TW308689B - - Google Patents

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TW308689B
TW308689B TW085112299A TW85112299A TW308689B TW 308689 B TW308689 B TW 308689B TW 085112299 A TW085112299 A TW 085112299A TW 85112299 A TW85112299 A TW 85112299A TW 308689 B TW308689 B TW 308689B
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Hitachi Ltd
Hitachi Micosel Kk
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308689 A7 B7 經濟部中央標菜局負工消費合作社印製 五、 發明説明 1 ) 1 1 發 明 背 景 1 1 本 發 明 係 關 於 —. 種 光 學 記 錄 介 質 9 且 更 特 別 而 係 1 1 關 於 — 種 軌 跡 寬 度 小 於 光 點 直 徑 之 高 度 光 學 記 錄 介 質 〇 1 1 請 I 1 用 以 執 行 高 密 度 ( 窄 軌 跡 ) 記 錄 之 介 質 之 例 如 曰 本 專 先 閱 1 利 J P — A — 1 7 6 4 0 4 所 述 P 依 照 此 例 » 在 具 有 凹 槽 讀 背 1 1 I 和 陸 地 以 及 資 訊 記 錄 區 域 之 光 學 記 錄 介 質 中 9 該 凹 槽 和 陸 之 注 I 意 玄 I 地 地 形 成 在 — 基 底 上 > 且 資 訊 記 錄 區 域 和 該 凹 Mb 僧 及 陸 地 相 爭 項 1 再 [ 連 預 坑 設 置 在 介 於 凹 槽 和 陸 地 間 之 邊 界 之 實 質 延 伸 線 上 填 % 本 V- I 0 特 別 的 > 預 坑 只 位 在 每 個 凹 -Mr 棺 之 中 央 線 之 任 何 特 殊 位 置 頁 1 1 之 一 側 上 〇 1 I 以 此 稱 造 記 錄 資 訊 形 成 在 凹 槽 和 陸 地 之 兩 側 上 預 1 I 坑 具 有 表 示 記 錄 區 域 之 位 址 資 訊 和 一 預 坑 共 同 使 1 訂 | 用 至 — 對 相 鄰 凹 槽 和 陸 地 以 提 供 位 址 資 訊 0 當 上 述 之 技 1 1 I 術 應 用 至 例 如 一 相 位 改 變 記 錄 介 質 或 一 磁 光 學 記 錄 介 1 1 質 時 由 於 在 —. 光 點 內 之 光 學 干 擾 效 應 介 於 相 鄰 陸 地 或 1 1 凹 槽 間 之 資 訊 干 擾 ( 串 音 ) 可 受 到 抑 制 藉 此 可 允 許 軌 跡 ^*1**~· Ί 之 窄 化 0 1 | 另 — 方 面 在 4πτ. m 光 學 干 擾 效 應 之 預 坑 區 域 中 位 址 資 1 訊 可 共 用 至 一 對 凹 ΙΜφ 槽 和 陸 地 且 亦 可 增 加 有 效 的 軌 跡 節 距 1 1 I 以 降 低 串 音 〇 1 1 但 是 在 曰 本 專 利 J Ρ — A 一 6 — 1 7 6 4 0 4 中 * 1 1 預 坑 區 域 之 配 置 偏 離 凹 槽 或 陸 地 之 中 央 線 之 —. 側 因 此 f 1 1 當 — 光 點 軌 跡 至 — 凹 槽 或 一 陸 地 時 * 軌 跡 錯 誤 ( 軌 跡 偏 置 1 1 ) 會 增 加 » 如 此 難 以 執 行 髙 密 度 記 錄 其 中 軌 跡 節 距 相 當 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X 297公釐) —4 ·** 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 〇08689 A7 B7 五、發明説明(2 ) 窄。 發明概要 本發明可消除上述之問題’且本發明之第一目的乃在 提供一種光學記錄介質’其可抑制軌跡偏置至一值或一位 準,該值或位準對於實際使用上而言相當低,且即使當記 錄作用在凹槽和陸地時,亦可提供位址資料之有效配置。 本發明之第二目的乃在提供一種高密度光學記錄介質 ,其可確保輕易的操控和簡單的複製準備,且即使發生一 讀出錯誤時,亦可允許解碼。 爲了達成上述之第一目的,使用下述之方式。 (1 )凹槽和陸地形成在記錄介質之一基底上,資訊 記錄區域形成和凹槽和陸地相連,和預坑設置在介於凹槽 和陸地間之邊界之實質延伸線上。 預坑之配置同時滿足下列之條件(a)至(d)。 (a )預坑位在凹槽之中央線之實質延伸之兩側上; (b )預坑位在陸地之中央線之實質延伸之兩側上; (c )預坑不位在凹槽之中央線之任何特殊位置之兩 側上;和 (d )預坑不位在陸地之任何特殊位置之兩側上。 以此構造,預坑之配置不會偏置在凹槽或陸地之中央 線之實質延伸之任一側上,以確保軌跡錯誤難以發生,且 預坑不會存在於凹槽或陸地之中央線之任何特殊位置之兩 本纸張尺度適用t國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -----r----ί、-------訂------广 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -5 - A7 308689 B7 五、發明説明(3 ) 側上,以使介於相鄰軌跡間之預坑資訊之干擾免於發生在 一再生點內,藉此可提供高密度窄軌跡記錄。 (2 )當預坑設置在週緣方向,以使在凹槽一側上之 預坑和在另一側上之預坑無法分辨,或在陸地之一側上之 預坑和在另一側上之預坑無法分辨*和該凹槽和該陸地相 連之預坑之至少連績兩個配置製成互相不同,以提供每兩 配置週期性的預坑之相同配置。 關於其它的選擇方面, (3 )和至少一對位在一預坑區域中,在該凹槽之中 央線兩側上之坑相連之一凹槽和不與位在預坑區域中在該 凹槽之中央線之兩側上之坑相連之相鄰凹槽交替的安排在 徑向方向。 因此,僅藉由再生坑,和凹槽相連之預坑可和與陸地 相連之預坑分辨,藉此可改善資訊記錄再生之可靠度。 (4 )同步資訊和位址資訊之一以位在該凹槽之兩側 之任一側上之預坑所表示。 關於其它的選擇方向, (5 )只有同步資訊和位址資訊之一由安排在該凹槽 之兩側之一上之預坑所表示,且同步資訊和位址資訊兩者 由安排在該凹槽之另一側上之預坑所表示。 藉此,在正確的同步下,可再生位址資料。此外’由 於在兩側上介於預坑間之相位邊緣可延伸’且可利於記錄 介質之製造* (6 )凹槽和預坑具有相同的深度,其爲7 〇 nm或 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 -6 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裝 五、 發明説明 (4 ) 1 I 更 小 〇 更 特 別 而 言 * 深 度 爲 4 0 η m 或 更 多 且 爲 6 0 η m 1 1 或 更 小 9 1 1 以 此 構 造 * 在 凹 槽 和 陸 地 間 可 獲 得 適 當 串 音 消 除 之 優 請 先 閲 1 I 點 * 此 外 亦 可 獲 得 良 好 的 軌 跡 伺 服 訊 號 〇 再 者 « 亦 可 利 於 1 I 記 錄 介 質 之 形 成 和 製 造 〇 以 超 過 7 0 η m 之 凹 槽 深 度 » 難 讀 背 ιέ 1 1 以 達 成 凹 槽 之 形 成 9 當 凹 槽 深 度 約 爲 5 0 η m 時 -f4, 軌 跡 伺 之 注 1 1 意 I 服 最 大 化 且 以 約 5 0 土 1 0 η m 之 凹 槽 深 度 » 可 達 成 實 事 項 1 I 再 1 質 相 同 的 效 果 〇 填 寫 本 %. I ( 7 ) 凹 槽 和 陸 地 實 質 具 有 相 同 的 深 度 其 介 於 頁 1 1 0 3 U m 和 0 7 5 β m 之 間 〇 1 | 以 此 構 造 良 好 的 軌 跡 可 與 高 密 度 記 錄 相 容 0 如 果 凹 1 I 槽 和 陸 地 具 有 之 寬 度 不 大 於 0 3 m 則 兩 個 凹 槽 和 陸 1 訂 1 地 會 界 限 在 一 光 點 內 且 4nr. 撕 法 獲 得 良 好 的 軌 跡 訊 號 〇 另 1 ! 一 方 面 如 果 凹 槽 和 陸 地 具 有 超 過 0 7 5 β m 之 寬 度 > 1 1 則 •Air 撕 法 提 供 有 效 的 高 密 度 記 錄 〇 1 1 ( 8 ) 最 小 的 預 坑 具 有 之 尺 寸 小 於 凹 槽 和 陸 地 之 寬 度 矣 | 〇 更 特 別 而 言 9 該 尺 寸 之 範 圍 由 0 2 5 β m 至 0 5 5 1 1 β 1X1 藉 此 t 可 獲 得 4nr. 串 音 之 良 好 預 坑 訊 號 〇 由 於 尺 寸 不 大 1 1 於 0 2 5 β m 預 坑 訊 號 會 顯 著 的 降 低 f 而 當 尺 寸 超 過 1 1 0 5 5 β m 時 曹 產 生 串 音 〇 1 1 在 本 發 明 中 » 預 坑 安 排 在 凹 槽 或 陸 地 之 中 央 線 之 實 質 1 I 延 伸 線 之 兩 側 上 » 在 光 點 之 掃 描 光 向 0 而 後 * 降 低 偏 置 以 1 I 使 軌 跡 偏 置 難 以 發 生 1 且 預 坑 並 未 存 在 於 凹 槽 或 預 坑 之 中 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) A7 B7 308689 五、發明説明(5 ) — It 11-1--1 —^n - —I- ^^1 --1— *4 - -- - II - ----二- —^^1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 央線之任何特殊位置之兩側上•以確保可防止在一再生光 點內介於相鄰軌跡間之預坑資訊之干擾,且可提供高密度 窄軌跡記錄。 再者,即使在軌跡偏置存在時,藉由比較在兩側上表 示預坑之訊號之振幅,亦可正確的偵測軌跡偏置量。因此 ,藉由回娥控制揭示比較結果之資訊至一掃描單元,可抑 制軌跡偏置· 在介於一凹槽和一預坑區域間t介於一陸地和一預坑 區域間,或介於預坑區域間之部份上,當在介於一凹槽和 一陸地間之邊界上之實質延伸線上之一預坑串移位至在相 鄰實質延伸線上之預坑串時,會產生一間隙。但是,前述 的曰本專利J P - A—6 — 1 76404並未將此間隙列 入考置。因此,在間隙不存在時或間隙非常短時*基底之 操控無法以一未切割而進行,而需要兩束切割•再者,在 複製準備時,注入必需應用至陡峭的圖樣,如此導致生產 量之減少。此外,在訊號之再生時,對於再生點之偏差之 容忍度和軌跡偏置亦降低,且易產生讀出錯誤。 經濟部中央樣隼局員工消费合作社印製 爲了達成第二目的,可使用下述之方式。 (1 )凹槽和陸地形成在一基底上,且預坑安排在介 於一凹槽和一陸地間之邊界之實質延伸上。特別的,預坑 位在凹槽或陸地之中央線之延伸之兩側上,且因此,雷射 光束之光學軸在切割時必需移動。聲光偏轉器(AOD) 可使用以改變光學軸。但是在傳送用於光學軸之訊號改變 後,對於A OD引起光學軸到達所窬之光學軸位置需要花 衣紙張尺度適用中國國家標準·( CNS ) A4規格(210X 297公釐) -8 - 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 A7 ___B7 五、發明説明(6 ) 費一些時間|而當一調制雷射光束沿著完整的光學軸照射 時,坑傾斜的形成在基底上。因此*在凹槽或陸地和接續 的預坑間並無圖樣格式化以提供一間隙,和一聲光調制器 (A 0M)相關於該間隙切斷,以避免雷射照射和坑牽引 。因此,基底可手簡單的切割機製造。此外,由於多數之 不均勻性並未形成在基底之窄區域上,在複製之準備時, 產置可增加。 (2 )在預坑安排在介於一凹槽和一陸地間之邊界之 資質延伸上之配置中,當介於凹槽和陸地間之邊界之實質 延伸之一側上之預坑串之配置和在另一側上之預坑串之配 置交換時,在相關一側上之預坑串之拖曳緣互相對準在基 底之徑向方向。接續的坑串和拖曳緣位置之坑串分離在週 緣方向或記錄/再生方向,且接績坑串之拖曳緣亦相似的 互相對準。當所形成之間隙符合記錄規則時,基底整體可 便於形成,且缺乏坑之部份亦可收集在基底之特殊區域上 ,藉此可解決在前述於切割和複製準備時所孕涵之問題。 (3 )'只具有原始資訊坑之徑向相鄰坑串可互相對準 在徑向方向中之拖曳緣上。因此,加入新的坑以確保在徑 向方向中之拖曳緣之對準,並觀察在記錄時之規則。 (4 )如(2 )所述,當坑串之配置由一側位移至另 一側時,在另一側上之配置中之坑之領先緣可對準在徑向 方向,以解決如(2 )所述在切割和複製準備中所孕涵之 問題》特別的,由訊號再生之觀點言•在坑串之移位後, 同步訊號立刻分配至坑資訊,因此,在特殊位置上之通道 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -- - - - I 11- 1· -f .衣1^1 - - -- - - -(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -9 - 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 ___B7 五、發明説明(7 ) 位元之決定可詳加考慮,藉此,可確保對於領先緣位置之 偏差之容忍度之增加,且剛好在坑串之移位之前之位置上 之位置之重要資料之錯誤讀取之可能性亦會降低。 圚式簡單說明 圖1爲依照本發明之箄一實施例之光學記錄介質之擴 大片段平面圖。 圖2爲由圖1之介質中再生訊號之波形圓》 圓3爲使用於本發明中之光學記錄介質之記錄和再生 之裝置之方塊圖。 圖4爲依照本發明之第二實施例之光學記錄介質之擴 大片段平面圖》 圖5爲依照本發明之第三實施例之光學記錄介質之擴 大片段平面圖。 圖6爲依照本發明之第四實施例之光學記錄介質之擴 大片段平面圖。 圖7爲由圖6之光學記錄介質而來之再生訊號之波形 圓。 圖8爲依照本發明之第五實施例之光學記錄介質之擴 大片段平面圖。 圖9爲依照本發明之第五實施例之光學記錄介質之資 訊結構圖。 圖1 0爲在第五實施例中,介於預坑區域和凹槽間之 關係之擴大片段立體圚。 本紙張尺度通用中國國家標準(CNi? ) A4规格(210x297公釐) .^^1. II *1 ^^^1 - I- ϋ^— —^^1 —^^1 ^ - I - n^i 111 ^^^1 一eJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -10 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明(8 ) 圖1 1爲在依照本發明之實施例之光學記錄介質中, 位移細節之擴大片段平面圖。 圖1 2爲依照本發明之第六實施例之光學記錄介質之 擴大片段平Pj®。 圖1 3^/依照本發明之第六實施例之光學記錄介質中 :· ; f 1 ί· ,調制碼之丨呼* 較佳實施例之說明 第一實施例(光學記錄介質) 參考圖1 ,其中顯示本發明之光學記錄介質之擴大片 段平面圖。寬度0. 6#m且深度爲50nm之凹槽84 和寬度0 . 6 之陸地8 5交替的安排在介質之徑向方 向,和記錄標示8 1形成在兩種區域中》換言之,凹槽 8 4和陸地8 5當成記錄區域。在預坑區域8 3中,並未 形成任何凹槽,但是坑位在陸地和凹槽間之邊界之延伸上 。毎個玩具有0. 3 5//m的寬度和50nm之深度。預 坑區域分成第一預坑區域8 3 1和第二預坑區域8 3 2。 在第一預坑區域8 3 1中,由圖所示,坑8 2位在陸地 8 5之中央線之上側,而在第二預坑區域8 3 2中,由圖 所示,坑8 2位在陸地8 5之中央線之下側。因此,當光 點2 1掃描陸地8 5時,只在一側上之坑始終再生,且因 此在相鄰軌跡間不會發生串音。因此•以預坑型式記錄之 位址資訊可適當的再生而無串音。 由於坑8 2在徑向方向上並未互相結合,它們可輕易 本紙張尺度遴用中國國家橾準(CNS ) Μ規格(210x297公釐) ---^------4 象------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 經濟部中央樣隼局員工消費合作社印製 A7 _B7五、發明説明(9 ) 的形成。再者,坑8 2均勻的設置在軌跡(陸地或凹槽) 之兩側,且因此,可消除在軌跡伺服訊號上由坑8 2所引 起之影響。因此,軌跡偏置可抑制至充份小的位準。 再者,當再生例如一陸地8 5時,在第二預坑區域 8 3 2上之位址資訊之再生連績的執行,而位址資訊再生 在第一預坑區域8 3 1。因此,當兩區域結合成一區域, 其中安排資訊以提供用於一軌跡之位址資訊,陸地之一位 址(軌跡編號)和凹槽之一位址可互相獨立的設定。換言 之,藉由循序的再生位址資訊片在第一和第二預坑區域 831和832,可確保介於陸地和凹槽間之辨別。‘ 更特別而言,爲了凹槽之再生,由安排在第一預坑區 域之預坑所表示之位址資訊和由安排在第二預坑區域之預 坑所表示之位址資訊相同。但是,對於陸地之再生而言, 由在第一預坑區域之預坑所表示之位址資料和由在第二預 坑區域之預坑所表示之位址資料不同。當由在第一和第二 預坑區域之預坑表示之位址互相不同時,介於兩位址間之 共同關係可設定,且藉由使用此共同關係亦可增加錯誤校 正碼之效率。 較佳的,同步資訊(VFO) 8 6和位址資訊8 7可 同時安排在第一和第二預坑區域中》 雖然在此例中,預坑區域分成第一和第二預坑區域: 但是,分割數目亦可以是多數的。例如,當分割之數目爲 四時,在第一和第三預坑區域中之坑可安排在凹槽之一側 ,而在第二和第四預坑區域之坑可安排在凹槽之另一側。 本纸張尺度遴用中國國家標車(CNS ) A4规格(210X 297公釐) ' -12 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 308689 at ______B7 五、發明説明(10) 藉由增加預坑區域之分割數目,則可改善對抗缺陰之可靠 度》 此處,相位改變記錄材料(G e Sb Te )使用於記 錄膜中。因此,記錄檩示以非晶領域之型式形成。 參考圖3,其中顯示本發明之光學記錄介質應用至光 學記錄/再生裝置之構造。.在此裝置中,波長爲6 8 0 nm之半導體雷射311和準直透鏡312使用當成一光 源3 1。一雷射輪廓形成器(例如一稜鏡)亦可依需要的 提供。半導體雷射之功率由具有自動光能控制功能之光能 控制器7 1所控制。由光源3 1所發出之光束2 2藉由一 聚焦光學件3 2而聚焦在一磁光學記錄介質8上。聚焦光 學件3 2在此例中具有至少一透鏡3 2 1 ,且其亦具有一 光束分裂器3 2 4。用以聚焦光束在光學記錄介質8上之 物鏡具有0. 6之數值孔徑。因此,在光學記錄介質8上 之光點21具有1. 0#m之尺寸。藉由一掃描單元6, 光點亦可在光學記錄介質8上移動至所需位置》掃描單元 6包括至少一馬達6 2以轉動碟型磁光學記錄介質8和具 有自動聚焦控制和自動軌跡功能之自動位置控制器61。 自動位置控制器61使用來自磁光學記錄介質8之反射光 束2 3 ,以使一光偵測單元3 3偵測光點位置,以用於回 饋控制。 光點位置可由偵測來自凹槽之繞射光射線之能量所偵 測。光偵測單元3 3由一透鏡,一光束分裂器和多數之光 偵測器所構成•且多數光偵測器之输出訊號受計算以產生 本紙張尺度遴用中國國家標隼(CNS ) Λ4規格(210Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -於· 訂 13 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印取 A7 _B7_ 五、發明説明(U) —伺服訊號和一再生訊號* 使用如圖1所示之光學記錄介質,在圖2中以1 4表 示之訊號產生當成預坑訊號。此訊號輸入至一位址偵測單 元以解碼位址資料,同時,偵測第一和第二預坑區域之訊 號時間,並根據此時間資訊,儲存第一預坑區域和第二預 坑區域之振幅(平均峰對峰振幅)。如此所儲存之振幅以 振幅比較器互相比較,以產生軌跡偏置賫訊,而後饋回至 位置移動單元(掃描單元)。參考圓2,當光點掃描一凹 槽時,一磁光學再生訊號11和相關的預坑訊號14(在圖式中 之上方)產生,而當光點掃描一陸地時,一磁光學再生訊 號1 2和相關的預坑訊號1 4 (圖式之下方)產生。由於 在此例中,光點些微的偏置如圖1所示,在來自第一預坑 區域8 3 1之預坑訊號和來自第二預坑區域8 3 2之預坑 訊號間會發生振幅差異1 3。此振幅差異相當於軌跡偏置 藉由使用圖3之裝置,即使當各種外界的干擾,如光 點之相差列入考置時,軌跡偏置可降低至±0. 03#m 或更小。在無光學相差之標稱狀態下,軌跡偏置爲 土 0. 0 15//m 或更小。 如上所述,在本發明中,預坑設置在凹槽或陸地之中 央線之實質延伸之兩側上,如圖1所示。結果,使偏置降 低至難以發生軌跡偏置。由於預坑不存在於凹槽或陸地之 中央線之任何特殊位置之兩側上,因此在一再生點內不會 發生介於相鄰軌跡間之預坑資訊之干擾,且因此可確保高 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) ^^1- - ...... - I- - - I II - ·/^" - - i -I- I - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 14 - 藉由比較 A7 B7 五、發明説明(12) 密度窄軌跡記錄。 再者,如果發生如圖2所示之軌跡偏置時 置量。因此,藉由回鑛控制指示比較結果之資訊至掃描單 元時,即可抑制軌跡偏置* 再者,介於凹槽和陸地間之辨別亦可輕易的作用。 藉由使用本發明之光學記錄介質,軌跡偏置可抑制至 實際上充份小的位準(0. 03#m或更小),此外,即 使在高密度窄軌跡記錄下,亦可輕易的獲得位址資訊。經 由使用本發明之光學記錄/再生裝置,軌跡偏置可迅速的 以回饋控制降低。 第二實施例 參考圖4,其中顯示本發明之第二實施例•本實施例 之介質和第一實施例者之不同黏在於只有同步資訊坑 861 至 864 位在凹槽 841 ,842,843, 8 4 4或8 4 5之中央線之上側(由圖式觀之)和同步資 訊坑86 1至864和位址資訊坑87 1至874位在凹 槽8 4之中央線之下側(由圖式觀之)。較佳的,位址資 訊坑8 7 1至8 7 4連續的安排至同步資訊8 6 1至 8 6 4。對於一陸地8 5而言,上和下側關係反向。 和實施例1不同的是,本實施例之位址資訊只安排在 凹槽或陸地之中央線之上或下側,且因此相同的位址資料 分配至陸地和凹槽。在本實施例中,四個分割之預坑區域 本紙張尺度逋用中國國家標率(CNS ) Λ4说格(210X297公釐) ^^1 ---- -1 m « 111 ^^1 !-- 二---- -11 ^^1 穿 、1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本買) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 15 經濟部中央樣準局員工消费合作杜印製 A7 _____B7_五、發明説明(13) 8 3 1和8 3 4乃用以改善預坑區域之可靠度,但是預坑 區域並非始終需要分割》在本實施例中,在考慮已通過低 通濾波器之訊號之轉接之影響,在第一預坑區域8 3 1中 之同步坑8 6 1乃設計成具有比在第二至第四預坑區域中 之同步坑更長之長度。較佳的,位在上和下側之坑由製造 介質之觀點而言最好互相間隔0. 5;am或更大。更好爲 互相相隔約1 μπι之距離,其爲再生光碟點之直徑。 第三實施例 參考圖5,於此顯示第三實施例,其中確認標示8 8 使用以辨別陸地和凹槽。在此實施例中*用以辨別介於陸 地和凹槽間之確認標示8 8獨立的提供在第一和第二實施 例之預坑區域外。 在本實施例中,一對坑(確認標示)8 8安排在凹槽 841 ,843或845之中央線之上和下側(由圖式觀 之),但是它們並未提供於凹槽842或844。假設光 點在圖中相關的由左移動至右,當具有上述確認標示之介 質再生以提供確認標示可藉由光點觀察到之"存在'之例 和確認標示無法觀察到之t不存在^之例,%存在,不存 在^保持在凹槽84 1中,''不存在,存在^保持在陸地 851中,、不存在,不存在〃,保持在凹槽842中, 和^存在,不存在〃保持在陸地852中。再者· |存在 ,存在^保持在凹槽843中,''不存在,存在|保持在 陸地853中, ''不存在·不存在〃保持在凹槽844中 1 -11« I L - i - I - / ^^1· H (^^1 i In ^ J (請先閱讀背面之注意事項再填寫本貰) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) 經濟部中央標搫局員工消費合作社印製 A7 ____ B7___ 五、發明説明(14) ,和*存在,不存在•保持在凹槽854中。亦即, '存 在,存在^和、不存在,不存在|保持在凹槽中,而、不 存在,存在〃和、存在,不存在,保持於陸地中。因此, 根據再生訊號,即可使用以作用介於陸地和凹槽間之辨別 。爲了獲得可靠度,最好提供多數之確認標示對,且更好 的,這些坑對互相間隔約數//m或更多,在介質之資訊軌 跡方向或週緣方向,其垂直於徑向方向。例如,在前述實 施例中之預坑區域和確認標示區域最好可交替的安排在週 緣方向。 第四實施例 參考圖6 ,於此顯示依照本發明之第四實施例之光學 記錄介質之擴大片段平面圖。寬度爲0. 5 am且深度爲 40nm之凹槽84和寬度爲0. 5#111之陸地8 5交替 的安排,且記錄標示8 1形成在兩種區域中。換言之,陸 地8 5和凹槽8 4當成一記錄區域。在預坑區域8 3中, 不會形成任何凹槽,但是實質圖形坑82 (直徑爲0. 3 且深度爲4 0 nm)設置在介於陸地和凹槽間之邊界 之延伸上。預坑區域分割成一 VF 0 (變頻振塗器)區域 833和一位址區域834。特別的,在VFO區域中, 坑8 2交替的設置在陸地8 5之中央線之上和下側。在此 位址區域中•坑8 2交替的設置在相同期間,如同在 V F Ο區域中段。因此,沒有坑存在於陸地或凹槽之中央 線之位置之兩側上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210x 297公釐) ^^1 ! - - 1 -ili I. m m 一OJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -17 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 308689 A7 B7 五、發明説明(15) 此外,在位址區域中,用於特殊軌跡之資料編碼或和 用於相鄰軌跡之資料相差一坑*換言之,此資料採用葛雷 碼(Gray code )之型式。以此構造,當一光點2 1掃 描一陸地8 5時,只有在一側上之坑始終再生,因此在相 鄰軌跡間不會發生串音。因此,分配至預坑之位址資料可 適當的再生而不會發生串音。由於用於相鄰軌跡之坑8 2 並未互相相鄰,因此它們可輕易的形成。再者,坑8 2可 均勻的設置在軌跡(陸地或凹槽)之兩側,且因此可消除 由坑8 2所引起在軌跡伺服訊號上之影響。因此,軌跡偏 置可抑制至一最小值· 當圖6之實施例之介質以圖3之裝置再生時,如圖7 所示之再生訊號由預坑區域8 3產生,其表示可獲得鼸軌 跡之不同而有所不同之資料片,且因此,位址資料可利用 非常高的效率記錄。由於葛雷碼之使用,即使在交互軌跡 存取時,亦可再生位址,如此確保了高速存取之適當性。 再者,由於使用葛雷碼,即使有串音存在,亦難以發生錯 誤,如此可確保窄化軌跡之適當性。 第五實施例 參考圖8 ,於此顯示依照本發明之第五實施例之光學 記錄介質之擴大片段平面圖•寬度爲0. 7/zm且深度爲 7 0 nm之凹槽8 4和寬度爲0 . 7 之陸地8 5交替 的安排在徑向方向,和兩種區域當成資訊軌跡,其上形成 記錄標示。 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS M4規格(210X297公釐) n I I . 訂 I n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 區域8 3在資料記錄區#1:標頭 A7 B7 —........... ... — ..- 五、發明説明(16) 換言之,每個陸地8 5和凹槽8 4當成一記錄區域。 在預坑區域8 3中,並未形成任何凹槽,但是坑8 2設置 在介於陸地和凹槽間之邊界之延伸上。預坑區域分成許多 區帶,該區帶安排在徑向方向上,在1 8 0 0資訊軌跡上 ,亦即,9 0 0凹槽。 區帶同心圔的安排在整個碟上,以使全部爲2 4個區 帶在直徑爲3 0至6 Omm之碟上。更特別而言,在每個 區帶中,在一旋轉時欲偵測之預坑區域之數目,亦即,扇 區數目爲常數,且在外區帶之扇區數目大於在內區帶者。 每個扇區4 1之構造胃圓9所示。扇區4 1具有預坑 如圖8所示,預坑ΊΤ域分成第一預坑區域8 3 1和第 二預坑區域8 3 2。在第一預坑區域8 3 1中,坑8 2安 排在陸地8 5之中央線之上側(如圖所示),和在第二預 坑區域8 3 2中,坑8 2安排在陸地8 5之中央線之下側 。結果,當光點2 1掃描陸地8 5時,只有在一側上之坑 始終再生,且因此不會在相鄰軌跡間發生串音。因此,分 配至預坑之位址資訊可適當的再生而不會有串音。由預坑 所表示之位址資料以1_7調制碼(具有0. 2ym之通 道位元長度)之型式記錄。換言之,線性記錄密度爲 0 . 3 e m /位元》 圖1 0顯示在本實施例中介於預坑區域和凹槽間之關 係之擴大片段截面立體圚。 在本實施例中,一間隙區域8 7提供在第一和第二預 本紙張尺度遘用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) m Hr - III - I- vn 1^1 m - - 一 11 In - ml HI ^1« 、-» (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬榡準局員工消費合作杜印裝 -19 - A7 ___B7 五 '發明説明(17) 坑區域831和832之間,以使它們間隔約1. 〇#m 。由於在此實施例中,資料隨著1 - 7記錄後而記錄,此 間隙距離相當於約5育道位元之長度。5通道位元之長度 剛好爲介於最長標示長度(8通道位元長度)和最短標示 長度(2通道位元長度)之中間長度。因此,可在第一和 第二預坑區域間再生間隙區域,其長度介於最短標示長度 和最長標示長度之間,即使當坑在坑形成時經歷形狀和位 置之改變,和光點經歷在形狀上之改變和在掃描位置上之 改變(伺服偏置),藉此可確保非常高的可靠度。在此例 中,標示設計成經歷•在最壤的情況下,抑制至0. 6 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 ----1 I - - 1- - - III ·=-良 I- ^^1 ^^1 ml - -- 洚-5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ( 3通道位元長度)之位置之全部改變,且因此,有 效長度(在再生時)在最短長度下爲2通道位元,而在最 長長度下爲8通道位元,藉以匹配1 - 7調制碼之規則, 如此在再生時不會引起任何問題。如果偵測長度比8通道 位元長度長時,則會逆向的干擾例如記錄位址標示之特殊 同步圖樣。如果偵測長度比2通道位元短時’則會導致一 小的標示(其小於再生光點之解晰度),且無法偵測。因 此,間隙長度最好抑制至介於最長標示長度和最短標示長 度之中間值,如本實施例所述。 根據坑形成裝置之規格,在標示位置上之改變可抑制 至一通道位元長度或更小。在此例中,稱間隙長度可抑制 至3至7通道位元長度,但是用於目的之坑形成裝置變成 相當昂貴。因此訊號受到再生時由於軌跡偏置而引起之錯 誤之可能性極高,且因此,所需要之介質爲間隙長度剛好 本紙張尺度適用中國國家標牟(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) -20 - 經濟部中央標隼局員工消资合作社印装 A7 __B7_ 五、發明説明(18) 在最長標示長度和最短檫示長度之中間,以適於如上所述 之記錄。 在本資施例中,坑8 2均勻的設置在軌跡(陸地或凹 槽)之中央線之兩側上,且因此,可消除由坑8 2所引起 在軌跡伺服訊號上之影響。因此,軌跡偏置可抑制至一充 份小的位準。此外,當陸地8 5再生時,則連縯的執行在 第二預坑區域8 3 2上之位址資料之再生和在第一凹槽區 域8 3 1上之位址資料之再生。因此,當兩區域結合成一 區域,其中安排資訊以提供用於一軌跡之位址資料時,陸 地和凹槽之位址(軌跡編號)可互相獨立的設定。換言之 ,藉由循序的再生在第一和第二預坑區域8 3 1和8 3 2 中之位址資料片,即可確保介於陸地和凹槽間之辨別。 更特別而言,爲了凹槽之再生,安排在第一預坑區域 由預坑所表示之位址資料和安排在第二預坑區域上由預坑 表示之位址資料相同,但是對於陸地之再生而言,在第一 預坑區域中由預坑表示之位址資料和在第二預坑區域中由 預坑所表示之位址資料不同。當在第一和第二預坑區域中 由預坑所表示之位址互相不同時,介於兩位址間之相互關 係可設定,且使用此相互關係亦可增加錯誤校正碼之效率 〇 較佳的,同步資訊(VFO) 86和位址資料87可 一起安排在第一和第二預坑區域中。 雖然在此例中’預坑區域分成第一和第二預坑區域: 但是,分割數目亦可以是多數的。例如,當分割之數目爲 I紙张又度逋财關家標準(CNS ) Λ4規格(21GX 297公| ) ~ '~~'~~ -21 - · 裝 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 A 7 ___ _B7__ 五、發明説明(19) 四時,如圖5所示,在第一和第三預坑區域中之坑可安排 在凹槽之一側,而在第二和第四預坑區域之坑可安排在凹 槽之另一側。藉由增加預坑區域之分割數目,則可改善對 抗缺陷之可靠度。 此處,相位改變記錄材料(Ge SbTe )使用.於記 錄膜中。因此,記錄標示以非晶領域之型式形成。 參考圖1 1 ,其中詳細顯示在介質中,介於相鄰軌跡 之預坑區域間之位移量9 6 3,介於相鄰軌跡之預坑間之 位移量9 6 1 ,和介於相鄰軌跡之凹槽間之位移量9 6 2 。在實際的介質中,由於在坑形成時會發生各種不同的原 因,位移有時會發生在相鄰軌跡之坑之間,由於位移量 96 1 、962和963 ,間隙區域86和87之長度會 增加或減少· 除了上述之位移外,在再生時之各種變化像差,伺服 錯誤等)亦會引起再生訊號之明顯位移。因此,可能的位 移會導致嚴重的問題。但是,在本發明中,間隙區域之標 構長度設定爲介於最短標示長度和最長標示長度間之中間 長度,在1 — 7調制碼之後,且因此,可允許±0. 6 // m之位移量》 如圖8所示之光學記錄介質可以圖3所示之裝置再生 ,以和第一實施例所述相同的方式,如此所具有之優點爲 軌跡偏置可降低至±0. 3 jum或更小,即使當各種不同 的外部干擾(如光學像差)列入考慮之情況下,且特別的 ,在無光學像差之標稱狀態下,其可降低至±0. 015 度適用中國國家橾牟(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 -22 - 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 308689 at Β7 五、發明説明(20) μ. m 。 第六實施例 雖然圓8之實施例使用1 - 7調制碼當成記錄調制碼 ,本實施例使用八至+四調制(E FM)記錄。通道位元 長度約爲0 · 2 。在本記錄中,最短標示長度爲3通 道位元長度和最長標示長度爲1 1通道位元長度。實際上 ,具有12通道位元或更多之標示是可用的,但是此種型 式之標示受限於一特殊之應用,如同步圖樣。因此,資料 必需免於導入可能會干擾特殊圖樣之圓樣中。除了下述之 幾點外,預坑區域,凹槽和陸地和圖8之第五實施例相似 的安排。亦即,它們安排成如圖1 0所示,且特別的,每 個凹槽之寬度約0. 75#m,和每個預坑之深度約爲 0 . 0 7 5 μ m。 在本實施例中,預坑區域和凹槽設置如圖1 2所示。 四個預坑區域831 ,832,833和834分配至一 扇區之標頭。在每個預坑區域中,用以同步至同生訊號之 一 V F 0區域和記錄軌跡和扇區區域之位址資料之位址區 域循序的安排。坑之啓始位置和端位置乃安排成可實質的 對準在徑向方向,且一間隙區域8 6提供在凹槽之端和坑 區域之啓始之間。相似的,間隙區域87、88或89提 供在相鄰預坑區域之間。 如前所述,介於坑之啓始位置和接績坑之啓始位置間 之位移之細節如圖11所示。以圖11所示之位移。間隙 本紙浪尺度逋用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210X 297公釐) —,—»----ί 袈— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -23 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7 五、發明説明(21) 區域8 6之有效長度乃降低或增加*如同圖8之第五實施 例。爲了在徑向方向對準預坑區域831 ,832和 8 3 3之最後坑之端,使用如圖1 3所示之額外坑圔樣 110。使用依照先前資料而選自四種型式(a) , (b ),(c)和(d)之額外圖樣。藉此,最後坑之拖曳緣 位置9 9可始終對準在相同位置,而無關於先前資料,且 間隙長度和坑長度可限制至可用於調制碼之長度,以此方 式,介於接續預坑區域1 2 0和最後坑之拖曳緣位置9 9 之間之間隙區域可設定至在調制碼之後介於最長檫示長度 和最短標示長度間之中間長度,因此,在預坑形成和再生 時,邊界可顯著的增加,如第五實施例所示。 在前述實施例中,已說明相位改變記錄材料之介質, 但是,其它的材料亦可獲得本發明之優點。例如,亦可使 用磁光學記錄介質當成記錄膜。此外,已敘述之調制碼爲 2 — 7和8/9碼,但是,其亦可爲其它型式,其中前述 E F Μ延伸。 依照本發明,在具有陸地和凹槽之光學記錄介質中, 基底可以輕易的操控裝置製造,且可簡單的準備複製,而 所得之結果爲可確保介質之製造邊界和讀出邊界實際上充 份的大。因此,可提供價廉且高密度之光學記錄介質。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210 X 297公釐) . · ' 裝 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -24 -

Claims (1)

  1. ABCD 々、申請專利範圍 1. —種光學記錄介質,具有凹槽和陸地在一基底上 ,和資訊記錄區域形成在凹槽和陸地上,以及中斷區域安 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 插在部份的凹槽間以提供預坑區域, 其中,在預坑區域中,預坑設置在介於凹槽和陸地間 之邊界之實質延伸上,因此預坑位在凹槽之中央線之實質 延伸之兩側上,其中預坑位'在陸地之中央線之實質延伸之 兩側上,其中預坑並未存在於凹槽之中央線之任何特殊位 置之兩側上,且其中預坑並未存在於陸地之中央線之特殊 位置之兩側上。 2. 如申請專利範圍第1項之光學記錄介質,其中當 預坑設置在週邊方向,以使在凹槽一側上之預坑和在另一 側上之預坑是不可分別的,或是在陸地一側上之預坑和另 一側上之預坑是不可分別的,和該凹槽和該陸地相連之預 坑之至少連績兩個配置製成互相不同,以提供每兩配置週 期性的預坑之相同配置。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 3. 如申請專利範圍第1項之光學記錄介質,其中和 至少一對位在一預坑區域中,在該凹槽之中央線兩側上之 坑相連之一凹槽和不與位在預坑區域中在該凹槽之中央線 之兩側上之坑相連之相鄰凹槽交替的安排在徑向方向3 4. 如申請專利範圍第1項之光學記錄介質,其中同 步資訊和位址資訊之一以位在該凹槽之兩側之任一側上之 預坑所表示。 5. 如申請專利範園第1項之光學記錄介質,其中只 有同步資訊和位址資訊之一由安排在該凹槽之兩側之一上 張尺度逋用中國國家榡隼(CNS ) A4規格(210 X 297公釐〉 -25 - 308689 A8 B8 C8 D8 •六、申請專利範圍 之預坑所表示,且同步資訊和位址資訊兩者由安排在該凹 槽之另一側上之預坑所表示。 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 6. 如申請專利範圍第1項之光學記錄介質,其中該 凹槽和該預坑具有相同的深度,其爲7 〇mm或更小。 7. 如申請專利範圍第1項光學記錄介質,其中該凹 槽和該陸地具有實質相同的*宽度,其介於0. 3和 0 . 7 5仁m之間。 8. 如申請專利範圍第1項之光學記錄介質,其中最 小的預坑之尺寸小於該凹槽和該陸地之寬度。 9. 如申請專利範圍第1項之光學記錄介質,其中最 小的預坑之尺寸小於該凹槽和該陸地之寬度,且其範圍在 0· 25μπι 至 0. 55em 之間。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 1 0 . —種光學記錄介質,其中由相鄰凹槽所夾住之 凹槽和陸地形成在一基底上,資訊記錄區域形成在該凹槽 和該陸地上,該凹槽和該陸地由一預坑區域部份的中斷, 其中以小凹陷形式且相位互相不同以用於一特殊光束之一 預坑位在介於一凹槽和一陸地間之邊界之實質延伸上,因 此,預坑位在凹槽或陸地之中央線之實質延伸之兩側上, 但並未存在於該實質延伸之任何特殊位置之兩側上,和資 訊軌跡形成在該凹槽或陸地之賁質延伸上, 其中一間隙形成在一凹槽和一週緣相鄰預坑間,在一 陸地和一週緣相鄰預坑間,和在週緣相鄰預坑間。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之光學記錄介質,其 中在預坑區域中,坑隨著提供資訊在一檩示邊緣之記錄而 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4规格(2I0X297公釐) -26 - A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 記錄· 1 2 .如申請專利範圔第1 1項之光學記錄介質,其 中介於週緣相鄰預坑間之間隙超過由該記錄系統所決定之 最短標示長度,而該週緣相鄰預坑具有坑位在陸地之中央 線之實質延伸之兩側上。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之光學記錄介質,其 中在徑向相鄰預坑中,欲先記錄或再生之預坑之拖曳緣和 徑向相鄰預坑之拖曳緣互相對準在徑向方向上。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之光學記錄介質*其 中爲了使欲先記錄或再生之預坑之拖曳緣對準徑向相鄰預 坑之拖曳緣,在原始預坑之後,加入坑。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之光學記錄介質,其 中用以在徑向方向中對準拖曳緣之加入坑乃由最短標示長 度或更多而與原始預坑分隔。 1 6 .如申請專利範園第1 2項之光學記錄介質,其 中提供一區域以使後績欲記錄或再生之預坑之領先緣在徑 向方向上和徑向相鄰預坑之領先緣對準。 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 ^^^1 —v J i —II t^i·— ^^^^1 tOJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 7 .如申請專利範圍第1 2項之光學記錄介質’其 中介於週緣相鄰預坑間之間隙爲介於最大標示長度和最小 標示長度間之中間長度。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之光學記錄介質’其 中介於週緣相鄰預坑間之間隙至少小於由隨後記錄所決定 之最大標示長度一步階,且大於最小標示長度至少一步階 本紙張尺·度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公釐)
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