TW202411962A - 電子裝置及其製造方法、發光裝置、顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
[課題] 提供達到緊湊化，且製造容易性佳的電子裝置。
[解決手段] 電子裝置具有絕緣性薄膜基板、薄膜裝置、及貫通導孔。絕緣性薄膜基板具有第1主面、及其相反側的第2主面。薄膜裝置包含形成於絕緣性薄膜基板的第1主面的金屬層。貫通導孔從金屬層之中的第1部分貫通絕緣性薄膜基板至少延伸至第2主面。
Description
本揭示係有關於具有薄膜裝置的電子裝置及其製造方法、發光裝置、顯示裝置。
至今，提案在於表面形成複數有機EL元件的基板背面設置驅動電路基板，經由貫通基板的連接層進行複數有機EL元件與驅動電路基板的電連接的有機EL顯示裝置(例如專利文獻1參照)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 特開2001-92381號公報
[發明所欲解決的問題]
還有，最近，要求具有複數薄膜裝置的電子裝置的小型化及輕量化。
因此，期望達到緊湊化，且製造容易性佳的電子裝置。
[解決問題的手段]
作為本揭示的一實施形態的電子裝置具有絕緣性薄膜基板、薄膜裝置、及貫通導孔。絕緣性薄膜基板包含第1主面、及該第1主面相反側的第2主面。薄膜裝置包含形成於絕緣性薄膜基板的第1主面的金屬層。貫通導孔從金屬層之中的第1部分貫通絕緣性薄膜基板延伸至第2主面。
作為本揭示的一實施形態的電子裝置中，因為在絕緣性薄膜基板設置薄膜裝置，有利於全體構造的薄型化及輕量化。又，在絕緣性薄膜基板設置貫通導孔時的貫通孔形成是容易的。
以下，參照圖式詳細說明有關本揭示的實施形態。此外，由以下的順序進行說明。
1.第1實施形態(發光裝置)
2.第2實施形態(液晶顯示裝置)
3.其他變形例
＜1.第1實施形態＞
[1.1 構造]
圖1A為表示作為能適用本技術的顯示系統之一例，具備拼接顯示器的顯示系統100的構造例的示意圖。
顯示系統100為在例如將複數顯示模組151配置成拼接狀構成的大型直視型LED顯示器顯示視訊內容者。顯示系統100具備個人電腦(PC)130、視訊伺服器131、電視牆控制器132、電視牆133。
PC130是一般的泛用電腦。PC130，受理使用者的操作輸入，將對應操作內容的指令對電視牆控制器132供應。
視訊伺服器131例如由伺服器電腦等構成。視訊伺服器131，將視訊內容等的影像信號的資料供應至電視牆控制器132。
電視牆控制器132，因應從PC130供應的指令動作，將由視訊內容的影像信號構成的資料，分配至構成電視牆133的顯示單元151-1〜151-n並顯示。此外，本說明書中，未各別區分顯示模組151-1〜151-n的情形，會單稱為顯示模組151。
電視牆133，如圖1A的右上所示，具有由發光二極體(LED)構成的畫素陣列狀配列的顯示模組151-1〜151-n。電視牆133，藉由各個顯示單元151顯示的影像組合成拼接狀，作為電視牆133的全體顯示1枚影像。此外，電視牆控制器132與電視牆133是作為一體的構造也可以。此外，電視牆控制器132與電視牆133是作為一體的顯示器裝置也可以。
圖1B為表示顯示系統100的一部分的構成要素的詳細構造例的區塊圖。具體上，圖1B為表示電視牆控制器132及顯示模組151的詳細構造例的區塊圖。
電視牆控制器132具備LAN端子171、HDMI (註冊商標)端子172、DP端子173、及DVI端子174的各端子。又，電視牆控制器32具備網路IF(Interface)175、MPU176、信號輸入IF177、信號處理部78、DRAM179、信號分配部180、及輸出IF181-1〜181-n。
LAN(Local Area Network)端子171例如是LAN電纜等的連接端子。LAN端子171，實現與將因應使用者的操作內容的控制指令等供應至電視牆控制器132的PC130的通信，經由網路IF175，將輸入的控制指令等供應至MPU176。
LAN端子171，為有線的LAN電纜物理連接的構造也可以、藉由無線通信實現的由所謂無線LAN連接的構造也可以。
MPU(Micro Processor Unit)176，經由LAN端子171、及網路IF175，受理由PC130供應的控制指令的輸入，將因應該控制指令的控制信號供應至信號處理部178。
HDMI(註冊商標)(High Definition Multimedia Interface)端子172、DP(Display ort)端子173、及DVI (Digital Visual Interface)端子174都是由影像信號形成的資料的輸入端子。HDMI(註冊商標)端子172、DP端子173、及DVI端子174都與作為視訊伺服器131發揮機能的伺服器電腦連接，經由信號輸入IF177，對信號處理部178供應由影像信號組成的資料。此外，電視牆控制器132具備基於SDI(Serial Digital Interface)端子等的其他規格的輸入端子也可以。
圖1B中，例示視訊伺服器131與HDMI(註冊商標)端子172連接之例。HDMI(註冊商標)端子172、DP端子173、及DVI端子174都僅有規格不同，基本上具備同樣的機能。因此，因應必要選擇其任一者連接。
信號處理部178，基於由MPU176供應的控制信號，調整由經由信號輸入IF177供應的影像信號組成的資料的色溫度、對比度、亮度等，供應至信號分配部180。此時，信號處理部178，因應必要使用連接的DRAM (Dynamic Random Access Memory)179，將由影像信號組成的資料展開，執行基於控制信號的信號處理，將信號處理結果供應至信號分配部180。
信號分配部180，將由信號處理部178供應的由進行信號處理後的影像信號組成的資料進行分配，經由輸出IF181-1〜181-n，對顯示模組151-1〜151-n個別分配。
顯示模組151具備驅動器控制部191與LED區塊192。驅動器控制部191，對於構成LED區塊192的複數LED驅動器921-1〜921-N，供應由控制構成LED陣列922-1〜922-N的LED的發光的影像信號形成的資料。驅動器控制部191具備信號輸入IF911、信號處理部912、及輸出IF913-1〜913-N。
信號輸入IF911受理由電視牆控制器132供應的影像信號的資料的輸入供應至信號處理部912。
信號處理部912，基於由信號輸入IF911供應的影像信號的資料，施予每個顯示模組151的顏色的補正及亮度的補正，生成用來設定構成LED陣列922-1〜922-N的各LED的發光強度的資料。生成的資料，經由輸出IF913-1〜913-N，對LED區塊192的LED驅動器921-1〜921-N分配。
LED區塊192具備LED驅動器921-1〜921-N、及LED陣列922-1〜922-N。
以下，有將LED驅動器921-1〜921-N單稱為LED驅動器921、將LED陣列922-1〜922-N單稱為LED陣列922的情形。
LED驅動器921，基於由驅動器控制部191供應的設定LED的發光強度的資料，使配列於對應的LED陣列922的LED驅動，將發光進行PWM(Pulse Width
Modulation)控制。
圖2為表示顯示模組151的構造的平面圖。顯示模組151，如圖2所示，LED陣列922在PCB(Printed Circuit Board)基板961的前面以陣列狀配置構成。LED陣列922的各者構成顯示模組151中的畫素。
在LED陣列922搭載微米單位的超小型LED的由μ-LED構成的LED晶片941R、941G、941B。分別構成LED晶片941R、941G、941B的μ-LED(微LED)是分別發出紅色、綠色、藍色的光的發光元件。LED晶片941R、941G、941B分別是構成顯示模組151中的單位畫素的子畫素。
接著，參照圖3A及圖3B，說明關於顯示模組151的詳細構造。圖3A為顯示模組151的示意圖。顯示模組151具備顯示面板210、驅動控制顯示面板210的控制電路220。圖3B為表示顯示面板210的一部分的剖面圖。
顯示模組151為稱為所謂LED顯示器者，作為顯示畫素使用LED。顯示面板210也是對應本揭示的「電子裝置」的一具體例。如圖3A所示，顯示面板210為相互重合實裝基板210A、及對向基板210B者。對向基板210B的表面(與實裝基板210A相反側的面)成為影像顯示面，在中央部分具有顯示區域，其周圍具有非顯示區域即框區域。對向基板210B例如隔著預定的間隙，配置於與實裝基板210A對向的位置。此外，對向基板210B接觸實裝基板210A的上面也可以。對向基板210B，例如具有透過可見光的光透過性的基板，例如具有玻璃基板、透明樹脂基板、或透明樹脂薄膜等。
實裝基板210A例如具有光源單元10、電路基板20、及實裝部品56。電路基板20與對向基板210B的裏面機械接合。電路基板20藉由複數連接部50，也與對向基板210B電連接。
如圖3B所示，光源單元10具有作為光源基板的絕緣性薄膜基板1、及複數光源2。如圖3B所示，絕緣性薄膜基板1具有表面1FS、及相對於表面1FS在厚度方向(Z軸方向)的相反側的裏面1BS。複數光源2設於絕緣性薄膜基板1的表面1FS。電路基板20設於絕緣性薄膜基板1的裏面1BS側。
對向基板210B具有包含驅動元件41的薄膜裝置4。驅動元件41設於例如光源單元10的絕緣性薄膜基板1。對向基板210B如圖3B所示，例如更具備樹脂層61也可以。又，在光源單元10與樹脂層61之間設置透明封裝層60也可以。封裝層60，例如藉由矽氧樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂等有機膜、Si系化合物膜(SiNx、SiOx、SiONx、SiOCx)及TEOS膜等無機膜構成。封裝層60，具有上述有機膜或無機膜的單層構造、或其等層積構造。是上述有機膜與無機膜的複合膜也可以。無機膜，例如能夠藉由ALD(Atomic Layer Deposition)法或CVD(Chemical Vapor Deposition)法形成。
(光源單元10)
光源單元10如圖3B所示，具有絕緣性薄膜基板1、複數光源2、薄膜裝置4及絕緣層4Z、樹脂層5。絕緣性薄膜基板1例如是由樹脂等有機材料形成的具有電絕緣性的薄膜狀構件，具有可撓性即可。作為絕緣性薄膜基板1，例如能夠使用由PI(聚醯亞胺)、PET(聚對苯二甲酸)、PC(聚碳酸酯)、PEN(聚萘二甲酸)、PEI(聚醚醯亞胺)、COP(環烯烴聚合物)、LCP(液晶聚合物)、或氟樹脂等形成的樹脂製薄膜。或者，作為絕緣性薄膜基板1，使用在鋁(Al)等金屬基底基板的表面形成聚醯亞胺或環氧系等絕緣性樹脂層者也可以。再來，作為絕緣性薄膜基板1，使用以FR4為代表的玻璃環氧樹脂或以CEM3為代表的玻璃複合物樹脂等的玻璃含有樹脂形成的薄膜基材也可以。絕緣性薄膜基板1具有作為第1主面的表面1FS、及作為第2主面的裏面1BS。在絕緣性薄膜基板1的表面1FS，實裝設於絕緣層4Z的複數薄膜裝置4及複數光源2。薄膜裝置4，包含配線層及薄膜電晶體之中的至少一種。本實施形態中，薄膜裝置4，包含薄膜電晶體即驅動元件41。
圖4為再擴大表示圖3B所示的光源單元10的一部分表示的擴大剖面圖。如圖4所示，薄膜裝置4，更包含設於絕緣性薄膜基板1的表面1FS的金屬層40、選擇層積於金屬層40之中的重疊部分40A的配線層42。配線層42是能例如由與金屬層40相同材料構成的追加金屬層。此外，配線層42的厚度能夠比金屬層40的厚度還厚。又，在絕緣性薄膜基板1的裏面1BS，對向配置電路基板20(圖3B參照)。如圖3B所示，電路基板20之中，在與絕緣性薄膜基板1的裏面1BS對向的表面20FS形成配線層51，在與表面20FS相反側的裏面20BS形成配線層52。配線層51與配線層52，藉由將電路基板20在Z軸方向貫通的貫通導孔20V連接。
如同前述，光源單元10經由連接部50與電路基板20連接。具體上，設於絕緣性薄膜基板1的驅動元件41，經由金屬層40、貫通絕緣性薄膜基板1的貫通導孔10V、設於貫通導孔10V的前端的導電性材料層54，連接至設在電路基板20的表面20FS的配線層51。貫通導孔10V，在金屬層40之中，以從與配線層42重合的重疊部分40A貫通絕緣性薄膜基板1在裏面1BS露出的方式，在Z軸方向延伸。此外，貫通導孔10V，能夠在例如藉由雷射加工絕緣性薄膜基板1將裏面1BS的預定區域選擇地深挖形成通孔後，藉由導電性材料埋填該通孔而形成。此時，形成於表面1FS的金屬層40及配線層42成為蝕刻停止器。
再來，於電路基板20的裏面20BS設置實裝部品56。實裝部品56，經由導電性材料層55，連接至設於裏面20BS的配線層52。
(光源2及薄膜裝置4)
複數光源2設於絕緣性薄膜基板1的表面1FS。在絕緣性薄膜基板1的表面1FS，以1或2以上的每個光源2能夠獨立進行發光控制的方式，形成具有預定圖案形狀的複數配線42。藉由複數配線42，能夠進行複數光源2的顯示控制。驅動元件41為進行各光源2的驅動(亦即點亮及熄滅)的驅動IC。
驅動元件41例如是底閘極型薄膜電晶體。驅動元件41例如包含閘極電極41G、閘極絕緣膜41Z、半導體層41SC、源極電極41S、汲極電極41D、保護膜41P。本實施形態中，金屬層40與汲極電極41D一體設置。但是，金屬層40形成與閘極電極41G同階層也可以。
閘極電極41G，藉由施加至驅動元件41的閘極電壓控制半導體層41SC的載體密度。閘極電極41G，例如由Mo(鉬)、Al(鋁)及鋁合金之中的1種以上構成。閘極電極41G可以是單層膜、也可以是多層膜。
閘極絕緣膜41Z由SiO
2、Si
3N
4、SiON(氮氧化矽)、及氧化鋁(Al
2O
3)之中的1種以上構成。閘極絕緣膜41Z可以是單層膜、也可以是多層膜。
半導體層41SC，將例如Si(矽)、In(銦)、Ga(鎵)、Zn(鋅)、Sn(錫)、Al(鋁)及Ti(鈦)之中的至少1種氧化物作為主成份包含。作為包含矽的材料，有非晶矽或低溫多晶矽等。半導體層41SC，藉由閘極電壓的施加在源極電極41S與汲極電極41D之間形成通道。
源極電極41S與汲極電極41D，例如由Mo(鉬)、Al(鋁)、Cu(銅)、Ti(鈦)、ITO及TiO之中的1種以上形成。源極電極41S與汲極電極41D分別是單層膜也可以、多層膜也可以。
絕緣層4Z以聚醯亞胺等有機材料構成。
如圖4所示，光源單元10更具有緩衝層10BL也可以。緩衝層10BL設於絕緣性薄膜基板1的表面1FS、與薄膜裝置4之間。緩衝層10BL由有機材料形成也可以、由無機材料形成也可以。作為構成緩衝層10BL的有機材料，能夠使用聚醯亞胺、丙烯酸、環氧、或矽氧等絕緣性樹脂。又，作為構成緩衝層10BL的無機材料，例如有SiNx(氮化矽)、SiOx(氧化矽)、SiON(氮氧化矽)、Al
2O
3(氧化鋁)或TEOS(原矽酸四乙酯)等無機絕緣材料。藉由設置緩衝層10BL，能夠防止透過絕緣性薄膜基板1的水蒸氣浸入薄膜裝置4。又，絕緣性薄膜基板1因吸濕產生撓曲或波紋等變形的情形，藉由設置緩衝層10BL，能夠防止絕緣性薄膜基板1的吸濕所致的變形。再來，絕緣性薄膜基板1，例如與玻璃基板等比較，表面1FS的損傷及凹凸顯著存在的情形較多。因此，藉由同樣覆蓋表面1FS的方式設置緩衝層10BL，能夠形成平滑的表面。藉由在平滑的緩衝層10BL設置驅動元件41，能夠期待驅動元件41的性能的穩定性提升。
配線層42，是在絕緣性薄膜基板1例如貼附銅箔後，使用光微影法進行圖案加工者。或者，配線層42是使用鍍膜或真空成膜製膜技術在絕緣性薄膜基板1形成金屬膜後使用光微影法進行圖案加工者也可以。再來，配線層42是藉由如網版印刷或噴墨法的印刷方法形成者也可以。作為配線層42的構成材料，例如是銅(Cu)、鋁(Al)或銀(Ag)、或其等的合金等。但是，配線層42具有例如1μm以上的厚度即可。因為用以形成藉由貫通導孔10V填充的通孔的雷射加工等的蝕刻處理時，會使其成為蝕刻停止器。因此，為了有效形成更大厚度的配線層42，配線層42具有金屬的薄膜即第1層421、及厚度比第1層421還大的金屬層即第2層422的層積構造即可。例如第1層421為鍍膜基底層，第2層422為藉由將第1層421作為鍍膜基底層使用的鍍膜處理形成的鍍膜層也可以。
(樹脂層5)
樹脂層5，例如為透明絕緣膜(丙烯酸系或環氧系)、黑色絕緣膜(在丙烯酸系或環氧系材料混合黑碳等黑色粒子者)、或在無機絕緣膜之上層積黑色絕緣膜的層積膜等。樹脂層5，盡可能使來自光源2的光透過、或盡可能不反射來自光源2的光即可。
(光源2的詳細)
圖5為表示圖1所示的光源2的一構造例的擴大剖面圖。如圖5所示，光源2具有發光元件21。發光元件21，例如具有包含發光體的半導體層23、及半導體層23與透明層24。
透明層24例如由藍寶石或碳化矽(SiC)等構成。半導體層23，例如，是從透明層24側依序層積n型半導體層、活性層、及p型半導體層者。n型半導體層例如藉由n型氮化物半導體(例如n型GaN)構成。活性層，例如藉由具有量子阱構造的氮化物半導體(例如n型GaN)構成。p型半導體層例如藉由p型氮化物半導體(例如p型GaN)構成。半導體層23例如由發出藍色光(例如波長440nm〜460nm)的藍色LED(Light Emitting Diode；發光二極體)構成。
如圖5所示，發光元件21中，從半導體層23的活性層發出的光L，透過透明層24向上方行進。
此外，光源2，更具備以覆蓋發光元件21的方式具有例如圓頂形狀(半球形狀)的封裝透鏡。
又，在封裝層60之上，選擇設置樹脂層61與樹脂層62也可以。在樹脂層61及樹脂層62，在Z軸方向光源2重合的區域設置，不阻害來自光源2的光L的透過。樹脂層61例如由遮光性高的黑色樹脂形成。樹脂層62是保護樹脂層61的保護層，能夠使用硬度高且反射率低的環氧樹脂、丙烯酸樹脂、或聚氨酯樹脂。不設置樹脂層61及樹脂層62也可以。
(電路基板20)
電路基板20為將光源單元10電性及機械地連結，進行光源單元10與電源電路或驅動電路等的中繼的構件。薄膜電路基板20例如可以藉由與絕緣性薄膜基板1同樣具有可撓性的薄膜構件構成。作為電路基板20的構成材料，能夠使用與絕緣性薄膜基板1同樣者。亦即，作為電路基板20，例如能夠使用由PI(聚醯亞胺)、PET(聚對苯二甲酸)、PC(聚碳酸酯)、PEN(聚萘二甲酸)、PEI(聚醚醯亞胺)、LCP(液晶聚合物)、或氟樹脂等形成的樹脂製薄膜。或者，作為電路基板20，使用在鋁(Al)等金屬基底基板的表面形成聚醯亞胺或環氧系等絕緣性樹脂層者也可以。再來，作為電路基板20，使用以FR4為代表的玻璃環氧樹脂或以CEM3為代表的玻璃複合物樹脂等的玻璃含有樹脂形成的薄膜基材也可以。在電路基板20的表面20FS(亦即與絕緣性薄膜基板1對向的面)形成複數配線層52。又，在電路基板20的裏面20BS(亦即與絕緣性薄膜基板1相反側的面)形成複數配線53。如同前述，配線52與配線53例如經由貫通導孔20V相互導通。
又，中繼基板20經由導電性材料層54與光源單元10接合。具體上，例如以貫通導孔10V、與設於電路基板20的表面20FS的配線層51包夾導電性材料層54的方式接合。此外，光源單元10與電路基板20在複數位置經由導電性材料層54接合即可。因為光源單元10與電路基板20在多點相互連接，光源單元10相對於電路基板20能夠更穩定地保持。又，因為能夠確保複數光源單元10與電路基板20的信號傳達經路及電力供應經路等的通道，能夠具有更多機能。因為相同理由，關於實裝部件56也與電路基板20在複數位置經由導電性材料層55接合即可。又，作為導電性材料層54、55的構成材料，例如適合使用導電性糊料及焊料、或異方導電性黏著劑(ACA)。
[1.2 製造方法]
接著，參照圖6A〜6L說明有關顯示面板210的實裝基板210A的製造方法。
首先，如圖6A所示，在絕緣性薄膜基板1的裏面1BS藉由黏著劑等貼合支持體SP1。支持體SP1例如由玻璃、石英、矽、或陶瓷等高剛性材料形成即可。其中，一樣以將絕緣性薄膜基板1的表面1FS覆蓋的方式形成緩衝層10BL。形成緩衝層10BL前，將表面1FS洗淨也可以。作為洗淨的方法，有水洗、有機洗淨、超音波洗淨、UV(紫外光)洗淨、及臭氧洗淨等。形成緩衝層10BL前，再進行預定的前處理也可以。具體上，能夠進行用以使表面1FS與緩衝層10BL的密著性提升的UV處理、電漿處理、或矽烷偶合劑的塗佈處理等。作為緩衝層10BL的形成方法，藉由樹脂材料形成的情形，例如能夠使用狹縫塗佈、網版印刷、凹版印刷、旋轉塗佈、或噴霧塗佈等。藉由無機材料形成緩衝層10BL的情形，除了上述各種方法還能夠使用CVD(化學氣相沉積)法、PVD(物理氣相成長)法、ALD (原子層沉積)法、濺鍍法等。再來，因應必要將緩衝層10BL進行加熱處理也可以。形成緩衝層10BL後，在緩衝層10BL上的預定位置選擇形成閘極電極41G。
接著，如圖6B所示，依序形成閘極絕緣膜41Z、半導體層41SC、源極電極41S及汲極電極41D、保護膜41P、絕緣層4Z。與源極電極41S及汲極電極41D的形成同時，也進行與汲極電極41D一體化的金屬層40的形成。
接著，如圖6C所示，藉由將絕緣層4Z及保護膜41P的一部分區域選擇除去，形成貫通絕緣層4Z及保護膜41P的開口K4Z。藉此，露出金屬層40的重疊部分40A。
接著，如圖6D所示，以全面覆蓋絕緣層4Z及金屬層40的露出部分的方式，例如藉由濺鍍法等形成第1層421。其中，如圖6E所示，由將第1層421作為鍍膜基底層使用的鍍膜法，在第1層421層積第2層422，形成層積膜。此時，以填埋開口K4Z的方式形成第2層422。再來，如圖6F所示，將第1層421與第2層422的層積膜例如藉由光微影法等進行圖案化得到配線層42。此外，配線層42的厚度較佳為2μm以上。
接著如圖6G所示，依序形成樹脂層5、光源2、封裝層60、樹脂層61、及樹脂層62。再來，在樹脂層62表面，藉由黏著劑貼合支持體SP2。支持體SP2例如由玻璃、石英、矽、或陶瓷等高剛性材料形成即可。
接著如圖6H所示，將支持體SP1從絕緣性薄膜基板1的裏面1BS剝離後，將裏面1BS的預定區域選擇除去，形成貫通孔10H。貫通孔10H的形成能夠藉由雷射照射來進行。
更詳細如圖6I所示，與汲極電極41D一體化的金屬層40之中，在重疊部分40A與Z軸方向重合的位置形成貫通孔10H。圖6I為將與圖6H相同工程中的製造途中的光源單元10的剖面構造的一部分擴大表示的擴大剖面圖。貫通孔10H，連通貫通絕緣性薄膜基板1的第1貫通孔10H1、與貫通緩衝層10BL及閘極絕緣膜41Z的第2貫通孔10H2。此外，形成貫通孔10H時，藉由第1雷射照射條件形成第1貫通孔10H1後，能夠藉由與第1雷射照射條件不同的第2雷射照射條件形成第2貫通孔10H1。或者，藉由相同雷射照射條件，在第1貫通孔10H1的形成後，接著形成第2貫通孔10H2，得到貫通孔10H也可以。例如絕緣性薄膜基板1及緩衝層10BL雙方由有機材料形成的情形，能夠藉由奈秒雷射，將第1貫通孔10H1及第2貫通孔10H2以相同雷射照射條件連續形成。但是，絕緣性薄膜基板1由有機材料形成，緩衝層10BL由無機材料形成的情形，以奈秒雷射難以將第1貫通孔10H1及第2貫通孔10H2連續形成。在此，能夠藉由將例如皮秒雷射(短脈衝雷射)依序照射絕緣性薄膜基板1及緩衝層10BL，在絕緣性薄膜基板1及緩衝層10BL雙方產生多光子吸收，將第1貫通孔10H1與第2貫通孔10H2連續形成。將貫通孔10H藉由雷射照射形成的情形，配線層42作為蝕刻停止器發揮機能。
形成貫通孔10H後，如圖6J所示，藉由在貫通孔10H填充導電性材料形成貫通導孔10V。
形成貫通導孔10V後，如圖6K所示，準備在裏面20BS設置實裝部件56的電路基板20。在電路基板20的表面20FS，預先將導電性填料包含於絕緣性樹脂的內部的黏接材料54Z，以覆蓋配線層51的方式塗佈。
接著，如圖6L所示，以在貫通導孔10V的前端部與配線層51之間包夾異方導電性黏著劑54Z的方式，將電路基板20壓附至絕緣性薄膜基板1。藉此，在貫通導孔10V的前端部與配線層51之間被壓碎的異方導電性黏著劑54Z成為導電性材料層54，在絕緣性薄膜基板1接合電路基板20。
圖7A〜圖7C為表示實裝基板210A之中的導電性材料層54的形成過程的剖面圖。首先，如圖7A所示，使光源單元10的貫通導孔10V的前端部與電路基板20的配線層51對向。此外，在配線層51的周圍，形成厚度比配線層51的厚度還大的厚度絕緣層20Z。接著，如圖7B所示，在配線層51及絕緣層20Z之上塗佈異方導電性黏著劑54Z。此外，以覆蓋貫通導孔10V的前端部及絕緣性薄膜基板1的裏面1BS的方式形成異方導電性黏著劑54Z也可以。最後，以在貫通導孔10V的前端部與配線層51之間包夾異方導電性黏著劑54Z的方式進行加壓，如圖7C所示形成導電性材料層54。其結果，接合光源單元10與電路基板20。藉由以上，形成導電性材料層54，完成連接部50。
藉由經由該工程，完成實裝基板210A。其中，將對向基板210B層積在實裝基板210A，顯示面板210完成。
此外，如圖8所示，實裝基板210A中，貫通導孔10V中的X軸方向的尺寸10VX及Y軸方向的尺寸10VY，比對向配線層51的露出部分中的X軸方向的尺寸51X及Y軸方向的尺寸51Y還小較佳。圖8為示意表示XY面內的貫通導孔10V與配線層51的露出部分的位置關係的一例的概略平面圖。實裝基板210A中，例如，尺寸51X為尺寸10VX的1.5倍以上3倍以下較佳、尺寸51Y為尺寸10VY的1.5倍以上3倍以下較佳。如此，使貫通導孔10V的XY面內的尺寸比配線層51的露出部分的XY面內的尺寸還小，能夠確保光源單元10與電路基板20的在XY面內的對位時的邊界。此外，圖8中，雖例示尺寸10VX及尺寸10VY相互幾乎相等，尺寸51X及尺寸51Y相互幾乎相等的情形，但本揭示不限於此。亦即，貫通導孔10V的平面形狀及配線層51的露出部分的平面形狀，不限於都是略正方形狀的情形，是略矩形狀也可以。或者，該等平面形狀是圓角的矩形狀也可以、略圓形狀或略橢圓形狀也可以。
[1.2 作用]
本實施形態的顯示面板210中，因為使用絕緣性薄膜基板1，與使用玻璃基板的情形相比，薄型化及輕量化較有利。又，利用貫通導孔10V確保從絕緣性薄膜基板1的裏面1BS到薄膜裝置4的電連接經路。因此，不必在絕緣性薄膜基板1的表面1FS的發光區域周邊設置配線即可。因此，例如配列複數具備顯示面板210的顯示模組151，能夠形成無縫，且更大的顯示區域。
又，顯示面板210中，藉由將金屬層40作為蝕刻停止器使用的雷射加工等的蝕刻加工，能夠將之後填充貫通導孔10V而成的貫通孔10H形成於絕緣性薄膜基板1。因此，即便是微細尺寸的貫通導孔10V，也適合將貫通導孔10V在確保高位置精度且高尺寸精度的同時容易形成。
又，顯示面板210中，因為金屬層40與汲極電極41D一體形成，相較於個別形成金屬層40的情形，製造工程簡略化。此外，本實施形態中，將金屬層40與源極電極41S一體形成也可以。
又，顯示面板210中，更包含在金屬層40之中的重疊部分40A選擇層積的配線層42。亦即，從金屬層40的重疊部分40A觀察，在與絕緣性薄膜基板1相反側設置配線層42。因此，在將貫通孔10H進行蝕刻加工時，能夠將配線層42作為蝕刻停止器使用。因此，藉由設置配線層42，因為不必將金屬層40作為蝕刻停止器設成適合的厚度即可，能夠將金屬層40的厚度、及與金屬層40總括形成的汲極電極41D及源極電極41S的各者的厚度設為更薄。
又，顯示面板210中，更具有設在絕緣性薄膜基板1的表面1FS、與薄膜裝置4之間的緩衝層10BL。因此，即便在表面1FS存在損傷及凹凸，藉由設置緩衝層10BL，能夠形成平滑的表面。藉由在具有平滑的表面的緩衝層10BL之上設置驅動元件41，能夠期待驅動元件41的性能的穩定性提升。特別是藉由無機材料構成緩衝層10BL的情形，相較於藉由有機材料構成緩衝層10BL的情形，更容易得到平滑的表面。
又，製造顯示面板210的過程中，藉由照射短脈衝雷射在絕緣性薄膜基板1及緩衝層10BL雙方產生多光子吸收，將第1貫通孔10H1與第2貫通孔10H2連續形成也可以。這種情形中，能夠縮短製造工程的交貨時間。
又，顯示面板210中，光源單元10與電路基板20經由導電性材料層54接合。因此，與例如經由連接器接合的情形相比較，能夠達到光源單元10與電路基板20的各者的連接部分的簡單化、小型化、薄型化及輕量化。因此，與使用連接器的情形相比較，顯示面板210的小型化成為可能，能夠使每單位區域的光源2之數增加。亦即，能夠實現複數光源2的高積體化。又，與使用連接器的情形相比較，也提升了製造容易性。特別是在顯示面板210中，將光源單元10與電路基板20分別在複數位置經由導電性材料層54接合。藉此光源單元10與電路基板20在多點相互連接，光源單元10相對於電路基板20能夠更穩定地保持。又，因為能夠確保複數各光源單元10與電路基板20的信號傳達經路及電力供應經路等的通道，能夠使顯示面板210具有更多機能。
又，顯示面板210中，因為顯示面板210具有可撓性、或絕緣性薄膜基板1及電路基板20的雙方具有可撓性，例如能夠實現具有彎曲的畫面的顯示系統100。
[1.3 效果]
如同以上，根據本實施形態的顯示面板210，因為在絕緣性薄膜基板1設置薄膜裝置4，能夠達到全體構造的薄型化及輕量化。又，在絕緣性薄膜基板1設置貫通導孔10V時的貫通孔10H的形成是容易的。因此，能夠實現緊湊化，同時製造容易性的顯示面板210。再來，能夠將複數光源以更高密度配置，同時發揮良好的發光性能。
[1.4 第1實施形態的變形例]
(第1變形例)
圖9為表示第1實施形態的第1變形例的光源單元10A的一構造例的剖面圖。上述第1實施形態的光源單元10中，例示驅動元件41為底閘極型薄膜電晶體的情形。相對於此，作為本變形例的光源單元10A中，驅動元件41為頂閘極型薄膜電晶體。具體上，光源單元10A的驅動元件41，具有在形成於絕緣性薄膜基板1的緩衝層10BL之上，依序形成半導體層41SC、閘極絕緣膜41Z、及閘極電極41G的構造。此外，閘極電極41G被保護膜41P覆蓋。又，源極電極41S及汲極電極41D，設於保護膜41P之上，源極電極41S的一部分及汲極電極41D的一部分在Z軸方向延伸連接至半導體層41SC。再來，光源單元10A的驅動元件41，取代金屬層40而具有金屬層43。金屬層43形成在閘極電極41G相同階層(亦即閘極絕緣膜)之上。金屬層43，在XY面內設於與閘極電極41G不同的區域。圖10的光源單元10A中，在Z軸方向，於金屬層43之上，經由汲極電極41D層積配線層42。此外，光源單元10A中，在金屬層43之上，經由源極電極41S層積配線層42也可以。光源單元10A中也一樣，能夠將配線層42作為形成貫通孔10H時的蝕刻停止器使用。
在具備這種光源單元10A的發光裝置中也能夠期待與具備光源單元10的發光裝置同樣的作用效果。
(第2變形例)
圖10為表示第1實施形態的第2變形例的光源單元10B的一構造例的剖面圖。光源單元10B中，在Z軸方向於閘極絕緣膜41Z與汲極電極41D之間設置配線層42。配線層42在例如金屬層43之上直接設置。光源單元10B中也一樣，能夠將配線層42作為形成貫通孔10H時的蝕刻停止器使用。
在具備這種光源單元10B的發光裝置中也能夠期待與具備光源單元10的發光裝置同樣的作用效果。
(第3變形例)
圖11為表示第1實施形態的第3變形例的光源單元10C的一構造例的剖面圖。光源單元10C中，於源極電極41S及汲極電極41D之上設置配線層42。配線層42例如經由汲極電極41D與金屬層43導通。光源單元10C中也一樣，能夠將配線層42作為形成貫通孔10H時的蝕刻停止器使用。此外，配線層42經由源極電極41S與金屬層43導通也可以。
在具備這種光源單元10C的發光裝置中也能夠期待與具備光源單元10的發光裝置同樣的作用效果。
(第4變形例)
圖12為表示第1實施形態的第4變形例的光源單元10D的一構造例的剖面圖。光源單元10D中，在Z軸方向於閘極絕緣膜41Z與汲極電極41D之間設置配線層42。再來，光源單元10D的驅動元件41，取代金屬層40而具有金屬層43。金屬層43形成在閘極電極41G相同階層(亦即緩衝層10BL)之上。金屬層43，在XY面內設於與閘極電極41G不同的區域。除了該等點以外，光源單元10D的構造，與光源單元10的構造實質相同。配線層42在例如金屬層43之上直接設置。光源單元10D中也一樣，能夠將配線層42作為形成貫通孔10H時的蝕刻停止器使用。
在具備這種光源單元10D的發光裝置中也能夠期待與具備光源單元10的發光裝置同樣的作用效果。
(第5變形例)
圖13為表示第1實施形態的第5變形例的光源單元10E的一構造例的剖面圖。光源單元10E中，於汲極電極41D之上設置配線層42。又，配線層42，與源極電極41S及汲極電極41D一同被絕緣層4Z覆蓋。除了該等點以外，光源單元10E的構造，與光源單元10的構造實質相同。光源單元10E中也一樣，能夠將配線層42作為形成貫通孔10H時的蝕刻停止器使用。
在具備這種光源單元10E的發光裝置中也能夠期待與具備光源單元10的發光裝置同樣的作用效果。
＜2.第2實施形態＞
[2．1 構造]
圖14為表示本技術的第2實施形態的顯示裝置101的外觀者。顯示裝置101具備顯示面板210，例如作為薄型電視裝置使用，具有用以影像顯示的平板狀本體部102藉由支架103支持的構造。此外，顯示裝置101，在將支架103安裝於本體部102的狀態下，載置於地板、架子或平台等水平面作為放置型使用，但將支架103在從本體部102卸下的狀態下作為壁掛型使用也可以。
圖15為將圖14所示的本體部102分解表示者。本體部102，例如，從前面側(視聽者側)依序具有前部外裝構件(邊框)111、面板模組112及後部外裝構件(後遮罩)113。前部外裝構件111為覆蓋面板模組112的前面周緣部的框架狀的構件，在下方配置一對揚聲器114。面板模組112固定於前部外裝構件111，在其背面實裝電源基板115及信號基板116並固定安裝配件117。安裝配件117為用來進行壁掛托架的安裝、基板等的安裝及支架103的安裝者。後部外裝構件113被覆面板模組112的背面及側面。
[2.2 作用效果]
顯示裝置101中，具備適合薄型化及輕量化的顯示面板210。因此，也能夠期待顯示裝置101的薄型化及輕量化。再來，因為顯示面板210中複數光源2以更高密度配置，顯示裝置101也能夠發揮良好的顯示性能。
＜3.其他變形例＞
以上，雖舉實施形態及變形例來說明本揭示，但本揭示不限於上述實施形態等，可以進行各種變形。例如，上述實施形態中說明的顯示面板的各構成要素的材質或種類、配置位置、及形狀等不限於上述。
(其他的第1變形例)
例如上述第1實施形態中，雖例示具備複數LED的LED顯示器，但本揭示的技術也能夠適用於例如具備有機發光元件的有機EL顯示器。
圖16為表示作為本揭示的其他的第1變形例的有機EL顯示器即顯示裝置500的剖面圖。顯示裝置500例如具備支持基體510、影像顯示層520、保護基體530。顯示裝置500為在例如影像顯示520中產生的影像顯示用的光H(HR、HG、HB)經由保護基體530放出至外部的頂部發射型的顯示裝置。因此，在配置保護基體530側的面(顯示面M1)顯示影像。
影像顯示層520具備利用有機發光現象放出光H的複數有機發光元件526。其中，影像顯示層520，例如具備放出紅色光HR(例如波長=約620nm附近)的紅色有機發光元件526R、放出綠色光HG(例如波長=約530nm附近)的綠色有機發光元件526G、及放出藍色光HB(例如波長=約460nm附近)的藍色有機發光元件526B。
更具體上，影像顯示層520，例如包含複數驅動元件521、層間絕緣層522、複數驅動配線523、平坦化絕緣層524、層內絕緣層525、紅色有機發光元件526R、綠色有機發光元件526G及藍色有機發光元件526B、保護層527、黏著層528、彩色濾光器529。該等影像顯示層520的一連構成要素，例如藉由在支持基體510的一面依序形成，以該順序層積。
[複數驅動元件]
複數驅動元件521為使紅色有機發光元件526R、綠色有機發光元件526G及藍色有機發光元件526B的各者驅動的元件，例如配置成矩陣狀。複數驅動元件521的各者例如為薄膜電晶體(TFT：thin film transistor)等，連接至驅動配線523。
[層間絕緣層]
層間絕緣層522為將複數驅動元件521從周圍電分離的層，例如包含氧化矽(SiO
2)及PSG(phospho-silicate glass)等絕緣性材料之中的1種類或2種類以上。層間絕緣層522例如以被覆複數驅動元件521及其周邊的支持基體510的方式形成。
[複數驅動配線]
複數驅動配線523，為用以作為使紅色有機發光元件526R、綠色有機發光元件526G及藍色有機發光元件526B的各者驅動的信號線發揮機能的配線，例如包含鋁(Al)及鋁銅合金(AlCu)等導電性材料之中的1種類或2種類以上。複數驅動配線523的各者分別連接至紅色有機發光元件526R、綠色有機發光元件526G及藍色有機發光元件526B。此外，驅動配線523例如在每個驅動元件521分別設置2個，該2個驅動配線523例如作為閘極信號線及汲極信號線發揮機能。
[平坦化絕緣層]
平坦化絕緣層524為將驅動元件521及驅動配線523與紅色有機發光元件526R、綠色有機發光元件526G及藍色有機發光元件526B的各者之間電分離的層。但是，平坦化絕緣層524也發揮作為將配置紅色有機發光元件526R、綠色有機發光元件526G及藍色有機發光元件526B的各者的基底平坦化的層的角色。平坦化絕緣層524例如包含氧化矽(SiO
2)等絕緣性材料之中的1種類或2種類以上。
[紅色有機發光元件、綠色有機發光元件及藍色有機發光元件]
紅色有機發光元件526R、綠色有機發光元件526G及藍色有機發光元件526B與驅動元件521同樣配置成矩陣狀。影像顯示層520將紅色有機發光元件526R、綠色有機發光元件526G及藍色有機發光元件526B作為1組，具備複數組紅色有機發光元件526R、綠色有機發光元件526G及藍色有機發光元件526B。
紅色有機發光元件526R，例如包含下部電極層5261、有機發光層5262、及上部電極層5263。下部電極層5261、有機發光層5262及上部電極層5263例如在平坦化絕緣層524之上依序層積。
下部電極層5261為與複數驅動元件521一樣配置成矩陣狀的個別電極，例如包含銀(Ag)及金(Au)等導電性材料之中的1種類或2種類以上。
有機發光層5262為放出紅色光HR的層，例如是包含複數層的層積體。該複數層，例如與使紅色光HR產生的發光層一同，包含電洞注入層、電洞輸送層、電子注入層及電洞輸送層等之中的1種類或2種類以上。
上部電極層5263與配置成矩陣狀的下部電極層5261(個別電極)不同，為以經由紅色有機發光元件526R、綠色有機發光元件526G及藍色有機發光元件526B的各者的方式延伸的共通電極。上部電極5263，例如為了將從有機發光層5262放出的紅色光HR導至保護基體530，包含氧化銦錫(ITO：Indium Tin Oxide)等光透過性的導電性材料之中的1種類或2種類以上。
綠色有機發光元件525G，例如取代使紅色光HR產生的有機發光層5262，除了使綠色光HG產生的有機發光層5262以外，具有與紅色有機發光元件526R同樣的構造。藍色有機發光元件526B，例如取代使紅色光HR產生的有機發光層5262，除了使藍色光HB產生的有機發光層5262以外，具有與紅色有機發光元件526R同樣的構造。
[層內絕緣層]
層內絕緣層526為用來使紅色有機發光元件526R、綠色有機發光元件526G及藍色有機發光元件526B相互分離的層，例如包含聚醯亞胺等的絕緣性材料之中的1種類或2種類以上。
[保護層]
保護層527為保護紅色有機發光元件526R、綠色有機發光元件526G及藍色有機發光元件526B等的層，例如包含氮化矽(SiN)等光透過性的介電性材料之中的1種類或2種類以上。
[黏接層]
黏著層528為使保護層527與彩色濾光器529相互黏接的層，例如包含光透過性的熱硬化型樹脂等的黏著劑之中的1種類或2種類以上。
[彩色濾光器]
彩色濾光器529為使在紅色有機發光元件526R、綠色有機發光元件526G及藍色有機發光元件526B的各者中產生的紅色光HR、綠色光HG及藍色光HB透過的構件。但是，彩色濾光器529，也發揮防止外光侵入影像顯示層520內部引起的對比度降低的角色。
彩色濾光器529，例如包含對應紅色有機發光元件526R的紅色濾波器區域529R、對應綠色有機發光元件526G的綠色濾波器區域529G、對應藍色有機發光元件526B的藍色濾波器區域529B。
在這種顯示裝置500中也一樣適用本揭示的技術，能夠期待薄型化及輕量化。再來，因為顯示裝置500中也能夠將複數有機發光元件526以更高密度配置，顯示裝置500也能夠發揮良好的顯示性能。
(其他的第2變形例)
又，本揭示旳技術也能夠適用於以下發光裝置600。
圖17A及圖17B分別表示作為本揭示的其他的第2變形例的發光裝置600的一構造例的剖面圖。圖17A及圖17B表示相互從正反對的方向眺望發光裝置600的樣子。圖18為表示圖17A所示的發光裝置600的平面構造例的平面圖。再來，圖19為表示圖17A所示的發光裝置600的剖面構造例的剖面圖。此外圖19表示沿著圖18所示的XIX-XIX切斷線的箭視方向的剖面。發光裝置600為適合作為面光源，例如作為搭載於液晶顯示裝置的直下式背光利用者。
發光裝置600例如具有複數光源單元610、中繼基板620、及可撓性薄膜630。複數光源單元610及中繼基板620分別具有與上述第1實施形態說明的光源單元10及電路基板20的各構造實質相同的構造。複數光源單元610分別在X軸方向延伸，在Y軸方向排列配列。相對於此，中繼基板620例如在Y軸方向延伸，與複數光源單元610的各者機械接合。中繼基板620藉由複數連接部650也與複數光源單元610的各者電連接。可撓性薄膜630例如是反射片，例如對來自光源2的光具有高反射率。可撓性薄膜630作為具有高反射率的材料，包含氧化鈦或Ag(銀)也可以。可撓性薄膜630具體上例如是白色的光阻層。作為白色的光阻，例如是氧化鈦(TiO
2)微粒子或硫酸鋇(BaSO
4)微粒子等的無機材料、用以光散射的具有無數孔的多孔質丙烯酸樹脂微粒子或聚碳酸酯樹脂微粒子等的有機材料。作為可撓性薄膜630的構成材料也能夠使用環氧系的樹脂。再來，藉由含有氧化鈦(TiO
2)微粒子或硫酸鋇(BaSO
4)微粒子等的無機材料的微粒子的樹脂構成可撓性薄膜630也可以。
此外，本實施形態中，將光源單元610的長邊方向作為X軸方向、光源單元610的短邊方向作為Y軸方向、光源單元610的厚度方向作為Z軸方向。X軸方向、Y軸方向、及Z軸方向相互垂直。
如圖17A所示，光源單元610具有作為光源基板的絕緣性薄膜基板1、複數光源2。如圖19所示，絕緣性薄膜基板1具有表面1FS、及相對於表面1FS在厚度方向(Z軸方向)的相反側的裏面1BS。複數光源2設於絕緣性薄膜基板1的表面1FS(圖19)。複數光源2，沿著絕緣性薄膜基板1的長邊方向即X軸方向例如以預定的間隔排列成1列。又，可撓性薄膜630沿著XY面延伸，以覆蓋複數光源單元610全體的方式，設於絕緣性薄膜基板1的表面1FS側。複數光源單元610相對於可撓性薄膜630例如可以藉由黏接固定。中繼基板620設於絕緣性薄膜基板1的裏面1BS側。
發光裝置600，如圖18及圖19所示，具有包含驅動元件41的薄膜裝置4。驅動元件41例如可以設於各光源單元610的絕緣性薄膜基板1、也可以設於中繼基板620。發光裝置600如圖19所示，更具有間隙物6、擴散片7、波長變換片8、及光學片群9也可以。又，在光源單元610與擴散片7之間設封裝層60也可以。
(光源單元10)
複數光源單元610，如圖17A、17B及圖18所示，可以沿著Y軸方向例如相互分離排列。特別是如圖18所示，各光源單元610的Y軸方向的尺寸即寬度1W，可以比相鄰的光源單元610彼此的間隔W2還窄。因為能夠刪減絕緣性薄膜基板1等的構成材料，能夠達到輕量化。此外，圖17A、17B及圖18所示之例中，相對於1個中繼基板620連接8個光源單元610，但本揭示不限定於此。相對於1個中繼基板620，連接7以下的光源單元610也可以、連接9以上的光源單元610也可以。
(波長變換片8)
波長變換片8對向於複數光源2配置。圖20為擴大表示圖19所示的波長變換片8的一部分的擴大剖面圖。如圖20所示，波長變換片8例如包含粒子狀的波長變換物質81。波長變換物質81，例如包含螢光顏料或螢光染料等的螢光體(螢光物質)、或量子點，被來自光源2的光激發，因螢光發光等原理，將來自光源2的光進行波長變換成與原波長不同的別的波長，並將其放出。此外，圖20中，為了簡單，將波長變換物質81描繪成粒子狀，但本揭示不限於波長變換物質81形成粒子狀者。
包含於波長變換片8的波長變換物質81，吸收從光源2發出的藍色光，將其一部分變換成紅色光(例如波長620nm〜750nm)、或綠色光(例如波長495nm〜570nm)。此時，光源2的光通過波長變換片8，紅色、綠色及藍色的光合成生成白色光。或者，包含於波長變換片8的波長變換物質81，吸收藍色光，將其一部分變換成黃色光也可以。此時，光源2的光通過波長變換片8，黃色及藍色的光合成生成白色光。
包含於波長變換片8的波長變換物質81包含量子點較佳。量子點為長徑1nm〜100nm左右的粒子，具有離散的能量位準。量子點的能量狀態因為相依於其大小，能夠藉由改變尺寸自由選擇發光波長。又，量子點的發光光的光譜寬度窄。藉由組合這種陡的峰值的光擴大色域。因此，作為波長變換物質使用量子點，能夠容易擴大色域。再來，量子點應答性高，能夠有效利用光源2的光。而且，量子點穩定性也高。量子點，例如是12族元素與16族元素的化合物、13族元素與16族元素的化合物或者14族元素與16族元素的化合物，例如CdSe、CdTe、ZnS、CdS、PbS、PbSe或CdHgTe等。又，因RoHS限制等的環境限制也要求無Cd量子點，作為核心材料有InP系、鈣鈦礦(Perovskite)的CsPbBr
3系、Zn(Te、Se)或I-III-VI族3元系的一種即硫化銀銦。
(擴散片7)
擴散片7為配置在波長變換片8與複數光源2之間的光學構件。擴散片7為用來使入射的光的角度分佈均勻化者。作為擴散片7是1片擴散板或1片擴散片也可以、是2片以上的擴散板或2片以上的擴散片也可以。又，擴散片7是具有一定的厚度與一定的硬度的板狀光學構件也可以。
(間隙物6)
間隙物6為用以保持光源2與擴散片7的光學距離的構件。
(光學片群9)
光學片群9為從波長變換片8的光射出面側(亦即波長變換片8)看配置於與擴散片7相反側的光學構件。光學片群9例如包含用來使亮度提升的片或薄膜構成。圖19所示之例中，光學片群9為在波長變換片8之上依序層積光學片91與光學片92者。光學片91與光學片92相互接合一體化也可以。光學片91例如為稜鏡片。光學片92例如為DBEF (Dual Brightness Enhancement Film)等反射型偏光薄膜。此外，構成光學片群9的光學片之數、及構成光學片群9的複數光學片的種類及層積順序等能夠任意選擇。
在這種發光裝置600中也一樣適用本揭示的技術，能夠期待薄型化及輕量化。再來，因為發光裝置600中也能夠將複數光源2以更高密度配置，發光裝置600也能夠發揮良好的顯示性能。
又，發光裝置600中，將分別配置複數光源2的複數光源單元610連接至1個中繼基板620。因此，因為能夠分別在複數光源單元610微調整配置位置，能夠容易進行各光源2的配置位置的最適化。又，也有利於發光裝置600的輕量化。亦即，藉由將複數光源單元610藉由1個中繼基板620連繋，與例如在1片板狀的基板配設複數光源的構造相比較，達到具有複數光源2，同時刪減了絕緣性薄膜基板1的材料使用量，且能夠達到輕量化及成本降低。因此，根據發光裝置600，能夠達成輕量化及成本降低，並實現高精細的發光輝度分佈。
本實施形態的發光裝置600中，複數光源單元610沿著Y軸方向相互分離排列設置。因此，與在1片板狀的絕緣性薄膜基板配設複數光源2的構造相比較，達到具有複數光源2，同時刪減了絕緣性薄膜基板1的材料使用量，且能夠達到輕量化及成本降低。
又，本實施形態的發光裝置600中，光源單元610的Y軸方向的寬度W1，若比在Y軸方向相鄰的複數光源單元610彼此的間隔W2還窄，則作為發光裝置600全體配置預定數的光源2時，與例如寬度W1為與間隔W2同等以上的情形相比較，能夠更刪減絕緣性薄膜基板1的材料的使用量，能夠達到更輕量化及成本降低。
又，本實施形態的發光裝置600中，將複數光源2在絕緣性薄膜基板1中沿著X軸方向排列成1列。因此，則作為發光裝置600全體配置預定數的光源2時，與例如排列複數列光源2的情形相比較，能夠更刪減絕緣性薄膜基板1的材料的使用量，能夠達到更輕量化及成本降低。
(其他的第3變形例)
本揭示的電子裝置，能夠使用在絕緣性薄膜基板之上預先形成由銅等形成的導電膜的層積薄膜。但是，這種層積薄膜的導電膜，常有其表面的凹凸大的情形。因此，將導電膜的表面進行研磨等平滑化較佳。這是為了提高薄膜裝置中的薄膜電晶體的品質。
圖21A表示在絕緣性薄膜基板1的表面1FS形成導電膜44的層積薄膜SF。層積薄膜SF，裏面1BS貼附於支持體SP1。使用這種層積薄膜SF形成發光裝置的情形，在薄膜裝置4之中的形成驅動元件41的區域AR1、與形成配線層42的區域AR2進行不同的處理即可。
具體上，如圖21B所示，除去形成驅動元件41的區域AR1的導電膜44使絕緣性薄膜基板1的表面1FS露出，另一方面使形成配線層42的區域AR2的導電膜44維持原狀殘留。其中，如圖21C所示，以覆蓋露出的絕緣性薄膜基板1的方式，例如藉由濺鍍法等，形成例如1μm以下的均質厚度的導電膜Z41G。導電膜Z41G能夠作為驅動元件41的閘極電極41G使用。接著，如圖21D所示，在區域AR1形成包含驅動元件41的薄膜裝置4並在區域AR2形成包含配線層42的薄膜裝置4。其中，如圖21E所示，以一體覆蓋區域AR1及區域AR2雙方的方式形成樹脂層5。此時，以樹脂層5的上面成為平坦的方式，將區域AR1的樹脂層5的厚度設為比區域AR2的樹脂層5的厚度還厚即可。藉此，能夠將樹脂層5的上面稱定貼附於支持體SP2，在絕緣性薄膜基板1形成貫通孔時，能夠提高其位置精度及尺寸精度。
(其他的第4變形例)
本揭示的電子裝置如以下那樣製造也可以。
首先，如圖22A所示，準備絕緣性薄膜基板1後，在其裏面1BS貼附支持體SP1。
接著，如圖22B所示，例如藉由濺鍍法等，形成例如1μm以下的均質厚度的導電膜45。設於區域AR1的導電膜45，能夠作為驅動元件41的閘極電極41G使用。設於區域AR2的導電膜45，能夠構成配線層42的一部分。
接著，如圖22C所示，藉由將設於區域AR2的導電膜45作為基底層使用的鍍膜處理，僅在區域AR2選擇形成鍍膜膜46。
接著，如圖22D所示，在區域AR1形成包含驅動元件41的薄膜裝置4並在區域AR2形成包含配線層42的薄膜裝置4。
之後，如圖22E所示，以一體覆蓋區域AR1及區域AR2雙方的方式形成樹脂層5。此時，以樹脂層5的上面成為平坦的方式，將區域AR1的樹脂層5的厚度設為比區域AR2的樹脂層5的厚度還厚即可。藉此，能夠將樹脂層5的上面稱定貼附於支持體SP2，在絕緣性薄膜基板1形成貫通孔時，能夠提高其位置精度及尺寸精度。
又，上述實施形態等中，例示設置複數包含發光元件的光源的發光裝置說明本揭示，但本揭示的電子裝置不限於此。本揭示的電子裝置，例如包含攝像元件及磁感測器等的各種電子裝置也可以。又，作為薄膜裝置，不限於薄膜電晶體，僅包含再配線層等也可以。
如以上說明，作為本揭示的一實施形態的電子裝置具有絕緣性薄膜基板、薄膜裝置、及貫通導孔。絕緣性薄膜基板包含第1主面、及該第1主面相反側的第2主面。薄膜裝置包含形成於絕緣性薄膜基板的第1主面的金屬層。貫通導孔從金屬層之中的第1部分貫通絕緣性薄膜基板延伸至第2主面。根據作為本揭示的一實施形態的電子裝置，因為在絕緣性薄膜基板設置薄膜裝置，有利於全體構造的薄型化及輕量化。又，在絕緣性薄膜基板設置貫通導孔時的貫通孔形成是容易的。
此外，本說明書所記載的效果僅為例示並不限於該記載，具有其他效果也可以。再來，本技術能夠取以下以的構造。
(1)一種電子裝置，具有：包含第1主面、與前述第1主面相反側的第2主面的絕緣性薄膜基板；
從前述金屬層之中的第1部分包含形成於前述絕緣性薄膜基板的前述第1主面的金屬層的薄膜裝置前述絕緣性薄膜基板延伸至前述第2主面的貫通導孔。
(2)如上記(1)記載的電子裝置，其中，前述薄膜裝置，更包含選擇層積於前述金屬層之中的前述第1部分的追加金屬層。
(3)如上記(1)或(2)記載的電子裝置，更具有：設於前述絕緣性薄膜基板的前述第1主面與前述薄膜裝置之間的緩衝層。
(4)如上記(3)記載的電子裝置，其中，前述緩衝層由無機材料形成。
(5)如上記(1)至(3)中任一項記載的電子裝置，其中，前述絕緣性薄膜基板由有機材料形成。
(6)如上記(5)記載的電子裝置，其中，前述有機材料為PI(聚醯亞胺)、PET(聚對苯二甲酸)、PC(聚碳酸酯)、PEN(聚萘二甲酸)、及COP(環烯烴聚合物)之中的至少1種。
(7)如上記(1)至(6)中任一項記載的電子裝置，其中，前述絕緣性薄膜基板具有可撓性。
(8)如上記(1)至(7)中任一項記載的電子裝置，其中，前述薄膜裝置，包含配線層及薄膜電晶體之中的至少一種。
(9)如上記(1)至(7)中任一項記載的電子裝置，其中，前述薄膜裝置，包含具有閘極電極、源極電極及汲極電極的薄膜電晶體；
前述金屬層，形成於與前述閘極電極相同階層、或者與前述源極電極或前述汲極電極一體形成。
(10)如上記(2)記載的電子裝置，其中，前述追加金屬層為鍍膜層。
(11)一種電子裝置，具有：包含第1主面、與前述第1主面相反側的第2主面的絕緣性薄膜基板；
包含形成於前述絕緣性薄膜基板的前述第1主面的金屬層的薄膜裝置；
與前述薄膜裝置連接的發光元件；
從前述金屬層之中的第1部分貫通前述絕緣性薄膜基板延伸至前述第2主面的貫通導孔。
(12)一種顯示裝置，具備：發光裝置；
具有使用來自前述發光裝置的光進行影像顯示的顯示區域的顯示面板；
其中，
前述發光裝置，具備：
一種電子裝置，具有：包含第1主面、與前述第1主面相反側的第2主面的絕緣性薄膜基板；
包含形成於前述絕緣性薄膜基板的前述第1主面的金屬層的薄膜裝置；
與前述薄膜裝置連接的發光元件；
從前述金屬層之中的第1部分貫通前述絕緣性薄膜基板延伸至前述第2主面的貫通導孔。
(13)一種電子裝置的製造方法，具有：在包含第1主面、與前述第1主面相反側的第2主面的絕緣性薄膜基板的前述第1主面，形成包含金屬層的薄膜裝置的步驟；
藉由將前述絕緣性薄膜基板的一部分區域選擇除去，形成從前述第2主面至前述金屬層之中的第1部分的第1貫通孔的步驟；
藉由在前述第1貫通孔填充導電性材料形成貫通導孔的步驟。
(14)如上記(13)記載的電子裝置的製造方法，更包含：在前述金屬層的前述第1部分之上形成追加金屬層的步驟。
(15)如上記(13)或(14)記載的電子裝置的製造方法，更包含：在前述絕緣性薄膜基板的前述第1主面與前述薄膜裝置之間形成緩衝層的步驟；
在前述緩衝層，形成與前述第1貫通孔連通的第2貫通孔的步驟。
(16)如上記(15)記載的電子裝置的製造方法，其中，藉由進行雷射照射，在前述絕緣性薄膜基板及前述緩衝層雙方產生多光子吸收，將前述第1貫通孔與前述第2貫通孔連續形成。
10:光源單元
20:電路基板
1:絕緣性薄膜基板
1BS:裏面
1FS:表面
2:光源
21:發光元件
22:封裝透鏡
22A:蓋透鏡
23:半導體層
24:透明層
25:反射層
26:發光層
27:基部
28,29:封裝材
4:薄膜裝置
4Z:絕緣層
40:金屬層
41:驅動元件
42:配線層
421:第1層
422:第2層
5:樹脂層
6:間隙物
7:擴散片
8:波長變換片
9:光學片群
91,92:光學片
50:連接部
51,52:配線層
54:導電性材料層
60:封裝層
61,62:樹脂層
10BL:緩衝層
10V,20V:貫通導孔
600:發光裝置
101:顯示裝置
100:顯示系統
130:PC
131:視訊伺服器
132:電視牆控制器
133:電視牆
151:顯示模組
171:LAN端子
172:HDMI(註冊商標)端子
173:DP端子
174:DVI端子
175:網路IF
176:MPU
177:信號輸入IF
178:信號處理部
79:DRAM
180:信號分配部
181:輸出IF
191:驅動器控制部
192:LED區塊
911:信號輸入IF
912:信號處理部
913:輸出IF
921:LED驅動器
922:LED陣列
941R,941G,941B:LED晶片
961:PCB基板
[圖1A]表示本揭示的第1實施形態的顯示系統的全體構造例的示意圖。
[圖1B]表示圖1A所示的顯示系統的一部分的構成要素的詳細構造例的區塊圖。
[圖2]表示圖1A所示的顯示模組的平面構造的概略平面圖。
[圖3A]表示圖1A所示的顯示模組的全體構造例的示意圖。
[圖3B]表示圖3A所示的顯示面板的剖面構造例的剖面圖。
[圖4]將圖3B所示的顯示面板的剖面的一部分擴大表示的擴大剖面圖。
[圖5]表示圖1A所示的光源的一構造例的擴大剖面圖。
[圖6A]說明圖3A所示的顯示面板的製造方法的第1剖面圖。
[圖6B]說明圖3A所示的顯示面板的製造方法的第2剖面圖。
[圖6C]說明圖3A所示的顯示面板的製造方法的第3剖面圖。
[圖6D]說明圖3A所示的顯示面板的製造方法的第4剖面圖。
[圖6E]說明圖3A所示的顯示面板的製造方法的第5剖面圖。
[圖6F]說明圖3A所示的顯示面板的製造方法的第6剖面圖。
[圖6G]說明圖3A所示的顯示面板的製造方法的第7剖面圖。
[圖6H]說明圖3A所示的顯示面板的製造方法的第8剖面圖。
[圖6I]說明圖3A所示的顯示面板的製造方法的第9剖面圖。
[圖6J]說明圖3A所示的顯示面板的製造方法的第10剖面圖。
[圖6K]說明圖3A所示的顯示面板的製造方法的第11剖面圖。
[圖6L]說明圖3A所示的顯示面板的製造方法的第12剖面圖。
[圖7A]說明圖3A所示的顯示面板之中的導電性材料的製造方法的第1剖面圖。
[圖7B]說明圖3A所示的顯示面板之中的導電性材料的製造方法的第2剖面圖。
[圖7C]說明圖3A所示的顯示面板之中的導電性材料的製造方法的第3剖面圖。
[圖8]示意表示圖3A所示的顯示面板中的絕緣性薄膜基板的貫通導孔與中繼基板的配線層的位置關係之一例的概略平面圖。
[圖9]表示第1實施形態的第1變形例的光源單元的一構造例的剖面圖。
[圖10]表示第1實施形態的第2變形例的光源單元的一構造例的剖面圖。
[圖11]表示第1實施形態的第3變形例的光源單元的一構造例的剖面圖。
[圖12]表示第1實施形態的第4變形例的光源單元的一構造例的剖面圖。
[圖13]表示第1實施形態的第5變形例的光源單元的一構造例的剖面圖。
[圖14]表示本揭示的第2實施形態的顯示裝置的外觀的斜視圖。
[圖15]將圖14所示的本體部分解表示的斜視圖。
[圖16]表示作為本揭示的其他的第1變形例的有機EL顯示裝置的剖面圖。
[圖17A]表示從第1方向眺望作為本揭示的其他的第2變形例的發光裝置的樣子的第1斜視圖。
[圖17B]表示從第2方向眺望圖17A所示的發光裝置的樣子的第2斜視圖。
[圖18]表示圖17A所示的發光裝置的平面構造的平面圖。
[圖19]表示圖17A所示的發光裝置的剖面構造的剖面圖。
[圖20]表示圖17A所示的波長變換片的一構造例的擴大剖面圖。
[圖21A]表示本揭示的其他的第3變形例的電子裝置的製造方法的一例的第1剖面圖。
[圖21B]表示本揭示的其他的第3變形例的電子裝置的製造方法的一例的第2剖面圖。
[圖21C]表示本揭示的其他的第3變形例的電子裝置的製造方法的一例的第3剖面圖。
[圖21D]表示本揭示的其他的第3變形例的電子裝置的製造方法的一例的第4剖面圖。
[圖21E]表示本揭示的其他的第3變形例的電子裝置的製造方法的一例的第1剖面圖。
[圖22A]表示本揭示的其他的第4變形例的電子裝置的製造方法的一例的第1剖面圖。
[圖22B]表示本揭示的其他的第4變形例的電子裝置的製造方法的一例的第2剖面圖。
[圖22C]表示本揭示的其他的第4變形例的電子裝置的製造方法的一例的第3剖面圖。
[圖22D]表示本揭示的其他的第4變形例的電子裝置的製造方法的一例的第4剖面圖。
[圖22E]表示本揭示的其他的第4變形例的電子裝置的製造方法的一例的第1剖面圖。
1:絕緣性薄膜基板
1BS:裏面
1FS:表面
4Z:絕緣層
10:光源單元
10BL:貫通緩衝層
10H:貫通孔
10V:貫通導孔
40:金屬層
40A:重疊部分
41:驅動元件
41D:汲極電極
41G:閘極電極
41P:保護膜
41S:源極電極
41SC:半導體層
41Z:閘極絕緣膜
42:配線層
421:第1層
422:第2層
Claims (16)
- 一種電子裝置，具有：包含第1主面、與前述第1主面相反側的第2主面的絕緣性薄膜基板； 包含形成於前述絕緣性薄膜基板的前述第1主面的金屬層的薄膜裝置； 從前述金屬層之中的第1部分貫通前述絕緣性薄膜基板至少延伸至前述第2主面的貫通導孔。
- 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述薄膜裝置，更包含選擇層積於前述金屬層之中的前述第1部分的追加金屬層。
- 如請求項1記載的電子裝置，更具有：設於前述絕緣性薄膜基板的前述第1主面與前述薄膜裝置之間的緩衝層。
- 如請求項3記載的電子裝置，其中，前述緩衝層由無機材料形成。
- 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述絕緣性薄膜基板由有機材料形成。
- 如請求項5記載的電子裝置，其中，前述有機材料為PI(聚醯亞胺)、PET(聚對苯二甲酸)、PC(聚碳酸酯)、PEN(聚萘二甲酸)、及COP(環烯烴聚合物)之中的至少1種。
- 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述絕緣性薄膜基板具有可撓性。
- 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述薄膜裝置，包含配線層及薄膜電晶體之中的至少一種。
- 如請求項1記載的電子裝置，其中，前述薄膜裝置，包含具有閘極電極、源極電極及汲極電極的薄膜電晶體； 前述金屬層，形成於與前述閘極電極相同階層、或者與前述源極電極或前述汲極電極一體形成。
- 如請求項2記載的電子裝置，其中，前述追加金屬層為鍍膜層。
- 一種發光裝置，具有：包含第1主面、與前述第1主面相反側的第2主面的絕緣性薄膜基板； 包含形成於前述絕緣性薄膜基板的前述第1主面的金屬層的薄膜裝置； 與前述薄膜裝置連接的發光元件； 從前述金屬層之中的第1部分貫通前述絕緣性薄膜基板延伸至前述第2主面的貫通導孔。
- 一種顯示裝置，具備：發光裝置； 具有使用來自前述發光裝置的光進行影像顯示的顯示區域的顯示面板； 其中， 前述發光裝置，具備： 包含第1主面、與前述第1主面相反側的第2主面的絕緣性薄膜基板； 包含形成於前述絕緣性薄膜基板的前述第1主面的金屬層的薄膜裝置； 與前述薄膜裝置連接的發光元件； 從前述金屬層之中的第1部分貫通前述絕緣性薄膜基板延伸至前述第2主面的貫通導孔。
- 一種電子裝置的製造方法，具有：在包含第1主面、與前述第1主面相反側的第2主面的絕緣性薄膜基板的前述第1主面，形成包含金屬層的薄膜裝置的步驟； 藉由將前述絕緣性薄膜基板的一部分區域選擇除去，形成從前述第2主面至前述金屬層之中的第1部分的第1貫通孔的步驟； 藉由在前述第1貫通孔填充導電性材料形成貫通導孔的步驟。
- 如請求項13記載的電子裝置的製造方法，更包含：在前述金屬層的前述第1部分之上形成追加金屬層的步驟。
- 如請求項13記載的電子裝置的製造方法，更包含：在前述絕緣性薄膜基板的前述第1主面與前述薄膜裝置之間形成緩衝層的步驟； 在前述緩衝層，形成與前述第1貫通孔連通的第2貫通孔的步驟。
- 如請求項15記載的電子裝置的製造方法，其中，藉由進行雷射照射，在前述絕緣性薄膜基板及前述緩衝層雙方產生多光子吸收，將前述第1貫通孔與前述第2貫通孔連續形成。
Applications Claiming Priority (1)
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