’前文所述之結合即產 將溶態金屬浸液4 0向上推離容器3 8中之底部開 在本發明之所有實例中，末端段（87、18?或118)由一導 體組成，導體具有一低於熔態金屬浸液4〇者之電阻。通常 末如#又由銅組成，而炫態錢層金屬浸液由辞組成，末端段 中之銅係利用治金方式將浸液中之炫態鋅結合，以形成一 可吸收入浸液之銅鋅合金（黃銅），造成末端段之腐蝕。由 本發明之立足點來看，前文所述之現象即不必要，因此， 有必要提供一方法以防止熔態辞浸液40中之銅末端段腐 姓。 參閱圖17、18，各末端段187備有一内渠道198，以連通 於連接段188内之一内渠道190，内渠道19〇接至一入口管 1 9 1 ’入口管則連通於冷却一流體源1 9 2，例如冷凝水。冷 却流體自源1 92流過入口管1 91及渠道1 90而進入渠道丨89，

第23頁 五:發明 -4·&€4¾---- 金屬】Y =底末端段18 7，藉此凝固污水槽6 6内之部份鍍鋅 194 〇 為末端段丨87周側之一殼或層194(如圖17)，殼 之；λ°φπ方*止銅質之末端段187在溶態辞浸液40内腐#。用過 7 "〗L體係自渠道1 8 9抽流過一出口管1 9 3 (如圖1 8 )。 圖17中’堰體以及容器底壁段68皆揭示具有厚度，且 相較於圖6、1 3中對應元件之厚度而呈較小，但是任一種 變化皆可採用）。 在圖20之實例中，所採用之非脈衝式直流末端段1 18具 有内^道289，以連接至一入口管291及一出口管293， 入口管291係由一管線294接至一冷却流體源（圖中未示）， 出口管293則由一管線29 5連接至一廢冷却流體之排放口 (圖中未示）。冷却流體循環流過渠道2 § 9即可產生一防護 層或凝固之鍍鋅金屬殼於銅質末端段118周侧，以防止末 端段1 1 8在熔態鋅浸液40内腐蝕。 如上所述’電流導體183具有臂件184、184及一設於熔 態金屬鍍層浸液4 0外之橫構件1 8 6 (如圖1 6 )，前述實例之 變化方式係揭示於圖1 9中’其中至少一段之各臂1 8 4係浸 入炫態金屬鑛層浸液4 0 ’浸入浸液4 0之臂件1 8 4段係以一 絕緣層1 9 6防護，以令浸入段絕緣及隔熱於熔態金屬鍍層 浸液40。鄰近於臂件184與底末端段187接合處之臂件184 部份則利用凝固之鍍層金屬殼1 94，而隔絕於熔態鍍層浸 液（如圖1 7所示）。 一相似於圖丨9所示層196之絕緣隔熱層可用於圖13之實 例中，以防護浸入浸液4 0内之各臂件8 4段。電流導體8 3上

第24頁 五、發明說明（20) 4〇Ό丄名6-- 之末端段8 7並未在圖1 3所示實例中冷硬，而是曝露於炫態 鍍層金屬浸液’ 一未做防護之末端段87可用於熔態鍍層金 屬不與導體金屬（如銅）合金之狀況中，該導體金屬係組成 末端段87者。在一較非必要之變換型式中，末端段π可由 一隔絕層防護（如圖19中之層196)，但是末端段87之頂端 8 9除外。 ' 請即參閱圖21 -22，一導引元件1 20設於通道62之各端 64，而各端係如上述設於容器38之窄底部58内（如圖6、 1 3 )。各導引元件1 2 〇具有一水平方向之刻槽1 2 1，刻槽具 有一開口端123以面向通道62另一端64處之導引元件12〇内' 之對應刻槽之對應開口端’各刻槽丨2 1形成一結構，以利 於長條移動通過通道62時可結合於鋼條32之一各別邊緣段 12 2刻槽1 2 1、1 2 1係保持長條3 2大致位於磁鐵5 〇之相互 面對極性面109、109之間中央，且在鋼條32移過容器38時 用於限制鋼條之側向移動，此舉可抗拒電磁鐵5〇將長條& 吸引向二相互面對極性面丨〇 9、i 〇9其中—者之趨勢因此 當長條3 2移過容器時即不致發生側移。 請即參閱圖23 -24，圖23說明一用於電磁鐵5〇之串聯式 LCR電路，而圖24說明一用於電磁鐵5〇之並聯式lcr電路’ 各LCR電路包括一依時變化之電流源113、一電容器丨25、 一用於磁鐵50各極性構件1〇8之線圈112及一電阻。在二圖 式中，C表示電路之電容、[表示電路之電感（其包括一線 圈112用於各極性構件1〇8)及1表示線圈之電阻，電感係 直接隨著線圈所生之磁通及線圈中之匝數而變化，且與電

第25頁 _4〇G^36 '發明說明（21) 叫值（安培）成反比，電感產生一比電源頻率延 電容則產生頻率超前。 ’率’ 圖23所示之串聯式LCR電路操作方式為電路中之 & 動增高，只要熔態金屬浸液4 0底部高度有所下降，机、自 加施加於浸液底部上之朝上磁力，此項特性將詳述^以增 四個段落中。 < A Μ下 參閱圖25，此圖繪示電流做為採用圖23所示串 電路之一系統之電感函數，圖25中 ’你不 开派之φ古 指圖25串聯式LCR電路之一狀態，此時因電路電線係 頻率超前係匹配或平衡於因電路電感造成之頻 ^成之 此電路之自然頻率等於供電源之頻率。以一既延邱·，因 而言，共振狀態可提供由電路充電所生之電力電源 電力大於非共振狀態者。 ：磁鐵，其 當圖25之串聯式LCR電路操作接近至苴丘振 電流度即為操作時如何接近共振之—函數、，若電☆電路之 電阻（R)為固定，電流（1)可繪示為電感α)之與 25)，因此電感⑴中之變化即影響到電流⑴。 圖 系統=與磁鐵50在常態下操作，使得浸液4〇 在容器38内之底部開孔4 3上方（ -邛保持 、如圖d )。在極性面1 〇 9、 109之間任：位置處，通過自由空間（即空氣)之 係大於在位置處通過熔態金屬浸液4〇之磁通密度。又若 次液40之：增加’例如添加較多之熔態鍍層金屬至浸液， 則增加之里最初會造成浸液底部下降趨近於容器底部^。 當此情形發生時，先前由空氣（自由空間）佔據之二部份間

_4X1&136 五、發明說明（22) 隙Π0即逐漸填入熔態鲛層金屬，因此，系 減低，因為下降之熔態金屬有如一磁性.遮罩，中之電感（L) 下降處之間隙110部份中之磁通通過。遮罩減小將f少浸液 通及通過間隙110之總罐通量，而總磁通量之二遠處之礤 電感降低。 我〉、會產生 若圖23之串聯式LCR電路操作使圖25中 振垂直線右方，則減少之電感(L)將產生電流Ο共 此而增加通過間隙HO之總磁通，藉此增大磁）％加，由 40底部向上推。結果，使用圓23所示串聯式l =將浸液 上述方式操作之一系統即可自動調整，以' 路且以 下降。 次液4〇底部 連續式長條3 2通常為一薄平狀元件，例如— 一具有前述結構之長條僅為實施本發明之連續々片，惟， 例’其他長條結構如桿、棒、線、管等形狀^ ^長條之舉 要熱浸鍍槽之熔態鍍層金屬洩漏可由本發明^ ^適用’只 本發明已於文中揭示一長條通過含熔態金^即可。 之 容器下方之開孔，惟本發明亦可用於一系統中又層浸液 長條通道開孔設於一容器之側壁内及（丨丨）宏 其中（i 金屬鑛層浸液，其具有一頂表面位於(長有1態 上方。 孔之高度 前述詳細說明僅供明瞭而非欲用以侷限之， 對於習知此技者而言亦屬顯然易知者。 ' 變換方式

第27頁

Claims (1)

1. 々、申請專利範I 1. 一種用 一長槽 該容器 上延伸，以 該容器 該侧壁 該容器 裝置， 游方向延伸 及一電 整體熔態金 該電磁 材料組成且 該極性 各該極 部處及朝向 置關係； 各該極 廓，且沿著 底部。 2. 如申請 溶態金屬之 而自該槽做 於熱浸鍍一鋼條之系 形容器 具有一 及一對 具有一 在朝向 具有一 用於沿 通過該 磁鐵， 屬自該 鐵包含 各沿該 構件具 性面係 其他側 ，用於容器 對呈相 呈相對 較寬之 該底部之 統，該系 熔態鍍層 側壁，係 壁； 對立之 立之端 頂部及一較窄之 設於該底部底 一路徑以移動 孔及通 谷Is而 槽之該開孔逸 向下方向中 邊處之長 一鋼條， 底部開 係沿該 過該槽； 設且其包 出； 一對呈相對立之極性構 一各別侧壁而設 面對之極 容器之 有相互 鄰置於 壁呈漸 對立且 谷器之一各別側 縮之該側壁部份 性面具有一輪廓’係大致依循 漸縮向其他侧壁之該側壁部份 專利範圍第1項之系統，其中言 整體抑制，但是容許熔態金屬 4匕許油浪，月訪么从A 統包含： 金屬槽； 在該容器之縱向 底部； 呈漸縮狀； 形開孔； 遠路徑在一朝下 含—裝置以防止 件’各係由磁性 t 性面； 壁’且在容器底 處與側壁處呈靠 於相鄰侧壁之輪 及沿著容器之 友電磁鐵提供該 通過該底部開孔 3·如申請專利範圍第1項之系、統，其中 於授動該槽之裝詈；!/ > A A 衣直及該系統包含： 裝置&用於阻制由該電磁鐵產生之攪動。 4.如申請專利範圍第3 系統，其中該阻制裝置包 含： ' 眾多大致平行之平面構件對； 諸該$平面構件係沿該長條之路徑呈垂直方向間隔， 且以一橫於長條路徑方向之方向延伸過該槽； 各該對平面構件係於其間定義一長孔； 該長孔對齊於由各該另對平面構件定義之長孔，以利 於長條沿其路徑移過時可供長條通過該長孔。 5. 如申請專利範圍第4項之系統，其中： 至少某些該平面構件係位於向下漸縮容器侧壁之間之 該容器内’且在一延伸於侧壁之間之方向中具有各別之 橫向尺寸，係在一向下方向中漸次減少。 6. 如申請專利範圍第4項之系統，其中一間隙設於二相 互對立面對之極性面之間，及其中： 該對平面構件係設於該間隙中以及在該容器漸縮側壁 之間； 及至少一對該平面構件係由鐵磁性材料組成，以減少 該極性面之間之有效間隙。 7 ·如申請專利範圍第6項之系統，其中： έ玄一對鐵磁性平面構件係鄰近於該容器之該窄底部。 8.如申請專利範圍第1項之系統’其中—間隙設於二相

   第29頁 40C ^ 六、申請專利範圍 互對立面對之極性面之間，及其中該系統包含： 裝置，用於減少該相互面對極性面之間之有效間隙。 9.如申請專利範圍第8項之系統，其中該容器包含一設 於容器各側壁上之内表面，及該間隙減少裝置包含： 一對水平方向設置、間隔之平面元件，係各設於相同 平面中且各由一各別内側壁表面延伸過該容器而趨向另 一平面元件，即依一橫於長條路徑方向之方向； 該平面元件係於其間定義一空間； 該長條路徑延伸通過平面元件間之該空間； 該對平面元件設於該間隙中以及在容器之該漸縮側壁 之間； 該平面元件係由鐵磁性材料組成。 1 0.如申請專利範圍第1項之系統，其中： 容器之該窄底部包括一自該底部開孔朝下游方向延伸 之通道； 該通道係由一對相對立縱向側及一對相對立端定義， 且各端延伸於通道之諸該側之間； 通道之各端係間隔於容器之一相鄰端壁； 及該容器包含一設於該通道各端處之堰體； 各堰體在通道之該端向上延伸，且侧向通過容器相對 立側壁之間之容器内部。 1 1.如申請專利範圍第1 0項之系統，其中該容器包含： 一污水槽，係設於一容器端壁與相鄰堰體之間之容器 各端。

   第30頁 六、申請專利範圍 1 2.如申請專利範圍第1 1項之系統，其中： 各該污水槽包含裝置以拘限一熔態金屬池。 1 3.如申請專利範圍第1項之系統，其中： 該電磁鐵包含裝置用以產生一磁場延伸於該相互對立 面對之極性面之間； 該系統包含裝置用以提供一電流，電流具有一部份係 (i )在該容器之縱向中沿該槽底部流動，及（i i )結合於 由該電磁鐵產生之該磁場，以產生一磁力將該熔態金屬 浸液推離該底部開孔； 及該系統包含一電流導體，係定義一低電阻導電路 徑，以供該電流部份依循，而非供沿該槽底部流動之部 份依循。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之系統，其中： 容器之該窄底部包括一自該底部開孔朝下游方向延伸 之通道； 該通道係由一對相對立側及一對相對立端定義，且各 端延伸於通道之諸該側之間； 通道之各端係間隔於容器之一相鄰端壁； 該容器包含一底壁段，係延伸於該通道之一端與容器 之相鄰端壁之間； 及該電流導體進一步包含裝置，用以將該電流導送入 (a)通道之一端與（b)容器之相鄰端壁之間之端空間。 1 5.如申請專利範圍第1 4項之系統，其中： 該電磁鐵包含線圈裝置；

   第31頁 六、 圏 過 之 渦 電 別 且 段 熔 1 9 .如申凊專利範圍第1 7 該二臂件皆位於該容考&之系統，其中： 及該電流導體包含側； k ’係自各末端段延伸通 辛請專利範® 406136 該系統包含裝置，用以流動一依時變化電流通過該線 裝置’而產生該磁場； 及該電磁鐵包含裝置，用以反應於該依時變化電流流 該線圈裝置而產生一磁場，此磁場流過該面對極性面 間之該熔態金屬浸液，因而在該浸液中產生渦電流， 電流包括沿該槽底流動之該電流部份。 1 6.如申請專利範圍第i 5項之系統，其中·· 該電流導體包含裝置用以減低沿該浸液頂部流動之渦 流。 1 7.如申請專利範圍第丨5項之系豆 該電流導體係由導電材料、'·.八 該電流導體包含一對臂 '、、成， 端； ’係各鄰置於該容器之一各 各臂件係導電式連接於 該電流導體包含一對虫—臂件；及 各位於該容器之一久則 奴’係各連接於一各別臂件 上方，且通電於該處 間内，即在容器之該底壁 如申請專利範圍第 各該臂件包括—段，俨、之糸統，其中： 及該系統包含裝置，用1立於該容器内； 態金屬浸液。 ^將5亥臂件段絕緣及隔熱於該 申請專利範圍 406136 該容器之一壁，以到達一各別臂件 2 0 .如申請專利範圍第1 7項之系統 銅組成，該鍍層金屬係鋅，及該系統 裝置，用以防止該末端段中之銅 .熔態鍍層金屬浸液中之鋅。 2 1.如申請專利範圍第2 0項之系統， 含： 裝置，用於令該末端段冷硬，以 液中之熔態鍍層金屬腐蝕。 2 2.如申請專利範圍第2 1項之系統， 含： 一内渠道，設在該末端段内； 及裝置，用於令一冷却流體流過 2 3.如申請專利範圍第1 4項之系統， 該電磁鐵包含線圈裝置； 該系統包含裝置，用於令直流電 圈裝置，以利產生一磁場流過該面 浸液； 該電流導體包含一對末端段，各 端空間内，即在容器之該底壁段上 浸液； 及該系統包含裝置，用以連接各 源。 2 4.如申請專利範圍第1 4項之系統， 其中該末端段係由 包含： 以治金方式結合於該 其中該防止裝置包 防止該末端段受該浸 其中該冷硬裝置包 該内渠道。 其中： 流不中斷地流過該線 對面極性面之間之該 位於該容器之一各別 方，且通電於該處之 該末端段至一直流電 其中：

   第33頁 六、申請專利範圍 -- 該容器包含—堪體，設於該通邊之各知. 各堰體係在通道之該端朝上延伸’且側向通過容器之 相對立側壁之間之容器内部； 該容器包含一污水槽，設於一容器端壁與相鄰堰體之 間之容器各端處； 該污水槽包含裝置，用於拘限一熔態鍍層金屬池； 及該電流導體包含一對末端段，各位於該容器之一各 別巧水槽内，即在容器之該底壁段上方，且通電於該污 水槽内之熔態金屬池。 性2:二V青專利範圍第1項之系統，其中該相互面對之極 = 其路徑移動通過該容器時可迫推該鋼條做 側向移動，及該系統包含： 裝置，用於將沿該路徑爲私夕# h ^ 互面對之極性面之間中央，及用於=:條大致保持於該相 器時可限制鋼條之側向移動。、虽鋼條移動通過該容 26·如申請專利範圍第25項之孚蛴 對相對立邊緣及其中：、之’糸統，其巾該鋼條具有— 該容器之該窄底部包括一通道，p白# ☆ 下 游方向延伸； ίτ、自該底部開孔朝 Τ通道係由一對相對立之縱向側及一對相粗 義’各端延伸於通道之該側之間； 相對立端定 相鄰端壁 胃通道之各端係 互，用於保持該鋼條大致位於中央之該裝=二 •士且水平方向設置之刻槽，各位於^匕含一對相

   、、、< —各別 第34頁 六、申請專利範圍 406136 端； 各刻槽包含裝置，用以結合一沿該路徑移動之鋼條之 一各別邊緣段。 2 7.如申請專利範圍第1項之系統，及包含： 裝置，包括該電磁鐵，用以施加一朝上之磁力於該浸 液底部； 一線圈，用於電磁鐵之各該極性構件； 一串聯式電路，包括該線圈； 該串聯式電路包含一電源及串聯於該線圈之電容器裝 置； 該電路具有一固定之電容、一固定之電阻及一電感； 該電路包含裝置，可供該電路操作以接近於其共振； 該電路包含裝置，係因應於一略大於在該電路中產生 共振之電感而操作，以利當該熔態金屬浸液底部高度下 降時即增大電流至該線圈，藉此增加該浸液底部上之朝 上磁力。 2 8.如申請專利範圍第1項之系統，其中該電磁鐵環繞於 該容器及包含： 一外構件，係由磁性材料組成且包含一對相對立面向 之縱向側壁，各側壁具有一對相對立端，及包含一對端 壁，各延伸於該側壁之對應端之間； 該側壁及該端壁定義一垂直方向設置之空間，其具有 頂、底端以利容置該容器； 電磁鐵之各該極性構件係安裝於該垂直方向空間内且

   第35頁 - ' 申請專利40613^™ 在該外構件之一各別側壁上. 各T二性構件在該空間内向内延伸趨至另—極 該極：終端為該相！立相互面對極性面之各別者 ^ 面係於其間定義〜間隙，以容置該容琴，， =對線圈，用於導送電流，各該線二各 該極性構件； ％ 各別之 一各線β圈包含裝置，係因應於通過該線圈之電流吝 磁％於由該線圈環繞之極性構件内。 產生 含:9.如申請專利範圍第28項之系統’其中該電磁鐵包 裝置’包括該極性構件及該外 供該磁場沿此自—極性構件上之用於提供—路徑 而到達另-極性構件上之極性面，該間隙， 性構件、通過供該另-極性構件安依序通過另一極 通過外構件之該端壁 '通過供該極向側壁、 qn ; ^及通過該極性構件回到該極性面。 .申凊專利範圍第2 8項之系統，复中. 該电磁鐵係由二半體έ_§_成，各/ 4 伸； 牛體，、且成各在或容器之伸長方向延 各半體具有一Ε形水平方向截面。 3 1.如^申請專利範圍第1項之系統，並Φ 該各器係由耐火材料組成。 3 2.如申請專利範圍第丨項之系統，装 該令器係由非礤性之不銹鋼組成。

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