TW202431525A - 用於夾取翹曲基板之真空台及方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種真空台，其包含：一台，其具有用於支撐一基板之一頂部表面，該頂部表面具備至少兩個壓力區，各壓力區連接至一各別真空連接件以用於提供一減小的壓力，該等壓力區中之至少一者具備在徑向方向上跨該頂部表面延伸之溝槽。各別壓力區可包含連接至該各別真空連接件且沿著該頂部表面延伸之對應溝槽，各壓力區之該等溝槽至少在一圓形方向上沿著該頂部表面延伸。該等徑向溝槽可自一對應圓形溝槽如指狀件一樣延伸。一個壓力區之該等徑向溝槽在另一壓力區之徑向溝槽之間延伸。

Description

用於夾取翹曲基板之真空台及方法

本發明係關於一種用於夾取基板之真空台及方法。基板可為用於微影程序之晶圓。本發明亦係關於一種具備真空台之微影設備。

微影設備為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(integrated circuit；IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如，遮罩)處之圖案(亦常常稱為「設計佈局」或「設計」)投射至設置於基板(例如，晶圓)上之輻射敏感材料層(抗蝕劑)上。

隨著半導體製造程序不斷進步，幾十年來，電路元件之尺寸不斷地減小，而每一裝置之諸如電晶體的功能元件之量穩定地增加，此遵循通常稱為『莫耳定律(Moore's law)』之趨勢。為了跟上莫耳定律，半導體行業正追逐使能夠產生愈來愈小特徵之技術。為了將圖案投射於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可圖案化於基板上之特徵的最小大小。當前在使用中之典型波長為365 nm (i線)、248 nm、193 nm及13.5 nm。相較於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4 nm至20 nm之範圍內之波長(例如，6.7 nm或13.5 nm)的極紫外線(EUV)輻射之微影設備可用於在基板上形成較小特徵。

為了避免在圖案化期間基板之移動，基板在微影程序期間通常固定在特定位置。舉例而言，可藉由施加壓差，通常藉由將較低壓力施加至基板之背對輻射之側面上來夾取基板。

JPH01201936A係關於一種用於在液晶基板或類似者之曝光設備中使用真空來抽吸待曝光物件之板卡盤。在液晶基板曝光設備中，初始板(遮罩)與待曝光物件(基板或晶圓)之間的間隙以高準確度維持，且遮罩之圖案藉由微影轉移至基板。出於此原因，將基板真空抽吸到具有抽吸溝槽之板卡盤上。

JPH04159043A係關於一種用於在機床中固持工件之真空卡盤或用於各種傳送裝置之真空抽吸方法。待吸附材料8由具有設置於下部吸附板1中之穿孔3及設置於上部吸附板2中之真空抽孔5之徑向溝槽4進行抽吸。該裝置具有徑向溝槽。藉由相對於上部吸附板旋轉下部吸附板，有可能將真空提供至匹配待吸附材料之大小之區域。

JPH07231033A係關於一種用於固持板形基板之設備，且更特別地，係關於一種用於製造半導體晶片、液晶顯示元件等之投影曝光設備，且用以固持半導體晶圓、陶瓷板等。在晶圓固持器之安裝表面上，複數個圓形凹面部分(溝槽)自固持器之中心徑向地形成。在將該晶圓安裝在安裝表面上之後，由真空解壓源對此等溝槽之內部進行減壓，從而使得該晶圓之背部表面在幾乎整個表面上經真空抽吸在安裝表面上。

實務上，在半導體製造程序之眾多步驟期間，基板可變得翹曲。翹曲的或翹曲在本文中指基板以此方式或另一方式彎曲。翹曲或曲率在此可定義為基板(通常為基板之前側或前表面)之最低點與最高點之間的高度差。舉例而言，當設計為平盤時，基板可變為彎曲的，例如輕微鞍形狀、帽子或喇叭形狀或其他形狀。已識別了各種機制，該等機制中之一者為多個金屬層之沉積所固有的，在此程序中之一些點處可充當雙金屬且產生(輕微)曲率。另外，由於多個安置層，其可變得愈來愈難以或甚至不可能使用夾具或工具來平坦化基板。

用於固持基板之習知真空台證明其具有對於基板之曲率或翹曲之有限容許度。若曲率超出特定臨限值，則真空將通常漏泄。因此，基板將不與真空台密封。由於輻射基板僅在基板於微影程序期間保持在正確位置時為可行的，因此可且通常將導致基板的損失，亦即良率降低。

本揭示內容旨在改進上文所描述之習知系統。

本揭示提供一種真空台，其包含： -一台，其具有用於支撐一基板之一頂部表面， -該頂部表面具備至少兩個壓力區，各壓力區連接至一各別真空連接件以用於提供一減小的壓力，該等壓力區中之至少一者具備在徑向方向上跨該頂部表面自一對應圓形溝槽如指狀件一樣延伸之溝槽。

在實施例中，各各別壓力區包含連接至該各別真空連接件且沿著該頂部表面延伸之對應溝槽，各壓力區之該等溝槽至少沿著該頂部表面在一圓形方向上延伸。

在實施例中，該等徑向溝槽自一對應圓形溝槽如指狀件一樣延伸。

在實施例中，一個壓力區之該等徑向溝槽在另一壓力區之徑向溝槽之間延伸。

在實施例中，該頂部表面具備至少三個壓力區。

在實施例中，一第一壓力區配置於距該頂部表面之一中點之一第一徑向距離內，且一第二壓力區配置於該第一徑向距離與該頂部表面之一周界之間。

在實施例中，一第三壓力區配置於該第二徑向距離與該頂部表面之該周界之間。

在實施例中，各各別壓力區包含以流體方式連接至該對應真空連接件之至少一個開口。

在實施例中，各壓力區之該等溝槽在該各別壓力區之邊界內延伸，該等邊界選自該各別第一徑向距離、該第二徑向距離及該頂部表面之該周界。

該等溝槽可具有約1 mm之深度。

該頂部表面可具備用於使得一升降裝置延伸穿過其之一中心開口。

在實施例中，該台包含可連接至各別壓力區之該等真空連接件之一控制系統，以用於獨立於任一其他壓力區中之該壓力而控制各壓力區中之該壓力。

該控制系統可適於獨立於該第二減小的壓力及/或該第三減小的壓力而控制該第一減小的壓力。

該真空台可包含至少一個真空源，以用於將一減小的壓力提供至各別壓力區之該等真空連接件。

根據另一態樣，本揭示提供一種微影設備，其包含根據請求項1至14中任一項之至少一個真空台。

根據又另一態樣，本揭示提供一種將一基板夾取至一真空台之方法，該方法包含以下步驟： -將該基板定位在該真空台之一頂部表面上，該頂部表面具備至少兩個壓力區，各壓力區連接至一各別真空連接件以用於提供一減小的壓力，該等壓力區中之至少一者具備在徑向方向上跨該頂部表面延伸之溝槽； -將一第一減小的壓力施加至一第一壓力區直至已達到指示該基板在該第一壓力區內經夾取至該頂部表面之一第一臨限值； -將一第二減小的壓力施加至一第二壓力區直至已達到指示該基板在該第二壓力區內經夾取至該頂部表面之一第二臨限值。

在實施例中，施加一第一減小的壓力及/或一第二減小的壓力之該步驟包含減小在跨該真空台之該頂部表面徑向地延伸之對應第一或第二溝槽中之一壓力。

該第二臨限值可與該第一臨限值實質上類似。

本方法可包含以下步驟：將一第三減小的壓力施加至一第三壓力區直至已達到指示該基板在該第三壓力區內經夾取至該頂部表面之一第三臨限值。

該第一壓力區可配置於距該頂部表面之一中點之一第一徑向距離內，該第二壓力區可配置於該第一徑向距離與該頂部表面之一周界之間，且視情況該第三壓力區配置於該第二壓力區與該頂部表面之該周界之間。

在一實施例中，該方法包含以下步驟：獨立於任一其他壓力區中之該壓力而控制該至少兩個壓力區中之各者中之一減小的壓力。

在本文獻中，術語「輻射」及「射束」用於涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有為365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及EUV (極紫外線輻射，例如，具有在約5 nm至100 nm之範圍內之波長)。

如本文中所採用之術語「倍縮光罩」、「遮罩」或「圖案化裝置」可廣泛地解釋為指代可用於向入射輻射射束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化裝置，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生的圖案。在此上下文中，亦可使用術語「光閥」。除經典遮罩(透射或反射，二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化裝置之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。

圖1示意性地描繪微影設備LA。微影設備LA包括：照射系統(亦稱為照射器) IL，其經組態以調節輻射射束B (例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；遮罩支撐件(例如，遮罩台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，遮罩) MA且連接至第一定位器PM，該第一定位器PM經組態以根據某些參數而準確地定位圖案化裝置MA；基板支撐件(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至第二定位器PW，該第二定位器PW經組態以根據某些參數而準確地定位基板支撐件；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將藉由圖案化裝置MA賦予輻射射束B之圖案投射至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。

在操作中，照射系統IL例如經由射束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射射束。照射系統IL可包括用於引導、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件或其任一組合。照射器IL可用以調節輻射射束B，以在圖案化裝置MA之平面處之橫截面中具有所要空間及角強度分佈。

本文中所使用之術語「投影系統」PS應廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用的其他因素之各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統或其任一組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任一使用與較一般術語「投影系統」PS同義。

微影設備LA可屬於一種類型，其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之例如水之液體覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的空間-此亦稱為浸潤微影。在以引用之方式併入本文中的US6952253中給出關於浸潤技術之更多資訊。

微影設備LA亦可屬於具有兩個或多個基板支撐件WT (亦稱為「雙載物台」)之類型。在此類「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，及/或可在位於基板支撐件WT中之一者上的基板W上進行製備基板W之後續曝光的步驟，同時另一基板支撐件WT上之另一基板W用於曝光另一基板W上之圖案。

除基板支撐件WT以外，微影設備LA亦可包含量測載物台。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔裝置。感測器可經配置以量測投影系統PS之屬性或輻射射束B之屬性。量測載物台可固持多個感測器。清潔裝置可經配置以清潔微影設備之部分，例如投影系統PS之一部分或提供浸潤液體之系統的一部分。當基板支撐件WT遠離投影系統PS時，量測載物台可在投影系統PS下方移動。

在操作中，輻射射束B入射於固持於遮罩支撐件MT上之圖案化裝置(例如，遮罩) MA上，且由存在於圖案化裝置MA上之圖案(設計佈局)來進行圖案化。在已橫穿遮罩MA之情況下，輻射射束B穿過將射束聚焦至基板W之目標部分C上之投影系統PS。藉助於第二定位器PW及位置量測系統IF，可準確地移動基板支撐件WT，例如以便在輻射射束B之路徑中將不同的目標部分C定位在聚焦及對準位置處。類似地，第一定位器PM及可能之另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射射束B之路徑來準確地定位圖案化裝置MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA與基板W。雖然如所繪示之基板對準標記P1、P2佔用專屬目標部分，但該等基板對準標記P1、P2可位於目標部分之間的空間中。當基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，此等基板對準標記稱為切割道對準標記。

為闡明本發明，使用笛卡耳(Cartesian)座標系統。笛卡爾座標系統具有三個軸，亦即，x軸、y軸及z軸。三個軸中之各者與其他兩個軸正交。繞x軸之旋轉稱為Rx旋轉。繞y軸之旋轉稱為Ry旋轉。繞z軸之旋轉稱為Rz旋轉。x軸及y軸界定水平面，而z軸係在豎直方向上。笛卡耳座標系統不限制本發明，且僅用於闡明。實情為，另一座標系統，諸如圓柱形座標系統可用於闡明本發明。笛卡爾座標系統之定向可不同，例如使得z軸具有沿著水平面之分量。

大體上參考圖2A，本揭示係關於真空台10，該真空台包含具有用於支撐基板W之頂部表面14的台12。真空台可包括於基板台WT中(參見圖1)。頂部表面具有周界或外周16。頂部表面可具備用於支撐基板之數個突出部18。突出部18可稱為瘤節。瘤節18可具有約10至250 µm之高度。對於瘤節之實例及產生突出部之程序，參考例如專利公開案US7940511。

頂部表面14具備至少兩個壓力區20、22。各壓力區連接至一各別真空連接件30、32以用於提供減小的壓力。

壓力區20、22中之至少一者具備指狀件40、42，亦即在徑向方向上跨頂部表面延伸之溝槽。該等指狀件或徑向溝槽連接至對應壓力區之各別真空連接件30、32。因此，徑向溝槽可在徑向方向上跨頂部表面分散經由連接件30至32所提供之壓力，通常為一減小的壓力或真空。各各別壓力區可包含連接至各別真空連接件30、32且沿著頂部表面14延伸之對應溝槽50、52。各壓力區之溝槽50、52可至少沿著頂部表面在一圓形方向上延伸。在實施例中，各壓力區之溝槽50、52可至少部分地沿著頂部表面在一圓形方向上延伸。至少部分地在此處意謂：圓形溝槽可沿著一圓之一區段延伸。舉例而言，溝槽50、52可包含多個區段，其等區段一起沿著一圓形形狀延伸。可形成各自具有一專屬壓力區之多個圓形區。溝槽50、52可在例如約90度之一半徑上延伸。因此，徑向溝槽之四個或更多個區段可一起構成一徑向溝槽。上文所提及之指狀件40、42可以流體方式連接至在圓形方向上延伸之溝槽。該等指狀件可通常具有不連接至任一其他溝槽之至少一端。

如圖2A中展示，徑向溝槽40、42如指狀件一樣自一對應圓形溝槽50、52延伸。

如圖2B中展示，一個壓力區20之至少一些指狀件或徑向溝槽40可在另一壓力區22之徑向溝槽42之間延伸。某一特定壓力區之徑向溝槽40可具有不同長度。後者使得一些指狀件在另一壓力區之指狀件之間延伸，而其他指狀件並不如此。

真空台可具備用於使得一升降裝置延伸穿過其之一中心開口26。真空台可適於與升降裝置(未展示)協作。升降裝置可適於經由中心開口26在一提昇位置(其中升降裝置自頂部表面14提昇基板)與一回縮位置(其中基板W與台10嚙合)之間移動。基板與台10嚙合在此處可意謂，例如基板位於頂部表面14上(在平坦頂部表面不含瘤節18之情況下)，或替代地，基板位於突出部或瘤節18之頂部。

大體上參考圖2C，各別連接件30、32可配置在基板台10之底部側15上。該等連接件以流體方式連接至配置在頂部表面14上之各別壓力區。替代地，連接件30、32可配置於基板台10之側面上。

大體上參考圖3A至圖3C，在實施例中，頂部表面14可具備至少三個壓力區20、22、24。在此，第一壓力區20可配置於距頂部表面14之中點之第一徑向距離內，且第二壓力區22配置於該第一徑向距離與超出第一徑向距離之第二徑向距離之間。第三壓力區24可配置於第二徑向距離與頂部表面之周界16之間。各各別壓力區可包含以流體方式連接至對應真空連接件30至34之至少一個開口。

圖3A中例示，各壓力區之溝槽可在各別壓力區之邊界內延伸，該等邊界選自各別第一徑向距離、第二徑向距離、第三徑向距離及頂部表面之周界。

如圖3B中例示，一或多個壓力區之徑向溝槽40、42、44可在鄰近壓力區之指狀件之間延伸。因此，各別壓力區可至少部分地重疊。此提供了經改良之控制且增加了可操控之基板之翹曲範圍。

在切實可行之實施例中，溝槽可具有約0.3 mm至2 mm之深度，例如約1 mm。

在實施例中，壓力區中之各者具備連接至各別連接件30、32、34之一或多個開口(未展示)。開口配置於或連接至各別壓力區之溝槽。開口可使得氣流自開口(且因此自溝槽)至壓力區之各別連接件。在切實可行之實施例中，各壓力區之一或多個開口配置於各別壓力區之內部邊界附近。內部邊界在此可意謂：在有圓形頂部表面14之情況下，最接近中點或中心開口26之邊界。

大體上參考圖4A及圖4B，真空台可包含或可連接至控制系統80。控制系統可連接於真空源90與各別壓力區之真空連接件30、32、34之間。真空源90可使用合適之流體管道(通常為氣體管道)連接至各別連接件。真空源90可包含用以減小壓力及/或製造氣流之泵或其他構件。控制系統80可包含用於打開或關閉在真空源90與各別壓力區之間的連接之至少兩個閥門82、84、86、88。

閥門可在打開位置與關閉位置之間為可控制的。在打開位置中，各別閥門允許流體在對應流體管道中流動。在關閉位置中，閥門阻擋流體在各別流體管道中流動。閥門亦能可控制至中間位置，亦即在全開位置與全關位置之間的位置。閥門亦可能夠逐漸打開或關閉，使得通過各別流體管道的流體流逐漸增加或減小，使得在對應壓力區中之對應壓降相對於流體流逐漸增加或減小。

控制系統可包含一或多個控制器92、94、96、98。舉例而言，圖4A中展示，控制系統可包含控制各別閥門之一個控制器92。替代地，如圖4B中展示，各閥門可具備專屬控制器。根據本揭示，可獨立於任一其他壓力區中之壓力而控制通過連接至各壓力區之閥門的流體流，且因此各壓力區中之對應壓力。控制系統可適於獨立於第二壓力區中之第二減小的壓力及/或第三壓力區中之第三減小的壓力而控制第一壓力區中之第一減小的壓力。

如上文所描述之真空台10可包括在參考圖1所例示之微影設備LA中。真空台10可包括在基板台WT中。

在操作中，根據本揭示之真空台10可如下作用。在通常第一步驟中，基板可定位於台10上。定位於台上在此處可意謂：例如將基板定位於頂部表面14上或瘤節18之頂部上。定位基板可包括各種步驟。舉例而言，基板可使用基板處置器(諸如，機器人臂)定位於頂部表面上。然而，基板處理器亦可將基板定位於延伸穿過頂部表面之中心開口26之升降裝置(未展示)之頂部。升降裝置之頂部可包括用於使用減小的壓力將基板夾取至升降裝置之抽吸裝置。一旦基板適合地夾取至升降裝置，升降裝置就可經由開口26進行回縮直至基板與真空台10之頂部表面14嚙合。

請注意，微影程序通常涉及至少地量測基板之表面形態之量測步驟。該表面形態提供關於基板之資訊，該資訊包括基板之翹曲及曲率。因此，一旦基板定位於頂部表面14上，該系統可通常地具有可供用以指示基板之特定部分或區段是否相對於頂部表面升高且升高了多少之資訊。

在下一步驟中，本方法可涉及將第一減小的壓力施加至一或多個壓力區直至已達到指示基板在該一或多個壓力區內經夾取至頂部表面之第一臨限值。

隨後，本方法可包括將第二減小的壓力施加至一或多個其他壓力區直至已達到指示基板在該一或多個其他壓力區內經夾取至頂部表面之第二臨限值。

在第一步驟中選定哪個壓力區且隨後激活哪個之選擇可根據基板而不同。該選擇可通常取決於一或多種曲率、翹曲之延伸(亦即，基板上最高點與最低點之間的最大差)及曲率之形狀(例如，如碗一般之中空、如傘一般之彎曲或如塔可(taco)一般之捲曲)。

舉例而言，本方法可首先在其中基板最接近頂部表面之壓力區中激活真空。因此對於碗形之基板，最初可激活靠近中間之壓力區，隨後激活更朝向真空台之周界的壓力區。另一方面，對於為傘形之基板，對置可能更佳。因此，在此情況下，一旦良好之真空已在外部壓力區中形成，便可最初激活外部壓力區，隨後激活更朝向真空台之中間的壓力區。對於塔可形之基板，取決於壓力區與各別基板有最佳之初始接觸，始於中間抑或始於外部壓力區可為最有益的。控制系統可以特定方式操作以最小化或防止晶圓之背側的損壞。舉例而言，當未夾取如傘一般彎曲之晶圓時，外部壓力區可首先在其他一或多個壓力區之前置放至環境壓力下。此防止在基板之自然凸出期間外部觸點上之法向力。在實施例中，此類觸點之耐磨性可藉由施加例如類鑽碳(Diamond-Like Carbon；DLC)塗層或類似耐磨塗層來進行改進。

本揭示之方法得益於包括跨真空台之頂部表面徑向地延伸之指狀件的各別壓力區之形狀。在此，指狀件允許各別壓力區中之壓力徑向地延伸。

甚至，如圖2B及圖3B中例示，各別壓力區之指狀件可部分地重疊。重疊有助於逐漸平坦化翹曲的基板，類似於將基板自一個壓力區至下一壓力區滾動到真空台上。

該方法可包括將第一減小的壓力施加至第一壓力區直至已達到指示基板在該第一壓力區內經夾取至頂部表面之第一臨限值。該方法可包括將第二減小的壓力施加至第二壓力區直至已達到指示基板在該第二壓力區內經夾取至頂部表面之第二臨限值。

可藉由減小在各別壓力區之跨真空台之頂部表面徑向地延伸之對應第一溝槽或第二溝槽中之壓力來施加第一減小的壓力及/或第二減小的壓力。

第一臨限值及第二臨限值可選自例如降低至設定值以下之各別壓力管道中的氣流，及/或指示基板之表面已相對於真空台之頂部表面降低至預設邊限以下的高度感測器。第二臨限值可與第一臨限值實質上類似。

本方法可包含以下步驟：將第三減小的壓力施加至第三壓力區直至已達到指示基板在該第三壓力區內經夾取至頂部表面之第三臨限值。對於後續壓力區之超過三之任一數目，可重複類似步驟。

控制系統可獨立於任一其他壓力區中之壓力而控制至少兩個壓力區中之各者中的壓力，通常地為減小的壓力。此允許最佳化由本揭示之真空台針對特定基板之形狀所提供的益處。如上所描述，該形狀可自圓形(傘形狀)變為中空(碗形狀)再為塔可形狀。壓力區之控制可相應地進行調適，例如，自台中間附近之壓力減小開始且朝外進行或反之亦然。

具有瘤節或突出部之多個真空區之組合提供又另一額外益處。瘤節具有侷限高度。侷限高度基本上阻擋在基板之底部表面與台10之頂部表面之間的氣流。然而，瘤節確實支撐基板且允許有限量氣流，從而導致且支撐或改進類似於基板之移動之滾動，同時隨著壓力減小，該基板在頂部表面上方平坦化。換言之，瘤節的確允許在瘤節之間的有限量氣流，從而導致壓力減小及輔助壓降。後者在基板上產生額外氣動力或扭力，進一步增加可處理之翹曲。

測試及模擬已指示，根據本揭示之真空台可擴展可進行校正之基板之翹曲範圍。此處之基板尤其與半導體晶圓相關。此類基板通常包括圓形矽晶圓。晶圓之直徑可為約300 mm，但可具有各種大小。其他基板包括在操作狀況下表現為半導體之由其他類型之材料或材料之組合製成的基板。

本揭示之真空台可校正，例如300 mm直徑半導體基板之超出約500 µm、例如超出約600 µm、例如超出約700 µm、例如超出約800 µm、例如超出約900 µm或超出1 mm之翹曲。最高2 mm之翹曲可使用本揭示之真空台來進行校正。本揭示之真空台可校正，例如半導體基板之超出約1100 µm、例如超出約1200 µm、例如超出約1300 µm、例如超出約1400 µm、例如超出約1500 µm、例如超出約1600 µm、例如超出約1700 µm、例如超出約1800 µm、例如超出約1900 µm、例如超出約2000 µm之翹曲。所參考之最大翹曲或高度差可至少針對矽基基板來進行校正。基板可包括用以形成例如微晶片、記憶體元件等之金屬及/或半導性材料之多個安置層。相對於適合於半導體製造程序之習知真空台，此顯著改進了可處理之翹曲量。針對300 mm之半導體晶圓，習知之真空台通常不適合於超出300 µm至400 µm之任一類型之翹曲。

在一實際之實施例中，各真空連接之(氣)流可在約10 nl/min及30 nl/min (標準公升/分鐘)範圍內，例如約15 至20 nl/min。此處1 nl/min意謂在正常狀況下之10公升/分鐘，其在1巴(絕對值)下為10 l/min。台之壓降可為每真空通道1.0巴以下。

跨基板之壓差可為約0.1至0.5巴。此處跨基板之壓差可指在基板之頂部側與基板之底部側之間的氣體壓力之差。基板之底部側處之氣體壓力可使用本揭示之真空台的各種壓力區來控制，通常係減小。

本揭示之真空台允許每個壓力區之專屬控制。此極大地增加用於調適且最佳化真空台對特定基板之翹曲之作用的能力。如先前提及，不僅可校正且處理對於相對剛性基板之最大高度差的相對寬範圍。再者，仍可處理之翹曲之類型得以擴展，此係由於各別壓力區之專屬控制能夠最佳化用於特定基板之夾取。舉例而言，基板可幾乎自一個壓力區至另一壓力區滾動至真空台之頂部側，其在周界處開始、在台之中心處開始抑或是在其中之間開始。

瘤節或突出部18可具有自最高250 µm之台10之頂部表面14延伸的典型高度。瘤節可具有約5至200 µm之高度，例如約10至175 µm。

儘管可在本文中特定地參考在IC製造中的微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案化、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。

儘管可在本文中特定地參考在微影設備之上下文中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備。本發明之實施例可形成遮罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如一晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化裝置)之一物件的任一設備之部分。此等設備可通常稱作微影工具。此類微影工具可使用真空狀況或環境(非真空)狀況。

儘管上文已特定參考本發明之實施例在光學微影背景下之使用，但應瞭解，在背景允許之情況下，本發明不限於光學微影且可使用於其他應用中，例如壓印微影。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。在不脫離所附申請專利範圍之範疇之情況下，可對所描述的本發明進行許多修改。本發明之其他態樣如在以下編號條項中所陳述。 1. 一種真空台，其包含： -台，其具有用於支撐基板之頂部表面， -該頂部表面具備至少兩個壓力區，各壓力區連接至各別真空連接件以用於提供減小的壓力，該等壓力區中之至少一者具備在徑向方向上跨該頂部表面延伸之溝槽。 2. 如條項1之真空台，各各別壓力區包含連接至該各別真空連接件且沿著該頂部表面延伸之對應溝槽，各壓力區之該等溝槽至少沿著該頂部表面在圓形方向上延伸。 3. 如條項2之真空台，各壓力區之該等溝槽沿著該頂部表面在圓形方向上至少部分地延伸。 4. 如前述條項中之一項之真空台，其中該等徑向溝槽如指狀件一樣自對應圓形溝槽延伸。 5. 如前述條項中之一項之真空台，其中一個壓力區之該徑向溝槽在另一壓力區之徑向溝槽之間延伸。 6. 如前述條項中之一項之真空台，該頂部表面具備至少三個壓力區。 7. 如前述條項中之一項之真空台，其中第一壓力區配置於距該頂部表面之中點的第一徑向距離內，且第二壓力區配置於該第一徑向距離與該頂部表面之周界之間。 8. 如條項7之真空台，其中第三壓力區配置於該第二徑向距離與該頂部表面之該周界之間。 9. 如前述條項中之一項之真空台，各各別壓力區包含以流體方式連接至該對應真空連接件之至少一個開口。 10. 如條項8或9中之一項之真空台，各壓力區之該等溝槽在該各別壓力區之邊界內延伸，該等邊界選自該各別第一徑向距離、該第二徑向距離及該頂部表面之該周界。 11. 如前述條項中之一項之真空台，該溝槽具有約1 mm之深度。 12. 如前述條項中之一項之真空台，該頂部表面具備用於使一升降裝置延伸穿過其之中心開口。 13. 如前述條項中之一項之真空台，其包含可連接至各別壓力區之該等真空連接件之控制系統，以用於獨立於任一其他壓力區中之該壓力而控制各壓力區中之該壓力。 14. 如條項13之真空台，該控制系統適於獨立於該第二減小的壓力及/或該第三減小的壓力而控制該第一減小的壓力。 15. 如前述條項中之一項之真空台，其包含用以將減小的壓力提供至各別壓力區之該等真空連接件之至少一個真空源。 16. 一種微影設備，其包含如條項1至15中任一項之至少一個真空台。 17. 一種將一基板夾取至一真空台之方法，該方法包含以下步驟： -將該基板定位在該真空台之頂部表面上，該頂部表面具備至少兩個壓力區，各壓力區連接至各別真空連接件以用於提供減小的壓力，該等壓力區中之至少一者具備在徑向方向上跨該頂部表面延伸之溝槽； -將第一減小的壓力施加至第一壓力區直至已達到指示該基板在該第一壓力區內經夾取至該頂部表面之第一臨限值； -將第二減小的壓力施加至第二壓力區直至已達到指示該基板在該第二壓力區內經夾取至該頂部表面之第二臨限值。 18. 如條項17之方法，施加一第一減小的壓力及/或第二減小的壓力之該步驟包含減小在跨該真空台之該頂部表面徑向延伸之對應第一溝槽或第二溝槽中的壓力。 19. 如條項18之方法，該第二臨限值與該第一臨限值實質上類似。 20. 如條項17、18或19中之一項之方法，其包含以下步驟： -將第三減小的壓力施加至一第三壓力區直至已達到指示該基板在該第三壓力區內經夾取至該頂部表面之第三臨限值。 21. 如條項19至20中之一項之方法，其中該第一壓力區配置於距該頂部表面之中點之第一徑向距離內，該第二壓力區配置於該第一徑向距離與該頂部表面之周界之間，且該第三壓力區視情況配置於該第二壓力區與該頂部表面之該周界之間。 22. 如條項17至21中之一項之方法，其包含以下步驟：獨立於任一其他壓力區中之該壓力而控制該至少兩個壓力區中之各者中之減小的壓力。

1:下部吸附板 2:上部吸附板 3:穿孔 4:徑向溝槽 5:真空抽孔 8:待吸附材料 10:真空台/台子/基板台 12:台 14:頂部表面 15:底部側 16:周界 18:突出部/瘤節 20:壓力區/第一壓力區 22:壓力區/第二壓力區 24:壓力區/第三壓力區 26:中心開口/開口 30:真空連接件/連接件 32:真空連接件/連接件 34:真空連接件/連接件 40:指狀件/徑向溝槽 42:指狀件/徑向溝槽 44:徑向溝槽 50:溝槽/圓形溝槽 52:溝槽/圓形溝槽 80:控制系統 82:閥門 84:閥門 86:閥門 88:閥門 90:真空源 92:控制器 94:控制器 96:控制器 98:控制器 B:輻射射束 BD:射束遞送系統 C:目標部分 IF:位置量測系統 IL:照射系統/照射器 LA:微影設備 M1:遮罩對準標記 M2:遮罩對準標記 MA:圖案化裝置/遮罩 MT:遮罩支撐件/遮罩台 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PS:投影系統 PW:第二定位器 SO:輻射源 W:基板 WT:基板支撐件/基板台/晶圓台 x:軸 y:軸 z:軸

現將參看隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在隨附示意性圖式中： -  圖1描繪微影設備之示意性概述； -  圖2A描繪本揭示之真空台之實施例的頂部表面之透視圖； -  圖2B描繪本揭示之真空台之另一實施例的頂部表面之透視圖； -  圖2C描繪圖2A或圖2B之實施例之底部的透視圖； -  圖3A描繪本揭示之真空台之實施例的頂部表面之透視圖； -  圖3B描繪本揭示之真空台之另一實施例的頂部表面之透視圖； -  圖3C描繪圖3A或圖3B之實施例之底部的透視圖； -  圖4A描繪用以控制本揭示之真空台之控制方案的實施例之圖；及 -  圖4B描繪用以控制本揭示之真空台之控制方案的另一實施例之圖。

10:真空台/台子/基板台

12:台子

14:頂部表面

16:周界

18:突出部分/瘤節

20:壓力區/第一壓力區

22:壓力區/第二壓力區

24:壓力區/第三壓力區

26:中心開口/開口

40:指狀件/徑向溝槽

42:指狀件/徑向溝槽

44:徑向溝槽

50:溝槽/圓形溝槽

52:溝槽/圓形溝槽

Claims (15)

1. 一種真空台，其包含： 一台，其具有用於支撐一基板之一頂部表面， 該頂部表面具備至少兩個壓力區，各壓力區連接至一各別真空連接件以用於提供一減小的壓力，該等壓力區中之至少一者具備在徑向方向上跨該頂部表面自一對應圓形溝槽如指狀件一樣延伸之溝槽。
2. 如請求項1之真空台，各各別壓力區包含連接至該各別真空連接件且沿著該頂部表面延伸之對應溝槽，各壓力區之該等溝槽至少沿著該頂部表面在一圓形方向上延伸。
3. 如請求項2之真空台，各壓力區之該等溝槽沿著該頂部表面在一圓形方向上至少部分地延伸。
4. 如請求項1至3中任一項之真空台，其中一個壓力區之該等徑向溝槽在另一壓力區之徑向溝槽之間延伸。
5. 如請求項1至3中任一項之真空台，該頂部表面具備至少三個壓力區。
6. 如請求項1至3中任一項之真空台，其中一第一壓力區配置於距該頂部表面之一中點之一第一徑向距離內，且一第二壓力區配置於該第一徑向距離與該頂部表面之一周界之間。
7. 如請求項1至3中任一項之真空台，各各別壓力區包含以流體方式連接至該對應真空連接件之至少一個開口。
8. 如請求項1至3中任一項之真空台，該等溝槽具有約1 mm之一深度。
9. 如請求項1至3中任一項之真空台，該頂部表面具備用於使得一升降裝置延伸穿過其之一中心開口。
10. 如請求項1至3中任一項之真空台，其包含可連接至各別壓力區之該等真空連接件之一控制系統，以用於獨立於任一其他壓力區中之該壓力而控制各壓力區中之該壓力。
11. 一種曝光設備，諸如一微影設備，其包含如請求項1至10中任一項之至少一個真空台。
12. 一種將一基板夾取至一真空台之方法，該方法包含以下步驟： 將該基板定位於該真空台之一頂部表面上，該頂部表面具備至少兩個壓力區，各壓力區連接至一各別真空連接件以用於提供一減小的壓力，該等壓力區中之至少一者具備在徑向方向上跨該頂部表面延伸之溝槽； 將一第一減小的壓力施加至一第一壓力區直至已達到指示該基板在該第一壓力區經夾取至該頂部表面之一第一臨限值； 將一第二減小的壓力施加至一第二壓力區直至已達到指示該基板在該第二壓力區內經夾取至該頂部表面之一第二臨限值。
13. 如請求項12之方法，施加一第一減小的壓力及/或一第二減小的壓力之該步驟包含減小跨該真空台之該頂部表面徑向地延伸的對應第一溝槽或第二溝槽中的一壓力。
14. 如請求項12或13中之一項之方法，其包含以下步驟： 將一第三減小的壓力施加至一第三壓力區直至已達到指示該基板在該第三壓力區內經夾取至該頂部表面之一第三臨限值。
15. 如請求項12或13中之一項之方法，其包含以下步驟：獨立於任一其他壓力區中之該壓力而控制該至少兩個壓力區中之各者中之一減小的壓力。