TW379398B - Measuring-pattern and measuring method for width of wire in semiconductor device - Google Patents
Measuring-pattern and measuring method for width of wire in semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- TW379398B TW379398B TW087110031A TW87110031A TW379398B TW 379398 B TW379398 B TW 379398B TW 087110031 A TW087110031 A TW 087110031A TW 87110031 A TW87110031 A TW 87110031A TW 379398 B TW379398 B TW 379398B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- model
- width
- distance
- scope
- patent application
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Description
公告本 斤(Γ年f月//日修正/吳必/補t 申請曰期 ―’ η,^ 案 號 f7 ί( 〇〇 3> j 類 別 H〇i l xl/a (以上各棚由本局填柱) A4 C4 379398 雲|專利説明書 經 t 央 襟 隼 員 工 消 費 人 4 杜 印 發明〜-一、新型名稱 中文 半導體元件中之配線寬度測定模型及測定方法(修正本) 英文 MEASURING-PATTERN AND MEASURING METHOD FOR WIDTH OF WIRE IN SEMICONDUCTOR DEVICE 姓 名 1. 金吉浩 2. 申講燮 3. 金鐘一 國 籍 _發明, 韓 國 一 ' 人 創作 住、居所 1. 韓國京畿道廣州郡草月面雙東里157-14 Sunkwang Villa Na棟 301 號 2. 韓國漢城市產原區上溪洞Boram Apt.107棟306號. 3 ·韓國全羅北道全州市完山區西棲鹤洞 Yegreen Apt. Da楝 207號 姓 名 (名稱) 現代電子產業股份有限公司 (現代電子產業株式會社) 國 籍 韓國 三、申請人 住、居所 (事務所) 韓國京畿道利川市夫鉢邑牙美里山136-1 代表人 姓 名 鄭東洙 1 訂 線 本紙張尺度適用中國國家榡隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) 裝 公告本 斤(Γ年f月//日修正/吳必/補t 申請曰期 ―’ η,^ 案 號 f7 ί( 〇〇 3> j 類 別 H〇i l xl/a (以上各棚由本局填柱) A4 C4 379398 雲|專利説明書 經 t 央 襟 隼 員 工 消 費 人 4 杜 印 發明〜-一、新型名稱 中文 半導體元件中之配線寬度測定模型及測定方法(修正本) 英文 MEASURING-PATTERN AND MEASURING METHOD FOR WIDTH OF WIRE IN SEMICONDUCTOR DEVICE 姓 名 1. 金吉浩 2. 申講燮 3. 金鐘一 國 籍 _發明, 韓 國 一 ' 人 創作 住、居所 1. 韓國京畿道廣州郡草月面雙東里157-14 Sunkwang Villa Na棟 301 號 2. 韓國漢城市產原區上溪洞Boram Apt.107棟306號. 3 ·韓國全羅北道全州市完山區西棲鹤洞 Yegreen Apt. Da楝 207號 姓 名 (名稱) 現代電子產業股份有限公司 (現代電子產業株式會社) 國 籍 韓國 三、申請人 住、居所 (事務所) 韓國京畿道利川市夫鉢邑牙美里山136-1 代表人 姓 名 鄭東洙 1 訂 線 本紙張尺度適用中國國家榡隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) 裝 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Μ Β7 五、發明説明(/ ) <發明背景> 本發明主要是針對半導體元件之配線技術,特別是關 於配線寬度之測定模型,以及使用該模型測定所述配線寬 度之方法。 半導體製程必須以相當高的精確度來進行,所以在每 一製程步驟後,都必須加以測試或測量。在半導體元件的 各項參數中,配線的線寬是影響元件效能與穩定度最重要 的因素,因此必須知道所製作出來的配線寬度是否和所設 計的寬度相同。 在多種量測配線寬度的方法中,有一種方式是直接以 掃描式電子顯微鏡量測配線寬度。另一種方式是利用量測 配線的電阻,以及配線材料之電阻係數,其中電阻係數是 經由四點探針測試法而求得。使用電子顯微鏡的方法,是 利用加速電子產生二次電子之信號,將信號加以放大而成 影像,來量測配線的寬度。但是,當掃描影像之視角沒有 垂直時,利用電子顯微鏡量到的寬度便不正確,而且電子 顯微鏡的體積龐大,在生產線上必須佔據較大的空間,且 成本也較高。 參照第1圖,一項量測有寬度W1與厚度tl之配線10 之技術如下所述:在配線10上有四支探針pi、p2、p3、 與p4,以相同間距S1排列。外側兩支探針pi和p4接到 電流源11,而内側兩支探針p2和p3接到伏特計12。當電 流I經由電流源11通過配線10時,探針p2和p3兩點間 之電壓便經由伏特計12量得。配線的電阻可以歐姆定律經 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1B1-1- vn m·—· S3HI tmv 1--^yv Km· mu mu n·— mV— am— 1 、 为 、\$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 -—~_ 發明説明) =崎的電壓求得,而配線的寬度可將電阻值代入下式得
Wl=(m)/(R*tl) 電阻2 P為配線1Q之電阻係數。也就是說,配吃1Ω沾 冤阻係數必須審丰4nLAt 1 此線10的 到標準的電阻=先才::定配線的寬度Wl。為了得 矩形,四支/ 部份設計成2之 探斜、鱼垃支1針放在矩形之四個角落。間隔為幻的料 =接;對間隔為以的探針則連 壓V,缺後;阻二流出通過配線,伏特計則量到電 說,電阻t㈣數便可由Vanderp讀法求得。詳細地 电丨且係數是以下列方裎式求得: ^ ^=(V/I) i{l\l I 2) 本直修正因子’由平均探針間距與樣 可能㈣姆來計算電阻餘,料算之電阻係數 的厚产r,的尺寸小時,量到的電阻係數誤差更= ^。k種里測方法不可避免地在量測配線寬度時可靠性較 <發明總論>
因此本發明的目的之一是精確地量測配線的寬度, 而不必使用配線的電阻係數。 X 以某一觀點而言,本發明為一量測配線寬度的模型, 包含有第-寬度之第’模型;第二模型連接在第—模型之 諳 先· 閔 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 裴 訂 線 本紙張尺度適用中國國家榡準(CMS ) A4規格(2丨0X297公釐) 經濟部中央榇準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(3 ) 後,其第二寬度比第一寬度還寬;第三模型連接在第二模 型之後,其第三寬度比第一寬度還窄。第一模型、第二模 型、與第三模型皆由相同材質製成。第二寬度基本上為第 一寬度的十倍以上,第三寬度的寬度較窄使電流能均勻地 通過。第一模型、第二模型間之連接處與第二模型、第三 模型間之連接處皆以設計的角度傾斜,以避免電流產生亂 流現象。 以另一觀點來看本發明,為一配線寬度之量測模型。 >量測模型包含:有第一寬度之第一模型;第二模型連接在 第一模型之後.,其第二寬度比第一寬度還寬;第三模型連 接在第二模型之後,其第三寬度比第一寬度還窄。第一模 型、第二模型、與第三模型皆由相同材質製成。第一模型 經由電源與第三模型連接,第一對探針置於第一模型上, 而與第一伏特計連接。第一對探針間之距離為第一間距, 第一間距的距離大於第一寬度。第二對探針置於第二模型 上,而與第二伏特計連接。第二對探針間之距離為第二間 距,第二間距的距離大於第一寬度。然後,使用第一伏特 計與第二伏特計所量得的電壓,第一寬度便可決定。第一 寬度是由下式所決定: w=(W*s / S)*(V / v) 其中w為第一寬度,W為第二寬度,s為第一間距,S 為第二間距,v為第一伏特計所量得之電壓,V為第二伏 特計所量得之電壓。第二寬度基本上為第一寬彦的十倍以 上,第三寬度的寬度較窄使電流能均勻地通過。第一模型、 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I--------裝---^---訂------線 (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局'貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(I ) 第二模型間之連接處與第二模型、第三模型間之連接處皆 以設計的角度傾斜,以避免電流產生亂流現象。因為第一 寬度之值,只與探針間距、探針間電壓、以及第二寬度有 關,所量測之第一寬度也就不受待測物的橫截面是否為矩 形所影響。 並且,與四點探針測試法相比,因為本發明不用計算 配線材料之電阻係數,因電阻係數之不準確而導致配線寬 度誤差的情形,基本上也就不會發生了。 .. <圖示之簡單說明> 第1圖所示為使用四點探針量測配線寬度之方法。 第2圖所示為依據本發明量測配線寬度之方法。 <圖式中元件名稱與符號對煦照> 10 配線 11 電流源 12 :伏特計 21 電流源 2 2 a ·弟二伏特計 22b :第一伏特計 I .電流 pi、p2、p3、p4、p5、p6、p7、p8 ' p9 ' plO :探針 S卜S2、S3 :間距 W1、W2、W3、W4 :寬度 tl :厚度 <較佳具體實例之詳細描述> -------^----士衣------訂 (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(Γ) 如第2圖所示,配線之量測模型有三部分。待測的配 線模型(第一模型)位於區域A,而輔助量測之配線模型 (第二模型與第三模型)則位於區域B與區域C。第一模 型、第二模型與第三模型都由相同材料所製作,且有相同 的厚度t。第一配線模型之寬度W2(第一寬度)為待測值, 而寬度為第一寬度十倍以上之寬度W3(第二寬度)可以改 善量測之準確度。寬度W4 (第三寬度)設計成較窄是為 了讓流過第二模型之電流I能分布均勻。第一模型與第二 >模型相連接,而第二模型與第三模型相連接。每一模型之 連接處都以設計之角度傾斜,可將電流之亂流現象降至最 低。 為量測第一寬度W2而使用上述之配線模型的量測方 法詳述如下:第一探針p6與第二探針p5分別置於第一模 型和第二模型上,並與電流源21相連接。第三探針p7與 第四探針p8.置於第一模型上,且與第一伏特計22b相連 接。第三探針p7與第四探針p8之間距S2比第一寬度還 大,且最好是第一寬度之十倍以上。第五探針p9與第六探 針pl〇置於第二模型上,且與第二伏特計22a相連接。第 五探針p9與第六探針plO之間距S3比第一寬度還大,且 最好是第一寬度之十倍以上。第三探針p7與第六探針pl〇 之距離最好短一些,以降低焦耳熱損失。由電流源21所提 供之電流I從第一模型流到第三模型,第三探針與第四探 針間之電壓V與第五探針與第六探針間之電壓v,都可由 第一伏特計22b與第二伏特計22a分別得到讀值。如果内 8 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 女衣· 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21 〇 X 297公釐) A7 B7 五 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 、發明説明( 部電阻所導致之損失可以忽略的話,通過第三模型的電 流、通過第二模型上第五探針與第六探針間之電流、和通 過第-模型上弟二減與第四探針間之電流,基本上是相 同的。如果第三探針與^探針之距離夠短的話,第一模 型的電阻係數基本上與第二模型的電阻係數是相同的。 因此,根據歐姆定律第-模型之電阻係數^與第二 模型之電阻係數p 2可以方裎式(丨)來表示: p 1 = (W2*t*v) / (S2*I) = p 2 = (W3*t*V) / (S3*I)⑴ 方程式(1)可簡化成方程式(2): W2 = (W3*S2 / S3) * (V/v) ⑺ 在設計配線寬度之1測模型時,第二寬度W3、第五 才未針與第六探針之間距S3、第三探針與第四探針之間距α 如果足夠大的話,在製造配線寬度之量測模型時的可能誤 差便可忽略。所以,(W3*S2/S3)便可當做常數c,方程式 (2)變成W2 = c * (V/ v)。也就是說,第一寬度可以由第一 伏特計22b與第二伏特計22a之電壓而量得。 如上所述’第一寬度W2只與第三寬度、第—模型與 第二模型上之探針間距、探針所量得之電壓有關,在量^ 時,模型的截面形狀並不會影響配線的寬度量測-。並且 與四點探針法不同的是,在本發明中,配線之電jt且係數在 量測配線寬度時並不需要考慮,基本上將不會發生 U電ji且 係數的誤差而導致配線寬度的誤差。 再者,在決定第一寬度W2時,配線的厚度t也不兩 考慮’所以也不會發生因厚度量測的誤差’導致量剛配j 本紙張尺度適用中國國家榡率(CNS ) Α4規格(210Χ:297公釐) ----------,±·衣---^---II-------^ (請先閔讀背面之注意事項再_填寫本頁) ΑΊ Β7 五、發明説明(7 ) 之可靠性降低。 按,以上所述,僅為本創作之一具體實施例,惟本創 作之構造並不侷限於此,任何熟悉此項技藝者在本創作之 領域内,所實施之變化或修飾皆被涵蓋在本案之專利範圍 内。 I--------^--去水------訂------東 (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印- 六、申請專利範圍 1. 一種配線寬度之測定模型,包含: 一個有第一寬度之第一模型; 一個連接在所述第一模型後之第二模型,有比所述第 一寬度還寬之第二寬度;以及 一個連接在所述第二模型後之第三模型,有比所述第 一寬度還窄之第三寬度;其中所述之第一模型、第二 模型、和第三模型皆由相同#料所製作。 2. 如申請專利範圍第1項所述之測定模型,其中所述第 二寬度大體上為所述第一寬度之十倍以上。 3. 如申請專利範圍第1項所述之測定模型,其中所述之 第三寬度的寬度足夠窄,使得流經之電流能均勻通過。 4. 如申請專利範圍第1項所述之測定模型,其中所述之 第一模型與第二模型之連接處及所述之第二模型與第 三模型$連接處,皆以選定的角度傾斜,以避免電流 產生亂流之現象。 5. 如申請專利範圍第2項所述之測定模型,其中所述之 •第一模型與第二模型之連接處及所述之第二模型與第 三模型之連接處,皆以選定的角度傾斜,以降低電流 產生亂流之現象。 6. 如申請專利範圍第3項所述之測定模型,其中所述之 第一模型與第二模型之連接處及所述之第二模型與第 三模型之連接處,皆以選定的角度傾斜,以降低電流 產生亂流之現象。 7. 一種配線寬度之測定模型,包含: ---.、裝------訂------ .線 (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4说格(210 X 297公釐) :·. 六、申請專利範圍 ABCD中 央 榇 準 局 Ά 工 消 費 合 作 社 印 製 一個有第一寬度之第一模型 一個連接在所述第一模型後之第二模裂,有比所述第 一寬度還寬十倍以上之第二寬度;以及 一個連接在所述第二模型後之第三模蜇,且有寬度足 夠窄的第三寬度,使得流經之電流能均勻通過; 其中所述之第一模型、第二模型、和第二模型皆由相 同材料所製作。 如申請專利範圍第7項所述之測定模蜇’其中所述之 第一模型與第二模型之連接處及所述之第二模型與第 二楔型之連接處,皆以選定的角度傾斜,以降低電 產生IL流之現象。 一種配線寬度之測定方法,包含下列步驟: 有配線見度之測定模型,所述之測定模型包含: (a) —個有第一寬度之第一模型; ⑻-個連接在所述第—模型後之第三模型 述第一寬度還寬之第二寬度;以及 匕所 -個連接在所述第二_叙第三 述第一寬度還寬之第三寬度,比所…型、f二模型、和第三模型皆由_#二^模 接; _奴第三模型相連 將第一對探針接在所述之第一模型上 一對探針與第一伏特計相連接;、其,且將所述之第 針間之距離為第一間距,所述=所述之第—對探 弟—間距比所述之第 L~~~--~_____ 】2 本纸炫尺度) a娜(17^^ /;IL , -.-^-- (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 9. (c) 訂 ·"---- I - IJI 1.....1 I 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 risi cfs* · 一見度見, 將第二對探針接在所述之第二模型上,且將所述之第 二對探針與第二伏特計相連接;其中所述之第二對探 針間之距離為第二間距,所述之第二間距比所述之第 一寬度寬; 由所述之第一伏特計與第二伏特計所量得之電壓,可 決定所述之第一寬度。 10. 如申請專利範圍第9項所述之方法,其中所述之第一 寬度是由下列方程式所決定: w = (W * s / S) * (V / v) 其中w為所述之第一寬度,W為所述之第二寬度,s 為所述之第一間距,S為所述之第二間距,v為所述之 第一伏特計之電壓讀值,V為所述之第二伏特計之電壓 讀值。 11. 如申請專利範圍第10項所述之方法,其中所述第二寬 度大體上為所述第一寬度之十倍以上。 1.2.如申請專利範圍第10項所述之方法,其中所述之第三 寬度的寬度足夠窄,使得流經之電流能均勻通過。 13. 如申請專利範圍第10項所述之方法,其中所述之第一 模型與第二模型之連接處及所述之第二模型與第三模 型之連接處,’皆以選定的角度傾斜,以降低電流產生 亂流之現象。 14. 如申請專利範圍第11項所述之方法,其中所述之第一 模型與第二模型之連接處及所述之第二模型與第三模 .· r -裝〆 訂 '-'^ (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸疚尺度速用中國國家標準(CNS ) ΑΊ規格(210Χ 297公釐) 8 S ABCD 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裂 六、申請專利範圍 型之連接處,皆以選定的角度傾斜,以降低電流產生 亂流之現象。 15. 如申請專利範圍第12項所述之方法,其中所述之第一 模型與第二模型之連接處及所述之第二模型與第三模 型之連接處,皆以選定的角度傾斜,以降低電流產生 亂流之現象。 16. 如申請專利範圍第10項所述之方法,其中所述之第一 間距大約為所述第一寬度之十倍以上。 Π.如申請專利範圍第Γ0項所述之方法,其中所述之第二 間距大約為所述第一寬度之十倍以上。 18. —種配線寬度之測定方法,包含下列步驟: 準備有配線寬度之測定模型,所述之測定模型包含: (a) —個有第一寬度之第一模型; (b) —個連接在所述第一模型後之第二模型,有比所 述第一寬度寬十倍以上之第二寬度;以及 (c) 一個連接在所述第二模型後之第三模型,有寬度 足夠窄之第三寬度,使流過所述之第三模型之電 流能均句通過;並且 其中所述之第一模型、第二模型、和第三模型皆由相 同材料所製作; 將所述之第一模型經由一電源與所述之第三模型相連 接; 將第一對探針接在所述之第一模型上,且將所述之第 一對探針與第一伏特計相連接;其中所述之第一對探 ^ I .裝 訂 —,- (請先"讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中囷国家標準(CNS ) Λ4現格(210X297公釐) δ 8 S 8 8 ABCD 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 六、申請專利範圍 針間之距離為第一間距,所述之第一間距為所述第一 寬度之十倍以上; 將第二對探針接在所述之第二模型上,且將所述之第 二對探針與第二伏特計相連接;其中所述之第二對探 針間之距離為第二間距,所述之第二間距為所述第一 寬度之十倍以上;並且 由所述之第一伏特計與第二伏特計所量得之電壓,可 決定所述之第一寬度。 19. 如申請專利範圍第1’8項所述之方法,其中所述之第一 寬度是由下列方程式所決定: w = (W * s / S) * (V / v) 其中w為所述之第一寬度,W為所述之第二寬度,s 為所述之第一間距,S為所述之第二間距,v為所述之 第一伏特計之電塵讀值,V為所述之第二伏特計之電壓 讀值。 20. 如申請寻利範圍第18項所述之方法,其中所述之第一 .模型與第二模型之連接處及所述之第二模型與第三模 型之連接處,皆以選定的角度傾斜,以降低電流產生 亂流之現象。 . , 、裝 (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) *1Τ 本紙汝尺度適用中國國家標4M CNS ) Λ4現格(210X297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970028813A KR100272659B1 (ko) | 1997-06-28 | 1997-06-28 | 반도체 소자의 금속배선 선폭 측정방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW379398B true TW379398B (en) | 2000-01-11 |
Family
ID=19512123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087110031A TW379398B (en) | 1997-06-28 | 1998-06-22 | Measuring-pattern and measuring method for width of wire in semiconductor device |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6127197A (zh) |
JP (1) | JP3636600B2 (zh) |
KR (1) | KR100272659B1 (zh) |
GB (1) | GB2326721B (zh) |
TW (1) | TW379398B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112320754A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-02-05 | 东南大学 | 一种半导体导电薄膜线宽的在线测试结构及方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6399401B1 (en) | 2001-07-24 | 2002-06-04 | Advanced Micro Devices, In. | Test structures for electrical linewidth measurement and processes for their formation |
AU2003274370A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-22 | Praesagus, Inc. | Characterization adn reduction of variation for integrated circuits |
CA2487206A1 (en) | 2002-10-07 | 2004-04-15 | Ludwig Institute Cancer Research | P53 binding polypeptide |
GB0328690D0 (en) | 2003-12-10 | 2004-01-14 | Ludwig Inst Cancer Res | Tumour suppressor protein |
GB0406215D0 (en) | 2004-03-19 | 2004-04-21 | Procure Therapeutics Ltd | Prostate stem cell |
GB0416487D0 (en) * | 2004-07-23 | 2004-08-25 | Isis Innovation | Modified virus |
GB0425739D0 (en) * | 2004-11-23 | 2004-12-22 | Procure Therapeutics Ltd | Humanised baculovirus 2 |
US8929528B2 (en) * | 2005-02-11 | 2015-01-06 | Rockstar Consortium Us Lp | Method and system for enhancing collaboration |
GB0521139D0 (en) | 2005-10-18 | 2005-11-23 | Univ Sheffield | Therapeutic agent |
DE102008015211B4 (de) * | 2008-03-20 | 2011-01-05 | Infineon Technologies Ag | Messanordnung und Verfahren zum Betreiben der Messanordnung |
GB201203587D0 (en) | 2012-03-01 | 2012-04-11 | Univ Warwick | Modified bacterial cell |
CN107389007A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-11-24 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种自动检查电源信号线的方法及装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2659861A (en) * | 1951-11-01 | 1953-11-17 | Branson Instr | Apparatus for electrical thickness measurement |
US3974443A (en) * | 1975-01-02 | 1976-08-10 | International Business Machines Corporation | Conductive line width and resistivity measuring system |
US4024561A (en) * | 1976-04-01 | 1977-05-17 | International Business Machines Corporation | Field effect transistor monitors |
US4751458A (en) * | 1984-04-02 | 1988-06-14 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Test pads for integrated circuit chips |
JPH01184935A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US5049811A (en) * | 1990-07-02 | 1991-09-17 | Motorola, Inc. | Measuring integrity of semiconductor multi-layer metal structures |
-
1997
- 1997-06-28 KR KR1019970028813A patent/KR100272659B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-06-22 TW TW087110031A patent/TW379398B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-24 GB GB9813658A patent/GB2326721B/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-25 US US09/104,716 patent/US6127197A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-26 JP JP18083898A patent/JP3636600B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-08-24 US US09/644,992 patent/US6462565B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112320754A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-02-05 | 东南大学 | 一种半导体导电薄膜线宽的在线测试结构及方法 |
CN112320754B (zh) * | 2020-10-28 | 2023-09-29 | 东南大学 | 一种半导体导电薄膜线宽的在线测试结构及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6462565B1 (en) | 2002-10-08 |
GB9813658D0 (en) | 1998-08-26 |
JP3636600B2 (ja) | 2005-04-06 |
KR100272659B1 (ko) | 2000-12-01 |
GB2326721A (en) | 1998-12-30 |
JP2000241106A (ja) | 2000-09-08 |
US6127197A (en) | 2000-10-03 |
GB2326721B (en) | 2002-01-09 |
KR19990004677A (ko) | 1999-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW379398B (en) | Measuring-pattern and measuring method for width of wire in semiconductor device | |
Rabinovich et al. | Evaluating measurement accuracy | |
US6549006B2 (en) | Eddy current measurements of thin-film metal coatings using a selectable calibration standard | |
JP2015520364A (ja) | 等方性応力を検出してピエゾホール効果の補償を提供する方法及びデバイス | |
JP3579040B2 (ja) | 電流測定装置及び電流測定方法 | |
CN101657729A (zh) | 具有接触探测器的装置 | |
CN106500581A (zh) | 一种非铁磁性金属上非铁磁性金属涂镀层厚度的测量方法 | |
US7397255B2 (en) | Micro Kelvin probes and micro Kelvin probe methodology | |
CN102053171B (zh) | 一种微纳米热检测传感组件 | |
TWI221930B (en) | Method and apparatus for determining the pass through flux of magnetic materials | |
Qu et al. | High-precision thickness measurement of Cu film on Si-based wafer using erasable printed eddy current coil and high-sensitivity associated circuit techniques | |
Dziuba et al. | NIST measurement service for dc standard resistors | |
US3287637A (en) | High frequency current means including capacitive probe members for determining the electrical resistance of a semiconductor layer | |
US3341772A (en) | Device for measuring locally dependent differences between the magnetic field gradient at different points of a magnetic field | |
Oldham et al. | Low-voltage standards in the 10 Hz to 1 MHz range | |
US3938037A (en) | Device for measuring the ferrite content in an austenitic stainless steel weld material | |
JPS62235505A (ja) | ライナ被覆管の厚み測定方法 | |
Wagner | The use of near-wall hot-wire probes for time resolved skin-friction measurements | |
TW531651B (en) | Test apparatus for detecting tested devices and the test method of tested devices | |
CN109358234A (zh) | 一种极片电阻电导率测试方法 | |
Martens et al. | High-accuracy eddy current measurements of metals | |
Kang et al. | Electrical conductivity evaluation techniques for superalloy single-crystal steel | |
US3509456A (en) | Dielectric probe for low conductivity filamentary material | |
Yu et al. | Development of Wye–Delta-Type High-Resistance Standards in the Range of 1 MΩ to 1 GΩ | |
JPS58139078A (ja) | 抵抗測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |