TW202419656A - 一種塗覆腔室部件的方法 - Google Patents

Abstract

本文公開的實施例包括用於透過化學氣相沉積（CVD）塗覆腔室部件的部件支撐件。部件支撐件包括被配置為在位於該腔室部件該背側上的固定點處接觸腔室部件的接觸桿。部件支撐件被配置成支撐處理容積中的腔室部件，同時腔室部件的接觸最小化。安裝腔室部件時，背側的固定點減少了固定點暴露於反應氣體的情況。

Description

一種塗覆腔室部件的方法

本公開發明的實施例總體上涉及在化學氣相沉積(CVD)腔室中用含碳材料塗覆腔室部件，以及在該處理中用於保持腔室部件的支撐件。

形成在半導體基板的製造期間使用的處理腔室的部件可以經歷多種處理步驟以便準備好使用。在一些處理中，腔室部件（例如基座和預熱環）經過CVD處理以用所需材料塗覆部件。然而，在CVD處理中，有效地塗覆部件的每個位置可能具有挑戰性，這可能會對部件的使用壽命產生不利影響，並且還會在部件的主體上產生薄弱點。

因此，需要使用CVD處理來塗覆腔室部件的改進方法。

在一個實施例中，提供了一種塗覆腔室部件的方法。該方法包括將腔室部件定位在腔室主體中的部件支撐件上。一或更多個接觸桿從部件支撐件延伸以僅在一或更多個固定點處接觸腔室部件的背側，並且該一或更多個固定點由形成在腔室部件的背側中的一或更多個槽限定。該方法還包括在腔室部件被支撐在部件支撐件上的同時用含碳材料塗覆腔室部件。腔室部件的背側面向腔室主體的底表面。

在另一個實施例中，提供了一種塗覆腔室部件的方法。該方法包括將腔室部件定位在腔室主體中的部件支撐件上。一或更多個接觸桿從部件支撐件的支撐桿延伸以在一或更多個固定點處接觸腔室部件。腔室部件包括形成環形的內部部分和圍繞內部部分的外部部分。內部部分遠離外部部分延伸以形成凸緣，使得一或更多個固定點位於腔室部件上形成的角（corner）上，並且該角被限定為凸緣與內部部分的相交處。該方法還包括在腔室部件被支撐在部件支撐件上的同時用含碳材料塗覆腔室部件。腔室部件面向腔室主體的底表面。

在又一個實施例中，提供了一種半導體處理腔室部件支撐件。半導體處理腔室部件支撐件包括底座、耦合至底座的一或更多個支腳(legs)、以及遠離底座的頂表面延伸的支腳。半導體處理腔室部件支撐件還包括聯接至底座的支撐桿，並且支撐桿遠離底座的頂表面延伸。半導體處理腔室部件支撐件還包括聯接到支腳的支撐棒以及聯接到支撐桿和支撐桿的側表面的接觸桿。每個接觸桿均包括配置成接觸腔室部件的背側的接觸點。

本公開發明的實施例總體上涉及一種用於在化學氣相沉積(CVD)中塗覆腔室部件的方法，以及涉及一種適合於在塗覆腔室部件時支撐腔室部件的部件支撐件。在經歷CVD塗層處理之後，腔室部件（例如基座、預熱環以及其他腔室部件）可以在與固定裝置（例如部件支撐件）接觸的位置處具有更薄的塗層。具有較薄塗層的位置比腔室部件的其他位置更容易受到應力的影響。當腔室部件用於基板製造時(例如在CVD處理腔室內)，反應氣體可能與較薄塗層的區域相互作用，從而損壞塗層並對腔室部件的使用壽命產生不利影響。本文描述的部件支撐件有利地配置成具有在被塗覆時支撐腔室部件的固定點，該固定點在腔室部件的位置處接觸腔室部件，該位置被選擇來降低在接觸腔室部件的位置處的部件故障的風險。

圖1是根據本文描述的實施例的具有部件支撐件的第一示例的腔室部件塗覆(CCC)腔室的示意性剖視圖。CCC腔室100被配置成將材料塗層施加到腔室部件上，例如在半導體處理腔室中使用的腔室部件，例如化學氣相沉積(CVD)腔室、物理氣相沉積(PVD)腔室、電漿和真空處理腔室，以及離子注入腔室等。圖2是根據本文描述的實施例的具有部件支撐件的第二示例的腔室部件塗覆(CCC)腔室的示意性剖視圖。CCC腔室100可以與部件支撐件105、205中的任一個一起使用。如圖所示，CCC腔室100被配置為執行CVD處理，儘管在一些實施例中，CCC腔室100可被配置為執行另一處理操作，例如涉及電漿或另一沉積處理的處理操作。CCC腔室100被配置為支撐一或更多個腔室部件，使得這些部件可以經由諸如CVD的沉積處理接收塗層。

CCC腔室100包括腔室主體102和耦合到腔室主體102的蓋106。CCC腔室100包括設置在其中的部件支撐件105、205之一。部件支撐件105、205由石墨材料或碳化矽材料製成。在一個示例中，部件支撐件105、205塗覆有諸如碳化矽(SiC)的含碳材料。腔室主體102和腔室蓋106將部件支撐件105包圍在限定於腔室主體102內的處理容積120中。排氣埠156穿過腔室主體102而設置。排氣埠156連接至真空泵157。真空泵157在處理期間和/或之後經由排氣埠156從處理容積120去除過量的處理氣體或副產物。

氣體供應源111連接到CCC腔室100並且包括一或更多個氣體源。氣體供應源111被配置為將一或更多種氣體從一或更多個氣體源輸送至處理容積120。一或更多個氣體源中的每一個提供處理氣體（例如氬氣、氫氣或氦氣）。在一些實施例中，載氣和可電離氣體中的一或更多種可以與一或更多種前驅物一起提供到處理容積120中。在一些示例中，遠端電漿源可用於將由氣體供應源111提供至CCC腔室100的氣體形成的電漿輸送至CCC腔室100的處理容積120。

噴頭112可以設置在處理容積120中而位於部件支撐件105、205上方。噴頭112包括開口118，其用於使處理氣體或多種處理氣體從氣體供應源111流入處理容積120。處理氣體經由氣體供給114供應到CCC腔室100，並且處理氣體在流過開口118之前進入限定在噴頭112上方的氣室116。在一些實施例中，在處理操作期間同時流動的不同處理氣體在藉由噴頭112而進入處理容積120之前經由單獨的氣體供給裝置和單獨的氣室進入CCC腔室100。

CCC腔室100(如圖1所示)包括部件支撐件105。CCC腔室100(如圖2所示)包括部件支撐件205。部件支撐件105、205被配置為在CCC腔室100中執行CVD處理期間支撐一或更多個腔室部件107。例如，腔室部件107可以是需要可透過CVD或在CCC腔室100內執行的其他處理來施加的材料塗層的任何腔室部件。在一個示例中，腔室部件107是基座。在另一實施例中，腔室部件107是環，例如預熱環、邊緣環、遮蔽環、夾環、蓋環或半導體處理腔室中使用的其他類型的環。腔室部件107還可以是噴頭、襯裡、護罩、支撐軸等。

部件支撐件105、205被支撐在CCC腔室100的處理容積120中。在一個示例中，部件支撐件105、205由腔室主體102的一部分支撐。在另一示例中，部件支撐件105、205聯接至腔室主體102的側壁104或以其他方式由腔室主體102的側壁104支撐。如圖1所示，部件支撐件105透過側壁固定裝置110可拆卸地連接至側壁104。如圖2所示，部件支撐件205直接聯接至側壁104。在一些實施例中，部件支撐件105、205直接聯接至側壁104。在其他實施例中，部件支撐件105、205經由側壁固定裝置110聯接至側壁104。側壁固定裝置110從側壁104延伸至部件支撐件105、205。

如圖1和圖2所示，部件支撐件105、205懸掛在腔室主體102的底表面122上方。部件支撐件105、205透過側壁固定裝置110或者透過直接耦合到側壁104而懸掛在蓋106和底表面122之間的處理容積120中。在可與本文描述的其他實施例組合的其他實施例中，部件支撐件105、205直接坐落在底表面122上或設置在底表面122上的另一支撐件上。在可與本文描述的其他實施例組合的一個示例中，部件支撐件105、205永久地設置在處理容積120內。在可與本文描述的其他實施例組合的另一示例中，部件支撐件105、205能夠容易地從處理容積120移除。

儘管圖1僅示出了CCC腔室100中的一個部件支撐件105，但是CCC腔室100中可以設置一或更多個部件支撐件105。儘管圖2僅示出了CCC腔室100中的一個部件支撐件205，但是CCC腔室100中可以設置一或更多個部件支撐件205。

在操作中，部件支撐件105、205在CVD處理期間保持一或更多個腔室部件107。在可與本文描述的其他實施例組合的一個實施例中，腔室部件107由石墨材料製成。在另一實施例中，腔室部件107由碳化矽(SiC)製成。利用CVD處理來用材料塗覆腔室部件107。例如，腔室部件107塗有含碳材料。在一示例中，含碳材料可以是碳化矽(SiC)或碳化鉭(TaC)。還設想含碳材料可以由相同的含碳材料或不同的含碳材料的若干層來層壓在腔室部件107上。

腔室部件107上的材料塗層透過增加腔室部件的強度和硬度以減少磨損來提高腔室部件107的耐用性。另外，腔室部件107的塗層允許改善腔室部件107的耐化學性和耐高溫性。而且，塗層允許改進的抗熱震性、減小的熱膨脹、改進的導熱性和減小的密度，這改進了腔室部件107的使用壽命。

腔室部件107在固定點124處與部件支撐件105、205接觸。每個固定點124在腔室部件107上具有約0.2mm ²至約100mm ²的接觸面積。因此，在固定點124處將材料塗覆到腔室部件107上是具有挑戰性的。因此，如下文更詳細描述的，部件支撐件105、205在固定點124處接觸腔室部件107，該固定點124位在減少半導體處理期間經由反應氣體和電漿施加到固定點124的應力的位置處。

圖3是根據本文描述的實施例的基座的後視圖。部件支撐件105被配置為支撐CCC腔室100中的腔室部件107(例如，基座302)。背側304與基座302的前側305相對。前側305被配置為在半導體處理期間支撐基板。基座302的背側304包括一或更多個槽306。槽306是部分地穿過基座302而形成。槽306被配置為限定部件支撐件105的固定點124。槽306是圍繞基座302的中心點308而徑向設置。儘管圖3示出了三個槽306，但是可以在基座302的背側304上形成任何數量的槽306。槽306的形狀不受圖3所示的槽306的形狀的限制。例如，槽306可以具有圓形、線性、三角形、正方形、矩形或其他合適的形狀。每個槽306可以具有不同的形狀和/或定向。透過使槽306和固定點124位於基座302的背側304上，減少了固定點124處的反應氣體暴露。反應氣體與基座302的背側304的接觸受到限制。支撐軸區域覆蓋在基座302的背側304上。支撐軸區域被定義為半導體處理腔室中的支撐軸與基座302配合的區域。支撐軸區域覆蓋有槽306。因此，由於支撐軸區域的覆蓋，減少了固定點124的反應氣體暴露。這樣，基座302的壽命就增加了。

圖4A是根據本文描述的實施例的預熱環402的背側視圖。部件支撐件105被配置為支撐CCC腔室100中的腔室部件107(例如，預熱環402)。預熱環402的背側401與預熱環402的前側403相對。當背側401被安裝在半導體處理腔室中以用於製造基板時，背側401面向腔室的底部並遠離處理區域。在一個實施例中，預熱環402被設計成定位在基板支撐件的周圍。當處理氣體進入處理容積120並流過預熱環402時，預熱環402有利於處理氣體的預熱。預熱環402包括環形區域404，其限定預熱環402的內圓周406。外圓周408在內圓周406的徑向外側。內圓周406和外圓周408限定預熱環402。預熱環402的背側401包括內部部分410和外部部分412。

圖4B是根據本文描述的實施例的預熱環的一部分的等距視圖。外部部分412遠離內部部分410延伸。外部部分412形成遠離內部部分410延伸的凸緣414。角418被限定為凸緣414和內部部分410的相交處。角418圍繞預熱環402形成完整的圓。固定點124位於預熱環402的角418處。儘管圖4B示出了兩個固定點124，但是可以沿著預熱環402的角418形成任何數量的固定點124。當安裝角418時，角418與半導體處理腔室的另一表面接合。這樣，角418上的固定點124被覆蓋。透過使固定點124被覆蓋並位於預熱環402的背側401上，減少了固定點124處的反應氣體暴露。反應氣體與預熱環402的背側401的接觸受到限制。這樣，預熱環402的壽命就增加了。

圖5A是根據本文描述的實施例的支撐基座的部件支撐件的一個示例的示意性側視圖。圖5B是根據本文描述的實施例的部件支撐件的一個示例的示意性透視圖。部件支撐件105被配置為支撐腔室部件107，例如圖3所示的基座302。部件支撐件105包括底座502、支撐桿504、支撐棒506、支腳508和接觸桿510。支撐桿504和支腳508聯接至底座502。支撐桿504和支腳508沿垂直方向延伸遠離底座502的頂表面503。頂表面503是水平的。如圖1所示，在一個示例中，底座502經由側壁固定裝置110耦合到側壁104。在另一示例中，底座502定位在腔室主體102的底表面122上。

支撐棒506聯接至支腳508。在一個示例中，支撐棒506是彎曲的。支撐棒506可以朝向腔室部件107彎曲。在另一示例中，支撐棒506是直的。支撐棒506包括與其連接的一或更多個接觸桿510。例如，如圖5A和5B所示，兩個接觸桿510聯接至支撐棒506。支撐桿504包括聯接至支撐桿504的側表面507的接觸桿510。支撐桿504設置成比支撐棒506距腔室部件107更遠。在一示例中，支撐棒506包括兩個接觸桿510並且支撐桿504包括一個接觸桿510。

每個接觸桿510被配置為在單獨的固定點124處接觸基座302的背側304，以便支撐基座302。部件支撐件105被配置為支撐基座302，使得背側304面向底座502的頂表面503。背側304還面向腔室主體102的底表面122(參見圖1)。換句話說，部件支撐件105被配置為支撐基座302，使得背側304基本上垂直於(例如在10度內)底座502的頂表面503和腔室主體102的底表面122。

接觸桿510的數量對應於基座302上的槽306的數量。接觸桿510相對於底座502的頂表面503呈一定角度(即，相對於水平面成角度)設置。例如，接觸桿510可以相對於底座502的頂表面503呈一定角度設置，使得接觸桿510遠離頂表面503延伸。接觸桿510的角度允許更牢固地保持基座302，並且在基座302上的接觸最小。接觸桿510的角度在約5°和約95°之間。接觸桿510允許基座302保持與部件支撐件105接觸。位於接觸桿510的端部處的接觸點512被成形為確保基座302保持與接觸桿510接觸。接觸點512定位成與槽306接觸。基座302的重量允許接觸桿510支撐設置在其上的基座302。接觸點512可以是圓形、矩形、三角形、正方形或適合與基座302的槽306接觸的其他形狀中的任何一種。在可與本文描述的其他實施例組合的一些實施例中，兩個相鄰部件支撐件105的底座502可聯接在一起。這樣，可以保留多個基座302。儘管圖5A和5B示出了三個接觸桿510，但是可以調節接觸桿510的數量以對應於基座302上的槽306的數量。

圖6是根據本文描述的實施例在塗覆處理期間支撐腔室部件塗覆(CCC)腔室中的腔室部件的方法的流程圖。為了便於解釋，參考圖1所示的CCC腔室100來描述方法600，然而適合於塗覆腔室部件的其他腔室可以與方法600結合使用。參考塗覆由部件支撐件105支撐的腔室部件107來描述方法600。腔室部件107可以是基座302，如圖3所示。在一個示例中，部件支撐件105可以如圖5A和圖5B所示或者具有另一合適的構造。

在操作601中，基座302被定位在部件支撐件105上。部件支撐件105設置在CCC腔室100的處理容積120中。基座302包括設置在基座302的背側304上的一或更多個槽306(參見圖3)。槽306與部件支撐件105的接觸桿510對齊。接觸桿510的接觸點512接觸槽306，以便將基座302支撐在處理容積120內。接觸點512在固定點124處接觸槽306。固定點124是基座302上唯一被接觸的位置。部件支撐件105被配置為使得固定點124位於基座302的背側304上。可以預期，將多於一個基座302定位在設置於處理容積120中的其他部件支撐件105上，以用於隨後的塗覆操作。

在操作602中，基座302在處理容積120內部部分被塗覆材料。基座302塗覆有含碳材料，例如碳化矽、碳化鉭等。基座302塗覆有含碳材料，以便在未來的處理步驟中保護基座302免受反應氣體的影響。例如，含碳氣體源提供含碳氣體以及載氣。載氣可以是單一氣體或氣體混合物。含碳氣體在常壓或減壓下在高於1000℃-1500℃的溫度下進行處理。

在一些實施例中，在操作602之後，基座302被安裝在半導體處理腔室中。半導體處理腔室可以是用於製造半導體基板的腔室。基座302可以用於支撐半導體處理腔室中的基板。基座302可以暴露於半導體處理腔室內的反應氣體。固定點124位於基座302的背側304上的作用是減少固定點124處的反應氣體暴露。例如，限定支撐軸與基座302接合的位置的支撐軸區域覆蓋固定點124。支撐軸區域以槽306覆蓋。反應氣體與基座302的背側304的接觸受到限制。因此，如果含碳材料未被充分塗覆在固定點124處，則反應氣體將不太可能損壞在固定點124處的基座302。這樣，基座302的壽命就增加了。

圖7A是根據本文描述的實施例的支撐預熱環的部件支撐件的另一個示例的示意性透視圖。圖7B是根據本文描述的實施例的部件支撐件的另一個示例的示意性頂視圖。在一個示例中，部件支撐件是部件支撐件205，其被配置為支撐腔室部件107，例如圖4A和4B中所示的預熱環402。部件支撐件205包括支撐桿702以及從支撐桿702延伸的一或更多個接觸桿704。接觸桿704聯接至支撐桿702。例如，接觸桿704可焊接至支撐桿702或螺旋連接至支撐桿702。支撐桿702可以直接聯接至側壁104。或者，位於腔室主體102的底表面122上的支撐件耦合到支撐桿702以將部件支撐件205定位在處理容積120中。

支撐桿702設置在CCC腔室100的處理容積120中(參見圖2)。支撐桿702包括第一部分706和第二部分708。第一部分706和第二部分708在交匯點710處聯接。交匯點710在CCC腔室100內是水平的。支撐桿702可定位在第一部分706和第二部分708中的一個或兩個上。

在可與本文描述的其他實施例組合的一個實施例中，如圖7A所示，第一部分706和第二部分708彼此不平行。在可與本文描述的其他實施例組合的另一實施例中，第一部分706和第二部分708平行並在交匯點710處連接以形成平板。一或更多個接觸桿704從支撐桿702延伸。一或更多個接觸桿704相對於垂直軸線712呈一角度設置。一對接觸桿704被配置為支撐預熱環402。然而，可以預期單個接觸桿704適合支撐預熱環402。接觸桿704在固定點124處接觸預熱環402的背側401上的角418(參見圖4B)。接觸桿704的數量對應於固定點124的數量。接觸桿704的角度允許將預熱環402更牢固地保持在角418上，同時在預熱環402上的接觸最小。接觸桿704相對於垂直軸線712的角度在約10°和約90°之間。接觸桿704允許預熱環402保持與部件支撐件205接觸。

部件支撐件205被配置為支撐預熱環402，使得背側401面向（或基本上垂直於）腔室主體102的底表面122（參見圖1）。位於接觸桿704的端部處的接觸點714被成形為確保預熱環402保持與接觸桿704接觸。接觸點512定位成與角418接觸。預熱環402的重量允許接觸桿704支撐設置在其上的預熱環402。接觸點714可以是圓形、矩形、三角形、正方形或適合與預熱環402的角418接觸的其他形狀中的任何一種。在可與本文描述的其他實施例組合的一些實施例中，多個支撐桿702可設置在處理容積120中。這樣，可以保留多個基座302。儘管圖5A和5B示出了四個接觸桿704，但是可以調節接觸桿704的數量以對應於預熱環402上的預定固定點124的數量。儘管圖5A和圖5B示出了兩個預熱環402，但是預熱環402的數量可以調整並且不受圖5A和圖5B限制。

圖8是根據本文描述的實施例在塗覆處理期間支撐腔室部件塗覆(CCC)腔室中的腔室部件的方法的流程圖。為了便於解釋，參考圖2所示的CCC腔室100來描述方法800，然而適合於塗覆腔室部件的其他腔室可以與方法800結合使用。參考塗覆由部件支撐件205支撐的腔室部件107來描述方法800。腔室部件107可以是預熱環402，如圖4A和4B所示。部件支撐件205可以如圖7A和7B所示，或者具有另一合適的配置。

在操作801中，預熱環402被定位在部件支撐件205上。部件支撐件205設置在CCC腔室100的處理容積120中。預熱環402包括設置在預熱環402的背側401上的角418。部件支撐件205的接觸桿704接觸預熱環402的角418。接觸桿704的接觸點714接觸角418，以便將預熱環402支撐在處理容積120內。接觸點714在固定點124處接觸角418。固定點124是預熱環402上唯一被接觸的位置。部件支撐件205被配置為使得固定點124位於預熱環402的背側401上。可以想到，多於一個的預熱環402定位在沿處理容積120內的支撐桿702設置的其他接觸桿704上。

在操作802中，預熱環402在處理容積120內部以一材料塗覆。預熱環402塗覆有含碳材料，例如碳化矽或碳化鉭。預熱環402塗覆有含碳材料，以便在未來的處理步驟中保護預熱環402免受反應氣體的影響。例如，含碳氣體源提供含碳氣體以及載氣。載氣可以是單一氣體或氣體混合物。含碳氣體在常壓或減壓下在高於1000℃-1500℃的溫度下進行處理。

在一些實施例中，在操作602之後，將預熱環402安裝在半導體處理腔室中。半導體處理腔室可以是用於製造半導體基板的腔室。預熱環402可以暴露於半導體處理腔室內的反應氣體。固定點124位於預熱環402的背側401上的作用是減少固定點124處的反應氣體暴露。反應氣體與預熱環402的背側401的接觸受到限制。因此，如果含碳材料未被充分塗覆在固定點124處，則反應氣體將不太可能損壞固定點124處的預熱環402。這樣，預熱環402的壽命就增加了。

總之，本公開發明的實施例涉及用於透過化學氣相沉積(CVD)塗覆腔室部件的部件支撐件。部件支撐件包括被配置為在位於腔室部件背側上的固定點處接觸腔室部件的接觸桿。部件支撐件被配置成支撐處理容積中的腔室部件，同時腔室部件的接觸最小化。安裝腔室部件時，背側的固定點減少了固定點暴露於反應氣體的情況。因此，如果含碳材料未被充分塗覆在固定點處，反應氣體將不太可能損壞固定點處的部件。因此，腔室部件的使用壽命得以延長。

儘管前述內容針對本公開發明的實施例，但是可以設計本公開發明的其他和進一步的實施例而不背離其基本範圍，並且其範圍由所附申請專利範圍決定。

100:腔室部件塗覆腔室 105、205:部件支撐件 102:腔室主體 106:蓋 120:處理容積 156:排氣埠 157:真空泵 111:氣體供應源 118:開口 114:氣體供給 110:側壁固定裝置 112:噴頭 116:氣室 107:腔室部件 104:側壁 122:底表面 124:固定點 302:基座 304:背側 305:前側 306:槽 308:中心點 402:預熱環 401:背側 403:前側 404:環形區域 406:內圓周 408:外圓周 410:內部部分 412:外部部分 414:凸緣 418:角 502:底座 504:支撐桿 506:支撐棒 508:支腳 510:接觸桿 503:頂表面 507:側表面 512:接觸點 600:方法 601:操作 602:操作 702:支撐桿 704:接觸桿 706:第一部分 708:第二部分 710:交匯點 712:垂直軸線 714:接觸點 800:方法 801:操作 802:操作

為了能夠詳細理解本公開發明的上述特徵的方式，可以透過參考實施例來獲得上文簡要概括的本公開發明的更具體的描述，其中一些實施例在附圖。然而，要注意，附圖僅示出示例性實施例，因此不應被視為限制其範圍，並且可以允許其他同等有效的實施例。

圖1是根據本文描述的實施例的具有部件支撐件的第一示例的腔室部件塗覆(CCC)腔室的示意性剖視圖。

圖2是根據本文描述的實施例的具有部件支撐件的第二示例的腔室部件塗覆(CCC)腔室的示意性剖視圖。

圖3是根據本文描述的實施例的基座的後視圖。

圖4A是根據本文描述的實施例的預熱環的後視圖。

圖4B是根據本文描述的實施例的預熱環的一部分的等距視圖。

圖5A是根據本文描述的實施例的支撐基座的部件支撐件的一個示例的示意性側視圖。

圖5B是根據本文描述的實施例的部件支撐件的一個示例的示意性透視圖。

圖6是根據本文描述的實施例在塗覆處理期間支撐腔室部件塗覆(CCC)腔室中的腔室部件的方法的流程圖。

圖7A是根據本文描述的實施例的支撐預熱環的部件支撐件的另一個示例的示意性透視圖。

圖7B是根據本文描述的實施例的部件支撐件的另一個示例的示意性頂視圖。

圖8是根據本文描述的實施例在塗覆處理期間支撐腔室部件塗覆(CCC)腔室中的腔室部件的方法的流程圖。

為了便於理解，在可能的情況下，已經使用相同的元件符號來指示圖中共有的相同元件。預期一個實施例的元件和特徵可以有益地結合到其他實施例中而無需進一步敘述。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:腔室部件塗覆腔室

105:部件支撐件

102:腔室主體

106:蓋

120:處理容積

156:排氣埠

157:真空泵

111:氣體供應源

118:開口

114:氣體供給

112:噴頭

116:氣室

107:腔室部件

104:側壁

122:底表面

124:固定點

110:側壁固定裝置

Claims (20)

1. 一種塗覆一腔室部件的方法，包括以下步驟： 將一腔室部件定位在一腔室主體中的一部件支撐件上，其中從該部件支撐件延伸的一或更多個接觸桿僅在一或更多個固定點處接觸該腔室部件的一背側，其中該一或更多個固定點由形成在該腔室部件的該背側中的一或更多個槽所限定；和 當該腔室部件被支撐在該部件支撐件上時，用一含碳材料塗覆該腔室部件，其中該腔室部件的該背側面向該腔室主體的一底表面。
2. 根據請求項1所述的方法，還包括以下步驟：將一第二腔室部件定位在該部件支撐件上並用該含碳材料塗覆該第二腔室部件。
3. 根據請求項1所述的方法，還包括以下步驟：將一第二腔室部件定位在該腔室主體中的一第二部件支撐件上並且用該含碳材料塗覆該第二腔室部件。
4. 根據請求項1所述的方法，其中該腔室部件是一基座。
5. 根據請求項1所述的方法，其中該腔室部件的該背側與被配置為支撐一半導體處理腔室中的一基板的該腔室部件的一前側相對。
6. 根據請求項1所述的方法，其中該含碳材料是碳化矽(SiC)或碳化鉭(TaC)。
7. 根據請求項1所述的方法，其中該一或更多個接觸桿相對於一水平面呈一角度設置，其中該一或更多個接觸桿的角度在約5°與約95°之間。
8. 根據請求項1所述的方法，其中該一或更多個接觸桿中的每一者包括經配置以接觸該腔室部件的該背側上的該等槽的一接觸點，其中該接觸點具有圓形、矩形、三角形或正方形形狀。
9. 根據請求項1所述的方法，其中該槽位在位於該腔室部件的該背側上的一支撐軸區域內，其中該支撐軸區域限定可操作以與一支撐軸接合的該腔室部件的一區域。
10. 一種塗覆一腔室部件的方法，包括以下步驟： 將一腔室部件定位在一腔室主體中的一部件支撐件上，其中從該部件支撐件的一支撐桿延伸的一或更多個接觸桿在該一或更多個固定點處接觸該腔室部件，其中該腔室部件包括： 一內部部分，該內部部分形成一環形；和 一外部部分，該外部部分圍繞該內部部分，其中該內部部分遠離該外部部分延伸以形成一凸緣，使得該一或更多個固定點位於該腔室部件上所形成的一角上，該角被限定為該凸緣和該內部部分的一相交處；和 當該腔室部件被支撐在該部件支撐件上時，用一含碳材料塗覆該腔室部件，其中該腔室部件面向該腔室主體的一底表面。
11. 根據請求項10所述的方法，還包括以下步驟：將一第二腔室部件定位在該部件支撐件上並用該含碳材料塗覆該第二腔室部件。
12. 根據請求項10所述的方法，還包括以下步驟：將一第二腔室部件定位在該腔室主體中的一第二部件支撐件上並且用該含碳材料塗覆該第二腔室部件。
13. 根據請求項10所述的方法，其中該腔室部件是一預熱環。
14. 根據請求項10所述的方法，其中該含碳材料是碳化矽(SiC)或碳化鉭(TaC)。
15. 根據請求項10所述的方法，其中該一或更多個接觸桿相對於一垂直軸線呈一角度設置，其中該一或更多個接觸桿的該角度在約10°與約90°之間。
16. 一種半導體處理腔室部件支撐件，包括： 一底座； 一或更多個支腳，該一或更多個支腳連接至該底座，該支腳遠離該底座的一頂表面延伸； 一支撐桿，該支撐桿耦接於該底座，該支撐桿遠離該底座的該頂表面延伸； 一支撐棒，該支撐棒耦接至該等支腳；和 若干接觸桿，該等接觸桿連接至該支撐桿和該支撐桿的一側表面，其中該接觸桿各自包括配置為接觸一腔室部件的一背側的若干接觸點。
17. 根據請求項16所述的半導體處理腔室部件支撐件，其中該等接觸點經配置以接觸形成於該腔室部件的該背側中的一或更多個槽。
18. 根據請求項17所述的半導體處理腔室部件支撐件，其中該腔室部件的該背側與被配置為支撐一半導體處理腔室中的一基板的該腔室部件的一前側相對。
19. 根據請求項16所述的半導體處理腔室部件支撐件，其中該支撐桿從該底座的該頂表面沿相對於該頂表面的一垂直方向延伸。
20. 根據請求項16所述的半導體處理腔室部件支撐件，其中該部件支撐件是塗覆有碳化矽的一石墨材料。