TW392418B - Method of manufacturing organic electroluminescence device - Google Patents

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TW392418B
TW392418B TW86115287A TW86115287A TW392418B TW 392418 B TW392418 B TW 392418B TW 86115287 A TW86115287 A TW 86115287A TW 86115287 A TW86115287 A TW 86115287A TW 392418 B TW392418 B TW 392418B
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TW
Taiwan
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light
electrode
emitting device
shadow mask
electric field
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TW86115287A
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Chinese (zh)
Inventor
Shigeo Fujimori
Yoshio Himeshima
Toru Kohama
Original Assignee
Toray Industries
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

經濟部中央標隼局貝工消費合作社印袋 A7 H ^ —-—~*— —、——.—一 五、發明説明（/ ) [技術領域] 本發明有闞於可Μ利用在顯示元件，平面板顯示器· 背照式，內照式顯示器等之領域，在同一基板上具備有 由有櫬電場發光元件製成之多個發光區域之有機電場發 光装置之製造方法。 [背景技術] 近年來作為新的發光元件之有機電場發光元件受到重 視，該元件是從陽極注入之電洞和從陰極注入之電子， 被包夾於該兩涸電極》間之有機發光層内進行再結合藉Μ 發光者，Μ低電壓進行高亮度發光，最初由柯達公司之 C.W.Tang 等揭示在 UppI. Phys. Lett. 51(12)21,Ρ. 91 3, 1 987 ) 〇 第37圖是剖面圖，用來表示有機電場發光元件之代表 性構造。形成於玻璃基板1之透明的第一罨極（陽極）2 上，叠層電洞輪送層5,有機發光層6,和第二電極（陰極） 8,利用驅動源9之驅動所產生之發光經由第一電極和玻 璃基板被取出到外部。在此種有櫬電場發光元件，在薄 型，低電壓驅動下可由選擇高亮度發光或有櫬發光材料 進行多色發光，應用在顯示元件和顯示器等之發光裝置 曾被熱烈的檢討。 在這種情況時，例如，第1〜3圈所示之單純矩陣型彩 色顯示器中至少要求Μ高精確度臞型製作有機發光層和 第二電極，在有源矩陣型彩色顯示器中，則至少要有製 作有機發光層之技術。 -3 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----r--：---装-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂Printed bag A7 H, Shellfish Consumer Cooperative of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economic Affairs ^ —-— ~ * — —, ——.— V. Description of the invention (/) [Technical Field] The present invention is applicable to display elements In the fields of flat panel displays, back-illuminated displays, and internal-illuminated displays, a method of manufacturing an organic electric field light emitting device including a plurality of light emitting regions made of a tritium electric field light emitting element on the same substrate. [Background Art] In recent years, an organic electric field light-emitting element, which is a new light-emitting element, has attracted attention. The element is a hole injected from an anode and an electron injected from a cathode, and is sandwiched in an organic light-emitting layer between the two electrodes. The recombination is performed by the M light emitter, and the M light emission is performed at a high brightness at low voltage. Originally disclosed by CWTang et al. Of Kodak Co., Ltd. in UppI. Phys. Lett. It is a cross-sectional view showing a typical structure of an organic electric field light emitting element. It is formed on the transparent first anode (anode) 2 of the glass substrate 1, and the laminated hole rotation layer 5, the organic light emitting layer 6, and the second electrode (cathode) 8 are generated by the driving of the driving source 9. The light is taken out to the outside via the first electrode and the glass substrate. In this kind of tritium electric field light-emitting element, under the driving of thin and low voltage, multi-color light emission can be selected by selecting high-brightness light or tritium light-emitting material, and the light-emitting device applied to display elements and displays has been heatedly reviewed. In this case, for example, the simple matrix type color display shown in the first to third circles requires at least M high-accuracy 臞 -type organic light-emitting layer and the second electrode. In an active matrix type color display, at least There must be a technology for making organic light-emitting layers. -3-This paper size is in accordance with Chinese National Standard (CNS) A4 specification (210X297mm) ----- r--: --- pack-(Please read the precautions on the back before filling this page) Order

X A7 ____________________ ηη ... u t-- - ·— .................................— — 五、發明説明（又） 習知之此種微细圖型製成是使用濕式處理之光刻法。 在日本國專利案特開平6-234969號公報中所揭示之技術 是經由對有機材料進行精巧之處理用來獲得可缠用光刻 法之元件。 不使用濕式處理之第二電極之圖型製作方法是被揭示 在日本國專利案特開平5-275172號公報和特開平8-3159 81號公報之隔壁法技術。該特開平5-2751 72號公報之技 術，是在基板上形成配置成具有間隔之隔壁•從傾斜方 向對該基板蒸鍍電極材料者。另外，特開平8-315981號 公報之技術，是在基板上形成具有懸垂物部之隔壁，並 以垂直方向為中心之角度範圍對該基板蒸镀電極材料。’ 另外，習知之罩幕法並不使用濕式處理之一般圈型製 作法。該方法是在基板前方配置陰影罩幕（shadow *ask) ，經由開口部蒸鍍蒸鍍物用來實現圖型製作。 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用罩幕法之微细圖型製作方法，是揭示在日本圉専 利案公報特開平9-115672號公報使甩具有單層構造之陰 影罩幕之罩幕法技術。在此種方法中，由於使用罩幕部 份比開口部寬度大之陰影罩幕，Μ每一個發光色來圈型 製作有機薄膜層和第二電極，用Μ實現實用間距之單纯 矩陣型彩色顯示器之製作。 另一方面，與有機霉場發光裝置之製造方法無直接關 係，在日本國專利案公報特公昭63-38421號公報，揭示 有使用具有叠層構造之陰影罩幕之罩幕法用Μ形成配線 匾型之技術。此種方法•是使用至少—方由磁性髖製成 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） m A7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明 ( 3 ) 1 1 之 檷 網 和 形 成 有 圖 型 之 萡 二 層 構 成 陰 影 罩 幕 利 用 磁 級 1 1 I 將 該 陰 影 罩 幕 密 接 蒸 鍍 於 基 板 者 〇 因 為 利 用 檷 網 來 抑 制 1 I 開 P 部 之 變 形 » 所 可 形 成 環 狀 之 電 路 部 份 和 彎 曲 的 請 先 1 1 细 小 電 路 部 份 等 之 複 雜 配 線 圖 型 〇 閲 I 背 Γ [發明之揭示] 面 之 1 注 但 是 • 上 述 之 習 知 方 法 有 Μ 下 之 問 題 Ο 意 事 1 在 上 述 之 光 刻 法 中 > 因 為 一 般 用 Μ 構 成 有 機 電 場 發 光 項 再 1 元 件 之 有 機 薄 膜 層 » 對 於 水 分 和 有 機 溶 媒 m 液 等 缺 乏 俱 寫 本 袭 1 耐 久 性 9 所 Μ 會 造 成 有 糖 電 場 發 光 件 性 能 之 顯 著 劣 化 〇 頁 V_^ 1 1 另 外 参 要 獲 得 適 合 於 濕 式 處 理 之 有 機 電 場 發 光 元 件 時 f 1 I 所 使 用 之 材 料 會 有 受 到 限 制 之 問 題 0 1 1 在 上 述 隔 壁 法 中 $ 利 用 隔 壁 所 製 作 出 之 蒸 鍍 物 之 影 來 1 訂 實 規 圓 型 製 作 > 所 Μ 在 存 在 有 多 種 蒸 鍍 角 度 之 條 件 或 蒸 1 I 鍍 物 之 轉 入 量 多 的 條 件 * 不 能 進 行 高 精 確 度 之 圖 型 製 作 1 1 〇 因 此 t 對 於 基 板 面 積 之 大 型 化 和 蒸 鍍 速 度 之 高 速 化 9 1 1 及 圓 型 製 作 之 高 精 確 化 有 問 題 Ο 另 外 f 因 為 由 於 蒸 鍍 物 1 k 之 影 所 對 應 之 死 區 會 使 未 存 在 有 第 二 電 極 區 域 會 存 在 於 S 1 有 機 薄 膜 層 上 $ 所 由 於 白 該 處 之 水 分 等 侵 入 而 使 有 機 1 I 電 場 發 光 元 件 容 易 劣 化 的 傾 向 〇 另 外 9 剖 面 寬 高 比 較 大 1 I 的 隔 壁 和 具 有 外 伸 部 之 特 殊 形 吠 隔 壁 不 容 易 在 基 板 全 面 1 I 穩 定 的 形 成 〇 • 1 I 在 習 知 之 罩 幕 法 中 9 由 於 基 板 和 陰 影 罩 幕 之 密 接 不 良 1 畲 產 生 蒸 鍍 物 之 轉 入 Ο 尤 其 是 $ 當 與 作 為 形 成 條 帶 狀 第 1 1 電 極 圖 型 之 開 Ρ 部 比 較 t 使 5- 用 罩 幕 部 份 極 细 之 陰 影 罩 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中圉困家標準（CNS ).八4規格（210X297公釐） 經濟部中央橾準局負工消费合作社印裂 A7 —————— — --------.................... _ 五、發明説明（γ ) 慕時，由於陰影罩幕之強度不足會使開口部形吠變形。 因此，在顬示器用途等所要求的次毫米位準之微细圖型 製作，欲Μ高精確度來實琨實有困難。 在使用具有上述單層構造的陰影罩幕之罩幕法中，罩 幕部份雖然比較寬廣，可是開口部形狀之變形問題並未 解決，圈型製作之高精確度化仍然有問題。另外，因為 有機薄膜層和第二電極曼層於同一之平面形狀，所Μ不 僅對第二電極之形成需要多次之電極材料蒸鍍步驟，而 且第二電極只逋用於作為資料線功能之顯示器構造的問 題。 在使用具有上述叠層構造之陰影罩幕之罩幕法中，習 知之配媒圜型一般是Μ奄米位準之大小形成，此種方法 並不能直接缠用於次毫米位準之微细圖型的形成。另外 其使用陰影罩幕之製作，是利用在凹凸較大之柵網上形 成圖型之箔，所Μ陰影罩幕之平面性和精確度不夠，有 很難使微细園型高精確度化困難之問題。再者，Μ此種 方法是利用磁鐵強制地使陰影罩幕密接於基板，可是與 陶瓷基板等比較在柔炊之有櫬薄膜層上形成第二電極& 陰影罩幕很容易傷及有櫬薄膜層。因此，會發生第一電 極和第二電極短路等不理想情況，所Μ此種方法不適用 於有機電場發光裝置的圖型製作。 如上所述，在習知技術中，使有機電場發光裝置之製 造所必要之微细匾型製作不舍傷及有櫬薄膜層，欲實現 Μ高精確度且良好棰定性製造會有困難。 -6 — 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS > Α4ϋ格（210X297公釐） I-----'---' ^------、訂------t- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 經濟部中央揉準局員工消費合作社印繁 五、發明説明（f) 1 ί 本 發 明 用 來 解 決 此 等 問 題 9 其 百 的 是 提 供 有 機 電 場 發 1 1 I 光 裝 置 之 製 造 方 法 » 不 畲 使 有 機 電 場 發 光 元 件 之 特 性 劣 1 1 化 可 Μ 在 寬 度 之 蒸 鍍 條 件 下 進 行 高 精 確 度 之 微 细 圖 型 請 先 1 1 製 作 而 且 不 會 限 定 發 光 裝 置 之 構 造 9 比 較 簡 略 的 步 閱 1 背 S- 驟 可 實 琨 高 樓 定 性 之 製 造 〇 之 1 [圖式之簡單說明] 事 1 第 1 匾 是 平 面 圖 » 用 來 表 示 利 用 本 發 明 所 製 造 之 有 機 項 再 1 填 電 場 發 光 裝 置 之 —* 例 〇 寫 本 装 第 2 画 是 第 1 圜 之 I -I ' 剖 面 圖 〇 頁 N， 1 1 第 3 園 是 第 1 圖 之 I -I ' 剖 面 圖 〇 1 I 第 4 圖 是 平 面 圖 » 用 來 表 示 本 發 明 所 使 用 之 陰 影 罩 幕. 1 1 之 一 例 〇 1 訂 第 5 匾 是 第 4 圖 I - [' 剖 面 fBfT MB 〇 1 | 第 6 圖 是 I -] [' 剖 面 圖 » 用 來 說 明 本 發 明 之 第 二 電 極 1 1 圈 型 製 作 方 法 之 一 例 〇 1 I 第 7 画 是 I -I · 剖 面 圖 (第6 圖之側面圖）， 用 來 說 明 1 t 本 發 明 之 第 二 電 極 IBf 圃 型 製 作 方 法 之 -* 例 0 1 第 8 Β 是 平 面 國 f 用 來 表 示 第 一 電 極 圖 型 之 一 例 〇 1 I 第 9 圈 是 平 面 圖 用 來 表 示 本 發 明 形 成 之 間 隔 物 之 1 I 一 例 〇 1 1 第 10圖是平面圖 » 用 來 表 示 以 本 發 明 製 造 之 有 機 電 埸 I 發 光 裝 置 之 另 一 例 〇 1 •1 第11圖是第 10圖 之 I [' 剖 面 圜 〇 1 1 第12圖是第10圖 之 I -Π ' 剖 面 圖 〇 1 I 7 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ____________________________________________________ 五、發明説明（6) 第13圖是平面圖，用來表示以本發明製造之有機電場 發光裝置之另一例。 第14圖是第13圖之I - I ’剖面圖。 第15圖是第13圖之I - H '剖面圖。 第16圖是1-1’剖面圖，用.來說明電洞输送層之形成 方法。 第17圖是平面圖，用來表示本發明所使用之陰影罩幕 之另一例。 第18圖是1-1'剖面圖，用來說明本發明之發光層圖 型製作方法之一例。 第191是H-I·剖面醒（第18圖之側面圖），用來說明 本發明之發光層圈型製作方法之一例。 第20圈是平面圖，用來表示本發明所圖型製作之發光 層一例。 第21圖是1-1’剖面圖，用來說明電子输送層之形成 方法。 第22圖是I-Ι·剖面圖，用來表示本發明所圖型製作 之另一電子输送曆之一例。 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第23匾是第4圖之M-B ’剖面圖。 第24圖是置-I’剖面圖，用來表示本發明所使用之陰 影罩幕之另一例。 第25圖是B-B’剖面圖，用來表示本發明所使用陰影 罩幕之另一例。 第26圖是平面圖，用來表示本發明所使用之陰影罩幕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 Ox 297公釐） A7 經濟部中央樣率局貝工消費合作社印製 第28圖是I - H ’剖 本發明之第二電極圖 第29圖是I - I ’剖 媛衝部份之陰影罩幕 第30圖是平面圖， 極圖型製作用之陰影 第31圖是第30圖之 第32圖是平面圖， 場發光裝置。 第33圖是第32圖之 第34圖是第32圖之 第35見是平面圖， 型製作%4&陰^罩幕 第3 面圖， 園型製作电影罩 第3 7圖是绑!#·'圖， 之一例。 五、發明説明（7 ) 另一例。 第27圖是1-1’剖面圖.用來說明本發明之第二電磁 圖型製造方法之另一例。 面圖（第27圖之側面圖），用來說明 型製作方法之另一例。 面圖，用來表示本發明所使用具有 一例° 用來表示實施例1所使用之第二電 罩幕。 I - I ’剖面圖。 用以表示Μ實腌例1製造之有機電 I - I '剖面圖。 I - I ’剖面画。 用來說明實施例所使用之發光層圖 製造方法。 用來說明實施例所使用之第二電極 幕製造方法。 用來表示習知之有機電場發光元件 [實施本發明之最佳形態] 上述之目的利用Μ下之本發明達成。 亦即，本發明是一種有機電場發光裝置之製 其中有機電場發光裝置包含有：第一電極，形 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 造方法， 成在基板 ^m— ^^^1 - - nn It nn n\ ^^^1 n In nm ^11^1 一 -> (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7X A7 ____________________ ηη ... u t--· ... 2. Description of the Invention (Also) The conventional micropattern making is a photolithography method using wet processing. The technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-234969 discloses a method for obtaining an element capable of being wrapped by a photolithography method by delicately processing an organic material. The pattern making method of the second electrode that does not use the wet process is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-275172 and Japanese Patent Laid-Open No. 8-3159 81. The technique of Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-2751 No. 72 is a method in which a partition wall is formed on a substrate so as to have a partition. The electrode material is vapor-deposited from the substrate in an oblique direction. The technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-315981 is a method in which a partition wall having an overhang portion is formed on a substrate, and an electrode material is vapor-deposited on the substrate in an angular range centered on the vertical direction. In addition, the conventional veil method does not use the general loop type manufacturing method of wet processing. In this method, a shadow * ask is arranged in front of the substrate, and a vapor-deposited material is vapor-deposited through the opening to realize pattern production. Printed by the Central Consumer Bureau of the Ministry of Economic Affairs, Consumer Cooperatives (please read the precautions on the back, and then fill out this page) The micro-pattern making method using the curtain method is disclosed in Japanese Patent Unexamined Publication No. 9-115672 Shade technique using a shadow mask with a single layer structure. In this method, since a shadow mask having a mask portion larger than the width of the opening portion is used, the organic thin film layer and the second electrode are circle-shaped for each luminescent color, and a simple matrix color with a practical pitch is realized by M Production of displays. On the other hand, there is no direct relationship with the manufacturing method of an organic mold field light-emitting device. In Japanese Patent Application Publication No. Sho 63-38421, it is disclosed that wiring is formed by using a mask method using a shadow mask having a laminated structure. Plaque technology. This method is to use at least one square made of magnetic hips. The paper size is applicable to the Chinese National Standard (CNS) A4 specification (210 × 297 mm) m A7 Printed by the Bayer Consumer Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs. ) 1 1 檷 和 net and a patterned 层 2 layer forming a shadow mask using magnetic level 1 1 I The shadow mask is closely vapor-deposited on the substrate. 檷 The 檷 net is used to suppress the deformation of the 1 I open P part. »For loopable circuit parts and curved ones, please first 1 1 complicated wiring patterns of small circuit parts, etc. READ BACK [Invention of Invention] 1 of the above Note But • The above-mentioned conventional methods have M The following question 0: Matter 1 In the above-mentioned photolithography method, because the organic electric field light-emitting term and the organic thin film layer of the element are generally constituted by M »For the lack of moisture and organic solvents Insufficient writing 1 Durability 9 Μ will cause a significant deterioration in the performance of sugar electric field light-emitting parts. Page V_ ^ 1 1 Also see the materials used for f 1 I when obtaining organic electric field light-emitting elements suitable for wet processing. There are limited problems. 0 1 1 In the above-mentioned partition method, the shadow of the vapor-deposited material produced by the partition is used to make a solid round shape.> Where there are various conditions of vapor deposition or vaporization 1 I Conditions for large amounts of plated-in materials * High-precision pattern production cannot be performed 1 1 〇 Therefore, t has problems in increasing the size of the substrate area and speeding up the deposition speed 9 1 1 and the high accuracy of round production. 〇 In addition, because the dead zone corresponding to the 1k shadow of the vapor deposition will cause the non-existent second electrode area to exist on the S 1 organic thin film layer. I The tendency of the electric field light-emitting element to be easily deteriorated. 9 In addition, the cross-sectional width and height are relatively large. 1 The partition wall of the I and the special-shaped bark partition with an overhang is not easy to form on the entire surface of the substrate. Middle 9 due to poor adhesion between the substrate and the shadow mask 1 畲 transfer of vapor deposition 〇 especially $ when compared with the opening part of the 1st electrode pattern forming the stripe 1 A very thin shadow mask 1 1 1 1 1 This paper size is applicable to the standard of the Chinese family (CNS). 8 specifications (210X297 mm) The Central Consumers ’Bureau of the Ministry of Economic Affairs, Consumer Work Cooperatives, A7 ————— — — --------............. _ V. Description of the Invention (γ) Mo Shi, due to the insufficient strength of the shadow mask, The opening is deformed. Therefore, it is difficult to produce fine patterns at the sub-millimeter level required for display applications, etc., with high accuracy. In the mask method using the shadow mask having the above-mentioned single-layer structure, although the mask portion is relatively wide, the problem of deformation of the shape of the opening portion has not been solved, and there is still a problem in improving the accuracy of the circle type production. In addition, because the organic thin film layer and the second electrode layer are in the same plane shape, not only does the evaporation of the electrode material require multiple steps for the formation of the second electrode, but the second electrode is only used as a data line function. Problems with display construction. In the veil method using the shadow veil with the above-mentioned laminated structure, the conventional media type is generally formed at the size of the M-meter level. This method cannot be directly used for the sub-millimeter-level fine maps. Type formation. In addition, the shadow mask is used to make the pattern foil on the grid with large unevenness. The planarity and accuracy of the shadow mask are not enough, and it is difficult to make the precision of the micro circle type high. Problem. In addition, in this method of M, the shadow mask is forcibly adhered to the substrate by using a magnet. However, compared with ceramic substrates, the second electrode is formed on the thin film layer of the soft cooker. The shadow mask is easily injured. Thin film layer. Therefore, short circuits such as short circuit between the first electrode and the second electrode may occur. Therefore, this method is not suitable for pattern production of an organic electric field light-emitting device. As described above, in the conventional technology, the fine plaque type necessary for the manufacture of the organic electric field light-emitting device is not to be damaged and the thin film layer is made. Therefore, it is difficult to achieve high precision and good qualitative manufacturing. -6 — This paper size applies to China National Standards (CNS > Α4 grid (210X297 mm) I -----'--- '^ ------, order ------ t- (Please read the precautions on the back before filling out this page) A7 Yin Fan, Consumer Cooperative of the Central Government Bureau of the Ministry of Economic Affairs, Fifth, Invention Description (f) 1 ί The present invention is used to solve these problems 9 It is to provide organic electric fields Manufacturing method of 1 1 I optical device »Do not make the characteristics of the organic electric field light-emitting device inferior 1 1 can be used to perform high-precision micro-patterns under the conditions of width evaporation, please make 1 1 first and do not limit the light emission Structure of the device 9 A brief step-by-step 1 Back S-steps can be used to make qualitative manufacturing of high-rise buildings 0 of 1 [Simplified description of the drawing] thing 1 The 1st plaque is a plan view »It is used to indicate the organic produced by the invention Item 1 Zhi— * Example 0 The second drawing of the script is the first I-I 'cross-sectional view of the first page. Page N, 1 1 The third circle is the I-I' cross-sectional view of the first drawing. 〇 I I The fourth drawing is a plan view » It is used to represent the shadow mask used in the present invention. An example of 1 1 〇1 The fifth plaque is the fourth figure I-['section fBfT MB 〇1 | Figure 6 is I-] [' section view »is used to An example of a method for manufacturing the second electrode 11 of the present invention is described below. The first drawing 7 is an I-I cross-sectional view (a side view of FIG. 6), and is used to explain the 1 t second electrode IBf of the present invention. -* Example 0 1 The 8th B is an example of a flat electrode f used to represent the first electrode pattern. 01 I The 9th circle is a plan view to show the spacer 1 formed by the present invention. I 1 Example 0 1 1 Figure 10 is a floor plan » Shows another example of the organic electroluminescence light-emitting device manufactured by the present invention. 〇 1 • 1 FIG. 11 is a cross-sectional view of FIG. 10 [′ section 圜 〇 1 1 FIG. 12 is a cross-sectional view of I-Π ′ of FIG. 10. 1 I 7-1 1 1 1 This paper size applies Chinese National Standard (CNS) A4 (210X 297 mm) ____________________________________________________ 5. Description of the invention (6) Figure 13 is a plan view showing the organic electric field manufactured by the present invention Another example of a light emitting device. Fig. 14 is a sectional view taken along the line I-I 'in Fig. 13. Fig. 15 is a sectional view taken along the line I-H 'in Fig. 13. Fig. 16 is a 1-1 'cross-sectional view for explaining the formation method of the hole transport layer. Fig. 17 is a plan view showing another example of a shadow mask used in the present invention. Fig. 18 is a 1-1 'cross-sectional view for explaining an example of a method for producing a light-emitting layer pattern according to the present invention. Section 191 is an H-I · section profile (a side view of Fig. 18), and is used to explain an example of the method for manufacturing the light emitting layer ring type of the present invention. Circle 20 is a plan view showing an example of the light-emitting layer produced by the pattern according to the present invention. Fig. 21 is a 1-1 'sectional view for explaining a method of forming an electron transporting layer. Fig. 22 is a cross-sectional view taken along the line I-I, showing an example of another electronic transport calendar made by the pattern of the present invention. Printed by the Central Laboratories of the Ministry of Economic Affairs, Shellfish Consumer Cooperative (please read the precautions on the back before filling out this page). The 23rd plaque is the M-B 'cross-section of the 4th figure. Fig. 24 is a sectional view of I- ', showing another example of a shadow mask used in the present invention. Fig. 25 is a B-B 'sectional view showing another example of a shadow mask used in the present invention. Figure 26 is a plan view showing the shadow mask used in the present invention. The paper size is applicable to the Chinese National Standard (CNS) A4 (21 Ox 297 mm). A7 Fig. 28 is an I-H 'section of the second electrode of the present invention. Fig. 29 is a shadow mask of the section of I-I' section. Fig. 30 is a plan view. The shadow for pole pattern production is shown in Fig. 31. Fig. 32 is a plan view of a field emission device. Figure 33 is Figure 32, Figure 34 is Figure 32, and Figure 35 is a plan view. The model is made in% 4 &Yin; the curtain is the third view, and the circle is made in a movie cover. Figure 37 is tied! # · 'Figure, an example. 5. Description of the invention (7) Another example. Fig. 27 is a 1-1 'sectional view for explaining another example of the second electromagnetic pattern manufacturing method of the present invention. A side view (side view of FIG. 27) is used to explain another example of the manufacturing method. A plan view showing an example used in the present invention and a second electric screen used in the first embodiment. I-I 'section view. It is used to show the cross-sectional view of the organic electric device I-I 'manufactured in Example 1. I-I 'section drawing. It is used to explain the manufacturing method of the light emitting layer pattern used in the embodiment. It is used to explain the manufacturing method of the second electrode curtain used in the embodiment. The conventional organic electric field light-emitting element used to indicate the [best mode for carrying out the present invention] The above-mentioned object is achieved by the present invention under M. That is, the present invention is a system for producing organic electric field light-emitting devices, wherein the organic electric field light-emitting device includes: a first electrode, shape -9-This paper size applies the Chinese National Standard (CNS) A4 specification (210X297 mm). In the substrate ^ m— ^^^ 1--nn It nn n \ ^^^ 1 n In nm ^ 11 ^ 1 a- > (Please read the precautions on the back before filling this page) A7

3X 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明 ( d ) 1 1 上 ; 薄 m 層 t 形 成 在 上 述 第 一 電 極 上 • 包 含 有 至 少 由 有 1 1 I 機 化 合 物 形 成 之 發 光 層 和 多 個 第 二 電 極 • 形 成 在 上 述 1 1 薄 膜 層 上 « 在 上 述 之 基 板 上 具 有 多 個 發 光 區 域 其 特 激 /—V 請 先 1 1 為 所 包 含 之 步 驟 有 ： 在 上 述 之 基 板 上 形 成 間 隔 物 9 該 間 閲 讀 1 背 L 隔 物 之 至 少 一 部 份 所 具 有 之 高 度 超 過 上 述 薄 膜 層 之 厚 度； 之 1 和 圖 型 製 作 步 驟 $ 在 具 有 依 横 切 開 P 部 方 式 形 成 之 補 強 1 事 1 線 之 陰 影 罩 幕 密 接 在 上 述 間 隔 物 之 狀 態 • 經 由 蒸 鍍 麵 項 再 1 填 ! 用 來 進 行 圖 型 製 作 〇 寫 本 表 本 發 明 之 有 機 電 埸 發 光 裝 置 « 在 同 一 基 板 上 具 備 有 由 頁 1 1 有 機 電 場 發 光 元 件 形 成 之 多 個 發 光 區 域 〇 下 面 將 說 明 利 1 | 用 本 發 明 之 製 造 方 法 所 製 成 之 有 機 電 場 發 光 裝 置 〇 但 是％ I 1 本 發 明 之 製 造 方 法 並 不 只 限 定 於 具 有 實 例 所 示 之 形 式 1 訂 或 構 造 之 有 櫬 電 場 發 光 裝 置 之 製 造 方 法 9 亦 可 Μ 用 來 製 1 | 造 片 段 型 9 單 純 矩 陣 型 參 有 源 矩 陣 型 等 9 不 論 形 式 » 或 1 1 彩 色 單 色 等 的 發 光 色 數 之 任 意 構 造 之 有 機 電 場 發 光 裝 1 I 置 〇 1 •-合 第 1~ 3圖 表 示 利 用 本 發 明 製 造 方 法 所 製 成 之 有 機 電 場 % 1 發 光 裝 置 之 一 例 〇 1 I 經 由 叠 層 ； 第 — 電 極 2 , 在 基 板 1 上 形 成 條 帶 狀 « 薄 膜 1 1 層 10 • 包 含 有 由 圖 型 製 作 在 各 個 第 1 電 極 上 之 有 機 化 合 1 1 物 所 成 之 發 光 層 6 ； 和 第 二 電 極 8 , 對 第 一 電 極 相 交 » 形 成 I 條 帶 狀 ； 在 兩 電 極 之 ..X— 父 點 形 成 具 有 有 機 電 場 發 光 元 件 構 1 造 之 多 傾 發 光 區 域 〇 各 涸 發 光 區 域 因 為 在 發 光 曆 使 用 不 1 1 同 之 材 料 用 來 發 出 紅 (R), 緣（G) 9 藍 (B)之光， 所以經 1 | 10 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 ______ D*7 ............. — ------------P / __________________ ________ .—--- ------------------- -------- -------- 五、發明説明（？） 由線顒序驅動該單纯矩陣型發光裝置，可M進行影像等 之彩色顯示。另外，在基板上形成具有高度超過薄膜層 厚度之間隔物4。 第一和第二電掻可Κ具有導電性用來將充分之電流供 給到有櫬電場發光元件使其發光，但是至少一方之電極 最好為透明用來取出光。 透明電極假如其可視光線透射係數為30ΧΜ上時，則 使用上不會有大的障礙，理想者最好是接近1 〇 〇 %。基本 上在可視光之全部區域，最好具有相同程度之透射係數 ,但是在希望使發光色變化時，可Μ積極的使其具有光 吸收性。在這種情況時，使用瀘色器或干涉·薄光片之變 色方法在技術上容易。作為透明電極材料大多選自絪， 錫，金，銀，鋅，鉛，鉻•鎳，氧·氮，氫，氩，碳之 至少一種元素所形成，但是亦可使用碘化飼，硫化鋦等 之無機導電性物質，聚嚷吩，聚吡咯，聚苯胺等之導電 性聚合物，所使用之材料並沒有特別之限定者。 較佳之第一電極材料之例，可例舉形成在透明基板上 之氧化錫，氧化鋅，氧化絪，氧化錫銦（ΙΤΟ)等。在進 行顯示用途等之圈型製作之等，最好使用加工性優良之 ΙΤΟ作為第一電極。為著提高導電性，亦可以在ΙΤΟ中包 含少畺之銀或金等之金鼷，或是使用錫，金，銀，梓， 絪，鋁，鉻，鎳作為ΙΤΟ之引導電極。其中之鉻是最好 之引導電極材料，因為可Κ具有作為黑基體和引専電極 雙方之功能。從有機電場發光裝置之消耗電力之親點來 -1 1 - 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） .-----^------、訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 R7 五、發明説明（、。） 看，最好ITO之電阻要低電阻。假如成為300Ω/口以下 之ITO基板時具有作為第一電搔之功能，在目前因為10 Ω/口左右之ITO基板之供給已變成很容易，所以可以使 用低電阻品。ΙΤ0之厚度可以配合電阻值來任意選擇，通 常大多使用厚度為100〜300nm之ΙΤ0。透明基板之材質 並沒有待別之限制，可以使用由聚丙稀酸酯，聚碩酸酯 ，聚酯，聚亞醯胺形成之塑顧板或膜，最好之實例是可 以使用玻璃板。因為使用齡石灰玻璃，無鹺玻璃等，而且 具有充分之厚度用來保持機械強度，所以厚度〇.5nm以 上就足夠。對於玻璃之材質，因為從玻璃溶出之離子較 少者較佳，所以最好使用無鹼玻璃，可以使用市面上販 賣之施加有二氣化硅等之障壁塗覆之鹼石灰玻璃。ΙΤ0 之形成方法並不限定於電子束射蒸鍍，醆射蒸鍍，化學 反應法等。 對於第二電極材料亦沒有特別之限定，在使用I T 0作 請 先 閲 背 之 注 意 事 項 再 裝 訂 功 之 棰 陽 為 作 有 具 場 βΒ 機 有 到 入 注 的 效 IT有 般子 一 電 為將 因以 ，可 時極 況電 情二 之第 棰在 電以 一 所 第’ 為能 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 極電 電到 二慮 第考 ， 當 此， 因B 。金 能數 功函 之作 ， 捶工金 陰低白 為之用 作等使 得屬好 獲金最 以鹼， 藉用時 ，使性 件以定 元可穩 光料之 發材極 金 銀 鏑 鐵 錫 之膜 B薄 金之 數件 函元 作光 工發 低場 與電 羼機 金有 等在 該先 或預 ，以 屬可 金亦 之 ， 等外 絪另 * 0 鎂等 ，金 鋁合 鋰電 化二 氟第 成為 形作 上颶 層金 膜之 薄定 在穩 ，較 Bfcb 金成 數形 函後 作然 Η ， 低層 之薄 量之 徹鹽 雜鼷 摻金 層等 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 R7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印装 五、發明説明（ (t ) 1 1 I 極 〇 可 以 邊 保 持 高 電 子 注 入 效 率 同 時 獲 得 穩 定 之電搔。 1 1 I 第 二 電 棰 之 形 成 方 法 只 要 是 電 阻 加 熱 蒸 鍍 9 電 子束射蒸 1 1 鍍 9 濺 射 蒸 辕 離 子 電 鍍 法 等· 之 乾 式 處 理 即 可 並没有待 請 先 1 I 閱 I 別 之 限 定 〇 讀 1 包 含 在 有 機 電 場 發 光 元 件 之 薄 膜 層 亦 可 以 是 (1)電洞 面 之 1 I 輸 送 層 /發光層， (2)電洞輪送層 / 發 光 層 / 電 子輪送層 事 1 9 (3)發光層/電 子 輸 送 層 t 和 (4)使上述之層構成物質 項 再 1 填 1 混 合 在 一 層 形 態 之 發 光 層 等 之 其 中 之 一 Ο 亦 即 ,假如存 % 本 袭 I 在 有 由 作 為 元 件 構 成 之 有 機 化 合 物 形 成 之 發 光 層時，可 頁 '—✓ 1 1 以 只 設 置 一 層 之 發 光 層 9 其 中 除 了 上 述 (1)〜（3)之多層 1 I 叠 層 構 造 外 » 亦 包 含 有 (4 )之單掲發光材料或是發光材 1 1 1 料 和 電 洞 输 送 材 料 或 電 子 輸 送 材 料 〇 1 訂 電 洞 輸 送 層 傺 由 電 洞 輸 送 材 料 〇〇 早 掲 形 成 9 或 是由電洞輸 1 I 送 材 料 和 高 分 子 結 合 劑 形 成 〇 電 洞 输 送 材 料 在 低分子化 1 1 合 物 中 最 好 使 用 N , Ν' — 二 苯 基 一 N , N ' — 二 (3 -甲基苯）一 1 1 1， 1 ' 一 二 苯 基 4， 4 ' 一 二 元 胺 (TPD)， 或Μ ,Ν » 二苯基- 1 線 N , N ' — 二 •聯 桊 一 1 , 1 ' — 二 苯 基 一 4 , 4 ' — 二 元 胺 (NPD)等為 1 代 表 之 三 苯 胺 類 S 和 以 N- -異丙基丨t唑， 吡唑啉衍生物， 1 1 氏 % 化 合 物 * 丙 基 η 唑 化 合 物 > m 二 唑 衍 生 物 和酞菁衍 1 I 生 物 為 代 表 之 雜 環 化 合 物 等 9 % 外 9 在 聚 合 物 条中可以 1 1 使 用 在 側 m 具 有 上 述 低 分 子 化 合 物 之 聚 m 酸 酷 和苯乙烯 | 衍 生 物 > 聚 乙 烯 Pf 唑 1 聚 硅 烷 等 〇 Λ | I 在 單 純 矩 陣 型 發 光 裝 置 之 用 途 中 » 各 値 有 機 電場發光 1 1 元 件 之 發 光 時 間 短 < 並 有 必 要 利 用 脈 波 電 流 之 流動在瞬 1 1 13 1 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 五、發明説明（^ ) A7 B7 待 止能中 阻和層 子性送 電待輪 之送洞 好輪電 良洞於 有電由 求之止 要良防 時優夠 況有能 情要要 種料且 這材而 在送 ， 。输膜 光洞薄 發電之 度在定 亮僅穩 高不成 以，形 間性夠 失性驟化 之特步機 子之之有 電述層之3X Printed by the Consumers' Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs. 5. Description of the invention (d) 1 1; a thin m layer t is formed on the first electrode. • Contains a light-emitting layer formed of at least 1 1 I organic compounds. Second electrodes • formed on the above 1 1 thin film layer «having multiple light-emitting areas on the above substrate and its special excitation / -V Please first 1 1 for the steps included: forming spacers 9 on the above substrate The reading 1 The height of at least a part of the back L spacer exceeds the thickness of the above-mentioned film layer; 1 and the pattern making steps $ In the shadow mask with the reinforcement 1 matter 1 line formed by cutting the P part transversely The screen is tightly connected to the above-mentioned spacers. • Filled by evaporation surface item again! Used for pattern making. 0 Write this table. The organic electroluminescence device of the present invention «On the same substrate, there are a plurality of light emitting regions formed by the page 1 1 organic electric field light emitting element. The organic electric field light emitting device manufactured by the manufacturing method of the present invention will be described below. 1 %% of the present invention The manufacturing method is not limited to the method shown in the example 1. The manufacturing method of the eruption electric field light-emitting device which is ordered or constructed 9 can also be used to make 1 | make the segment type 9 simple matrix parameter active matrix type etc. 9 regardless of the form »OR 1 1 Organic electric field light emitting device of arbitrary structure with light emitting colors such as color, monochrome, etc. 1 I—〇1 •-Figures 1 to 3 show the organic electric field% 1 of the light emitting device manufactured by the manufacturing method of the present invention. An example 〇1 I through the stack; the first-electrode 2, forming a strip shape «film 1 1 layer 10 on the substrate 1 · Contains a pattern made in each The light-emitting layer 6 formed by the organic compound 1 1 on the first electrode; intersects the second electrode 8 with the first electrode »to form an I-band shape; an organic electric field is formed at the parent point of the two electrodes. X— The multi-diagonal light-emitting area created by the element structure 0. Each light-emitting area uses different materials in the light-emitting calendar to emit red (R), edge (G) 9 and blue (B) light, so 1 | 10 -1 1 1 1 This paper size is applicable to China National Standards (CNS) A4 (210X297). Printed on A7 ______ D * 7 ................. .. — ------------ P / __________________ ________ .---- ------------------- ------- --------- 5. Description of the invention (? ) This simple matrix type light-emitting device is driven by a line sequence, and can perform color display of images and the like. In addition, a spacer 4 having a height exceeding the thickness of the thin film layer is formed on the substrate. The first and second electrodes may have conductivity for supplying a sufficient electric current to the light emitting element having a pseudo electric field to emit light, but it is preferable that at least one of the electrodes is transparent for taking out light. If the transparent electrode has a visible light transmission coefficient of 30 × M, there will be no major obstacle in use, and the ideal is preferably close to 100%. Basically, it is preferable to have the same degree of transmission coefficient in all the visible light regions, but when it is desired to change the emission color, it can be actively made light-absorbing. In this case, it is technically easy to use a color filter or a method of changing the color of the interference film. The transparent electrode material is mostly formed of at least one element selected from the group consisting of thorium, tin, gold, silver, zinc, lead, chromium · nickel, oxygen · nitrogen, hydrogen, argon, and carbon, but iodized feed, thorium sulfide, etc. can also be used. There is no particular limitation on the materials used for inorganic conductive materials, conductive polymers such as polyphene, polypyrrole, and polyaniline. Examples of preferred first electrode materials include tin oxide, zinc oxide, hafnium oxide, indium tin oxide (ITO) and the like formed on a transparent substrate. It is desirable to use ITO, which is excellent in workability, as the first electrode for the production of a ring pattern for display applications and the like. In order to improve the conductivity, ITO can also contain silver or gold, or tin, gold, silver, azimuth, rhenium, aluminum, chromium, and nickel as the ITO guiding electrode. Among them, chromium is the best guide electrode material, because KOK has the function of both a black matrix and a lead electrode. From the pro-power point of power consumption of organic electric field light-emitting devices-1 1-The standard of this paper is applicable to China National Standard (CNS) Α4 specification (210X297 mm) .----- ^ ------, order- ---- (Please read the precautions on the back before filling this page) A7 R7 V. Description of the invention (, ...) See, the best resistance of ITO is low resistance. If the ITO substrate is 300 Ω / port or less, it has the function of the first electrode. At present, it is easy to supply ITO substrates at about 10 Ω / port, so low-resistance products can be used. The thickness of ITO can be arbitrarily selected in accordance with the resistance value. Generally, ITO with a thickness of 100 ~ 300nm is mostly used. The material of the transparent substrate is not limited in any other way, and a plastic board or film made of polyacrylic acid, polyester, polyester, or polyimide can be used. The best example is a glass plate. Aged lime glass, non-glass, etc. are used, and they have sufficient thickness to maintain mechanical strength, so a thickness of 0.5 nm or more is sufficient. As for the material of glass, since less ions dissolve from the glass, it is better to use alkali-free glass, and commercially available soda-lime glass coated with barriers such as silicon dioxide can be used. The method of forming ITO is not limited to electron beam evaporation deposition, thoron deposition, chemical reaction method, and the like. There is also no special limitation on the material of the second electrode. When using IT 0, please read the precautions before binding, and then perform the binding work. The sun is used as a beta β machine. Because of this, it is possible that the second situation of the current situation is the second situation in the electricity industry. The first situation is that the electricity consumption of the Central Consumers ’Association of the Ministry of Economic Affairs and the Consumer Cooperatives printed the extremely electricity situation to the second consideration. The work of the golden energy number function, the masonry Jinyin low white is used as the etc. to make it the best base to obtain gold, when borrowing, make the sex parts with a fixed yuan to stabilize the light material. The film B thin gold has several functions such as low-field photo-electric power generation and electric machine metal, which should be prior or pre-selected, so it can be gold, etc., and other external power * 0 magnesium, etc. The thickness of the gold film formed by the difluoride layer is stable, which is more stable than that of the Bfcb gold after the formation of a number of functional functions. The lower layer is a thin layer of pure salt mixed with a gold-doped layer. CNS) A4 specification (210 × 297 mm) A7 R7 Printed by the Consumer Cooperatives of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economic Affairs. 5. Description of the invention ((t) 1 1 I pole 0 can obtain stable electricity while maintaining high electron injection efficiency. 1 1 I The method for forming the second electrode is as long as resistance heating vapor deposition 9 electron beam vapor deposition 1 1 plating 9 sputter vapor deposition ion plating method, etc. Dry processing can be done without waiting 1 I Read the other limitations. Read 1 The thin film layer included in the organic electric field light-emitting element can also be (1) a 1 I transport layer / light-emitting layer on the hole surface, and (2) a hole-rotation layer / light-emitting layer / electronic rotation. Layers 1 9 (3) Light-emitting layer / electron transport layer t and (4) Make the above-mentioned layer constituent material items one more and fill one with one of the light-emitting layers mixed in one form. I When there is a light-emitting layer made of an organic compound as an element, you can page '—✓ 1 1 Only one layer of the light-emitting layer 9 can be provided. Among them, in addition to the multilayer 1 of the above (1) to (3) I I laminated structure » It also contains (4) a single luminescent material or luminescent material 1 1 1 material and hole transport material or electron transport material 〇1 order hole transport layer 傺 by the hole transport material 〇〇 early formed 9 or Hole transmission 1 I send material and Macromolecule binder formation. Electron hole transport materials are best used in low-molecular-weight 1 1 compounds. N, Ν ′-diphenyl-N, N '-bis (3-methylbenzene) -1 1 1, 1 'Monodiphenyl 4, 4' Monodiamine (TPD), or M, N »Diphenyl-1 Line N, N '— Di • biphenyl-1, 1' — Diphenyl-4, 4 '— Diamines (NPD), etc. are triphenylamines S represented by 1 and N- -isopropyl 丨 tazole, pyrazoline derivatives, 1 1% compound * propyl ηazole compound > m two Hexazole derivatives and phthalocyanine derivatives 1 I Heterocyclic compounds represented by living organisms, etc. 9% Out of 9 Can be used in polymer strips 1 1 Polymethanes and styrenes with the above-mentioned low-molecular compounds on the side m | Derivatives > Polyethylene Pf azole 1 polysilane, etc. 〇Λ | I In the application of simple matrix type light-emitting device »Each organic light-emitting organic field light-emitting 1 1 The light-emitting time of the element is short & it is necessary to use a pulse wave The flow of current is instantaneous 1 1 13 1 1 1 1 This paper size is applicable to the Chinese National Standard (CNS) A4 specification (210X 297 mm) 5. Description of the invention (^) A7 B7 Waiting for energy resistance and stratified power transmission Wait for the round to send the hole, the round power and the good hole. When the power is available, you must be good when the situation is good. If you have the energy, you need to plant the material and the material is being sent. Film-transmitting light hole is thin, the degree of power generation is stable, the height is not high, and the shape is sufficiently destructive. There is a special step machine.

上機 足有 格 骨 基 烷 氫 自 選 基 芳 結 .it a 素可 鹵亦 ，格 骨 基 唑 pf 該 在 外 另 基 烷 環 和 烷 芳 基 換 置 之 上 以 個 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本瓦) •装. 訂 線' 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 基 唑 pt0 換基 置烷 .HH , 硅 基甲 唑基 »f烷 , 三 烷和 芳 ， ，胺 基基 芳烷 ,二 基 ， 烷基 自氣 選烷 基 ， 換素 置鹵 該 ， 光 發 為 作 之 知 習 中 8 物， 合物 化生 子衍 分ί北 低， 在物 ，生 者衍 料Μ 材用 光使 發好 為最 作者 體 鋁M 啉 is 基 烴 1 物物 生生 衍衍 烯苯 乙基 了烯 基乙 苯苯 四二 物物 生生 衍衍 Μ唑 基二 烯噁 乙 ， 苯物 雙生 ,衍 物素 生豆 衍香 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0Χ297公釐） A7 R7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（ ，·> ) 1 1 I 吡 咯 并 衍 生 物 9 Jr·^ 北 萊 衍 生 物 • 環 五 二 烯 烴 衍 生 物 » 噁二 1 1 1 唑 衍 生 物 * 二 唑 吡 淀 衍 生 物 等 * 在 聚 合 物 % 中 最 好使 1 | 用 聚 苯 撐 乙 烯 撐 衍 生 物 » 聚 對 苯 衍 生 物 聚 吩 衍 生 請 先 1 1 閱 I 物 〇 另 外 9 摻 雜 在 發 光 層 之 摻 雜 劑 最 好 使 用 紅 m 烯 ，»1 背 1 1 吖 m 衍 生 物 體 盼噁嗪酮衍生物 • DC Μ , £萘衍生物，茈 面 之 -ο 1 注 1 衍 生 物 » 香 豆 素 衍 生 物 9 二丨丫嗪苯并二 茚 等 〇 意 事 在 電 子 输 送 材 料 因 為 被 要 求 對 於 從 陰 極 注 入 之 電 子要 項 再 1 I ψ 能 有 效 的 输 送 9 所 以 最 好 具 有 大 的 電 子 親 和 力 9 大 的電 寫 本 ά 頁 1 子 移 動 度 9 和 能 夠 形 成 穩 定 之 薄 膜 0 能 祺 足 此 種 特 性之 '—^ 1 材 料 最 好 使 用 8- -烴基睹啉蒽鋁衍生物， 羥苯并波衍生 1 1 物 9 2- ^ ( 4 - -二苯基） 一 5- -( 4- -t 一 丁 基 苯 基 )- -1 ，3 ,4 一 1 1 噁 二 唑 (t 一 B u P B D )和 1， 3- -雙（4- t- -丁基苯基- -1 ,3 ,4一 1 訂 噁 唑 基 )二苯撐（0XD- -1 ), 1， 3- -雙（4- -t ~* 丁 基 苯 基 一 1 , 3 1 I ,4 一 噁 唑 基 )苯撐（0XD- -7)等之噁唑基衍生物， 三唑衍生 1 I 物 » 菲 嬈 啉 衍 生 物 等 〇 1 1 使 用 在 上 述 之 電 洞 輸 送 層 9 發 光 層 9 電 子 輸 送 層 之材 1 '镍 料 可 以 單 獨 的 形 成 各 層 * 作 為 高 分 子 結 合 劑 者 可 以 使用 聚 氛 乙 烯 9 聚 硪 酸 酯 » 聚 苯 乙 烯 * 聚 (N 一 乙 烯 Pt 唑 )，聚 1 1 甲 基 丙 烯 酸 酯 9 聚 丁 基 丙 烯 酸 酯 * 聚 酯 9 聚 m 1 聚 二苯 1 I 醚 聚 丁 二 烯 » m 氫 樹 脂 » 甲 m 樹 脂 9 苯 氣 樹 脂 9 聚魄 1 1 9 聚 酵 胺 乙 基 m 維 素 9 乙 酸 乙 烯 9 ABS樹脂， 聚氨酯 1 樹 脂 等 之 溶 劑 可 溶 性 樹 脂 9 和 酚 醛 樹 脂 ， 二 甲 苯 樹 脂， 1 石 油 樹 脂 9 尿 素 樹 脂 9 三 聚 氱 按 樹 脂 > 不 飽 和 聚 酯 樹脂 1 1 9 醇 酸 樹 脂 環 氣 樹 脂 9 硅 樹 脂 等 之 硬 化 性 樹 脂 0 1 1 15 1 1 1 本紙張尺度適用中國8家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 β7 五、發明説明（/*/) 上述之電洞输送層，發光層，電子輸送層等之形成方 法，並不限定於電阻加熱蒸鍍，電子束射蒸鍍，濺射蒸 鍍法等，從特性方面來看，通常最好使用霉阻加熱蒸鍍 和電子束射蒸鍍等之方法。有機層之厚度因為與其電阻 值有關，所K沒有一定之限定，實用上是選擇10〜1000 η «之間之厚度。 另外，電洞輸送層和電子輸送層之全體或其一部份可 Μ使用無櫬材料。最好之實例是可以使用碳化硅，氮化 鎵，晒化鋅，硫化鋅系之無機半等體材料。 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本發明之製造方法之特戡，是所包含步驟有：在基板 上形成具有至少一部份之高度超過薄膜層厚度之間隔物 :和圓型製作步揉，在具有依横切開口部之方式形成補 強線之陰影罩蓁密接在間隔物之狀態，經由蒸鍍蒸鍍物 來進行圖型製作。例如，在第1圖之剖面圖之第 3匾所示，在基板1上形成具有高度超過薄膜層10厚度 之間隔物4。在形成薄膜層等之後，如第4圖和第4圖 之Ι-Ι ·剖面画之第5圖所示，使具有補強線33的陰影 罩幕密接在上述間隔物之狀態，如第6圖和第6圖之側 面圈之第7圖所示，經由蒸鍍蒸鍍物來對第二電極8進 行圖型製作。此時.因為陰影罩幕密接在間隔物，所以 可Μ防止傷及薄瞋層。另外，在該陰影罩幕之罩幕部份 31 —方之面35和補強線之間存在有間隙36,所Μ經由使 蒸鍍物轉人該間隙來蒸鍍，可以利用補強線使第二電極 不會被分斷而進行圖型製作。下面Κ此種有機電場發光 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格U10X297公釐） A7 經濟部中央樣準局負工消費合作社印製 五、發明説明（/5) 1 1 装 置 之 製 造 方 法 為 例 詳 细 說 明 本 發 明 0 1 1 | 首 先 • 將 基 板 1 上 之 第 一 電 極 2 Μ 圓 型 製 作 成 如 第 8 1 圈 所 示 形 狀 〇 圖 型 製 作 方 法 可 使 用 習 知 之 技 術 » 並 沒 請 先 1 1 有 特 別 之 限 定 〇 因 此 依 照 本 明 明 使 用 具 有 補 強 線 陰 影 閲 1 背 1 罩 幕 之 團 型 製 作 方 法 亦 可 以 在 基 板 上 形 成 第 —' 電 極 > 可 面 之 1 注 | 是 通 常 是 利 用 光 刻 法 來 對 形 成 在 基 板 全 面 之 第 —* 電 極 進 | 事 1 行 触 刻 進 行 匾 型 製 作 Ο 第 一 電 極 之 圖 型 形 狀 並 沒 有 特 別 項 再 1 % : 1 之 限 定 » 可 Μ 依 昭 用 途 選 擇 最 佳 圖 型 〇 另 外 » 第 —* 電 極 % 本 I 之 圖 型 製 作 可 Κ 依 照 需 要 來 進 行 • 例 如 在 片 段 型 發 光 裝 頁 Nw*· 1 1 置 中 9 在 第 一 電 極 成 為 共 同 電 極 之 情 況 時 » 亦 可 不 對 第 1 1 一 電 極 進 行 圜 型 製 作 〇 1 1 其 次 » 如 第 9 圖 所 示 f 在 後 面 所 形 成 具 有 高 度 超 過 薄 1 訂 膜 層 厚 度 之 間 隔 物 4 使 其 位 於 第 二 電 極 間 Ο 在 本 發 明 之 1 I 製 造 方 法 中 » 其 基 板 和 陰 影 罩 幕 密 接 著 9 為 了 防 止 陰 影 1 1 覃幕傷及形成在基板上之薄膜層 > 所 Μ 需 要 一 步 驟 用 來 1 1 在 基 板 上 » 形 成 具 有 至 少 一 部 份 之 高 度 超 過 薄 瞑 層 厚 度 1 ，令 之 間 隔 物 〇 間 隔 物 之 高 度 並 沒 有 特 別 之 限 定 9 利 用 該 間 7- 1 隔 物 在 陰 影 罩 幕 和 基 板 之 間 形 成 的 間 隙 9 當 考 慮 到 由 於 I I 蒸 鍍 物 轉 人 該 間 隙 引 起 圖 型 精 確 度 之 劣 化 * 通 常 是 Μ 0.5 1 I 100/i 11之範圍形 成 〇 1 1 用 Μ 形 成 間 隔 物 之 位 置 並 沒 有 特 別 之 限 定 $ 最 好 是 使 I 發 光 面 積 之 損 失 成 為 最 小 之 方 式 » 有 機 電 場 發 光 裝 置 I 之 非 發 光 區 域 為 中 心 來 配 置 間 隔 物 〇 間 隔 物 之 構 造 並 沒 1 1 有 特 別 之 限 定 • Μ 一 層 形 成 $ 或 多 層 之 £ 層 形 成 亦 1 I 1 7 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4洗格（2丨0X297公釐） A7 R7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製On the machine foot, there is a stilbene alkyl hydrogen optional group aromatic junction. It a selenium can also be halogen, sturbyl pf should be replaced by an external alkane ring and an alkaryl group (please read the precautions on the back first) (Fill in this tile again) • Packing. Alignment 'printed by the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs, Shellfish Consumer Cooperative, printed oxazole pt0 for alkane. HH, silazolyl »f-alkane, trioxane and aromatic, amine-based Arane, diyl, alkyl self-selection of alkyl, replacement of halogens, light emission is known as the eight substances, the combination of chemical and biological protons, low, in-vivo, biological materials for materials Light makes hair good for most authors, aluminum M, phenoyl, isyl hydrocarbons, 1 materials, bio-derivatives, alkenyl ethylbenzene, tetraphenyl, alkenyl, ethylbenzene, tetrakis, bio-derivation, M, azole, dioxane, benzene, twins, derivatives Material and raw bean fragrant incense This paper size is applicable to Chinese National Standard (CNS) A4 specification (2 丨 0 × 297 mm) A7 R7 Printed by the Shellfish Consumer Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs 5. Description of the invention (, · >) 1 1 I pyrrolo derivative 9 Jr · ^ Beilai Derivatives • Cyclopentadiene Derivatives »Dioxin 1 1 1 azole derivatives * Diazopyridine derivatives, etc. * It is best to use 1 in polymer% | Derivatives with polyphenylene vinylene derivatives» Poly-p-phenylene For polyphenol derivatization, please read 1 1 first. 0 9 other dopants doped in the light-emitting layer are best to use red m ene, »1 back 1 1 acryl derivative body hope oxazinone derivative • DC Μ, £ Naphthalene Derivatives, 茈 面 之 -ο 1 Note 1 Derivatives »Coumarin Derivatives 9 Di 丨 Pyrazine Benzodiindene, etc. 0 meaning in electron transport materials because it is required to re-inject electrons injected from the cathode 1 I ψ can effectively transport 9 so it is best to have a large electronic affinity 9 large electrographs Page 1 sub-movement 9 and can form a stable film 0 can meet this characteristic '— ^ 1 materials are best used 8- -Hydrocarbyl Porphyrin anthracene aluminum derivative, hydroxybenzo wave derivative 1 1 9 2 ^ (4--diphenyl)-5--(4- -t-butylphenyl)--1, 3, 4-1 1 oxadiazole (t-B u PBD) and 1, 3- -bis (4- t- -butylphenyl- -1, 3, 4-1 oxazolyl) diphenylene (0XD- -1 ), 1,3- -bis (4- -t ~ * butylphenyl- 1, 3 1 I, 4 -oxazolyl) phenylene (0XD- -7) and other oxazolyl derivatives, triazole Derivatives 1 I compounds »Phenanthroline derivatives, etc. 〇1 1 Materials used in the above hole transporting layer 9 light emitting layer 9 electron transporting layer 1 'Nickel materials can be formed separately. * Polymer polymers can be used as polymer binders. Polyethylene 9 Polyacetate »Polystyrene * Poly (N Monoethylene Ptazole), Poly 1 1 Methacrylate 9 Poly Butyl Acrylate * Polyester 9 Poly m 1 Polydiphenyl 1 I Ether Poly Butadiene Ene »m hydrogen resin» methyl m resin 9 benzene resin 9 polymorph 1 1 9 polyethylamine mvinin 9 acetic acid Ethylene 9 ABS resin, polyurethane 1 resin and other solvent-soluble resins 9 and phenolic resins, xylene resins, 1 petroleum resins 9 urea resins 9 trimer resins > unsaturated polyester resins 1 1 9 alkyd resins 9 Hardening resins such as silicone resins 0 1 1 15 1 1 1 This paper size is applicable to 8 Chinese standards (CNS) A4 size (210X297 mm) A7 β7 5. Description of the invention (/ * /) The above hole delivery The method for forming a layer, a light-emitting layer, and an electron transport layer is not limited to resistance heating evaporation, electron beam evaporation, sputtering evaporation, and the like. From the viewpoint of characteristics, it is usually best to use mold resistance heating evaporation. And electron beam evaporation. The thickness of the organic layer is not limited because it is related to its resistance value. Practically, a thickness between 10 and 1000 η «is selected. In addition, the whole or a part of the hole transport layer and the electron transport layer can be made of non-fluoride materials. The best examples are inorganic semi-isomeric materials such as silicon carbide, gallium nitride, zinc zinc, and zinc sulfide. Printed by the Consumer Cooperatives of the Central Procurement Bureau of the Ministry of Economic Affairs (please read the precautions on the back before filling out this page) The special feature of the manufacturing method of the present invention is that it includes the steps of forming at least a portion of the height on the substrate Spacers that exceed the thickness of the film layer: Knead with the round shape, and make a pattern by vapor-depositing the shadow mask in a state where the shadow mask with the reinforcing line formed across the opening is tightly adhered to the spacer. For example, as shown in the third plaque in the cross-sectional view of FIG. 1, a spacer 4 having a height exceeding the thickness of the thin film layer 10 is formed on the substrate 1. After forming the thin film layer, etc., as shown in FIGS. 4 and 4 -I · As shown in Fig. 5 of the sectional drawing, the shadow mask with the reinforcing line 33 is in close contact with the spacer, as shown in Fig. 6 and Fig. 7 of the side circle of Fig. 6 through vapor deposition. The second electrode 8 is patterned by vapor deposition. At this time, since the shadow mask is closely attached to the spacer, it is possible to prevent damage to the thin layer. In addition, the mask portion 31 of the shadow mask is — There is a gap 36 between the square face 35 and the reinforcement line. The vapor deposition material is transferred to the gap for vapor deposition, and the reinforcing electrode can be used to make the second electrode not be cut off to produce a pattern. The following organic light emission of this kind is -16- This paper applies Chinese national standards (CNS ) Α4 size U10X297 mm) A7 Printed by the Central Bureau of Standards, Ministry of Economic Affairs, Consumer Goods Cooperative, Cooperative V. Invention Description (/ 5) 1 1 The device manufacturing method is taken as an example to illustrate the invention in detail 0 1 1 | First • Substrate 1 The first electrode on the 2M circle is made into the shape shown in the circle of circle 1. The pattern can be produced using conventional techniques. »There is no special limitation. 1 1 Therefore, it should be used in accordance with this specification. Read 1 Back 1 Mask formation method can also be used to form the first electrode on the substrate-'Electrical surface 1 Note | It is common to use photolithography to form the first electrode on the entire substrate-* 1 line touch into Plaque-shaped production 0 There is no special item for the shape of the pattern of the first electrode 1%: 1 limitation »The best pattern can be selected according to the application 〇 In addition» No.-* electrode% The pattern of this I can be made according to Need to do • For example, in the fragment-type light-emitting page Nw * · 1 1 Center 9 When the first electrode becomes a common electrode »It is not necessary to make the first electrode of the first electrode 〇1 1 Secondly» As the 9th As shown in the figure, a spacer 4 having a height exceeding the thickness of the thin film 1 is formed at the back 4 so that it is located between the second electrodes. 0 In the present invention 1 I Manufacturing method »The substrate and the shadow mask are closely sealed 9 In order to prevent Shadow 1 1 Qin Mu damages the thin film layer formed on the substrate> All steps are needed for 1 1 on the substrate »to form a spacer with a height of at least a portion exceeding the thickness of the thin layer 1 to make the spacer. The height of the spacer is not particularly limited. 9 Use this space. 7-1 The gap formed between the shadow mask and the substrate by the spacer. 9 When taking into account the degradation of the pattern accuracy caused by the transfer of the II vapor deposition to the gap * It is usually formed in the range of M 0.5 1 I 100 / i 11 〇 1 1 There is no particular limitation on the position of the spacer formed by M. It is best to minimize the loss of I light-emitting area »Organic field light-emitting device I Spacers are arranged at the center of the light-emitting area. The structure of the spacers is not limited. 1 1 There are no special restrictions on the structure. • One layer forms $ or multiple layers. Layer formation is also 1 I 1 7 1 1 1 1 > A4 Washer (2 丨 0X297mm) A7 R7 Printed by the Consumers' Cooperative of the Central Government Bureau of the Ministry of Economic Affairs

五、發明説明（ ) 1 1 I 可 〇 例 如 1 如 第 1 0 1 2圖所示 > 亦 可 使 膜 厚 較 薄 之 第 一 1 1 I 間 隔 物 3 形 成 於 第 一 電 搔 2 之 間 9 並 使 與 其 相 交 而 具 有 1 | 高 度 超 過 薄 膜 層 厚 度 之 第 二 間 隔 物 4 形 成 在 第 二 電 極 8 請 先 1 1 之 間 〇 另 外 如 第 1 3 15圖所示 9 亦 可 使 第 - 間 隔 物 形 閲 讀 1 背 --1 成 覆 蓋 在 第 -· 電 掻 端 部 之 方 式 使 其 附 加 作 為 層 間 緣 層 面 之 1 注 I 之 功 能 9 和 第 —- 間 隔 物 形 成 矩 陣 狀 > 第 二 間 隔 物 4 形 成 意 事 • 重 叠 在 其 一 部 份 0 另 外 1 亦 可 以 在 基 板 上 配 置 多 値 點 狀 項 再 1 之 間 隔 物 〇 間 隔 物 之 剖 面 形 狀 並 沒 有 特 別 之 限 定 〇 本 裝 I 間 隔 物 因 為 大 部 份 形 成 連 接 於 第 一 電 極 之 狀 態 9 所 以 頁 ___^ 1 1 最 好 具 有 充 分 之 電 絶 緣 性 〇 亦 可 以 使 用 導 電 性 之 間 隔 物 1 I 9 但 是 在 這 種 情 況 時 最 好 形 成 有 電 絶 緣 性 部 份 用 以 防 止 1 I 電 極 間 之 短 路 〇 間 隔 物 材 料 可 以 使 用 習 知 之 材 料 9 在 無 1 訂 Ujk 饿 物 中 最 好 使 用 以 氧 化 矽 為 首 之 氧 化 物 材 料 I 玻 璃 材 料 1 I 陶 瓷 材 料 等 J 在 有 機 物 中 最 好 使 用 聚 乙 烯 % > 聚 亞 m 1 1 胺 % > 聚 苯 乙 烯 糸 > 丙 烯 酸 糸 S 漆 用 酚 m 糸 ， 硅 % 等 之 1 1 聚 合 物 % 樹 脂 材 料 〇 再 者 9 經 由 間 隔 物 全 體 9 或 與 基 板 1 線 或 第 一 電 極 接 觸 之 部 份 加 以 黑 色 化 » 可 以 使 間 隔 物 附 加 有 黒 基 體 之 功 能 用 來 提 高 有 機 電 場 發 光 裝 置 之 顯 示 對 比 1 1 〇 這 種 情 況 時 作 為 間 隔 物 材 料 9 在 jtwrT· m. UM, 饿 物 中 最 好 使 用 硅 1 | 9 神 化 鎵 1 二 氧 化 錳 9 氧 化 鈦 或 氧 化 絡 和 金 屬 絡 之 叠 層 I 1 膜 等 1 在 有 機 物 中 最 好 是 使 用 上 述 樹 脂 材 料 為 箸 提 高 | 電 絶 緣 性 而 施 加 表 面 處 理 之 m 黑 糸 > 酞 菁 条 9 m m % 1 單 偶 氮 基 % » 二 偶 氮 基 % 9 金 屬 錯 鹽 型 DO 早 偶 氮 基 % t 三 1 1 芳 基 甲 烷 条 9 苯 胺 % 等 之 習 知 之 顔 料 或 染 料 或 混 合 有 1 I 18 1 1 I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7V. Description of the invention () 1 1 I can be, for example, 1 as shown in the figure 1 0 1 2 > The first 1 1 I spacer 3 with a thin film thickness can also be formed between the first electrodes 2 9 The second spacer 4 having a height exceeding the thickness of the thin film layer is formed at the intersection of the first electrode and the second electrode. The first spacer is formed between the first electrode and the second electrode. Read 1 back--1 to cover the end of the--electric cymbal end so that it is added as an interlayer edge level 1 Note I function 9 and the first-spacers form a matrix > the second spacer 4 formation intention Matters • Overlaid on a part of it 0 In addition, 1 spacers with multiple dots and 1 can also be arranged on the substrate. The cross-sectional shape of the spacers is not particularly limited. This assembly I spacers are mostly connected. In the state of the first electrode 9 So page ___ ^ 1 1 It is best to have sufficient electrical insulation. It is also possible to use a conductive spacer 1 I 9 but in this case it is best to form an electrically insulating part to prevent 1 I between the electrodes The short circuit can be used as the spacer material. 9 In the case of no Ujk, it is best to use an oxide material such as silicon oxide. I glass material 1 I ceramic material, etc. J It is best to use polyethylene in organic materials. ; Polym 1 1 amine% > polystyrene 糸 > acrylic 糸 S lacquer phenol m 糸, silicon% etc. 1 1 polymer% resin material 〇 9 more via the spacer 9 as a whole or with the substrate 1 line Or the part where the first electrode contacts is blackened »The spacer can be added with the function of a plutonium substrate to improve the display contrast of the organic electric field light-emitting device 1 1 〇 In this case, it is used as a spacer material 9 in jtwrT · m. UM , hungry It is best to use silicon 1 | 9 aluminized gallium 1 manganese dioxide 9 titanium oxide or a laminated layer of oxide and metal I 1 film, etc. 1 It is best to use the above resin materials in organic materials for the purpose of improving | electrical insulation Surface treatment of m > phthalocyanine strips 9 mm% 1 monoazo group% »diazo group% 9 metal salt type DO early azo group% t 1 1 arylmethane strip 9 aniline% etc. Conventional pigments or dyes or mixed with 1 I 18 1 1 I This paper size applies to China National Standard (CNS) A4 specifications (210X 297 mm) A7

KL 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明（/7) 1 1 I 上 述 無 機 材 料 粉 末 者 〇 1 1 | 間 隔 物 層 之 形 成 方 法 » 使 用 無 櫬 材 料 之 情 況 時 最 好 利 1 用 電 阻 加 熱 蒸 鍍 9 電 子 束 射 蒸 鍍 f 濺 射 蒸 鍍 法 等 之 乾 式 請 先 1 1 處 理 方 法 在 使 用 有 機 材 料 之 情 況 時 最 好 利 用 旋 轉 被 覆 閱 讀 1 背 9 開 縫 模 頭 被 覆 1 浸 清 被 覆 法 等 之 濕 式 處 理 方 法 » 但 是 面 之 1 注 1 並 沒 有 特 別 之 限 定 〇 意 事 間 隔 物 之 圖 型 製 作 方 法 並 沒 有 特 別 之 限 定 » 在 第 一 電 項 再 1 填 極 之 匾 型 製 作 步 驟 之 後 9 在 基 板 全 面 形 成 間 隔 物 層 » 使 本 I 用 習 用 之 光 刻 法 進 行 圖 型 製 作 之 方 法 在 步 驟 上 變 成 很 容 頁 1 1 易 〇 亦 可 Μ 使 用 對 光 抗 蝕 刻 之 蝕 刻 法 或 分 離 法 對 間 隔 物 1 I 進 行 圖 型 製 作 • 亦 可 使 用 實 例 所 示 在 上 述 樹 脂 材 料 附· 1 1 加 感 光 性 之 感 光 性 間 隔 物 材 料 » 經 由 使 間 隔 物 層 直 接 曝 1 訂 光 » 顯 像 來 進 行 nat 圔 型 製 成 0 1 1 下 面 說 明 薄 膜 層 之 形 成 方 法 〇 首 先 在 第 9 圖 所 示 形 成 1 1 有 間 隔 物 之 基 板 上 形 成 電 洞 输 送 層 5 ，在這種情f 第16圈 1 1 所 示 > 在 存 在 有 發 光 區 域 之 全 部 區 域 蒸 鍍 電 洞 送 材 料 1 卞 11即可 〇 1 對 於 發 光 層 則 Μ 如 下 方 式 進 行 圖 型 製 作 Ο 第1 7圖表不 1 | 所 使 用 之 陰 影 罩 幕 0 在罩幕部份31設置具有對應於各個 1 I 發 光 層 圖 型 之 開 Ρ 部32， 為 了 防 止 開 □ 部 形 吠 之 變 形 t 1 1 以 横 過 開 Ρ 部 之 方 式 * 與 罩 幕 部 份 在 同 一 面 內 形 成 存 在 | 補強線33 •再 者 9 該 陰 影 罩 幕 為 了 易 於 處 理 所 Μ 固 定 在 框 . 1 架 34 Ο 其 次 9 如第18圖和第18圃側面圖之第 19_所示 t 1 1 補強線33 Μ重叠在間隔物4 之 方 式 對 準 第 一 電 極 2 和 開 1 I 19 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（2IOX 297公籩） A7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明 1 (/^ ) 1 1 P 部 32之 位 置 » 使 該 陰 影 罩 幕 密 接 於 間 隔 物 4 >亦即， 補 1 1 I 強 線 與 間 隔 物 接 觸 〇 在 此 種 狀 態 經 由 蒸 鍍 發 光 材 料 12用 1 | 來 在 所 希 望 之 區 域 形 成 發 光 層 6 (此 處 之 情 況 為 B 發 光 層 請 先 1 ! ) >重複此種動作3次， 如第20圖所示在第- -電極上進行 閱 讀 背 1 L 各 個 RGB發光層6 之圖型製作 ，另外， 發光層之圈型製 面 之 1 注 I 作 所 使 用 之 陰 影 罩 幕 並 不 限 定 於 第 17圖 所 示 之 罩 幕 〇 例 意 事 1 如 亦 可 Μ 使 用 第 4 圖 所 示 之 第 2 電 極 等 之 圖 型 製 作 時 所 項 再 1 I 填 1 Ά 使 用 之 陰 影 罩 幕 來 進 行 圖 型 製 作 〇 % 本 因 為 陰 影 罩 幕 接 觸 於 間 隔 物 不 會 傷 及 薄 瞑 層 ， 所 Μ 不 頁 1 1 會 劣 化 有 機 電 場 發 光 元 件 之 特 性 9 和 基 板 與 陰 影 罩 幕 之 1 I 位 置 對 準 可 Μ 很 容 易 進 行 〇 1 I 亦 可 使 用 對 應 於 各 個 發 光 層 圖 型 數 巨 之 陰 影 罩 幕 來 1 訂 對 發 光 層 進 行 圖 型 製 作 9 在 如 矩 陣 型 發 光 裝 置 之 重 複 形 1 I 成 同 一 發 光 層 fBff 圖 型 之 情 況 時 » 可 使 1 片 之 陰 影 罩 幕 和 1 1 1 基 板 之 相 對 位 置 偏 移 來 進 行 各 涸 發 光 層 之 [St 國 型 製 作 〇 1 1 陰 影 罩 幕 之 構 造 並 沒 有 特 別 之 限 定 最 好 在 發 光 區 域以 1 未 存 在 有 成 為 補 強 線 之 影 部 份 9 在 開 □ 部 配 置 補 強 镲 » 促 成 間 隔 物 中 之 高 度 超 過 薄 膜 層 厚 度 之 部 份 與 補 強 媒 一 1 1 致 〇 1 I 補 強 線 寬 度 並 沒 有 特 別 之 限 定 * 最 好 小 於 未 存 在 有 發 1 1 光 層 之 部 份 * 亦 即 小 於 有 機 電 場 發 光 裝 置 之 非 發 光 區 域 I 之 寬 度 0 因 此 1 補 強 線 寬 度 最 好 小 於 50 U 田， 如小於30 ψ 1 | U Π»更佳 ，對於罩幕部份之厚度， 從陰影罩幕之形狀保 1 1 持 性 覬 點 來 看 厚 者 較 好 • 但 是 需 將 補 強 線 寬 度 製 作 成 更 1 I 20 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印装 A7 ______________________________ ^___— py五、發明説明（/7) 小，所Μ最好是該補強線寬度之一半左右以上，和其3 倍左右以下。 第一電極和發光層圖型之平面大小，並沒有特別之限 定，從降低第一電極和第二電極之短路可能性之觀點來 看，最好使發光層圖型大於對應到各個發光區域之第一 電極露出部份。在第1〜3圖所示之單純矩陣型發光裝置 中，實用位準之各個發光區域之典型的横方向間距可以 使用ΙΟΟ/iB之值。在這種情況，假如第一電極之寬度為 70 α b時，最好將發光層圖型和開口部之寬度設定與間 距相對之100«m作為中心值，大於第一電極之寬度，和 不會重叠在鄰接之第一電極上。 在製造單色發光裝置時可Μ省略發光層之圖型製作步 驟。在這種情況時，與第16圖所示之方法同漾的，可Μ 在存在發光區域之全部區域蒸鍍發光材料來形成發光層。 對於電子輸送層，如第21圖所示，在存在有發光區域 之全部區域蒸鍍電子输送材料13來形成電子输送層7。 另外，在第18圖和第19圖所示之發光之圚型製作步驟中 ，經由連鑛蒸鍍電子輪送材料，亦可Μ第22圖所示Μ對 應於各個RGB發光層6之電子输送層7進行圖型製作。 電子輸送層之形成方法並沒有特別之限定，當有異物附 著在陰影罩幕等，即使在第一電極上形成未存在發光層 區域，若在全部區域蒸鍍電子輸送材料時，因為Μ電子 输送層被覆於該區域具有可Κ防止有機電場發光元件特 性大幅劣化之效果，所Μ最好Μ前者之方法形成電子輸 -21- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 '^ .n-- A7 B1 經濟部中央標隼局負工消費合作社印褽 五、發明説明（糾） 1 1 I 送 層 〇 在 此 情 況 時 > 為 了 防 止 能 最 從 發 光 層 朝 向 電 子 輸 1 1 1 送 層 移 動 的 發 光 色 之 變 化 » 所 使 用 的 電 子 输 送 材 料 最 1 I 好 具 有 發 光 能 量 大 於 或 等 於 各 涸 發 光 層 中 之 最 大 發 光 能 請 1 1 量 Ο 亦 即 • 在第21圖所示 之 發 光 裝 置 之 構 造 中 » 形 成 電 閲 讀 背 1 L 子 输 送 層 7 所 使 用 之 電 子 输 送 材 料 係 具 有 發 光 能 量 最 好 面 之 1 注 1 等 於 或 大 於 Β 發 光 層 者 〇 意 事 項 再 另 外 參 上 述 之 電 洞 输 送 層 或 電 子 輸 送 層 之 形 成 步 m • 1 1 依 照 包 含 在 有 機 電 場 發 光 元 件 之 薄 膜 層 之 構 成 可 加 Μ 省 寫 本 略 〇 頁 ^—- 1 1 下 面 說 明 第 二 電 極 之 圖 型 製 作 方 法 〇 第 4 |tBi 和 第 5 圖 1 I 表 示 所 使 用 之 陰 影 罩 幕 > 在罩幕部份31設置具有形狀對’ 1 I 應 於 第 二 電 極 圖 型 之 開 Ρ 部 32 » 為 了 防 止 開 部 形 吠 之 1 訂 變 形 9 設 有 以 横 過 開 Ρ 部 形 成 補 強 線 33 0 另 外 9 在 罩 幕 1 I 部 份 一 方 之面35和 補 強 線 之 間 存 在 有 間 隙 36 〇 再 者 » 該 1 1 陰 影 罩 幕 為 了 易 於 處 理 所 Κ 固 定 在 框 架 34 Ο 其 次 » 如 第 1 1 6 画 和 第 7 (91 國 所 示 罩幕部份31與間隔物4 重 叠 之 方 式 1 1 對 準 位 置 • 同 時 使 該 陰 影 罩 幕 密 接 於 間 隔 物 〇 在 此 種 狀 態 經 由 蒸 鍍 第 二 電 極 材 料 1 4來在所希望之區域形成第 二 電 1 1 極 8 Ο 從補強線33側飛來之第 二 電 極 材 料 » 因 為 存 在 有 1 I 間 隙 36 » 被 蒸 鍍 成 轉 入 到 成 為 補 強 線 之 影 部 份 $ 所 Μ 利 1 1 用 補 強 線 使 第 二 電 極 不 會 被 分 斷 〇 1 1 因 為 陰 影 罩 幕 接 觸 在 間 隔 物 不 會 傷 及 薄 膜 層 9 所 Μ 不 | 會 劣 化 有 機 電 場 發 光 元 件 之 特 性 « 另 外 9 基 板 和 陰 影 罩 1 1 幕 之 位 置 對 準 可 W 容 易 的 進 行 〇 1 I -22- 1 1 1 本紙伕尺度適用中國固家標準（CNS ) A4規格（210/297公釐） A7 B1 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（7/ ) 1 1 I 依 眧 ,、、、 上 述 之 方 式 最 好 之 方 法 是 1 次 之 蒸 鍍 步 驟 對 1 1 1 第 二 電 極 進 行 圄 型 製 作 但 是 步 驟 數 巨 並 沒 有 特 別 之 限 1 I 定 亦 可 以 使 用 多 個 陰 影 罩 幕 » Μ 1 個 陰 影 罩 幕 與 基 板 請 1 1 閲 I 之 位 置 相 對 地 偏 移 等 分 成 多 傾 蒸 鍍 工 程 來 對 第 二 電 極 1 1 背 1· 進 行 圖 型 製 作 〇 之 1 注 1 第 二 電 極 材 料 之 蒸 鍍 條 件 並 沒 有 特 別 之 限 定 可 以 白 意 事 1 個 蒸 鍍 源 進 行 蒸 鍍 f 但 是 為 了 利 用 補 強 線 使 第 二 電 極 項 再 1 I 導 ( 不 容 易 發 生 分 斷 t 所 Μ 白 多 個 不 同 方 向 之 第 二 電 極 材 料 寫 本 I 蒸 鍍 成 轉 入 到 補 強 線 為 有 效 果 〇 作 為 實 琨 此 種 效 果 之 方 頁 V_ 1 1 法 9 係 使 用 真 空 蒸 鍍 法 (來自蒸鍍源之蒸鍍物直進的到 1 | 達 基 板 )等之高真空處理情況， 最好之方法是蒸鍍來自 1 | 多 個 蒸 鍍 源 之 第 二 電 極 材 料 » 對 於 1 個 Μ 上 之 蒸 鍍 源 使 1 訂 基 板 相 對 地 移 動 或 旋 轉 » 同 時 蒸 鍍 第 二 電 極 材 料 〇 另 外 1 I 9 對 於 濺 射 蒸 鍍 法 等 之 低 真 空 處 理 » 在 原 理 上 因 為 第 二 1 1 電 極 材 料 從 任 何 方 向 飛 來 » 很 容 易 轉 入 補 強 線 而 被 蒸 鍍 1 1 > 所 是 較 佳 之 方 法 〇 1 % 對 於 間 隔 物 和 陰 影 罩 幕 之 罩 幕 部 份 的 位 置 闞 係 並 沒 有 1 特 別 之 限 定 » 可 是 存 在 於 基 板 和 補 強 線 間 之 間 隙 因 為 實 1 1 質 變 高 • 所 第 二 電 極 材 料 對 補 強 線 之 轉 入 量 增 大 * 在 1 I 凹 凸 較 少 之 基 板 上 區 域 予 蒸 鍍 第 二 電 極 材 料 9 可 Μ 抑 制 1 1 第 二 電 極 之 電 電 阻 值 增 加 9 另 外 参 依 照 條 件 之 不 同 薄 1 膜 層 可 Μ 形 成 由 第 一 電 極 或 基 板 和 間 隔 物 及 第 二 電 極 完 I 全 包 圍 9 所 以 可 Μ 抑 制 由 於 水 分 之 侵 入 到 薄 膜 層 所 造 成 1 1 有 機 電 場 發 光 元 件 之 特 性 劣 化 » 所 第 7 圖 所 示 間 隔 物 1 | 23 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（又2) A7 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印装 中之高度超過薄膜層厚度之部份即為陰影罩幕之罩幕部 份，亦即存在於第二電極間最佳。 第二電極之圖型製作所使用之陰影罩幕並不限定於第 4圖和第23圖所示之構造者，例如，補強線亦可Μ形成 柵網狀。另外，罩幕部份31亦可Μ形成如第24圖剖面圖 所示之推拔形狀，第25圖之剖面圖所示之補強線33亦可 Μ形成與罩幕部份31成為一體之構造。 對於簞幕部份之厚度，當其厚度愈厚，存在於罩幕部 份一方之面和補強線間之間隙就變髙，鍍蒸物之轉入量 會增大，雖沒有特別之限定，但是與罩幕部份之寬度比 較，因為要精確的製作厚度大的陰影罩幕會有困難，所Μ 罩幕部份之厚度最好是與罩幕部份之最小寬度同程度Μ 上，及其3倍左右Μ下。補強線之寬度因基本上愈细時 其蒸鍍物之轉入量會增大，所Κ最好是小於間隙之高度 。另外，補強線之條數，為了減少成為補強線之影部份 ，所Μ在充分防止開口部變形之範圍内，最好儘可能的 少0 另外，因應於需要在第二電極之圖型製作步驟之後， 利用習知技術或本發明製造方法之圖型製作技術，可Κ 進行保護層之形成或發光區域之密封。 最好是利用本發明之製造方法對有機電場發光裝置之 發光層或第二電極之至少一方進行圖型製作，但是本發 明之匾型製作並不限定於使用陰影罩幕之構造。因此， 亦可Μ使用第4圖所示之補強線不接觸於間隔物構造之 -24 本紙張尺度適用中《8家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 請 先 閱 面 之 注 意 事 項 再 t 訂 A7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印褽 五、發明説明（2，) 1 1 I 陰 影 罩 幕 用 來 對 發 光 層 進 行 圖 型 製 作 此時之第二電極亦 1 1 I 可 利 用 習 知 技 術 進 行 Ο 國 型 製 作 〇 另 外 亦 可 Μ 使 用 如 第 1 | 26圖所示補強線33和 罩 幕部份31形成在同 一 面 内 之 陰 影 請 先 1 1 幕 罩 * 如第27圖和 第27圖側面圖之第28圖所示 9 利 用 由 閱 讀 1 L 使 間 隔 物 4 形 成 較 高 t 用來在補強線33和薄膜層10之間 面 之 1 注 1 所 產 生 間隙36 , 對 第 二 電 極 8 進 行 圖 型 製 作 0 意 事 1 作 為 構 成 陰 影 罩 幕 之 材 料 » 最 好 使 用 不 锈 鋼 9 飼 合 金 項 再 1 \ 袭 I 鎳 合 金 9 鋁 合 金 等 之 金 騙 材 料 9 習 知 之 樹 脂 材 料 * 聚 本 乙 烯 % » 聚 亞醞胺糸 9 聚 苯 乙 烯 糸 > 丙 烯 酸 糸 9 漆 用 酚 頁 1 1 醛 糸 • 硅 系 等 之 聚 合 物 使 其 具 有 感 光 性 之 感 光 性 樹 脂 材 1 I 料 等 9 但 是 並 不 限 定 於 該 等 材 料 〇 陰 影 罩 幕 之 罩 幕 部 份. 1 I 和 補 強 線 可 由 相 同 之 材 料 或 不 同 之 材 料 構 成 〇 另 外 • 如 1 訂 第29圖所示 參 在 陰 影 罩 幕 與 間 隔 物 密 接 側 之 面 9 使 用 上 1 I 述 之 樹 脂 材 料 形 成 高 柔 软 性 之 媛 衝 部 份 37 在 兩 者 進 行 1 1 密 接 時 * 可 更 進 一 步 提 高 防 止 傷 及 間 隔 物 或 薄 膜 層 之 1 1 效 果 Ο 1 % 在 本 發 明 之 製 造 方 法 中 9 最 好 使 罩 幕 部 份 和 補 強 線 之 1 至 少 一 方 由 磁 性 材 料 所 成 陰 影 罩 幕 * 利 用 磁 力 密 接 在 間 1 1 隔 物 〇 並 由 於 此 因 為 可 Μ 使 基 板 和 陰 影 罩 幕 更 均 一 和 1 I 更 確 實 地 密 接 • 所 以 可 Η 更 進 一 步 的 提 高 圖 型 製 作 之 精 1 1 確 度 0 在 基 板 和 陰 影 罩 幕 之 位 置 對 準 後 用 以 固 定 兩 者 之 I 相 對 位 置 之 方 法 t 或 支 持 陰 影 罩 幕 本 身 重 量 之 方 法 並 沒 I 有 特 別 之 限 定 9 可 Μ 利 用 磁 力 • 亦 可 Μ 利 用 機 械 之 方 法0 1 1 構 成 罩 幕 部 份 和 補 強 線 至 少 一 方 之 磁 性 材 料 1 最 好 是 1 | 25 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ：297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作社印聚 A7 __ 五、發明説明) 使用戡合金，鈷合金，鎳合金等之金靨材料，碳網，辑 網，铬鋦，鈷網，KS網，JV1K鋼，Alnico鋼，NKS網， Cunico網，0P肥粒鐵，Ba肥粒鐵等之磁鐵材料，Si-Co 条和Na-Fe-B系等之稀土類磁鐵材料，矽網板，Al-Fe洽 金，Mn-Zn系肥粒鐵，Ni-Zn系肥粒餓，Cu-Zn系肥粒截 等之磁芯材料，羰基鐵，Mo坡奠合金，鐵硅鋁磁性合金 等之微粉末與结合劑结合縮壓成型之壓粉材料等。最好 自該等磁性材料形成Η狀來製成陰影罩幕，亦可Μ上述 磁性材料之粉末混合在橡膠或樹脂使其形成片狀來製作 陰影罩幕。另外，亦可Μ因應需要，利用預先之被磁化 之磁性材料來製作陰影罩幕，亦可Μ製作陰影罩幕後再 磁化。 利用磁力使陰影罩幕密接在間隔物之方法，最好是使 罩幕部份和補強線之至少一方由磁性材料形成的陰影罩 幕，利用配置在有機電場發光裝置基板背側之磁鐵來吸 引。但是，Μ配合陰影罩幕和其他一個Μ上之物體間互 相波及磁力即可，所Μ上述之方法並沒有特別之限定， 例如，由利用作為磁鐵功能之陰影罩幕和由磁性材料所 成基板之組合，在兩者之間作動吸引力來提高密接性β 作為磁餓可以使用習知之永久磁戡及電磁鐵。其形狀 和大小並沒有特別之限定。另外，亦可Κ使用單一之锇 來吸引陰影罩幕，另外，亦可Μ利用磁鐵之集合體，使 多涸磁锇貼合，或Μ所定之間隔排列所形成磁箱。磁戡 和陰影罩幕之距離或動作於兩者間之磁力大小，只要對 -26- 本紙張尺度適用中國W家梂牟（CNS > Α4規格（210Χ297公釐） -----‘--·---^袭------訂------'" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 m 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製KL Printed by the Central Bureau of the Ministry of Economic Affairs, Shellfish Consumer Cooperative Co., Ltd. 5. Description of the invention (/ 7) 1 1 I For the above inorganic material powders 〇1 1 | How to form the spacer layer 1 Drying by resistance heating 9 Electron beam evaporation f Sputtering and other dry methods please first 1 1 Treatment method When using organic materials, it is best to use rotary coating to read 1 Back 9 Slot die coating 1 Dipping Wet processing methods such as the coating method »But the first one Note 1 is not particularly limited. The method for making the pattern of the spacer is not particularly limited. After the step 9, a spacer layer is formed on the entire surface of the substrate »The method of pattern making using the conventional photolithography method in this step is in step The upper surface becomes very easy. 1 1 〇 You can also use the photoresistive etching method or the separation method to pattern the spacer 1 I. You can also use the example shown in the above resin material. Photosensitive spacer material »Direct exposure of the spacer layer 1 Ordering light» Development to make nat 圔 type 0 1 1 The method of forming a thin film layer will be explained below. First, 1 1 is formed as shown in Figure 9 A hole transporting layer 5 is formed on the substrate of the object. In this case, as shown in the 16th circle 1 1 > The hole transporting material 1 is deposited on all areas where the light emitting area exists. 1 For the light emitting layer, Μ Make the pattern as follows. 0 The 1st chart 7 is not used. 1 The shadow mask used. 0 The mask portion 31 is provided with an opening portion 32 corresponding to each 1 I light emitting layer pattern. In order to prevent the opening portion. Bark deformation t 1 1 crosses the open P section * and exists in the same plane as the mask part | Reinforcing line 33 • Furthermore 9 This shadow mask is fixed to the frame for easy handling. 1 rack 34 〇 Second 9 As shown in Figure 18 and Figure 19 of the side view of the 18th garden, t 1 1 reinforcement line 33 μ is superimposed on the spacer 4 and aligned with the first electrode 2 and open 1 I 19 1 1 1 This paper size is applicable to the country of China Standard (CNS > A4 size (2IOX 297 cm) A7 Printed by the Central Laboratories of the Ministry of Economic Affairs Printed by Shellfish Consumer Cooperatives V. Description of the invention 1 (/ ^) 1 1 Position of P Section 32 »Make the shadow mask close to the space Object 4 > That is, the supplemental 1 1 I strong wire is in contact with the spacer. In this state, the light-emitting layer 6 is formed in a desired region by using 1 | through the vapor-emitting light-emitting material 12 (here, the B light-emitting layer Please 1!) ≫ Repeat this action 3 times, as shown in Figure 20, read on the 1st electrode-1 L of each RGB light Figure 6 is made. In addition, the circle-shaped surface of the light-emitting layer 1 Note I The shadow mask used for the operation is not limited to the mask shown in Figure 17. Example 1 If you can also use 4 The second electrode and other figures shown in the figure are made when the pattern is made. 1 I fill in 1 图 The shadow mask used to make the pattern 0% This is because the shadow mask does not hurt the thin layer when it contacts the spacer. So the page 1 1 will degrade the characteristics of the organic electric field light-emitting element 9 and the 1 I position alignment of the substrate and the shadow mask can be easily performed. 1 I can also use a shadow mask corresponding to the number of patterns of each light-emitting layer. Murai 1 Order pattern production of light-emitting layer 9 In the case of repeated pattern of matrix-type light-emitting device 1 I into the same light-emitting layer fBff pattern »can make 1 piece of shadow mask and 1 1 1 substrate phase Position shifting is performed for each light-emitting layer. [St country-type production 〇1 1 The structure of the shadow mask is not particularly limited. It is best to have 1 in the light-emitting area without a shadow portion that becomes a reinforcing line 9 in the opening part Reinforcement configuration »The part where the height of the spacer exceeds the thickness of the film layer and the reinforcing medium 1 1 to 0 1 I The width of the reinforcing line is not particularly limited * It is preferably smaller than the part where no light emitting layer 1 1 exists * That is, the width of the non-light emitting area I of the organic electric field light-emitting device is 0. Therefore, the width of the reinforcing line 1 is preferably less than 50 U field, such as less than 30 ψ 1 | U Π ». The shape of the screen is 1 1. Thickness is better for the point of view. However, the width of the reinforcement line needs to be made to be more 1 I 20 1 1 1 This paper size applies to Chinese national standards (CNS > A4 size (210X 297mm) %) Printed by the Central Bureau of the Ministry of Economic Affairs, Shellfish Consumer Cooperatives A7 ______________________________ ^ ___— py V. The description of the invention (/ 7) is small, so it is better to be more than about one and a half of the width of the reinforcement line, and less than about three times its width. The plane sizes of the first electrode and the light-emitting layer pattern are not particularly limited. From the viewpoint of reducing the possibility of short circuit between the first electrode and the second electrode, it is better to make the light-emitting layer pattern larger than that corresponding to each light-emitting area. The first electrode is exposed. In the simple matrix type light-emitting device shown in Figs. 1 to 3, a typical lateral distance of each light-emitting area at a practical level can be a value of 100 / iB. In this case, if the width of the first electrode is 70 α b, it is better to set the width of the pattern of the light-emitting layer and the width of the opening to 100 «m as the center value, which is larger than the width of the first electrode, and Will overlap on the adjacent first electrode. When manufacturing a monochromatic light-emitting device, the pattern-making step of the light-emitting layer can be omitted. In this case, the same method as shown in FIG. 16 can be used to form a light-emitting layer by vapor-depositing a light-emitting material in all areas where light-emitting areas are present. As for the electron transporting layer, as shown in FIG. 21, the electron transporting material 13 is vapor-deposited to form the electron transporting layer 7 in the entire area where the light emitting region exists. In addition, in the light-emitting 发光 -type production steps shown in FIG. 18 and FIG. 19, the electron rotation material is vapor-deposited through continuous ore, and the electron transportation corresponding to each RGB light-emitting layer 6 shown in FIG. 22 can also be performed. Layer 7 is patterned. The method for forming the electron transport layer is not particularly limited. When foreign matter adheres to the shadow mask, etc., even if a light-emitting layer region is not formed on the first electrode, if the electron transport material is vapor-deposited on the entire area, the electron transport layer is M electron transport. The layer covering the area has the effect of preventing the organic electric field light-emitting element from deteriorating greatly. Therefore, the former method is best to form the electronic transmission. 21- This paper size is applicable to China National Standard (CNS) A4 specification (210 × 297 mm). (Please read the notes on the back before filling in this page) Order '^ .n-- A7 B1 Printed by the Consumers ’Cooperative of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economic Affairs 5. Description of the invention (correction) 1 1 I Send to the floor 〇 In this case TIME > In order to prevent the change of the luminous color that can move from the light-emitting layer to the electron transport layer 1 1 1 »The electron transport material used is the most 1 I, preferably with a luminous energy greater than or equal to the maximum luminous energy in each plutonium-emitting layer Please measure 1 1 〇 i.e. • In the structure of the light-emitting device shown in Figure 21 »The 1 L sub-transport layer 7 is used to form the electronic reading back. The electron transport material used is the one with the best luminous energy. 1 Note 1 is equal to or greater than the B luminous layer. For other matters, please refer to the above hole transport layer or electron transport. Steps of layer formation m • 1 1 According to the structure of the thin film layer included in the organic electric field light-emitting element, M can be added. Page 1 ^ — 1 1 The following describes the method for making the pattern of the second electrode. 5 Figure 1 I shows the shadow mask used.> The mask part 31 is provided with a shape pair '1 I should be in the second electrode pattern. The opening section 32 »To prevent the opening section from being deformed 9 A reinforcing line 33 is formed across the opening P to form a part 33. In addition, there is a gap 36 between the face 35 of the one part of the mask 1 and the reinforcing line 36. 〇 Furthermore »The 1 1 shadow mask is easy to handle. Principle K is fixed to the frame 34 〇 Secondly »As shown in picture 1 1 6 and 7 (the way in which the mask part 31 shown in country 91 overlaps with the spacer 4 1 1 align the position • while making the shadow mask close to the Spacer 〇 In this state, the second electrode material 1 is formed by vapor deposition of the second electrode material 1 4 in the desired region. 1 1 pole 8 〇 The second electrode material flying from the reinforcing wire 33 side »Because there is a 1 I gap 36 »It is vapor-deposited and transferred to the shadow portion which becomes the reinforcement line. $ 1 M1 1 The second electrode is not broken by the reinforcement line. 0 1 1 Because the shadow mask contacts the spacer and does not damage the film. Layer 9 is not | It will degrade the characteristics of the organic electric field light-emitting element «In addition 9 the substrate and the shadow mask 1 1 The position of the curtain can be easily aligned 〇1 I -22- 1 1 1 (CNS) A4 specification (210/297 mm) A7 B1 Central Ministry of Economic Affairs Printed by the Zhuhai Bureau Shellfish Consumer Cooperative Co., Ltd. V. Description of the invention (7 /) 1 1 I According to the above method, the best way is to perform a single evaporation step on the 1 1 2nd electrode. However, the number of steps is not particularly limited. It is also possible to use multiple shadow masks »Μ 1 shadow mask and the substrate Please shift the position of the 1 and 1 relative to each other and divide it into multiple tilt evaporation processes to Two electrodes 1 1 Back 1 · Pattern making 〇 1 Note 1 There are no special restrictions on the evaporation conditions of the second electrode material. One evaporation source can be used for evaporation f. However, in order to use the reinforcing wire to make the second electrode The electrode item is re-guided by I. (It is not easy to break t. The second electrode material in different directions is written in white. I is evaporated to transfer to the The line is effective. As a practical page, V_ 1 1 Method 9 is a high vacuum treatment using a vacuum evaporation method (evaporated material from the evaporation source goes straight to 1 | up to the substrate). A good way is to evaporate the second electrode material from 1 | multiple evaporation sources »for 1 evaporation source on 1 M to move or rotate one of the substrates relatively» simultaneously evaporate the second electrode material 〇 Another 1 I 9 For low vacuum processing such as sputtering evaporation method »In principle, the second 1 1 electrode material flies from any direction» It is easily transferred to the reinforcing wire and is vapor-deposited 1 1 > The better method 〇1 % There is no special limitation on the position of the spacer and the mask portion of the shadow mask. However, the gap between the substrate and the reinforcement line becomes higher because of the solid 1 1 • The second electrode material has a higher effect on the reinforcement line. Increase in transfers * at 1 I Pre-evaporation of the second electrode material on the substrate with less convex area 9 can be suppressed 1 1 The electrical resistance value of the second electrode can be increased 9 In addition, it can be thin according to the conditions 1 The film layer can be formed by the first electrode or the substrate and the spacer The object and the second electrode are completely surrounded by 9 so it can suppress the degradation of the characteristics of the organic electric field light-emitting element caused by the intrusion of moisture into the thin film layer. The spacer shown in Figure 7 | 23 1 1 1 Paper size Applicable to China National Standard (CNS) A4 specification (210X297 mm) V. Description of the invention (again 2) A7 The part of the printed part of the Central Government Bureau of the Ministry of Economic Affairs, which covers the height of the thickness of the film layer, is the shadow mask It is best that the mask portion exists between the second electrodes. The shadow mask used for the pattern production of the second electrode is not limited to those shown in Figs. 4 and 23, for example, the reinforcing wire may be formed into a grid pattern. In addition, the mask portion 31 can also be formed into a push-out shape as shown in the sectional view of FIG. 24, and the reinforcing line 33 shown in the sectional view of FIG. 25 can also be formed into an integrated structure with the mask portion 31. . Regarding the thickness of the curtain screen, when the thickness is thicker, the gap existing between one side of the mask screen and the reinforcing line becomes heavier, and the transfer amount of the plating material will increase. Although there is no particular limitation, but Compared with the width of the mask part, because it is difficult to accurately make a thick shadow mask, the thickness of the mask part is preferably the same as the minimum width of the mask part, and About 3 times M times. Since the width of the reinforcing wire is basically thinner, the amount of the deposited material will increase, so it is preferable that K is smaller than the height of the gap. In addition, in order to reduce the number of shadow lines that are the reinforcement lines, it is best to reduce the number of the openings as much as possible within the range of 0 to prevent deformation of the openings. In addition, it is necessary to make the second electrode pattern according to the need. After the steps, the formation of the protective layer or the sealing of the light-emitting area can be performed using the conventional technology or the pattern-making technology of the manufacturing method of the present invention. It is preferable to pattern-produce at least one of the light-emitting layer or the second electrode of the organic electric field light-emitting device by the manufacturing method of the present invention, but the plaque-making of the present invention is not limited to the structure using a shadow mask. Therefore, it is also possible to use the reinforcing wire shown in Figure 4 that does not contact the spacer structure. -24 The paper standard is applicable to "8 Standards (CNS) A4 specifications (210X297 cm)" Please read the precautions before reading t Order A7 Printed by the Central Laboratories of the Ministry of Economic Affairs, Shellfish Consumer Cooperatives. 5. Description of the invention (2,) 1 1 I The shadow mask is used to pattern the light-emitting layer. The second electrode is also available at this time. Known techniques are used to make 0 national models. In addition, you can also use the shadow formed by the reinforcement line 33 and the mask portion 31 on the same surface as shown in Figure 1 | 26. Please first 1 Figure 27 shows the side view of Figure 28. Figure 9 uses the reading 1 L to make the spacer 4 a higher t for the gap 1 between the reinforcing line 33 and the thin film layer 10. Note 1 The resulting gap 36, for the second electrode 8 Make the pattern 0 Idea 1 as the material of the shadow mask »It is best to use stainless steel 9 Feed alloy item 1 \ Attack I Nickel alloy 9 Gold scam materials such as aluminum alloy 9 Known resin materials * Polyethylene% »Polyamine 糸 9 Polystyrene 糸 > Acrylic 糸 9 Lacquer phenol page 1 1 Aldehyde • Silicon Photosensitive resin materials such as polymers that make it photosensitive 1 I materials etc. 9 but are not limited to these materials 0 shade parts of the shadow mask. 1 I and the reinforcing wire may be the same material or different materials Structure 〇In addition, as shown in Figure 29, please refer to the surface on the side where the shadow mask and the spacer are in close contact. 9 Use the resin material described in 1 I to form a high-flexibility element. 37 Adhere to both 1 1 Time * can further improve the 1 1 effect of preventing damage to the spacer or the film layer 0 1% In the manufacturing method of the present invention 9 It is preferable that at least one of the mask portion and the reinforcing line is shadowed by a magnetic material The screen * uses magnetic force to tightly close the 1 1 spacers. Because this can make the substrate and the shadow screen more uniform and 1 I can be more closely connected. Therefore, we can further improve the precision of pattern production. 1 1 accuracy 0 The method of fixing the relative position of I and the substrate t after the position of the substrate and the shadow mask are aligned t or the method of supporting the weight of the shadow mask itself is not particularly limited. 9 It can be used magnetically. • It can also be used. Mechanical method 0 1 1 Magnetic material 1 that constitutes at least one of the mask portion and the reinforcement line 1 is preferably 1 | 25 1 1 1 This paper size applies to the Chinese National Standard (CNS) A4 specification (21〇 ×: 297 mm) Yinju A7, Consumer Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs __ V. Description of the invention) Use of gold alloy materials such as thorium alloy, cobalt alloy, nickel alloy, carbon mesh, net mesh, chromium thorium, cobalt mesh, KS mesh, JV1K steel, Alnico steel, NKS net, Cunico net, 0P ferrous iron, Ba fertilizer Magnet materials such as grain iron, rare earth magnet materials such as Si-Co bar and Na-Fe-B series, silicon stencil, Al-Fe alloy, Mn-Zn series ferrite grains, Ni-Zn series ferrite grains , Cu-Zn series core material, such as ferrite particles, carbonyl iron, Mo Po alloy, iron-silicon-aluminum magnetic alloy and other fine powders and binders combined with compression molding of compacted materials. It is preferable to form a shadow mask from these magnetic materials to form a shadow mask. Alternatively, the powder of the magnetic material may be mixed with rubber or resin to form a sheet to form a shadow mask. In addition, it is also possible to make the shadow mask using a previously magnetized magnetic material according to the need, or to make the shadow mask and then magnetize it. In the method of making the shadow mask close to the spacer by magnetic force, it is preferable that the shadow mask formed of a magnetic material on at least one of the mask portion and the reinforcing line is attracted by a magnet disposed on the back side of the substrate of the organic electric field light-emitting device. . However, it is only necessary for M to cooperate with the shadow mask and other objects on M to exert magnetic force on each other. The above-mentioned method is not particularly limited. For example, the shadow mask used as a magnet function and the substrate made of magnetic material are used. In combination, the attractive force is acted between the two to improve the adhesion β. As a magnetic star, conventional permanent magnets and electromagnets can be used. Its shape and size are not particularly limited. In addition, you can use a single magnet to attract the shadow mask. In addition, you can use a collection of magnets to make multiple magnets fit together, or form a magnetic box at an interval set by M. The distance between the magnetic field and the shadow mask or the magnitude of the magnetic force acting between the two, as long as the paper size is -26-, this paper size applies to China W Jiashoumu (CNS > Α4 specification (210 × 297 mm) -----'- -· --- ^ 袭 ------ Order ------ '" (Please read the notes on the back before filling out this page) A7 m Printed by the Shellfish Consumer Cooperative, Central Bureau of Standards, Ministry of Economic Affairs

五、發明説明（之夕） 1 1 I 陰 影 覃 幕 充 分 能 波 及 磁 力 之 範 圍 者 並 沒 有 特 別 之 限 定 〇 1 1 1 陰 影 罩 幕 之 製 作 方 法 並 沒 有 特 別 之 限 定 可 Μ 利 用 機 y—S 1 I 械 研 磨 法 • 噴 砂 法 • 燒 结 法 » 雷 射 加 工 法 等 之 方 法 » 但 請 先 1 1 是 最 好 利 用 加 工 精 確 度 優 良 之 蝕 刻 法 » 電 鏞 法 » 光 刻 法 閲 讀 背 1 1 〇 其 中 因 為 電 鑄 法 可 Μ 很 容 易 使 罩 幕 部 份 形 成 厚 t 所 以 面 之 1 注 1 特 別 為 最 好 之 陰 影 罩 幕 製 造 方 法 〇 意 事 項 再 填 在 陰 影 罩 幕 之 製 作 時 9 可 由 一 次 步 驟 形 成 罩 幕 部 份 和 1 補 強 線 » 但 是 也 可 Μ 分 別 形 成 罩 慕 郜 份 和 補 強 線 後 > 再 寫 本 I 將 兩 者 重 叠 連 接 來 製 作 陰 影 罩 幕 〇 在 這 種 情 況 時 * 可 Μ 頁 '—^ 1 1 利 用 接 合 9 壓 接 • 熔 接 等 方 法 來 連 接 兩 者 在 兩 者 之 中 1 I 至 少 一 方 具 有 導 電 性 時 可 利 用 電 解 澱 積 現 象 連 接 兩 者 〇 1 | 亦 即 1 使 在 罩 幕 部 份 和 補 強 線 密 接 狀 態 浸 入 到 電 解 液 中 1 訂 經 由 通 電 壓 兩 者 之 接 觸 部 份 析 出 電 解 m 積 物 使 兩 者 連 1 | 接 者 〇 通 常 該 電 解 m 積 物 是 選 用 鎳 等 之 金 鼷 材 料 » 但 是 1 I 也 可 以 利 用 聚 苯 胺 等 之 有 機 材 料 〇 另 外 > 亦 可 在 先 前 形 1 1 成 之 罩 幕 部 份 之 上 形 成 感 光 性 樹 脂 層 * 並 利 用 光 刻 法 1 1 I 對 感 光 性 樹 脂 層 進 行 圖 型 製 作 » 用 來 製 作 陰 影 罩 幕 〇 本 發 明 之 製 造 方 法 所 使 用 之 陰 影 罩 幕 * 為 了 在 基 板 全 1 1 面 均 一 的 與 間 隙 物 密 接 » 所 Μ 最 好 具 有 髙 平 面 性 0 但 是 1 I • 具 有 微 细 和 高 精 確 度 ΕΞΙ 圖 型 之 陰 影 罩 幕 之 強 度 並 不 大 9 1 1 所 Μ 在 陰 影 罩 幕 之 製 作 步 驟 中 太 多 會 損 及 其 平 面 性 〇 在 1 I 這 種 情 況 時 • 利 用 退 火 等 方 法 可 Μ 提 高 陰 影 罩 幕 之 平 面 1 性 0 另 外 * 從 加 工 處 理 之 親 點 來 看 都 是 將 陰 影 罩 幕 固 定 I I 在 框 架 來 使 用 » 可 是 在 此 種 情 況 時 • 對 陰 影 罩 幕 邊 施 加 I I 27 I I I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7V. Description of the Invention (Evening) 1 1 I There is no particular limitation on the range of the shadow Qin curtain that can fully spread the magnetic force. 0 1 1 1 There is no particular limitation on the method of making the shadow mask. Available machine y—S 1 I Mechanical grinding method • Sand blasting method • Sintering method »Laser processing method and other methods» But please first 1 1 is the best etching method with good processing accuracy »Electric method» Photolithography method read back 1 1 〇 Among them The electroforming method can easily make the mask part thick. Therefore, Note 1 is especially the best method for manufacturing shadow masks. 意 The remarks are filled in the production of shadow masks. 9 The mask can be formed in one step. Part and 1 Reinforcement Line »But it is also possible to form a mask and reinforcement line separately > Rewrite Book I I will connect the two together to make a shadow mask. In this case * OK '— ^ 1 1 The two are connected by bonding 9 crimping or welding, etc. 1 I When at least one of them is conductive, the two can be connected by electrolytic deposition. 〇1 | Part and reinforcing wire are tightly immersed in the electrolytic solution. 1 Order the electrolytic m deposits through the contact between the two to make the two connected. 1 Connected. Generally, the electrolytic m deposits are made of nickel. Materials »However, organic materials such as polyaniline can also be used for 1 I. In addition, a photosensitive resin layer can also be formed on the mask part of the previous 11 1 form, and photosensitivity can be achieved by photolithography. Resin layer pattern production »Used to make shadow masks. 0 The shadow mask used in the manufacturing method of the present invention * In order to be uniformly in contact with the gap on all 1 1 sides of the substrate» It is desirable to have 髙 planarity 0 but 1 I • The shadow mask with fine and high accuracy ΕΞΙ pattern is not very strong. 9 1 1 So too many steps in the production of the shadow mask will damage its flatness. In the case of 1 I • Use Annealing and other methods can improve the flatness of the shadow mask. In addition, from the point of view of the processing, the shadow mask is fixed II. Use it in the frame »But in this case • apply to the edge of the shadow mask II 27 III This paper size applies to Chinese National Standard (CNS) A4 specification (210X297 mm) A7

BZ 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明 1 1 I 張 力 或 加 熱 邊 將 其 固 定 在 框 架 9 則 可 提 高 其 平 面 性 〇 1 1 | 另 外 如 上 所 說 明 補 強 線 寬 度 基 本 上 是 小 的 較 好 $ 1 | 但 是 在 陰 影 罩 幕 之 製 作 步 驟 中 加 工 處 理 會 變 成 〇 因 此 f 請 先 1 1 亦 可 以 在 開 始 時 先 製 作 補 強 線 寬 度 大 的 陰 影 罩 幕 » 然 後 閱 讀 背 1 L 才 使 補 強 線 细 線 化 成 所 希 望 之 線 寬 度 〇 在 製 程 上 利 用 蝕 之 1 1 刻 可 Μ 很 容 易 進 行 细 線 化 t 但 是 细 線 化 方 法 並 沒 有 特 別 t 事 之 限 定 • 可 由 構 成 陰 影 罩 幕 之 材 料 來 利 用 適 當 之 方 法 〇 項 再 1 I 填 \ 以 下 9 依 照 實 施 例 說 明 本 發 明 〇 寫 本 I 參 考 例 頁 N_^ 1 1 Μ 下 將 下 述 實 施 例 所 使 用 之 陰 影 罩 幕 之 製 作 方 法 加 Μ 1 I 說 明 〇 1 1 下 面 說 明 發 光 層 用 陰影 罩 幕 之 製 作 方 法 〇 首 先 參 利 用 1 訂 電 鏞 法 在 電 薄 母 模 上 析 出 Hi -C 0合金， 用來在第35圖所 1 I 示 之 罩 幕 部 份 3 1 之 周 圍 予 Μ 形 成 連 接 柵 網 狀 空 白 部 份 38 1 1 之 片 〇 其 次 1 利 用 柵 網 狀 空 白 部 份 對 該 片 邊 施 加 張 力 9 1 1 同 時 使 罩 幕 部 份 和 框 架 重 叠 $ 使 用 黏 结 m 將 兩 者 固 定 〇 1 '艾 最 後 » 切 取 從 框 架 擠 出 之 *mr tllfl 網 狀 空 白 部 份 » 作 成 具 有 高 1 平 面 性 之 發 光 層 用 陰 影 罩 幕 〇 I I 下 面 參 照 第 3 6圖 用 來 說 明 第 二 電 極 用 陰 影 罩 幕 之 製 作 I 1 方 法 〇 首 先 » 利 用 電 鏞 法 在 電 鑲 母 模 上 析 出 N i • 預 先 形 1 1 成 柵 網 狀 之 補 強 線 0 首 先 t (a)在具有光抗蝕劑20圖型 I 之 電 鏞 母 型 模 21 上 * (b)错 由 析 tt Ν i - Co 合 金 來 形 成 罩 幕 部 份 3 1 • 然 後 (C )Ρ >除去为 抗 η 其次 (d) 對 補 強 線 33 1 1 加 張 力 22 » 同 時 使 其 重 II 在 罩 幕 部 份 ， 利 用 電 解 殺 積 1 | -28- 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M洗格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（又/ ) 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 2 本Ά 頁 現象在兩者之接觸部份析出Ni用來連接兩者。再者，（e) 邊保持張力同時拆下所連接之罩幕部份和補強線，（f)各 重叠罩幕部份和框架34,使用黏结劑將兩者固定。最後 切取從框架擠出之補強線，作成具有高平面性之第二電 極用陰影罩幕。 訂 準備如第17圖所示罩幕部份和補強線形成在同一平面 內構造之陰影罩幕作為發光層圖型製作用。陰影罩幕之 外形是120X 84·，罩幕部份31之厚度為25wb,另外， 長度64«"«，寬度305W m之條帶狀開口部32以900« m之間 距在横方向配置92條。在各個條帶狀開口部，形成有隔 1 . 8酿η與開口部相交之寬2 0 w m ,厚2 5 w n之補強線3 3。 另外，陰影罩幕固定在外形相同寬度4nm之不銹鋼製框 架34。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 作為第二電極圜型製作用，準備如第30圖和第31圖所 示，將罩幕部份31—方之面和補強線33之間存在有間隙 36構造之陰影罩幕。該陰影罩幕之外形是120X 84mm,罩 幕部份之厚度為170/iin，另外，長度ΙΟΟβπ,寬度770wb 之條帶狀開口部32M900Wm之間距在横方向配置66條。 在罩幕部份之上，形成柵網狀之補強線，其構造是寬度 45 // m ,厚度40 w b,形成相對二邊之間隔為200 W m正六 角形構造。間隙之高度與罩幕部份之厚度相等之170WB 。另外，陰影罩幕係固定在外形相同之寬度4βιη之不銹 網製框架34。 29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 經濟部t央標準局員工消費合作社印袈 A7 B7 五、發明説明（W ) 第一電極依下述方式進行圖型製作。利用濺射蒸鍍法 在厚度l.lBn之無齡玻璃基板表面形成厚度150πβ之ITO 透明電棰的ITO玻璃基板，（吉歐馬特克公司製）切割成 UOXlQOnm之大小。在11'0基板上塗布光抗蝕劑，利用 通常之光刻法經由曝光，顯像來對光抗蝕刻進行圖型製 作。在蝕刻IT0之不要部份後除去光抗蝕劑，將IT0圓型 製作成長度90mm,寬度270/z B之條帶形狀。如第8 _所 示，該條帶狀第一電極2以間跑在横方向配置 2 7 2 條。 間隔物以下述方式形成。利用旋轉被覆法在上述ΙΤ0 基板上塗布聚亞醯胺条之感光性被覆劑（東麗公司製UR-3100), 然後利 用超淨 烘爐在 氮氣環 境中以 8(TC 預 烤一小 時。然後，經由光罩幕對上述之塗布膜進行紫外光之曝 光，用來使所希望之部份光硬化，使用顯像液（東麗公 司製，DV-505)進行顯像。最後將圖型作成之上述塗布 膜在超淨烘觼中，以18Q°C烘30分鐘，再以25Q°C烤30分 鐘，如第1〜3圖所，示用來形成與第一電極相交之間隔 物4。該透明之間隔物，為長度90nm,寬度150#β,高 度4/um，以900#β間距在横方向配置67條。另外，該間 隔物具有良好之電絶緣性》 將形成上述間隔物之ΙΤ0基板洗淨後，將其設定在真 空蒸鍍機内。另外，將三Μ上述發光層用陰影罩幕，一 Η第二電極用陰影罩幕設定於真空蒸鍍機内。並在該真 空蒸鍍機，可以進行上述4種之陰影罩幕之交換，在真 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *?τ -線 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明（^ ) 空中分別以1 0 # B左右之精確度進行與基板之位置對準。 以電阻絲加熱方式利用真空蒸鍍法依下述形成薄膜層 »另外，蒸鍍時之真空度為2X1 (Γ4 Pa以下，在蒸鍍中 使基板對蒸鍍源實行旋轉。 首先配置成如第16圖所示，在基板全面蒸鍍20nn之銅 酞菁和200nm之雙（N -乙基it唑）用以形成電洞輸送層5。 其次，將第一發光層用陰影罩幕配置在基板前方使兩 者密接，在基板後方配置吧粒鐵糸板磁鐵（日本日立金鼷 公司製，YBM-1B)。此時，如第18圖和第19圖所示，條帶 狀第一電極2位於陰影罩幕之條帶狀開口部32之中心， 補強線3 3與間隔物4之位置一致，而且使補強線和間隔 物互相接觸，予對準兩者之位置。依此種狀態，蒸鍍30 nm之8—烴基β啉鋁錯體（Alq3),用來匯型製作G發光層 。其次，與上述G發光層之圖型製作同樣，使用第二發 光層用陰影罩幕，蒸鍍30η·之摻雜有1WU之4一（二氰甲 基）一 2—甲基一 6—（對二甲胺基苯乙烯基）一 4一吡喃（ DCM)之Alq3 ，用來圔型製作R發光層。另外，不使用第 三發光層用陰影罩幕，在本實施例中不進行B發光層之 圖型製作。 另外，如第21圖所示之配置中，在基板之全面蒸鍍90 nm之4，<Γ 一雙（2,2^二苯基乙烯）聯二苯（DpVBi)和30nai之 Alq3 ,用來形成兼作B發光層用之電子輸送層7。然後， 使薄膜層曝露於鋰蒸氣用來進行摻雜（膜厚換算量〇.5nn)。 以電阻絲加熱方式利用真空蒸鍍法依下述方式形成第 -3 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 哝— A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 五、發明説明 〔扣) 1 1 I 二 電 極 〇 另 外 • 蒸 鍍 時 之 真空 度 為 3 X [〇~ 4 PaW下，在 1 1 1 蒸 鍍 中 使 基 板 對 二 個 蒸 鍍 源旋 轉 0 /"—V 1 I 與 上 述 發 光 層 之 圖 型 製 作同 樣 > 將第 二 電極 用 陰影 罩 請 先 1 1 閱 I 幕 配 置 在 基 板 刖 方 使 兩 者 密接 » 在 基板 後 方配 置 磁锇 〇 讀 眢 1 I 此 時 • 如 第 7 圖 所 示 9 使 間隔 物 4 和罩 幕 部份 31 之位 置 月 面 之 Γ 注 1 — 致 • 將 兩 者 予 對 準 位 置 。在 此 狀 態蒸 鍍 400r m厚度之 意 事 鋁 » 用 來 圃 型 製 作 第 二 電 極8 項 再 1 螓 \ 最 後 • 如 第 21圖 所 示 之 配置 中 • 利用 電 子束 射 蒸鍍 法 寫 本 X 頁 1 在 基 板 全 面 蒸 鍍 200η ia之- -氧化矽， 用來形成保護層 0 '—^ 1 如 上 所 述 » 依 第 32 34圖之 横 式 所示 % 在寬 度 270 / 1 It 1 I t 間 距 30 0 u n » 條 數 巨 272條之ΙΤ0條帶 狀 第一 電 極2 上 1 | 9 形 成 包 含 有 被 圖 型 製 作 之RG發 光 層6 和 兼作 B 發光 層 1 訂 之 電 子 输 送 層 7 之 薄 膜 層 10, 用 來 製作 單 純矩 陣 型彩 色 1 | 發 光 裝 置 ， 其 中 配 置 有 與 上述 第 一 電極 相 交之 寛 度750 1 1 U 間距900 U Β之66條條帶狀第二電極6 。因 為 由RGB 1 1 所 成 之 三 涸 發 光 區 域 形 成 一個 像 素 ,所 Μ 本發 光 裝置 >λ 1 900 /χ n 之 間 距 具 有 90 X 66像素 〇 1 在 本 發 明 光 裝 置 中 » 電 子_ 送 層 如第 33圖所 示 形成 在 1 1 基 板 全 面 參 其 構 造 具 有 可 Μ使 圖 型 製作 步 驟簡 化 和可 Μ 1 I 防 止 上 述 發 光 裝 置 之 特 性 劣化 之 效 果° 另 外， 利 用二 次 1 1 之 發 光 層 圖 型 製 作 步 驟 可 以形 成 RGB之三色發光區域， 所 _| 1 使 用 之 構 造 可 以 使 國 型 製 作之 步 驟 數目 減 少 〇 I 各 個 條 帶 吠 第 二 電 極 > 利用 陰 影 罩幕 之 補強 線 形成 不 1 1 會 被 分 斷 » 在 函 蓋 100b Β之長度方向具有很低的電阻。 1 1 -32 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 __________________ B7 五、發明説明（？/ ) 另一方面，在相鄰寬度方向之彼此第二電極全無短路， 完全予K絕緣。 在發光裝置之發光區域M270X 750/Z IB之大小使RGBM 各涸獨立色均一的發光。另外，在發光層之圖型製作時 不會由發光材料之轉入等使發光區域之發光色纯度降低。 另外，利用線順序驅動電路K線順序驅動該發光裝置 時，該線順序驅動電路所具有之功能是在掃描線選擇切 換時，使該電路内產生之儲存電荷進行放電，所以可以 進行清楚之圖型顯示和其多色化。 實1例2_ 在形成電洞輸送層之前實行與實雎例1同樣步驟。 其次，將第一發光層用陰影罩幕配置在基板前方使兩 者密接，在基板之後方配置肥粒鐵系板磁餓（日本日立金 鼷公司製YBM-1B)。此時，如第18圓和第19圖所示，條帶 狀第一電極2位於陰影罩幕之條帶吠開口部32之中心， 補強線33與間隔物4之位置一致，而且Μ補強線和間隔 物接觸，並對準兩者之位置。在此吠戆，蒸鍍3〇nm之 AU3,用來圖型製作G發光層。其次，與上述G發光層 之匾型製作同樣的，使用第二發光罾用陰影罩幕，蒸鍍 40nm摻雜有1WU2DCM之Alq3,用來匾型製作R發光層 。再者，同樣的使用第三發光層用陰影罩幕，蒸鍍30nm 之DPVBi,用來圖型製作B發光層。 各個發光層如第20圖所示Μ每隔三椹配置在條帶狀第 —電極2 ,用來完全覆蓋上述第一電極之露出部份。 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） --------」---J------訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7___________ 五、發明説明（衫） 再者，在第2 1圖所示之配置中，基板之全面蒸鍍9 Ο η祖 之DPVBi和30πβ之AU3,用來形成電子輸送層7。然後， 使薄膜層10暘露於鋰蒸氣來進行摻雜（膜厚換算量0.5η·)。 然後，與實施例1同樣進行第二電極之圖型製作和形 成保護層。 如上所述，依照第1〜3圖之模式所示，在寬度270WIn ，間距300wm,條數目272條之I Τ0條帶狀第一電極2上 ，形成包含被圜型製作之RGB發光層6之薄膜層10,用 來作成單純矩陣型彩色發光裝置其中配置與上述第一電 極相交之寬度750/XB,間距900/im之66條條帶狀第二電 極8 。因為由RGB形成之三個發光區域形成一個像素，所 ％ Μ本發光裝置以900wm之間距具有90X 66像素。 在本發光裝置中，電子輸送層如第2圖所示形成在基 板全面，其構造具有可使圖型製作步驟簡化和可Μ防止 上述發光裝置之特性劣化之效果。 各個條帶狀第二電極，與實胞例1同樣在長度方向的 全體範圍，對電氣上為十分低電阻，全無短路。 所製作之發光裝置之發光區域Μ270Χ 750w m之大小 使RGB Μ各個獨立色均一的發光。另外，發光層之圖型 製作時不會因為發光材料之轉入等而使發光區域之發光 色純度降低。 另外，與實腌例1同樣的，Μ線順序驅動該發光裝置 ，可Κ進行清楚之圖型顯示和其多色化。 實例.3— -34- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----.--i---rJ------訂------唆 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 1 I 利 用 與. 實 施 例 1 同 樣 之 步 驟 9 將 第 一電極之ΙΤ0進行 1 1 1 圖 型 製 作 使 其 成 為 長 度 9 0 η η 9 寬 度 2 5 0 B之條帶狀後， /--V 1 I 除 去 光 抗 蝕 劑 〇 並 與 實 施 例 1 同 樣 1 在玻璃基板上以 請 先 on 1 1 1 30 0 // m 之 間 距 在 橫 方 向 配 置 2 7 2條之該條帶狀第一電棰。 讀 背 1 I 對403；甲基丙烯酸， 面 其 次 9 依 下 述 方 式 形 成 間 隔 物 〇 % 之 1 注 1 3〇χ之甲基丙烯酸酯和3〇χ之 苯 乙 烯 所 形成之共聚合物之 意 擎 項 I 羥 基 9 附 加 0 . 4當量之環氧丙基甲基丙烯酸酯使其進行 再 填 ( 反 應 9 用 來 獲 得 具 有 側 鍵 之 羧 基 和 乙 烯不飽和基之丙烯 寫 乂 頁 1 酸 条 共 聚 合 物 〇 在 該 丙 烯 酸 共 聚 物 50 重量部份，作為光 —- 1 反 應 性 化 合 物 之 二 官 能 尿 烷 丙 烯 酸 酯 条低聚物（曰本化 1 1 藥 公 司 製 * UX -4 1 0 1)20 重 量 部 份 9 作 為丙烯酸条單體之 1 I 羥 基 三 甲 基 乙 酸 酯 新 戊 糖 丙 烯 酸 酯 (日本化藥公司製，ΗΧ- 1 訂 2 2 〇 ) 2 0 重 量 部 份 9 添 加 環 乙 烷 2 0 0重量部份，以常溫攪 1 1 拌 一 小 時 用 來 獲 得 樹 脂 成 分 溶 液 〇 在 該樹脂成分溶液添 1 I 加 作 為 光 聚 合 開 始 劑 之 二 乙 基 m 酚 m (曰本化藥公司， 1 1 DETX -S )8 重 量 部 份 9 作 為 增 威 劑 之 P - 甲胺基安息香酸二 1 嗖 乙 醚 (曰本化蕖公司製， EPA) 3 重量部份，然後添加作 1 I 為 箸 色 劑 之 偶 氤 基 % 鉻 錯 鹽 之 油 溶 性 染料甲基乙基_ / 1 1 甲 基 異 丁 酮 30 重 量 % 溶 液 (東方（Or i e n t)化學公司製， 1 I 38 04 T )和 m 菁 % 黑 色 顔 料 > 以 常 溫 攪 拌2 0分鐘，用以獲 1 I 得 威 光 性 黑 色 糊 0 i 1 調 節 該 威 光 性 黑 色 糊 之 展 度 利 用 旋轉被覆法將其塗 I I 布 在 上 述 之 I T 〇基板上， 利用超淨烘爐在氮氣環境中以 1 1 80°C 預 烤 5 分 鐘 〇 再 者 1 經 由 光 罩 幕 對上述塗布膜進行 1 1 3 5 — 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 •…_______b7 五、發明説明（外） 紫外光之曝光用來使所希望之部份光硬化，M0.4體積 X之2—氨基乙醇水溶液進行顯像。將最後被圖型製作 之上述塗布膜在超淨烘爐中，W120C烘烤30分鐘，用 來形成如第13〜15圖所示之矩陣狀之第一間隔物3。該 黑色間隔物之高度為〇.5w·,在未存在有該間隔物270 X750WB大小之區域露出有第一電極。另外，該第一間 隔物形成被覆在第一電極之端部5U B。 再者，使用上述之感光性黑色糊，利用同樣之光刻法 步驟，用來形成第二間隔物4。該黑色之間隔物如第13 〜15圖所示，形成重叠在上述第1間隔物與第一電極相 交部份之上，具有長度90«» ,寬度130wb,高度4wb, 並Μ900« η之間距在横方向配置67條。另外，上述之二 種間隔物分別具有良好之電絕緣性。 除上述者外均與實腌例1同樣，用來製作第13〜15圖 所模式方式顯示之單纯矩陣型彩色發光裝置。因為由RGB 肜成之三個發光區域形成一像素，所Μ本發光装置以900 u m之間距具有90 X 66像素。 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 I n I tLV -I*—-- I — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 各個條帶狀第二電極，與實施例1同樣在長度方向全 體範圍在電氣上為十分低電阻，全無短路。 所製作發光装置之發光區域M270X 750w m之大小使 RGB之各個獨立色均一的發光。另外，在發光層之圖型 製作時不會由發光材料之轉入等而使發光區域之發光色 純度降低。 另外，與實施例1同樣Μ線顒序驅動該發光裝置時， -36- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210X297公釐） A7 A7 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印裝 —__________________________________________________________m..............................................—___________— 五、發明説明（35) 可Μ實行清楚之圖型顯示和其多色化。再者，在發光區 域之周圍形成有黑色之間隔物，並作為黑基體之功能， 所Μ與茛施例1和2比較提高了顯示對比。 除了未形成間隔物之外，與實施例1同樣製作單純矩 陣型彩色發光裝置。 與實施例1同樣，各涸條帶狀第二電極不會由陰影罩 幕之補強線所分斷，在函蓋100mm之長度方向在電氣上為 十分低電阻，在寬度方向相鄰之彼此二電極之間全無短 路。另外，發光區域亦W270X750wni之大小使RGBK各 個獨立色均一的發光，在發光曆之圖型製作時不會由發 光材料之轉入等而使發光區域之發光色純度降低。 然而，Μ線順序驅動該發光裝置時，因有非發光區域 存在顯著，又，因產生串擾琨象，所以不能進行清楚之 圖型顧示〇 比較例2 因具有相同開口部之形狀，使用未形成有補強線之發 光層用陰影罩幕，除此之外，與實施例1同樣製作單純 矩陣型彩色發光裝置。 與實施例1同樣，各個條帶狀第二電極不會由陰影罩 幕之補強線所分斷，在函蓋1 0 0 β之長度方向在電氣上 為十分低電阻，在寬度方向相鄰之彼此第二電極間全無 短路。另外，發光區域之大小亦為270X 750/im之大小。 然而，在發光層之圖型製作時，會由於發光材料之轉 本紙張尺度適用中國困家雄摩 ( CNS ) A4果格（210X297公釐） I I— I IU - I- - - 1 - I I - - - ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 .......................................—.....................————.....................— 五、發明説明（Μ ) 人而使各傾燈光區域之發光色成為混合RGB的狀態。另 外，由於發光層膜厚之不均勻會造成各個發光區域間之 發光亮度不均勻。 另外，Μ線順序驅動本發光裝置時，可以進行清楚的 圖型顯示，可是對於多彩色化則不鮮明。 比—較_盞_2_ 具有相同之開口部形狀，可是使用未形成有柵網吠之 補強線之第二電極用陰影罩幕Μ外，與實胞例1同樣的 製作單純矩陣型彩色發光裝置。 但是，各個條帶狀第二電極之寬度之大小在長度方向 有很大之不同，一部份之第二電極在長度方向之途中會 斷線，有很多之第二電極會與寬度方向相鄰之第二電極 完全短路。另外，發光區域之大小亦會有非常大之變動 。當Μ線順序驅動本發光裝置，可是由相鄰之彼此第二 電極間之短路變成不能實行圖型顯示。 作為發光層匾型製作用，準備第17圖所示罩幕部份和 補強線形成在同一平面内構造的陰影罩幕。陰影罩幕之 外形是12〇x84mm,罩幕部份31之厚度為25wm,另外， 長度64mn,寬度105w m之條帶狀開口部32M300W m之間 距在横方向配置272條。在各個條帶狀開口部，形成有每 隔1 · 8 b m與開口部相交之寬2 0 w m ,厚2 5 w m之補強線3 3。 另外，陰影罩幕固定在外肜相同寬度4mm之不銹鋼製框 架34。 本紙張尺度適用中國國家椟準（CNS ) A4规格（2丨Ο X 297公釐） n· I ^^^^1 flui B—·^— ml n\ Bn n^i 名 、-e (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 m________________________—_____________________________ 五、發明説明uy) 作為第二電極圖型製作用，準備如第30圖各第31圖所 示，在罩幕部份31 —方之面35和補強媒33之間存在有間 隙36構造之陰影罩幕。該陰影罩幕之外形是12〇Χ84ηπι, 罩幕部份之厚度為100/iin,另外，長度100nm,寬度245 u m之條帶狀開口部32M300u m之間距在横方向配置200 條。在罩幕部份之上，形成柵網狀之補強線，其構造是 寬度4 0 w n ,厚度3 5 e m ,相對二邊之間隔為2 0 0 w η成正 六角形。間隙之高度是相等於罩幕部份厚度之100 另外，陰影罩幕固定在外形相同寬度4mm之不銹網製框 架34。 首先，利用與實施例1同樣之步驟將第一電極之ΙΤ0 圖型製作成長度90nm,寬度70wm之條帶狀形。如第8圖 所示，M 100/u η之間距在横方向配置816條之該條帶狀 第1電極2。 其次，利用與實施例1同樣之光刻法步驟，如第1〜3 圖所示形成與第一電極相交之間隔物4。該透明之間隔 物，是長度90mm，寬度6〇ub,髙度並M300wm 之間距在横方向配置201個。另外，該間隔物具有良好 之電絕緣性。 使用上述之陰影罩幕，與實施例1同樣的製作單純矩 陣型彩色發光裝置。在本發光裝置中，如第32〜34圖之 模式所示，在寬度70wm,間距100/iDi之816條ΙΤ0條帶 狀第一電極2上，形成薄膜層10。該薄膜層10包含被圖 型製作之RG發光層6和兼作B發光層用之電子输送層7, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) 格（2丨0 X 297公釐） ----LL—„---装-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印裝 A7 ___________________———______________________________ 五、發明説明（对） 並與上述第一電極相交之方式，配置200條寬度240 wb. 間隔300wi«之條帶狀第二電極8。因RGB形成之三個發光 區域形成一像素，所Μ本發光裝置M 300 wb之間距具有 270 X 200像素。 各涸條帶狀第二電極，由陰影罩幕之補強線並不會被 分斷，在涵蓋lOOnra之長度方向在電氣上為十分低電阻。 另一方面，在寬度方向相鄰之彼此第二電極間全無短路 ,完全被絕緣。 本發光裝置之發光區域70X 240以π之大小使RGB之各個 獨立色均一的發光。另外，在發光層之圖型製作時不會 由發光材料之轉入等而使發光區域之發光色純度降低。 另外，利用線顒序驅動電路用Μ線順序驅動該發光裝 置，該線順序驅動電路所具有之功能是在掃描線選擇切 換時，使該電路内產生之儲存電荷進行放電，所Μ可以 進行清楚之圖型顯示和其多色化。 [產業上之利用可能性} 本發明之有機電場發光裝置之製造方法，因使陰影罩 幕之至少一部份密接在具有高度超過薄膜層厚度之間隔 物促成不會傷及薄膜層，所以不致於使有機電場發光元 件之特性劣化。另外，利用磁力用來提高基板和陰影罩 幕之密接性，在進行兩者之位置對準時，其效果特別大。 另外，因為由補強線使陰影罩幕開口部之形狀不會變 形，所以可由罩幕法Μ高精確度實現發光層或第二電極 等之微细圖型製作。 -4 〇 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)BZ Printed by the Consumers' Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs 5. Description of the invention 1 1 I Fixing it to the frame by tension or heating 9 can improve its flatness 〇1 1 | In addition, the width of the reinforcement line is basically small as explained above Better $ 1 | But the processing will become 〇 in the production steps of the shadow mask. So f 1 1 first, or you can make a shadow mask with a large reinforcement line width at the beginning »Then read the back 1 L to make the reinforcement line. The thin line is formed into a desired line width. It can be easily thinned using 1 etch in the manufacturing process. However, the thin line method is not particularly limited. • The material used to form the shadow mask can be used appropriately. Method 0 item and 1 I fill in the following 9 to explain the present invention according to the embodiment. 0 Write a copy of the reference example page N_ ^ 1 The manufacturing method of the shadow mask used in the following examples is added to 1M. I 1 I. The description below is to describe the manufacturing method of the shadow mask for the light-emitting layer. The Hi-C 0 alloy is deposited on the periphery of the mask portion 3 1 shown in FIG. 35 to form a sheet of a grid-like blank portion 38 1 1. Secondly, a grid-like blank is used. The part applies tension to the edge of the piece 9 1 1 At the same time, the mask part and the frame are overlapped. $ Use the m to fix the two. 〇1 'Ai Finally »Cut out the * mr tllfl mesh blank part extruded from the frame» Make Shadow mask for light-emitting layer with high flatness 〇II The method of making shadow mask for the second electrode I 1 is explained below with reference to FIG. 36. First, N is precipitated on the electro-matrix master mold by the electric method. i Preformed 1 1 grid-like reinforcing line 0 First t (a) on the electric master mold 21 with photoresist 20 pattern I * (b) formed by analyzing tt Ν i-Co alloy The mask part 3 1 • Then (C) P > is removed as the resistance η Second (d) The tension line 33 1 1 is added with a tension 22 »At the same time, the weight II is placed on the mask part. 28- 1 1 This paper size is in accordance with Chinese National Standard (CNS) M Zhege (210 X 297 mm) A7 B7 V. Description of the invention (also /) Please read the notes on the back before filling in 2 The contact portion of the precipitated Ni is used to connect the two. Further, (e) remove the connected mask portion and the reinforcing wire while maintaining tension, (f) each overlap the mask portion and the frame 34, and fix both with an adhesive. Finally, the reinforcing line extruded from the frame was cut out to form a shadow mask for the second electrode with high planarity. The shadow mask with the structure of the mask part and the reinforcement line formed in the same plane as shown in Fig. 17 is prepared as a light-emitting layer pattern. The outer shape of the shadow mask is 120X 84 ·, the thickness of the mask portion 31 is 25wb, and the strip-shaped openings 32 with a length of 64 «"« and a width of 305W m are arranged in a horizontal direction with a distance of 900 «m 92 article. In each strip-shaped opening portion, a reinforcing line 33 having a width of 20 wm and a thickness of 2 5 wn intersected by the gap 1.8 is formed. In addition, the shadow mask is fixed to a stainless steel frame 34 having the same outer shape and a width of 4 nm. Printed by the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs of the Bayong Consumer Cooperative for the production of the second electrode type, as shown in Figure 30 and Figure 31, there is a gap between the mask 31 and the square surface and the reinforcement line 33 The shadow mask of the gap 36 construction. The shape of the shadow mask is 120X 84mm, and the thickness of the mask part is 170 / iin. In addition, 66 strip-shaped openings 32M900Wm with a length of 100βπ and a width of 770wb are arranged in the horizontal direction. On the screen part, a grid-like reinforcing line is formed. Its structure is 45 // m in width and 40 w in thickness, forming a regular hexagonal structure with a distance of 200 W m between opposite sides. The height of the gap is 170WB which is equal to the thickness of the screen portion. In addition, the shadow mask is fixed to a stainless mesh frame 34 having the same outer shape and a width of 4βm. 29- This paper size applies Chinese National Standard (CNS) A4 specification (210X297 mm), the Ministry of Economic Affairs, the Central Bureau of Standards, the Consumer Cooperatives' Seal A7 B7 V. Description of the invention (W) The first electrode is patterned in the following manner . An ITO transparent substrate with an thickness of 150πβ was formed on the surface of an innocent glass substrate having a thickness of 1.1Bn by a sputtering evaporation method, and was cut into a size of UOXlQOnm (manufactured by Geomatic). A photoresist is coated on the 11'0 substrate, and the photoresist is patterned by exposure and development using a conventional photolithography method. The photoresist was removed after etching the unnecessary part of IT0, and the IT0 round was made into a strip shape with a length of 90 mm and a width of 270 / z B. As shown in Section 8_, the strip-shaped first electrodes 2 are arranged in a horizontal direction with 2 7 2 strips. The spacer is formed in the following manner. A photosensitive coating agent (UR-3100, manufactured by Toray Co., Ltd.) was coated on the above ITO substrate by a spin coating method, and then prebaked at 8 ° C for one hour in a nitrogen oven using a clean oven. Then The above coating film was exposed to ultraviolet light through a photomask screen to harden a desired portion of light, and a developing solution (manufactured by Toray Corporation, DV-505) was used for development. Finally, the pattern was created. The above coating film was baked at 18Q ° C for 30 minutes and then baked at 25Q ° C for 30 minutes in an ultra-clean baking oven. As shown in Figures 1 to 3, the spacer 4 used to form the first electrode was shown. The transparent spacers have a length of 90 nm, a width of 150 # β, and a height of 4 / um, and are arranged in a horizontal direction at a pitch of 900 # β. In addition, the spacers have good electrical insulation properties. After the ITO substrate was cleaned, it was set in a vacuum evaporation machine. In addition, a shadow mask for the three light emitting layers and a shadow mask for the second electrode were set in the vacuum evaporation machine. Machine, you can exchange the 4 kinds of shadow masks mentioned above. Standards are applicable to China National Standard (CNS) A4 specifications (210 X 297 mm) (Please read the precautions on the back before filling out this page) *? Τ-Printed by the Bayer Consumer Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs __B7_ V. Description of the invention (^) The positions of the substrate and the substrate are aligned in the air with an accuracy of about 10 # B. The thin film layer is formed by the vacuum evaporation method using a resistance wire heating method. In addition, the degree of vacuum during evaporation is 2X1 (Γ4 Pa or less, the substrate is rotated to the evaporation source during evaporation. Firstly, as shown in FIG. 16, 20 nn of copper phthalocyanine and 200 nm of bis (N-ethylitazole) are deposited on the substrate. ) To form the hole transporting layer 5. Next, the first light-emitting layer is placed in front of the substrate with a shadow mask so that the two are in close contact, and a bar iron plate magnet (YBM-Hitachi, Japan) 1B). At this time, as shown in FIG. 18 and FIG. 19, the strip-shaped first electrode 2 is located at the center of the strip-shaped opening 32 of the shadow mask, and the position of the reinforcing line 3 3 and the spacer 4 are the same. And make the reinforcing wire and the spacer contact each other to pre-align the two In this state, 30-nm 8-alkyl β-line aluminum aluminum complex (Alq3) was vapor-deposited to produce the G light-emitting layer in a convergent manner. Secondly, the second light emission was used in the same manner as the pattern production of the G light-emitting layer described above. The layer was covered with a shadow mask, and 30η · was vapor-deposited with 1WU of 4- (dicyanomethyl) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4-pyran (DCM). Alq3 is used to make the R light-emitting layer. The shadow mask for the third light-emitting layer is not used. In this embodiment, the pattern production of the B light-emitting layer is not performed. In addition, the configuration shown in FIG. 21 In the substrate, the entire surface of the substrate was vapor-deposited with 4, nm, < Γ, bis (2,2 ^ diphenylethylene) biphenyl (DpVBi), and Alq3 of 30nai, which was used to form an electron transporter for the B light-emitting layer. Layer 7. Then, the thin film layer was exposed to lithium vapor for doping (film thickness conversion amount: 0.5 nn). The resistance wire heating method is used to form the third part by vacuum evaporation method in the following manner. 1-This paper size applies the Chinese National Standard (CNS) A4 specification (210X297 mm) (Please read the precautions on the back before filling this page) Order — A7 B7 Yin Fan, Consumer Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs 5. Description of the invention [Deduction] 1 1 I Two-electrode 〇 In addition • The vacuum degree during evaporation is 3 X [〇 ~ 4 PaW, at 1 1 1 During the evaporation, the substrate is rotated by two evaporation sources. 0 " —V 1 I is the same as the pattern production of the above light-emitting layer > Please place the shadow mask for the second electrode on the substrate. Make the two tightly attached »magnetically arranged behind the substrate. 0 read 1 I At this time • As shown in Figure 7 9 Place the spacer 4 and the cover portion 31 on the lunar surface Γ Note 1 — To the two Pre-aligned position. In this state, the meaning of aluminum vapor deposition of 400r m thickness is used to make the second electrode 8 items in the garden type. 1 螓 \ Finally • In the configuration shown in Figure 21 • Use the electron beam evaporation method to write this page X Page 1 The substrate is fully vapor-deposited with 200 η ia of silicon oxide to form a protective layer. 0 '— ^ 1 As described above »According to the horizontal form of Fig. 32 34% in width 270/1 It 1 I t pitch 30 0 un »270 pieces of ITO stripe-shaped first electrodes 2 on 1 | 9 A thin film layer 10 containing an electron transporting layer 7 made of patterned RG light-emitting layer 6 and double-light-emitting layer 1 is formed. A simple matrix-type color 1 | light-emitting device is fabricated, in which 66 strip-shaped second electrodes 6 with a degree of intersection of 750 1 1 U and a pitch of 900 U B intersecting the first electrode are arranged. Because the three light emitting areas formed by RGB 1 1 form a pixel, the light emitting device > λ 1 900 / χ n has a distance of 90 X 66 pixels. In the light device of the present invention »electron_ As shown in FIG. 33, the substrate formed on the 1 1 substrate is fully involved in its structure, and has the effect of simplifying the pattern making steps and preventing the characteristic deterioration of the light-emitting device described above. In addition, the secondary 1 1 light-emitting layer pattern is used. The manufacturing steps can form three-color light-emitting areas of RGB. Therefore, the structure used can reduce the number of national-style production steps. I Each stripe barges the second electrode > The reinforcing line formed by the shadow mask is not 1 1 will Is broken »Has a very low resistance in the length direction of the cover 100b Β. 1 1 -32 1 1 1 This paper size is in accordance with Chinese National Standard (CNS) A4 specification (2 丨 OX297 mm) Printed by A7 Consumers Cooperative of Central Samples Bureau of Ministry of Economic Affairs B7 __________________ B7 V. Description of invention (? /) On the one hand, there is no short circuit between the second electrodes in the adjacent width direction, and they are completely insulated from K. The size of the light-emitting area M270X 750 / Z IB makes the individual colors of the RGBMs emit light uniformly. In addition, in the patterning of the light-emitting layer, the luminous color purity of the light-emitting area is not reduced by the transfer of the light-emitting material or the like. In addition, when the light-emitting device is driven by the K-sequence using the line-sequence driving circuit, the function of the line-sequence driving circuit is to discharge the stored charge generated in the circuit when the scanning line selection is switched, so a clear picture can be made Type display and its multicolorization. Example 1_ The same procedure as in Example 1 is performed before forming the hole transport layer. Next, a shadow mask for the first light-emitting layer was placed in front of the substrate so that the two were in close contact, and a ferrous iron-based plate was magnetically placed behind the substrate (YBM-1B manufactured by Hitachi, Japan). At this time, as shown in the eighteenth circle and the nineteenth figure, the strip-shaped first electrode 2 is located at the center of the strip bark opening 32 of the shadow mask, the position of the reinforcing line 33 is consistent with the position of the spacer 4, and the reinforcing line M Make contact with the spacer and align them. Here, AU3 was deposited at 30 nm for patterning to produce a G emitting layer. Secondly, the same as the plaque-type fabrication of the above-mentioned G light-emitting layer, a shadow mask of the second light-emitting layer was used, and Alq3 doped with 1WU2DCM 40 nm was vapor-deposited for the plaque-type production of the R light-emitting layer. In addition, a shadow mask for the third light-emitting layer was also used in the same manner, and 30 nm of DPVBi was vapor-deposited to pattern-make the B light-emitting layer. Each light-emitting layer is arranged on the strip-shaped first electrode 2 every three times as shown in FIG. 20 to completely cover the exposed portion of the first electrode. The paper scale is applicable to the Chinese National Standard (CNS) Α4 specification (210 × 297 mm) -------- "--- J ------ order ------ (Please read the note on the back first Please fill in this page again.) Printed by the Consumers' Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs A7 B7___________ V. Description of Invention (Shirt) Furthermore, in the configuration shown in Figure 21, the substrate is fully vapor-deposited 9 0 η ancestral DPVBi And 30πβ of AU3, used to form the electron transport layer 7. Then, the thin film layer 10 is exposed to lithium vapor to be doped (film thickness conversion amount: 0.5η ·). Then, pattern formation of the second electrode and formation of a protective layer were performed in the same manner as in Example 1. As described above, according to the patterns shown in FIGS. 1 to 3, on the first electrode 2 having a width of 270 WIn, a pitch of 300 wm, and a number of 272 I T0 strips, an RGB light-emitting layer 6 including a patterned pattern is formed. The thin-film layer 10 is used to make a simple matrix-type color light-emitting device, in which 66 strip-shaped second electrodes 8 having a width of 750 / XB and a pitch of 900 / im intersecting the first electrode are arranged. Because the three light emitting regions formed by RGB form one pixel, the light emitting device has 90 × 66 pixels at a distance of 900wm. In this light-emitting device, the electron-transporting layer is formed on the entire surface of the substrate as shown in Fig. 2. Its structure has the effects of simplifying the pattern-making steps and preventing deterioration of the characteristics of the light-emitting device. Each of the strip-shaped second electrodes has a very low electrical resistance in the entire range in the longitudinal direction as in the case of real cell example 1, and there is no short circuit at all. The size of the light-emitting area M270 × 750w m of the produced light-emitting device enables each independent color of RGB M to emit light uniformly. In addition, the pattern of the light-emitting layer does not reduce the luminous color purity of the light-emitting area due to the transfer of the light-emitting material and the like. In addition, as in the first picking example, the light emitting device is sequentially driven by M lines, and clear pattern display and multicoloring can be performed. Example. 3— -34- This paper size is applicable to China National Standard (CNS) A4 specification (210X297 mm) -----.-- i --- rJ ------ Order ------唆 1 (Please read the notes on the back before filling this page) A7 B7 Printed by the Consumers' Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs 5. Description of the invention () 1 1 I Use and. Example 1 Same step 9 Place the first electrode After making 1 1 1 pattern to make it a strip shape with a length of 9 0 η η 9 and a width of 2 5 0 B, the photoresist is removed from V 1 I and is the same as in Example 1 1 on glass On the substrate, firstly arrange the strip-shaped first electrodes of 2 7 2 in the horizontal direction with an interval of 1 1 1 30 0 // m. Read back 1 I pair 403; methacrylic acid, followed by 9 to form spacers in the following manner 0% 1 Note 1 The meaning of the copolymer formed by 30 × methacrylate and 30 × styrene Item I Hydroxyl 9 is added with 0.4 equivalents of epoxypropyl methacrylate for refilling (Reaction 9 is used to obtain propylene with pendant carboxyl and ethylenically unsaturated groups. Title page 1 Acid bar copolymerization Product 〇 In 50 parts by weight of the acrylic copolymer, it is used as a photo--1 reactive compound bifunctional urethane acrylate strip oligomer (represented by Benhua 1 1 Pharmaceutical Co., Ltd. * UX -4 1 0 1) 20 weight Part 9 is 1 I hydroxytrimethylacetate neopentose acrylate (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., 1 × 2 2 〇) 2 0 weight part 9 added cycloethane 2 0 0 parts by weight, stir at normal temperature for 1 1 and stir for one hour to obtain a resin component solution. This resin component solution was added with 1 I and diethyl m phenol m as a photopolymerization starter (Ben Chemical Co., Ltd., 1 1 DETX -S) 8 parts by weight 9 P-methylaminobenzoic acid as a potentiator 2 1 part of diethyl ether (produced by Ben Kao Chemical Co., Ltd., EPA) 3 parts by weight, and then added as an oil-soluble dye of 1% as the coupler of the dye, methyl chromium salt, methyl ethyl _ / 1 1 methyl Isobutyl ketone 30% by weight solution (manufactured by Orient Chemical Co., 1 I 38 04 T) and m cyanine% black pigment > stirred at room temperature for 20 minutes to obtain 1 I dewy black paste 0 i 1 Adjust the spread of this opaque black paste and apply it on the above IT 〇 substrate by spin coating method, and pre-bake it in a nitrogen atmosphere at 1 1 80 ° C for 5 minutes. ○ 1 1 1 3 5 — 1 1 1 The paper size applies the Chinese National Standard (CNS) A4 (210X297 mm) A7 •… _______ b7 It is stated that (external) exposure to ultraviolet light is used to harden a desired portion of light, and M0.4 volume X of 2-aminoethanol aqueous solution is developed. The coating film finally produced by the pattern is baked in an ultra-clean oven at W120C for 30 minutes to form the first spacers 3 in the form of a matrix as shown in FIGS. 13 to 15. The height of the black spacer was 0.5 w ·, and a first electrode was exposed in an area where the spacer was not 270 X750WB. The first spacer is formed so as to cover the end portion 5U B of the first electrode. The photosensitive black paste described above was used to form the second spacer 4 by the same photolithography process. The black spacers are formed on the intersection of the first spacer and the first electrode as shown in FIGS. 13 to 15, and have a length of 90 «», a width of 130wb, a height of 4wb, and a distance of Μ900 «η. 67 pieces are arranged in the horizontal direction. In addition, the above-mentioned two types of spacers each have good electrical insulation properties. Except for the above, they are the same as the actual pickled example 1, and are used to make the simple matrix type color light-emitting device shown in the pattern shown in Figs. 13 to 15. Because one pixel is formed by the three light emitting regions formed by RGB, the light emitting device has 90 × 66 pixels at a distance of 900 μm. Printed by the Consumers' Cooperative of the Central Government Bureau of the Ministry of Economic Affairs I n I tLV -I * --- I — (Please read the notes on the back before filling this page) Each strip-shaped second electrode is the same as in Example 1. The entire range in the length direction is very low in electrical resistance, and there is no short circuit. The size of the light-emitting area M270X 750w m of the manufactured light-emitting device makes the individual colors of RGB uniformly emit light. In addition, in the production of the pattern of the light-emitting layer, the purity of the light-emitting area of the light-emitting area will not be reduced by the transfer of the light-emitting material and the like. In addition, when the light-emitting device is driven in the same M-line sequence as in Example 1, this paper size applies the Chinese national standard (CNS > A4 size (210X297 mm) A7 A7 Central Bureau of Standards, Ministry of Economic Affairs, Shellfish Consumer Cooperative Printed __________________________________________________________ m .............................. —___________— V. Description of the invention (35) Clear pattern display and multi-colorization can be implemented. Furthermore, black spacers are formed around the light-emitting area and function as a black matrix. The comparison of Examples 1 and 2 improves the display contrast. A simple matrix-type color light-emitting device is produced in the same manner as in Example 1 except that the spacers are not formed. As in Example 1, each of the stripe-shaped second electrodes is not shaded. The reinforcing line of the cover is broken, and the electrical resistance is very low in the length direction of the cover 100mm, and there is no short circuit between the two electrodes adjacent to each other in the width direction. In addition, the size of the light emitting area is W270X750wni, which makes RGBK each Independent and uniform light emission, will not be affected by the production of luminous calendar patterns The transfer of light materials reduces the purity of the luminous color of the light-emitting area. However, when the M-line sequentially drives the light-emitting device, there are significant non-light-emitting areas and crosstalk artifacts, so clear patterns cannot be performed. Gu Shi 0 Comparative Example 2 A simple matrix-type color light-emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that a shadow mask for a light-emitting layer having no reinforcing lines was used because it had the same opening shape. Similarly, each strip-shaped second electrode will not be interrupted by the reinforcing wire of the shadow mask. It is electrically low resistance in the length direction of the cover 1 0 0 β, and the second electrodes adjacent to each other in the width direction. There is no short circuit between them. In addition, the size of the light-emitting area is also 270X 750 / im. However, when the pattern of the light-emitting layer is made, the paper size of the light-emitting material will be suitable for the Chinese impoverished family (CNS) A4 Guoge (210X297mm) II— I IU-I---1-II---^ (Please read the notes on the back before filling out this page) Printed A7 by the Consumer Cooperatives of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs ... ............... .....................--........................————... ........—— V. Description of the Invention (M) The color of the light emitted from each tilted light area is mixed with RGB. In addition, due to the thickness of the light-emitting layer The non-uniformity causes non-uniform luminous brightness among the light-emitting regions. In addition, when the M-line sequentially drives the light-emitting device, clear pattern display can be performed, but it is not clear for multi-colorization. Bi—bi__2_2 has the same shape of the opening, but uses a shadow mask M for the second electrode without the reinforcing wire of the grid, and produces a simple matrix-type color light-emitting device in the same manner as in Example 1. . However, the width of each strip-shaped second electrode is very different in the length direction. A part of the second electrode is broken in the middle of the length direction, and many second electrodes are adjacent to the width direction. The second electrode is completely shorted. In addition, the size of the light-emitting area will also vary greatly. When the M-line sequentially drives the light-emitting device, the short-circuit between the adjacent second electrodes becomes impossible to perform pattern display. For the production of the light-emitting layer plaque type, a shadow mask having a structure in which the mask portion shown in FIG. 17 and the reinforcing line are formed in the same plane is prepared. The shape of the shadow mask is 120 × 84mm, and the thickness of the mask portion 31 is 25wm. In addition, 272 strip-shaped openings 32M300W m in length 64mn and width 105w m are arranged in the horizontal direction. In each strip-shaped opening portion, a reinforcing line 33 having a width of 20 w m and a thickness of 2 5 w m, which intersects the opening portion at intervals of 1 · 8 b m, is formed. The shadow mask is fixed to a stainless steel frame 34 having the same width of 4 mm in the outer cymbal. This paper size applies to China National Standards (CNS) A4 (2 丨 〇 X 297 mm) n · I ^^^^ 1 flui B— · ^ — ml n \ Bn n ^ i name, -e (please first Read the notes on the back and fill in this page) Printed by the Consumers' Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs A7 m ________________________—_____________________________ V. Description of the invention uy) For the production of the second electrode pattern, prepare as shown in Figure 30 and Figure 31 There is a shadow mask with a gap 36 structure between the square portion 35 of the mask portion 31 and the reinforcing medium 33. The shape of the shadow mask is 120 × 84ηπ, the thickness of the mask part is 100 / iin, and 200 strips with a length of 100nm and a width of 245 um are arranged in a horizontal direction with a distance of 200M. On the screen part, a grid-like reinforcing line is formed. Its structure is a width of 40 w n and a thickness of 35 e m. The distance between the opposite sides is 200 w η in a regular hexagon. The height of the gap is equal to 100 of the thickness of the mask portion. In addition, the shadow mask is fixed to a stainless mesh frame 34 having the same width of 4 mm. First, the ITO pattern of the first electrode was made into a strip shape with a length of 90 nm and a width of 70 wm by using the same steps as in Example 1. As shown in Fig. 8, the strip-shaped first electrodes 2 of 816 are arranged in the horizontal direction at an interval of M 100 / u η. Next, the spacer 4 intersecting the first electrode is formed as shown in Figs. The transparent spacers are arranged in a horizontal direction with a length of 90 mm, a width of 60 ub, and a pitch of M300wm. In addition, the spacer has good electrical insulation properties. Using the shadow mask described above, a simple matrix-type color light-emitting device was produced in the same manner as in Example 1. In this light-emitting device, as shown in the patterns in FIGS. 32 to 34, a thin film layer 10 is formed on 816 ITO strip-shaped first electrodes 2 having a width of 70 wm and a pitch of 100 / iDi. The thin film layer 10 includes a patterned RG light emitting layer 6 and an electron transporting layer 7 which also serves as a B light emitting layer. This paper size applies the Chinese National Standard (CNS) grid (2 丨 0 X 297 mm) ---- LL — „------- (Please read the precautions on the back before filling in this page) Order printed by the Central Samples Bureau of the Ministry of Economic Affairs Shellfish Consumer Cooperatives A7 ___________________————______________________________ 5. Description of the invention (pair) In the manner in which the first electrodes intersect, 200 strip-shaped second electrodes 8 each having a width of 240 wb and an interval of 300 wi «are provided. The three light-emitting areas formed by RGB form one pixel, and the distance between the light-emitting device M 300 wb and 270 X 200 pixels. Each ribbon-shaped second electrode is not broken by the reinforcing wire of the shadow mask, and it has a very low electrical resistance in the length direction covering 100nra. On the other hand, in the width direction There is no short circuit between the adjacent second electrodes, and they are completely insulated. The light-emitting area 70X 240 of this light-emitting device uniformly emits each independent color of RGB with a size of π. In addition, the pattern of the light-emitting layer will not be caused by Luminous material In addition, the purity of the luminous color of the light-emitting area is reduced. In addition, the light-emitting device is sequentially driven by the M-line using a line-sequential driving circuit. The function of the line-sequential driving circuit is to make the The stored charge generated in the circuit is discharged, so that clear pattern display and multi-colorization can be performed. [Industrial application possibility] The manufacturing method of the organic electric field light-emitting device of the present invention requires at least the shadow mask. A part of the spacers having a height exceeding the thickness of the thin film layer promotes not to damage the thin film layer, so that the characteristics of the organic electric field light-emitting element are not deteriorated. In addition, the magnetic force is used to improve the adhesion between the substrate and the shadow mask. The effect is particularly great when the two are aligned. In addition, because the shape of the opening of the shadow mask is not deformed by the reinforcing line, the mask method M can be used to realize the light emitting layer or the second electrode with high accuracy. Micro-pattern making. -4 〇- This paper size applies to Chinese national standard (CNS> A4 size (210X 297mm) (Please read the note on the back first) Item and then fill in this page)

、tT 五 發明説明（4) A7 可在 因使 ,即 示Κ 所所 例’ 施份 實部 和影 法之 方線 作強 製補 型成 圖形 之在 極鍍 電蒸 二人 第轉 ，物 者鍍 再蒸 將 製蒸 ¾射 圖濺 現用 實利 度或 確 ， 精鍍 高蒸 Μ 行 可進 亦源 ，鍍 件蒸 條多 之用 度使 角以 鍍可 蒸 ， 樣此 多因 於。 存作 其 時 作 製 型 圖 之 一 均 琨 實 積 面 廣 寬 蓋 函 在。 故大 , 別 等特 法果 鍍效 狀不 形並 之造 意構 任之 作置 製裝 型光 圖發 來之 驟造 步製 鍍所 蒸。 之目 次数 一 驟 用步 利少。 可減定 ，可限 外Μ到 另所受 ，會 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210Χ2*»7公釐}(5) A description of inventions (4) A7 can be used as a compelling pattern in the practical part and the shadow line as shown in the example of K, as a figure, the two people in the electroplating process, Plating and re-steaming will be used to make the steaming pattern. The actual plating rate of the high-steaming process can be improved, and the source of the steamed strips can be used to make the corners steamable. Saved as one of the pattern drawings made at that time, the cover area of the real area is wide and wide. Therefore, the special effects of the plating process are inconsistent, and the intention is to create any kind of equipment. The light-emitting pattern from the manufacturing process is a step-by-step process. The number of times of a step is less profitable in one step. Can be reduced, can be limited outside to other, will (please read the precautions on the back before filling this page) Order the paper standard printed by the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs, Shellfish Consumer Cooperative Co., Ltd. Applicable to Chinese National Standards (CNS) 4 specifications (210 × 2 * »7 mm)

Claims (1)

D8 — D8 — 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1. 一種有機電場發光裝置之製造方法.該有機電場發光 裝置在基板上具有多涸發光區域，包含有：第一電極 ,形成在基板上；薄膜層，形成在上述第一電極上， 至少包含有由有機化合物製成之發光層；和多涸第二 電極，形成在上述薄膜層上；其特徴包含之步驟有： 在上述基板上形成具有至少一部份之髙度超過上述薄 膜層厚度之間隔物；和圓型製作步驟，在具有以如横 過開口部般所形成補強線之陰影罩幕密接在上述間隔 物狀態，經由蒸鍍蒸鍍物來實行圖型製作。 2. 如申請專利範圃第1項之有機電場發光裝置之製造方 法，其中罩幕部份和補強線之至少一方，將由磁性材 料所成陰影罩幕藉磁力密接於間隔物。 3. 如申請專利範圍第1項之有機電場發光裝置之製造方 法，其中成為補強線之影部份經由轉入蒸鍍蒸鍍物用 來實行圖型製作。 4. 如申請專利範圍第1項之有機電場發光裝置之製造方 法，其中使用具有與間隔物不接觸補強線之陰影罩幕 用來實行第二電極之圖型製作。 5. 如申請專利範圍第1項之有機電場發光裝置之製造方 法，其中使用具有與間隔物接觸的補強線之陰影罩幕 來實行發光層之圖型製作。 6. 如申請專利範圍第1項之有機電場發光装置之製造方 法，其中第一電極是在横方向隔設間隔而被配置於基 板上的多個條帶狀電極，第二電極.是對成為補強線 -42- 本紙張度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. A 8 88 8 ABCD 六、申請專利範圍 之影部份由以轉入蒸鍍物來蒸鍍，被配置成在横方向 隔設間隔，並對上述第一電極交叉之多涸條帶狀電極 予Μ匾型製作。 7. 如申請專利範圍第6項之有機電場發光裝置之製造方 法，其中使間隔物沿第一電極形成位於第一電極間。 8. 如申請專利範圍第7項之有機電場發光裝置之製造方 法，其中使間隔物形成被覆在第一電極之端部。 9. 如申請專利範園第6項之有機電場發光裝置之製造方 法，其中使間隔物與第一電極交叉形成位於第二電極 間。 10. 如申請專利範圍第1項之有機電場發光裝置之製造方 法，其中包含用Κ形成有機層之步驟，該有機層由包 含有作為薄膜層一部份之雙vf唑基骨格之有機化合物 所形成。 11. 如申請專利範圍第1項之有機電場發光裝置之製造方 法，其中使間隔物之至少一部份黑色化。 ---..rkii ----裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *言 經濟部中央標率局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）D8 — D8 — Printed by the Shellfish Consumer Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs 6. Scope of patent application 1. A method for manufacturing an organic electric field light emitting device. The organic electric field light emitting device has multiple light emitting areas on a substrate, including: An electrode is formed on the substrate; a thin film layer is formed on the first electrode and includes at least a light emitting layer made of an organic compound; and a plurality of second electrodes is formed on the thin film layer; : Forming a spacer having at least a part of a thickness exceeding the thickness of the thin film layer on the substrate; and a round-shaped manufacturing step, in which a shadow mask having a reinforcing line formed across the opening is tightly adhered to the space In the physical state, patterning is performed by vapor-depositing the vapor-deposited material. 2. For the manufacturing method of the organic electric field light-emitting device according to item 1 of the patent application, in which at least one of the mask portion and the reinforcing line, the shadow mask made of magnetic material is tightly attached to the spacer by magnetic force. 3. For the method for manufacturing an organic electric field light-emitting device according to item 1 of the patent application, in which the part of the shadow that becomes the reinforcing line is transferred to the vapor deposition for pattern production. 4. The manufacturing method of the organic electric field light-emitting device according to item 1 of the patent application, wherein a shadow mask having a reinforcing line which is not in contact with the spacer is used to implement the pattern production of the second electrode. 5. The method for manufacturing an organic electric field light emitting device according to item 1 of the patent application, wherein a shadow mask having a reinforcing line in contact with the spacer is used to implement the patterning of the light emitting layer. 6. The method for manufacturing an organic electric field light-emitting device according to item 1 of the patent application, wherein the first electrode is a plurality of strip-shaped electrodes arranged on the substrate at intervals in the lateral direction, and the second electrode is a pair of electrodes. Reinforcement line -42- This paper is in accordance with China National Standard (CNS) A4 size (210X297mm) (Please read the precautions on the back before filling this page) Packing. A 8 88 8 ABCD VI. The shadow department of the scope of patent application The portion is deposited by transferring into a vapor-deposited material, and is arranged to be spaced apart in the horizontal direction, and a plurality of stripe-shaped electrodes intersecting the first electrode are made into a plaque type. 7. The method for manufacturing an organic electric field light-emitting device according to item 6 of the patent application, wherein the spacer is formed along the first electrode and is located between the first electrodes. 8. The method for manufacturing an organic electric field light-emitting device according to item 7 of the patent application, wherein the spacer is formed to cover the end of the first electrode. 9. The method for manufacturing an organic electric field light-emitting device according to item 6 of the patent application, wherein the spacer is intersected with the first electrode to form a space between the second electrodes. 10. The method for manufacturing an organic electric field light-emitting device according to item 1 of the scope of patent application, which includes the step of forming an organic layer using K, the organic layer being made of an organic compound containing a double vf azole-based skeleton as part of a thin film layer form. 11. The method for manufacturing an organic electric field light-emitting device according to item 1 of the application, wherein at least a part of the spacer is blackened. --- .. rkii ---- install—— (please read the precautions on the back before filling this page) * The paper printed by the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs, Shellfish Consumer Cooperative, is printed in accordance with Chinese National Standards (CNS) A4 size (210 X 297 mm)
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