TW202411972A - 顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
顯示裝置包含第一基板、複數個發光二極體、第一波長轉換層與超穎介面。複數個發光二極體排列於第一基板上,發光二極體發出第一色光,且發光二極體包含第一發光二極體、第二發光二極體與第三發光二極體。第一波長轉換層在第一發光二極體上,配置以將第一發光二極體發出的第一色光轉換成第二色光,且第一色光與第二色光為不同色光。超穎介面位於第一波長轉換層上,配置以反射第一色光並讓第二色光通過。
Description
本揭露的一些實施方式是關於一種顯示裝置。
現今的顯示裝置可由多個發光二極體晶片構成,且發光二極體晶片可搭配不同的波長轉換層,以發出不同顏色的光。然而,並不是所有的發光二極體晶片發出的光可以經過波長轉換層內的波長轉換物質,使得顯示裝置的光致螢光效率不高。此外,波長轉換層內的波長轉換物質容易因為外界的光而受到損害。因此,需針對顯示裝置做進一步的改良。
本揭露提供一種顯示裝置,包含第一基板、複數個發光二極體、第一波長轉換層與超穎介面。複數個發光二極體排列於第一基板上,發光二極體發出第一色光,且發光二極體包含第一發光二極體、第二發光二極體與第三發光二極體。第一波長轉換層在第一發光二極體上,配置以將第一發光二極體發出的第一色光轉換成第二色光,且第一色光與第二色光為不同色光。超穎介面位於第一波長轉換層上,配置以反射第一色光並讓第二色光通過。
在一些實施方式中,超穎介面包含第二基板與複數個第一超穎原子。第二基板位於第一波長轉換層上。複數個第一超穎原子排列於第一波長轉換層與第二基板上,第一超穎原子具有相同的高度與相同的第一寬度,且第一超穎原子以固定周期排列。
在一些實施方式中,顯示裝置更包含第二波長轉換層。第二波長轉換層在第二發光二極體上,配置以將第二發光二極體發出的第一色光轉換成第三色光,且第一色光、第二色光與第三色光為不同色光。
在一些實施方式中,超穎介面的第二基板更位於第二波長轉換層上,且超穎介面更包含複數個第二超穎原子,排列於第二波長轉換層與第二基板上,第二超穎原子具有相同的高度與相同的第二寬度,且每一第二超穎原子位於第二單元格中,第二單元格以固定周期排列,其中第二寬度與第一寬度相同。
在一些實施方式中,超穎介面的第二基板更位於第二波長轉換層上,且超穎介面更包含複數個第二超穎原子,排列於第二波長轉換層與第二基板上,第二超穎原子具有相同的高度與相同的第二寬度,且每一第二超穎原子位於第二單元格中,第二單元格以固定周期排列,其中第二色光的波長大於第三色光的波長,且第一寬度大於第一寬度。
在一些實施方式中,第一發光二極體、第一波長轉換層、第二發光二極體、第二波長轉換層與第三發光二極體構成像素單元。
在一些實施方式中,在第三發光二極體上方不存在超穎介面的第一超穎原子。
在一些實施方式中,第一超穎原子沿著第一方向排列,且第一超穎原子在第一方向上不互相對齊。
在一些實施方式中,第一波長轉換層在超穎介面與第一發光二極體之間。
在一些實施方式中,顯示裝置更包含膠層,在第一波長轉換層與超穎介面之間。
本揭露的一些實施方式的顯示裝置具有超穎介面,且超穎介面可用於提升顯示裝置中的發光二極體的光致螢光效率。此外,本揭露的一些實施方式的超穎介面製程減單,因此使得顯示裝置的製程成本降低。
本揭露的一些實施方式是關於一種包含超穎介面的顯示裝置。本揭露的一些實施方式的顯示裝置使用微發光二極體作為光源,且顯示裝置包含用於將微發光二極體所發出的第一色光的轉換為第二色光的波長轉換層。超穎介面可置於波長轉換層上,且超穎介面可設計以使第二色光穿透超穎介面,而將第一色光反射回波長轉換層,藉此增加光致螢光的效率,以提高顯示裝置的色純度。
第1圖繪示本揭露的一些實施方式的顯示裝置100的橫截面視圖。顯示裝置100包含第一基板110、複數個發光二極體120、第一波長轉換層132、第二波長轉換層134與超穎介面150。
第一基板110可為電路板,且第一基板110包含線路層。發光二極體120排列於第一基板110上,發光二極體120發出第一色光L1,且發光二極體120包含第一發光二極體122、第二發光二極體124與第三發光二極體126。換句話說,發光二極體120的第一發光二極體122、第二發光二極體124與第三發光二極體126皆發出第一色光L1。在一些實施方式中,第一色光L1為藍光。發光二極體120電性連接第一基板110的線路層的電極。在一些實施方式中,可使用任何適合的發光二極體120,例如微型發光二極體。
第一波長轉換層132在第一發光二極體122上,配置以將第一發光二極體122發出的第一色光L1轉換成第二色光L2,且第一色光L1與第二色光L2為不同色光。第二波長轉換層134在第二發光二極體124上,配置以將第二發光二極體124發出的第一色光L1轉換成第三色光L3,且第一色光L1、第二色光L2與第三色光L3為不同色光。在一些實施方式中,第二色光L2為紅光,且第三色光L3為綠光。第一波長轉換層132與第二波長轉換層134可包含多個量子點,量子點可用於進行光致螢光(photoluminescence,PL)以改變進入至量子點中的光的波長,進而改變光的顏色。第三發光二極體126上可不放置波長轉換層,使得第三發光二極體126發出的第一色光L1不會被改變。第一發光二極體122、第一波長轉換層132可相結合而發出第二色光L2,第二發光二極體124、第二波長轉換層134可相結合而發出第三色光L3,而第三發光二極體126可發出第一色光L1。因此,第一發光二極體122、第一波長轉換層132、第二發光二極體124、第二波長轉換層134與第三發光二極體126構成像素單元PI。應注意,雖然第1圖僅繪示一個像素單元PI,但實際上顯示裝置100包含多個像素單元。
超穎介面150位於第一波長轉換層132上,配置以反射第一色光L1並讓第二色光L2通過。亦即,第一波長轉換層132在超穎介面150與第一發光二極體122之間。超穎介面150包含第二基板152與複數個第一超穎原子154。第二基板152位於第一波長轉換層132上。第一超穎原子154排列於第一波長轉換層132與第二基板152上。第二基板152可為透光基板,例如玻璃基板,因此第一色光L1、第二色光L2與第三色光L3可穿透第二基板152。第一超穎原子154的尺寸與排列方式可經設計以使得對第一色光L1具有高反射率,而對第二色光L2具有高穿透率與低吸收率。具體而言,當第一色光L1射至第一波長轉換層132時,可能會有少許的第一色光L1沒有射至第一波長轉換層132中的量子點,使得少許的第一色光L1仍會穿過第一波長轉換層132。當超穎介面150對第一色光L1具有高反射率,而對第二色光L2具有高穿透率與低吸收率時,第二色光L2可穿透超穎介面150,而第一色光L1可被反射回第一波長轉換層132以再次進行光致螢光。如此一來,可提升光致螢光的效率並提升第一色光L1轉換成第二色光L2的比例,進而提升第二色光L2的色純度。
在一些實施方式中,超穎介面150更位於第二波長轉換層134上。亦即,第二波長轉換層134在超穎介面150與第二發光二極體124之間。具體而言,超穎介面150的第二基板152更位於第二波長轉換層134上,且超穎介面150更包含複數個第二超穎原子156。第二超穎原子156的尺寸與排列方式可經設計以使得對第一色光L1具有高反射率,而對第三色光L3具有高穿透率與低吸收率。具體而言,當第一色光L1射至第二波長轉換層134時,可能會有少許的第一色光L1沒有射至第二波長轉換層134中的量子點,使得少許的第一色光L1仍會穿過第二波長轉換層134。當超穎介面150對第一色光L1具有高反射率,而對第三色光L3具有高穿透率與低吸收率時,第三色光L3可穿透超穎介面150,而第一色光L1可被反射回第二波長轉換層134以再次進行光致螢光。如此一來,可提升光致螢光的效率並提升第一色光L1轉換成第三色光L3的比例,進而提升第三色光L3的色純度。
超穎介面150除了可對第一色光L1具有高反射率之外,也可對環境中的紫外線光具有高反射率。環境中的紫外線光便不容易穿透超穎介面150進入至第一波長轉換層132與第二波長轉換層134中。如此一來,紫外線光不會破壞第一波長轉換層132與第二波長轉換層134中的量子點,以提升顯示裝置100的壽命與可靠度。超穎介面150也可減少發光二極體120的漏光問題,並減少對人眼的傷害。
顯示裝置100更包含膠層140,且膠層140在第一波長轉換層132與超穎介面150之間。膠層140亦在第二波長轉換層134與超穎介面150之間、第三發光二極體126與超穎介面150之間。膠層140可用於將超穎介面150貼合於第一基板110上。
第2圖繪示本揭露的一些實施方式的超穎介面150在第1圖的區域R中的立體圖。第一超穎原子154具有相同的高度H與相同的第一寬度W1,且每一個第一超穎原子154位於一個第一單元格UC1中,第一單元格UC1以固定周期P1排列,亦即第一超穎原子154可以固定周期排列。具體而言,超穎介面150可包含多個第一單元格UC1,第一單元格UC1可沿著第一方向D1與第二方向D2排列,且第一方向D1與第二方向D2不同。第一單元格UC1可具有任何適合的形狀,且第一單元格UC1以固定周期P1排列。在此的術語「固定周期」意指第一單元格UC1可具有一致的尺度大小。舉例而言,在第2圖中,第一單元格UC1可皆為正方形格,且正方形格的尺度(例如邊長)皆一致,使得第一超穎原子154可以固定周期排列。在每一個第一單元格UC1中具有一個第一超穎原子154,且每個第一超穎原子154於第一單元格UC1的相對位置皆相同(例如第一超穎原子154皆位於第一單元格UC1的正中央)。每個第一超穎原子154的高度H皆相同,且每個第一超穎原子154的第一寬度W1皆相同。在一些實施方式中,第一超穎原子154沿著第一方向D1排列,且第一超穎原子154在第一方向D1上互相對齊。第一超穎原子154亦沿著第二方向D2排列,且第一超穎原子154在第二方向D2上互相對齊。
第二超穎原子156具有相同的高度H與相同的第二寬度W2,且每一第二超穎原子156位於第二單元格UC2中,第二超穎原子156以固定周期P1排列,其中第二寬度W2與第一寬度W1相同。換句話說,第二超穎原子156的排列方式可與第一超穎原子154一樣,且第二超穎原子156的尺寸可與第一超穎原子154一樣。在一些實施方式中,第一超穎原子154與第二超穎原子156可具有任何適合的形狀,例如正方柱或圓柱。應注意,第一單元格UC1與第二單元格UC2為虛擬的格子,因此實際上第一單元格UC1與第二單元格UC2的格線並不會表現於第二基板152上。
第3圖繪示本揭露的另一些實施方式的超穎介面150A的立體圖。超穎介面150A與超穎介面150類似,差別在於第二寬度W2與第一寬度W1不同,例如第二色光L2的波長大於第三色光L3的波長時,第一寬度W1大於第二寬度W2。換句話說,在第一波長轉換層132上的第一超穎原子154的第一寬度W1與在第二波長轉換層134上的第二超穎原子156的第二寬度W2不同。當第一超穎原子154的第一寬度W1與第二超穎原子156的第二寬度W2不同時,第一超穎原子154可更針對第二色光L2做設計,而第二超穎原子156可更針對第三色光L3做設計。超穎介面150A的其他細節與超穎介面150相同,因此不在此贅述。
第4圖繪示本揭露的另一些實施方式的超穎介面150B的立體圖。超穎介面150B與超穎介面150類似,差別在於超穎介面150B的第一單元格UC1’與第二單元格UC2’的形狀。在第4圖中,第一單元格UC1’與第二單元格UC2’可為三角形,且第一單元格UC1’以固定周期P2,沿著第一方向D1與第三方向D3排列,第二單元格UC2’以固定周期P2,沿著第一方向D1與第三方向D3排列,且第一方向D1與第三方向D3不同。因此,第一超穎原子154與第二超穎原子156的排列方式不同於第2圖中的第一超穎原子154與第二超穎原子156。在一些實施方式中,第一超穎原子154沿著第一方向D1排列,但第一超穎原子154在第一方向D1上不互相對齊。第一超穎原子154沿著第二方向D2排列,但第一超穎原子154在第二方向D2也不互相對齊。超穎介面150B的其他細節與超穎介面150相同,因此不在此贅述。
第5圖繪示本揭露的一些實施方式的決定超穎介面150的第一超穎原子154與第二超穎原子156的參數的流程圖。參照第2圖與第5圖,在步驟S510中,給定第一超穎原子154與第二超穎原子156的高度H。在一些實施方式中,第一超穎原子154與第二超穎原子156的高度H在100奈米至300奈米之間,有助於縮小顯示裝置100垂直方向的尺寸。接著,在步驟S520中,給定第一超穎原子154與第二超穎原子156的固定周期P1。在一些實施方式中,第一超穎原子154與第二超穎原子156的固定周期P1可在200奈米至400奈米之間。高度H與固定周期P1的範圍初步由顯示裝置100的尺寸與/或像素單元PI的尺寸來決定。接著,在步驟S530中,建立不同寬度的第一超穎原子154與第二超穎原子156的資料庫。具體而言,可建立出在不同寬度下,第一超穎原子154與第二超穎原子156對於不同波長的光的反射率、穿透率與吸收率的圖譜。最後,在步驟S540中,決定第一超穎原子154與第二超穎原子156的寬度。具體而言,可根據在步驟S530中所得的圖譜,來決定出第一超穎原子154與第二超穎原子156的寬度,以實現對於第一色光具有高反射率,而對於第二色光、第三色光具有高穿透率的超穎介面150。第3圖的超穎介面150A與第4圖的超穎介面150B的參數也可藉由第5圖的步驟來決定。
第6A圖、第6B圖與第6C圖分別繪示在第5圖的步驟S530中所得的第一超穎原子154與第二超穎原子156對於不同波長的光的反射率、穿透率與吸收率的圖譜。第6A圖、第6B圖與第6C圖的x軸為波長,y軸為超穎原子的寬度,而色階分別在第6A圖、第6B圖與第6C圖中表示反射率、穿透率與吸收率。第一超穎原子154與第二超穎原子156的寬度可透過第6A圖、第6B圖與第6C圖決定。具體而言,第一超穎原子154設計以對於第一色光有高反射率,而對於第二色光有高穿透率,第二超穎原子156設計以對於第一色光有高反射率,而對於第三色光有高穿透率。以第一色光為藍光,第二色光為紅光、第三色光為綠光為例,在一些實施方式中,可在第6A圖、第6B圖與第6C圖找尋出適用於第一超穎原子154與第二超穎原子156的適當寬度,此適當寬度可實現對於第一色光有高(例如高於75%)的反射率,而對於第二色光與第三色光有高(例如高於90%)的穿透率。因此,在此實施方式中,第一超穎原子154的第一寬度W1與第二超穎原子156第二寬度W2相同,如第2圖所示。當第一超穎原子154的第一寬度W1與第二超穎原子156第二寬度W2相同時,製造超穎介面150的製程可相對簡單,例如超穎介面150與像素單元PI之間的對位關係可較寬鬆。
在另一些實施方式中,也可針對第一超穎原子154與第二超穎原子156各自尋找適合的寬度。可在第6A圖、第6B圖與第6C圖找尋出一第一適當寬度與一第二最適當寬度,第一適當寬度可實現對於第一色光有高(例如高於95%)的反射率,而對於第二色光有高(例如高於90%)的穿透率。第二適當寬度可實現對於第一色光有高(例如高於75%)的反射率,而對於第三色光有高(例如高於90%)的穿透率。在此實施方式中,第一適當寬度可適用於第一超穎原子154的第一寬度W1,而第二適當寬度可適用於第二超穎原子156的第二寬度W2。因此,第一超穎原子154的第一寬度W1與第二超穎原子156第二寬度W2可不同,如第3圖所示。如此一來,顯示裝置的第一色光、第二色光可具有適當的穿透率。
第7圖至第13圖繪示本揭露的一些實施方式的製造顯示裝置100的製程的橫截面視圖。在第7圖中,提供第一基板110。第一基板110可為電路板,且第一基板110中具有線路層。
接著,在第8圖中,將發光二極體120的第一發光二極體122、第二發光二極體124與第三發光二極體126排列於第一基板110上。第一發光二極體122、第二發光二極體124與第三發光二極體126皆為相同的發光二極體,亦即第一發光二極體122、第二發光二極體124與第三發光二極體126發出同一種光源。在一些實施方式中,可使用巨量轉移(mass transfer),將第一發光二極體122、第二發光二極體124與第三發光二極體126轉移至第一基板110上。由於第一發光二極體122、第二發光二極體124與第三發光二極體126皆為相同的發光二極體,因此可在同一次巨量轉移中,將所有的發光二極體120轉移至第一基板110上。如此一來,可降低多次巨量轉移所造成的成本提升。
接著,在第9圖中,在第一發光二極體122與第二發光二極體124上分別形成第一波長轉換層132與第二波長轉換層134。具體而言,可在第一發光二極體122上塗佈包含第一量子點的膠體,並在第二發光二極體124上塗佈包含第二量子點的膠體。第一量子點可用於將第一色光轉換成第二色光,第二量子點可用於將第一色光轉換成第三色光。接著,固化膠體,以在第一發光二極體122與第二發光二極體124上分別形成第一波長轉換層132與第二波長轉換層134。
接著,在第10圖中,在第一基板110、第三發光二極體126、第一波長轉換層132與第二波長轉換層134上形成膠層140。膠層140完全覆蓋第一基板110、第一發光二極體122、第二發光二極體124、第三發光二極體126、第一波長轉換層132與第二波長轉換層134。
接著,在第11圖中,放置第二基板152於膠層140上。接著,在第12圖中,在第二基板152上形成超穎原子材料層153。超穎原子材料層153的厚度可在第5圖的步驟S510中決定。在一些實施方式中,超穎原子材料層153為介電材料層(例如為二氧化鈦層)。
接著,在第13圖中,分別在第一波長轉換層132與第二波長轉換層134上形成第一超穎原子154與第二超穎原子156。具體而言,可使用電子束微影、奈米壓印等技術來圖案化超穎原子材料層153,以形成第一超穎原子154與第二超穎原子156。第一超穎原子154與第二超穎原子156是直接由超穎原子材料層153形成,因此第一超穎原子154與第二超穎原子156由單一材料製成,且可在多個區域一次性地形成第一超穎原子154與第二超穎原子156,以降低製造超穎介面150的成本。第一超穎原子154與第二超穎原子156的排列方式可在步驟S520中決定,且第一超穎原子154與第二超穎原子156的寬度可在步驟S520中決定。在第13圖中,第三發光二極體126上的超穎原子材料層153完全被移除,因此在第三發光二極體126上方不存在超穎介面150的超穎原子。第三發光二極體126發出的第一色光可完全穿透超穎介面150。如此一來,可在第一波長轉換層132與第二波長轉換層134上形成超穎介面150。
第14圖繪示在另一些的實施方式的顯示裝置100’的橫截面視圖。顯示裝置100’與顯示裝置100的差別在於顯示裝置100’更包含第三波長轉換層136與第三超穎原子158。具體而言,發光二極體120的第一發光二極體122、第二發光二極體124與第三發光二極體126也可不發出可見光,舉例而言,發光二極體120皆發出紫外光。第一發光二極體122、第二發光二極體124與第三發光二極體126上分別放置第一波長轉換層132、第二波長轉換層134與第三波長轉換層136。第一波長轉換層132用以將紫外光轉換成第二色光,第二波長轉換層134用以將紫外光轉換成第三色光,且第一波長轉換層132用以將紫外光轉換成第一色光。超穎介面150C包含第一超穎原子154、第二超穎原子156與第三超穎原子158。第一超穎原子154可設計以針對第二色光具有高穿透率,且對紫外光具有高反射率。第二超穎原子156可設計以針對第三色光具有高穿透率,且對紫外光具有高反射率。第三超穎原子158可設計以針對第一色光具有高穿透率,且對紫外光具有高反射率。如此一來,超穎介面150D可用於提高顯示裝置100’的光致螢光的效率,以提高顯示裝置的色純度。顯示裝置100’的其他相關細節與顯示裝置100相同,因此不在此贅述。
綜上所述,本揭露的一些實施方式的超穎介面可提供許多好處。舉例而言,超穎介面中的超穎原子可針對不同波長的光做設計,而使得部分的光可穿透超穎介面,而另一部分的光則可被反射。因此,超穎介面可用於將特定波長的光反射回波長轉換層,以增加光致螢光的效率。超穎介面也可用於反射周圍環境的紫外光,以降低紫外光對波長轉換層中的量子點的傷害。此外,超穎介面的超穎原子的製程簡單,且可由單一材料製成,因此可降低顯示裝置的製造成本。
以上所述僅為本揭露之部分實施方式,不是全部之實施方式,本領域普通技術人員通過閱讀本揭露的說明書而對本揭露技術方案採取之任何等效之變化,均為本揭露之權利要求所涵蓋。
100:顯示裝置
100’:顯示裝置
110:第一基板
120:發光二極體
122:第一發光二極體
124:第二發光二極體
126:第三發光二極體
132:第一波長轉換層
134:第二波長轉換層
136:第三波長轉換層
140:膠層
150:超穎介面
150A:超穎介面
150B:超穎介面
150C:超穎介面
152:第二基板
154:第一超穎原子
156:第二超穎原子
158:第三超穎原子
D1:第一方向
D2:第二方向
D3:第三方向
L1:第一色光
L2:第二色光
L3:第三色光
H:高度
PI:像素單元
P1:固定周期
P2:固定周期
R:區域
S510:步驟
S520:步驟
S530:步驟
S540:步驟
UC1:第一單元格
UC1’:第一單元格
UC2:第二單元格
UC2’:第二單元格
W1:第一寬度
W2:第二寬度
第1圖繪示本揭露的一些實施方式的顯示裝置的橫截面視圖。
第2圖繪示本揭露的一些實施方式的超穎介面在第1圖的區域R中的立體圖。
第3圖繪示本揭露的另一些實施方式的超穎介面的立體圖。
第4圖繪示本揭露的另一些實施方式的超穎介面的立體圖。
第5圖繪示本揭露的一些實施方式的決定超穎介面的第一超穎原子與第二超穎原子的參數的流程圖。
第6A圖、第6B圖與第6C圖分別繪示在第5圖的步驟中所得的第一超穎原子與第二超穎原子對於不同波長的光的反射率、穿透率與吸收率的圖譜。
第7圖至第13圖繪示本揭露的一些實施方式的製造顯示裝置的製程的橫截面視圖。
第14圖繪示在另一些的實施方式的顯示裝置的橫截面視圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100:顯示裝置
110:第一基板
120:發光二極體
122:第一發光二極體
124:第二發光二極體
126:第三發光二極體
132:第一波長轉換層
134:第二波長轉換層
140:膠層
150:超穎介面
152:第二基板
154:第一超穎原子
156:第二超穎原子
L1:第一色光
L2:第二色光
L3:第三色光
PI:像素單元
R:區域
Claims (10)
- 一種顯示裝置,包含: 一第一基板; 複數個發光二極體,排列於該第一基板上,該些發光二極體發出一第一色光,且該些發光二極體包含一第一發光二極體、一第二發光二極體與一第三發光二極體; 一第一波長轉換層,在該第一發光二極體上,配置以將該第一發光二極體發出的該第一色光轉換成一第二色光,且該第一色光與該第二色光為不同色光; 一超穎介面,位於該第一波長轉換層上,配置以反射該第一色光並讓該第二色光通過。
- 如請求項1所述之顯示裝置,其中該超穎介面包含: 一第二基板,位於該第一波長轉換層上; 複數個第一超穎原子,排列於該第一波長轉換層與該第二基板上,該些第一超穎原子具有相同的一高度與相同的一第一寬度,且該些第一超穎原子以一固定周期排列。
- 如請求項2所述之顯示裝置,更包含: 一第二波長轉換層,在該第二發光二極體上,配置以將該第二發光二極體發出的該第一色光轉換成一第三色光,且該第一色光、該第二色光與該第三色光為不同色光。
- 如請求項2至3任一項所述之顯示裝置,其中該超穎介面的該第二基板更位於該第二波長轉換層上,且該超穎介面更包含: 複數個第二超穎原子,排列於該第二波長轉換層與該第二基板上,該些第二超穎原子具有相同的該高度與相同的一第二寬度,且每一該些第二超穎原子位於一第二單元格中,該些第二單元格以該固定周期排列,其中該第二寬度與該第一寬度相同。
- 如請求項2至3任一項所述之顯示裝置,其中該超穎介面的該第二基板更位於該第二波長轉換層上,且該超穎介面更包含: 複數個第二超穎原子,排列於該第二波長轉換層與該第二基板上,該些第二超穎原子具有相同的該高度與相同的一第二寬度,且每一該些第二超穎原子位於一第二單元格中,該些第二單元格以該固定周期排列,其中該第二色光的波長大於該第三色光的波長,且該第一寬度大於該第二寬度。
- 如請求項3所述之顯示裝置,其中該第一發光二極體、該第一波長轉換層、該第二發光二極體、該第二波長轉換層與該第三發光二極體構成一像素單元。
- 如請求項2所述之顯示裝置,其中該些第一超穎原子沿著一第一方向排列,且該些第一超穎原子在該第一方向上不互相對齊。
- 如請求項2至3任一項所述之顯示裝置,其中在該第三發光二極體上方不存在該超穎介面的該些第一超穎原子。
- 如請求項1至3任一項所述之顯示裝置,其中該第一波長轉換層在該超穎介面與該第一發光二極體之間。
- 如請求項1至3任一項所述之顯示裝置,更包含一膠層,在該第一波長轉換層與該超穎介面之間。
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TW111133747A TW202411972A (zh) | 2022-09-06 | 2022-09-06 | 顯示裝置 |
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TW111133747A TW202411972A (zh) | 2022-09-06 | 2022-09-06 | 顯示裝置 |
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- 2022-09-06 TW TW111133747A patent/TW202411972A/zh unknown
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2023
- 2023-08-14 US US18/448,988 patent/US20240079536A1/en active Pending
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