TW202418360A - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明的控制部係在開放第一控制閥且封閉第二控制閥的狀態下對腔室內供給臭氧氣體並處理基板後，封閉第一控制閥且開放第二控制閥，在對腔室內供給惰性氣體時使吸引配管進行吸引。因此，殘留有臭氧氣體的第一過濾器以及容易產生微粒的第一控制閥係經由吸引配管而被吸引。因此，在第一配管中不會產生氣體從第二分支點朝向腔室側之流動。結果，由於能防止臭氧氣體混入至朝向腔室側的惰性氣體，因此能短時間地完成臭氧氣體的置換，且亦能防止微粒所造成的污染。

Description

基板處理裝置

本發明係有關於一種用以對半導體晶圓、液晶顯示器或者有機EL(electroluminescence；電致發光)顯示裝置用基板、光罩(photomask)用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等基板(以下簡稱為基板)進行預定的處理之基板處理裝置。

為了於基板形成圖案(pattern)，將光阻(photoresist)被覆膜被覆附著於基板並進行圖案化(patterning)之後，將形成有圖案的光阻被覆膜作為遮罩並進行蝕刻處理。之後，由於不需要遮罩，因此去除光阻被覆膜。為了去除光阻被覆膜，例如利用屬於硫酸與過氧化氫水的混合溶液之SPM(Sulfuric Hydrogen Peroxide Mixture；硫酸過氧化氫水混合液)。SPM係具有強氧化力，光阻被覆膜係從基板的表面被剝離從而被去除。然而，例如當對光阻被覆膜進行離子植入時，光阻被覆膜的表面係硬化。因此，在僅供給SPM所為的處理中，SPM的消耗量增大。此外，會有無法僅以SPM良好地去除光阻被覆膜之情形。

因此，在供給SPM之前，將臭氧氣體(O ₃氣體)供給至光阻被覆膜，並藉由氧化力進行處理。藉此，能夠氧化(灰化)藉由離子植入而硬化的光阻被覆膜的表面，在後續的SPM所為的處理時光阻被覆膜變得容易剝離。藉此，能抑制SPM的消耗量。

作為此種用以供給臭氧氣體並處理基板之裝置，已知有一種裝置(參照例如專利文獻1)，係具備供給機構，該供給機構係切換SPM、氮氣體、純水以及臭氧氣體並供給至基板的處理面。在此種裝置中，臭氧氣體供給源係連通地連接於供給機構，用以一邊生成臭氧氣體一邊供給臭氧氣體。此種裝置係具備吸引機構，該吸引機構係從配置有基板的處理空間吸引臭氧氣體等各種氣體並排氣至裝置外部。

在此種裝置中，在臭氧氣體所為的處理之後且在為了進行SPM所為的處理而從腔室(chamber)搬出基板之前，以氮氣體置換腔室內的臭氧氣體。因此，作為供給機構，已知有下述構成的供給機構。

已知有一種「第一構成」的裝置，係具備第一配管、第二配管、第一過濾器、第一控制閥、第二控制閥以及第二過濾器。第一配管的一端側係連通地連接於腔室，第一配管的另一端側係連通地連接於臭氧氣體供給源。第二配管的一端側係連通地連接於第一配管的一個部位的分支點，第二配管的另一端側係連通地連接於氮氣體供給源。第一過濾器係設置於從分支點至腔室側的第一配管。第一控制閥係設置於比分支點還要臭氧氣體供給源側，用以控制臭氧氣體於第一配管中的流通。第二控制閥係在第二配管中設置於分支點側，用以控制氮氣體的流通。第二過濾器係設置於第二配管中之比第二控制閥還要氮氣體供給源側。

此外，在用以進行使用了臭氧氣體的處理之裝置中，例如用以封閉用以處理基板的處理空間之腔室係具備：凹狀的下部蓋構件，係支撐用以保持基板之保持機構的下部；以及上部蓋構件，係構成為能夠在保持機構的上部升降，用以在處理時覆蓋下部蓋構件。在此種構成的裝置中一般而言係構成為：以有害的臭氧氣體不會洩漏至周圍之方式在臭氧氣體的處理前藉由吸引機構吸引腔室內部從而提高腔室的密閉程度，且在臭氧氣體的處理中亦維持吸引。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2008-66400號公報。

[發明所欲解決之課題]

然而，在具有此種構成的習知例的情形中會有下述問題。亦即，依據以往的第一構成，於第一過濾器的上游側設置有分支點。因此，臭氧氣體亦通過氮氣體的第一過濾器。因此，在臭氧氣體的處理後從第二配管供給氮氣體並進行置換時，殘留於第一過濾器的臭氧氣體係混入至被供給至腔室的氮氣體。因此，會有臭氧氣體的濃度難以降低從而導致氮氣體所為的置換需要時間之問題。

因此，思考採用下述的「第二構成」。

第二配管的一端側係連通地連接於第一配管的腔室側中的一個部位的分支點，第二配管的另一端側係連通地連接於氮氣體供給源。第一控制閥以及第一過濾器係以此種順序從分支點朝向臭氧氣體供給源側設置。第二過濾器以及第二控制閥係以此種順序從分支點朝向氮氣體供給源側設置。

依據此種第二構成，從分支點至腔室為止不存在第一過濾器。因此，不會產生第一構成所導致的問題。然而，由於第一控制閥設置於第一過濾器的腔室側，因此會有在第一控制閥所產生的微粒(particle)被吸引至從分支點朝向腔室內流通的氮氣體的流動從而污染腔室內的基板之疑慮。

此外，在具有此種構成的習知例的情形中會有下述問題。亦即，以往的裝置係從在臭氧氣體供給源中已經開始臭氧氣體的生成之時間點起至供給處理所需的預定濃度的臭氧氣體為止需要例如兩分鐘左右的時間。因此，由於直至開始臭氧氣體所為的處理為止產生等待時間，因此會有難以縮短臭氧氣體所為的處理時間從而無法提升處理量(throughput)之問題。

再者，在具有此種構成的習知例的情形中會有下述問題。亦即，由於以往的裝置的吸引機構僅為一個系統，因此吸引力被設定成預定壓力。因此，在一邊將臭氧氣體供給至腔室一邊藉由臭氧氣體處理基板時，臭氧氣體亦被大量地排氣。因此，會有臭氧氣體的消耗增大之問題。

本發明係有鑑於此種課題而研創，目的在於提供一種能短時間地完成臭氧氣體的置換且亦能防止微粒所造成的污染之基板處理裝置。

本發明係有鑑於此種課題而研創，目的在於提供一種能縮短臭氧氣體所為的處理時間從而提升處理量之基板處理裝置。

本發明係有鑑於此種課題而研創，目的在於提供一種能防止臭氧氣體的洩漏並抑制臭氧氣體的消耗之基板處理裝置。 [用以解決課題的手段]

為了達成此種目的，本發明係採用下述構成。亦即，方案一所請之發明為一種基板處理裝置，係用以進行去除被覆附著於基板的被覆膜之處理，並具備：腔室，係收容基板並形成密閉的處理空間；保持機構，係在前述腔室內保持基板；臭氧氣體供給源，係供給處理濃度的臭氧氣體以處理前述基板；第一配管，係連通地連接前述腔室以及前述臭氧氣體供給源；第一控制閥，係設置於前述第一配管，用以控制前述第一配管中的臭氧氣體的流通；第一過濾器，係設置於前述第一配管中之比前述第一控制閥還要前述腔室側；第二配管，係一端側連通地連接於前述第一配管中的第一分支點，且從另一端側被供給惰性氣體，前述第一分支點係連接於前述第一配管中之比前述第一過濾器還要前述腔室側；第二控制閥，係設置於前述第二配管，用以控制前述第二配管中的惰性氣體的流通；吸引配管，係一端側連通地連接於前述第一配管中的第二分支點，且從另一端側被吸引，前述第二分支點係連接於前述第一配管中之前述第一過濾器與前述第一控制閥之間；以及控制部，係在開放前述第一控制閥且封閉前述第二控制閥的狀態下對前述腔室內供給臭氧氣體並處理基板後，封閉前述第一控制閥且開放前述第二控制閥，在對前述腔室內供給惰性氣體時使前述吸引配管進行吸引。

依據方案一所記載之發明，控制部係在開放第一控制閥且封閉第二控制閥的狀態下對腔室內供給臭氧氣體並處理基板後，封閉第一控制閥且開放第二控制閥，在對腔室內供給惰性氣體時使吸引配管進行吸引。因此，殘留有臭氧氣體的第一過濾器以及容易產生微粒的第一控制閥係經由吸引配管而被吸引。因此，在第一配管中不會產生氣體從第二分支點朝向腔室側之流動。結果，由於能防止臭氧氣體混入至朝向腔室側的惰性氣體，因此能短時間地完成臭氧氣體的置換，且亦能防止微粒所造成的污染。

此外，在方案二的發明中，較佳為前述吸引配管所為的吸引係以不會妨礙從前述第二配管被供給至前述腔室的惰性氣體的供給之吸引力來進行。

在對腔室供給惰性氣體時，第一配管係在第一分支點處進行吸引配管所為的吸引。此時，以不會妨礙從第二配管經由第一分支點被供給至腔室的惰性氣體的供給之吸引力進行來自吸引配管的吸引。因此，能確實地進行以惰性氣體來置換腔室內的臭氧氣體。

此外，在方案三的發明中，較佳為於前述吸引配管的另一端側具備：真空抽氣器(vacuum ejector)，係藉由壓縮氣體的供給而產生吸引力。

真空抽氣器係比真空泵還小型且便宜。因此，能對裝置的小型化具有貢獻，且亦能抑制成本的上升。

此外，在方案四的發明中，較佳為前述吸引配管係具備：吸引控制閥，係被前述控制部操作，用以進行前述第二分支點中的吸引力的控制。

能藉由操作吸引控制閥來確實地阻斷第二分支點中朝向第二配管的吸引的影響。

此外，在方案五的發明中，較佳為前述第二配管係在前述第一分支點與前述第二控制閥之間具備第二過濾器。

在供給惰性氣體時能防止在第二控制閥所產生的微粒導致的不良影響。

此外，在方案六的發明中，進一步具備：處理液腔室，係收容基板，並進行處理液所為的處理；以及搬運機構，係搬運基板；藉由前述搬運機構將在前述腔室中已藉由臭氧氣體處理過的基板搬運至前述處理液腔室，並在前述處理液腔室中藉由處理液處理前述基板。

藉由搬運機構將在腔室中結束臭氧氣體所為的處理的基板搬運至處理液腔室，並對基板進行處理液所為的處理。藉此，能連續地對基板進行氣體以及液體所為的處理。因此，能有效率地進行下述處理：在進行臭氧氣體所為的前處理後，再進行處理液所為的處理。

此外，方案七的發明為一種基板處理裝置，係用以進行去除被覆附著於基板的被覆膜之處理，並具備：腔室，係收容基板並形成密閉的處理空間；保持機構，係在前述腔室內保持基板；臭氧氣體供給源，係一邊常態地生成用以處理前述基板之臭氧氣體一邊供給前述臭氧氣體；供給配管，係供從前述臭氧氣體供給源所供給的臭氧氣體流通；流通配管，係連通地連接前述供給配管與前述腔室；控制閥，係設置於前述流通配管，用以控制於前述流通配管流通之臭氧氣體的流通；輔助配管，係連通地連接前述供給配管以及用以排出氣體之排出口，用以將從前述臭氧氣體供給源所供給的臭氧氣體排出至前述排出口；排氣閥，係設置於前述輔助配管，用以調整於前述輔助配管流通之臭氧氣體的流量；以及控制部，係在不對前述腔室供給臭氧氣體之非處理時使前述控制閥封閉並使前述排氣閥開放，從而使從前述臭氧氣體供給源所供給的臭氧氣體排出至前述排氣口，而在對前述腔室供給臭氧氣體並以臭氧氣體處理被前述保持機構保持的基板之處理時，一邊調整前述排氣閥所為的流量一邊使前述控制閥開放。

依據方案七所記載之發明，由於在非處理時控制部係封閉控制閥並開放排氣閥，因此在臭氧氣體供給源所生成的臭氧氣體係不會被供給至腔室而是從輔助配管排出至排氣口。由於在處理時控制部係一邊調整排氣閥所為的流量一邊使控制閥開放，因此從常態地生成臭氧氣體的臭氧氣體供給源經由流通配管對被腔室內的保持機構保持的基板供給臭氧氣體。因此，由於不會於臭氧氣體所為的處理產生等待時間，因此能縮短臭氧氣體所為的處理時間，從而能提升處理量。

此外，在方案八的發明中，較佳為前述腔室為複數個；前述流通配管為複數條；各個前述流通配管係分別從前述供給配管分支並連通地連接於各個前述腔室；前述控制閥係分別設置於複數條前述流通配管；在前述處理時，複數個前述腔室中的至少一個前述腔室為正在供給臭氧氣體之狀態。

在腔室為複數個且流通配管為複數條之構成中，複數個腔室中的至少一個腔室正在供給臭氧氣體的狀態為處理時之狀態。藉此，於處理時從流通配管對至少一個腔室供給處理濃度的臭氧氣體並進行臭氧處理所為的處理。

此外，在方案九的發明中，較佳為前述控制部係在前述處理時與各個前述控制閥所為的流量連動地調整前述排氣閥所為的流量，俾使於前述供給配管流通之臭氧氣體的流量之第一流量與於各個前述流通配管流通之臭氧氣體的流量的合計之第二流量之間的差值侷限在預定值內。

以第一流量與第二流量之間的流量的差值成為預定值內之方式，因應各個控制閥所為的朝向各個腔室的臭氧氣體的流量，藉由排氣閥調整從輔助配管排氣的臭氧氣體的流量。因此，由於能以第二流量不會超過第一流量之方式於供給側殘留預定值分量的餘裕，因此能穩定地進行朝向各個腔室供給臭氧氣體。此外，當調整排氣閥所為的流量時，能總括地調整朝向複數個腔室的臭氧氣體的供給量。

此外，在方案十的發明中，較佳為前述臭氧氣體供給源係具備：第一開閉閥，係容許或者阻斷臭氧氣體朝向前述供給配管的流通；以及第一壓力調整機構，係將前述供給配管中的臭氧氣體的壓力維持在第一壓力；前述輔助配管係具備：第二開閉閥，係作為前述排氣閥，用以容許或者阻斷被排出至前述排氣口之臭氧氣體的流通；以及第二壓力調整機構，係將前述輔助配管中的臭氧氣體的壓力維持在比前述第一壓力還小的第二壓力。

第二壓力調整機構係將輔助配管中的臭氧氣體的第二壓力維持成比藉由第一壓力調整機構調整過的供給配管中的臭氧氣體的第一壓力還小。因此，由於能確保臭氧氣體供給源與輔助配管之間的壓力差，因此能謀求朝向各個腔室供給的臭氧氣體的流量的穩定化。此外，由於能防止臭氧氣體集中於輔助配管，因此能確保在複數個腔室中進行處理所需的臭氧氣體的流量。結果，即使為具備複數個腔室之構成，亦能穩定地進行臭氧氣體所為的處理。

此外，在方案十一的發明中，較佳為進一步具備：處理液腔室，係收容基板，並進行處理液所為的處理；以及搬運機構，係搬運基板；藉由前述搬運機構將在前述腔室中已藉由臭氧氣體處理過的基板搬運至前述處理液腔室，並在前述處理液腔室中藉由處理液處理前述基板。

藉由搬運機構將在腔室中結束臭氧氣體所為的處理的基板搬運至處理液腔室，並對基板進行處理液所為的處理。藉此，能連續地對基板進行氣體以及液體所為的處理。因此，能有效率地進行下述處理：在進行臭氧氣體所為的前處理後，再進行處理液所為的處理。

此外，方案十二的發明為一種基板處理裝置，係用以進行去除被覆附著於基板的被覆膜之處理，並具備：腔室，係具備：下部蓋構件，係以下部支撐用以保持基板之保持機構；上部蓋構件，係從上方抵接至前述下部蓋構件並形成處理空間；以及升降機構，係在基板的處理時使前述上部蓋構件相對於前述下部蓋構件下降，而在基板的非處理時使前述上部蓋構件從前述下部蓋構件上升；臭氧氣體供給源，係供給處理濃度的臭氧氣體以處理前述基板；第一配管，係連通地連接前述臭氧氣體供給源以及前述腔室；第一控制閥，係設置於前述第一配管，用以控制於前述第一配管流通之臭氧氣體的流通；排氣配管，係連通地連接於前述腔室，用以將前述處理空間內的氣體排出至裝置外部的排氣口；第二控制閥，係設置於前述排氣配管，用以控制前述排氣配管中的排氣；排氣機構，係具備：第一排氣單元，係設置於前述排氣配管中之比前述第二控制閥還要前述排氣口側，以第一排氣流量進行排氣；以及第二排氣單元，係設置於前述排氣配管中之比前述第二控制閥還要前述排氣口側，以比前述第一排氣流量還小的排氣流量之第二排氣流量進行排氣；以及控制部，係在從前述臭氧氣體供給源對前述腔室供給臭氧氣體並進行臭氧氣體處理之前，開放前述第二控制閥，操作前述第一排氣單元以前述第一排氣流量將前述腔室內排氣並使前述上部蓋構件密著於前述下部蓋構件，在操作前述第一控制閥從前述臭氧氣體供給源將臭氧氣體供給至前述腔室時，停止前述第一排氣單元並操作前述第二排氣單元，以前述第二排氣流量將前述腔室內排氣。

依據方案十二所記載之發明，控制部係在對腔室供給臭氧氣體並進行臭氧氣體處理之前，開放第二控制閥，操作第一排氣單元以第一排氣流量將腔室內排氣並使上部蓋構件密著於下部蓋構件。控制部係在操作第一控制閥從臭氧氣體供給源將臭氧氣體供給至腔室時，停止第一排氣單元並操作第二排氣單元，以第二排氣流量將腔室內排氣。因此，在直至供給臭氧氣體為止上部蓋構件與下部蓋構件的密著程度係被提升至第一排氣流量，在臭氧氣體的供給時被設定成比第一排氣流量還小的排氣流量之第二排氣流量。因此，能防止臭氧氣體的洩漏且亦能抑制臭氧氣體的消耗。

此外，在方案十三的發明中，較佳為進一步具備：第二配管，係一端側連通地連接於前述第一配管中的第一分支點，且從另一端側被供給惰性氣體；第三控制閥，係控制前述第二配管中的惰性氣體的流通；輔助排氣管，係一端側連通地連接於比前述第二控制閥還要前述腔室側的前述排氣配管中的第二分支點，另一端側連通地連接於前述排氣口；以及第四控制閥，係設置於前述輔助排氣管，用以控制前述輔助排氣管中的氣體的流通；前述控制部係在前述臭氧氣體處理之後，操作前述第三控制閥對前述腔室內供給惰性氣體，並操作前述第一排氣單元以取代前述第二排氣單元以第一排氣流量將前述腔室內排氣，在以惰性氣體置換前述腔室內的臭氧氣體後，停止前述第一排氣單元並封閉前述第二控制閥且開放前述第四控制閥後，藉由前述升降機構使前述上部蓋構件上升。

控制部係在臭氧氣體處理之後，對腔室內供給惰性氣體，並操作第一排氣單元以取代第二排氣單元以第一排氣流量將腔室內排氣，並以惰性氣體置換腔室內的臭氧氣體。之後，控制部係停止第一排氣單元並封閉第二控制閥且開放第四控制閥。藉此，在停止排氣機構所為的排氣之狀態下，僅進行惰性氣體所為的對於排氣口的吹淨(purge)。因此，處理空間成為正壓且上部蓋構件與下部蓋構件之間的密著變弱。之後，由於藉由升降機構使上部蓋構件上升，因此能容易地藉由升降構件使上部蓋構件上升。

此外，在方案十四的發明中，較佳為前述控制部係使前述上部蓋構件上升後，封閉前述第四控制閥並開放前述第二控制閥，操作前述第二排氣單元以第二排氣流量將前述腔室內排氣。

在上部蓋構件上升且直至開始下一片基板的處理為止之期間，以第二排氣流量將處理空間排氣。因此，能將處理空間維持成潔淨的狀態。

此外，在方案十五的發明中，較佳為前述第一排氣單元以及前述第二排氣單元係具備：真空抽氣器，係藉由壓縮氣體的供給進行排氣。

真空抽氣器係比真空泵還小型且便宜。因此，能對裝置的小型化具有貢獻，且亦能抑制成本的上升。

此外，在方案十六的發明中，進一步具備：處理液腔室，係收容基板，並進行處理液所為的處理；以及搬運機構，係搬運基板；藉由前述搬運機構將在前述腔室中已藉由臭氧氣體處理過的基板搬運至前述處理液腔室，並在前述處理液腔室中藉由處理液處理前述基板。

藉由搬運機構將在腔室中結束臭氧氣體所為的處理的基板搬運至處理液腔室，並對基板進行處理液所為的處理。藉此，能連續地對基板進行氣體以及液體所為的處理。因此，能有效率地進行下述處理：在進行臭氧氣體所為的前處理後，再進行處理液所為的處理。 [發明功效]

依據方案一所記載之發明，控制部係在開放第一控制閥且封閉第二控制閥的狀態下對腔室內供給臭氧氣體並處理基板後，封閉第一控制閥且開放第二控制閥，在對腔室內供給惰性氣體時使吸引配管進行吸引。因此，殘留有臭氧氣體的第一過濾器以及容易產生微粒的第一控制閥係經由吸引配管而被吸引。因此，在第一配管中不會產生氣體從第二分支點朝向腔室側之流動。結果，由於能防止臭氧氣體混入至朝向腔室側的惰性氣體，因此能短時間地完成臭氧氣體的置換，且亦能防止微粒所造成的污染。

依據方案七所記載之發明，由於在非處理時控制部係封閉控制閥並開放排氣閥，因此在臭氧氣體供給源所生成的臭氧氣體係不會被供給至腔室而是從輔助配管排出至排氣口。由於在處理時控制部係一邊調整排氣閥所為的流量一邊使控制閥開放，因此從常態地生成臭氧氣體的臭氧氣體供給源經由流通配管對被腔室內的保持機構保持的基板供給臭氧氣體。因此，由於不會於臭氧氣體所為的處理產生等待時間，因此能縮短臭氧氣體所為的處理時間，從而能提升處理量。

依據方案十二所記載之發明，控制部係在對腔室供給臭氧氣體並進行臭氧氣體處理之前，開放第二控制閥，操作第一排氣單元以第一排氣流量將腔室內排氣並使上部蓋構件密著於下部蓋構件。控制部係在操作第一控制閥從臭氧氣體供給源將臭氧氣體供給至腔室時，停止第一排氣單元並操作第二排氣單元，以第二排氣流量將腔室內排氣。因此，在直至供給臭氧氣體為止上部蓋構件與下部蓋構件的密著程度係被提升至第一排氣流量，在臭氧氣體的供給時被設定成比第一排氣流量還小的排氣流量之第二排氣流量。因此，能防止臭氧氣體的洩漏且亦能抑制臭氧氣體的消耗。

以下，說明本發明的各個實施例。

[實施例一] 以下，參照圖式說明本發明的實施例一。

圖1係顯示實施例的基板處理裝置的整體構成之立體圖。圖2係圖1中的101-101剖線剖視圖。圖3係圖1中的103-103剖線剖視圖。圖4係示意性地顯示基板處理裝置之俯視圖。

實施例的基板處理裝置1為例如用以對形成有光阻被覆膜的基板W進行光阻被覆膜的去除處理之裝置。尤其，非常適用於光阻被覆膜硬化之情形。具體而言，基板處理裝置1係適合應用於依序對基板W實施臭氧氣體處理以及臭氧氣體處理後的SPM處理。

基板處理裝置1係具備索引區(indexer block)3、處理區5、搬運區7、處理液供給區9、臭氧氣體供給單元11以及臭氧氣體分解單元13。

索引區3係在索引區3與搬運區7之間接取並傳遞屬於處理對象的基板W。搬運區7係在索引區3與處理區5之間以及處理區5與處理區5之間進行基板W的搬運。處理區5係具備複數個處理單元15。處理液供給區9係對處理區5供給在處理區5中所使用的各種處理液。臭氧氣體供給單元11係供給在處理區5被利用的臭氧氣體。臭氧氣體分解單元13係取入從處理區5排出的臭氧氣體，將臭氧氣體無害化後再排出。從臭氧氣體分解單元13排出的氣體係例如被排出至無塵室所具備的排氣口。排氣口係例如連通地連接於工廠的排氣設備。

如圖1所示，基板處理裝置1係依序排列地配置有索引區3、處理區5與搬運區7、以及處理液供給區9。

在以下的說明中，將排列有索引區3、處理區5與搬運區7、以及處理液供給區9之方向稱為「前後方向X」(水平方向)。尤其，將從處理區5與搬運區7朝向索引區3之方向稱為「前方XF」，將前方XF的方向相反的方向稱為「後方XB」。將在水平方向處與前後方向X正交之方向稱為「寬度方向Y」。進一步地，從索引區3的正面觀看之情形中適當地將寬度方向Y的一個方向稱為「右方YR」，將右方YR的相反的另一個方向稱為「左方YL」。此外，將垂直的方向稱為「上下方向Z」(高度方向、垂直方向)。此外，簡稱為「側方」或者「橫向方向」等時皆未限定成前後方向X以及寬度方向Y。

索引區3係具備承載器(carrier)載置部17以及索引機器人(indexer robot)IR。本實施例中的基板處理裝置1係具備例如四個承載器載置部17。具體而言，以於寬度方向Y排列成一排之方式具備四個承載器載置部17。各個承載器載置部17係載置有承載器C。承載器C係用以層疊並收容複數片(例如二十五片)基板W；各個承載器載置部17係例如在承載器載置部17與未圖示的OHT(Overhead Hosit Transport；懸吊式輸送裝置，亦被稱為天花板行進無人搬運工具)之間進行承載器C的接取以及傳遞。OHT係利用無塵室的天花板來搬運承載器C。作為承載器C，能例舉例如FOUP(Front Opening Unified Pod；前開式晶圓傳送盒)。

索引區3係於承載器載置部17的後方XB配置有索引機器人IR。索引機器人IR係在索引機器人IR與承載器C之間接取並傳遞基板W，且在索引機器人IR與路徑(path)部19之間接取並傳遞基板W。路徑部19係在前後方向X處配置於索引區3與搬運區7之間。僅一台索引機器人IR配置於索引區3。索引機器人IR的位置係被固定地裝設，以使索引機器人IR的基部不會在寬度方向Y處移動。索引機器人IR係例如具備能夠於上下方向Z升降的多關節臂。索引機器人IR係構成為能夠對路徑部19以及四個承載器C進行存取(access)。

路徑部19係於支撐台上具備複數根支撐銷(例如三根)。路徑部19係以水平姿勢抵接並支撐基板W。路徑部19係供索引機器人IR載置未處理的基板W以及取出處理完畢的基板W。路徑部19係供搬運區7的中心機器人(center robot)CR取出未處理的基板W以及載置處理完畢的基板W。路徑部19係於上下方向Z構成為多級。因此，路徑部19係同時載置複數片基板W。

搬運區7係具備一台中心機器人CR。中心機器人CR係構成為能夠於前後方向X移動且能夠於上下方向Z升降。此外，中心機器人CR係構成為能夠以上下方向Z作為軸而於水平面內迴旋。中心機器人CR係構成為能在中心機器人CR與以中心機器人CR的位置作為基準配置於寬度方向Y中的右方YR以及左方YL的處理區5之間接取並傳遞基板W。中心機器人CR係能經由路徑部19在中心機器人CR與索引機器人IR之間接取並傳遞基板W。

處理區5係夾著搬運區7分別配置於寬度方向Y的右方YR以及左方YL。在此，將俯視觀看時處理區5中之配置於前方XF且左方YL的上下方向Z之構造稱為塔TW1。同樣地，將配置於後方XB且左方YL的上下方向Z之構造稱為塔TW2。再者，將配置於前方XF且右方YR的上下方向Z之構造稱為塔TW3。此外，將配置於後方XB且右方YR的上下方向Z之構造稱為塔TW4。

處理區5中的塔TW1、TW3係例如將四個處理單元15層疊地配置於上下方向Z從而所構成。塔TW1、TW3係例如具備臭氧氣體烘烤單元21(在圖2中亦記載成O ₃烘烤)作為處理單元15。臭氧氣體烘烤單元21係一邊以預定的溫度加熱基板W一邊供給臭氧氣體並對基板W進行處理。此種構造的詳細說明係容後述。臭氧氣體烘烤單元21係在結束臭氧氣體所為的處理後冷卻基板W。被冷卻的基板W係被中心機器人CR搬運至塔TW2、TW4的處理單元15。

處理區5中的塔TW2、TW4係例如將三個處理單元15層疊地配置於上下方向Z從而所構成。塔TW2、TW4係例如具備SPM單元23(在圖3中亦記載成HT SPM)作為處理單元15。SPM單元23係將已經加熱至預定溫度的SPM供給至基板W並進行處理。該SPM為屬於硫酸與過氧化氫水的混合液之SPM。被臭氧氣體烘烤單元21處理過的基板W係被中心機器人CR搬運至SPM單元23。已在SPM單元23中處理過的基板W係藉由純水去除SPM後，被中心機器人CR搬運至路徑部19。

此外，SPM單元23係相當於本發明中的「處理液腔室」，中心機器人CR係相當於本發明中的「搬運機構」。

如圖4所示，於基板處理裝置1附加地設置有兩台臭氧氣體供給單元11以及兩台臭氧氣體分解單元13。臭氧氣體供給單元11係一邊生成在臭氧氣體烘烤單元21中使用於處理之處理濃度的臭氧一邊供給臭氧。臭氧氣體供給單元11係在例如從未生成臭氧氣體之停止狀態起將目標濃度作為處理濃度並使裝置開始動作之情形中，從臭氧氣體供給單元11所供給的臭氧氣體的濃度係例如成為圖5所示的變化。此外，圖5係顯示臭氧氣體供給單元11中的臭氧氣體濃度的變化之圖表。

如此，可知臭氧氣體供給單元11存在下述特性：當啟動裝置後若未經過將近兩分鐘，則不會到達至處理濃度。從一個臭氧氣體供給單元11對上面所說明的塔TW1的四個臭氧氣體烘烤單元21供給處理濃度的臭氧氣體。此外，亦從一個臭氧氣體供給單元11對塔TW3的四個臭氧氣體烘烤單元21供給處理濃度的臭氧氣體。

臭氧氣體分解單元13係取入從臭氧氣體烘烤單元21排出且包含臭氧氣體的氣體，並對臭氧氣體進行無害化處理。經過無害化處理的氣體係例如被排氣至無塵室所具備的排氣口。兩台臭氧氣體分解單元13中的一台臭氧氣體分解單元13係例如處理來自塔TW1的四個臭氧氣體烘烤單元21的排氣。剩餘的一台臭氧氣體分解單元13係例如處理來自塔TW3的四個臭氧氣體烘烤單元21的排氣。

此外，臭氧氣體供給單元11係相當於本發明中的「臭氧氣體供給源」。

在此，參照圖6。此外，圖6係顯示臭氧氣體烘烤單元21以及氣體的供給系統與排氣系統之圖。雖然在以下的說明中以塔TW1的臭氧氣體烘烤單元21作為例子進行說明，然而塔TW3的臭氧氣體烘烤單元21亦為同樣的構成。

用以構成塔TW1之各個臭氧氣體烘烤單元21係具備腔室32，腔室32係具備下部蓋子 25、上部蓋子27、熱處理板29以及升降機構31。升降機構31係具備：連接部，係與上部蓋子27連結；以及馬達，係移動連接部。下部蓋子25係配置於上下方向Z中的下方。下部蓋子25為框體，於上方具有開口部。上部蓋子27為框體，於下方具有開口部。下部蓋子25係具備熱處理板29。熱處理板29係抵接並支撐基板W。熱處理板29係將基板W加熱至預定溫度。上部蓋子27係下降並抵接至下部蓋子25。上部蓋子27的開口部與下部蓋子25的開口部係成為略相同形狀；上部蓋子27與下部蓋子25係藉由升降機構31而能夠接合以及分離；上部蓋子27與下部蓋子25接合，藉此上部蓋子27與下部蓋子25係於內部形成封閉空間。包含熱處理板29之該封閉空間係成為用以處理基板W之處理空間。上部蓋子27係藉由升降機構31相對於下部蓋子25升降。升降機構31係在對基板W進行處理之處理時，使上部蓋子27下降至下部蓋子25。另一方面，升降機構31係在升降機構31與處理空間之間接取並傳遞基板W且未進行處理之非處理時，使上部蓋子27上升至下部蓋子25的上方。

塔TW1係具備一個排氣主管33。排氣主管33係配置於塔TW1的最下層至最上層。排氣主管33的下部係連通地連接於臭氧氣體分解單元13。塔TW1係具備一個供給配管35。供給配管35亦配置於塔TW1中的最下層至最上層。供給配管35的一端側係連通地連接於臭氧氣體供給單元11。從臭氧氣體供給單元11對供給配管35供給處理濃度的臭氧氣體。

此外，熱處理板29係相當於本發明中的「保持機構」。

在此，參照圖7。此外，圖7係用以說明臭氧氣體所為的非處理時之圖。

臭氧氣體供給單元11係具備生成配管41、質量流量控制器(mass flow controller)43、臭氧氣體生成器45、過濾器47、自動壓力調整器49以及控制閥51。

生成配管41的一端側係例如連通地連接於屬於無塵室所具備的公用設施(utility)之一的氧供給源(未圖示)。生成配管41的另一端側係連通地連接於供給配管35。從氧供給源側朝向供給配管35側於生成配管41依序地安裝有質量流量控制器43、臭氧氣體生成器45、過濾器47、自動壓力調整器49以及控制閥51。

質量流量控制器43係將供給至生成配管41之氧的流量控制成預定流量。臭氧氣體生成器45係例如將四個臭氧氣體生成模組並列地配置從而所構成。各個臭氧氣體生成模組係從氧生成臭氧氣體。在臭氧氣體生成器45中所生成的臭氧氣體係被過濾器47去除微粒等。已通過過濾器47的臭氧氣體係被自動壓力調整器49調整成預定的第一壓力P1(例如200kPa)。控制閥51係針對被調整成第一壓力P1的臭氧氣體控制朝向供給配管35的流通。

上面所說明的臭氧氣體供給單元11係能以最大為100公升／分鐘的流量供給臭氧氣體。由於上面所說明的自動壓力調整器49的調整壓力係被設定成第一壓力P1，因此以生成配管41的最下游部(與供給配管35連通地連接之連通連接部)中的壓力成為第一壓力P1(在實施例中例如為200kPa)之方式進行調整。此外，供給配管35中的臭氧氣體的流量係因應臭氧氣體供給單元11的性能而成為最大的第一流量F1(例如100公升／分鐘)。

返回圖6。連通地連接於臭氧氣體供給單元11的生成配管41的另一端側之供給配管35係分支至各個臭氧氣體烘烤單元21。流通配管53係連通地連接於臭氧氣體烘烤單元21，流通配管53係設置成從供給配管35分支至各個腔室32。具體而言，流通配管53的一端側係連通地連接於供給配管35，流通配管53的另一端側係連通地連接於各個腔室32。詳細而言，流通配管53的另一端側係安裝於上部蓋子27，且連通地連接於腔室32內所形成的處理空間。

流通配管53係從供給配管35朝向腔室32依序設置有控制閥55、質量流量控制器57以及過濾器59。控制閥55係控制臭氧氣體從供給配管35朝向腔室32的流通。質量流量控制器57係控制臭氧氣體於流通配管53流通並被供給至腔室32的流量。過濾器59係去除正在流通配管53流通的臭氧氣體所含有的微粒等。

例如，質量流量控制器57係設定成臭氧氣體的流量最大為20公升／分鐘，並設定成10公升／分鐘作為處理流量。

於流通配管53設置有第一分支點61以及第二分支點63。第一分支點61係設置於流通配管53中之腔室32與過濾器59之間。換言之，第一分支點61係設置於流通配管53中之比過濾器59還要腔室32側。第二分支點63係設置於流通配管53中之過濾器59與質量流量控制器57以及控制閥55之間。

惰性氣體供給配管65的一端側係連通地連接於第一分支點61。惰性氣體供給配管65的另一端側係例如連通地連接於屬於無塵室的公用設施之一的氮氣體供給源。惰性氣體供給配管65係從氮氣體供給源側朝向第一分支點61依序地安裝有質量流量控制器67、控制閥69以及過濾器71。質量流量控制器67係調整被供給至惰性氣體供給配管65之氮氣體的流量。控制閥69係控制惰性氣體供給配管65中的氮氣體的流通。過濾器71係去除於惰性氣體供給配管65流通的氮氣體所含有的微粒等。此外，惰性氣體供給配管65係較佳為例如於控制閥69與質量流量控制器67之間具備止回閥，俾使臭氧氣體不會從流通配管53流入。

此外，流通配管53係相當於本發明中的「第一配管」，控制閥55係相當於本發明中的「第一控制閥」，過濾器59係相當於本發明中的「第一過濾器」。此外，惰性氣體供給配管65係相當於本發明中的「第二配管」，控制閥69係相當於本發明中的「第二控制閥」，過濾器71係相當於本發明中的「第二過濾器」。

吸引配管73的一端側係連通地連接於第二分支點63。吸引配管73的另一端側係連通地連接於真空抽氣器75的吸入口。真空抽氣器75的排出口係連通地連接於排氣主管33。真空抽氣器75係當供給口被供給有壓縮空氣時形成有從吸入口朝向排出口之氣體的流動。吸引配管73係具備用以控制所吸引的氣體的流通之控制閥74。

此外，控制閥74係相當於本發明中的「吸引控制閥」。

上面所說明的吸引配管73的吸引係例如以下述方式進行。

從流通配管53對腔室32供給臭氧氣體後，進行以氮氣體置換臭氧氣體之處理。此時，從惰性氣體供給配管65對第一分支點61供給氮氣體。此時，進行吸引配管73所為的吸引。藉此，能控制成殘留於過濾器59以及質量流量控制器57內的臭氧氣體不會被氮氣體的流動吸入至腔室32。因此，能縮短氮氣體置換臭氧氣體所需的時間。此外，能防止會有在包含機械性動作的質量流量控制器57以及控制閥55產生的疑慮的微粒被吸入至氮氣體的流動並流入至腔室32。

真空抽氣器75係比真空泵等還小型且便宜。因此，能對基板處理裝置1的小型化具有貢獻，且亦能抑制成本的上升。

排氣管77的一端側係連通地連接於腔室32。真空抽氣器79的吸入口係連通地連接於排氣管77的另一端側。真空抽氣器79的排出口係連通地連接於排氣主管33。第一驅動管81的一端側係連通地連接於供給口，該供給口係用以對真空抽氣器79供給壓縮空氣並形成從真空抽氣器79的吸入口朝向排出口的排氣流動。於第一驅動管81的另一端側係連通地連接有例如屬於無塵室的公用設施之一的壓縮空氣源。

第一驅動管81係從壓縮空氣源朝向真空抽氣器79側依序地設置有流量調整閥83以及開閉閥85。流量調整閥83係調整壓縮空氣的流量，俾使壓縮空氣以第一流量Fa於第一驅動管81流通。開閉閥85係控制被設定成第一流量Fa的壓縮空氣於第一驅動管81中的流通。於第一驅動管81中之比流量調整閥83還上游的部位與第一驅動管81中的開閉閥85以及真空抽氣器79之間的部位連通地連接有第二驅動管87的兩端部。第二驅動管87係從壓縮空氣源側朝向真空抽氣器79側依序地設置有流量調整閥89以及開閉閥91。流量調整閥89係調整壓縮空氣的流量，俾使壓縮空氣以第二流量Fb於第二驅動管87流通。開閉閥91係控制被設定成第二流量Fb的壓縮空氣於第二驅動管87中的流通。第二流量Fb係以變得比第一流量Fa還小之方式被流量調整閥83、89設定。

排氣管77係具備開閉閥93。排氣管77係於開閉閥93與腔室32之間連通地連接有吹淨管94的一端側。吹淨管94的另一端側係連通地連接於排氣主管33。吹淨管94係具備開閉閥95。開閉閥95係控制吹淨管94中的氣體的流通。

上面所說明的排氣管77所為的排氣係以下述方式進行。

當開閉閥85、89、93、95中僅開閉閥93、85開放時，真空抽氣器79係以第一流量Fa動作。藉此，腔室32內的氣體係經由排氣管77被強力地吸出從而進行強排氣。當僅開閉閥91、93開放時，真空抽氣器79係以第二流量Fb(小於第一流量Fa)動作。藉此，腔室32內的氣體係經由排氣管77被微弱地吸出從而進行弱排氣。在從惰性氣體供給配管65對腔室32供給氮氣體之情形中，當僅開放開閉閥95時，腔室32內的氣體係經由排氣管77以及吹淨管94僅被氮氣體推出。

供給配管35係具備輔助配管97。輔助配管97的一端側係連通地連接於供給配管35。輔助配管97的另一端側係連通地連接於排氣主管33。輔助配管97係從供給配管35朝向排氣主管33具備有自動壓力調整器99以及控制閥101。自動壓力調整器99係將從供給配管35分支的輔助配管97中的臭氧氣體的壓力調整成預定的第二壓力P2(例如100kPa)。在此，供給配管35中的臭氧氣體的流量為第一流量F1；將供給配管35中之於比輔助配管97還要各個腔室32側流動的臭氧氣體設定成第二流量F2。在此種情形中，當將第一流量F1與第二流量F2之間的差值的流量定義成ΔF時，輔助配管97係流通有差值的流量ΔF。

各個臭氧氣體烘烤單元21係具備：外部排氣管103，為腔室32的外部，用以排出各個臭氧氣體烘烤單元21內的氣體。外部排氣管103係將腔室32以及上面所說明的各種配管與閥等之周圍的氣體排氣至例如無塵室所具備的排氣口。

如圖4所示，基板處理裝置1係具備控制部111。控制部111係具備CPU(Central Processing Unit；中央處理單元)以及記憶體。控制部111係藉由操作人員操作控制台(control  console)(未圖示)從而基於操作人員的操作統括地控制各部的動作。具體而言，控制部111係控制索引區3中的索引機器人IR的搬運控制、搬運區7中的中心機器人CR的搬運控制、處理區5中的各個處理單元15的處理控制、處理液供給區9中的各種處理液的送出控制以及臭氧氣體供給單元11與臭氧氣體分解單元13的動作控制。

控制部111係針對臭氧氣體的流量例如以下述方式進行各部的操作。此外，臭氧氣體供給單元11已經動作，處於能供給處理濃度的臭氧氣體的狀態，且控制閥51已經開放。上面所說明的控制部111係與各個質量流量控制器57以及控制閥55所為的流量連動地調整自動壓力調整器99以及控制閥101所為的臭氧氣體的流量，俾使以下所說明的流量的差值ΔF侷限在預定值內。

如圖7所示，在腔室32中不進行臭氧氣體所為的處理之非處理時，使各個控制閥55封閉並使控制閥101開放。藉此，臭氧氣體係不會從供給配管35朝向各個腔室32被供給。從臭氧氣體供給單元11被供給至供給配管35的臭氧氣體係經由輔助配管97被排出至排氣主管33。在此種狀態下，臭氧氣體供給單元11的生成配管41中的臭氧氣體的壓力為第一壓力P1(等於200kPa)，輔助配管97中的臭氧氣體的壓力為第二壓力P2(等於100kPa)。此外，針對流量，例如生成配管41中的第一流量F1為100公升／分鐘，供給配管35中的第二流量F2為0公升／分鐘。因此，屬於第一流量F1與第二流量F2之間的差值之流量的差值ΔF係變成100公升／分鐘。

在此，參照圖8。此外，圖8係用以說明臭氧氣體所為的處理時之圖。

在腔室32中進行臭氧氣體所為的處理之處理時，具體而言在對四個腔室32中的至少一個腔室32供給臭氧氣體並在該腔室32中進行臭氧氣體所為的處理之處理時，使用以進行處理之腔室32的控制閥55開放。此時，雖然控制閥101係開放，然而流量已經被調整。

例如，在全部的四個腔室32中進行臭氧氣體所為的處理之情形中，因應各個腔室32中的處理的需要量以最大為20公升／分鐘的流量供給臭氧氣體。因此，第二流量F2係最大成為80公升／分鐘。由於第一流量F1為100公升／分鐘，因此流量的差值ΔF係變成最小為20公升／分鐘。如此，以流量的差值ΔF成為預定值內之方式來控制自動壓力調整器99以及控制閥101。因此，由於能以第二流量F2不會超過第一流量F1之方式於臭氧氣體供給單元11之側殘留預定值分量的餘裕，因此能穩定地進行朝向各個腔室32供給臭氧氣體。此外，反之，藉由自動壓力調整器99以及控制閥101調整流量的差值ΔF，藉此能增減第二流量F2。結果，能針對全部的四個腔室32總括地改變臭氧氣體的流量。藉此，比起操作各個腔室32中的質量流量控制器57，能簡化流量的控制。

接著，參照圖9說明上面所說明的基板處理裝置1中的處理。圖9係顯示動作的一例之流程圖。此外，在以下的說明中僅詳細地說明臭氧氣體處理以及SPM處理的部分，針對其他的動作則簡略或者省略。此外，為了容易地理解本發明，僅說明一片基板W的流程。

[步驟S1] 操作人員係啟動基板處理裝置1。再者，與此動作連動地亦啟動臭氧氣體供給單元11以及臭氧氣體分解單元13。藉此，在控制部111的控制下，臭氧氣體供給單元11開始生成成為處理濃度的臭氧氣體。如圖5所示，為了生成處理濃度的臭氧氣體需要約兩分鐘左右。

[步驟S2] 控制部111係監視是否已經經過直至藉由臭氧氣體供給單元11生成處理濃度的臭氧氣體為止的預定時間，並在已經經過預定時間的時間點移行至接下來的步驟S3。此外，即使在臭氧氣體的濃度到達至處理濃度之前，亦與圖7所示的臭氧氣體所為的非處理時相同般，所生成的臭氧氣體係全部經由輔助配管97以及排氣主管33被排氣。

[步驟S3] 操作人員係以控制台(未圖示)來指示開始處理。

[步驟S4] 被收容於承載器C之處理對象的基板W係經由索引區3被搬運至路徑部19，並被中心機器人CR搬入至臭氧氣體烘烤單元21。此外，在接下來的步驟S5中基板W被搬入至腔室32之處理前，控制部111係操作控制閥69以及質量流量控制器67對腔室32供給氮氣體。再者，控制部111係藉由流量調整閥59以及開閉閥91使真空抽氣器79動作。藉此，腔室32內被弱排氣，藉由惰性氣體將處理空間保持成潔淨的狀態。

[步驟S5] 當基板W被收容至腔室32時，控制部111係藉由升降機構31使上部蓋子27移動至下部蓋子25。藉此，腔室32係被密閉。此時，控制部111係操作流量調整閥89以及開閉閥91使第二驅動管87所為的真空抽氣器79的動作停止。再者，控制部111係藉由流量調整閥83以及開閉閥85使真空抽氣器79動作。此外，真空抽氣器79的吸入口的流量係比從惰性氣體供給配管65所供給的氮氣體的流量還大。藉此，由於腔室32內被強排氣，因此處理空間係成為負壓。因此，上部蓋子27係強力地密著於下部蓋子25，腔室32係相對於周圍完全地被密閉。

之後，控制部111係待機至被載置於熱處理板29的基板W的溫度上升至預定溫度(例如100℃至300℃)為止。當基板W的溫度到達至預定溫度時，控制部111係開始臭氧氣體所為的處理。

具體而言，控制部111係操作質量流量控制器57以及控制閥55，俾使以所需的流量對腔室32供給處理濃度的臭氧氣體。再者，藉此對載置有基板W的處理空間供給處理濃度的臭氧氣體。正在供給臭氧氣體的狀態係成為圖10中以箭頭虛線所示的狀態。

此時，控制部111係操作流量調整閥83以及開閉閥85停止強排氣。再者，控制部111係操作流量調整閥89以及開閉閥91切換成弱排氣。藉此，由於處理濃度的臭氧氣體滯留於處理空間，因此能充分地進行臭氧氣體所為的處理。當經過預定的臭氧氣體的處理時間時，控制部111係操作質量流量控制器57以及控制閥55停止朝向腔室32供給臭氧氣體。

接著，控制部111係以氮氣體置換腔室32內的臭氧氣體。具體而言，控制部111係操作控制閥69以及質量流量控制器67，從圖6中的惰性氣體供給配管65將氮氣體供給至腔室32。正在供給氮氣體的狀態係成為圖11中以虛線箭頭所示的狀態。

此外，控制部111係使真空抽氣器75作動並使控制閥74開放，進行吸引配管73所為的第二分支點63的吸引。第二分支點63正在被吸引的狀態係成為圖11中以附箭頭的二點鏈線所示的狀態。再者，控制部111係操作流量調整閥89以及開閉閥91停止弱排氣。與此同時，控制部111係操作流量調整閥83以及開閉閥85設定成強排氣。由於將腔室32內設定成強排氣，因此處理空間的臭氧氣體有效率地被置換成氮氣體。因此，能縮短置換所需的時間。此時，如圖11中以附箭頭的二點鏈線所示，由於同時進行第二分支點63的吸引，因此能防止殘留於過濾器59的臭氧混入至處理空間。因此，能提升氮氣體所為的置換效率。再者，由於第二分支點63設置於過濾器59與質量流量控制器57以及控制閥55之間，因此能防止容易在質量流量控制器57以及控制閥55產生的微粒流入至處理空間。因此，能潔淨地處理基板W。

此外，吸引配管73的吸引係以不會妨礙經由第一分支點61被供給至腔室32的氮氣體的供給之吸引力來進行。因此，能確實地進行以氮氣體來置換腔室32內的臭氧氣體。

當結束氮氣體所為的置換時，控制部111係操作流量調整閥83以及開閉閥85使強排氣停止。控制部111係使開閉閥95開放。藉此，惰性氣體係經由吹淨管94僅以供給壓力排出。此時，由於腔室32成為正壓，因此升降機構31所為的上部蓋子27的上升動作係順暢地進行。控制部111係在上部蓋子27上升後使開閉閥95封閉，並操作流量調整閥89以及開閉閥91設定成弱排氣。藉此，以惰性氣體將處理空間保持潔淨。控制部111係使基板W移動至未圖示的冷卻單元，從而將基板W返回至常溫。

[步驟S6] 控制部111係操作中心機器人CR從臭氧氣體烘烤單元21取出基板W，並將基板W搬運至SPM單元23。

[步驟S7] 控制部111係一邊設定成已使基板W加熱之狀態一邊對基板W的表面供給SPM。藉此，藉由SPM去除基板W的表面的光阻被覆膜。此時，由於藉由臭氧氣體所為的前處理將光阻被覆膜的表面進行某種程度的灰化，因此即使光阻被覆膜的表面硬化亦能藉由少量的SPM容易地去除光阻被覆膜。控制部111係在結束SPM所為的基板W的處理後進行純水所為的洗淨處理以及乾燥處理。

[步驟S8] 控制部111係操作中心機器人CR將基板W搬運至路徑部19，並操作索引機器人IR進行用以將基板W返回至承載器C之搬出。藉由此種一連串的動作對基板W進行光阻被覆膜的去除處理。

依據本實施例，控制部111係在開放控制閥55且封閉控制閥69的狀態下對腔室32內供給臭氧氣體並處理基板W後，封閉控制閥55且開放控制閥69，在對腔室32內供給氮氣體時使吸引配管73進行吸引。因此，殘留有臭氧氣體的過濾器59、質量流量控制器57以及控制閥55係經由吸引配管73被吸引。因此，在流通配管53中不會產生氣體從第二分支點63朝向腔室32側之流動。結果，由於能防止在腔室32側臭氧氣體混入至氮氣體，因此能短時間地完成臭氧氣體的置換，且亦能防止微粒導致污染。

本發明並未限定於上述實施形態，能以下述方式變化實施。

(1)在上述實施例中，已以具備四個腔室32且具備四條流通配管53的基板處理裝置1作為例子進行說明。然而，本發明並無須一定要構成複數個腔室32與複數條流通配管53。亦即，本發明亦能應用於具備一個腔室32以及一個流通配管53的基板處理裝置1。

(2)在上述實施例中，採用氮氣體作為惰性氣體。然而，本發明並未限定成氮氣體作為惰性氣體，例如亦能應用於氬氣體。

(3)在上述實施例中，採用藉由真空抽氣器75對吸引配管73進行吸引之構成。然而，本發明並未限定於此種構成。例如，亦可構成為藉由真空泵等吸引單元對吸引配管73進行吸引。

(4)在上述實施例中，雖然基板處理裝置1具備臭氧氣體分解單元13，然而本發明並不一定需要臭氧氣體分解單元13。

(5)在上述實施例中，雖然基板處理裝置1具備SPM單元23，然而本發明不一定需要SPM單元23。例如，亦可構成為藉由其他的裝置所具備的SPM單元23來處理已經藉由臭氧氣體烘烤單元21處理過的基板W。

(6)在上述實施例中，採用下述構成：基板處理裝置1具備索引區3、搬運區7、承載器載置部17以及路徑部19等，連續地搬運複數片基板W且有效率地進行處理；然而本發明並未限定於此種構成。亦即，本發明亦能應用於未具備搬運系統等而是具備用以進行處理濃度的臭氧氣體所為的處理之構成的基板處理裝置。

[實施例二] 接著，參照圖式說明本發明的實施例二。

針對與上述實施例一共通的構成附上相同的元件符號並省略詳細的說明。

如圖5所示，臭氧氣體供給單元11係具有下述特性：當啟動裝置後若未經過將近兩分鐘，則不會到達至目標的預定的濃度。從臭氧氣體供給單元11對上面所說明的供給配管35供給預定的處理濃度的臭氧氣體。

此外，與本發明的方案七至方案十一中的各個構成之間的對應關係為如下所述。

SPM單元23係相當於「處理液腔室」，中心機器人CR係相當於「搬運機構」。臭氧氣體供給單元11係相當於「臭氧氣體供給源」。熱處理板29係相當於「保持機構」。自動壓力調整器49係相當於「第一壓力調整機構」，控制閥55係相當於「控制閥」，控制閥51係相當於「第一開閉閥」。控制閥101係相當於「排氣閥」，自動壓力調整器99係相當於「第二壓力調整機構」，控制閥101係相當於「第二開閉閥」。

接著，參照圖9說明實施例二中的處理。

[步驟S1] 操作人員係啟動基板處理裝置1。再者，與此動作連動地亦啟動臭氧氣體供給單元11以及臭氧氣體分解單元13。藉此，在控制部111的控制下，臭氧氣體供給單元11開始生成成為處理濃度的臭氧氣體。如圖5所示，為了生成處理濃度的臭氧氣體需要約兩分鐘左右。

[步驟S2] 控制部111係監視是否已經經過直至藉由臭氧氣體供給單元11生成處理濃度的臭氧氣體為止的預定時間，並在已經經過預定時間的時間點移行至接下來的步驟S3。此外，即使在臭氧氣體的濃度到達至處理濃度之前，亦與圖7所示的臭氧氣體所為的非處理時相同般，所生成的臭氧氣體係全部經由輔助配管97以及排氣主管33被排氣。

[步驟S3] 操作人員係以控制台(未圖示)來指示開始處理。

[步驟S4] 被收容於承載器C之處理對象的基板W係經由索引區3被搬運至路徑部19，並被中心機器人CR搬入至臭氧氣體烘烤單元21。此外，在接下來的步驟S5中基板W被搬入至腔室32之處理前，控制部111係操作控制閥69以及質量流量控制器67對腔室32供給氮氣體。再者，控制部111係藉由流量調整閥89以及開閉閥91使真空抽氣器79動作。藉此，腔室32內被弱排氣，藉由惰性氣體將處理空間保持成潔淨的狀態。

[步驟S5] 當基板W被收容至腔室32時，控制部111係藉由升降機構31使上部蓋子27移動至下部蓋子25。藉此，腔室32係被密閉。此時，控制部111係操作流量調整閥89以及開閉閥91使第二驅動管87所為的真空抽氣器79的動作停止。再者，控制部111係藉由流量調整閥83以及開閉閥85使真空抽氣器79動作。此外，真空抽氣器79的吸入口的流量係比從惰性氣體供給配管65所供給的氮氣體的流量還大。藉此，由於腔室32內被強排氣，因此處理空間係成為負壓。因此，上部蓋子27係強力地密著於下部蓋子25，腔室32係相對於周圍完全地被密閉。

之後，控制部111係待機至被載置於熱處理板29的基板W的溫度上升至預定溫度(例如100℃至300℃)為止。當基板W的溫度到達至預定溫度時，控制部111係開始臭氧氣體所為的處理。

具體而言，控制部111係操作質量流量控制器57以及控制閥55，俾使以所需的流量對腔室32供給處理濃度的臭氧氣體。再者，藉此對載置有基板W的處理空間供給處理濃度的臭氧氣體。此時，控制部111係操作流量調整閥83以及開閉閥85停止強排氣。再者，控制部111係操作流量調整閥89以及開閉閥91切換成弱排氣。藉此，由於處理濃度的臭氧氣體滯留於處理空間，因此能充分地進行臭氧氣體所為的處理。當經過預定的臭氧氣體的處理時間時，控制部111係操作質量流量控制器57以及控制閥55停止朝向腔室32供給臭氧氣體。

接著，控制部111係以氮氣體置換腔室32內的臭氧氣體。具體而言，控制部111係操作控制閥69以及質量流量控制器67，從圖6中的惰性氣體供給配管65將氮氣體供給至腔室32。此外，控制部111係使真空抽氣器75作動並使控制閥74開放，進行吸引配管73所為的第二分支點63的吸引。再者，控制部111係操作流量調整閥89以及開閉閥91停止弱排氣。與此同時，控制部111係操作流量調整閥83以及開閉閥85設定成強排氣。由於將腔室32內設定成強排氣，因此處理空間的臭氧氣體有效率地被置換成氮氣體。因此，能縮短置換所需的時間。此時，由於同時進行第二分支點63的吸引，因此能防止殘留於過濾器59的臭氧混入至處理空間。因此，能提升氮氣體所為的置換效率。再者，由於第二分支點63設置於過濾器59與質量流量控制器57以及控制閥55之間，因此能防止容易在質量流量控制器57以及控制閥55產生的微粒流入至處理空間。因此，能潔淨地處理基板W。

當結束氮氣體所為的置換時，控制部111係操作流量調整閥83以及開閉閥85使強排氣停止。控制部111係使開閉閥95開放。藉此，惰性氣體係經由吹淨管94僅以供給壓力排出。此時，由於腔室32成為正壓，因此升降機構31所為的上部蓋子27的上升動作係順暢地進行。控制部111係在上部蓋子27上升後使開閉閥95封閉，並操作流量調整閥89以及開閉閥91設定成弱排氣。藉此，以惰性氣體將處理空間保持潔淨。控制部111係使基板W移動至未圖示的冷卻單元，從而將基板W返回至常溫。

[步驟S6] 控制部111係操作中心機器人CR從臭氧氣體烘烤單元21取出基板W，並將基板W搬運至SPM單元23。

[步驟S7] 控制部111係一邊設定成已使基板W加熱之狀態一邊對基板W的表面供給SPM。藉此，藉由SPM去除基板W的表面的光阻被覆膜。此時，由於藉由臭氧氣體所為的前處理將光阻被覆膜的表面進行某種程度的灰化，因此即使光阻被覆膜的表面硬化亦能藉由少量的SPM容易地去除光阻被覆膜。控制部111係在結束SPM所為的基板W的處理後進行純水所為的洗淨處理以及乾燥處理。

[步驟S8] 控制部111係操作中心機器人CR將基板W搬運至路徑部19，並操作索引機器人IR進行用以將基板W返回至承載器C之搬出。藉由此種一連串的動作對基板W進行光阻被覆膜的去除處理。

依據本實施例，由於在臭氧氣體所為的非處理時控制部111係封閉控制閥55且開放控制閥101，因此在臭氧氣體供給單元11所生成的處理濃度的臭氧氣體係不會被供給至腔室32而是從輔助配管97被排出至排出主管33。由於在臭氧氣體所為的處理時控制部111係一邊調整控制閥101所為的流量一邊使控制閥55開放，因此從常態地生成處理濃度的臭氧氣體之臭氧氣體供給單元11經由流通配管53對被腔室32內的熱處理板29保持的基板W供給臭氧氣體。因此，由於不會於臭氧氣體所為的處理產生等待時間，因此能縮短臭氧氣體所為的處理時間，從而能提升處理量。

本發明並未限定於上述實施形態，能以下述方式變化實施。

(1)在上述實施例中，已以具備四個腔室32且具備四條流通配管53的基板處理裝置1作為例子進行說明。然而，本發明並無須一定要構成複數個腔室32與複數條流通配管53。亦即，本發明亦能應用於具備一個腔室32以及一個流通配管53的基板處理裝置1。

(2)在上述實施例中，與各個控制閥55以及各個質量流量控制器57所為的流量連動地調整控制閥101所為的流量，俾使第一流量F1與第二流量F2之間的流量的差值ΔF侷限在預定值內。然而，本發明並不一定需要此種於臭氧氣體供給單元11側殘留供給預定值分量的臭氧氣體之餘裕。因此，亦可構成為將臭氧氣體供給單元11的最大的供給量供給至全部的腔室32。

(3)在上述實施例中，臭氧氣體供給單元11係具備自動壓力調整器49，輔助配管97係具備自動壓力調整器99，然而本發明並不一定需要此種構成。亦即，當具備這些構成時，由於即使為具備複數個腔室32之構成亦能穩定地進行臭氧氣體所為的處理，因此在腔室32為單數之情形，或者在所具備的腔室32的個數為即使與臭氧氣體供給單元11的最大供給量相比合計量大幅度地還少之供給量亦無妨的程度的數量之情形中，則無需具備此種構成。

(4)在上述實施例中，雖然基板處理裝置1具備臭氧氣體分解單元13，然而本發明並不一定需要臭氧氣體分解單元13。

(5)在上述實施例中，雖然基板處理裝置1具備SPM單元23，然而本發明不一定需要SPM單元23。例如，亦可構成為藉由其他的裝置所具備的SPM單元23來處理已經藉由臭氧氣體烘烤單元21處理過的基板W。

(6)在上述實施例中，採用下述構成：基板處理裝置1具備索引區3、搬運區7、承載器載置部17以及路徑部19等，連續地搬運複數片基板W且有效率地進行處理；然而本發明並未限定於此種構成。亦即，本發明亦能應用於未具備搬運系統等而是具備用以進行處理濃度的臭氧氣體所為的處理之構成的基板處理裝置。

[實施例三] 接著，參照圖式說明本發明的實施例三。

針對與上述實施例一共通的構成附上相同的元件符號並省略詳細的說明。

此外，與本發明的方案十二至方案十六中的各個構成之間的對應關係為如下所述。

SPM單元23係相當於「處理液腔室」，中心機器人CR係相當於「搬運機構」。臭氧氣體供給單元11係相當於「臭氧氣體供給源」。熱處理板29係相當於「保持機構」，下部蓋子25係相當於「上部蓋構件」，上部蓋子27係相當於「下部蓋構件」。供給配管53係相當於「第一配管」，控制閥55係相當於「第一控制閥」，惰性氣體供給管65係相當於「第二配管」，開閉閥69以及質量流量控制器67係相當於「第三控制閥」。吸引配管73係相當於「輔助排氣管」，控制閥74係相當於「第四控制閥」。排氣管77係相當於「排氣配管」。

開閉閥93係相當於「第二控制閥」，流量調整閥83、開閉閥85以及真空抽氣器79係相當於「第一排氣單元」，流量調整閥89、開閉閥91以及真空抽氣器79係相當於「第二排氣單元」，流量調整閥83、89、開閉閥85、91以及真空抽氣器79係相當於「排氣機構」。第一流量Fa係相當於「第一排氣流量」，第二流量Fb係相當於「第二排氣流量」。

在此，參照圖9以及圖12至圖17說明實施例三中的處理。圖12係用以說明處理前的弱排氣之示意圖。圖13係用以說明封閉上部蓋子的狀態中的強排氣之示意圖。圖14係用以說明臭氧氣體處理中的弱排氣之示意圖。圖15係用以說明氮氣體所為的置換中的強排氣之示意圖。圖16係用以說明上部蓋子開放時的吹淨之示意圖。圖17係用以說明處理後的弱排氣之示意圖。

[步驟S1] 操作人員係啟動基板處理裝置1。再者，與此動作連動地亦啟動臭氧氣體供給單元11以及臭氧氣體分解單元13。藉此，在控制部111的控制下，臭氧氣體供給單元11開始生成成為處理濃度的臭氧氣體。如圖5所示，為了生成處理濃度的臭氧氣體需要約兩分鐘左右。

[步驟S2] 控制部111係監視是否已經經過直至藉由臭氧氣體供給單元11生成處理濃度的臭氧氣體為止的預定時間，並在已經經過預定時間的時間點移行至接下來的步驟S3。此外，即使在臭氧氣體的濃度到達至處理濃度之前，亦與圖7所示的臭氧氣體所為的非處理時相同般，所生成的臭氧氣體係全部經由輔助配管97以及排氣主管33被排氣。

[步驟S3] 操作人員係以控制台(未圖示)來指示開始處理。

[步驟S4] 被收容於承載器C之處理對象的基板W係經由索引區3被搬運至路徑部19，並被中心機器人CR搬入至臭氧氣體烘烤單元21。此外，在接下來的步驟S5中基板W被搬入至腔室32之處理前，控制部111係操作控制閥69以及質量流量控制器67對腔室32供給氮氣體。再者，如圖12所示般，控制部111係藉由流量調整閥89以及開閉閥91使真空抽氣器79動作。藉此，腔室32內被弱排氣，藉由惰性氣體將處理空間保持成潔淨的狀態。

[步驟S5] 當基板W被收容至腔室32時，控制部111係藉由升降機構31使上部蓋子27移動至下部蓋子25。藉此，腔室32係被密閉。此時，控制部111係操作流量調整閥89以及開閉閥91使第二驅動管87所為的真空抽氣器79的動作停止。再者，如圖13所示，控制部111係藉由流量調整閥83以及開閉閥85使真空抽氣器79動作。此外，真空抽氣器79的吸入口的流量係比從惰性氣體供給配管65所供給的氮氣體的流量還大。藉此，由於腔室32內被強排氣，因此處理空間係成為負壓。因此，上部蓋子27係強力地密著於下部蓋子25，腔室32係相對於周圍完全地被密閉。

之後，控制部111係待機至被載置於熱處理板29的基板W的溫度上升至預定溫度(例如100℃至300℃)為止。當基板W的溫度到達至預定溫度時，控制部111係開始臭氧氣體所為的處理。

具體而言，控制部111係操作質量流量控制器57以及控制閥55，俾使以所需的流量對腔室32供給處理濃度的臭氧氣體。再者，藉此對載置有基板W的處理空間供給處理濃度的臭氧氣體。此時，控制部111係操作流量調整閥83以及開閉閥85停止強排氣。再者，如圖14所示，控制部111係操作流量調整閥89以及開閉閥91切換成弱排氣。藉此，由於處理濃度的臭氧氣體滯留於處理空間，因此能充分地進行臭氧氣體所為的處理。當經過預定的臭氧氣體的處理時間時，控制部111係操作質量流量控制器57以及控制閥55停止朝向腔室32供給臭氧氣體。

接著，控制部111係以氮氣體置換腔室32內的臭氧氣體。具體而言，控制部111係操作控制閥69以及質量流量控制器67，從圖6中的惰性氣體供給配管65將氮氣體供給至腔室32。此外，控制部111係使真空抽氣器75作動並使控制閥74開放，進行吸引配管73所為的第二分支點63的吸引。再者，控制部111係操作流量調整閥89以及開閉閥91停止弱排氣。與此同時，如圖15所示，控制部111係操作流量調整閥83以及開閉閥85設定成強排氣。由於將腔室32內設定成強排氣，因此處理空間的臭氧氣體有效率地被置換成氮氣體。因此，能縮短置換所需的時間。此時，由於同時進行第二分支點63的吸引，因此能防止殘留於過濾器59的臭氧混入至處理空間。因此，能提升氮氣體所為的置換效率。再者，由於第二分支點63設置於過濾器59與質量流量控制器57以及控制閥55之間，因此能防止容易在質量流量控制器57以及控制閥55產生的微粒流入至處理空間。因此，能潔淨地處理基板W。

當結束氮氣體所為的置換時，控制部111係操作流量調整閥83以及開閉閥85使強排氣停止。如圖16所示，控制部111係使開閉閥95開放。藉此，惰性氣體係經由吹淨管94僅以供給壓力排出。此時，由於腔室32成為正壓，因此升降機構31所為的上部蓋子27的上升動作係順暢地進行。控制部111係在上部蓋子27上升後使開閉閥95封閉，並如圖17所示操作流量調整閥89以及開閉閥91設定成弱排氣。藉此，以惰性氣體將處理空間保持潔淨。控制部111係使基板W移動至未圖示的冷卻單元，從而將基板W返回至常溫。

[步驟S6] 控制部111係操作中心機器人CR從臭氧氣體烘烤單元21取出基板W，並將基板W搬運至SPM單元23。

[步驟S7] 控制部111係一邊設定成已使基板W加熱之狀態一邊對基板W的表面供給SPM。藉此，藉由SPM去除基板W的表面的光阻被覆膜。此時，由於藉由臭氧氣體所為的前處理將光阻被覆膜的表面進行某種程度的灰化，因此即使光阻被覆膜的表面硬化亦能藉由少量的SPM容易地去除光阻被覆膜。控制部111係在結束SPM所為的基板W的處理後進行純水所為的洗淨處理以及乾燥處理。

[步驟S8] 控制部111係操作中心機器人CR將基板W搬運至路徑部19，並操作索引機器人IR進行用以將基板W返回至承載器C之搬出。藉由此種一連串的動作對基板W進行光阻被覆膜的去除處理。

依據本實施例，對腔室32供給臭氧氣體並進行臭氧氣體處理之前控制部111係開放開閉閥93並操作流量調整閥83以及開閉閥85使真空抽氣器79動作，將腔室32內強排氣並使上部蓋子27密著於下部蓋子25。控制部111係在操作控制閥55從臭氧氣體供給單元11將臭氧氣體供給至腔室32時，停止強排氣並操作流量調整閥89以及開閉閥91使真空抽氣器79動作，將腔室32內弱排氣。因此，直至供給臭氧氣體為止上部蓋子27與下部蓋子25的密著程度係被提升至強排氣，在臭氧氣體的供給時被設定成弱排氣。因此，能防止臭氧氣體的洩漏且亦能抑制臭氧氣體的消耗。

本發明並未限定於上述實施形態，能以下述方式變化實施。

(1)在上述實施例中，已以具備四個腔室32且具備四條流通配管53的基板處理裝置1作為例子進行說明。然而，本發明並無須一定要構成複數個腔室32與複數條流通配管53。亦即，本發明亦能應用於具備一個腔室32以及一個流通配管53的基板處理裝置1。

(2)在上述實施例中，進行用以將惰性氣體供給至腔室32之吹淨，將腔室32內設定成正壓後使上部蓋子27從下部蓋子25離開。然而， 本發明並不一定需要此種構成。此外，在上述實施例中，雖然具備吸引配管73以及用以供給惰性氣體之惰性氣體供給配管65，然而本發明並不一定需要這些構件。

(3)在上述實施例中，切換用以對真空抽氣器79供給壓縮空氣之第一驅動管81以及第二驅動管87，藉此切換排氣管77中的排氣流量。然而，本發明並不一定需要此種構成。例如，亦可構成為具備一個驅動管、開閉閥以及質量流量控制器，並因應排氣流量來調整質量流量控制器。此外，在上述實施例中，雖然藉由真空抽氣器75、79進行排氣以及吸引，然而本發明並不一定需要此種構成。例如，亦可構成為藉由真空泵來進行排氣以及吸引。

(4)在上述實施例中，雖然基板處理裝置1具備臭氧氣體分解單元13，然而本發明並不一定需要臭氧氣體分解單元13。

(5)在上述實施例中，雖然基板處理裝置1具備SPM單元23，然而本發明不一定需要SPM單元23。例如，亦可構成為藉由其他的裝置所具備的SPM單元23來處理已經藉由臭氧氣體烘烤單元21處理過的基板W。

(6)在上述實施例中，採用下述構成：基板處理裝置1具備索引區3、搬運區7、承載器載置部17以及路徑部19等，連續地搬運複數片基板W且有效率地進行處理；然而本發明並未限定於此種構成。亦即，本發明亦能應用於未具備搬運系統等而是具備用以進行處理濃度的臭氧氣體所為的處理之構成的基板處理裝置。 [產業可利用性]

如上所述，本發明係應用於用以對基板進行臭氧氣體所為的預定的處理之基板處理裝置。

1:基板處理裝置 3:索引區 5:處理區 7:搬運區 9:處理液供給區 11:臭氧氣體供給單元 13:臭氧氣體分解單元 15:處理單元 17:承載器載置部 19:路徑部 21:臭氧氣體烘烤單元 23:SPM單元 25:下部蓋子 27:上部蓋子 29:熱處理板 31:升降機構 32:腔室 33:排氣主管 35:供給配管 41:生成配管 43,57,67:質量流量控制器 45:臭氧氣體生成器 47,59,71:過濾器 49,99:自動壓力調整器 51,55,69,74,101:控制閥 53:流通配管 61:第一分支點 63:第二分支點 65:惰性氣體供給配管 73:吸引配管 75,79:真空抽氣器 77:排氣管 81:第一驅動管 83,89:流量調整閥 85,91,93,95:開閉閥 87:第二驅動管 94:吹淨管 97:輔助配管 103:外部排氣管 111:控制部 C:承載器 CR:中心機器人 F1,Fa:第一流量 F2,Fb:第二流量 P1:第一壓力 P2:第二壓力 IR:索引機器人 TW1至TW4:塔 W:基板 X:前後方向 XB:後方 XF:前方 Y:寬度方向 YL:左方 YR:右方 Z:上下方向 ΔF:流量

[圖1]係顯示實施例的基板處理裝置的整體構成之立體圖。 [圖2]係圖1中的101-101剖線剖視圖。 [圖3]係圖1中的103-103剖線剖視圖。 [圖4]係示意性地顯示基板處理裝置之俯視圖。 [圖5]係顯示臭氧氣體供給單元中的臭氧氣體濃度的變化之圖表。 [圖6]係顯示臭氧氣體烘烤單元以及氣體的供給系統與排氣系統之圖。 [圖7]係用以說明臭氧氣體所為的非處理時之圖。 [圖8]係用以說明臭氧氣體所為的處理時之圖。 [圖9]係顯示動作的一例之流程圖。 [圖10]用以說明正在供給臭氧氣體的狀態之示意圖。 [圖11]係用以說明正在供給氮氣體的狀態之示意圖。 [圖12]係用以說明處理前的弱排氣之示意圖。 [圖13]係用以說明封閉上部蓋子(upper hinge)的狀態中的強排氣之示意圖。 [圖14]係用以說明臭氧氣體處理中的弱排氣之示意圖。 [圖15]係用以說明氮氣體所為的置換中的強排氣之示意圖。 [圖16]係用以說明上部蓋子開放時的吹淨之示意圖。 [圖17]係用以說明處理後的弱排氣之示意圖。

11:臭氧氣體供給單元

21:臭氧氣體烘烤單元

25:下部蓋子

27:上部蓋子

29:熱處理板

31:升降機構

32:腔室

33:排氣主管

35:供給配管

57,67:質量流量控制器

59,71:過濾器

55,69,74:控制閥

53:流通配管

61:第一分支點

63:第二分支點

65:惰性氣體供給配管

73:吸引配管

75:真空抽氣器

TW1,TW3:塔

W:基板

Claims (16)

1. 一種基板處理裝置，係用以進行去除被覆附著於基板的被覆膜之處理，並具備： 腔室，係收容基板並形成密閉的處理空間； 保持機構，係在前述腔室內保持基板； 臭氧氣體供給源，係供給處理濃度的臭氧氣體以處理前述基板； 第一配管，係連通地連接前述腔室以及前述臭氧氣體供給源； 第一控制閥，係設置於前述第一配管，用以控制前述第一配管中的臭氧氣體的流通； 第一過濾器，係設置於前述第一配管中之比前述第一控制閥還要前述腔室側； 第二配管，係一端側連通地連接於前述第一配管中的第一分支點，且從另一端側被供給惰性氣體，前述第一分支點係連接於前述第一配管中之比前述第一過濾器還要前述腔室側； 第二控制閥，係設置於前述第二配管，用以控制前述第二配管中的惰性氣體的流通； 吸引配管，係一端側連通地連接於前述第一配管中的第二分支點，且從另一端側被吸引，前述第二分支點係連接於前述第一配管中之前述第一過濾器與前述第一控制閥之間；以及 控制部，係在開放前述第一控制閥且封閉前述第二控制閥的狀態下對前述腔室內供給臭氧氣體並處理基板後，封閉前述第一控制閥且開放前述第二控制閥，在對前述腔室內供給惰性氣體時使前述吸引配管進行吸引。
2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述吸引配管所為的吸引係以不會妨礙從前述第二配管被供給至前述腔室的惰性氣體的供給之吸引力來進行。
3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中於前述吸引配管的另一端側具備：真空抽氣器，係藉由壓縮氣體的供給而產生吸引力。
4. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述吸引配管係具備：吸引控制閥，係被前述控制部操作，用以進行前述第二分支點中的吸引力的控制。
5. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述第二配管係在前述第一分支點與前述第二控制閥之間具備第二過濾器。
6. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步具備： 處理液腔室，係收容基板，並進行處理液所為的處理；以及 搬運機構，係搬運基板； 藉由前述搬運機構將在前述腔室中已藉由臭氧氣體處理過的基板搬運至前述處理液腔室，並在前述處理液腔室中藉由處理液處理前述基板。
7. 一種基板處理裝置，係用以進行去除被覆附著於基板的被覆膜之處理，並具備： 腔室，係收容基板並形成密閉的處理空間； 保持機構，係在前述腔室內保持基板； 臭氧氣體供給源，係一邊常態地生成用以處理前述基板之臭氧氣體一邊供給前述臭氧氣體； 供給配管，係供從前述臭氧氣體供給源所供給的臭氧氣體流通； 流通配管，係連通地連接前述供給配管與前述腔室； 控制閥，係設置於前述流通配管，用以控制於前述流通配管流通之臭氧氣體的流通； 輔助配管，係連通地連接前述供給配管以及用以排出氣體之排出口，用以將從前述臭氧氣體供給源所供給的臭氧氣體排出至前述排出口； 排氣閥，係設置於前述輔助配管，用以調整於前述輔助配管流通之臭氧氣體的流量；以及 控制部，係在不對前述腔室供給臭氧氣體之非處理時使前述控制閥封閉並使前述排氣閥開放，從而使從前述臭氧氣體供給源所供給的臭氧氣體排出至前述排氣口，而在對前述腔室供給臭氧氣體並以臭氧氣體處理被前述保持機構保持的基板之處理時，一邊調整前述排氣閥所為的流量一邊使前述控制閥開放。
8. 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中前述腔室為複數個； 前述流通配管為複數條； 各個前述流通配管係分別從前述供給配管分支並連通地連接於各個前述腔室； 前述控制閥係分別設置於複數條前述流通配管； 在前述處理時，複數個前述腔室中的至少一個前述腔室為正在供給臭氧氣體之狀態。
9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述處理時與各個前述控制閥所為的流量連動地調整前述排氣閥所為的流量，俾使於前述供給配管流通之臭氧氣體的流量之第一流量與於各個前述流通配管流通之臭氧氣體的流量的合計之第二流量之間的差值侷限在預定值內。
10. 如請求項8或9所記載之基板處理裝置，其中前述臭氧氣體供給源係具備： 第一開閉閥，係容許或者阻斷臭氧氣體朝向前述供給配管的流通；以及 第一壓力調整機構，係將前述供給配管中的臭氧氣體的壓力維持在第一壓力； 前述輔助配管係具備： 第二開閉閥，係作為前述排氣閥，用以容許或者阻斷被排出至前述排氣口之臭氧氣體的流通；以及 第二壓力調整機構，係將前述輔助配管中的臭氧氣體的壓力維持在比前述第一壓力還小的第二壓力。
11. 如請求項7至9中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步具備： 處理液腔室，係收容基板，並進行處理液所為的處理；以及 搬運機構，係搬運基板； 藉由前述搬運機構將在前述腔室中已藉由臭氧氣體處理過的基板搬運至前述處理液腔室，並在前述處理液腔室中藉由處理液處理前述基板。
12. 一種基板處理裝置，係用以進行去除被覆附著於基板的被覆膜之處理，並具備： 腔室，係具備：下部蓋構件，係以下部支撐用以保持基板之保持機構；上部蓋構件，係從上方抵接至前述下部蓋構件並形成處理空間；以及升降機構，係在基板的處理時使前述上部蓋構件相對於前述下部蓋構件下降，而在基板的非處理時使前述上部蓋構件從前述下部蓋構件上升； 臭氧氣體供給源，係供給處理濃度的臭氧氣體以處理前述基板； 第一配管，係連通地連接前述臭氧氣體供給源以及前述腔室； 第一控制閥，係設置於前述第一配管，用以控制於前述第一配管流通之臭氧氣體的流通； 排氣配管，係連通地連接於前述腔室，用以將前述處理空間內的氣體排出至裝置外部的排氣口； 第二控制閥，係設置於前述排氣配管，用以控制前述排氣配管中的排氣； 排氣機構，係具備：第一排氣單元，係設置於前述排氣配管中之比前述第二控制閥還要前述排氣口側，以第一排氣流量進行排氣；以及第二排氣單元，係設置於前述排氣配管中之比前述第二控制閥還要前述排氣口側，以比前述第一排氣流量還小的排氣流量之第二排氣流量進行排氣；以及 控制部，係在從前述臭氧氣體供給源對前述腔室供給臭氧氣體並進行臭氧氣體處理之前，開放前述第二控制閥，操作前述第一排氣單元以前述第一排氣流量將前述腔室內排氣並使前述上部蓋構件密著於前述下部蓋構件，在操作前述第一控制閥從前述臭氧氣體供給源將臭氧氣體供給至前述腔室時，停止前述第一排氣單元並操作前述第二排氣單元，以前述第二排氣流量將前述腔室內排氣。
13. 如請求項12所記載之基板處理裝置，其中進一步具備： 第二配管，係一端側連通地連接於前述第一配管中的第一分支點，且從另一端側被供給惰性氣體； 第三控制閥，係控制前述第二配管中的惰性氣體的流通； 輔助排氣管，係一端側連通地連接於比前述第二控制閥還要前述腔室側的前述排氣配管中的第二分支點，另一端側連通地連接於前述排氣口；以及 第四控制閥，係設置於前述輔助排氣管，用以控制前述輔助排氣管中的氣體的流通； 前述控制部係在前述臭氧氣體處理之後，操作前述第三控制閥對前述腔室內供給惰性氣體，並操作前述第一排氣單元以取代前述第二排氣單元以第一排氣流量將前述腔室內排氣，在以惰性氣體置換前述腔室內的臭氧氣體後，停止前述第一排氣單元並封閉前述第二控制閥且開放前述第四控制閥後，藉由前述升降機構使前述上部蓋構件上升。
14. 如請求項13所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係使前述上部蓋構件上升後，封閉前述第四控制閥並開放前述第二控制閥，操作前述第二排氣單元以第二排氣流量將前述腔室內排氣。
15. 如請求項12至14中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述第一排氣單元以及前述第二排氣單元係具備：真空抽氣器，係藉由壓縮氣體的供給進行排氣。
16. 如請求項12至14中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步具備： 處理液腔室，係收容基板，並進行處理液所為的處理；以及 搬運機構，係搬運基板； 藉由前述搬運機構將在前述腔室中已藉由臭氧氣體處理過的基板搬運至前述處理液腔室，並在前述處理液腔室中藉由處理液處理前述基板。

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