TW202417897A - 遮光膜、以及使用其而形成之遮光構件、透鏡單元以及相機模組 - Google Patents
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Abstract
提供一種遮光膜,其用以獲得抑制眩光和殘影的產生、又能夠以目視區分正反面的遮光構件。設相對於入射角為60°之光的光澤度為(A),相對於波長為550nm之光的反射率為(B),藉由SCE方法之CIELAB表色系統中的L值為(C),光密度(OD)為(D)。此時,遮光膜100係為用於獲得光學設備用之遮光構件的遮光膜,至少具有第一遮光層21和第二遮光層31。第一遮光層21和第二遮光層31之各層所形成之面的最表面的(A)、(B)、(C)和(D)分別為2%以下、4.5%以下、26以下,以及1.0以上。第一遮光層21所形成之面的最表面與第二遮光層31所形成之面的最表面的(B)之差值和(C)之差值分別為2%以下、以及4以上。
Description
本發明為關於一種遮光膜、以及使用該遮光膜形成的遮光構件、透鏡單元以及相機模組。
智能手機、平板電腦終端和數碼相機等電子設備中內置有用於拍攝被攝體並將其轉換為圖像信號的相機模組。相機模組需要消除在攝像元件上的對被攝體圖像之成像不必要的入射光和反射光等散射光(以下簡稱為“不必要的光”),並防止光暈、透鏡眩光和殘影等的發生(以下簡稱為“眩光和殘影”),來提高所攝像圖像的圖像質量。為此,將用於去除不必要的光的遮光構件組裝至相機模組中所使用的透鏡單元中。
作為這種遮光構件,已知有將在薄膜基材的兩面形成含有碳黑、潤滑劑、微粒子及黏合劑樹脂的遮光層的遮光膜加工成所期望的形狀而成之物(例如,專利文獻1)。
當由遮光膜製造所需形狀的遮光構件時,或者當將製造的遮光構件組裝至相機模組時,若無法區分遮光膜或遮光構件的正反面,則有可能會導致組裝不良等製造故障。以往,為了區分正反面,在遮光膜的一側遮光層上印刷由水性墨水製成的塗膜作為標記,其厚度不影響該遮光層的光學性能(例如,小於1μm)。然而,當遮光膜或遮光構件被運輸或組裝至相機模組中時,由該水性墨水製成的塗膜可能會由於諸如接觸等輕微刺激而從所形成的一側遮光層上脫落等而成為污染物(稱為contamination)。
為了解決該問題,且不在遮光層上印刷標記,例如在專利文獻2中公開了一種將一側遮光層和另一側遮光層的光澤度都設為小於10%,並且在一側遮光層和另一側遮光層之間設置光澤度差異的技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]WO2006/16555號公報
[專利文獻2]專利第6368445號公報(段落0030)。
[發明所欲解決之課題]
在專利文獻2的技術中,由於在遮光層上沒有印刷有標記,因此可以解決上述污染問題。然而,根據文獻2 的技術,遮光膜或遮光構件的光澤度較高,兩側遮光層的光澤度均低於10%,因此,即使在兩個遮光層之間光澤度有差異,也可能無法充分去除不必要的光。在透鏡單元中組裝了沒有充分去除不必要的光的遮光膜或遮光構件的相機模組,很容易產生眩光、殘影,結果容易導致攝像圖像的畫質下降。
本發明係有鑑於上述緣由而提出者。本發明之目的在於提供一種遮光膜,該遮光膜用於獲得抑制組裝在透鏡單元中的相機模組中的眩光和殘影的產生、並且能夠以目視區分正反面的遮光構件,還提供使用該遮光膜形成的遮光構件、透鏡單元和相機模組。
[用以解決課題之手段]
本發明者在經過深度探討的結果,發現到藉由滿足以下要件,便可減少組裝至透鏡單元中的相機模組中的眩光和殘影的產生,同時以目視有效地識別遮光構件和遮光膜的正反面。
-至少具有特定的第一遮光層和第二遮光層,該第一遮光層和第二遮光層的最外層表面具有複數之規定的光學特性(特別是2%以下的極低光澤度和4.5%以下的低反射率)。
-作為第一遮光層和第二遮光層,各最外層表面的規定光學特性(特別是L值和反射率)之差值在規定範圍內。
基於該等新見解,本發明者完成了以下所提供的發明,解決了上述問題。
在下文中,相對於入射角為60°之光的光澤度縮寫為(A),相對於波長為550 nm之光的反射率縮寫為(B),藉由SCE方法之CIELAB表色系統中的L值縮寫為(C),光密度(OD)縮寫為(D)。
根據本發明,
提供一種遮光膜,其用於獲得光學設備用之遮光構件, 其至少具有第一遮光層和第二遮光層, 上述第一遮光層和上述第二遮光層之各層所形成之面的最表面的(A)、(B)、(C)和(D)分別為2%以下、4.5%以下、26以下,以及1.0以上,並且, 上述第一遮光層所形成之面的最表面與上述第二遮光層所形成之面的最表面的上述(B)之差值和上述(C)之差值分別為2%以下、以及4以上。
上述遮光膜可包含以下形態。
-第一遮光層所形成之面的最表面與第二遮光層所形成之面的最表面的上述(A)之差值可為0.5%以下。 -第一遮光層所形成之面的最表面可具有2.4%以下的上述(B)。 -第二遮光層所形成之面的最表面可具有2.8%以上的上述(B)。 -第一遮光層所形成之面的最表面可具有18以下的上述(C)。 -第二遮光層所形成之面的最表面可具有17以上25以下的上述(C)。 -第一遮光層所形成之面的最表面可具有2.0以上的上述(D)。 -第二遮光層所形成之面的最表面可具有1.5以下的上述(D)。
根據本發明,提供一種遮光構件,其由上述遮光膜形成,並且用於透鏡單元,該透鏡單元在支架內具備由沿光軸方向層疊的複數個透鏡構成之透鏡組。
根據本發明,提供一種透鏡單元,其在支架內具備由沿光軸方向層疊的複數個透鏡構成之透鏡組,並且在至少一對透鏡之間介置有上述遮光構件。
根據本發明,提供一種相機模組,其具有上述透鏡單元和攝像元件,該攝像元件透過上述透鏡單元對被攝體進行攝像。
[發明效果]
藉由本發明可提供一種遮光膜,其用於獲得抑制組裝在透鏡單元中的相機模組中的眩光和殘影的產生、並且能夠以目視區分正反面的遮光構件,還提供使用該遮光膜形成的遮光構件、透鏡單元和相機模組。
以下,對本發明的最佳實施形態進行說明,但本發明並不局限於下述實施形態,基於本領域技術人員的常識,在不脫離本發明的精神之情況下,對以下實施形態進行的適當修改和改進也屬於本發明之範圍。
在本說明書中記載之數值範圍中,用數值範圍記載之上限值或下限值可以用實施例中所示的值代替。 在本說明書中,當組合物中的各成分中存在複數種該當物質時,除非另有說明,組合物中各成分的含有率或含量係指,組合物中存在的該當複數種物質之和的含有率或含量。
<遮光膜> 如圖1所示,本發明的一實施形態所涉及之遮光膜100至少包括:基膜11;第一遮光層21,其設置在該基膜11的一側主表面11a側;以及,第二遮光層31,其設置在該基膜11的另一側主表面11b側。遮光膜100具有層疊結構(三層結構),該層疊結構至少按遮光層21、基膜11和遮光層31的順序排列。
所謂“設置在基膜的一側(另一側)主表面側”,意味著不僅包括遮光層21、31直接載置在基膜11的表面(例如主表面11a或主表面11b)的形態,還包括在基膜11的表面與遮光層21、31之間介置有任意層(例如,錨固層、黏接層等)的形態。此外,所謂至少包括第一遮光層21和第二遮光層31的層疊結構,意味著不僅包括僅直接層疊了第一遮光層21和第二遮光層31的結構,還包括上述三層結構,以及在三層結構中進一步設置了任意層之結構。
-基膜- 作為遮光膜100的要素之一的基膜11之種類並無特別限制,只要其能夠支撐遮光層21、31即可。從尺寸穩定性、機械強度、輕量化等觀點考慮,優選使用合成樹脂膜。合成樹脂膜的具體例包括:聚酯膜、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)膜、聚酰亞胺膜、聚苯乙烯膜和聚碳酸酯膜。還亦可使用丙烯酸類、聚烯烴類、纖維素類、聚碸類、聚苯硫醚類、聚醚碸類和聚醚醚酮類之膜。即便該等當中,作為基膜11,亦優選使用聚酯膜、聚酰亞胺膜。尤其,單軸或雙軸拉伸膜、特別是雙軸拉伸聚酯膜由於其優異的機械強度和尺寸穩定性而特別優選。此外,單軸或雙軸拉伸聚酰亞胺膜特別優選用於耐熱用途。該等可以單獨使用1種,亦可組合2種以上使用。
基膜11的厚度可以根據所需的性能和用途適當設定,並無特別限制。從輕量化、薄型化之觀點出發,基膜11的厚度優選為0.5μm以上50μm以下,更優選為1μm以上且25μm以下,進一步優選為4μm以上且10μm以下,特別優選為5μm以上7μm以下。另外,從提高與遮光層21、31的黏合性之觀點出發,可以根據需要對基膜11的表面實施錨固處理、電暈處理等各種公知之表面處理。
基膜11的外觀可以係透明的、半透明的或不透明的任意一種,並無特別限制。例如,亦可使用發泡聚酯膜等發泡合成樹脂膜、或者,含有碳黑等黑色顏料或其他顏料的合成樹脂膜。可以含有之顏料並無特別限制,亦可使用樹脂類顆粒和無機類顆粒中的任一種。作為樹脂類顆粒可列舉:三聚氰胺樹脂、苯胍胺樹脂、苯胍胺/三聚氰胺/福爾馬林縮合物、丙烯酸樹脂、氨酯樹脂、苯乙烯樹脂、氟樹脂和矽樹脂等。作為無機類顆粒可列舉:二氧化矽、氧化鋁、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鈦、磁鐵類黑、銅/鐵/錳類黑、鈦黑、碳黑和苯胺黑等。該等顏料可以單獨使用1種,亦可組合2種以上使用。
基膜11中含有顏料時的含有比例可以根據所要求的性能等適當設定,並無特別限制。相對於基膜11,例如,為0.3質量%以上,優選為0.4質量%以上,並且例如為15質量%以下,優選為12質量%以下的程度。
在設置基膜11的表面以及遮光層21、31之前,亦可設置錨固層以提高基膜11的表面與遮光層21、31的黏合性。作為錨固層,可以應用脲類樹脂層、三聚氰胺類樹脂層、氨酯類樹脂層、聚酯類樹脂等。例如,藉由將含有聚異氰酸酯,及諸如二胺、二醇等含活性氢化合物的溶液塗佈至基膜11的表面並將其固化而獲得氨酯類樹脂層。還有,脲類樹脂和三聚氰胺類樹脂可以藉由將含有水溶性脲類樹脂或水溶性三聚氰胺類樹脂的溶液塗佈至基膜11的表面並將其固化而獲得。聚酯類樹脂,則可以藉由將用有機溶劑(甲乙酮、甲苯等)溶解或稀釋的溶液塗佈至基膜11的表面並將其乾燥而獲得。
-遮光層- 為下述之遮光膜,即,作為遮光膜100的要素之一的遮光層21、31,其各層表面具有2%以下之(A)、4.5%以下之(B)、26以下之(C)和1.0以上之(D)。
在此,如果遮光層21、31係暴露在最表面之結構,則如上述所示,各層表面具有上述規定之(A)、(B)、(C)和(D)即可。另一方面,當在遮光層21、31上塗覆有其他層時,其他層的表面(即,遮光膜100之最表面)具有上述規定之(A)、(B)、(C)和(D)即可。以下,將該等表面統稱為“最外層表面”。
作為遮光膜100的要素之一的遮光層21、31係為,各最外層表面具有2%以下之(A)、4.5%以下之(B)、26以下之(C)和1.0以上之(D)的遮光膜,其中,遮光層21的最外層表面與遮光層31的最外層表面的(B)之差被設定為2%以下、(C)之差被設定為4以上。根據需要,進一步可將遮光層21的最外層表面和遮光層31的最外層表面的(A)之差設定為0.5%以下。
-(A)相對於入射角60°之光的光澤度- 在本說明書中,(A)係為,根據JIS Z8741,使用光澤計(VG 7000:日本電色工業社)測量遮光層21、31的各最外層表面在入射光接收角60°下的光澤度(鏡面光澤度)所得之值。從有效地防止由於光的漫反射引起的眩光和殘影現象之觀點來看,遮光層21和遮光層31的各最外層表面之(A),優選為1.5%以下,更優選為1%以下,進一步優選為0.7%以下。從抑制由於不必要的光引起的眩光和殘影現象之觀點來看,遮光層21的最外層表面之(A),優選為1%以下,更優選為0.5%以下,進一步優選為0.3%以下。另一方面,從抑制由於不必要的光引起的眩光和殘影現象之觀點來看,遮光層31的最外層表面之(A),優選為1.5%以下,更優選為1%以下,進一步優選為0.7%以下。
-(B)相對於波長為550nm之光的反射率- (B)係為根據JIS Z8722,使用分光光度計(CM-5:柯尼卡美能達公司)測量遮光層21、31的各最外層表面對於波長550nm之光的反射率所得之值。從更有效地防止由於光的漫反射引起的眩光和殘影現象之觀點來看,遮光層21和遮光層31的各最外層表面之(B),優選為4.4%以下,更優選為4.2%以下,進一步優選為4.0%以下。從抑制由於不必要的光引起的眩光和殘影現象,並且以目視更容易區分正反面之觀點來看,遮光層21的最外層表面之(B)之上限優選為2.4%以下,更優選為2.2%以下,進一步優選為2%以下。(B)之下限並無特別限制,例如,優選為0.8%以上,更優選為1.0%以上,進一步優選為1.1%以上。另一方面,從以目視更容易區分正反面之觀點來看,遮光層31的最外層表面之(B),優選為2.8%以上,更優選為3.0%以上,進一步優選為3.1%以上。
-(C)藉由SCE方法之CIELAB表色系統中的L值- (C)係表示黑度的指數,其係為採用SCE方法的CIE 1976 L*a*b*(CIELAB)表色系統中最外層表面的亮度L*值。SCE方法係為排除正反射光法,即係指藉由排除正反射光來測量顏色的方法。SCE方法之定義在JIS Z8722:2009中規定。在SCE方法中,排除正反射光進行測量,因此顏色接近肉眼實際看到的顏色。 CIE係Commission Internationale de l'Eclairage之縮寫,表示國際照明委員會。CIELAB表色系統係為1976年推薦的均勻色空間,並在JIS Z8781:2013中作了規定,用於測量因感知和設備不同而產生的色差。CIELAB之三個坐標由L*、a*和 b* 值表示。L*值表示亮度,用0至100表示。L*值為0表示黑色,L*值為100表示白色漫射色。a*值表示介於紅色和綠色之間的顏色。負a*值表示偏綠色,正a*值表示偏紅色。b*值表示介於黃色和藍色之間的顏色。負b*值表示偏藍色,正b*值表示偏黃色。 該(C)係為根據JIS Z8781-4:2013,使用分光光度計(CM-5:柯尼卡美能達公司),採用SCE方法、測量遮光層21、31的各最外層表面在CIE 1976 L*a*b*(CIELAB)表色系統中的亮度L*值所得之值。 從抑制由於不必要的光引起的眩光和殘影現象,以及突顯黑度而提高設計性之觀點來看,遮光層21和遮光層31的各最外層表面之(C),優選為25以下,更優選為23以下。從抑制由於不必要的光引起的眩光和殘影現象,以及突顯黑度而更提高設計性之觀點來看,遮光層21的最外層表面之(C),優選為18以下,較優選為17以下,更優選為16以下,進一步優選為15以下,更進一步優選為14以下,最優選為13以下。另一方面,從抑制由於不必要的光引起的眩光和殘影現象,以及以目視更容易區分正反面之觀點來看,遮光層31的最外層表面之(C),優選為17以上,更優選為18以上,進一步優選為19以上。
-(D)光密度- (D)係為使用光密度計(X-rite 361T(Ortho濾光器):日本平版機材公司) 向遮光層21、31的各最外層表面側照射垂直透射光束,並用log(對數)表示與沒有遮光層21、31的狀態的比來計算出之值。從賦予更高的遮光性之觀點來看,遮光層21和遮光層31的各最外層表面具有1.0以上之(D)。從抑制由於不必要的光引起的眩光和殘影現象,並且以目視容易區分正反面,同時實現遮光層的高遮光性之觀點來看,遮光層21的最外層表面優選具有2.0以上之(D),從獲得良好的基材密接性之觀點來看,更優選具有2.0以上2.4以下之(D)。另一方面,從抑制由於不必要的光引起的眩光和殘影現象,並且以目視更容易區分正反面,同時獲得更良好的基材密接性之觀點來看,遮光層31的最外層表面之(D),優選為1.5以下,更優選為1.4以下。 另外,將遮光層21和遮光層31層疊時,該層疊體的(D)優選為3.0以上5.0以下,更優選為3.5以上且4.0以下。此時,例如,使用(D)為2.0以上之遮光層21和(D)為1.0以上且1.5以下之遮光層31構成(D) 總計為3.0以上5.0以下之層疊體,並使層疊結構體的正面和反面具有不同的光密度的話,可以更清楚地區分層疊結構的正反面,因此優選。
-構成例- 具有這種特性之遮光層21、31的構成成分可以包括樹脂成分、顆粒和著色/導電劑。
-樹脂成分- 樹脂成分成為顆粒和著色/導電劑之黏合劑。樹脂成分之材質並無特別限制,亦可使用熱塑性樹脂、熱固性樹脂中的任一種。作為具體的熱固性樹脂可列舉:丙烯酸類樹脂、氨酯類樹脂、酚醛類樹脂、三聚氰胺類樹脂、脲類樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯類樹脂、不飽和聚酯類樹脂、環氧類樹脂、醇酸類樹脂等。並且,作為熱塑性樹脂可列舉:聚丙烯酸酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、丁縮醛樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物樹脂等。從耐熱性、耐濕性、耐溶劑性及表面硬度之觀點來看,優選使用熱固性樹脂。作為熱固性樹脂,考慮到柔軟性和被膜之韌性,特別優選丙烯酸樹脂。
藉由添加固化劑作為遮光層21、31的構成成分,能夠促進樹脂成分之交聯。作為固化劑,可以使用具有官能團之脲化合物、三聚氰胺化合物、異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、噁唑啉化合物等。即便該等當中,特別優選異氰酸酯化合物。固化劑之配合比例,相對於樹脂成分100質量%優選為10~50質量%。藉由在上述範圍內添加固化劑,可以獲得硬度更合適之遮光層,即使在與其他構件一起滑動之情況下,亦可長期保持遮光層21、31之表面的光學特性。
使用固化劑時,亦可並用反應催化劑以促進其反應。作為反應催化劑可列舉氨和氯化銨等。反應催化劑之配合比例,相對於固化劑100質量%優選為0.1~10質量%之範圍內。
-顆粒和著色/導電劑- 遮光層21、31可以包含顆粒和著色/導電劑。例如,藉由使用具有不同粒徑和粒度分佈之兩個以上的顆粒組作為顆粒和著色/導電劑,可將遮光層21、31的各最外層表面的上述規定之光學特性較佳地控制在本發明之規定範圍內。 例如,當使用具有不同大小之兩個顆粒組時,大顆粒組之粒徑優選為小顆粒組之粒徑的10至40倍。當使用三個以上之顆粒組時,將最大顆粒組之粒徑和最小顆粒組之粒徑調整成滿足上述關係即可。 以下,將大顆粒組稱作為大顆粒1,小顆粒組作為小顆粒2來進行說明。 一實施形態所涉及之遮光層21、31,作為顆粒組優選含有平均粒徑為2μm至6μm之大顆粒1和平均粒徑為0.06μm至0.4μm之小顆粒2。大顆粒1之平均粒徑較優選為3μm~5μm,更優選為3μm~4μm。小顆粒2之平均粒徑為0.06μm~0.4μm,較優選為0.1μm~0.3μm。 藉由組合具有上述粒徑之大顆粒1和小顆粒2,小顆粒2嵌入凹部中的大顆粒1之間,可將遮光層21、31的各最外層表面的上述規定之光學特性較佳地控制在本發明之規定範圍內。
顆粒之含量取決於顆粒組的平均粒徑、粒度分佈、遮光層21、31之膜厚度及基膜11之表面形狀,假設遮光層21、31整體為100體積%時,優選為20體積%至50體積%。另外,大顆粒1和小顆粒2之混合比並不受特別限制,只要可將遮光層21、31的各最外層表面的上述規定之光學特性調整在本發明之規定範圍內即可,優選為1.5:1至3.5:1(大顆粒1所佔體積:小顆粒2所佔體積)。另外,遮光層21、31中的顆粒之體積含量(體積佔有率)可以藉由換算為從遮光層21、31的截面照片中用圖像分析等方法計算出的面積佔有率來得出。
作為大顆粒1,可以使用樹脂類顆粒和無機類顆粒中的任一種。作為樹脂類顆粒例如可列舉:三聚氰胺樹脂、苯胍胺樹脂、苯胍胺/三聚氰胺/福爾馬林縮合物、丙烯酸樹脂、氨酯樹脂、苯乙烯樹脂、氟樹脂和矽樹脂等。另一方面,作為無機類顆粒可列舉:二氧化矽、氧化鋁、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鈦和碳等。該等可以單獨使用1種,亦可組合2種以上使用。
為了獲得更優異的特性,大顆粒1優選使用無機顆粒。藉由使用無機顆粒作為大顆粒1,可以獲得具有較低光澤度和較高光密度之遮光膜100。用作大顆粒1之無機顆粒優選二氧化矽。大顆粒1之形狀並無特別限制,但為了將遮光層21、31的各最外層表面的上述規定之光學特性控制在本發明之規定範圍內,優選使用粒度分佈明顯之顆粒組。 另外,為了進一步減少(A),優選使用不規則形狀之顆粒組。即便該當中,特別優選使用多孔質不規則形狀之二氧化矽顆粒。藉由使用這種顆粒組,在大顆粒1之表面和內部反覆光折射,從而能夠進一步減少(A)。 為了抑制光反射,亦可用有機類或無機類著色劑來將大顆粒1著色為黑色。作為這種著色的材料,可列舉:複合二氧化矽、導電性二氧化矽、黑色二氧化矽等。 作為複合二氧化矽,例如可列舉藉由以納米級合成及複合碳黑和二氧化矽而獲得之者。作為導電二氧化矽,例如可列舉在二氧化矽顆粒上塗覆了碳黑等導電性顆粒之者。作為黑色二氧化矽,例如可列舉矽石中含有石墨之天然礦石。
另一方面,小顆粒2之材質亦無特別限制,可以使用樹脂類顆粒和無機類顆粒中的任一種。作為樹脂類顆粒例如可列舉:三聚氰胺樹脂、苯胍胺樹脂、苯胍胺/三聚氰胺/福爾馬林縮合物、丙烯酸樹脂、氨酯樹脂、苯乙烯樹脂、氟樹脂和矽樹脂等。另一方面,作為無機類顆粒例如可列舉:二氧化矽、氧化鋁、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鈦和碳等。該等可以單獨使用1種,亦可組合2種以上使用。 作為小顆粒2,例如亦可使用作為著色/導電劑添加的碳黑等。藉由使用碳黑作為小顆粒2,遮光層21、31被著色,從而可提高抗反射效果,並可獲得良好的抗靜電效果。
-任意成分- 在一實施形態中,作為遮光層21、31的構成成分,可以根據需要進一步添加流平劑、增稠劑、pH調節劑、潤滑劑、分散劑、消泡劑等。
遮光層21、31之厚度並無特別限制,但平均膜厚優選為2μm以上20μm以下。另外,遮光層21、31之平均膜厚的上限較優選為15μm,更優選為10μm。在本發明中,即使遮光層之厚度為5μm以下,亦可獲得具有低光澤性、高光密度、低反射率和高黑度之遮光膜100。另外,遮光層21、31之平均膜厚係為包括從基膜11之表面由遮光層21、31大顆粒1及小顆粒2突出的部分的高度。遮光層21、31之上述平均膜厚可以基於JIS K7130來測定。
從輕量化和薄型化之觀點來看,遮光膜100之總厚度優選為0.5μm以上50μm以下;較優選為1μm以上,更優選為5μm以上,較優選為,40μm以下更優選為25μm以下。
-(B)之差,及(C)之差,調整方法- 在本發明的一實施形態所涉及之遮光膜100中,遮光層21和遮光層31的各最外層表面具有2%以下之(A)、4.5%以下之(B)、26以下之(C)以及1.0以上之(D),其特徵在於,採用了遮光層21之最外層表面與遮光層31之最外層表面的(B)之差為2%以下,(C)之差為4以上的結構。如上在各最外層表面具有特定的光學特性之遮光層21、31中,藉由使遮光層21和遮光成31的各最外層表面的(B)和(C)不同,可根據其反射感及外觀的黑度差異,非接觸地、即以目視區分遮光膜100的正反面。
從抑制由於不必要的光引起的眩光和殘影現象,以及以目視容易區分正反面之觀點來看,遮光層21和遮光層31的各最外層表面的(B)之差優選為1.5%以下,更優選為1.35%以下。為了設置如上的(B)之差,例如,如上所述,將遮光層21之最外層表面的(B)設定為2.4%以下,並且將遮光層31之最外層表面的(B)設定為2.8%以上4.4%以下即可。
作為調整遮光層21和遮光層31的各最外層表面的(B)之方法,並無特別限制,例如有:使遮光層21和遮光層31的黑色顆粒含量不同之方法、在遮光層21和遮光層31中使用形狀不同的顆粒組之方法、在遮光層21和遮光層31中使用具有不同粒徑的顆粒組之方法、在遮光層21和遮光層31中使用具有不同粒度分佈的顆粒組之方法、在遮光層21和遮光層31中使用不同材質(例如,有機和無機的區別,以下相同)的顆粒組之方法、使遮光層21和遮光層31的厚度不同之方法等。該等調整方法,可以單獨使用亦或可適當組合使用各種方法。
從以目視容易區分正反面之觀點來看,遮光層21和遮光層31的各最外層表面的(C)之差優選為4.5以上,更優選為5以上。為了設置如上的(C)之差,例如,如上所述,將遮光層21之最外層表面的(C)設定為18以下,並且將遮光層31之最外層表面的(C)設定為17以上25以下即可。
作為調整遮光層21和遮光層31的各最外層表面的(C)之方法,並無特別限制,例如有:使遮光層21和遮光層31的黑色顆粒含量不同之方法、在遮光層21和遮光層31中使用形狀不同的顆粒組之方法、在遮光層21和遮光層31中使用具有不同粒徑的顆粒組之方法、在遮光層21和遮光層31中使用具有不同粒度分佈的顆粒組之方法、在遮光層21和遮光層31中使用不同材質的顆粒組之方法、使遮光層21和遮光層31的厚度不同之方法、僅在遮光層21和遮光層31之一側中包含粒徑不同的複數個顆粒組之方法、僅在遮光層21和遮光層31之一側中包含材質不同的複數個顆粒組之方法、僅在遮光層21和遮光層31之一側中包含形狀不同的複數個顆粒組之方法等。該等調整方法,可以單獨使用亦或可適當組合使用各種方法。
-(A)之差、調整方法- 除了遮光層21和遮光層31的各最外層表面的(B)之差和(C)之差以外,當使遮光層21和遮光層31的各最外層表面的(A)不同時,遮光層21和遮光層31的各最外層表面的(A)之差係考慮抑制由於不必要的光引起的眩光和殘影現象而適當設定即可,並無特別限制,優選為0.45%以下。為了設置如上的(A)之差,例如,如上所述,將遮光層21之最外層表面的(A)設定為1%以下,並且將遮光層31之最外層表面的(A)設定為1.5%以下即可。
作為調整遮光層21和遮光層31的各最外層表面的(A)之方法,並無特別限制,例如有:使遮光層21和遮光層31的黑色顆粒含量不同之方法、在遮光層21和遮光層31中使用形狀不同的顆粒組之方法、在遮光層21和遮光層31中使用具有不同粒徑的顆粒組之方法、在遮光層21和遮光層31中使用具有不同粒度分佈的顆粒組之方法、在遮光層21和遮光層31中使用不同材質的顆粒組之方法、使遮光層21和遮光層31的厚度不同之方法、僅在遮光層21和遮光層31之一側中包含粒徑不同的複數個顆粒組之方法、僅在遮光層21和遮光層31之一側中包含材質不同的複數個顆粒組之方法、僅在遮光層21和遮光層31之一側中包含形狀不同的複數個顆粒組之方法等。該等調整方法,可分別單獨使用亦或可適當組合使用各種方法。
從具備充分的抗靜電性能之觀點來看,遮光層21和31的表面電阻率優選小於1.0×10
8Ω,較優選小於1.0×10
5Ω,更優選小於5.0x10
4Ω。在本說明書中,表面電阻率為根據JIS K6911:1995測量之值。
<遮光膜之製造方法> 用於製造實施形態所涉及之遮光膜100的方法並無特別限制,只要能夠獲得如上所構成之物即可。從以良好的再現性、簡單且低成本地在基膜11上製造遮光層21、31之觀點來看,可以適用刮塗、浸塗、輥塗、棒塗、模塗、刀塗、氣刀塗、輕觸輥式塗敷(kiss-roll coating)、噴塗、旋塗等以往公知之塗佈方法。
例如,在基膜11之主表面上塗佈塗佈液,該塗佈液為在溶劑(有機溶劑或水)中含有上述構成成分(樹脂成分、顆粒、著色/導電劑)和根據需要配合之任意成分,,並乾燥後,可根據需要藉由實施熱處理、加壓處理等而在基膜11上形成遮光層21和31。作為用於塗佈液的溶劑之有機溶劑,例如可列舉:甲乙酮、甲苯、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇等。另外,為了提高基膜11與遮光層21、31的黏合力,可根據需要進行錨固處理、電暈處理等。進一步,根據需要,可以在基膜11與遮光層21、31之間亦可設置底漆層、黏合層等中間層。還有,可以藉由各種公知的成型方法,例如壓縮成型、注射成型、吹塑成型、轉注成型(Transfer Molding)和擠壓成型等較容易地獲得期望形狀之遮光膜100。此外,亦可採用一旦成型為片材後,進行真空成型、壓力成型等方法。
一實施形態所涉及之遮光膜100中,採用之遮光層21和第二遮光層31係為,各最外層表面係為具有2%以下之(A)、4.5%以下之(B)、26以下之(C)、以及1.0以上之(D)的遮光膜,並且遮光層21的最外層表面與遮光層31的最外層表面的(B)之差被設定為2%以下,並且(C)之差被設定為4以上。因此,藉由將其用作透鏡單元、相機模組等的遮光構件,能夠充分地去除不必要的光,能夠抑制眩光和殘影發生,並且能夠提高攝像圖像之圖像質量。
此外,在上述層疊結構(即,最外層表面具有特定光學特性之遮光層21和遮光層31)中,遮光層21的最外層表面和遮光層31的最外層表面的(B)之差被調整為2%以下,並且(C)之差被調整為4以上,因此可根據其反射感及外觀的黑度差異,非接觸地、即以目視觀察來區分正反面。
此外,本發明可以在不脫離其主旨之情況下任意變更和實施。例如,在上述實施形態中,遮光層21和遮光層31設置在基膜11之正面和反面上,但亦可使用遮光層21和遮光層31 之層疊結構(兩層結構),而不設置基膜11。另外,遮光層21、31可以由兩個以上之遮光膜形成。例如,可以應用由遮光膜21a和21b層疊而成的層疊遮光層作為遮光層21。這同樣適用於遮光層31。此時,遮光膜21a和遮光膜21b作為層疊體,能滿足如上所述的遮光層21的最外層表面所需的各種性能和物理特性即可。這同樣適用於遮光層31。
<相機模組、透鏡單元、遮光構件> 如圖2所示,本發明的一實施形態所涉及之相機模組1具有透鏡單元2。透鏡單元2具有由沿光軸方向X層疊之5個透鏡41、43、45、47、49構成的透鏡組。構成透鏡組的透鏡之數量不限於五個。在本示例中,在構成透鏡組的五個透鏡41、43、45、47、49中,在三對透鏡(透鏡41和43、透鏡43和45、透鏡47和49)之間介置有遮光構件61、63、65。透鏡組和遮光構件61、63、65均由樹脂或金屬等構成,並載置在多級圓筒狀支架(鏡筒)8內。本示例的支架8在其內周部設有三個台階部81、83、85。藉由該等台階部81、83、85,透鏡組和遮光構件61、63、65以配置在同一光軸上而層疊的狀態收納並配置在支架8內的規定位置。透鏡41、43、45、47、49可以是各種透鏡(凸透鏡、凹透鏡等)。其曲面可為球面亦可為非球面,另外其材料可為樹脂(例如,環烯烴樹脂(COC或COP)、聚碳酸酯樹脂、液晶聚合物等)亦可為玻璃。 相機模組1與透鏡單元2均具有攝像元件9。攝像元件9配置在透鏡單元2的光軸上,透過透鏡單元2對被攝體進行攝像。攝像元件9由CCD圖像傳感器、CMOS圖像傳感器等構成。
本例的遮光構件61、63、65係為平面視圖中外形呈圓環狀(環狀),截面視圖中呈中央部分具有圓柱狀的中空部的形狀之遮光板,並且藉由將圖1所示的遮光膜100沖壓成環形而形成。因此,遮光構件61、63、65具有與圖1所示的遮光膜100相同的層疊結構。另外,遮光構件63、65除了外徑尺寸和中空部的外徑尺寸分別不同以外,具有與遮光構件61相同的結構。
在一實施形態所涉及之遮光構件61、63、65中,同樣採用第一遮光層21和第二遮光層31之各最外層表面係為具有2%以下之(A)、4.5%以下之(B)、26以下之(C)以及1.0以上之(D)的遮光膜,遮光層21之最外層表面與遮光層31之最外層表面的(B)之差為被設定為2%以下,(C)之差被設定為4以上。因此,藉由將其用作透鏡單元、相機模組等之遮光構件,能夠充分地去除不必要的光,能夠抑制眩光和殘影發生,並且能夠提高攝像圖像之圖像質量。
此外,在上述層疊結構(即,最外層表面具有特定光學特性之遮光層21和遮光層31)中,遮光層21的最外層表面和遮光層31的最外層表面的(B)之差被調整為2%以下,並且(C)之差被調整為4以上,因此可根據其反射感及外觀的黑度差異,非接觸地、即以目視容易區分遮光構件61、63、65之正反面。因此,使用該等遮光構件61、63、65的透鏡單元2和相機模組1,即使在其保管時和組裝過程中,亦能防止由於誤認正面和反面而導致的諸如組裝不良等製造故障。
此外,本發明可以在不脫離其主旨之情況下任意變更和實施。例如,遮光膜100(遮光構件61、63、65)的外部形狀可以採用諸如在平面圖中呈長方形、正方形、六邊形等多邊形,橢圓形、不規則形狀等任何形狀。另外,在本實施形態中,遮光構件61、63、65的中空部分的形狀,在平面視圖中呈圓形,但其外形並無特別限制。例如可採用諸如在平面圖中呈長方形、正方形、六邊形等之多邊形,橢圓形、不規則形狀等。
100:遮光膜
11:基膜
11a:表面(主表面)
11b:表面(主表面)
21:遮光層(第一遮光層)
31:遮光層(第二遮光層)
1:相機模組
2:透鏡單元
41、43、45、47、49:透鏡
61、63、65:遮光構件
8:支架
9:攝像元件
[圖1]係示出本發明的一實施形態所涉及之遮光膜的模式截面圖。
[圖2]係示出組裝有本發明的一實施形態所涉及之遮光構件的透鏡單元和相機模組的模式分解立體圖。
100:遮光膜
11:基膜
11a:表面(主表面)
11b:表面(主表面)
21:遮光層(第一遮光層)
31:遮光層(第二遮光層)
Claims (7)
- 一種遮光膜,其用於獲得光學設備用之遮光構件, 至少具有第一遮光層和第二遮光層, 上述第一遮光層和上述第二遮光層之各層所形成之面的最表面的(A)、(B)、(C)和(D)分別為2%以下、4.5%以下、26以下,以及1.0以上,且, 上述第一遮光層所形成之面的最表面與上述第二遮光層所形成之面的最表面的上述(B)之差值和上述(C)之差值分別為2%以下、以及4以上,其中, (A)為相對於入射角60°之光的光澤度、 (B)為相對於波長為550nm之光的反射率、 (C)為藉由SCE方法之CIELAB表色系統中的L值、 (D)為光密度。
- 如請求項1之遮光膜,其中,上述第一遮光層所形成之面的最表面與上述第二遮光層所形成之面的最表面的上述(A)之差值為0.5%以下。
- 如請求項1之遮光膜,其中,上述第一遮光層所形成之面的最表面具有2.4%以下的上述(B)。
- 如請求項3之遮光膜,其中,上述第二遮光層所形成之面的最表面具有2.8%以上的上述(B)。
- 一種遮光構件,其由請求項1至4中任一項之遮光膜形成,並且用於透鏡單元,上述透鏡單元在支架內具備由沿光軸方向層疊的複數個透鏡構成之透鏡組。
- 一種透鏡單元,其在支架內具備由沿光軸方向層疊的複數個透鏡構成之透鏡組,並且在至少一對透鏡之間介置有請求項5之遮光構件。
- 一種相機模組,其具有請求項6之透鏡單元和攝像元件,上述攝像元件透過上述透鏡單元對被攝體進行攝像。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2022-172861 | 2022-10-28 |
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TW202417897A true TW202417897A (zh) | 2024-05-01 |
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